JPH11258186A - Ｘ線による応力測定方法及び装置 - Google Patents
Ｘ線による応力測定方法及び装置Info
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- JPH11258186A JPH11258186A JP10064932A JP6493298A JPH11258186A JP H11258186 A JPH11258186 A JP H11258186A JP 10064932 A JP10064932 A JP 10064932A JP 6493298 A JP6493298 A JP 6493298A JP H11258186 A JPH11258186 A JP H11258186A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料深さ方向に高い測定分解能を有し、大き
なＸ線の侵入深さが得られる応力測定方法及び装置を提
供する。 【解決手段】 集中法により試料Ｓ内からの回折Ｘ線Ｄ
を検出し該試料内の応力を測定する方法であって、試料
表面を横切る平面に沿い且つ試料内の測定箇所中心位置
Ｓ0を通る焦点円Ｃ上に、Ｘ線源１１からのＸ線Ｂを集
光し、該集光箇所Ｆ通過後のＸ線を試料に照射し、前記
照射Ｘ線に対する試料の回折角θ付近でモノクロメータ
を備えたＸ線検出器１３を走査し前記測定箇所中心位置
を通る焦点円上の結晶の回折Ｘ線を検出することを特徴
とする応力測定方法及び当該方法を実施するための装置
１。
なＸ線の侵入深さが得られる応力測定方法及び装置を提
供する。 【解決手段】 集中法により試料Ｓ内からの回折Ｘ線Ｄ
を検出し該試料内の応力を測定する方法であって、試料
表面を横切る平面に沿い且つ試料内の測定箇所中心位置
Ｓ0を通る焦点円Ｃ上に、Ｘ線源１１からのＸ線Ｂを集
光し、該集光箇所Ｆ通過後のＸ線を試料に照射し、前記
照射Ｘ線に対する試料の回折角θ付近でモノクロメータ
を備えたＸ線検出器１３を走査し前記測定箇所中心位置
を通る焦点円上の結晶の回折Ｘ線を検出することを特徴
とする応力測定方法及び当該方法を実施するための装置
１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回折Ｘ線を集中法
により検出し試料内の応力を測定する方法及び装置に関
する。
により検出し試料内の応力を測定する方法及び装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線応力測定法は、多結晶物質、例えば
金属の表面応力を非破壊で評価する方法として広く知ら
れており、回折Ｘ線強度がピークを示す回折角を測定し
て、当該回折角より応力を算出する方法である。このよ
うなＸ線応力測定法に、回折Ｘ線の検出方法の一つとし
て一般に知られている集中法を適用する場合がある。
金属の表面応力を非破壊で評価する方法として広く知ら
れており、回折Ｘ線強度がピークを示す回折角を測定し
て、当該回折角より応力を算出する方法である。このよ
うなＸ線応力測定法に、回折Ｘ線の検出方法の一つとし
て一般に知られている集中法を適用する場合がある。
【０００３】結晶格子間隔によって決まる回折角θは、
Ｘ線源、Ｘ線検出器及び試料の位置関係によって検出さ
れる。集中法は、通常、図２に示すように、被測定対象
たる試料表面に接する円Ｃ1（焦点円）上にＸ線源、Ｘ
線検出器及び回折面を位置させ（これを集中条件と呼
ぶ）、Ｘ線斜入射角と回折Ｘ線検出角が等しくなるよう
に（双方共θになるように）配置する構成を採る。これ
により、回折Ｘ線測定対象面（この配置では試料表面）
からの回折角θを有する回折Ｘ線が、前記Ｘ線検出器の
位置に集中することとなる。したがって、急峻な回折Ｘ
線の強度プロファイルが得られ、これにより、高い分解
能で回折角を測定することができるという特徴を有す
る。図３に示すように、回折Ｘ線の強度プロファイルを
得るには、例えば、試料を点Ｓ0を回転中心として回転
（回転角±Δθ。図３にはΔθだけ回転した状態を示
す）させると共に、これに連動してＸ線検出器を点Ｓ0
を回転中心とするゴニオメータ円Ｃ’上で回転（図３で
は試料をΔθだけ回転させたことに対応して、２Δθだ
け回転させた状態を示す）させる。これにより、回折角
θ＋Δθを有する回折Ｘ線がＸ線検出器に集中するた
め、θ、Δθの値を種々変えることにより、回折Ｘ線の
強度プロファイルを得ることが可能である。
Ｘ線源、Ｘ線検出器及び試料の位置関係によって検出さ
れる。集中法は、通常、図２に示すように、被測定対象
たる試料表面に接する円Ｃ1（焦点円）上にＸ線源、Ｘ
線検出器及び回折面を位置させ（これを集中条件と呼
ぶ）、Ｘ線斜入射角と回折Ｘ線検出角が等しくなるよう
に（双方共θになるように）配置する構成を採る。これ
により、回折Ｘ線測定対象面（この配置では試料表面）
からの回折角θを有する回折Ｘ線が、前記Ｘ線検出器の
位置に集中することとなる。したがって、急峻な回折Ｘ
線の強度プロファイルが得られ、これにより、高い分解
能で回折角を測定することができるという特徴を有す
る。図３に示すように、回折Ｘ線の強度プロファイルを
得るには、例えば、試料を点Ｓ0を回転中心として回転
（回転角±Δθ。図３にはΔθだけ回転した状態を示
す）させると共に、これに連動してＸ線検出器を点Ｓ0
を回転中心とするゴニオメータ円Ｃ’上で回転（図３で
は試料をΔθだけ回転させたことに対応して、２Δθだ
け回転させた状態を示す）させる。これにより、回折角
θ＋Δθを有する回折Ｘ線がＸ線検出器に集中するた
め、θ、Δθの値を種々変えることにより、回折Ｘ線の
強度プロファイルを得ることが可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記集中法
は、通常、焦点円上に一定の幅（１００μｍ程度）を有
するＸ線源を配置する構成、又はＸ線源前方の焦点円上
に回折Ｘ線ピーク幅を狭めるためのスリット（但し、所
定のＸ線強度を確保し得る幅を有する必要がある）を設
置した構成であるため、出射Ｘ線の幅及び試料表面の照
射域の広がりに基因して、本来集中条件を満たさないＸ
線も検出される。したがって、集中条件を完全に満たす
位置からずれた部分の回折Ｘ線強度の低下が緩慢とな
る。すなわち、図４に示す幾何学的許容量（例えば、回
折Ｘ線強度がピーク値の１／２となる試料表面のずれ
量）δが大きくなる。これは、測定対象たる試料の表面
が、集中条件を完全に満たす位置から焦点円の径方向に
±δだけずれたとしても、Ｘ線検出器には前記表面から
の回折Ｘ線が入射することを意味する。したがって、後
述の試料中への侵入深さを考慮しなければ、試料表面を
焦点円上に位置させて測定する回折Ｘ線強度は、試料表
面から深さ方向δの範囲に亘る領域からの全ての回折Ｘ
線の強度となる。通常、Ｘ線源の出射幅は１００μｍ程
度であり、この場合δは、試料の結晶状態にも依存する
が、数１００μｍ程度になると考えられる。一方、Ｘ線
の試料中への実際の侵入深さ（検出可能な強度の回折Ｘ
線を得ることができる深度）はたかだか数１０μｍ程度
である。したがって、通常のＸ線源を配置した集中法に
よる応力測定では、試料表面から深さ方向に数１０μｍ
程度の領域における結晶状態の平均的な情報を有した回
折Ｘ線しか測定できない。例えば、試料の劣化メカニズ
ムの詳細解析には、試料の深さ方向の高い測定分解能を
得ることが必要であるが、従来の集中法によってもこれ
に十分に応えることはできなかった。
は、通常、焦点円上に一定の幅（１００μｍ程度）を有
するＸ線源を配置する構成、又はＸ線源前方の焦点円上
に回折Ｘ線ピーク幅を狭めるためのスリット（但し、所
定のＸ線強度を確保し得る幅を有する必要がある）を設
置した構成であるため、出射Ｘ線の幅及び試料表面の照
射域の広がりに基因して、本来集中条件を満たさないＸ
線も検出される。したがって、集中条件を完全に満たす
位置からずれた部分の回折Ｘ線強度の低下が緩慢とな
る。すなわち、図４に示す幾何学的許容量（例えば、回
折Ｘ線強度がピーク値の１／２となる試料表面のずれ
量）δが大きくなる。これは、測定対象たる試料の表面
が、集中条件を完全に満たす位置から焦点円の径方向に
±δだけずれたとしても、Ｘ線検出器には前記表面から
の回折Ｘ線が入射することを意味する。したがって、後
述の試料中への侵入深さを考慮しなければ、試料表面を
焦点円上に位置させて測定する回折Ｘ線強度は、試料表
面から深さ方向δの範囲に亘る領域からの全ての回折Ｘ
線の強度となる。通常、Ｘ線源の出射幅は１００μｍ程
度であり、この場合δは、試料の結晶状態にも依存する
が、数１００μｍ程度になると考えられる。一方、Ｘ線
の試料中への実際の侵入深さ（検出可能な強度の回折Ｘ
線を得ることができる深度）はたかだか数１０μｍ程度
である。したがって、通常のＸ線源を配置した集中法に
よる応力測定では、試料表面から深さ方向に数１０μｍ
程度の領域における結晶状態の平均的な情報を有した回
折Ｘ線しか測定できない。例えば、試料の劣化メカニズ
ムの詳細解析には、試料の深さ方向の高い測定分解能を
得ることが必要であるが、従来の集中法によってもこれ
に十分に応えることはできなかった。
【０００５】また、通常のＸ線源を用いた場合、上述の
ように、試料へのＸ線の侵入深さは、たかだか数１０μ
ｍ程度で、特に試料が金属の場合は数μｍ以下であるた
め、試料の極表層の平均的な応力しか測定することがで
きない。したがって、メッキ材料や各種構造材の劣化メ
カニズムの詳細解析、例えば、半導体デバイスの回路上
に発生する応力割れの解析等において、正確な内部応力
の測定ができないという問題もある。
ように、試料へのＸ線の侵入深さは、たかだか数１０μ
ｍ程度で、特に試料が金属の場合は数μｍ以下であるた
め、試料の極表層の平均的な応力しか測定することがで
きない。したがって、メッキ材料や各種構造材の劣化メ
カニズムの詳細解析、例えば、半導体デバイスの回路上
に発生する応力割れの解析等において、正確な内部応力
の測定ができないという問題もある。
【０００６】本発明は、かかる従来技術における問題点
を解決するべくなされたもので、試料深さ方向に高い測
定分解能を有し、大きなＸ線の侵入深さが得られる応力
測定方法及び装置を提供することを目的とする。
を解決するべくなされたもので、試料深さ方向に高い測
定分解能を有し、大きなＸ線の侵入深さが得られる応力
測定方法及び装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するべ
く、本発明は、集中法により試料内からの回折Ｘ線を検
出し該試料内の応力を測定する方法であって、試料表面
を横切る平面に沿い且つ試料内の測定箇所中心位置を通
る焦点円上に、Ｘ線源からのＸ線を集光し、該集光箇所
通過後のＸ線を試料に照射し、前記照射Ｘ線に対する試
料の回折角付近でモノクロメータを備えたＸ線検出器を
走査し前記測定箇所中心位置を通る焦点円上の結晶の回
折Ｘ線を検出することを特徴とする応力測定方法を提供
する。
く、本発明は、集中法により試料内からの回折Ｘ線を検
出し該試料内の応力を測定する方法であって、試料表面
を横切る平面に沿い且つ試料内の測定箇所中心位置を通
る焦点円上に、Ｘ線源からのＸ線を集光し、該集光箇所
通過後のＸ線を試料に照射し、前記照射Ｘ線に対する試
料の回折角付近でモノクロメータを備えたＸ線検出器を
走査し前記測定箇所中心位置を通る焦点円上の結晶の回
折Ｘ線を検出することを特徴とする応力測定方法を提供
する。
【０００８】かかる発明によれば、焦点円上に集光され
たＸ線の幅が従来の集中法におけるＸ線源の出射幅に比
較して小さくなるため、前記幾何学的許容量δもこれに
応じて小さくなる。これは、試料深さ方向の測定分解能
が高まることを意味し、試料の位置を深さ方向に微動さ
せれば、試料内の深さ方向の特定位置からの回折ピーク
を検出することが可能となる。
たＸ線の幅が従来の集中法におけるＸ線源の出射幅に比
較して小さくなるため、前記幾何学的許容量δもこれに
応じて小さくなる。これは、試料深さ方向の測定分解能
が高まることを意味し、試料の位置を深さ方向に微動さ
せれば、試料内の深さ方向の特定位置からの回折ピーク
を検出することが可能となる。
【０００９】さらに、好適には、前記Ｘ線源はシンクロ
トロン放射光源とされる。
トロン放射光源とされる。
【００１０】かかる発明によれば、シンクロトロン放射
光源の強度が強く平行性が良いため、試料内部へのＸ線
侵入深さが増すと共に、Ｘ線集光光学系によりＸ線が焦
点円上で非常に小さい幅に集光されるため、試料深さ方
向の分解能が飛躍的に向上する。
光源の強度が強く平行性が良いため、試料内部へのＸ線
侵入深さが増すと共に、Ｘ線集光光学系によりＸ線が焦
点円上で非常に小さい幅に集光されるため、試料深さ方
向の分解能が飛躍的に向上する。
【００１１】さらに、本発明は、前記方法を好適に実施
し得る装置を提供するものである。
し得る装置を提供するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しつつ、本
発明の実施形態について説明する。図１は、本発明に係
る応力測定装置の一実施形態を概略的に示す断面図であ
る。
発明の実施形態について説明する。図１は、本発明に係
る応力測定装置の一実施形態を概略的に示す断面図であ
る。
【００１３】図１に示すように、本発明に係る応力測定
装置１は、Ｘ線源１１、Ｘ線集光光学系１２、Ｘ線検出
器１３及び試料移動装置１４を備え、試料移動装置１４
に取り付けられた試料ＳにＸ線Ｂを照射し、集中条件を
満足する回折Ｘ線Ｄを検出する構成とされている。本実
施形態におけるＸ線源１１は、シンクロトロン放射光を
単色化する分光系を備え、強度が強く且つ平行性に優れ
たＸ線を出射し得るシンクロトロン放射光源（便宜上、
図１には小さい寸法で表す）とされている。シンクロト
ロン放射光源は、強度が強い連続Ｘ線を出射することが
でき、単色化するための前記分光系を用いて、試料Ｓの
結晶系等に応じた適切なＸ線が選択される。Ｘ線源とし
ては、シンクロトロン放射光源の他、強度が強く平行性
が良い単色のＸ線を試料Ｓに照射できるものを好適に使
用することができる。Ｘ線源１１から出射したＸ線Ｂ
は、焦点円Ｃ上の点Ｆに集束するようＸ線集光光学系１
２によって集光される。本実施形態におけるＸ線集光光
学系１２は、斜入射反射系を採用し反射面を楕円面とし
ているが、該反射面を双曲面若しくは双曲面及び楕円面
の組合せとすることもできる。
装置１は、Ｘ線源１１、Ｘ線集光光学系１２、Ｘ線検出
器１３及び試料移動装置１４を備え、試料移動装置１４
に取り付けられた試料ＳにＸ線Ｂを照射し、集中条件を
満足する回折Ｘ線Ｄを検出する構成とされている。本実
施形態におけるＸ線源１１は、シンクロトロン放射光を
単色化する分光系を備え、強度が強く且つ平行性に優れ
たＸ線を出射し得るシンクロトロン放射光源（便宜上、
図１には小さい寸法で表す）とされている。シンクロト
ロン放射光源は、強度が強い連続Ｘ線を出射することが
でき、単色化するための前記分光系を用いて、試料Ｓの
結晶系等に応じた適切なＸ線が選択される。Ｘ線源とし
ては、シンクロトロン放射光源の他、強度が強く平行性
が良い単色のＸ線を試料Ｓに照射できるものを好適に使
用することができる。Ｘ線源１１から出射したＸ線Ｂ
は、焦点円Ｃ上の点Ｆに集束するようＸ線集光光学系１
２によって集光される。本実施形態におけるＸ線集光光
学系１２は、斜入射反射系を採用し反射面を楕円面とし
ているが、該反射面を双曲面若しくは双曲面及び楕円面
の組合せとすることもできる。
【００１４】一旦集光されたＸ線Ｂは、点Ｆに設けたス
リット１２１を通った後、集束角に応じて再び拡散し、
試料Ｓの所定の領域に照射される。ここで、試料Ｓは、
測定対象たる表面からの深さｄの点Ｓ0（測定箇所中心
位置）が焦点円Ｃ上の点Ｃ0に一致するよう、試料移動
装置１４によって位置調整される。前述のようにＸ線源
１１を強度が強く平行性が良いシンクロトロン放射光源
とすることにより十分な侵入深さが得られ、Ｘ線集光光
学系１２により焦点円上の点ＦにＸ線が集束するため、
試料Ｓの位置調整をすれば、試料Ｓ内部の特定深度から
の回折Ｘ線を検出することが可能である。
リット１２１を通った後、集束角に応じて再び拡散し、
試料Ｓの所定の領域に照射される。ここで、試料Ｓは、
測定対象たる表面からの深さｄの点Ｓ0（測定箇所中心
位置）が焦点円Ｃ上の点Ｃ0に一致するよう、試料移動
装置１４によって位置調整される。前述のようにＸ線源
１１を強度が強く平行性が良いシンクロトロン放射光源
とすることにより十分な侵入深さが得られ、Ｘ線集光光
学系１２により焦点円上の点ＦにＸ線が集束するため、
試料Ｓの位置調整をすれば、試料Ｓ内部の特定深度から
の回折Ｘ線を検出することが可能である。
【００１５】試料Ｓからの回折Ｘ線Ｄは、焦点円上の点
Ｇに設けられたスリット１３１を通ってモノクロメータ
（図示せず）を前方に備えたＸ線検出器１３で検出され
る。モノクロメータは、試料に照射されるＸ線の波長に
応じた検出波長帯域を有する。また、モノクロメータ
は、点Ｇに焦点を有する円弧形状の反射光学系を備え、
例えば、図５に示す試料表面からの散乱Ｘ線又は回折Ｘ
線Ｄ’がＸ線検出器１３本体に入射するのを抑制する。
スリット１３１及びＸ線検出器１３は、点Ｃ0を回転中
心とするゴニオメータ（図示せず）に載置されている。
試料Ｓ及び試料移動装置１４、並びにＸ線検出器１３及
びスリット１３１は、点Ｃ0を回転中心として任意に回
転させることができ、回折Ｘ線の強度プロファイルを測
定することが可能となる。試料Ｓ内の応力は、前記強度
プロファイルより求めた回折角から算出することができ
る。したがって、例えば、メッキ材料等の金属材料の内
部応力を所定の深さ毎に測定することができ、当該材料
劣化メカニズムの詳細解析が可能となる。
Ｇに設けられたスリット１３１を通ってモノクロメータ
（図示せず）を前方に備えたＸ線検出器１３で検出され
る。モノクロメータは、試料に照射されるＸ線の波長に
応じた検出波長帯域を有する。また、モノクロメータ
は、点Ｇに焦点を有する円弧形状の反射光学系を備え、
例えば、図５に示す試料表面からの散乱Ｘ線又は回折Ｘ
線Ｄ’がＸ線検出器１３本体に入射するのを抑制する。
スリット１３１及びＸ線検出器１３は、点Ｃ0を回転中
心とするゴニオメータ（図示せず）に載置されている。
試料Ｓ及び試料移動装置１４、並びにＸ線検出器１３及
びスリット１３１は、点Ｃ0を回転中心として任意に回
転させることができ、回折Ｘ線の強度プロファイルを測
定することが可能となる。試料Ｓ内の応力は、前記強度
プロファイルより求めた回折角から算出することができ
る。したがって、例えば、メッキ材料等の金属材料の内
部応力を所定の深さ毎に測定することができ、当該材料
劣化メカニズムの詳細解析が可能となる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、本発明は、試料内の測定
箇所中心位置を通る焦点円上にＸ線源からのＸ線を集光
する構成としたため、Ｘ線源が一定の幅を有することに
起因して従来の集中法においては得ることのできなかっ
た程度まで、試料深さ方向の測定分解能を得ることがで
きる。したがって、試料の一定の深さ毎に応力測定がで
き、半導体デバイスや各種構造物等の劣化メカニズムの
詳細解析が可能である。
箇所中心位置を通る焦点円上にＸ線源からのＸ線を集光
する構成としたため、Ｘ線源が一定の幅を有することに
起因して従来の集中法においては得ることのできなかっ
た程度まで、試料深さ方向の測定分解能を得ることがで
きる。したがって、試料の一定の深さ毎に応力測定がで
き、半導体デバイスや各種構造物等の劣化メカニズムの
詳細解析が可能である。
【００１７】さらに、前記Ｘ線源を、例えばシンクロト
ロン放射光源に代表されるような強度が強く平行性が良
いＸ線源とすれば、試料深さ方向の高い分解能が得られ
ると共に、試料のより深い位置からの回折Ｘ線でも強い
強度が得られる。したがって、試料がメッキ材料等であ
っても、極表層に限定されない内部応力の精密な測定が
可能となり、メッキ材料等の劣化メカニズムの詳細解析
等に非常に有効である。
ロン放射光源に代表されるような強度が強く平行性が良
いＸ線源とすれば、試料深さ方向の高い分解能が得られ
ると共に、試料のより深い位置からの回折Ｘ線でも強い
強度が得られる。したがって、試料がメッキ材料等であ
っても、極表層に限定されない内部応力の精密な測定が
可能となり、メッキ材料等の劣化メカニズムの詳細解析
等に非常に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明に係る応力測定装置の一実施形
態を概略的に示す断面図である。
態を概略的に示す断面図である。
【図２】図２は、従来装置を概略的に示す断面図であ
る。
る。
【図３】図３は、図２に示す装置による回折Ｘ線の強度
プロファイル測定方法の概念図である。
プロファイル測定方法の概念図である。
【図４】図４は、試料表面の集中条件からのずれによる
回折Ｘ線強度の変化を示す図である。
回折Ｘ線強度の変化を示す図である。
【図５】図５は、試料表面からの散乱Ｘ線又は回折Ｘ線
を示す図である。
を示す図である。
１ 応力測定装置 １１ Ｘ線源 １２ Ｘ線集光光学系 １３ Ｘ線検出器 １４ 試料移動装置 １２１ スリット １３１ スリット Ｂ 照射Ｘ線 Ｄ 回折Ｘ線 Ｄ’ 散乱Ｘ線 Ｃ 焦点円 Ｃ’ ゴニオメータ円 Ｓ 試料
Claims (4)
- 【請求項１】 集中法により試料内からの回折Ｘ線を検
出し該試料内の応力を測定する方法であって、試料表面
を横切る平面に沿い且つ試料内の測定箇所中心位置を通
る焦点円上に、Ｘ線源からのＸ線を集光し、該集光箇所
通過後のＸ線を試料に照射し、前記照射Ｘ線に対する試
料の回折角付近でモノクロメータを備えたＸ線検出器を
走査し前記測定箇所中心位置を通る焦点円上の結晶の回
折Ｘ線を検出することを特徴とする応力測定方法。 - 【請求項２】 前記Ｘ線源は、シンクロトロン放射光源
であることを特徴とする請求項１に記載の応力測定方
法。 - 【請求項３】 集中法により試料内からの回折Ｘ線を検
出し該試料内の応力を測定する装置であって、Ｘ線源
と、試料表面を横切る平面に沿い且つ試料内の測定箇所
中心位置を通る焦点円上に前記Ｘ線源からのＸ線を集光
するＸ線集光光学系と、該集光箇所通過後に試料に照射
されるＸ線に対する試料の回折角付近で走査されるモノ
クロメータを備えたＸ線検出器と、前記試料を前記焦点
円の径方向に移動させる試料移動装置とを備えることを
特徴とする応力測定装置。 - 【請求項４】 前記Ｘ線源は、シンクロトロン放射光源
であることを特徴とする請求項３に記載の応力測定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10064932A JPH11258186A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | Ｘ線による応力測定方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10064932A JPH11258186A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | Ｘ線による応力測定方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11258186A true JPH11258186A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13272311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10064932A Pending JPH11258186A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | Ｘ線による応力測定方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11258186A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002064643A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Koji Osada | インターフォンの受付システム |
| JP2006177731A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Univ Nagoya | 回折法によるひずみ測定装置及びひずみ測定方法 |
| JP2007057329A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Ｘ線回折法によるＮｉ基超合金の劣化診断法および余寿命評価法 |
| JP2009085767A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Niigata Univ | 回折法によるひずみ測定装置及び測定方法 |
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