JPH1154078A - プラズマイオンシャワー機能を内蔵した走査電子顕微鏡， 及びその類似装置。 - Google Patents
プラズマイオンシャワー機能を内蔵した走査電子顕微鏡， 及びその類似装置。Info
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- JPH1154078A JPH1154078A JP9235319A JP23531997A JPH1154078A JP H1154078 A JPH1154078 A JP H1154078A JP 9235319 A JP9235319 A JP 9235319A JP 23531997 A JP23531997 A JP 23531997A JP H1154078 A JPH1154078 A JP H1154078A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】試料表面に金属膜や炭素膜等の導体膜を形成す
ることなく，ＳＥＭ観察やＸ線分析に試料を供するに際
して，試料表面の帯電防止処理を試料予備排気室内で行
う。 【解決手段】試料予備排気室７内にターゲット電極１３
を試料ｓと対向するように設け，予備排気室７の真空度
をプラズマ放電に適した圧力に保持する手段を採り，タ
ーゲット電極１３を負に，予備排気室７の機壁を正に直
流電圧を印加してプラズマ放電を発生させ，発生した陽
イオンをターゲット電極１３の表面で反射させて，試料
ｓ表面にシャワー状に照射し，試料に＋イオンを浸透さ
せて観察中の帯電を防止する。
ることなく，ＳＥＭ観察やＸ線分析に試料を供するに際
して，試料表面の帯電防止処理を試料予備排気室内で行
う。 【解決手段】試料予備排気室７内にターゲット電極１３
を試料ｓと対向するように設け，予備排気室７の真空度
をプラズマ放電に適した圧力に保持する手段を採り，タ
ーゲット電極１３を負に，予備排気室７の機壁を正に直
流電圧を印加してプラズマ放電を発生させ，発生した陽
イオンをターゲット電極１３の表面で反射させて，試料
ｓ表面にシャワー状に照射し，試料に＋イオンを浸透さ
せて観察中の帯電を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は走査型電子顕微鏡，
及び微小部Ｘ線分析装置を利用する際の試料の前処理に
関し，具体的には試料の予備排気室内に前処理機能を設
備し，且つその前処理機能にイオンシャワー法を利用す
る事に関する。
及び微小部Ｘ線分析装置を利用する際の試料の前処理に
関し，具体的には試料の予備排気室内に前処理機能を設
備し，且つその前処理機能にイオンシャワー法を利用す
る事に関する。
【０００２】
【従来の技術】走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）や微小部Ｘ線
分析装置（ＥＰＭＡ）で試料の観察や分析を行うには試
料は電気の良導体であることが条件となる。このため生
物試料や無機化合物の如き電気の不良導体試料は表面に
数十ｎｍの薄い金属膜，あるいは炭素膜を形成させてか
ら観察を行う。
分析装置（ＥＰＭＡ）で試料の観察や分析を行うには試
料は電気の良導体であることが条件となる。このため生
物試料や無機化合物の如き電気の不良導体試料は表面に
数十ｎｍの薄い金属膜，あるいは炭素膜を形成させてか
ら観察を行う。
【０００３】このこのような導体膜被着には真空蒸着装
置，あるいはイオンスパッタメタルコーティング装置が
利用されるが，試料表面の微細構造は被着した金属粒
子，あるいは炭素粒子によって被覆され，真の表面観察
が不可能であるばかりでなく，Ｘ線分析の感度低下など
障害となっている。
置，あるいはイオンスパッタメタルコーティング装置が
利用されるが，試料表面の微細構造は被着した金属粒
子，あるいは炭素粒子によって被覆され，真の表面観察
が不可能であるばかりでなく，Ｘ線分析の感度低下など
障害となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】この問題の対策と
して金属被着を行わずに観察する手段として低加速電圧
ＳＥＭ観察法が提案されている。しかし，この方法は一
般の汎用型ＳＥＭによる観察では分解能が低く，電界放
射型ＳＥＭの如き高価な装置にのみ観察可能な方法であ
る。これは，表面を導体化しない試料では，表面が帯電
しやすいことによる。即ち，ＳＥＭやＥＰＭＡにおける
帯電現象は，試料表面に１次電子が試料表面に蓄積し，
その帯電によって，後からくる１次電子が妨害され，こ
の結果，正常なＳＥＭ像の形成，あるいはＸ線放出を妨
害するからである。
して金属被着を行わずに観察する手段として低加速電圧
ＳＥＭ観察法が提案されている。しかし，この方法は一
般の汎用型ＳＥＭによる観察では分解能が低く，電界放
射型ＳＥＭの如き高価な装置にのみ観察可能な方法であ
る。これは，表面を導体化しない試料では，表面が帯電
しやすいことによる。即ち，ＳＥＭやＥＰＭＡにおける
帯電現象は，試料表面に１次電子が試料表面に蓄積し，
その帯電によって，後からくる１次電子が妨害され，こ
の結果，正常なＳＥＭ像の形成，あるいはＸ線放出を妨
害するからである。
【０００５】表面を導体化しない試料の帯電防止法とし
て，イオン銃を利用し，数ｋＶに加速したアルゴン（Ａ
ｒ）イオンを試料に打ち込む方法がある。この方法は無
機化合物のような，イオン街撃に対して破壊の恐れの無
い試料には有効である。しかし，生物試料のような，軟
質試料ではイオン衝撃による破壊損傷が起こり利用でき
ない。また，加速したイオンは直進するため陰の部分は
照射されず，表面の凹凸の甚だしい試料には効果が無
い。さらに，イオン銃を具備した照射装置は操作複雑，
且つ高価な装置であるため，汎用的使用には経済的負担
が大である。
て，イオン銃を利用し，数ｋＶに加速したアルゴン（Ａ
ｒ）イオンを試料に打ち込む方法がある。この方法は無
機化合物のような，イオン街撃に対して破壊の恐れの無
い試料には有効である。しかし，生物試料のような，軟
質試料ではイオン衝撃による破壊損傷が起こり利用でき
ない。また，加速したイオンは直進するため陰の部分は
照射されず，表面の凹凸の甚だしい試料には効果が無
い。さらに，イオン銃を具備した照射装置は操作複雑，
且つ高価な装置であるため，汎用的使用には経済的負担
が大である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】イオン銃を利用しない
で，かつ，試料に損傷を与えずに試料表面にイオンを注
入する方法として，プラズマイオンシャワー法がある。
プラズマイオンシャワー法は，５Ｐａないし１００Ｐａ
の圧力に保持できる真空槽内に，２枚の平面電極を上下
に対向して設置し，下の電極を接地電極，かつ，試料台
として試料を置く。上の電極をターゲット電極としてイ
オン衝撃によってスパッタされない金属で構成し，これ
を負電極とし，試料台を陽極として高電圧を印加して両
極間にプラズマ放電を発生させる。プラズマ放電によっ
て生じた正イオンはターゲト面で反謝し，対向して置か
れた試料表面にシャワー状に降り注ぐ。プラズマ放電電
圧は３００Ｖ，ないし１０００Ｖの比較的低い電圧で行
うので，試料に降り注ぐイオンは試料表面に浅く浸透す
るだけで試料を破壊することは無い。さらに，ターゲッ
ト面で反射したイオンはあらゆる方向から試料面に到達
するので，凹凸の激しい試料面でも陰の部分まで，イオ
ンが注入される。かくして，試料表面は正の電荷を持つ
ので，ＳＥＭ観察，Ｘ線分析に際して過剰な１次電子を
中和し，帯電を防止することができる。
で，かつ，試料に損傷を与えずに試料表面にイオンを注
入する方法として，プラズマイオンシャワー法がある。
プラズマイオンシャワー法は，５Ｐａないし１００Ｐａ
の圧力に保持できる真空槽内に，２枚の平面電極を上下
に対向して設置し，下の電極を接地電極，かつ，試料台
として試料を置く。上の電極をターゲット電極としてイ
オン衝撃によってスパッタされない金属で構成し，これ
を負電極とし，試料台を陽極として高電圧を印加して両
極間にプラズマ放電を発生させる。プラズマ放電によっ
て生じた正イオンはターゲト面で反謝し，対向して置か
れた試料表面にシャワー状に降り注ぐ。プラズマ放電電
圧は３００Ｖ，ないし１０００Ｖの比較的低い電圧で行
うので，試料に降り注ぐイオンは試料表面に浅く浸透す
るだけで試料を破壊することは無い。さらに，ターゲッ
ト面で反射したイオンはあらゆる方向から試料面に到達
するので，凹凸の激しい試料面でも陰の部分まで，イオ
ンが注入される。かくして，試料表面は正の電荷を持つ
ので，ＳＥＭ観察，Ｘ線分析に際して過剰な１次電子を
中和し，帯電を防止することができる。
【０００７】発明はこのイオンシャワー機能を走査電子
顕微鏡の予備排気室内に設備するものである。即ち，試
料予備排気の真空度は１Ｐａないし１０Ｐａであり，プ
ラズマ放電に必要とする圧力は５Ｐａから１００Ｐａで
あるから，若干のガスを補給することにより，容易にプ
ラズマ放電が可能になる。
顕微鏡の予備排気室内に設備するものである。即ち，試
料予備排気の真空度は１Ｐａないし１０Ｐａであり，プ
ラズマ放電に必要とする圧力は５Ｐａから１００Ｐａで
あるから，若干のガスを補給することにより，容易にプ
ラズマ放電が可能になる。
【０００８】プラズマ放電のための雰囲気ガスは一般に
は空気を使用するが，試料に応じてガスの種類を選ぶこ
とができる。例えば，酸素イオンを望まない試料にはヘ
リウム（Ｈｅ）や窒素（Ｎ２）やアルゴン（Ａｒ）を使
用する。イオン衝撃で破壊され易い生物試料などにには
Ｈｅを主体にＮ２との混合ガスを使用する。セラミック
などの硬質試料にイオンを浸透させるにはＡｒを使用す
る，などである。
は空気を使用するが，試料に応じてガスの種類を選ぶこ
とができる。例えば，酸素イオンを望まない試料にはヘ
リウム（Ｈｅ）や窒素（Ｎ２）やアルゴン（Ａｒ）を使
用する。イオン衝撃で破壊され易い生物試料などにには
Ｈｅを主体にＮ２との混合ガスを使用する。セラミック
などの硬質試料にイオンを浸透させるにはＡｒを使用す
る，などである。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に，図面を参照しながら，本発
明の実施の形態について，具体的，且つ詳細に説明す
る。図１に走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の観察室１，及び
試料予備排気室７の概略図を示す。１次電子線ｅ１は対
物レンズ２によって試料ｓ上に収束されると同時に，偏
向装置３によって試料ｓ面を走査する。１次電子によっ
て照射された試料ｓからは２次電子ｅ２が発生する。２
次電子ｅ２は２次電子検出器５によて捕収され，ＳＥＭ
像となる。１次電子を試料ｓ面上の１点に静止させる
と，試料を構成する元素から特性Ｘ線が発生する。Ｘ線
検出器６でこの特性Ｘ線を検出して試料の元素分析を行
う。
明の実施の形態について，具体的，且つ詳細に説明す
る。図１に走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の観察室１，及び
試料予備排気室７の概略図を示す。１次電子線ｅ１は対
物レンズ２によって試料ｓ上に収束されると同時に，偏
向装置３によって試料ｓ面を走査する。１次電子によっ
て照射された試料ｓからは２次電子ｅ２が発生する。２
次電子ｅ２は２次電子検出器５によて捕収され，ＳＥＭ
像となる。１次電子を試料ｓ面上の１点に静止させる
と，試料を構成する元素から特性Ｘ線が発生する。Ｘ線
検出器６でこの特性Ｘ線を検出して試料の元素分析を行
う。
【００１０】このＳＥＭ像観察，あるいは，Ｘ線分析に
際して，試料が電気的不良導体であると，試料に流入す
る１次電子は試料に蓄積され，試料は負に帯電し，後か
ら来る１次電子を曲げたり，跳ね返したりして，正常な
ＳＥＭ像の形成，あるいは，Ｘ線分析を妨害する。
際して，試料が電気的不良導体であると，試料に流入す
る１次電子は試料に蓄積され，試料は負に帯電し，後か
ら来る１次電子を曲げたり，跳ね返したりして，正常な
ＳＥＭ像の形成，あるいは，Ｘ線分析を妨害する。
【００１１】この帯電障害を防止するため，従来は試料
表面に金属や炭素を被着して導体化していた。しかし金
属を被着したＳＥＭ像は真の表面像ではなく，被着層が
厚い場合は微細構造を失う。また，炭素被着を行うとＸ
線分析に対して炭素を含む試料の分析に支障をもたら
し，且つ，軽元素の分析に感度低下をもたらす。
表面に金属や炭素を被着して導体化していた。しかし金
属を被着したＳＥＭ像は真の表面像ではなく，被着層が
厚い場合は微細構造を失う。また，炭素被着を行うとＸ
線分析に対して炭素を含む試料の分析に支障をもたら
し，且つ，軽元素の分析に感度低下をもたらす。
【００１２】これらの弊害を除くには試料の無蒸着表面
を観察し，あるいは，Ｘ線分析を行えばよい。発明は，
無蒸着観察の手段として試料にプラズマイオン照射を施
すものであり，そのイオン照射を試料の予備排気室内で
行うことにより，独立した前処理装置の設備を省略する
ものである。
を観察し，あるいは，Ｘ線分析を行えばよい。発明は，
無蒸着観察の手段として試料にプラズマイオン照射を施
すものであり，そのイオン照射を試料の予備排気室内で
行うことにより，独立した前処理装置の設備を省略する
ものである。
【００１３】試料予備排気室７はＳＥＭの観察室１に連
結して設置される。観察室１と予備排気室７の間は真空
遮断扉８によって随時，連通，遮断が可能である。
結して設置される。観察室１と予備排気室７の間は真空
遮断扉８によって随時，連通，遮断が可能である。
【００１４】発明はイオンシャワー装置としての機能を
試料予備排気室７内に構成するものである。即ち，試料
予備排気室７の機壁と電気的に絶縁し，且つ，真空遮断
的に機壁外より高電圧を印加できるターゲット電極１３
を設ける。機体壁とターゲット電極１３との間に静電シ
ールド電極１４を絶縁して設け，ターゲット電極１３の
背面での放電を防止する。ターゲット電極１３はプラズ
マイオンの衝撃によってスパッタされない金属で作る
か，表面をスパッタされない金属で被覆する。
試料予備排気室７内に構成するものである。即ち，試料
予備排気室７の機壁と電気的に絶縁し，且つ，真空遮断
的に機壁外より高電圧を印加できるターゲット電極１３
を設ける。機体壁とターゲット電極１３との間に静電シ
ールド電極１４を絶縁して設け，ターゲット電極１３の
背面での放電を防止する。ターゲット電極１３はプラズ
マイオンの衝撃によってスパッタされない金属で作る
か，表面をスパッタされない金属で被覆する。
【００１５】ターゲット電極１３には直流電圧発生装置
１５より３００Ｖないし１０００Ｖの電圧で最高１０ｍ
Ａ程度のプラズマ放電電圧が印加される。直流電源１５
はプラズマ放電時間を制御するタイマー１６を経由して
入力電源に接続される。
１５より３００Ｖないし１０００Ｖの電圧で最高１０ｍ
Ａ程度のプラズマ放電電圧が印加される。直流電源１５
はプラズマ放電時間を制御するタイマー１６を経由して
入力電源に接続される。
【００１６】予備排気室７には雰囲気ガス注入の設備が
必要である。雰囲気ガス注入装置はガス流量調節器１９
とストップバルブ１７とガス容器１８とからなる。雰囲
気ガスは一般には乾燥空気が用いられる。その他，イオ
ン衝撃に特に敏感な試料のためにはヘリウムガスが，セ
ラミックなど硬質試料のためにはアルゴンガスが用意さ
れる。窒素を嫌う試料にはネオンガスも使用できる。
必要である。雰囲気ガス注入装置はガス流量調節器１９
とストップバルブ１７とガス容器１８とからなる。雰囲
気ガスは一般には乾燥空気が用いられる。その他，イオ
ン衝撃に特に敏感な試料のためにはヘリウムガスが，セ
ラミックなど硬質試料のためにはアルゴンガスが用意さ
れる。窒素を嫌う試料にはネオンガスも使用できる。
【００１７】
【実施例】以上の構成に於て，試料にイオンシャワーを
施す手順を説明する。所定の手順に従って乾燥し，試料
台に接着した試料ｓを試料支持台９に取り付け，予備排
気室７内に装填して真空排気装置１１により真空排気を
行う。予備排気室７内の圧力を圧力測定器１２にて監視
し，１Ｐａ程度まで真空排気を行った後，ストップバル
ブ１７を開いてガス供給容器１８より所定の処理ガスを
注入し，ガス流量調節バルブ１９を調節して，予備排気
室内の雰囲気圧力をプラズマ放電に適した圧力に調節す
る。
施す手順を説明する。所定の手順に従って乾燥し，試料
台に接着した試料ｓを試料支持台９に取り付け，予備排
気室７内に装填して真空排気装置１１により真空排気を
行う。予備排気室７内の圧力を圧力測定器１２にて監視
し，１Ｐａ程度まで真空排気を行った後，ストップバル
ブ１７を開いてガス供給容器１８より所定の処理ガスを
注入し，ガス流量調節バルブ１９を調節して，予備排気
室内の雰囲気圧力をプラズマ放電に適した圧力に調節す
る。
【００１８】直流電圧発生装置１５を始動し，ターゲッ
ト電極１３を負に，予備排気室７の機壁を正に接続して
電圧を印加する。所定の放電電流Ｉが得られるように電
圧Ｖを調節し，タイマー１６により所定の時間Ｔ，プラ
ズマ放電を持続させる。プラズマイオンはターゲット表
面で反射され，シャワー状に試料に到達して試料内に浸
透する。
ト電極１３を負に，予備排気室７の機壁を正に接続して
電圧を印加する。所定の放電電流Ｉが得られるように電
圧Ｖを調節し，タイマー１６により所定の時間Ｔ，プラ
ズマ放電を持続させる。プラズマイオンはターゲット表
面で反射され，シャワー状に試料に到達して試料内に浸
透する。
【００１９】放電終了後，ガスストップバルブ１７を閉
じ，予備排気室７内の圧力が１Ｐａに近付いたら，真空
遮断扉８を開いて試料挿入装置１０を操作して試料ｓを
載置した試料支持台９を観察室１の試料微動台４に設置
し，扉８を閉じる。
じ，予備排気室７内の圧力が１Ｐａに近付いたら，真空
遮断扉８を開いて試料挿入装置１０を操作して試料ｓを
載置した試料支持台９を観察室１の試料微動台４に設置
し，扉８を閉じる。
【００２０】観察室１内の真空度が観察に必要な圧力に
達した後，１次電子線ｅ１を発射して，ＳＥＭ像の観
察，あるいは，Ｘ線分析を行う。
達した後，１次電子線ｅ１を発射して，ＳＥＭ像の観
察，あるいは，Ｘ線分析を行う。
【００２１】プラズマ放電のための雰囲気ガスは，通常
は空気が用いられる。酸素を望まない試料に対しては窒
素やヘリウム，アルゴンが用いられる。これらのガスの
内，特にイオン衝撃に敏感な試料に対してはヘリュウ
ム，あるいは，ヘリュウムを主体に若干の窒素を混合し
て用いる。セラミックなどの硬質試料に対してはアルゴ
ン，あるいは，アルゴンと窒素を混合して用いる。
は空気が用いられる。酸素を望まない試料に対しては窒
素やヘリウム，アルゴンが用いられる。これらのガスの
内，特にイオン衝撃に敏感な試料に対してはヘリュウ
ム，あるいは，ヘリュウムを主体に若干の窒素を混合し
て用いる。セラミックなどの硬質試料に対してはアルゴ
ン，あるいは，アルゴンと窒素を混合して用いる。
【００２２】放電電圧Ｖと放電電流Ｉ，および，放電時
間Ｔは試料の種類，例えば．有機物試料か，無機物試料
か，粗雑な試料か，緻密な試料か，その他，大きさ，形
状などによって異なる。一般に，生物試料等の軟質試料
は，放電電圧Ｖ＝５００Ｖないし８００Ｖ，放電電流Ｉ
＝３ｍＡないし６ｍＡ，時間Ｔ＝２分ないし５分とす
る。骨，歯，陶器などの硬質無機試料に対しては，放電
電圧Ｖ＝７００Ｖないし１０００Ｖ，放電電流Ｉ＝５ｍ
Ａないし１０ｍＡ，時間Ｔ＝３分ないし５分が推奨され
る。特に長時間の観察，分析を行う場合は時間Ｔを延長
する。観察中に帯電現象が発生した場合は，試料を予備
排気室に戻し，イオンシャワー処理を追加することがで
きる。
間Ｔは試料の種類，例えば．有機物試料か，無機物試料
か，粗雑な試料か，緻密な試料か，その他，大きさ，形
状などによって異なる。一般に，生物試料等の軟質試料
は，放電電圧Ｖ＝５００Ｖないし８００Ｖ，放電電流Ｉ
＝３ｍＡないし６ｍＡ，時間Ｔ＝２分ないし５分とす
る。骨，歯，陶器などの硬質無機試料に対しては，放電
電圧Ｖ＝７００Ｖないし１０００Ｖ，放電電流Ｉ＝５ｍ
Ａないし１０ｍＡ，時間Ｔ＝３分ないし５分が推奨され
る。特に長時間の観察，分析を行う場合は時間Ｔを延長
する。観察中に帯電現象が発生した場合は，試料を予備
排気室に戻し，イオンシャワー処理を追加することがで
きる。
【００２３】
【発明の効果】プラズマイオンシャワーは電気の不良導
体試料に金属や炭素を被着すること無く，高加速電圧の
ＳＥＭ観察，あるいは微小部Ｘ線分析が行える。これは
貴重な試料，例えば出土品や，犯罪捜査のための試料な
ど，量に限りある試料の鑑定に大きい効果をもたらす。
また，イオン衝撃による試料の損傷がなく，物質の被着
がないのでイオンシャワー処理を繰り返しても試料の原
形を損なう事がない。
体試料に金属や炭素を被着すること無く，高加速電圧の
ＳＥＭ観察，あるいは微小部Ｘ線分析が行える。これは
貴重な試料，例えば出土品や，犯罪捜査のための試料な
ど，量に限りある試料の鑑定に大きい効果をもたらす。
また，イオン衝撃による試料の損傷がなく，物質の被着
がないのでイオンシャワー処理を繰り返しても試料の原
形を損なう事がない。
【００２４】プラズマイオンシャワーは比較的小さい空
間で行えるので，ＳＥＭ装置の予備排気室の中に設備す
ることが可能である。予備排気室内に金属蒸着機能を備
えた前例があるが，蒸発物質による機内の汚染があり，
実用的に普及されていない。プラズマイオンシャワーは
物質の蒸発がないので室内の汚染が無く，繰り返し使用
に対して何らの支障も発生しない。
間で行えるので，ＳＥＭ装置の予備排気室の中に設備す
ることが可能である。予備排気室内に金属蒸着機能を備
えた前例があるが，蒸発物質による機内の汚染があり，
実用的に普及されていない。プラズマイオンシャワーは
物質の蒸発がないので室内の汚染が無く，繰り返し使用
に対して何らの支障も発生しない。
【００２５】プラズマイオンシャワー機能を予備排気室
内に設備すれば，試料の予備排気時間を利用して試料の
導体化処理が行える。且つ，真空蒸着装置やイオンスパ
ッタ装置の設備が不要となるので，経済的である。
内に設備すれば，試料の予備排気時間を利用して試料の
導体化処理が行える。且つ，真空蒸着装置やイオンスパ
ッタ装置の設備が不要となるので，経済的である。
【図１】図１は発明の実施例をしめす装置構成の概略断
面図である。走査電子顕微鏡の本体部は対物レンズ以下
の試料観察室を示し，電子線発生部は省略してある。
面図である。走査電子顕微鏡の本体部は対物レンズ以下
の試料観察室を示し，電子線発生部は省略してある。
【符号の説明】 １ 試料観察室． ２ 対物レンズ． ３ 電子線偏向装置． ４ 試料微動装置． ５ ２次電子検出器． ６ Ｘ線検出器． ７ 試料予備排気室． ８ 真空遮断扉． ９ 試料支持台． ｓ 試料 １０ 試料挿入装置． １１ 真空排気装置． １２ 圧力監視装置． １３ ターゲット電極． １４ 静電シールド電極． １５ 直流電源装置． Ｖ 電圧計 Ｉ 電流計 １６ タイマー． １７ ストップバルブ． １８ ガス容器． １９ 流量調節器．
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｊ 37/28 Ｈ０１Ｊ 37/305 Ｚ 37/305 Ｇ０１Ｎ 1/28 Ｗ Ｇ
Claims (3)
- 【請求項１】試料予備排気室を具備した走査電子顕微鏡
に於て，予備排気室内にプラズマイオンシャワー機能を
備え，試料の予備排気過程に試料に＋イオン照射を行う
ことにより，試料表面に金属や炭素の被着を行うことな
く走査電子鏡像の観察，あるいは，微小部Ｘ線分析等を
可能にした査電子顕微鏡，及び，その類似装置。 - 【請求項２】試料予備排気室内に試料と対向し，且つ，
器壁と絶縁してターゲット電極を設け，該電極を負極と
し，機壁，あるいは試料近辺に設置した陽極との間に高
電圧を印加してプラズマ放電を発生させ，発生した陽イ
オンをターゲット面で反射させて試料面にシャワー状に
陽イオンを照射するごとくした走査電子顕微鏡，あるい
は，その類似装置。 - 【請求項３】上記プラズマ放電のターゲット電極に陽イ
オンの衝撃でスパッタされにくい金属，例えば，Ｆｅ，
Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｃ，或いはこれら
の合金を使用したことを特徴とするプラズマイオンシャ
ワー機構を備えた走査電子顕微鏡，あるいは，その類似
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9235319A JPH1154078A (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | プラズマイオンシャワー機能を内蔵した走査電子顕微鏡， 及びその類似装置。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9235319A JPH1154078A (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | プラズマイオンシャワー機能を内蔵した走査電子顕微鏡， 及びその類似装置。 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154078A true JPH1154078A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16984354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9235319A Pending JPH1154078A (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | プラズマイオンシャワー機能を内蔵した走査電子顕微鏡， 及びその類似装置。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154078A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002131887A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Horon:Kk | マスク検査装置 |
| JP2007149449A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Horon:Kk | 帯電汚染防止装置および帯電汚染防止方法 |
| JP2014167396A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | イオン液体ビームを用いた分析装置 |
-
1997
- 1997-07-29 JP JP9235319A patent/JPH1154078A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002131887A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Horon:Kk | マスク検査装置 |
| JP4629207B2 (ja) * | 2000-10-20 | 2011-02-09 | 株式会社ホロン | マスク検査装置 |
| JP2007149449A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Horon:Kk | 帯電汚染防止装置および帯電汚染防止方法 |
| JP2014167396A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | イオン液体ビームを用いた分析装置 |
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