JPH11288092A - Pattern forming method - Google Patents
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- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、パターン形成方法
に関し、特には半導体装置の製造工程においてエッチン
グやイオン注入の際のマスクになるレジストパターンを
リソグラフィー法によって形成するためのパターン形成
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern forming method, and more particularly to a pattern forming method for forming a resist pattern serving as a mask for etching or ion implantation in a semiconductor device manufacturing process by lithography.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置のさらなる高集積化及び高機
能化を進めるために、素子構造の微細化が要求されてい
る。そこで、半導体装置製造におけるリソグラフィー工
程では、遠紫外線のみならず電子線やＸ線用のレジスト
材料として化学増幅レジストを用いることが検討されて
いる。上記化学増幅レジストは、露光により光酸発生剤
から酸が発生し、この酸が触媒になってレジスト主材料
である樹脂の反応が引き起こされる。例えば、ポジ型レ
ジストではこの酸によって樹脂の保護基が脱落して現像
液に可溶となり、ネガ型レジストではこの酸が架橋剤に
作用して樹脂の架橋反応が促進されて現像液に不溶とな
る。2. Description of the Related Art In order to further increase the degree of integration and function of a semiconductor device, a finer element structure is required. Therefore, in a lithography process in manufacturing a semiconductor device, use of a chemically amplified resist as a resist material for not only far ultraviolet rays but also electron beams and X-rays has been studied. In the above-mentioned chemically amplified resist, an acid is generated from the photoacid generator by exposure, and the acid serves as a catalyst to cause a reaction of a resin which is a main material of the resist. For example, in a positive resist, the acid removes the protective group of the resin and becomes soluble in the developer, and in a negative resist, the acid acts on a crosslinking agent to accelerate the crosslinking reaction of the resin and become insoluble in the developer. Become.
【０００３】以上のように、化学増幅レジストは露光に
よって発生した酸が多くの反応を誘発するため、より高
感度で解像度の高いリソグラフィーが行われることが期
待されている。As described above, since the acid generated by exposure induces many reactions in a chemically amplified resist, it is expected that lithography with higher sensitivity and higher resolution will be performed.
【０００４】また、１ＧビットＤＲＡＭ世代の集積回路
においては０．１８μｍであった最小設計寸法が、４ビ
ットＧＤＲＡＭ世代の集積回路において０．１３μｍに
まで縮小されると、光リソグラフィーよりも解像度の高
い電子線リソグラフィーによる微細パターンの形成が重
要な技術となる。上記電子線リソグラフィーにおいて
は、露光フィールド毎に露光が行われる光リソグラフィ
ーに対して、図形毎に描画露光が行われるため、露光フ
ィールド内における描画位置精度やパターン寸法精度の
均一性を確保することが重要になってきている。そこ
で、電子線リソグラフィーによるパターン形成において
は、レジスト上に導電膜を設けることによって、レジス
ト表面のチャージアップによる描画位置精度の劣化を防
止している。When the minimum design size of the integrated circuit of the 1 Gbit DRAM generation is reduced from 0.18 μm to 0.13 μm of the integrated circuit of the 4-bit DRAM generation, the resolution becomes higher than that of the photolithography. The formation of fine patterns by electron beam lithography is an important technique. In the above-mentioned electron beam lithography, drawing exposure is performed for each figure with respect to optical lithography in which exposure is performed for each exposure field, so that uniformity of drawing position accuracy and pattern dimensional accuracy in the exposure field can be ensured. It is becoming important. Therefore, in pattern formation by electron beam lithography, a conductive film is provided on a resist to prevent deterioration in drawing position accuracy due to charge-up of the resist surface.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記化学増幅
レジストを用いたリソグラフィーによるパターン形成に
おいては、例えばクリーンルーム中に浮遊しているアン
モニア等の不純物によって上記反応に寄与する酸が失活
する場合がある。このため、図６に示すように、ネガ型
の化学増幅レジストを用いた場合には、現像後に得られ
るレジストパターン１０の上部における膜減りが大きく
パターンの形状精度を保つことができない。また、ポジ
型の化学増幅レジストを用いた場合には、レジストパタ
ーンが解像されないといった問題が発生する。However, in pattern formation by lithography using the above-described chemically amplified resist, there is a case where an acid contributing to the above reaction is deactivated by impurities such as ammonia floating in a clean room. is there. For this reason, as shown in FIG. 6, when a negative chemically amplified resist is used, the film loss on the upper part of the resist pattern 10 obtained after development is large, and the pattern accuracy cannot be maintained. In addition, when a positive type chemically amplified resist is used, there is a problem that a resist pattern is not resolved.
【０００６】さらに、アンモニア系の成膜ガスを用いて
形成された窒化シリコン膜や窒化チタン膜のような下地
膜上にパターンを形成する場合には、下地膜からアンモ
ニアのような酸失活物質がレジスト層に供給される。こ
のため、上記化学増幅レジストを用いた場合には、露光
によって発生した酸が下地膜に吸引されることになる。
そして、図７に示すように、ネガ型の化学増幅レジスト
を用いた場合には、現像後に得られるレジストパターン
１１の下部にアンダーカットが生じる。また、ポジ型の
化学増幅レジストを用いた場合には、レジストパターン
が解像されないといった問題が発生する。Further, when a pattern is formed on a base film such as a silicon nitride film or a titanium nitride film formed using an ammonia-based film forming gas, an acid deactivating substance such as ammonia is formed from the base film. Is supplied to the resist layer. For this reason, when the chemically amplified resist is used, the acid generated by the exposure is sucked into the base film.
Then, as shown in FIG. 7, when a negative-type chemically amplified resist is used, an undercut occurs below the resist pattern 11 obtained after development. In addition, when a positive type chemically amplified resist is used, there is a problem that a resist pattern is not resolved.
【０００７】また、電子線リソグラフィーによるパター
ン形成においてチャージアプ防止のための導電膜を設け
る方法では、ポリチエニルスルホン酸を主成分とする強
酸性の導電膜（例えば、昭和電工製エスペイサー１０
０）が多用されている。このため、レジスト材料とし
て、上記化学増幅レジストを用いた場合には、導電膜中
の酸がレジスト感光作用の担い手になる。このため、ネ
ガ型レジストでは、レジスト膜と導電膜との界面全域で
レジスト材料の架橋反応が進んでレジストパターンが解
像しなくなる。一方、ポジ型レジストでは、レジスト膜
と導電膜との界面の全域でレジスト材料の保護基が脱落
して膜減りや表面ラフネスの原因になる。以上のよう
に、チャージアップ防止のための導電膜を設けた電子線
リソグラフィーによってレジストからなるパターンを形
成する場合であっても、化学増幅レジストを用いた場合
には、パターンの形状精度が劣化するとういう問題が発
生する。In the method of providing a conductive film for preventing charge up in pattern formation by electron beam lithography, a strongly acidic conductive film containing polythienyl sulfonic acid as a main component (for example, Espacer 10 manufactured by Showa Denko KK)
0) is frequently used. Therefore, when the above chemically amplified resist is used as a resist material, the acid in the conductive film plays a role in resist photosensitivity. For this reason, in a negative resist, the cross-linking reaction of the resist material proceeds throughout the interface between the resist film and the conductive film, and the resist pattern is not resolved. On the other hand, in the case of a positive resist, the protective group of the resist material is dropped over the entire area of the interface between the resist film and the conductive film, causing a reduction in film thickness and surface roughness. As described above, even when a pattern made of resist is formed by electron beam lithography provided with a conductive film for preventing charge-up, when a chemically amplified resist is used, pattern shape accuracy may deteriorate. Such a problem occurs.
【０００８】そして、光リソグラフィーによるパターン
形成においても、レジスト膜上に設けられる反射防止膜
として強酸性材料が多様されている。このため、化学増
幅レジストを用いた場合には、上記電子線リソグラフィ
ーによるパターン形成と同様の問題が発生する。[0008] Also in the pattern formation by photolithography, a strong acid material is diversified as an antireflection film provided on a resist film. For this reason, when a chemically amplified resist is used, the same problem as the pattern formation by the electron beam lithography occurs.
【０００９】そこで、本発明は、化学増幅レジストを用
いたリソグラフィーを適用したパターンの形成方法にお
いて、パターンの形状精度の向上を図ることが可能なパ
ターンの形成方法を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of forming a pattern by applying lithography using a chemically amplified resist and capable of improving the shape accuracy of the pattern.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、基板上にレジストからなるパターンを形成
する方法である。そして、請求項１記載の方法は、基板
上に保護レジスト層及びこの保護レジスト層よりも感度
の高い化学増幅レジストからなる加工レジスト層を順次
形成する。次に、少なくとも前記保護レジスト層の必要
露光量と同等の露光量で、前記加工レジスト層及び当該
保護レジスト層に対してパターン露光を行った後、これ
らの加工レジスト層及び保護レジスト層の現像処理を行
い、当該加工レジスト層及び当該保護レジスト層からな
るパターンを形成することを特徴としている。According to the present invention, there is provided a method for forming a resist pattern on a substrate. In the method according to the first aspect, a protective resist layer and a processed resist layer composed of a chemically amplified resist having higher sensitivity than the protective resist layer are sequentially formed on the substrate. Next, after performing pattern exposure on the processed resist layer and the protective resist layer with an exposure amount at least equal to the required exposure amount of the protective resist layer, a development process of the processed resist layer and the protective resist layer is performed. And forming a pattern comprising the processed resist layer and the protective resist layer.
【００１１】上記請求項１記載の方法では、基板と化学
増幅レジストからなる加工レジスト層との間を保護レジ
スト層で隔てた状態でパターン露光が行われる。このた
め、保護レジスト層がマスクになって、上記パターン露
光で加工レジスト層中に発生した酸が基板側に吸収され
ることが防止され、加工レジスト層中において酸を触媒
にした反応の進行が確保される。したがって、得られる
パターンは、露光パターンの形状が確保されたものにな
る。In the method of the first aspect, pattern exposure is performed in a state where the substrate and the processing resist layer made of a chemically amplified resist are separated by a protective resist layer. Therefore, the protective resist layer serves as a mask to prevent the acid generated in the processed resist layer by the pattern exposure from being absorbed into the substrate side, and the progress of the reaction catalyzed by the acid in the processed resist layer is prevented. Secured. Therefore, the obtained pattern has the shape of the exposure pattern secured.
【００１２】また、請求項２に係る方法は、先ず、基板
上に化学増幅レジストからなる加工レジスト層及びこの
加工レジスト層よりも感度の低いネガ型の保護レジスト
層を順次形成する。次に、前記加工レジスト層の必要露
光量以上でかつ前記保護レジスト層の必要露光量よりも
少ない露光量で、当該加工レジスト層及び当該保護レジ
スト層に対してパターン露光を行った後、これらの加工
レジスト層及び保護レジスト層の現像処理を行い、当該
加工レジスト層からなるパターンを形成することを特徴
としている。According to a second aspect of the present invention, first, a processed resist layer made of a chemically amplified resist and a negative type protective resist layer having lower sensitivity than the processed resist layer are sequentially formed on a substrate. Next, after performing the pattern exposure on the processing resist layer and the protection resist layer with an exposure amount that is equal to or more than the required exposure amount of the processing resist layer and smaller than the required exposure amount of the protection resist layer, It is characterized in that a development process of the processed resist layer and the protective resist layer is performed to form a pattern composed of the processed resist layer.
【００１３】上記請求項２に係る方法では、化学増幅レ
ジストからなる加工レジスト層を保護レジスト層で覆っ
た状態でパターン露光が行われる。このため、保護レジ
スト層がマスクになって、このパターン露光で加工レジ
スト層中に発生した酸が大気中から供給される不純物に
よって失活することが防止されると共に、保護レジスト
層の上層から加工レジスト層に酸が供給されることが防
止される。このため、パターン露光で加工レジスト層中
に発生した酸のみを触媒にした反応の進行が確保され
る。この際、前記加工レジスト層の必要露光量以上でか
つ前記保護レジスト層の必要露光量よりも少ない露光量
でパターン露光を行うことで、このパターン露光におい
ては加工レジスト層のみが解像する。このため、上層か
らの影響を受けた保護レジストは剥離除去され、加工レ
ジスト層のみからなるパターンが形成される。したがっ
て、このパターンは、露光パターンの形状を保ったもの
になる。In the method according to the second aspect, the pattern exposure is performed in a state where the processed resist layer made of the chemically amplified resist is covered with the protective resist layer. Therefore, the protective resist layer serves as a mask to prevent the acid generated in the processed resist layer by this pattern exposure from being deactivated by impurities supplied from the atmosphere, and to process the acid from the upper layer of the protective resist layer. The supply of acid to the resist layer is prevented. Therefore, the progress of the reaction using only the acid generated in the processed resist layer in the pattern exposure as a catalyst is ensured. At this time, by performing pattern exposure with an exposure amount that is equal to or more than the required exposure amount of the processed resist layer and smaller than the required exposure amount of the protective resist layer, only the processed resist layer is resolved in this pattern exposure. For this reason, the protective resist affected by the upper layer is peeled off and removed, and a pattern consisting only of the processed resist layer is formed. Therefore, this pattern maintains the shape of the exposure pattern.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用したパターン
形成方法の実施の形態を図面に基づいて順次説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a pattern forming method to which the present invention is applied will be sequentially described below with reference to the drawings.
【００１５】（第１実施形態）図１は、第１実施形態の
パターン形成方法を説明するための断面工程図であり、
以下にこの図１を用いて請求項１の発明を適用したパタ
ーン形成方法の一実施形態を説明する。(First Embodiment) FIG. 1 is a sectional process view for explaining a pattern forming method of a first embodiment.
Hereinafter, an embodiment of a pattern forming method according to the present invention will be described with reference to FIG.
【００１６】先ず、図１（１）に示すように、半導体集
積回路を形成する基板１上に、例えばスピンコート法に
よって保護レジスト層２を形成する。この保護レジスト
層２としては、例えば、電子線に反応するネガ型の化学
増幅レジストを用いる。ここでは例えば、ＳＡＬ６０１
（シプレイ（株）社の商品名）のように、主成分となる
ノボラック樹脂中に光酸発生剤と架橋剤とを添加した３
成分系のレジスト材料を用いることとする。First, as shown in FIG. 1A, a protective resist layer 2 is formed on a substrate 1 on which a semiconductor integrated circuit is to be formed, for example, by a spin coating method. As the protective resist layer 2, for example, a negative chemically amplified resist that reacts to an electron beam is used. Here, for example, SAL601
(Trade name of Shipley Co., Ltd.) in which a photoacid generator and a crosslinking agent are added to a novolak resin as a main component.
A component-based resist material is used.
【００１７】次に、保護レジスト層２のプリベークを行
い、保護レジスト層２中の残存溶媒を揮発除去させる。Next, the protection resist layer 2 is pre-baked, and the solvent remaining in the protection resist layer 2 is volatilized and removed.
【００１８】しかる後、保護レジスト層２上に、例えば
スピンコート法によって保護レジスト層２を構成するレ
ジスト材料よりも感度の高い化学増幅レジストからなる
加工レジスト層３を形成する。この加工レジスト層３と
しては、例えば、電子線に反応するネガ型の化学増幅レ
ジストを用いる。ここでは一例として、ＮＥＢ−２２
（住友化学の商品名）のように、主成分となるノボラッ
ク樹脂中に光酸発生剤と架橋剤とを添加した３成分系の
レジスト材料を用いることとする。Thereafter, on the protective resist layer 2, a processed resist layer 3 made of a chemically amplified resist having higher sensitivity than the resist material constituting the protective resist layer 2 is formed by, for example, spin coating. As the processed resist layer 3, for example, a negative chemically amplified resist that reacts to an electron beam is used. Here, as an example, NEB-22
As in (Sumitomo Chemical's trade name), a three-component resist material in which a photoacid generator and a crosslinking agent are added to a novolak resin as a main component is used.
【００１９】次に、加工レジスト層３のプリベークを行
い、加工レジスト層３中の残存溶媒を揮発除去させる。Next, pre-baking of the processed resist layer 3 is performed to volatilize and remove the remaining solvent in the processed resist layer 3.
【００２０】その後、少なくとも保護レジスト層２の必
要露光量Ｅth2 と同等の露光量で、加工レジスト層３及
び当該保護レジスト層２に対してパターン露光を行う。
ここでは、電子線を露光光２０に用いた電子線露光を行
う。ここで、上記必要露光量とは、ネガジレストにおい
ては現像後に露光部のパターンを残すために必要な最低
限の露光量のしきい値であり、ポジレジストにおいては
現像後に露光部のパターンを除去するために必要な最低
限の露光量のしきい値であることとする。上記必要露光
量は、レジスト材料によって決定される。Thereafter, pattern exposure is performed on the processed resist layer 3 and the protective resist layer 2 with an exposure amount at least equal to the necessary exposure amount Eth2 of the protective resist layer 2.
Here, electron beam exposure using an electron beam as the exposure light 20 is performed. Here, the necessary exposure amount is a threshold value of a minimum exposure amount necessary to leave a pattern of an exposed portion after development in a negative resist, and removes a pattern of an exposed portion after development in a positive resist. Therefore, it is assumed that the threshold value is the minimum exposure amount necessary for this. The required exposure amount is determined by the resist material.
【００２１】図２には、保護レジスト層２と加工レジス
ト層３の感度曲線のグラフを示した。このグラフは、露
光量（ドーズ量）に対する規格化膜厚（すなわち初期膜
厚に対する現像後膜厚の比＝残膜率）で示される。この
グラフから、加工レジスト層３によるパターン形成のた
めの必要露光量Ｅth3 及び保護レジスト層２によるパタ
ーン形成のための必要露光量Ｅth2 を得る。そして、上
記パターン露光においては、少なくとも必要露光量Ｅth
2 と同等の範囲、すなわち必要露光量Ｅth2 以上の露光
量ＥD でパターン露光を行う。この際好ましくは、保護
レジスト層２と加工レジスト層３とに所望の残膜率を得
られる範囲で露光量ＥD を選択する。FIG. 2 is a graph showing sensitivity curves of the protective resist layer 2 and the processed resist layer 3. This graph shows the normalized film thickness with respect to the exposure amount (dose amount) (that is, the ratio of the film thickness after development to the initial film thickness = remaining film ratio). From this graph, the required exposure amount Eth3 for forming a pattern by the processed resist layer 3 and the required exposure amount Eth2 for forming a pattern by the protective resist layer 2 are obtained. In the pattern exposure, at least the necessary exposure amount Eth
The pattern exposure is performed in a range equivalent to 2, that is, an exposure amount ED equal to or more than the required exposure amount Eth2. At this time, preferably, the exposure amount ED is selected in such a range that a desired remaining film ratio of the protective resist layer 2 and the processed resist layer 3 can be obtained.
【００２２】上記のようにして電子線を露光光に用いた
パターン露光を行った後、図１（２）に示すように、ポ
ストエクスポージャーベイク（以下、ＰＥＢと記す）処
理を行い、加工レジスト層３及び保護レジスト層２の電
子線（すなわち露光光２０）を照射したパターン露光部
分に潜像ａを形成する。After performing the pattern exposure using the electron beam as the exposure light as described above, a post-exposure bake (hereinafter referred to as PEB) process is performed as shown in FIG. A latent image a is formed on a pattern-exposed portion of the protective resist layer 2 and the protective resist layer 2 irradiated with an electron beam (ie, exposure light 20).
【００２３】次に、図１（３）示すように、所定のアル
カリ現像液によって、保護レジスト層２と加工レジスト
層３とを現像処理する。ここでは、例えば現像液として
０．３８ＮのＴＭＡＨを用い、４分間の現像処理を行
う。この際、保護レジスト層２、加工レジスト層３共
に、保護レジスト層２の必要露光量Ｅth2 以上の露光量
でパターン露光が行われているため、保護レジスト層
２、加工レジスト層３共に解像する。この結果、基板１
上には、保護レジスト層２及び加工レジスト層３からな
るパターン４が形成される。Next, as shown in FIG. 1 (3), the protective resist layer 2 and the processed resist layer 3 are developed with a predetermined alkali developing solution. Here, for example, a developing treatment is performed for 4 minutes using 0.38 N TMAH as a developing solution. At this time, since both the protective resist layer 2 and the processed resist layer 3 have been subjected to the pattern exposure with the exposure amount equal to or more than the required exposure amount Eth2 of the protective resist layer 2, both the protective resist layer 2 and the processed resist layer 3 are resolved. . As a result, the substrate 1
A pattern 4 including a protective resist layer 2 and a processed resist layer 3 is formed thereon.
【００２４】上記パターン形成方法では、基板１と化学
増幅レジストからなる加工レジスト層３との間を保護レ
ジスト層２で隔てた状態でパターン露光が行われる。こ
のため、基板１の表面層が、窒化チタン（ＴｉＮ）膜
や、ＳＯＧ（spin on glass)膜や窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎ）膜などの酸失活物質（アンモニアなど）を放出する
酸吸引性の高い材料で覆われていても、保護レジスト層
２がバリアになって上記酸失活物質が加工レジスト層３
に供給されることを防止できる。したがって、加工レジ
スト層３中において酸を触媒にした反応の進行が確保さ
れる。また、保護レジスト層２は、加工レジスト層３よ
りも感度が低い化学増幅レジストで構成されており酸発
生効率が低いことから、酸失活物質の影響を受けにく
い。したがって、基板１１上に形成されたパターン４
は、側壁テーパ各９０°近くに保たれ、パターンの形状
精度が確保されたものになる。In the above pattern forming method, pattern exposure is performed in a state where the protective resist layer 2 separates the substrate 1 and the processed resist layer 3 made of a chemically amplified resist. Therefore, the surface layer of the substrate 1 is made of a titanium nitride (TiN) film, an SOG (spin on glass) film, a silicon nitride (Si
N) Even if it is covered with a material having a high acid-attracting property that releases an acid-deactivating substance (such as ammonia) such as a film, the protective resist layer 2 serves as a barrier and the acid-deactivated substance becomes a processed resist layer 3
Can be prevented. Therefore, the progress of the reaction using the acid as a catalyst in the processed resist layer 3 is ensured. Further, the protective resist layer 2 is made of a chemically amplified resist having lower sensitivity than the processed resist layer 3 and has a low acid generation efficiency, so that it is hardly affected by an acid deactivating substance. Therefore, the pattern 4 formed on the substrate 11
Are kept close to 90 ° at each side wall taper, and the pattern shape accuracy is ensured.
【００２５】尚、上記第１実施形態で用いられる保護レ
ジスト層２のレジスト材料及び加工レジスト層３のレジ
スト材料は、保護レジスト層２のレジスト材料に対し
て、これよりも感度が高い化学増幅レジスト材料で加工
レジスト層３が構成されれば良く、上記実施形態で示し
た具体例に限定されることはない。また、露光光２０に
は光を用いても良く、この場合には保護レジスト層２及
び加工レジスト層３として光に反応するレジスト材料を
用いることとする。The resist material of the protective resist layer 2 and the resist material of the processed resist layer 3 used in the first embodiment are chemically amplified resists having higher sensitivity than the resist material of the protective resist layer 2. It is sufficient that the processed resist layer 3 is made of a material, and the present invention is not limited to the specific examples shown in the above embodiments. Light may be used as the exposure light 20, and in this case, a resist material that reacts to light is used as the protective resist layer 2 and the processing resist layer 3.
【００２６】（第２実施形態）図３は、第２実施形態の
パターン形成方法を説明するための断面工程図であり、
以下にこの図３を用いて請求項２の発明を適用したパタ
ーン形成方法の一実施形態を説明する。(Second Embodiment) FIG. 3 is a sectional process view for explaining a pattern forming method of a second embodiment.
An embodiment of a pattern forming method to which the invention of claim 2 is applied will be described below with reference to FIG.
【００２７】先ず、図３（１）に示すように、半導体集
積回路を形成する基板１上に、例えばスピンコート法に
よって化学増幅レジストからなる加工レジスト層５を形
成する。この加工レジスト層５としては、例えば、電子
線に反応する化学増幅のネガレジストを用いる。ここで
は一例として、第１実施形態の加工レジスト層に用いた
ＮＥＢ−２２を、加工レジスト層５のレジスト材料とし
て用いることとする。First, as shown in FIG. 3A, a processed resist layer 5 made of a chemically amplified resist is formed on a substrate 1 on which a semiconductor integrated circuit is to be formed, for example, by spin coating. As the processed resist layer 5, for example, a chemically amplified negative resist that reacts with an electron beam is used. Here, as an example, NEB-22 used for the processed resist layer of the first embodiment is used as a resist material of the processed resist layer 5.
【００２８】次に、加工レジスト層５のプリベークを行
い、加工レジスト層５中の残存溶媒を揮発除去させる。Next, the pre-baking of the processed resist layer 5 is performed, and the residual solvent in the processed resist layer 5 is volatilized and removed.
【００２９】しかる後、加工レジスト層５上に、例えば
スピンコート法によって加工レジスト層５を構成するレ
ジスト材料よりも感度の低いネガ型のレジスト材料から
なる保護レジスト層６を形成する。この保護レジスト層
６としては、例えば、電子線に反応するネガ型の化学増
幅レジストを用いる。ここでは、第１実施形態の保護レ
ジスト層に用いたＳＡＬ−６０１を、保護レジスト層６
のレジスト材料として用いることとする。Thereafter, a protective resist layer 6 made of a negative resist material having lower sensitivity than the resist material constituting the processed resist layer 5 is formed on the processed resist layer 5 by, for example, spin coating. As the protective resist layer 6, for example, a negative chemically amplified resist that reacts to an electron beam is used. Here, the SAL-601 used for the protective resist layer of the first embodiment is replaced with the protective resist layer 6.
As a resist material.
【００３０】次に、保護レジスト層６のプリベークを行
い、保護レジスト層６中の残存溶媒を揮発除去させる。Next, the protective resist layer 6 is pre-baked, and the solvent remaining in the protective resist layer 6 is volatilized and removed.
【００３１】その後、加工レジスト層５の必要露光量Ｅ
th5 以上でかつ保護レジスト層６の必要露光量Ｅth6 よ
りも少ない露光量で、これらの加工レジスト層２及び保
護レジスト層３に対してパターン露光を行う。ここで
は、電子線を露光光２０に用いた電子線露光を行う。Thereafter, the required exposure amount E of the processed resist layer 5
Pattern exposure is performed on the processed resist layer 2 and the protective resist layer 3 with an exposure amount not less than th5 and less than the required exposure amount Eth6 of the protective resist layer 6. Here, electron beam exposure using an electron beam as the exposure light 20 is performed.
【００３２】図４には、加工レジスト層５と保護レジス
ト層６の感度曲線のグラフを示した。このグラフから、
加工レジスト層５によるパターン形成のための必要露光
量Ｅth5 及び保護レジスト層６によるパターン形成のた
めの必要露光量Ｅth6 が得られる。そして、上記パター
ン露光においては、必要露光量Ｅth5 以上でかつ必要露
光量Ｅth6 よりも少ない範囲の露光量ＥD で露光を行
う。この際好ましくは、加工レジスト層５に所望の残膜
率を得られる範囲で露光量ＥD を選択する。FIG. 4 is a graph showing sensitivity curves of the processed resist layer 5 and the protective resist layer 6. From this graph,
The required exposure amount Eth5 for forming a pattern by the processed resist layer 5 and the required exposure amount Eth6 for forming a pattern by the protective resist layer 6 are obtained. In the pattern exposure, exposure is performed with an exposure amount ED in a range not less than the required exposure amount Eth5 and less than the required exposure amount Eth6. At this time, preferably, the exposure amount ED is selected in such a range that a desired remaining film ratio of the processed resist layer 5 can be obtained.
【００３３】上記のようにして露光光に電子線を用いた
パターン露光を行った後、図３（２）に示すように、Ｐ
ＥＢ処理を行い、加工レジスト層５の電子線（すなわち
露光光２０）を照射したパターン露光部分に潜像ａを形
成する。After pattern exposure using an electron beam as exposure light as described above, as shown in FIG.
An EB process is performed to form a latent image a on a pattern-exposed portion of the processed resist layer 5 irradiated with an electron beam (ie, exposure light 20).
【００３４】次に、図３（３）示すように、所定のアル
カリ現像液によって、保護レジスト層６と加工レジスト
層５とを現像処理する。ここでは、例えば現像液として
０．３８ＮのＴＭＡＨを用い、４分間の現像処理を行
う。この際、上記パターン露光における露光量は、保護
レジスト層６の必要露光量Ｅth6 に達していないため、
ネガ型の保護レジスト層６は全て現像液に溶解する。こ
れに対して、上記露光量は、加工レジスト層５の必要露
光量Ｅth5 以上であるため、加工レジスト層５は解像す
る。この結果、加工レジスト層５のみからなるパターン
７が、基板１上に形成される。Next, as shown in FIG. 3C, the protective resist layer 6 and the processed resist layer 5 are developed with a predetermined alkali developing solution. Here, for example, a developing treatment is performed for 4 minutes using 0.38 N TMAH as a developing solution. At this time, since the exposure amount in the pattern exposure has not reached the required exposure amount Eth6 of the protective resist layer 6,
All of the negative type protective resist layer 6 is dissolved in the developer. On the other hand, since the exposure amount is equal to or more than the required exposure amount Eth5 of the processed resist layer 5, the processed resist layer 5 is resolved. As a result, a pattern 7 including only the processed resist layer 5 is formed on the substrate 1.
【００３５】上記パターン形成方法では、化学増幅レジ
ストからなる加工レジスト層５を保護レジスト層６で覆
った状態でパターン露光が行われる。このため、このパ
ターン露光によって加工レジスト層５中に発生した酸
が、大気中の不純物によって失活することが防止され、
加工レジスト層５中において酸を触媒にした反応の進行
が確保される。したがって、基板１上に形成されたパタ
ーン７は、酸の失活が防止された加工レジスト層５のみ
からなることで側壁テーパ各９０°近くに保たれたもの
になり、形状精度が確保されたものになる。In the pattern forming method described above, pattern exposure is performed in a state where the processing resist layer 5 made of a chemically amplified resist is covered with the protective resist layer 6. Therefore, the acid generated in the processed resist layer 5 by the pattern exposure is prevented from being deactivated by impurities in the atmosphere,
The progress of the reaction using the acid as a catalyst in the processed resist layer 5 is ensured. Therefore, since the pattern 7 formed on the substrate 1 is made of only the processed resist layer 5 in which the deactivation of the acid is prevented, the side wall taper is kept close to 90 °, and the shape accuracy is secured. Become something.
【００３６】尚、上記第２実施形態で用いられる加工レ
ジスト層５のレジスト材料及び保護レジスト層６のレジ
スト材料は、化学増幅レジストで構成される加工レジス
ト層５のレジスト材料に対して、これよりも感度が低い
ネガ型のレジスト材料で保護レジスト層６が構成されれ
ば良く、上記実施形態で示した具体例に限定されること
はない。また、露光光２０には光を用いても良く、この
場合には加工レジスト層５及び保護レジスト層６として
光に反応するレジスト材料を用いることとする。The resist material of the processed resist layer 5 and the resist material of the protective resist layer 6 used in the second embodiment are different from the resist material of the processed resist layer 5 composed of a chemically amplified resist. Also, the protective resist layer 6 may be formed of a negative resist material having low sensitivity, and is not limited to the specific examples described in the above embodiment. Light may be used as the exposure light 20, and in this case, a resist material that reacts to light is used as the processing resist layer 5 and the protective resist layer 6.
【００３７】（第３実施形態）図５は、第３実施形態の
パターン形成方法を説明するための断面工程図であり、
以下にこの図５を用いて請求項３の発明を適用したパタ
ーン形成方法の一実施形態を説明する。(Third Embodiment) FIG. 5 is a sectional process view for explaining a pattern forming method of a third embodiment.
An embodiment of a pattern forming method to which the invention of claim 3 is applied will be described below with reference to FIG.
【００３８】先ず、図５（１）に示すように、半導体集
積回路を形成する基板１上に、加工レジスト層５及び保
護レジスト層６を形成する。これらの加工レジスト層５
及び保護レジスト層６は、図３（１）を用いて説明した
第２実施形態と同様にして形成された同様のものである
ととし、各層の形成後にはそれぞれプリベークによって
残存溶媒を揮発除去する。First, as shown in FIG. 5A, a processing resist layer 5 and a protective resist layer 6 are formed on a substrate 1 on which a semiconductor integrated circuit is to be formed. These processed resist layers 5
The protective resist layer 6 is assumed to be the same as that formed in the second embodiment described with reference to FIG. 3A, and after forming each layer, the residual solvent is volatilized and removed by pre-baking. .
【００３９】次に、保護レジスト層６上に、スピンコー
ト法によって導電膜８を形成する。この導電膜８は、例
えばポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリピロール、
ポリアニリン、ポリドデシルチオフェン、ポリオクチル
ピロール、ポリパラフェニレンビニレンまたはポリチエ
ニレンビニレンなどを主成分とする水溶性の導電性重合
体により形成することが好ましい。水溶性の導電性重合
体を用いる理由としては、高い導電性が得られるという
ことや、水洗により容易に剥離が可能であり取り扱いが
容易であるという点が挙げられる。導電性重合体の具体
的な例としては、エスペイサー１００（昭和電工の商品
名）などのポリチエニルアルカンスルホン酸を主成分と
するものや、エスペイサー３００（昭和電工の商品名）
などのポリ（イソチアナフテンジイル−スルホネート）
を主成分とするものや、ａｑｕａＳＡＶＥ（日東化学の
商品名）などのポリアニリンを主成分とするものを好適
に用いることができる。Next, a conductive film 8 is formed on the protective resist layer 6 by spin coating. The conductive film 8 is made of, for example, polyacetylene, polythiophene, polypyrrole,
It is preferably formed of a water-soluble conductive polymer containing polyaniline, polydodecylthiophene, polyoctylpyrrole, polyparaphenylenevinylene, polythienylenevinylene, or the like as a main component. The reason for using the water-soluble conductive polymer is that high conductivity can be obtained, and that the polymer can be easily peeled off by washing with water and is easy to handle. Specific examples of the conductive polymer include those containing polythienylalkanesulfonic acid as a main component, such as Esperer 100 (trade name of Showa Denko), and Esperer 300 (trade name of Showa Denko).
Poly (isothianaphthenediyl-sulfonate)
And those containing polyaniline as a main component such as aquaSAVE (trade name of Nitto Kagaku) can be suitably used.
【００４０】次に、加工レジスト層５の必要露光量Ｅth
5 以上でかつ保護レジスト層６の必要露光量Ｅth6 より
も少ない露光量で、これらの加工レジスト層５及び保護
レジスト層６に対して電子線を露光光２０に用いたパタ
ーン露光を行う。これは、上記第２実施形態で図３
（１）を用いて説明したと同様に行う。尚、上記パター
ン露光の際には、導電膜８を接地電位に保ちつつ、導電
膜８を介して保護レジスト層６及び加工レジスト層５に
電子線（露光光２０）を照射する。Next, the necessary exposure amount Eth of the processed resist layer 5
A pattern exposure using an electron beam as the exposure light 20 is performed on the processed resist layer 5 and the protective resist layer 6 with an exposure amount not less than 5 and less than the required exposure amount Eth6 of the protective resist layer 6. This is the same as FIG.
This is performed in the same manner as described using (1). At the time of the pattern exposure, the protective resist layer 6 and the processing resist layer 5 are irradiated with an electron beam (exposure light 20) via the conductive film 8 while keeping the conductive film 8 at the ground potential.
【００４１】次に、図５（２）に示すように、弱アルカ
リ洗浄液を用いて、導電膜８を剥離除去する。ここで
は、例えば、弱アルカリ洗浄液として０．１３Ｎ（規定
度）のＴＭＡＨ（tetramethylammonium hydroxide)を用
い４分間の現像処理を行うことによって、導電膜８を剥
離する。Next, as shown in FIG. 5B, the conductive film 8 is peeled off using a weak alkaline cleaning solution. Here, for example, the conductive film 8 is peeled off by performing development processing for 4 minutes using TMAH (tetramethylammonium hydroxide) of 0.13 N (normality) as a weak alkaline cleaning liquid.
【００４２】その後、図５（３）に示すように、ＰＥＢ
処理を行うことによって、加工レジスト層５の電子線
（露光光２０）を照射したパターン露光部分に潜像ａを
形成する。Thereafter, as shown in FIG.
By performing the processing, a latent image a is formed on the pattern-exposed portion of the processed resist layer 5 where the electron beam (exposure light 20) is irradiated.
【００４３】次に、図５（４）示すように、所定のアル
カリ現像液によって、保護レジスト層６と加工レジスト
層５とを現像処理する。ここでは、例えば現像液として
０．３８ＮのＴＭＡＨを用い、４分間の現像処理を行
う。この際、上記パターン露光における露光量は、保護
レジスト層６の必要露光量Ｅth6 に達していないため、
保護レジスト層６は全て現像液に溶解する。これに対し
て、上記露光量は、加工レジスト層５の必要露光量Ｅth
5 以上であるため、加工レジスト層５は解像する。この
結果、加工レジスト層５のみからなるパターン９が、基
板１上に形成される。Next, as shown in FIG. 5D, the protective resist layer 6 and the processed resist layer 5 are developed with a predetermined alkali developing solution. Here, for example, a developing treatment is performed for 4 minutes using 0.38 N TMAH as a developing solution. At this time, since the exposure amount in the pattern exposure has not reached the required exposure amount Eth6 of the protective resist layer 6,
All of the protective resist layer 6 is dissolved in the developer. On the other hand, the exposure amount is the required exposure amount Eth of the processed resist layer 5.
5 or more, the processed resist layer 5 is resolved. As a result, a pattern 9 consisting of only the processed resist layer 5 is formed on the substrate 1.
【００４４】上記パターン形成方法では、加工レジスト
層５と導電膜８との間に保護レジスト層６を挟んだ状態
でパターン露光が行われる。ここで、上記導電膜８を構
成する材料はいずれも酸性材料であるため、この導電膜
８からは酸が供給される。しかし、導電膜８から供給さ
れた酸は、保護レジスト層６がマスクになって加工レジ
スト層５に達することはない。したがって、加工レジス
ト層５中においては、露光によって発生した酸のみを触
媒にした反応が進行する。この結果、基板１上に形成さ
れたパターン９は、露光パターンの形状精度を保ったも
のになる。しかも、導電膜８で覆われた状態で電子線に
よるパターン露光を行うことで、パターン露光の際のチ
ャージアップが防止されるため、パターン９の位置精度
が確保される。In the pattern forming method described above, pattern exposure is performed with the protective resist layer 6 interposed between the processed resist layer 5 and the conductive film 8. Here, since all the materials constituting the conductive film 8 are acidic materials, an acid is supplied from the conductive film 8. However, the acid supplied from the conductive film 8 does not reach the processed resist layer 5 using the protective resist layer 6 as a mask. Therefore, in the processed resist layer 5, a reaction using only the acid generated by exposure as a catalyst proceeds. As a result, the pattern 9 formed on the substrate 1 maintains the shape accuracy of the exposure pattern. In addition, by performing pattern exposure using an electron beam in a state where the pattern 9 is covered with the conductive film 8, charge-up at the time of pattern exposure is prevented, so that the positional accuracy of the pattern 9 is ensured.
【００４５】（第４実施形態）次に、上記図５を用いて
請求項４の発明を適用したパターン形成方法の一実施形
態を第４実施形態として説明する。この第４実施形態と
上記第３実施形態との異なる所は、保護レジスト層６上
に導電膜８に換えて反射防止膜１０を形成し、露光光２
０として電子線に換えて光を用いるところにある。ただ
し、加工レジスト層５及び保護レジスト層６としては、
光に反応するレジスト材料を用いることとする。反射防
止膜１０としては、水溶性ポリマーが用いられ、加工レ
ジスト５と基板１に対して定在波の振幅が抑えられる様
にその屈折率が設計されたものを用いる。そして、上記
以外の手順は、第３実施形態と同様であることとする。(Fourth Embodiment) Next, an embodiment of a pattern forming method to which the invention of claim 4 is applied will be described as a fourth embodiment with reference to FIG. The difference between the fourth embodiment and the third embodiment is that an anti-reflection film 10 is formed on the protective resist layer 6 in place of the conductive film 8 and the exposure light 2
In this case, light is used instead of an electron beam as 0. However, as the processed resist layer 5 and the protective resist layer 6,
A light-sensitive resist material is used. As the antireflection film 10, a water-soluble polymer is used, whose refractive index is designed so that the amplitude of the standing wave with respect to the processing resist 5 and the substrate 1 is suppressed. The procedure other than the above is the same as in the third embodiment.
【００４６】上記パターン形成方法では、加工レジスト
層５と反射防止膜１０との間に保護レジスト層６を挟ん
だ状態でパターン露光が行われる。ここで、上記反射防
止膜１０を構成する材料は酸性材料であることが多く、
この反射防止膜１０からは酸が供給される。しかし、反
射防止膜１０から供給された酸は、保護レジスト層６で
ブロックされて加工レジスト層５に達することはない。
したがって、加工レジスト層５中においては、露光によ
って発生した酸のみを触媒にした反応が進行する。この
結果、基板１上に形成されたパターン９は、露光パター
ンの形状精度を保ったものになる。しかも、反射防止膜
１０で覆われた状態で光を用いたパターン露光が行われ
るため、レジスト上層での露光光の反射が防止され良好
な光学像でのパターン露光を行うことが可能になる。In the above pattern forming method, pattern exposure is performed with the protective resist layer 6 interposed between the processed resist layer 5 and the anti-reflection film 10. Here, the material constituting the antireflection film 10 is often an acidic material,
Acid is supplied from the antireflection film 10. However, the acid supplied from the antireflection film 10 is not blocked by the protective resist layer 6 and does not reach the processed resist layer 5.
Therefore, in the processed resist layer 5, a reaction using only the acid generated by exposure as a catalyst proceeds. As a result, the pattern 9 formed on the substrate 1 maintains the shape accuracy of the exposure pattern. In addition, since pattern exposure using light is performed in a state of being covered with the antireflection film 10, reflection of exposure light on the resist upper layer is prevented, and pattern exposure with a good optical image can be performed.
【００４７】[0047]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
記載のパターン形成方法によれば、基板と化学増幅レジ
ストからなる加工レジスト層との間を感度の低いネガ型
の保護レジスト層で隔てた状態でパターン露光を行うよ
うにしたことで、基板から加工レジスト層への酸失活物
質の供給を防止し、加工レジスト層中においてパターン
露光によって発生した酸を触媒にした反応の進行を確保
することが可能になる。したがって、化学増幅レジスト
を用いたリソグラフィーを適用したパターンの形成方法
において、パターンの形状精度を確保することが可能に
なる。As described above, according to the first aspect of the present invention,
According to the pattern forming method described above, pattern exposure is performed in a state in which a substrate and a processing resist layer composed of a chemically amplified resist are separated by a low-sensitivity negative-type protective resist layer. It is possible to prevent the supply of the acid deactivating substance to the resist layer and to ensure the progress of the reaction using the acid generated by pattern exposure in the processed resist layer as a catalyst. Therefore, in a pattern forming method using lithography using a chemically amplified resist, it is possible to secure the pattern shape accuracy.
【００４８】また、請求項２に係るパターン形成方法に
よれば、化学増幅レジストからなる加工レジスト層をネ
ガ型の保護レジスト層で覆った状態でパターン露光を行
い当該保護レジスト層を除去するようにしたことで、保
護レジスト層の上方から加工レジスト層への酸失活物質
及び酸の供給を防止し、加工レジスト層中においてパタ
ーン露光によって発生したのみ酸を触媒にした反応の進
行を確保することが可能になる。したがって、化学増幅
レジストを用いたリソグラフィーを適用したパターンの
形成方法において、パターンの形状精度を確保すること
が可能になる。Further, according to the pattern forming method of the present invention, the protective resist layer is removed by performing pattern exposure in a state where the processed resist layer composed of the chemically amplified resist is covered with the negative protective resist layer. By doing so, it is possible to prevent the supply of an acid deactivating substance and an acid from above the protective resist layer to the processed resist layer, and to ensure the progress of the reaction using only an acid as a catalyst generated by pattern exposure in the processed resist layer. Becomes possible. Therefore, in a pattern forming method using lithography using a chemically amplified resist, it is possible to secure the pattern shape accuracy.
【図１】第１実施形態のパターン形成方法を説明する断
面工程図である。FIG. 1 is a sectional process view illustrating a pattern forming method of a first embodiment.
【図２】第１実施形態のパターン形成方法における露光
量の範囲を説明するグラフである。FIG. 2 is a graph illustrating a range of an exposure amount in the pattern forming method according to the first embodiment.
【図３】第２実施形態のパターン形成方法を説明する断
面工程図である。FIG. 3 is a sectional process view illustrating a pattern forming method according to a second embodiment.
【図４】第２実施形態のパターン形成方法における露光
量の範囲を説明するグラフである。FIG. 4 is a graph illustrating a range of an exposure amount in a pattern forming method according to a second embodiment.
【図５】第３実施形態のパターン形成方法を説明する断
面工程図である。FIG. 5 is a sectional process view illustrating a pattern forming method according to a third embodiment.
【図６】従来技術の課題を説明するための断面図（その
１）である。FIG. 6 is a cross-sectional view (part 1) for describing a problem of the related art.
【図７】従来技術の課題を説明するための断面図（その
２）である。FIG. 7 is a cross-sectional view (part 2) for describing a problem of the related art.
１…基板、２，６…保護レジスト層、３，５…加工レジ
スト層、４，７，９…パターン、８…導電膜、１０…反
射防止膜DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2, 6 ... Protective resist layer, 3, 5 ... Processing resist layer, 4, 7, 9 ... Pattern, 8 ... Conductive film, 10 ... Antireflection film
Claims (4)
成する方法であって、 基板上に、保護レジスト層を形成する工程と、 前記保護レジスト層上に、当該保護レジスト層よりも感
度の高い化学増幅レジストからなる加工レジスト層を形
成する工程と、 少なくとも前記保護レジスト層の必要露光量と同等の露
光量で、前記加工レジスト層及び当該保護レジスト層に
対してパターン露光を行う工程と、 前記加工レジスト層及び前記保護レジスト層の現像処理
を行い、当該加工レジスト層及び当該保護レジスト層か
らなるパターンを形成する工程とを具備してなることを
特徴とするパターン形成方法。1. A method for forming a resist pattern on a substrate, comprising: forming a protective resist layer on the substrate; and forming a chemical resist on the protective resist layer having a higher sensitivity than the protective resist layer. A step of forming a processed resist layer made of an amplification resist; a step of performing pattern exposure on the processed resist layer and the protective resist layer with an exposure amount at least equal to the required exposure amount of the protective resist layer; Developing the resist layer and the protective resist layer to form a pattern composed of the processed resist layer and the protective resist layer.
成する方法であって、 基板上に、化学増幅レジストからなる加工レジスト層を
形成する工程と、 前記加工レジスト層上に、当該加工レジスト層よりも感
度の低いネガ型の保護レジスト層を形成する工程と、 前記加工レジスト層の必要露光量以上でかつ前記保護レ
ジスト層の必要露光量よりも少ない露光量で、当該加工
レジスト層及び当該保護レジスト層に対してパターン露
光を行う工程と、 前記加工レジスト層及び前記保護レジスト層の現像処理
を行い、当該加工レジスト層からなるパターンを形成す
る工程とを具備してなることを特徴とするパターン形成
方法。2. A method for forming a pattern made of a resist on a substrate, comprising the steps of: forming a processed resist layer made of a chemically amplified resist on the substrate; A step of forming a negative-type protective resist layer having a low sensitivity, and the processing resist layer and the protective resist with an exposure amount not less than the necessary exposure amount of the processing resist layer and less than the necessary exposure amount of the protection resist layer. Performing a pattern exposure on the layer; and performing a development process on the processed resist layer and the protective resist layer to form a pattern formed of the processed resist layer. Method.
て、 前記保護レジスト層を形成する工程と前記パターン露光
を行う工程との間に、 前記保護レジスト層上に導電膜を形成する工程を行い、 前記パターン露光を行う工程では、電子線露光を行うこ
とを特徴とするパターン形成方法。3. The pattern forming method according to claim 2, wherein a step of forming a conductive film on the protective resist layer is performed between the step of forming the protective resist layer and the step of performing pattern exposure. In the step of performing the pattern exposure, an electron beam exposure is performed.
て、 前記保護レジスト層を形成する工程と前記パターン露光
を行う工程との間に、前記保護レジスト層上に反射防止
膜を形成する工程を行い、 前記パターン露光を行う工程では、光露光を行うことを
特徴とするパターン形成方法。4. The pattern forming method according to claim 2, wherein a step of forming an anti-reflection film on the protective resist layer is performed between the step of forming the protective resist layer and the step of performing pattern exposure. In the step of performing the pattern exposure, a light exposure is performed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10091075A JPH11288092A (en) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | Pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10091075A JPH11288092A (en) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | Pattern forming method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11288092A true JPH11288092A (en) | 1999-10-19 |
Family
ID=14016398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10091075A Pending JPH11288092A (en) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | Pattern forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11288092A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017151389A (en) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | Hoya株式会社 | Mask blank, mask blank with resist film, mask blank with resist pattern, method for manufacturing the same, and method for manufacturing transfer mask |
-
1998
- 1998-04-03 JP JP10091075A patent/JPH11288092A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017151389A (en) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | Hoya株式会社 | Mask blank, mask blank with resist film, mask blank with resist pattern, method for manufacturing the same, and method for manufacturing transfer mask |
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