JPH11288092A - パターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 化学増幅レジストを用いたリソグラフィーに
適用したパターンの形成方法において、パターンの形状
精度の向上を図る。 【解決手段】 基板１上に、保護レジスト層２を形成す
る。保護レジスト層２上に、保護レジスト層２よりも感
度の高い化学増幅レジストからなる加工レジスト層３を
形成する。少なくとも保護レジスト層２の必要露光量Ｅ
th2 と同等の露光量で、加工レジスト層３及び保護レジ
スト層２に対して露光光２０を照射してパターン露光を
行う。加工レジスト層３及び保護レジスト層２の現像処
理を行い、加工レジスト層３及び保護レジスト層２から
なるパターン４を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パターン形成方法
に関し、特には半導体装置の製造工程においてエッチン
グやイオン注入の際のマスクになるレジストパターンを
リソグラフィー法によって形成するためのパターン形成
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置のさらなる高集積化及び高機
能化を進めるために、素子構造の微細化が要求されてい
る。そこで、半導体装置製造におけるリソグラフィー工
程では、遠紫外線のみならず電子線やＸ線用のレジスト
材料として化学増幅レジストを用いることが検討されて
いる。上記化学増幅レジストは、露光により光酸発生剤
から酸が発生し、この酸が触媒になってレジスト主材料
である樹脂の反応が引き起こされる。例えば、ポジ型レ
ジストではこの酸によって樹脂の保護基が脱落して現像
液に可溶となり、ネガ型レジストではこの酸が架橋剤に
作用して樹脂の架橋反応が促進されて現像液に不溶とな
る。

【０００３】以上のように、化学増幅レジストは露光に
よって発生した酸が多くの反応を誘発するため、より高
感度で解像度の高いリソグラフィーが行われることが期
待されている。

【０００４】また、１ＧビットＤＲＡＭ世代の集積回路
においては０．１８μｍであった最小設計寸法が、４ビ
ットＧＤＲＡＭ世代の集積回路において０．１３μｍに
まで縮小されると、光リソグラフィーよりも解像度の高
い電子線リソグラフィーによる微細パターンの形成が重
要な技術となる。上記電子線リソグラフィーにおいて
は、露光フィールド毎に露光が行われる光リソグラフィ
ーに対して、図形毎に描画露光が行われるため、露光フ
ィールド内における描画位置精度やパターン寸法精度の
均一性を確保することが重要になってきている。そこ
で、電子線リソグラフィーによるパターン形成において
は、レジスト上に導電膜を設けることによって、レジス
ト表面のチャージアップによる描画位置精度の劣化を防
止している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記化学増幅
レジストを用いたリソグラフィーによるパターン形成に
おいては、例えばクリーンルーム中に浮遊しているアン
モニア等の不純物によって上記反応に寄与する酸が失活
する場合がある。このため、図６に示すように、ネガ型
の化学増幅レジストを用いた場合には、現像後に得られ
るレジストパターン１０の上部における膜減りが大きく
パターンの形状精度を保つことができない。また、ポジ
型の化学増幅レジストを用いた場合には、レジストパタ
ーンが解像されないといった問題が発生する。

【０００６】さらに、アンモニア系の成膜ガスを用いて
形成された窒化シリコン膜や窒化チタン膜のような下地
膜上にパターンを形成する場合には、下地膜からアンモ
ニアのような酸失活物質がレジスト層に供給される。こ
のため、上記化学増幅レジストを用いた場合には、露光
によって発生した酸が下地膜に吸引されることになる。
そして、図７に示すように、ネガ型の化学増幅レジスト
を用いた場合には、現像後に得られるレジストパターン
１１の下部にアンダーカットが生じる。また、ポジ型の
化学増幅レジストを用いた場合には、レジストパターン
が解像されないといった問題が発生する。

【０００７】また、電子線リソグラフィーによるパター
ン形成においてチャージアプ防止のための導電膜を設け
る方法では、ポリチエニルスルホン酸を主成分とする強
酸性の導電膜（例えば、昭和電工製エスペイサー１０
０）が多用されている。このため、レジスト材料とし
て、上記化学増幅レジストを用いた場合には、導電膜中
の酸がレジスト感光作用の担い手になる。このため、ネ
ガ型レジストでは、レジスト膜と導電膜との界面全域で
レジスト材料の架橋反応が進んでレジストパターンが解
像しなくなる。一方、ポジ型レジストでは、レジスト膜
と導電膜との界面の全域でレジスト材料の保護基が脱落
して膜減りや表面ラフネスの原因になる。以上のよう
に、チャージアップ防止のための導電膜を設けた電子線
リソグラフィーによってレジストからなるパターンを形
成する場合であっても、化学増幅レジストを用いた場合
には、パターンの形状精度が劣化するとういう問題が発
生する。

【０００８】そして、光リソグラフィーによるパターン
形成においても、レジスト膜上に設けられる反射防止膜
として強酸性材料が多様されている。このため、化学増
幅レジストを用いた場合には、上記電子線リソグラフィ
ーによるパターン形成と同様の問題が発生する。

【０００９】そこで、本発明は、化学増幅レジストを用
いたリソグラフィーを適用したパターンの形成方法にお
いて、パターンの形状精度の向上を図ることが可能なパ
ターンの形成方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、基板上にレジストからなるパターンを形成
する方法である。そして、請求項１記載の方法は、基板
上に保護レジスト層及びこの保護レジスト層よりも感度
の高い化学増幅レジストからなる加工レジスト層を順次
形成する。次に、少なくとも前記保護レジスト層の必要
露光量と同等の露光量で、前記加工レジスト層及び当該
保護レジスト層に対してパターン露光を行った後、これ
らの加工レジスト層及び保護レジスト層の現像処理を行
い、当該加工レジスト層及び当該保護レジスト層からな
るパターンを形成することを特徴としている。

【００１１】上記請求項１記載の方法では、基板と化学
増幅レジストからなる加工レジスト層との間を保護レジ
スト層で隔てた状態でパターン露光が行われる。このた
め、保護レジスト層がマスクになって、上記パターン露
光で加工レジスト層中に発生した酸が基板側に吸収され
ることが防止され、加工レジスト層中において酸を触媒
にした反応の進行が確保される。したがって、得られる
パターンは、露光パターンの形状が確保されたものにな
る。

【００１２】また、請求項２に係る方法は、先ず、基板
上に化学増幅レジストからなる加工レジスト層及びこの
加工レジスト層よりも感度の低いネガ型の保護レジスト
層を順次形成する。次に、前記加工レジスト層の必要露
光量以上でかつ前記保護レジスト層の必要露光量よりも
少ない露光量で、当該加工レジスト層及び当該保護レジ
スト層に対してパターン露光を行った後、これらの加工
レジスト層及び保護レジスト層の現像処理を行い、当該
加工レジスト層からなるパターンを形成することを特徴
としている。

【００１３】上記請求項２に係る方法では、化学増幅レ
ジストからなる加工レジスト層を保護レジスト層で覆っ
た状態でパターン露光が行われる。このため、保護レジ
スト層がマスクになって、このパターン露光で加工レジ
スト層中に発生した酸が大気中から供給される不純物に
よって失活することが防止されると共に、保護レジスト
層の上層から加工レジスト層に酸が供給されることが防
止される。このため、パターン露光で加工レジスト層中
に発生した酸のみを触媒にした反応の進行が確保され
る。この際、前記加工レジスト層の必要露光量以上でか
つ前記保護レジスト層の必要露光量よりも少ない露光量
でパターン露光を行うことで、このパターン露光におい
ては加工レジスト層のみが解像する。このため、上層か
らの影響を受けた保護レジストは剥離除去され、加工レ
ジスト層のみからなるパターンが形成される。したがっ
て、このパターンは、露光パターンの形状を保ったもの
になる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用したパターン
形成方法の実施の形態を図面に基づいて順次説明する。

【００１５】（第１実施形態）図１は、第１実施形態の
パターン形成方法を説明するための断面工程図であり、
以下にこの図１を用いて請求項１の発明を適用したパタ
ーン形成方法の一実施形態を説明する。

【００１６】先ず、図１（１）に示すように、半導体集
積回路を形成する基板１上に、例えばスピンコート法に
よって保護レジスト層２を形成する。この保護レジスト
層２としては、例えば、電子線に反応するネガ型の化学
増幅レジストを用いる。ここでは例えば、ＳＡＬ６０１
（シプレイ（株）社の商品名）のように、主成分となる
ノボラック樹脂中に光酸発生剤と架橋剤とを添加した３
成分系のレジスト材料を用いることとする。

【００１７】次に、保護レジスト層２のプリベークを行
い、保護レジスト層２中の残存溶媒を揮発除去させる。

【００１８】しかる後、保護レジスト層２上に、例えば
スピンコート法によって保護レジスト層２を構成するレ
ジスト材料よりも感度の高い化学増幅レジストからなる
加工レジスト層３を形成する。この加工レジスト層３と
しては、例えば、電子線に反応するネガ型の化学増幅レ
ジストを用いる。ここでは一例として、ＮＥＢ−２２
（住友化学の商品名）のように、主成分となるノボラッ
ク樹脂中に光酸発生剤と架橋剤とを添加した３成分系の
レジスト材料を用いることとする。

【００１９】次に、加工レジスト層３のプリベークを行
い、加工レジスト層３中の残存溶媒を揮発除去させる。

【００２０】その後、少なくとも保護レジスト層２の必
要露光量Ｅth2 と同等の露光量で、加工レジスト層３及
び当該保護レジスト層２に対してパターン露光を行う。
ここでは、電子線を露光光２０に用いた電子線露光を行
う。ここで、上記必要露光量とは、ネガジレストにおい
ては現像後に露光部のパターンを残すために必要な最低
限の露光量のしきい値であり、ポジレジストにおいては
現像後に露光部のパターンを除去するために必要な最低
限の露光量のしきい値であることとする。上記必要露光
量は、レジスト材料によって決定される。

【００２１】図２には、保護レジスト層２と加工レジス
ト層３の感度曲線のグラフを示した。このグラフは、露
光量（ドーズ量）に対する規格化膜厚（すなわち初期膜
厚に対する現像後膜厚の比＝残膜率）で示される。この
グラフから、加工レジスト層３によるパターン形成のた
めの必要露光量Ｅth3 及び保護レジスト層２によるパタ
ーン形成のための必要露光量Ｅth2 を得る。そして、上
記パターン露光においては、少なくとも必要露光量Ｅth
2 と同等の範囲、すなわち必要露光量Ｅth2 以上の露光
量ＥD でパターン露光を行う。この際好ましくは、保護
レジスト層２と加工レジスト層３とに所望の残膜率を得
られる範囲で露光量ＥD を選択する。

【００２２】上記のようにして電子線を露光光に用いた
パターン露光を行った後、図１（２）に示すように、ポ
ストエクスポージャーベイク（以下、ＰＥＢと記す）処
理を行い、加工レジスト層３及び保護レジスト層２の電
子線（すなわち露光光２０）を照射したパターン露光部
分に潜像ａを形成する。

【００２３】次に、図１（３）示すように、所定のアル
カリ現像液によって、保護レジスト層２と加工レジスト
層３とを現像処理する。ここでは、例えば現像液として
０．３８ＮのＴＭＡＨを用い、４分間の現像処理を行
う。この際、保護レジスト層２、加工レジスト層３共
に、保護レジスト層２の必要露光量Ｅth2 以上の露光量
でパターン露光が行われているため、保護レジスト層
２、加工レジスト層３共に解像する。この結果、基板１
上には、保護レジスト層２及び加工レジスト層３からな
るパターン４が形成される。

【００２４】上記パターン形成方法では、基板１と化学
増幅レジストからなる加工レジスト層３との間を保護レ
ジスト層２で隔てた状態でパターン露光が行われる。こ
のため、基板１の表面層が、窒化チタン（ＴｉＮ）膜
や、ＳＯＧ（spin on glass)膜や窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎ）膜などの酸失活物質（アンモニアなど）を放出する
酸吸引性の高い材料で覆われていても、保護レジスト層
２がバリアになって上記酸失活物質が加工レジスト層３
に供給されることを防止できる。したがって、加工レジ
スト層３中において酸を触媒にした反応の進行が確保さ
れる。また、保護レジスト層２は、加工レジスト層３よ
りも感度が低い化学増幅レジストで構成されており酸発
生効率が低いことから、酸失活物質の影響を受けにく
い。したがって、基板１１上に形成されたパターン４
は、側壁テーパ各９０°近くに保たれ、パターンの形状
精度が確保されたものになる。

【００２５】尚、上記第１実施形態で用いられる保護レ
ジスト層２のレジスト材料及び加工レジスト層３のレジ
スト材料は、保護レジスト層２のレジスト材料に対し
て、これよりも感度が高い化学増幅レジスト材料で加工
レジスト層３が構成されれば良く、上記実施形態で示し
た具体例に限定されることはない。また、露光光２０に
は光を用いても良く、この場合には保護レジスト層２及
び加工レジスト層３として光に反応するレジスト材料を
用いることとする。

【００２６】（第２実施形態）図３は、第２実施形態の
パターン形成方法を説明するための断面工程図であり、
以下にこの図３を用いて請求項２の発明を適用したパタ
ーン形成方法の一実施形態を説明する。

【００２７】先ず、図３（１）に示すように、半導体集
積回路を形成する基板１上に、例えばスピンコート法に
よって化学増幅レジストからなる加工レジスト層５を形
成する。この加工レジスト層５としては、例えば、電子
線に反応する化学増幅のネガレジストを用いる。ここで
は一例として、第１実施形態の加工レジスト層に用いた
ＮＥＢ−２２を、加工レジスト層５のレジスト材料とし
て用いることとする。

【００２８】次に、加工レジスト層５のプリベークを行
い、加工レジスト層５中の残存溶媒を揮発除去させる。

【００２９】しかる後、加工レジスト層５上に、例えば
スピンコート法によって加工レジスト層５を構成するレ
ジスト材料よりも感度の低いネガ型のレジスト材料から
なる保護レジスト層６を形成する。この保護レジスト層
６としては、例えば、電子線に反応するネガ型の化学増
幅レジストを用いる。ここでは、第１実施形態の保護レ
ジスト層に用いたＳＡＬ−６０１を、保護レジスト層６
のレジスト材料として用いることとする。

【００３０】次に、保護レジスト層６のプリベークを行
い、保護レジスト層６中の残存溶媒を揮発除去させる。

【００３１】その後、加工レジスト層５の必要露光量Ｅ
th5 以上でかつ保護レジスト層６の必要露光量Ｅth6 よ
りも少ない露光量で、これらの加工レジスト層２及び保
護レジスト層３に対してパターン露光を行う。ここで
は、電子線を露光光２０に用いた電子線露光を行う。

【００３２】図４には、加工レジスト層５と保護レジス
ト層６の感度曲線のグラフを示した。このグラフから、
加工レジスト層５によるパターン形成のための必要露光
量Ｅth5 及び保護レジスト層６によるパターン形成のた
めの必要露光量Ｅth6 が得られる。そして、上記パター
ン露光においては、必要露光量Ｅth5 以上でかつ必要露
光量Ｅth6 よりも少ない範囲の露光量ＥD で露光を行
う。この際好ましくは、加工レジスト層５に所望の残膜
率を得られる範囲で露光量ＥD を選択する。

【００３３】上記のようにして露光光に電子線を用いた
パターン露光を行った後、図３（２）に示すように、Ｐ
ＥＢ処理を行い、加工レジスト層５の電子線（すなわち
露光光２０）を照射したパターン露光部分に潜像ａを形
成する。

【００３４】次に、図３（３）示すように、所定のアル
カリ現像液によって、保護レジスト層６と加工レジスト
層５とを現像処理する。ここでは、例えば現像液として
０．３８ＮのＴＭＡＨを用い、４分間の現像処理を行
う。この際、上記パターン露光における露光量は、保護
レジスト層６の必要露光量Ｅth6 に達していないため、
ネガ型の保護レジスト層６は全て現像液に溶解する。こ
れに対して、上記露光量は、加工レジスト層５の必要露
光量Ｅth5 以上であるため、加工レジスト層５は解像す
る。この結果、加工レジスト層５のみからなるパターン
７が、基板１上に形成される。

【００３５】上記パターン形成方法では、化学増幅レジ
ストからなる加工レジスト層５を保護レジスト層６で覆
った状態でパターン露光が行われる。このため、このパ
ターン露光によって加工レジスト層５中に発生した酸
が、大気中の不純物によって失活することが防止され、
加工レジスト層５中において酸を触媒にした反応の進行
が確保される。したがって、基板１上に形成されたパタ
ーン７は、酸の失活が防止された加工レジスト層５のみ
からなることで側壁テーパ各９０°近くに保たれたもの
になり、形状精度が確保されたものになる。

【００３６】尚、上記第２実施形態で用いられる加工レ
ジスト層５のレジスト材料及び保護レジスト層６のレジ
スト材料は、化学増幅レジストで構成される加工レジス
ト層５のレジスト材料に対して、これよりも感度が低い
ネガ型のレジスト材料で保護レジスト層６が構成されれ
ば良く、上記実施形態で示した具体例に限定されること
はない。また、露光光２０には光を用いても良く、この
場合には加工レジスト層５及び保護レジスト層６として
光に反応するレジスト材料を用いることとする。

【００３７】（第３実施形態）図５は、第３実施形態の
パターン形成方法を説明するための断面工程図であり、
以下にこの図５を用いて請求項３の発明を適用したパタ
ーン形成方法の一実施形態を説明する。

【００３８】先ず、図５（１）に示すように、半導体集
積回路を形成する基板１上に、加工レジスト層５及び保
護レジスト層６を形成する。これらの加工レジスト層５
及び保護レジスト層６は、図３（１）を用いて説明した
第２実施形態と同様にして形成された同様のものである
ととし、各層の形成後にはそれぞれプリベークによって
残存溶媒を揮発除去する。

【００３９】次に、保護レジスト層６上に、スピンコー
ト法によって導電膜８を形成する。この導電膜８は、例
えばポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリピロール、
ポリアニリン、ポリドデシルチオフェン、ポリオクチル
ピロール、ポリパラフェニレンビニレンまたはポリチエ
ニレンビニレンなどを主成分とする水溶性の導電性重合
体により形成することが好ましい。水溶性の導電性重合
体を用いる理由としては、高い導電性が得られるという
ことや、水洗により容易に剥離が可能であり取り扱いが
容易であるという点が挙げられる。導電性重合体の具体
的な例としては、エスペイサー１００（昭和電工の商品
名）などのポリチエニルアルカンスルホン酸を主成分と
するものや、エスペイサー３００（昭和電工の商品名）
などのポリ（イソチアナフテンジイル−スルホネート）
を主成分とするものや、ａｑｕａＳＡＶＥ（日東化学の
商品名）などのポリアニリンを主成分とするものを好適
に用いることができる。

【００４０】次に、加工レジスト層５の必要露光量Ｅth
5 以上でかつ保護レジスト層６の必要露光量Ｅth6 より
も少ない露光量で、これらの加工レジスト層５及び保護
レジスト層６に対して電子線を露光光２０に用いたパタ
ーン露光を行う。これは、上記第２実施形態で図３
（１）を用いて説明したと同様に行う。尚、上記パター
ン露光の際には、導電膜８を接地電位に保ちつつ、導電
膜８を介して保護レジスト層６及び加工レジスト層５に
電子線（露光光２０）を照射する。

【００４１】次に、図５（２）に示すように、弱アルカ
リ洗浄液を用いて、導電膜８を剥離除去する。ここで
は、例えば、弱アルカリ洗浄液として０．１３Ｎ（規定
度）のＴＭＡＨ（tetramethylammonium hydroxide)を用
い４分間の現像処理を行うことによって、導電膜８を剥
離する。

【００４２】その後、図５（３）に示すように、ＰＥＢ
処理を行うことによって、加工レジスト層５の電子線
（露光光２０）を照射したパターン露光部分に潜像ａを
形成する。

【００４３】次に、図５（４）示すように、所定のアル
カリ現像液によって、保護レジスト層６と加工レジスト
層５とを現像処理する。ここでは、例えば現像液として
０．３８ＮのＴＭＡＨを用い、４分間の現像処理を行
う。この際、上記パターン露光における露光量は、保護
レジスト層６の必要露光量Ｅth6 に達していないため、
保護レジスト層６は全て現像液に溶解する。これに対し
て、上記露光量は、加工レジスト層５の必要露光量Ｅth
5 以上であるため、加工レジスト層５は解像する。この
結果、加工レジスト層５のみからなるパターン９が、基
板１上に形成される。

【００４４】上記パターン形成方法では、加工レジスト
層５と導電膜８との間に保護レジスト層６を挟んだ状態
でパターン露光が行われる。ここで、上記導電膜８を構
成する材料はいずれも酸性材料であるため、この導電膜
８からは酸が供給される。しかし、導電膜８から供給さ
れた酸は、保護レジスト層６がマスクになって加工レジ
スト層５に達することはない。したがって、加工レジス
ト層５中においては、露光によって発生した酸のみを触
媒にした反応が進行する。この結果、基板１上に形成さ
れたパターン９は、露光パターンの形状精度を保ったも
のになる。しかも、導電膜８で覆われた状態で電子線に
よるパターン露光を行うことで、パターン露光の際のチ
ャージアップが防止されるため、パターン９の位置精度
が確保される。

【００４５】（第４実施形態）次に、上記図５を用いて
請求項４の発明を適用したパターン形成方法の一実施形
態を第４実施形態として説明する。この第４実施形態と
上記第３実施形態との異なる所は、保護レジスト層６上
に導電膜８に換えて反射防止膜１０を形成し、露光光２
０として電子線に換えて光を用いるところにある。ただ
し、加工レジスト層５及び保護レジスト層６としては、
光に反応するレジスト材料を用いることとする。反射防
止膜１０としては、水溶性ポリマーが用いられ、加工レ
ジスト５と基板１に対して定在波の振幅が抑えられる様
にその屈折率が設計されたものを用いる。そして、上記
以外の手順は、第３実施形態と同様であることとする。

【００４６】上記パターン形成方法では、加工レジスト
層５と反射防止膜１０との間に保護レジスト層６を挟ん
だ状態でパターン露光が行われる。ここで、上記反射防
止膜１０を構成する材料は酸性材料であることが多く、
この反射防止膜１０からは酸が供給される。しかし、反
射防止膜１０から供給された酸は、保護レジスト層６で
ブロックされて加工レジスト層５に達することはない。
したがって、加工レジスト層５中においては、露光によ
って発生した酸のみを触媒にした反応が進行する。この
結果、基板１上に形成されたパターン９は、露光パター
ンの形状精度を保ったものになる。しかも、反射防止膜
１０で覆われた状態で光を用いたパターン露光が行われ
るため、レジスト上層での露光光の反射が防止され良好
な光学像でのパターン露光を行うことが可能になる。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
記載のパターン形成方法によれば、基板と化学増幅レジ
ストからなる加工レジスト層との間を感度の低いネガ型
の保護レジスト層で隔てた状態でパターン露光を行うよ
うにしたことで、基板から加工レジスト層への酸失活物
質の供給を防止し、加工レジスト層中においてパターン
露光によって発生した酸を触媒にした反応の進行を確保
することが可能になる。したがって、化学増幅レジスト
を用いたリソグラフィーを適用したパターンの形成方法
において、パターンの形状精度を確保することが可能に
なる。

【００４８】また、請求項２に係るパターン形成方法に
よれば、化学増幅レジストからなる加工レジスト層をネ
ガ型の保護レジスト層で覆った状態でパターン露光を行
い当該保護レジスト層を除去するようにしたことで、保
護レジスト層の上方から加工レジスト層への酸失活物質
及び酸の供給を防止し、加工レジスト層中においてパタ
ーン露光によって発生したのみ酸を触媒にした反応の進
行を確保することが可能になる。したがって、化学増幅
レジストを用いたリソグラフィーを適用したパターンの
形成方法において、パターンの形状精度を確保すること
が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態のパターン形成方法を説明する断
面工程図である。

【図２】第１実施形態のパターン形成方法における露光
量の範囲を説明するグラフである。

【図３】第２実施形態のパターン形成方法を説明する断
面工程図である。

【図４】第２実施形態のパターン形成方法における露光
量の範囲を説明するグラフである。

【図５】第３実施形態のパターン形成方法を説明する断
面工程図である。

【図６】従来技術の課題を説明するための断面図（その
１）である。

【図７】従来技術の課題を説明するための断面図（その
２）である。

【符号の説明】

１…基板、２，６…保護レジスト層、３，５…加工レジ
スト層、４，７，９…パターン、８…導電膜、１０…反
射防止膜

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にレジストからなるパターンを形
   成する方法であって、 基板上に、保護レジスト層を形成する工程と、 前記保護レジスト層上に、当該保護レジスト層よりも感
   度の高い化学増幅レジストからなる加工レジスト層を形
   成する工程と、 少なくとも前記保護レジスト層の必要露光量と同等の露
   光量で、前記加工レジスト層及び当該保護レジスト層に
   対してパターン露光を行う工程と、 前記加工レジスト層及び前記保護レジスト層の現像処理
   を行い、当該加工レジスト層及び当該保護レジスト層か
   らなるパターンを形成する工程とを具備してなることを
   特徴とするパターン形成方法。
2. 【請求項２】 基板上にレジストからなるパターンを形
   成する方法であって、 基板上に、化学増幅レジストからなる加工レジスト層を
   形成する工程と、 前記加工レジスト層上に、当該加工レジスト層よりも感
   度の低いネガ型の保護レジスト層を形成する工程と、 前記加工レジスト層の必要露光量以上でかつ前記保護レ
   ジスト層の必要露光量よりも少ない露光量で、当該加工
   レジスト層及び当該保護レジスト層に対してパターン露
   光を行う工程と、 前記加工レジスト層及び前記保護レジスト層の現像処理
   を行い、当該加工レジスト層からなるパターンを形成す
   る工程とを具備してなることを特徴とするパターン形成
   方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載のパターン形成方法におい
   て、 前記保護レジスト層を形成する工程と前記パターン露光
   を行う工程との間に、 前記保護レジスト層上に導電膜を形成する工程を行い、 前記パターン露光を行う工程では、電子線露光を行うこ
   とを特徴とするパターン形成方法。
4. 【請求項４】 請求項２記載のパターン形成方法におい
   て、 前記保護レジスト層を形成する工程と前記パターン露光
   を行う工程との間に、前記保護レジスト層上に反射防止
   膜を形成する工程を行い、 前記パターン露光を行う工程では、光露光を行うことを
   特徴とするパターン形成方法。