JP2011144418A - 導電性薄膜のプラズマ成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(1).反応容器内の圧力が所定の真空圧になった際に原料ガスを微量流入させながら両電極間に直流高電圧を印加する。(2).原料ガスの微量流入により反応容器内における原料ガス濃度が、両電極間を低電流値で導通させる低濃度状態になった際に、該低電流状態を維持するように原料ガスの微小流入量を制御しながら両電極間に発生するグロー放電により導電性金属分子をプラズマ化して試料表面に堆積させる。(3).上記(2)による原料ガスの低濃度状態及び低電流状態を所定時間の間、維持して試料表面に堆積される導電性金属分子により導電性薄膜をnmオーダーで成膜する。上記(1)乃至(3)の工程からなる。
【選択図】図1
Description
先ず、請求項1に対応する本発明方法を実施する際に使用するプラズマ成膜装置1を説明すると、図1に示すようにプラズマ製膜装置1の反応容器3は、耐圧ガラス製で、上部に天板部5が、また下部に基板部7がそれぞれ着脱可能で、気密状に取り付けられる。上記天板部5の中心部下面には陽電極9が電気的絶縁状態で取り付けられると共に陽電極9の周りに位置する天板部5の下面には昇華室11が設けられる。上記天板部5には上記昇華室11内に原料ガスを導入する原料ガス導入部13が設けられる。また、上記昇華室11には反応容器3内に原料ガスを導入させる原料ガス導出部15が設けられる。
上記のように反応容器3内に対してガスボンベから原料ガスを導入する場合、天板部または基板部に、反応容器3の内部と連通する1本の導入管に対し、ガスボンベに接続されたガス導入配管及びガス供給源に接続された不活性ガス導入用配管を並列接続し、反応容器3内に対し、不活性ガスにより所望の割合で希釈された希釈原料ガスを導入するようにすればよい。
3 反応容器
5 天板部
7 基板部
9 陽電極
11 昇華室
13 原料ガス導入部
15 原料ガス導出部
17 流量可変部材
19 陰電極
21 試料台
23 試料
25 排気管
51 プラズマ成膜装置
53 不活性ガス導入用配管
55 開閉弁
57 流量調整器
59 供給源
Claims (7)
- 所定の間隔をおいて陽電極及び陰電極が対向配置された反応容器内の空気を真空排気手段により排気して高真空状態に形成しながら導電性金属分子を含有した原料ガスを供給し、両電極間に印加される直流高電圧によりグロー放電を発生させて導電性金属分子をプラズマ化して陰電極上の試料表面に堆積させて導電性薄膜を成膜するプラズマ成膜方法において、
(1).反応容器内の圧力が所定の真空圧になった際に原料ガスを微量流入させながら両電極間に直流高電圧を印加する、
(2).原料ガスの微量流入により反応容器内における原料ガス濃度が、両電極間を低電流値で導通させる低濃度状態になった際に、該低電流状態を維持するように原料ガスの微小流入量を制御しながら両電極間に発生するグロー放電により導電性金属分子をプラズマ化して試料表面に堆積させる、
(3).上記(2)による原料ガスの低濃度状態及び低電流状態を所定時間の間、維持して試料表面に堆積される導電性金属分子により導電性薄膜をnmオーダーで成膜する、
上記(1)乃至(3)の工程からなる導電性薄膜のプラズマ成膜方法。 - 請求項1において、原料ガスをオスミウム昇華ガスとした導電性薄膜のプラズマ成膜方法。
- 請求項1において、原料ガスは、ガスボンベから供給される一定濃度のオスミウムガスとした導電性薄膜のプラズマ成膜方法。
- 所定の間隔をおいて陽電極及び陰電極が対向配置された反応容器内の空気を真空排気手段により排気して高真空状態に形成しながら導電性金属分子を含有した原料ガスを供給し、両電極間に印加される直流高電圧によりグロー放電を発生させて導電性金属分子をプラズマ化して陰電極上の試料表面に堆積させて導電性薄膜を成膜するプラズマ成膜方法において、
(1).反応容器内の圧力が所定の真空圧になった際に不活性ガスにより希釈された原料ガスを流入させる、
(2).希釈された原料ガスの流入により反応容器内の圧力が上昇して原料ガス濃度が所要の低濃度状態になった際に、両電極間にて直流高電圧を印加し、両電極間を低電流値で導通させる、
(3).上記低電流値状態を維持するように希釈された原料ガスの流入を制御しながら両電極間にて低電流値で発生するグロー放電により導電性金属分子をプラズマ化して試料表面に堆積させる、
(4).上記(3)による原料ガスの低濃度状態及び低電流状態を所定時間の間、維持して試料表面に堆積される導電性金属分子により導電性薄膜をnmオーダーで成膜する、
上記(1)乃至(4)の工程からなる導電性薄膜のプラズマ成膜方法。 - 請求項4において、原料ガスをオスミウム昇華ガスとした導電性薄膜のプラズマ成膜方法。
- 請求項4において、原料ガスは、ガスボンベから供給される一定濃度のオスミウムガスとした導電性薄膜のプラズマ成膜方法。
- 請求項4において、不活性ガスは、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスの少なくともいずれかとした導電性薄膜のプラズマ成膜方法。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06330295A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-11-29 | Nippon Laser Denshi Kk | プラズマ製膜装置 |
JPH1125894A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Shinku Device:Kk | プラズマイオンシャワー試料処理装置とその方法 |
JP2000065702A (ja) * | 1998-08-25 | 2000-03-03 | Shinku Device:Kk | 低電圧放電形プラズマイオン成膜装置 |
JP2000121518A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Ulvac Japan Ltd | コーティング方法 |
JP2000266653A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Shinku Device:Kk | プラズマイオン金属被着装置 |
JP2002004056A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-09 | Nippon Laser & Electronics Lab | 導電性金属薄膜のプラズマ製膜装置 |
JP2002060941A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-28 | Daiwa Techno Systems:Kk | コーティング処理方法および絞りプレート |
JP2003055772A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-26 | Shinku Device:Kk | 交流放電プラズマcvd成膜装置 |
JP2008056994A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Shinku Device:Kk | プラズマイオン金属被着装置 |
JP2010002355A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Filgen Inc | 走査型電子顕微鏡用検鏡試料の金属薄膜成膜方法 |
-
2010
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06330295A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-11-29 | Nippon Laser Denshi Kk | プラズマ製膜装置 |
JPH1125894A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Shinku Device:Kk | プラズマイオンシャワー試料処理装置とその方法 |
JP2000065702A (ja) * | 1998-08-25 | 2000-03-03 | Shinku Device:Kk | 低電圧放電形プラズマイオン成膜装置 |
JP2000121518A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Ulvac Japan Ltd | コーティング方法 |
JP2000266653A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Shinku Device:Kk | プラズマイオン金属被着装置 |
JP2002004056A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-09 | Nippon Laser & Electronics Lab | 導電性金属薄膜のプラズマ製膜装置 |
JP2002060941A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-28 | Daiwa Techno Systems:Kk | コーティング処理方法および絞りプレート |
JP2003055772A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-26 | Shinku Device:Kk | 交流放電プラズマcvd成膜装置 |
JP2008056994A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Shinku Device:Kk | プラズマイオン金属被着装置 |
JP2010002355A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Filgen Inc | 走査型電子顕微鏡用検鏡試料の金属薄膜成膜方法 |
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