JPH10207072A - リソグラフィー方法 - Google Patents
リソグラフィー方法Info
- Publication number
- JPH10207072A JPH10207072A JP9007117A JP711797A JPH10207072A JP H10207072 A JPH10207072 A JP H10207072A JP 9007117 A JP9007117 A JP 9007117A JP 711797 A JP711797 A JP 711797A JP H10207072 A JPH10207072 A JP H10207072A
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- resist film
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- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学増幅形のレジスト膜の露光部分に生じた
酸が、基板表面から供給される酸の失活物質によって中
和され、露光部分の一部が未露光状態になる。 【解決手段】 表面がTiN膜11aで覆われた基板1
1上に、バリア膜Aを成膜する。このバリア膜A上に、
化学増幅型のレジスト膜13を成膜する。レジスト膜1
3に対してパターン露光を行い、次に現像処理を行うこ
とによって、基板11上にレジスト膜13からなるレジ
ストパターン13bを形成する。TiN膜11aから酸
を中和する失活物質が供給されても、バリア膜Aによっ
てこの酸失活物質がレジスト膜13に達することが阻害
される。したがって、レジスト膜13の露光部分に生じ
た酸が、酸失活物質によって中和されることはなく、露
光部分において酸によるレジスト膜13の反応が進めら
れる。
酸が、基板表面から供給される酸の失活物質によって中
和され、露光部分の一部が未露光状態になる。 【解決手段】 表面がTiN膜11aで覆われた基板1
1上に、バリア膜Aを成膜する。このバリア膜A上に、
化学増幅型のレジスト膜13を成膜する。レジスト膜1
3に対してパターン露光を行い、次に現像処理を行うこ
とによって、基板11上にレジスト膜13からなるレジ
ストパターン13bを形成する。TiN膜11aから酸
を中和する失活物質が供給されても、バリア膜Aによっ
てこの酸失活物質がレジスト膜13に達することが阻害
される。したがって、レジスト膜13の露光部分に生じ
た酸が、酸失活物質によって中和されることはなく、露
光部分において酸によるレジスト膜13の反応が進めら
れる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はリソグラフィー方法
に関し、特には半導体装置の製造工程でエッチングやイ
オン注入の際のマスクになるレジストパターンを基板上
に形成するためのリソグラフィー方法に関する。
に関し、特には半導体装置の製造工程でエッチングやイ
オン注入の際のマスクになるレジストパターンを基板上
に形成するためのリソグラフィー方法に関する。
【0002】
【従来の技術】リソグラフィー工程では、遠紫外線のみ
ならず電子線やX線用のレジスト材料として化学増幅型
レジストを用いることが検討されている。上記化学増幅
型のレジストは、露光により光酸発生剤から酸が発生
し、この酸が触媒になってポリマー系の反応が起こされ
る。例えば、ポジ型レジストではこの酸によって樹脂の
保護基が脱落して現像液に可溶となり、ネガ型レジスト
ではこの酸が露光後の熱処理時に架橋剤に作用して樹脂
の架橋反応が促進されて現像液に不溶となる。
ならず電子線やX線用のレジスト材料として化学増幅型
レジストを用いることが検討されている。上記化学増幅
型のレジストは、露光により光酸発生剤から酸が発生
し、この酸が触媒になってポリマー系の反応が起こされ
る。例えば、ポジ型レジストではこの酸によって樹脂の
保護基が脱落して現像液に可溶となり、ネガ型レジスト
ではこの酸が露光後の熱処理時に架橋剤に作用して樹脂
の架橋反応が促進されて現像液に不溶となる。
【0003】上記のように、化学増幅型のレジストは露
光によって発生した酸が多くの反応を誘発するため、よ
り高感度で高解像なリソグラフィーが行われることが期
待されている。
光によって発生した酸が多くの反応を誘発するため、よ
り高感度で高解像なリソグラフィーが行われることが期
待されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記化学増幅
型レジストを用いたリソグラフィーには以下のような課
題があった。すなわち、化学増幅型レジストは、発生し
た酸の挙動によりその特性が大きく左右される。このた
め、レジスト膜中に酸を中和するような酸失活物質が供
給されると、レジスト膜中において酸を触媒とした反応
が進むことが阻害される。
型レジストを用いたリソグラフィーには以下のような課
題があった。すなわち、化学増幅型レジストは、発生し
た酸の挙動によりその特性が大きく左右される。このた
め、レジスト膜中に酸を中和するような酸失活物質が供
給されると、レジスト膜中において酸を触媒とした反応
が進むことが阻害される。
【0005】特に、図4(1)に示すように、表面が窒
化チタン(TiN)膜11aで覆われた基板11上に成
膜されたレジスト膜13では、図4(2)に示すように
露光によってレジスト膜13中に酸を発生させても、そ
の下層のTiN膜11aから上記酸失活物質としてアン
モニア等の物質が供給されてレジスト膜13の裏面側が
未露光状態になることが知られている。そして、図4
(3)に示すように、このような状態で現像処理を行う
と、レジスト膜13がネガ型レジストからなる場合に
は、形成されたレジストパターン13aにアンダーカッ
トが生じる。また、ここでは図示を省略したが、レジス
ト膜13がポジ型レジストからなる場合には、基板11
上の未露光部分にレジスト残りが生じる。
化チタン(TiN)膜11aで覆われた基板11上に成
膜されたレジスト膜13では、図4(2)に示すように
露光によってレジスト膜13中に酸を発生させても、そ
の下層のTiN膜11aから上記酸失活物質としてアン
モニア等の物質が供給されてレジスト膜13の裏面側が
未露光状態になることが知られている。そして、図4
(3)に示すように、このような状態で現像処理を行う
と、レジスト膜13がネガ型レジストからなる場合に
は、形成されたレジストパターン13aにアンダーカッ
トが生じる。また、ここでは図示を省略したが、レジス
ト膜13がポジ型レジストからなる場合には、基板11
上の未露光部分にレジスト残りが生じる。
【0006】上記の現象は、TiN膜上に成膜したレジ
スト膜だけではなく、SOG(spin on gla
ss)膜上や窒化シリコン(SiN)膜上に成膜したレ
ジスト膜でも同様に生じる。
スト膜だけではなく、SOG(spin on gla
ss)膜上や窒化シリコン(SiN)膜上に成膜したレ
ジスト膜でも同様に生じる。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために成されたリソグラフィー方法である。すなわ
ち、本発明のリソグラフィー方法は、基板上に酸失活物
質に対するバリア膜を成膜し、このバリア膜上に化学増
幅型のレジスト膜を成膜した後、レジスト膜に対してパ
ターン露光及び現像処理を行う。上記バリア膜として
は、例えばポリビニルアルコールを用いることができ
る。この他にも、上記バリア膜は、酸性、導電性、水溶
性を有する材料からなるものでも良く、例えばポリアク
リル酸,ポリ(3−チエニルアルカンスルホン酸化合
物),ポリ(イソチアナフテンジイル−スルホネート)
化合物,スルホン化ポリアニリンのアンモニア塩等を主
成分とした水溶液を用いることができる。
するために成されたリソグラフィー方法である。すなわ
ち、本発明のリソグラフィー方法は、基板上に酸失活物
質に対するバリア膜を成膜し、このバリア膜上に化学増
幅型のレジスト膜を成膜した後、レジスト膜に対してパ
ターン露光及び現像処理を行う。上記バリア膜として
は、例えばポリビニルアルコールを用いることができ
る。この他にも、上記バリア膜は、酸性、導電性、水溶
性を有する材料からなるものでも良く、例えばポリアク
リル酸,ポリ(3−チエニルアルカンスルホン酸化合
物),ポリ(イソチアナフテンジイル−スルホネート)
化合物,スルホン化ポリアニリンのアンモニア塩等を主
成分とした水溶液を用いることができる。
【0008】上記リソグラフィー方法によれば、基板上
にバリア膜を介して化学増幅型のレジスト膜が成膜され
ることから、基板の表面層から酸を中和する酸失活物質
が供給されてもこの酸失活物質はバリア膜に阻まれてレ
ジスト膜に達することはない。このため、上記酸失活物
質がレジスト膜に影響することはなく、露光によってレ
ジスト膜中に生じた酸がこの酸失活物質によって中和さ
れて失活することが防止される。
にバリア膜を介して化学増幅型のレジスト膜が成膜され
ることから、基板の表面層から酸を中和する酸失活物質
が供給されてもこの酸失活物質はバリア膜に阻まれてレ
ジスト膜に達することはない。このため、上記酸失活物
質がレジスト膜に影響することはなく、露光によってレ
ジスト膜中に生じた酸がこの酸失活物質によって中和さ
れて失活することが防止される。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明のリソグラフィー方
法の実施の形態を図1に基づいて詳細に説明する。尚、
従来と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を行
う。
法の実施の形態を図1に基づいて詳細に説明する。尚、
従来と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を行
う。
【0010】図1(1)に示すように、表面がTiN膜
11aで覆われている基板11上にレジストパターンを
形成するには、先ず、基板11上にバリア膜Aを成膜す
る。バリア膜Aとしては、酸性でかつ水溶性の導電ポリ
マーであるポリ(3−チエニルアルカンスルホン酸)化
合物(昭和電光社製帯電防止膜形成材料、商品名:エス
ペイサー100、pH1.8程度)を用い、塗布溶剤に
脱イオン水を用いて基板11上に塗布成膜する。
11aで覆われている基板11上にレジストパターンを
形成するには、先ず、基板11上にバリア膜Aを成膜す
る。バリア膜Aとしては、酸性でかつ水溶性の導電ポリ
マーであるポリ(3−チエニルアルカンスルホン酸)化
合物(昭和電光社製帯電防止膜形成材料、商品名:エス
ペイサー100、pH1.8程度)を用い、塗布溶剤に
脱イオン水を用いて基板11上に塗布成膜する。
【0011】次に、図1(2)に示すように、バリア膜
A上に化学増幅型のレジスト膜13を成膜する。このレ
ジスト膜13としては、例えば化学増幅型のノボラック
系ネガレジストを用いる。
A上に化学増幅型のレジスト膜13を成膜する。このレ
ジスト膜13としては、例えば化学増幅型のノボラック
系ネガレジストを用いる。
【0012】その後、図1(3)に示すように、レジス
ト膜13に対して電子線を用いた露光を行い、レジスト
膜13中の露光部分における光酸発生剤を分解して酸を
発生させる。次に、PEB(post exposure bake)を行
うことによって、レジスト膜13中の露光部分で酸を触
媒にした架橋反応を進める。
ト膜13に対して電子線を用いた露光を行い、レジスト
膜13中の露光部分における光酸発生剤を分解して酸を
発生させる。次に、PEB(post exposure bake)を行
うことによって、レジスト膜13中の露光部分で酸を触
媒にした架橋反応を進める。
【0013】次に、図1(4)に示すように、アルカリ
現像液を用いてレジスト膜13の現像処理を行う。これ
によって、レジスト膜13の未露光部分を現像液に溶解
させて除去し、基板11上にバリア膜Aを介してレジス
トパターン13bを形成する。この際、水溶性のバリア
膜Aもパターニングされる。
現像液を用いてレジスト膜13の現像処理を行う。これ
によって、レジスト膜13の未露光部分を現像液に溶解
させて除去し、基板11上にバリア膜Aを介してレジス
トパターン13bを形成する。この際、水溶性のバリア
膜Aもパターニングされる。
【0014】上記リソグラフィー方法では、図1に示し
たようにTiN膜11aのような酸を中和する酸失活物
質を供給する層で覆われた基板11上にバリア膜Aを介
して化学増幅型のレジスト膜13が成膜されることか
ら、TiN膜11aから供給された上記酸失活物質によ
って酸性のバリア膜A中における酸が中和される。そし
て、酸失活物質はバリア膜Aに阻まれてレジスト膜13
に達することはなく、露光によってレジスト膜13中に
生じた酸が、上記酸失活物質によって中和された失活す
ることが防止される。このため、基板11上の露光部分
にアンダーカットの発生なくレジストパターン13bが
形成される。
たようにTiN膜11aのような酸を中和する酸失活物
質を供給する層で覆われた基板11上にバリア膜Aを介
して化学増幅型のレジスト膜13が成膜されることか
ら、TiN膜11aから供給された上記酸失活物質によ
って酸性のバリア膜A中における酸が中和される。そし
て、酸失活物質はバリア膜Aに阻まれてレジスト膜13
に達することはなく、露光によってレジスト膜13中に
生じた酸が、上記酸失活物質によって中和された失活す
ることが防止される。このため、基板11上の露光部分
にアンダーカットの発生なくレジストパターン13bが
形成される。
【0015】また、上記バリア膜Aは導電性を有してい
ることから、電子ビーム露光においてはこのバリア膜A
から電荷が逃がされる。このため、基板11の表面層が
SOGのような絶縁膜で覆われていたとしても、レジス
ト膜13がチャージアップすることが防止され、パター
ン露光の位置精度が確保される。
ることから、電子ビーム露光においてはこのバリア膜A
から電荷が逃がされる。このため、基板11の表面層が
SOGのような絶縁膜で覆われていたとしても、レジス
ト膜13がチャージアップすることが防止され、パター
ン露光の位置精度が確保される。
【0016】さらに、このバリア膜Aは水溶性であるこ
とから、ノボラック系の上記レジスト膜13に対して非
相溶性にすることができる。したがって、バリア膜A上
に上記レジスト膜13を成膜することが可能になる。ま
た、アルカリ現像液に対して可溶であり、レジスト膜1
3の現像処理において当該レジスト膜13の未露光部下
のバリア膜A部分も除去することができる。そして、レ
ジストパターン13bをマスクに用いた処理の後には、
このバリア膜Aを除去することが可能であり、基板11
上にバリア膜Aが残ることはない。
とから、ノボラック系の上記レジスト膜13に対して非
相溶性にすることができる。したがって、バリア膜A上
に上記レジスト膜13を成膜することが可能になる。ま
た、アルカリ現像液に対して可溶であり、レジスト膜1
3の現像処理において当該レジスト膜13の未露光部下
のバリア膜A部分も除去することができる。そして、レ
ジストパターン13bをマスクに用いた処理の後には、
このバリア膜Aを除去することが可能であり、基板11
上にバリア膜Aが残ることはない。
【0017】しかも、レジスト膜13と接する状態で酸
性のバリア膜Aが成膜されていることによって、レジス
ト膜13の感度が上層することが期待される。図2のグ
ラフには、酸性のバリア膜の膜厚(Film Thickness) と
リソグラフィーによって形成されたレジストパターンの
線幅(line Width )との関係を示す。ただし、図3
(1)に示すように、このグラフを作成するためのリソ
グラフィーでは、実験的にベアシリコンからなる基板1
1上にレジスト膜13を成膜し、このレジスト膜13上
に上記バリア膜Aを成膜した。そして、図3(2)に示
すようにバリア膜A上からレジスト膜13に対するパタ
ーン露光を行い、図3(3)に示すように現像処理を行
った。
性のバリア膜Aが成膜されていることによって、レジス
ト膜13の感度が上層することが期待される。図2のグ
ラフには、酸性のバリア膜の膜厚(Film Thickness) と
リソグラフィーによって形成されたレジストパターンの
線幅(line Width )との関係を示す。ただし、図3
(1)に示すように、このグラフを作成するためのリソ
グラフィーでは、実験的にベアシリコンからなる基板1
1上にレジスト膜13を成膜し、このレジスト膜13上
に上記バリア膜Aを成膜した。そして、図3(2)に示
すようにバリア膜A上からレジスト膜13に対するパタ
ーン露光を行い、図3(3)に示すように現像処理を行
った。
【0018】上記レジスト膜13及びバリア膜Aは、上
記実施形態と同様のものを用い、レジスト膜13の膜厚
は0.5μmとした。形成パターンは0.2μm幅のラ
イン&スペースであり、電子線の照射ドーズ量は30μ
C/cm2 に設定した。また、0.13Nのアルカリ現
像液を用いてバリア膜Aを剥離した後、0.38Nのア
ルカリ現像液を用いてレジスト膜13の現像処理を行
い、これによって、基板11上にレジスト膜13からな
るレジストパターン13cを形成した。
記実施形態と同様のものを用い、レジスト膜13の膜厚
は0.5μmとした。形成パターンは0.2μm幅のラ
イン&スペースであり、電子線の照射ドーズ量は30μ
C/cm2 に設定した。また、0.13Nのアルカリ現
像液を用いてバリア膜Aを剥離した後、0.38Nのア
ルカリ現像液を用いてレジスト膜13の現像処理を行
い、これによって、基板11上にレジスト膜13からな
るレジストパターン13cを形成した。
【0019】図2のグラフに示したように、レジスト膜
13上に膜厚24μmの酸性のバリア膜Aを成膜するこ
とによって、ライン幅が0.07μm程度増大し、レジ
スト膜13の感度が上昇することが確認された。この感
度の上昇は、ドーズ量に換算すると必要ドーズ量が40
μC/cm2 から30μC/cm2 に引き下げられたと
等しい。以上のように、バリア膜Aとして酸性材料を用
いることで、このバリア膜Aからレジスト膜13へ酸の
供給によるレジスト膜13の感度上昇も期待できる。
13上に膜厚24μmの酸性のバリア膜Aを成膜するこ
とによって、ライン幅が0.07μm程度増大し、レジ
スト膜13の感度が上昇することが確認された。この感
度の上昇は、ドーズ量に換算すると必要ドーズ量が40
μC/cm2 から30μC/cm2 に引き下げられたと
等しい。以上のように、バリア膜Aとして酸性材料を用
いることで、このバリア膜Aからレジスト膜13へ酸の
供給によるレジスト膜13の感度上昇も期待できる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように本発明のリソグラフ
ィー方法によれば、基板上に酸失活物質に対するバリア
膜を介して化学増幅型のレジスト膜を成膜することによ
って、基板の表面層から供給される酸失活物質がレジス
ト膜に達することを防止できる。このため、露光によっ
てレジスト膜中に生じた酸が上記酸失活物質によって中
和されて失活することが防止でき、リソグラフィーによ
って形成されるレジストパターンの形状状態を良好に保
つことが可能になる。
ィー方法によれば、基板上に酸失活物質に対するバリア
膜を介して化学増幅型のレジスト膜を成膜することによ
って、基板の表面層から供給される酸失活物質がレジス
ト膜に達することを防止できる。このため、露光によっ
てレジスト膜中に生じた酸が上記酸失活物質によって中
和されて失活することが防止でき、リソグラフィーによ
って形成されるレジストパターンの形状状態を良好に保
つことが可能になる。
【図1】本発明を適用したリソグラフィー方法の実施の
形態を説明する図である。
形態を説明する図である。
【図2】バリア膜の膜厚とレジストパターンの線幅との
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図3】グラフ作成のためのレジストパターンの形成手
順を説明する図である。
順を説明する図である。
【図4】従来技術の課題を説明する工程図である。
11 基板 13 レジスト膜 A バリア膜
Claims (4)
- 【請求項1】 基板上に、酸失活物質に対するバリア膜
を成膜する工程と、 前記バリア膜上に化学増幅型のレジスト膜を成膜する工
程と、 前記レジスト膜に対してパターン露光及び現像処理を行
う工程とを具備してなることを特徴とするリソグラフィ
ー方法。 - 【請求項2】 前記バリア膜は、酸性材料からなること
を特徴とする請求項1記載のリソグラフィー方法。 - 【請求項3】 前記バリア膜は導電性材料かなることを
特徴とする請求項1記載のリソグラフィー方法。 - 【請求項4】 前記バリア膜は水溶性材料からなること
を特徴とする請求項1記載のリソグラフィー方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9007117A JPH10207072A (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | リソグラフィー方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9007117A JPH10207072A (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | リソグラフィー方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10207072A true JPH10207072A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11657155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9007117A Pending JPH10207072A (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | リソグラフィー方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10207072A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000031781A1 (fr) * | 1998-11-20 | 2000-06-02 | Clariant International Ltd. | Procede relatif a la formation d'un motif de resist |
WO2008075599A1 (ja) * | 2006-12-18 | 2008-06-26 | Tokyo Electron Limited | 電子線描画方法 |
CN107785246A (zh) * | 2016-08-30 | 2018-03-09 | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 | 对基底进行离子注入的方法 |
-
1997
- 1997-01-20 JP JP9007117A patent/JPH10207072A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000031781A1 (fr) * | 1998-11-20 | 2000-06-02 | Clariant International Ltd. | Procede relatif a la formation d'un motif de resist |
WO2008075599A1 (ja) * | 2006-12-18 | 2008-06-26 | Tokyo Electron Limited | 電子線描画方法 |
CN107785246A (zh) * | 2016-08-30 | 2018-03-09 | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 | 对基底进行离子注入的方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060530 |
|
A521 | Written amendment |
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