JPH1125894A - プラズマイオンシャワー試料処理装置とその方法 - Google Patents
プラズマイオンシャワー試料処理装置とその方法Info
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- JPH1125894A JPH1125894A JP9189284A JP18928497A JPH1125894A JP H1125894 A JPH1125894 A JP H1125894A JP 9189284 A JP9189284 A JP 9189284A JP 18928497 A JP18928497 A JP 18928497A JP H1125894 A JPH1125894 A JP H1125894A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料ｓの表面に金属膜や炭素膜等の導体膜を
形成することなく、ＳＥＭ観察、Ｘ線分析に試料を供す
るのに際して、試料表面の帯電を防止し、正確なＳＥＭ
観察或いはＸ線分析を可能とする。 【解決手段】 イオンシャワー試料処理装置は、希薄気
体状態に維持される真空槽１と、この真空槽１の中に配
置され、負の電圧が印加されるターゲット電極２と、こ
のターゲット電極２に対向して配置され、処理する試料
ｓを設置する試料台３とを有する。試料台３の近傍に、
ターゲット電極２に対して正の電圧を印加する電極４を
配置すると共に、前記ターゲット電極２を、イオン衝撃
に対してスパッタ率の低い金属とすることにより、その
表面にて陽イオンを反射させる電極材料とする。真空槽
１内を希薄気体状態に維持し、ターゲット電極２と正の
電極４との間でプラズマ放電を起こし、このプラズマ放
電により発生した陽イオンを前記ターゲット電極２に反
射させ、前記試料台３上に設置した試料ｓに、前記ター
ゲット電極２で反射した陽イオンをシャワー状に照射す
る。
形成することなく、ＳＥＭ観察、Ｘ線分析に試料を供す
るのに際して、試料表面の帯電を防止し、正確なＳＥＭ
観察或いはＸ線分析を可能とする。 【解決手段】 イオンシャワー試料処理装置は、希薄気
体状態に維持される真空槽１と、この真空槽１の中に配
置され、負の電圧が印加されるターゲット電極２と、こ
のターゲット電極２に対向して配置され、処理する試料
ｓを設置する試料台３とを有する。試料台３の近傍に、
ターゲット電極２に対して正の電圧を印加する電極４を
配置すると共に、前記ターゲット電極２を、イオン衝撃
に対してスパッタ率の低い金属とすることにより、その
表面にて陽イオンを反射させる電極材料とする。真空槽
１内を希薄気体状態に維持し、ターゲット電極２と正の
電極４との間でプラズマ放電を起こし、このプラズマ放
電により発生した陽イオンを前記ターゲット電極２に反
射させ、前記試料台３上に設置した試料ｓに、前記ター
ゲット電極２で反射した陽イオンをシャワー状に照射す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は走査型電子顕微鏡や
微小部Ｘ線分析装置を利用して観察する試料を、その観
察に供し得るように前処理する装置と方法に関し、具体
的には、試料の表面が負に帯電するのを解消するための
処理装置と方法に関する。
微小部Ｘ線分析装置を利用して観察する試料を、その観
察に供し得るように前処理する装置と方法に関し、具体
的には、試料の表面が負に帯電するのを解消するための
処理装置と方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）や微小部Ｘ線
分析装置で試料の観察や分析を行うには、試料が電気の
良導体であることが条件となる。このため生物試料や無
機化合物のように電気的に不良導体である試料は、表面
に厚さ数十ｎｍの薄い金属膜や炭素膜等の導体膜を形成
することにより、電気的に良導体化させたうえで観察に
供する必要がある。
分析装置で試料の観察や分析を行うには、試料が電気の
良導体であることが条件となる。このため生物試料や無
機化合物のように電気的に不良導体である試料は、表面
に厚さ数十ｎｍの薄い金属膜や炭素膜等の導体膜を形成
することにより、電気的に良導体化させたうえで観察に
供する必要がある。
【０００３】このような試料表面への導体膜の被着に
は、一般に真空蒸着装置やイオンスパッタリング装置等
が利用される。しかし、これらの装置によって試料表面
に導体膜を形成すると、試料表面の微細形状が、試料表
面に被着した導体粒子によって被覆され、真の表面観察
が不可能である。またそれが、Ｘ線分析の感度低下など
障害となる。
は、一般に真空蒸着装置やイオンスパッタリング装置等
が利用される。しかし、これらの装置によって試料表面
に導体膜を形成すると、試料表面の微細形状が、試料表
面に被着した導体粒子によって被覆され、真の表面観察
が不可能である。またそれが、Ｘ線分析の感度低下など
障害となる。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】このような問題の
対策として、試料の表面に導体膜の被着を行わずに観察
する手段として、低加速電圧ＳＥＭ観察法が提案されて
いる。しかし、この低加速電圧ＳＥＭ観察法は、一般の
汎用型ＳＥＭによる観察では分解能が低く、電界放射型
ＳＥＭのような高価な装置によってのみ観察が可能であ
る。これは、表面を導体化してない試料では、表面が帯
電しやすいことによる。すなわち、ＳＥＭにおける帯電
現象は、試料表面を走査する１次電子が試料表面に蓄積
し、その電界によって、後から飛来する１次電子や放出
される二次電子が偏向され、この結果、正常な像の形成
を妨害されることによる。これにより、正確な試料表面
の観察の障害となる。
対策として、試料の表面に導体膜の被着を行わずに観察
する手段として、低加速電圧ＳＥＭ観察法が提案されて
いる。しかし、この低加速電圧ＳＥＭ観察法は、一般の
汎用型ＳＥＭによる観察では分解能が低く、電界放射型
ＳＥＭのような高価な装置によってのみ観察が可能であ
る。これは、表面を導体化してない試料では、表面が帯
電しやすいことによる。すなわち、ＳＥＭにおける帯電
現象は、試料表面を走査する１次電子が試料表面に蓄積
し、その電界によって、後から飛来する１次電子や放出
される二次電子が偏向され、この結果、正常な像の形成
を妨害されることによる。これにより、正確な試料表面
の観察の障害となる。
【０００５】表面を導体化していない試料の帯電防止法
としては、イオン銃を利用し、数ｋＶに加速したアルゴ
ンイオンを試料に打ち込む方法がある。この方法は無機
化合物のように、イオン衝撃に対して破壊のおそれの無
い試料には有効である。しかし、生物試料のような、軟
質試料ではイオン衝撃による破壊損傷が起こり、観察用
試料としては利用できない。また、加速したイオンは直
進するため陰の部分は照射されず、表面の凹凸の大きな
試料には効果が無い。さらに、イオン銃を具備した照射
装置は操作が複雑で、且つ高価な装置であり、汎用的に
使用するためには、経済的な負担が大である。
としては、イオン銃を利用し、数ｋＶに加速したアルゴ
ンイオンを試料に打ち込む方法がある。この方法は無機
化合物のように、イオン衝撃に対して破壊のおそれの無
い試料には有効である。しかし、生物試料のような、軟
質試料ではイオン衝撃による破壊損傷が起こり、観察用
試料としては利用できない。また、加速したイオンは直
進するため陰の部分は照射されず、表面の凹凸の大きな
試料には効果が無い。さらに、イオン銃を具備した照射
装置は操作が複雑で、且つ高価な装置であり、汎用的に
使用するためには、経済的な負担が大である。
【０００６】本発明は、前記のような従来の課題に鑑
み、試料表面に金属膜や炭素膜等の導体膜を形成するこ
となく、ＳＥＭ観察、Ｘ線分析に試料を供するのに際し
て、試料表面の帯電を防止し、正確なＳＥＭ観察或いは
Ｘ線分析を可能とすることを目的とするものである。従
来の試料表面に導体膜を形成する方法は、試料の表面を
導体化し、一次電子の衝撃により二次電子を発生させる
手段であるが、これにより試料の表面に蓄積する電子を
アースに逃がすことが可能であった。これに対し本発明
は、試料の表面に金属膜や炭素膜等の導体膜を被着せず
に、ＳＥＭやＸ線分析のための試料として供する場合に
おいて、試料の表面での電子の蓄積を回避することをす
ることを目的とする。
み、試料表面に金属膜や炭素膜等の導体膜を形成するこ
となく、ＳＥＭ観察、Ｘ線分析に試料を供するのに際し
て、試料表面の帯電を防止し、正確なＳＥＭ観察或いは
Ｘ線分析を可能とすることを目的とするものである。従
来の試料表面に導体膜を形成する方法は、試料の表面を
導体化し、一次電子の衝撃により二次電子を発生させる
手段であるが、これにより試料の表面に蓄積する電子を
アースに逃がすことが可能であった。これに対し本発明
は、試料の表面に金属膜や炭素膜等の導体膜を被着せず
に、ＳＥＭやＸ線分析のための試料として供する場合に
おいて、試料の表面での電子の蓄積を回避することをす
ることを目的とする。
【０００７】このような目的を達成するための本発明に
よるイオンシャワー試料処理装置は、希薄気体状態に維
持される真空槽１と、この真空槽１の中に配置され、負
の電圧が印加されるターゲット電極２と、このターゲッ
ト電極２に対向して配置され、処理する試料ｓを設置す
る試料台３とを有し、この試料台３の近傍に、ターゲッ
ト電極２に対して正の電圧を印加する電極４を配置する
と共に、前記ターゲット電極２を、イオン衝撃に対して
スパッタ率の低い金属とすることにより、その表面にて
陽イオンを反射させる電極材料としたことを特徴とする
ものである。
よるイオンシャワー試料処理装置は、希薄気体状態に維
持される真空槽１と、この真空槽１の中に配置され、負
の電圧が印加されるターゲット電極２と、このターゲッ
ト電極２に対向して配置され、処理する試料ｓを設置す
る試料台３とを有し、この試料台３の近傍に、ターゲッ
ト電極２に対して正の電圧を印加する電極４を配置する
と共に、前記ターゲット電極２を、イオン衝撃に対して
スパッタ率の低い金属とすることにより、その表面にて
陽イオンを反射させる電極材料としたことを特徴とする
ものである。
【０００８】このようなイオンシャワー試料処理装置を
使用して、試料を処理するには、真空槽１内を希薄気体
状態に維持し、ターゲット電極２と正の電極４との間で
プラズマ放電を起こし、このプラズマ放電により発生し
た陽イオンを前記ターゲット電極２に反射させ、前記試
料台３上に設置した試料ｓに、前記ターゲット電極２で
反射した陽イオンをシャワー状に照射する。
使用して、試料を処理するには、真空槽１内を希薄気体
状態に維持し、ターゲット電極２と正の電極４との間で
プラズマ放電を起こし、このプラズマ放電により発生し
た陽イオンを前記ターゲット電極２に反射させ、前記試
料台３上に設置した試料ｓに、前記ターゲット電極２で
反射した陽イオンをシャワー状に照射する。
【０００８】試料の表面の帯電現象は、試料表面に負の
電子が留まることにより生じる。そこで、これを正のイ
オンで中和させれば帯電は解消できることなる。ところ
が、陽イオンを試料の表面に加速して注入すると、陽イ
オンが試料の表面に衝撃を与え、表面硬度が小さな有機
物試料に対しては、表面の損傷が激しく、適用すること
ができない。
電子が留まることにより生じる。そこで、これを正のイ
オンで中和させれば帯電は解消できることなる。ところ
が、陽イオンを試料の表面に加速して注入すると、陽イ
オンが試料の表面に衝撃を与え、表面硬度が小さな有機
物試料に対しては、表面の損傷が激しく、適用すること
ができない。
【０００９】これに対して、前記のような本発明による
イオンシャワーによる試料の処理手段では、プラズマ放
電により発生した陽イオンをターゲット電極２で反射さ
せ、これを中立電位の試料台３上に設置した試料ｓにシ
ャワー状に照射するため、試料ｓの表面に陽イオンの衝
撃を与えることなく同陽イオンを試料ｓの表面に注入す
ることができる。また、イオンを試料ｓの表面にシャワ
ー状に照射するため、表面に凹凸がある試料でも、いわ
ゆる陰になる部分にもイオンを回り込ませることができ
る。これにより、試料ｓの表面を損傷させることなく、
その表面全体を満遍なく除電することができる。
イオンシャワーによる試料の処理手段では、プラズマ放
電により発生した陽イオンをターゲット電極２で反射さ
せ、これを中立電位の試料台３上に設置した試料ｓにシ
ャワー状に照射するため、試料ｓの表面に陽イオンの衝
撃を与えることなく同陽イオンを試料ｓの表面に注入す
ることができる。また、イオンを試料ｓの表面にシャワ
ー状に照射するため、表面に凹凸がある試料でも、いわ
ゆる陰になる部分にもイオンを回り込ませることができ
る。これにより、試料ｓの表面を損傷させることなく、
その表面全体を満遍なく除電することができる。
【００１０】前記の正の電極を印加する電極４は、接地
電極４であり、この接地電極４を試料台３を囲んで、そ
の周囲に配置する。さらに、試料台３を中立電位、すな
わち電位的に浮遊した状態と、正の電位を印加した状態
との何れかに択一的に切り替えるスイッチ１０を備える
とよい。これにより、ターゲット電極２で反射した陽イ
オンを、試料台３の試料ｓにシャワー状に照射したり、
或いは陽イオンを加速して試料ｓの照射したり、何れか
の状態を適宜選択することができる。また、真空槽１内
を、複数２の混合気体の希薄気体雰囲気とすることがで
きれば、試料ｓの種類に応じて最適なイオンを適宜組み
合わせて使用することができる。
電極４であり、この接地電極４を試料台３を囲んで、そ
の周囲に配置する。さらに、試料台３を中立電位、すな
わち電位的に浮遊した状態と、正の電位を印加した状態
との何れかに択一的に切り替えるスイッチ１０を備える
とよい。これにより、ターゲット電極２で反射した陽イ
オンを、試料台３の試料ｓにシャワー状に照射したり、
或いは陽イオンを加速して試料ｓの照射したり、何れか
の状態を適宜選択することができる。また、真空槽１内
を、複数２の混合気体の希薄気体雰囲気とすることがで
きれば、試料ｓの種類に応じて最適なイオンを適宜組み
合わせて使用することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
試料ｓの表面の帯電現象は、試料ｓの表面に一次電子が
照射される等して、負の電子が留まることによって起こ
る。従って、試料ｓの表面の帯電現象は、試料ｓの表面
に溜まった電子の電荷を、正のイオンで中和すれば解消
できる。
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
試料ｓの表面の帯電現象は、試料ｓの表面に一次電子が
照射される等して、負の電子が留まることによって起こ
る。従って、試料ｓの表面の帯電現象は、試料ｓの表面
に溜まった電子の電荷を、正のイオンで中和すれば解消
できる。
【００１２】正イオンの注入法として、数ｋＶに加速し
たアルゴイオンを照射する方法であるが、加速したアル
ゴンイオンは、試料ｓの表面に対する衝撃が強く、有機
物試料等のように、表面硬度が小さな試料ｓには利用で
きない。また、通常のイオンスパッタ装置を利用し、試
料台３を負電位にして、プラズマ放電により発生した陽
イオンを試料ｓに直接照射する方法もある。しかしその
場合、試料ｓはイオンの衝撃を受け、損傷する。従って
やはり、有機物試料等のように、表面硬度が小さな試料
ｓは損傷が大きい。
たアルゴイオンを照射する方法であるが、加速したアル
ゴンイオンは、試料ｓの表面に対する衝撃が強く、有機
物試料等のように、表面硬度が小さな試料ｓには利用で
きない。また、通常のイオンスパッタ装置を利用し、試
料台３を負電位にして、プラズマ放電により発生した陽
イオンを試料ｓに直接照射する方法もある。しかしその
場合、試料ｓはイオンの衝撃を受け、損傷する。従って
やはり、有機物試料等のように、表面硬度が小さな試料
ｓは損傷が大きい。
【００１３】試料ｓのイオン照射による損傷を回避する
には、イオンの衝撃力を弱めることが必要である。それ
には、数Ｐａから数十Ｐａの希薄気体雰囲気におけるプ
ラズマ放電により発生した陽イオンを、試料ｓに直接照
射することなく、負電位に保持したターゲット電極２の
表面に当てて反射させ、この反射した陽イオンを試料台
３の上に設置した試料ｓに照射する。こうすることによ
り、陽イオンの飛翔距離を長くすると同時に、その飛翔
過程で雰囲気ガスと衝突する。これにより、イオンのエ
ネルギが全体として小さくなり、且つイオンの飛行方向
も様々な方向に変化する。従って、試料ｓの表面にはあ
らゆる方向からイオンが飛来する。しかも、このシャワ
ー状のイオンのエネルギは高範囲に分布する。このた
め、複雑な表面形状の試料ｓの表面に一様に陽イオンを
照射できると共に、試料ｓの表面に留まるイオンや試料
ｓの内部に浸透するイオン等、イオンが様々なレベルで
試料ｓにイオンが注入される。このようにして試料ｓの
表面から内部にわたって注入される陽イオンは、試料ｓ
に照射される１次電子を中和するので、試料ｓが帯電す
ることなく、ＳＥＭの観察、あるいは微小部Ｘ線分析が
正確に行える。
には、イオンの衝撃力を弱めることが必要である。それ
には、数Ｐａから数十Ｐａの希薄気体雰囲気におけるプ
ラズマ放電により発生した陽イオンを、試料ｓに直接照
射することなく、負電位に保持したターゲット電極２の
表面に当てて反射させ、この反射した陽イオンを試料台
３の上に設置した試料ｓに照射する。こうすることによ
り、陽イオンの飛翔距離を長くすると同時に、その飛翔
過程で雰囲気ガスと衝突する。これにより、イオンのエ
ネルギが全体として小さくなり、且つイオンの飛行方向
も様々な方向に変化する。従って、試料ｓの表面にはあ
らゆる方向からイオンが飛来する。しかも、このシャワ
ー状のイオンのエネルギは高範囲に分布する。このた
め、複雑な表面形状の試料ｓの表面に一様に陽イオンを
照射できると共に、試料ｓの表面に留まるイオンや試料
ｓの内部に浸透するイオン等、イオンが様々なレベルで
試料ｓにイオンが注入される。このようにして試料ｓの
表面から内部にわたって注入される陽イオンは、試料ｓ
に照射される１次電子を中和するので、試料ｓが帯電す
ることなく、ＳＥＭの観察、あるいは微小部Ｘ線分析が
正確に行える。
【００１４】このようなイオンシャワーによる試料処理
装置に使用されるターゲット電極２としては、イオン衝
撃でスパッタされない金属、例えばＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、
Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、或いはこれらの合金を使用する。放
電電圧は、試料ｓの種類によって異なる。例えば、生物
試料のような有機物試料は、２００Ｖから８００Ｖ、無
機化合物等で硬質な試料ｓは８００Ｖ以上１５００Ｖ程
度とする。
装置に使用されるターゲット電極２としては、イオン衝
撃でスパッタされない金属、例えばＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、
Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、或いはこれらの合金を使用する。放
電電圧は、試料ｓの種類によって異なる。例えば、生物
試料のような有機物試料は、２００Ｖから８００Ｖ、無
機化合物等で硬質な試料ｓは８００Ｖ以上１５００Ｖ程
度とする。
【００１５】プラズマ放電電流は、その最大値をターゲ
ット電極２の面積によって決める。単位面積当りの電流
値が大きいとターゲット電極２の表面の温度上昇が激し
く、ターゲット電極２から試料ｓに照射される赤外線に
よって試料ｓが損傷するおそれがある。このため、ター
ゲット電極２の表面での電流密度の限界を０．５ｍＡ／
ｃｍ2 とすることが望ましい。或いは、大電流密度でイ
オン照射を行う場合は、ターゲット電極２を冷却し、赤
外線の放射を抑えることが望ましい。
ット電極２の面積によって決める。単位面積当りの電流
値が大きいとターゲット電極２の表面の温度上昇が激し
く、ターゲット電極２から試料ｓに照射される赤外線に
よって試料ｓが損傷するおそれがある。このため、ター
ゲット電極２の表面での電流密度の限界を０．５ｍＡ／
ｃｍ2 とすることが望ましい。或いは、大電流密度でイ
オン照射を行う場合は、ターゲット電極２を冷却し、赤
外線の放射を抑えることが望ましい。
【００１６】イオン照射量は試料ｓの大きさ、形状によ
って決める。硬質資料においては放電電流Ｉ×時間Ｔ＝
５０（ｍＡ・ｍｉｎ）を一回の照射の限界とする。希薄
気体としての雰囲気ガスは、Ｈｅ、Ｎ2 、Ａｒあるいは
それらの混合ガス（空気を含む）から選択する。生物細
胞など破損し易い試料にはＨｅ、或いはＨｅとＮ2 の混
合気体。岩石など無機化合物にはＡｒ、或いはＡｒとＮ
2 の混合気体を雰囲気ガスとする。一般的には空気の希
薄状態で行なわれる。
って決める。硬質資料においては放電電流Ｉ×時間Ｔ＝
５０（ｍＡ・ｍｉｎ）を一回の照射の限界とする。希薄
気体としての雰囲気ガスは、Ｈｅ、Ｎ2 、Ａｒあるいは
それらの混合ガス（空気を含む）から選択する。生物細
胞など破損し易い試料にはＨｅ、或いはＨｅとＮ2 の混
合気体。岩石など無機化合物にはＡｒ、或いはＡｒとＮ
2 の混合気体を雰囲気ガスとする。一般的には空気の希
薄状態で行なわれる。
【００１７】以上述べた原理作用と実験結果を元に装置
を構成する。この装置を例を図１に示す。１Ｐａ以下の
圧力雰囲気を保持できる真空槽１内に、イオン衝撃によ
ってスパッタされない金属で作られたターゲット電極２
を真空槽１に対して絶縁して設け、直流電源８によって
このターゲット電極２に負電圧を印加し、負電位とす
る。図１において、符合９は電圧調整器、符合Ｖは電源
８の電圧を測定する電位計、符合ｍＡは、電源８の電流
を測定する電流計である。ターゲット電極２は、これに
対して絶縁された静電電極５によって囲み、放電によっ
て生じるプラズマイオンがターゲット電極２の表面を効
率よく衝撃するようにする。
を構成する。この装置を例を図１に示す。１Ｐａ以下の
圧力雰囲気を保持できる真空槽１内に、イオン衝撃によ
ってスパッタされない金属で作られたターゲット電極２
を真空槽１に対して絶縁して設け、直流電源８によって
このターゲット電極２に負電圧を印加し、負電位とす
る。図１において、符合９は電圧調整器、符合Ｖは電源
８の電圧を測定する電位計、符合ｍＡは、電源８の電流
を測定する電流計である。ターゲット電極２は、これに
対して絶縁された静電電極５によって囲み、放電によっ
て生じるプラズマイオンがターゲット電極２の表面を効
率よく衝撃するようにする。
【００１８】このターゲット電極２と対向して、真空槽
１と電気的に絶縁された試料台３を設置する。さらに、
試料台３の周囲に接地電極４を設け、この接地電極４を
前記ターゲット電極２に対して正電位におく。具体的に
は、真空槽１の下部プレートを介して接地する。試料台
３とアースとは、スイッチ１０及び真空槽を介して接続
及び切断することができるようにしてある。すなわち、
図示のようにスイッチ１０を切ったとき、試料台３はア
ースから切り離されて、電位的に浮遊し、ターゲット電
極２と接地電極４の双方に対して中立した電位にある。
他方、スイッチ１０を閉じると、試料台３は接地され、
接地電極４と同電位となる。このようなスイッチ１０を
設けることにより、後述するように、ターゲット電極２
で反射した陽イオンを試料台３上の試料ｓに入射させる
エネルギを適宜変えることができる。
１と電気的に絶縁された試料台３を設置する。さらに、
試料台３の周囲に接地電極４を設け、この接地電極４を
前記ターゲット電極２に対して正電位におく。具体的に
は、真空槽１の下部プレートを介して接地する。試料台
３とアースとは、スイッチ１０及び真空槽を介して接続
及び切断することができるようにしてある。すなわち、
図示のようにスイッチ１０を切ったとき、試料台３はア
ースから切り離されて、電位的に浮遊し、ターゲット電
極２と接地電極４の双方に対して中立した電位にある。
他方、スイッチ１０を閉じると、試料台３は接地され、
接地電極４と同電位となる。このようなスイッチ１０を
設けることにより、後述するように、ターゲット電極２
で反射した陽イオンを試料台３上の試料ｓに入射させる
エネルギを適宜変えることができる。
【００１９】真空槽１内は真空ポンプ１１によって排気
すると共に、雰囲気ガス注入装置６より真空槽１内に前
述のような希薄ガスを注入し、真空槽１内を３Ｐａない
し１００Ｐａ程度の圧力雰囲気を保つ。試料台２にＳＥ
Ｍで観察するための試料ｓを並べ、真空排気を行った
後、真空槽１内に前述のような試料に対応したガスを注
入し、真空槽１内を例えば１０Ｐａ付近の希薄ガス雰囲
気に保持する。そして、ターゲット電極を負、接地電極
を正の直流電圧を印加し、放電を開始する。
すると共に、雰囲気ガス注入装置６より真空槽１内に前
述のような希薄ガスを注入し、真空槽１内を３Ｐａない
し１００Ｐａ程度の圧力雰囲気を保つ。試料台２にＳＥ
Ｍで観察するための試料ｓを並べ、真空排気を行った
後、真空槽１内に前述のような試料に対応したガスを注
入し、真空槽１内を例えば１０Ｐａ付近の希薄ガス雰囲
気に保持する。そして、ターゲット電極を負、接地電極
を正の直流電圧を印加し、放電を開始する。
【００２０】この放電によるプラズマ中で発生した陽イ
オンは、ターゲット電極２の表面に当たって反射し、さ
らに希薄ガス雰囲気中のガス分子と衝突すると共に、イ
オン同志で反発し合い、試料台３上の試料ｓにあらゆる
方向からあらゆるエネルギーで飛来する。いわゆる、陽
イオンがシャワー状に試料ｓに照射される。このとき、
必要時間放電を持続させることにより試料ｓの表面から
試料内部へイオンが浸透する。また、イオンの浸透し難
い硬質試料の場合は、前記のスイッチ１０と閉じて、試
料台３を接地し、陽イオンに或る程度のエネルギを与え
ることにより、試料ｓの内部へのイオンの浸透が加速さ
れる。
オンは、ターゲット電極２の表面に当たって反射し、さ
らに希薄ガス雰囲気中のガス分子と衝突すると共に、イ
オン同志で反発し合い、試料台３上の試料ｓにあらゆる
方向からあらゆるエネルギーで飛来する。いわゆる、陽
イオンがシャワー状に試料ｓに照射される。このとき、
必要時間放電を持続させることにより試料ｓの表面から
試料内部へイオンが浸透する。また、イオンの浸透し難
い硬質試料の場合は、前記のスイッチ１０と閉じて、試
料台３を接地し、陽イオンに或る程度のエネルギを与え
ることにより、試料ｓの内部へのイオンの浸透が加速さ
れる。
【００２１】放電電流とイオン照射時間は試料の大きさ
と種類によって異なるが、厚さ１ｍｍ程度の有機質薄片
試料の場合、雰囲気ガスを空気とし、放電電圧Ｖ＝６０
０Ｖ、放電電流Ｉ＝３〜５ｍＡ、時間Ｔ＝１０ｍｉｎの
イオンシャワー照射で２０ｋＶ加速電圧のＳＥＭ観察に
十分耐えられる。セラミック等の無気質試料の場合は雰
囲気ガスをＡｒとし、Ｖ＝１０００Ｖ、Ｉ＝１０ｍＡ、
Ｔ＝５ｍｉｎのイオンシャワーで２５ｋＶでのＳＥＭ観
察、及び微小部Ｘ線分析が可能である。
と種類によって異なるが、厚さ１ｍｍ程度の有機質薄片
試料の場合、雰囲気ガスを空気とし、放電電圧Ｖ＝６０
０Ｖ、放電電流Ｉ＝３〜５ｍＡ、時間Ｔ＝１０ｍｉｎの
イオンシャワー照射で２０ｋＶ加速電圧のＳＥＭ観察に
十分耐えられる。セラミック等の無気質試料の場合は雰
囲気ガスをＡｒとし、Ｖ＝１０００Ｖ、Ｉ＝１０ｍＡ、
Ｔ＝５ｍｉｎのイオンシャワーで２５ｋＶでのＳＥＭ観
察、及び微小部Ｘ線分析が可能である。
【００２２】このようなイオンシャワー処理を施された
試料ｓは、その表面付近から内部にわたり陽イオンが存
在し、正電位の状態を保つ。これにより、高加速電圧の
ＳＥＭ観察、あるいは微小部Ｘ線分析に対し、電子の電
荷を中和し、試料ｓの帯電を防止する。
試料ｓは、その表面付近から内部にわたり陽イオンが存
在し、正電位の状態を保つ。これにより、高加速電圧の
ＳＥＭ観察、あるいは微小部Ｘ線分析に対し、電子の電
荷を中和し、試料ｓの帯電を防止する。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明のイオンシ
ャワー試料処理装置と方法では、単に試料表面へ陽イオ
ンをシャワー状に照射することができ、金属の蒸着を行
うことなく２５Ｋｖ程度の高電圧加速ＳＥＭでも帯電現
象を起こさずに観察が可能になる。従来、高分解能観察
の場合は試料表面に２〜３ｎｍの薄い白金蒸着膜を形成
させて帯電を防止していたが、観察時の電子線照射量、
あるいは観察時間によって導電性能が低下し、観察条件
に限界があった。また、再度金属蒸着を行うことは蒸着
層が厚くなり、高分解能観察を不可能にした。特に凹凸
の甚だしい試料に於ては陰の部分には金属粒子が蒸着さ
れず、炭素などの補助蒸着を必要とし、これが微細構造
の観察を不可能にしていた。
ャワー試料処理装置と方法では、単に試料表面へ陽イオ
ンをシャワー状に照射することができ、金属の蒸着を行
うことなく２５Ｋｖ程度の高電圧加速ＳＥＭでも帯電現
象を起こさずに観察が可能になる。従来、高分解能観察
の場合は試料表面に２〜３ｎｍの薄い白金蒸着膜を形成
させて帯電を防止していたが、観察時の電子線照射量、
あるいは観察時間によって導電性能が低下し、観察条件
に限界があった。また、再度金属蒸着を行うことは蒸着
層が厚くなり、高分解能観察を不可能にした。特に凹凸
の甚だしい試料に於ては陰の部分には金属粒子が蒸着さ
れず、炭素などの補助蒸着を必要とし、これが微細構造
の観察を不可能にしていた。
【００２４】本発明のイオンシャワー試料処理装置と方
法では、試料表面を直接観察するので、真の表面構造が
観察できるばかりでなく、表面に凹凸のある試料でも、
イオンの進入構造によって穴の内部まで観察が可能であ
る。また、長時間の観察、あるいは保管で帯電現象が発
生しても再度のイオンシャワーで繰り返し観察が可能で
あるから、重要な試料のＳＥＭ観察に利用して効果極め
て大である。さらに、ＳＥＭ観察と同時に観察部分のＸ
線分析が行えるので、形態と成分の比較研究が用意とな
り、考古学的出土品の鑑定、犯罪走査等にも有効であ
る。
法では、試料表面を直接観察するので、真の表面構造が
観察できるばかりでなく、表面に凹凸のある試料でも、
イオンの進入構造によって穴の内部まで観察が可能であ
る。また、長時間の観察、あるいは保管で帯電現象が発
生しても再度のイオンシャワーで繰り返し観察が可能で
あるから、重要な試料のＳＥＭ観察に利用して効果極め
て大である。さらに、ＳＥＭ観察と同時に観察部分のＸ
線分析が行えるので、形態と成分の比較研究が用意とな
り、考古学的出土品の鑑定、犯罪走査等にも有効であ
る。
【図１】本発明によりイオンシャワー試料処理装置の例
を示す真空槽１を断面した概略側面全体構成図である。
を示す真空槽１を断面した概略側面全体構成図である。
１ 真空槽 ２ ターゲット電極 ３ 試料台 ４ 接地電極 ６ 雰囲気ガス注入装置 ７ 雰囲気圧力測定機 ８ 電源 １１ 排気装置 ｓ 試料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｊ 37/20 Ｈ０１Ｊ 37/34 37/34 Ｇ０１Ｎ 1/28 Ｚ
Claims (6)
- 【請求項１】 希薄気体状態に維持される真空槽（１）
と、この真空槽（１）の中に配置され、負の電圧が印加
されるターゲット電極（２）と、このターゲット電極
（２）に対向して配置され、処理する試料（ｓ）を設置
する試料台（３）とを有し、前記試料台（３）の近傍に
ターゲット電極（２）に対して正の電圧の電極（４）を
配置し、ターゲット電極（２）を、イオン衝撃に対して
スパッタ率の低い金属とすることにより、その表面にて
陽イオンを反射させる電極材料としたプラズマイオンシ
ャワー試料処理装置。 - 【請求項２】 正の電極の電極（４）が接地電極（４）
であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマイオ
ンシャワー試料処理装置。 - 【請求項３】 試料台（３）を、電位的に浮遊した状態
と正の電位との何れかに択一的に切り替えるスイッチ
（１０）を備えることを特徴とする請求項１または２に
記載のプラズマイオンシャワー試料処理装置。 - 【請求項４】 試料台（３）を囲んで、その周囲に正の
電極の電極（４）を配置したことを特徴とする請求項１
〜３の何れかに記載のプラズマイオンシャワー試料処理
装置。 - 【請求項５】 真空槽（１）内を希薄気体状態に維持
し、この真空槽（１）の中に配置され、負の電圧が印加
されるターゲット電極（２）と、このターゲット電極
（２）に対向して配置され、同ターゲット電極（２）に
対して正の電圧を印加した電極（４）との間でプラズマ
放電を起こし、このプラズマ放電により発生した陽イオ
ンを前記ターゲット電極（２）に反射させ、このターゲ
ット電極（２）と対向して配置した中立電位の試料台
（３）上に設置した試料（ｓ）に、前記ターゲット電極
（２）で反射した陽イオンをシャワー状に照射すること
を特徴とするプラズマイオンシャワー試料処理方法。 - 【請求項６】 真空槽（１）内の希薄気体を２種類以上
の混合気体雰囲気に保持することを特徴とする請求項５
に記載のプラズマイオンシャワー試料処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9189284A JPH1125894A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | プラズマイオンシャワー試料処理装置とその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9189284A JPH1125894A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | プラズマイオンシャワー試料処理装置とその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1125894A true JPH1125894A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16238754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9189284A Pending JPH1125894A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | プラズマイオンシャワー試料処理装置とその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1125894A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010256095A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 試料の分析方法 |
| JP2011144418A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Filgen Inc | 導電性薄膜のプラズマ成膜方法 |
| WO2019060060A1 (en) * | 2017-09-20 | 2019-03-28 | Applied Materials, Inc. | SYSTEM FOR COUPLING VOLTAGE TO PARTS OF A SUBSTRATE |
| US11284500B2 (en) | 2018-05-10 | 2022-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator |
| US11462389B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | Pulsed-voltage hardware assembly for use in a plasma processing system |
| US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
| US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
| US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
| US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
| US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
| US11699572B2 (en) | 2019-01-22 | 2023-07-11 | Applied Materials, Inc. | Feedback loop for controlling a pulsed voltage waveform |
| US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
| US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
| US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
| US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
| US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
| US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
| US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
| US11984306B2 (en) | 2021-06-09 | 2024-05-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber and chamber component cleaning methods |
-
1997
- 1997-06-30 JP JP9189284A patent/JPH1125894A/ja active Pending
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010256095A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 試料の分析方法 |
| JP2011144418A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Filgen Inc | 導電性薄膜のプラズマ成膜方法 |
| WO2019060060A1 (en) * | 2017-09-20 | 2019-03-28 | Applied Materials, Inc. | SYSTEM FOR COUPLING VOLTAGE TO PARTS OF A SUBSTRATE |
| US10714372B2 (en) | 2017-09-20 | 2020-07-14 | Applied Materials, Inc. | System for coupling a voltage to portions of a substrate |
| US11284500B2 (en) | 2018-05-10 | 2022-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator |
| US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
| US11699572B2 (en) | 2019-01-22 | 2023-07-11 | Applied Materials, Inc. | Feedback loop for controlling a pulsed voltage waveform |
| US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
| US11462389B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | Pulsed-voltage hardware assembly for use in a plasma processing system |
| US11462388B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing assembly using pulsed-voltage and radio-frequency power |
| US11776789B2 (en) | 2020-07-31 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing assembly using pulsed-voltage and radio-frequency power |
| US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
| US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
| US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
| US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
| US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
| US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
| US11984306B2 (en) | 2021-06-09 | 2024-05-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber and chamber component cleaning methods |
| US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
| US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
| US11887813B2 (en) | 2021-06-23 | 2024-01-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing |
| US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
| US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
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