JPH11256320A - ＺｎＯ系焼結体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 透過率が高くて抵抗値が低く、ＤＣスパッタ
リング中の異常放電の発生が長期にわたって少なく、特
性の優れた膜を効率よく成膜することが可能であり、か
つ、生産性に優れていて安価なスパッタリングターゲッ
ト用ＺｎＯ系焼結体を提供する。 【解決手段】 Ｇａを３〜７原子％、そして、Ａｌ、
Ｂ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、ＳｎおよびＴｉからなる群より
選ばれた１種以上の第３元素を０．３〜３原子％含有
し、実質的に亜鉛とガリウムと前記第３元素の複合酸化
物からなる。このＺｎＯ系焼結体は、焼結密度が４．８
ｇ／ｃｍ³ 以上であり、かつ、前記複合酸化物の結晶平
均粒径が４〜１５μｍであることが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング法
によって透明導電性膜を形成する際に用いられるスパッ
タリング用ターゲットに関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶ディスプレイや太陽電池の電極材と
して用いられる透明導電性膜には、比抵抗値の低いＩｎ
₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂（ＩＴＯ）膜や ＺｎＯ−Ａｌ₂Ｏ₃（ＡＺ
Ｏ）膜が使われるようになってきている。これらの膜
は、スパッタリング用ターゲットを原料としたスパッタ
リング法によって形成され、加熱した基板上に成膜する
ことにより、２×１０^-4Ω・ｃｍ程度の比抵抗値を達成
させることができる。

【０００３】しかし、液晶ディスプレイや太陽電池の低
コスト化傾向にある現在では、ＩＴＯは、その主成分で
あるＩｎ₂Ｏ₃が高価であるため、コスト面で問題があ
り、一方、ＡＺＯは、その原料粉末が安価であるのでコ
スト面では問題ないが、低抵抗な膜を得るための最適な
成膜条件の範囲が狭いため、安定して良好な膜特性が得
られないなどの問題を抱えている。また、最近の傾向と
して、基板温度が低めに設定されるために低温域で低抵
抗を得ることも重要な問題である。

【０００４】これらの問題を解決するために、コスト
面、生産性に問題なく低抵抗かつ高透過率を有するＺｎ
Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃（ＢＺＯ）膜が、ＩＴＯやＡＺＯに代わっ
て、注目されつつある。ＢＺＯ膜を得るために用いられ
るターゲット材には、結晶平均粒径を２μｍ以下とする
ために８５０〜１１００℃にてホットプレスを行うＢＺ
Ｏ焼結体が特開平６−２１３０号公報に開示されてい
る。

【０００５】しかし、このようにして得られたＢＺＯ焼
結体をターゲットとして用いてＤＣスパッタリング成膜
を行うと、基板温度を室温にして得た膜は、透過率（５
５０ｎｍ）が８０％と高いが、膜比抵抗は１×１０^-3Ω
・ｃｍ程度に達することができない。特に液晶ディスプ
レイや結晶系太陽電池の透明電極に用いる際には、抵抗
値をさらに低くする必要がある。また、ＢＺＯ膜のター
ゲットはスパッタリング時に異常放電が多発する。異常
放電が頻繁に起こると、プラズマ放電状態が不安定とな
って、安定した成膜が行われない。このため、膜特性が
悪化するという問題が生じている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の問題点を解決し、透過率が高くて抵抗値が低く、
ＤＣスパッタリング中の異常放電の発生が長期にわたっ
て少なく、特性の優れた膜を効率よく成膜することが可
能であり、かつ、生産性に優れていて安価なスパッタリ
ングターゲット用ＺｎＯ系焼結体を提供することを目的
とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本願発明のＺｎＯ系焼結
体は、Ｇａを３〜７原子％、そして、Ａｌ、Ｂ、Ｉｎ、
Ｇｅ、Ｓｉ、ＳｎおよびＴｉからなる群より選ばれた１
種以上の第３元素を０．３〜３原子％含有し、実質的に
亜鉛とガリウムと前記第３元素の複合酸化物からなる。
このＺｎＯ系焼結体は、焼結密度が４．８ｇ／ｃｍ³ 以
上であり、かつ、前記複合酸化物の結晶平均粒径が４〜
１５μｍであることが好ましい。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明のＺｎＯ系焼結体は、従来
公知の製法によって作製したＢＺＯ焼結体を用いて異常
放電発生原因について本発明者が検討を行った結果、得
たものである。すなわち、特開平６−２１３０号公報に
よれば、８５０〜１１００℃の焼結温度でホットプレス
することより、容易にＢＺＯ焼結体を得ることができ
る。しかし、得られたＢＺＯ焼結体をターゲット材とし
て用いてＤＣスパッタリングにて成膜を行うと、異常放
電が多発し、長期的に安定な成膜ができないことがわか
った。

【０００９】さらに、本発明者は、ＺｎＯ焼結体につい
て解析を行い、その結果、異常放電を抑制するには以下
のことが有効であることが分かった。

【００１０】（１）焼結密度が４．８ｇ／ｃｍ³ 以上で
あって、亜鉛とガリウムと他の第３元素の複合酸化物の
結晶平均粒径が４〜１５μｍであること。

【００１１】（２）硼素が存在するときは、その偏析径
が１０μｍ以下であること。

【００１２】（３）焼結体内部に存在する空孔の最大径
が５μｍ以下であること。

【００１３】これらを達成することによって、異常放電
の発生が長期にわたって少ない焼結体を得ることでき
る。しかし、このような焼結体を作製するためには、以
下のことを留意して製造しなければならない。

【００１４】なお、本発明において、結晶平均粒径、平
均一次粒子径および空孔径は、焼結体破断面を鏡面研磨
した後、熱腐食によって粒界を析出させ、ＳＥＭ観察に
て測定する。また、抵抗値は、焼結体破断面を鏡面研磨
した後、焼結体中心付近の表面を四探針法によって測定
する。硼素の偏析径は、焼結体の断面を鏡面研磨したあ
と、ＥＭＰＡ線分析によって一定の長さを測定し、硼素
濃度の分布を見ることで判断される。

【００１５】本願発明のＺｎＯ系焼結体に影響する各因
子について以下に説明する。

【００１６】「焼結密度」ＺｎＯ粉末にＢ₂Ｏ₃粉末を添
加して焼成を行う場合の問題点として、Ｂ₂Ｏ₃の溶融に
よる欠陥の生成が挙げられる。Ｂは、融点が低いので、
焼結途中で液相を生成する。従って、Ｂがない場合は、
固相同士の反応で焼結が行われるが、Ｂが存在すると固
相と液相の間の反応で焼結が行われる。このため、Ｂ₂
Ｏ₃が含まれると、主相との濡れ性に劣り、焼結途中で
揮発する問題がある。例えば、常圧焼成法の場合、ＨＰ
法に比べて高温域で焼成を行うために、Ｂ₂Ｏ₃の溶融に
よる焼結体内の欠陥は増加しやすい。つまり、Ｂ₂Ｏ₃は
６００℃近傍で溶融を開始し、Ｂ₂Ｏ₃同士による融着、
粗大化が行われ、焼結体内に偏析が生じる。そして１０
００℃近傍から偏析は液相となる。液相の焼成による急
激な焼結収縮が行われて、体積は収縮する。一方、液相
となったＢ₂Ｏ₃は、焼結途中で蒸発しやすい。また、Ｂ
₂Ｏ₃相とＺｎＯ相は濡れ性が悪い。そのために、液相部
もしくは液相の周囲には空孔が生成し、焼結の進行と共
に空孔は粗大化を起こす。これが原因で異常放電が多発
するので、空孔を消滅させなければならない。また空孔
を制御しなければ４．８／ｃｍ³ 以上の焼結密度を達成
することができない。

【００１７】一方ＨＰ法の場合、圧力を掛けながら焼結
しているのでＢ₂Ｏ₃が液相になっても流動機構によって
その周囲に空孔は発生しないが、やはり、硼素の偏析径
は増加する。偏析径が大きいとスパッタリング時に問題
が生じる。つまり、硼素濃度の高い偏析部は抵抗が高い
ため、偏析部で異常放電が発生し、その結果、局部的な
加熱によって偏析部は溶融して空洞化するなどの問題が
生じる。このためＢＺＯ膜の比抵抗は悪化する。

【００１８】よって本発明では、上記問題点を解決する
ためにＢ₂Ｏ₃を使用するときは、Ｂ₂Ｏ₃をＺｎＯやＡｌ
₂Ｏ₃、Ｇａ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ
₂、ＳｎＯ₂ と複合化させて融点を高める方法を用い
る。その結果Ｂ₂Ｏ₃の焼結挙動は改善され、焼結中に偏
析、空孔が生じないため、スパッタリング時の異常放電
を制御することができる。Ｂ₂Ｏ₃を原料粉末の段階でＺ
ｎＯなどと複合化させておくとＢ₂Ｏ₃の融点が高くな
り、焼結におけるＢ₂Ｏ₃の溶融が防止され、ＺｎＯなど
との濡れ性が改善されるため、空孔発生は制御される。
また、複合化以外の焼結密度増大方法として、焼結中に
酸素導入を行う方法が有効である。

【００１９】「表面抵抗値」硼素を含有するＺｎＯ系焼
結体（ＢＺＯ焼結体）がスパッタリング成膜に必要な導
電性を示すのは、主成分であるＺｎＯの酸素欠損による
ものといわれている。Ａｌ₂Ｏ₃やＢ₂Ｏ₃などの酸化物を
微量添加し、高温中で焼結することによって、Ａｌ₂Ｏ₃
やＢ₂Ｏ₃などの酸化物はＺｎＯ相中に固溶され、Ｚｎ原
子との一部置換が行われたり、Ｚｎ原子の格子間への侵
入が行われたりする。これにより酸素空孔が増加する。
従って、酸素欠損を生じ、焼結体の体積抵抗率を低減で
きる。

【００２０】体積抵抗率が低くなると、スパッタリング
時の投入電力が抑えられるために、ＺｎＯ膜へのダメー
ジが少なくなって、良好な比抵抗値のＺｎＯ膜が得られ
る。

【００２１】一方、後述のように、焼結中もしくは焼結
終了後に無酸素処理を加えることによって、酸素欠損を
促進させ、一層の低抵抗化を図ることも可能である。

【００２２】「結晶平均粒径」結晶平均粒径が大きいと
焼結体の抗折力が弱いために、成膜時に急激なパワーを
かけると割れが発生したり、結晶粒の脱落が生じたりす
る。この結果、局所的な異常放電が多発する。よって、
亜鉛とガリウムと第３元素の複合酸化物の結晶粒子（化
合物相、固溶相などを含む）の結晶平均粒径を４〜１５
μｍの範囲内にする。

【００２３】「原料粉末」本願発明のＺｎＯ系焼結体を
得るための原料であるＺｎＯやＧａ₂Ｏ₃などの酸化物
は、単体粉末、もしくは下記に示す複合化粉末として用
いる。単体で用いる際には平均一次粒子径が１μｍ以下
の粉末を用いる。前述したようにＢ₂Ｏ₃相は、融点が低
く、焼結途中で蒸発してしまうため、あらかじめＢ₂Ｏ₃
粉末をＺｎＯやＧａ₂Ｏ₃などの粉末と複合化する。

【００２４】「複合化方法」ＺｎＯやＧａ₂Ｏ₃と第３元
素（Ａｌ₂Ｏ₃など）の酸化物との粉末を所望の組成とな
るように配合し、混合を行った後、仮焼を１１００℃以
下にて行い、必要あればさらに粉砕を行えば平均一次粒
子径が５μｍ以下の複合化粉末が得られる。あるいは、
後述の共沈法等によって作製された水酸化物粉末を１０
００℃以下にて仮焼すれば複合化粉末が容易に得られ
る。ただし、上記複合化粉末を用いて常圧焼結法にて焼
結体を得る場合には、複合化のための仮焼温度は５００
〜８００℃の範囲内が好ましい。８００℃以上で行うと
複合化粉末は粗大化され、平均一次粒子径が５μｍより
大きくなって焼結性が失われて、本発明で目的とする焼
結密度を達成することができなくなる。

【００２５】この複合化粉末は、そのまま焼結原料とす
るか、あるいは、さらにＺｎＯなどの粉末単体と合わせ
て所望の組成となるように配合し、混合を行って焼結原
料とすることもできる。

【００２６】「水酸化物粉末の作製」多く用いられる共
沈法での水酸化物粉末の作製方法を以下に示す。まず、
硫酸亜鉛、塩化亜鉛等を水に溶かして水溶液化するか、
もしくは硫酸、塩酸にて金属亜鉛を溶かした溶液を水で
希釈して水溶液化する。その後、水溶液中に硼酸塩、硼
酸、硼酸ナトリウム等を添加し、さらにｐＨを制御する
ためのアンモニア等のアルカリ類からなる沈殿剤を投入
して中和を行う。次に、固液分離を行い、得られた沈殿
物を濾過後、水洗、粉砕した後に乾燥して複合水酸化物
とする。

【００２７】「混合」混合は湿式、または乾式によるボ
ールミル、振動ミル等を用いることができるが、均一微
細な結晶粒および空孔を得るには、凝集体の解砕効率が
高く、添加物の分散状態も良好となる湿式ボールミル混
合法が最も好ましい。ただしホットプレスを用いる場合
には、粉末への吸湿を避けるために、乾式ボールミル、
Ｖブレンダー等が適用される。湿式ボールミル混合時間
は１２〜７２時間、乾式ボールミル混合時間は８〜２４
時間の範囲が好ましい。湿式混合時間が１２時間未満で
あると、均一微細な結晶粒および空孔を得ることができ
ない。また、湿式混合時間が７２時間を越えるのは、混
合粉末中に不純物が多く混入するため好ましくない。乾
式混合の場合も同様な理由から混合時間が規制される。

【００２８】また、混合する際にはバインダーを任意量
だけ添加し、同時に混合を行う。バインダー種には、ポ
リビニルアルコール、酢酸ビニル等が用いられる。

【００２９】「成形」上記湿式混合によって得られたス
ラリーは、乾燥造粒後、金型または冷間静水圧プレスに
て１ｔｏｎ／ｃｍ² 以上の圧力で成形を行う。乾式混合
によって得られた混合粉末は、そのまま、金型または冷
間静水圧プレスにて１ｔｏｎ／ｃｍ²以上の圧力で成形
を行う。

【００３０】「焼結方法」本願発明のＺｎＯ系焼結体を
得るには、ホツトプレス・酸素加圧・熱間静水圧等の焼
結方法を用いることができるが、焼結法には常圧焼結法
を用いることが好ましい。なぜなら、常圧焼結法には、
製造コストを低減しやすいうえ、容易に大型焼結体を製
造しやすいなどの利点があるからである。

【００３１】「焼結雰囲気」常圧焼結法では、通常は、
成形体を大気中にて焼結を行う。

【００３２】密度を一層高くしたい場合には、昇温過程
で酸素を導入して焼結を行うことも可能である。しか
し、酸素の導入により酸素欠損が抑制され、抵抗値が低
下する恐れがある。酸素を導入する場合の酸素流量とし
ては、２〜２０リットル／分が好ましい。２リットル／
分未満であると、ＺｎＯの蒸発抑制（密度増大）効果は
薄れ、２０リットル／分を超えると、その流量によって
焼結炉内が冷却され、均熱性が低下してしまう。

【００３３】また、逆に、焼結体内の酸素欠損を促進
し、表面抵抗を一層低下させたい場合には、焼結中に無
酸素処理を施すことも可能である。

【００３４】焼結中の無酸素処理は、昇温中において水
素などの還元ガスやアルゴン、ヘリウム、窒素などの不
活性ガスを導入して達成される。しかし、無酸素雰囲気
にすると、ＺｎＯの蒸発が活発化し、これらの蒸発で、
焼結密度が低下する。従って、１３００℃より高い温度
での焼結中の無酸素処理は行えない。

【００３５】「焼結温度」焼結温度は１０００〜１５０
０℃、好ましくは１０００〜１３００℃が良い。この際
の焼結時間は１５時間以下とする。１０００℃未満であ
ると、４．８ｇ／ｃｍ³ 以上の焼結密度を得ることがで
きない。一方、１５００℃を超えるか、または焼結時間
が１５時間を超えると、ＺｎＯの蒸発の活発化により焼
結密度が低下したり、著しい結晶粒成長により結晶粒
径、空孔の粗大化を来たし、異常放電発生の原因にな
る。

【００３６】そして、焼結中の昇温速度においては、６
００〜１３００℃の温度範囲の昇温速度を１〜１０℃／
分にする必要がある。つまり、６００〜１３００℃間
は、特にＺｎＯの焼結が最も活発化する温度範囲であ
り、この温度範囲での昇温速度が１℃／分より遅いと、
結晶粒成長が著しくなって、本発明の目的を達成するこ
とができない。また、昇温速度が１０℃／分より速い
と、焼結炉内の均熱性が低下し、その結果、焼結中の収
縮量に分布が生じて、焼結体は割れてしまう。

【００３７】ホットプレスを用いる場合の焼結温度は真
空中またはＡｒ雰囲気中で９００〜１３００℃の範囲
内、その際のプレス圧は２００〜４００ｋｇ／ｃｍ² が
好ましい。

【００３８】「焼結終了後の無酸素処理」表面抵抗を一
層低下させたい場合には、焼結終了後に無酸素処理を施
すことでも目的は達成される。

【００３９】焼結終了後に無酸素処理を施す場合、焼結
終了後、冷却したあとに、あるいは降温中に真空中にて
８００℃以上の温度に加熱すれば目的を達成できる。具
体的には、以下の方法にて行うことができる。まず、焼
結終了後、そのまま炉内で９００〜１３００℃まで５〜
２０℃／分にて降温し、該所定温度に３０分〜５時間保
持しつつ、不活性ガスや還元ガスを２〜２０リットル／
分の割合で導入する。１３００℃以上で無酸素処理を行
うと、ＺｎＯの蒸発が活発化して、焼結密度の低下、ま
たは組成ずれを来すばかりか、炉材やヒータの寿命を縮
めて生産性を悪化させる。９００℃以下であると、無酸
素処理の効果が薄れ、表面抵抗値を大幅に低下させるこ
とができない。また導入ガス量が２リットル／分未満で
あると、無酸素処理の効果は薄れ、その導入量が多いほ
ど該効果が高いが、２０リットル／分を超えると、その
流量によって焼結炉内が冷却され、均熱性が低下する。

【００４０】

【実施例】本発明に関するＺｎＯ系焼結体の製造方法を
以下に説明する。

【００４１】［実施例１］共沈法によって作製されたＺ
ｎＯ−４０重量％Ｂ₂Ｏ₃水酸化物を７００℃３時間にて
仮焼して得た平均一次粒子径が０．５μｍの複合化粉末
を、平均一次粒子径が０．１μｍのＺｎＯ粉末中に、
０．５重量％添加し、さらに平均一次粒子径が０．１μ
ｍのＧａ₂Ｏ₃粉末を６．９重量％添加して原料粉末とし
た。

【００４２】この原料粉末を樹脂製ポットに入れ、硬質
ＺｒＯ₂ ボールを用いて湿式ボールミル混合を１８時間
行った。なお、混合を行う際、バインダーとしてポリビ
ニルアルコールを１重量％添加した。

【００４３】その後、スラリーを取り出して乾燥し造粒
した後、造粒粉を冷間静水圧プレスにて３トン／ｃｍ²
の圧力で成形し、直径１００ｍｍ、厚さ８ｍｍの円盤状
の成形体を得た。さらに得られた成形体を大気中にて８
００℃まで１℃／分にて昇温し、８００〜１３００℃ま
で３℃／分にて昇温した。その後１３００℃にて５時間
保持を行った。

【００４４】得られた焼結体の密度をアルキメデス法で
測定した。また、同試料を用いて熱腐食し、ＳＥＭ観察
によって平均結晶粒径、空孔径を測定した。得られた結
果を表１に示す。

【００４５】また、得られた焼結体を直径７５ｍｍ、厚
さ６ｍｍの円盤状に加工してスパッタリング用ターゲッ
トを作製し、このターゲットを用いてＤＣマグネタロン
スパッタリング法によって膜厚５０００オングストロー
ムの成膜を行った。スパッタリング条件は投入電力２０
０Ｗ、Ａｒガス圧０．７Ｐａに固定した。そして実験開
始から１０時間経過後の１０分間あたりに発生する異常
放電回数、さらに成膜初期における基板温度が室温時の
比抵抗値と、５５０、１０００ｎｍ波長域における透過
率を測定した。得られた結果を表１に示す。

【００４６】［実施例２］共沈法によって作製されたＺ
ｎＯ−５０重量％Ｂ₂Ｏ₃水酸化物を７００℃３時間にて
仮焼して得た平均一次粒子径が０．５μｍの複合化粉末
を２重量％、平均一次粒子径が０．１μｍのＺｎＯ粉末
中に添加し、さらに平均一次粒子径が０．１μｍのＧａ
₂Ｏ₃粉末を４．６重量％添加して原料粉末とした。

【００４７】この原料粉末を樹脂製ポットに入れ、硬質
ＺｒＯ₂ ボールを用いて湿式ボールミル混合を１８時間
行った。なお、混合を行う際、バインダーとしてポリビ
ニルアルコールを１重量％添加した。

【００４８】その後、スラリーを取り出して乾燥し造粒
した後、造粒粉を冷間静水圧プレスにて３トン／ｃｍ²
の圧力で成形し、直径１００ｍｍ、厚さ８ｍｍの円盤状
の成形体を得た。さらに得られた成形体を大気中にて８
００℃まで１℃／分にて昇温し、８００〜１３００℃ま
で３℃／分にて昇温した。その後１３００℃にて５時間
保持を行った。

【００４９】得られた焼結体について実施例１と同様の
測定および試験を行い、その結果を表１に示した。

【００５０】［実施例３］共沈法によって作製されたＺ
ｎＯ−５０重量％Ｂ₂Ｏ₃水酸化物を７００℃３時間にて
仮焼して得た平均一次粒子径が０．５μｍの複合化粉末
を４重量％、平均一次粒子径が０．１μｍのＺｎＯ粉末
中に添加し、平均一次粒子径が０．１μｍのＧａ₂Ｏ₃粉
末を４．６重量％添加して原料粉末とした。

【００５１】この原料粉末を樹脂製ポットに入れ、硬質
ＺｒＯ₂ ボールを用いて湿式ボールミル混合を１８時間
行った。なお、混合を行う際、バインダーとしてポリビ
ニルアルコールを１重量％添加した。

【００５２】その後、スラリーを取り出して乾燥し造粒
した後、造粒粉を冷間静水圧プレスにて３トン／ｃｍ²
の圧力で成形し、直径１００ｍｍ、厚さ８ｍｍの円盤状
の成形体を得た。さらに得られた成形体を大気中にて８
００℃まで１℃／分にて昇温し、８００〜１３００℃ま
で３℃／分にて昇温した。その後、１３００℃にて５時
間の保持を行った。

【００５３】得られた焼結体について実施例１と同様の
測定および試験を行い、その結果を表１に示した。

【００５４】［実施例４］平均一次粒子径０．１μｍか
らなるＺｎＯ粉末中に平均一次粒子径０．１μｍからな
るＧａ₂Ｏ₃粉末を４．６重量％、そして平均一次粒子径
０．１μｍからなるＧｅＯ₂ 粉末を１．１重量％添加し
て原料粉末とした。この原料粉末を樹脂製ポットに入
れ、硬質ＺｒＯ₂ ボールを用いて湿式ボールミル混合を
１８時間行った。また混合を行う際、バインダーとして
ポリビニルアルコールを１重量％添加した。その後、ス
ラリーを取り出して、乾燥し造粒した後、造粒粉を冷間
静水圧プレスにて３トン／ｃｍ² の圧力で成形し、直径
１００ｍｍ厚さ８ｍｍの円盤状の成形体を得た。さらに
得られた成形体を大気中にて８００℃まで１℃／分にて
昇温し、８００〜１３００℃まで３℃／分にて昇温し
た。その後１３００℃にて５時間の保持を行った。

【００５５】得られた焼結体について実施例１と同様の
測定および試験を行い、その結果を表１に示した。

【００５６】［実施例５］平均一次粒子径０．１μｍか
らなるＺｎＯ粉末中に平均一次粒子径０．１μｍからな
るＧａ₂Ｏ₃粉末を４．５重量％、そして平均一次粒子径
０．１μｍからなるＩｎ₂Ｏ₃粉末を１．７重量％添加し
て原料粉末とした。この原料粉末を樹脂製ポットに入
れ、硬質ＺｒＯ₂ ボールを用いて湿式ボールミル混合を
１８時間行った。また混合を行う際、バインダーとして
ポリビニルアルコールを１重量％添加した。その後、ス
ラリーを取り出して、乾燥し造粒した後、造粒粉を冷間
静水圧プレスにて３トン／ｃｍ² の圧力で成形し、直径
１００ｍｍ厚さ８ｍｍの円盤状の成形体を得た。さらに
得られた成形体を大気中にて８００℃まで１℃／分にて
昇温し、８００〜１３００℃まで３℃／分にて昇温し
た。その後１３００℃にて５時間の保持を行った。

【００５７】得られた焼結体について実施例１と同様の
測定および試験を行い、その結果を表１に示した。

【００５８】［実施例６］平均一次粒子径０．１μｍか
らなるＺｎＯ粉末中に平均一次粒子径０．１μｍからな
るＧａ₂Ｏ₃粉末を４．６重量％、そして平均一次粒子径
が０．１μｍのＡｌ₂Ｏ₃を０．６重量％添加して原料粉
末とした。この原料粉末を樹脂製ポットに入れ、硬質Ｚ
ｒＯ₂ ボールを用いて湿式ボールミル混合を１８時間行
った。また混合を行う際、バインダーとしてポリビニル
アルコールを１重量％添加した。その後、スラリーを取
り出して、乾燥し造粒した後、造粒粉を冷間静水圧プレ
スにて３トン／ｃｍ² の圧力で成形し、直径１００ｍｍ
厚さ８ｍｍの円盤状の成形体を得た。さらに得られた成
形体を大気中にて８００℃まで１℃／分にて昇温し、８
００〜１３００℃まで３℃／分にて昇温した。その後１
３００℃にて５時間の保持を行った。得られた焼結体に
ついて実施例１と同様の測定および試験を行い、その結
果を表１に示した。

【００５９】［実施例７］平均一次粒子径０．１μｍか
らなるＺｎＯ粉末中に平均一次粒子径０．１μｍからな
るＧａ₂Ｏ₃粉末を４．６重量％、そして平均一次粒子径
が０．１μｍのＳｉＯ₂ を０．６重量％添加して原料粉
末とした。この原料粉末を樹脂製ポットに入れ、硬質Ｚ
ｒＯ₂ ボールを用いて湿式ボールミル混合を１８時間行
った。また混合を行う際、バインダーとしてポリビニル
アルコールを１重量％添加した。その後、スラリーを取
り出して、乾燥し造粒した後、造粒粉を冷間静水圧プレ
スにて３トン／ｃｍ² の圧力で成形し、直径１００ｍｍ
厚さ８ｍｍの円盤状の成形体を得た。さらに得られた成
形体を大気中にて８００℃まで１℃／分にて昇温し、８
００〜１３００℃まで３℃／分にて昇温した。その後１
３００℃にて５時間の保持を行った。得られた焼結体に
ついて実施例１と同様の測定および試験を行い、その結
果を表１に示した。

【００６０】［実施例８］平均一次粒子径０．１μｍか
らなるＺｎＯ粉末中に平均一次粒子径０．１μｍからな
るＧａ₂Ｏ₃粉末を４．６重量％、そして平均一次粒子径
が０．１μｍのＴｉＯ₂ を１．０重量％添加して原料粉
末とした。この原料粉末を樹脂製ポットに入れ、硬質Ｚ
ｒＯ₂ ボールを用いて湿式ボールミル混合を１８時間行
った。また混合を行う際、バインダーとしてポリビニル
アルコールを１重量％添加した。その後、スラリーを取
り出して、乾燥し造粒した後、造粒粉を冷間静水圧プレ
スにて３トン／ｃｍ² の圧力で成形し、直径１００ｍｍ
厚さ８ｍｍの円盤状の成形体を得た。さらに得られた成
形体を大気中にて８００℃まで１℃／分にて昇温し、８
００〜１３００℃まで３℃／分にて昇温した。その後１
３００℃にて５時間の保持を行った。得られた焼結体に
ついて実施例１と同様の測定および試験を行い、その結
果を表１に示した。

【００６１】［実施例９］平均一次粒子径０．１μｍか
らなるＺｎＯ粉末中に平均一次粒子径０．１μｍからな
るＧａ₂Ｏ₃粉末を４．５重量％、そして平均一次粒子径
が０．１μｍのＳｎＯ₂ を１．８重量％添加して原料粉
末とした。この原料粉末を樹脂製ポットに入れ、硬質Ｚ
ｒＯ₂ ボールを用いて湿式ボールミル混合を１８時間行
った。混合を行う際に、バインダーとしてポリビニルア
ルコールを１重量％添加した。その後、スラリーを取り
出して、乾燥し造粒した後、造粒粉を冷間静水圧プレス
にて３トン・ｃｍ² の圧力で成形し、直径１００ｍｍ、
厚さ８ｍｍの円盤状の成形体を得た。さらに、得られた
成形体を大気中にて８００℃まで１℃／分にして昇温
し、８００〜１３００℃まで３℃／分にて昇温した。そ
の後、１３００℃にて５時間の保持を行った。得られた
焼結体について実施例１と同様の測定および試験を行
い、その結果を表１に示した。

【００６２】

【表１】

【００６３】

【発明の効果】本発明のＺｎＯ系焼結体は、以上のよう
に構成されているので、ＤＣスパッタリング中の異常放
電の発生が長期にわたって少なく、特性のすぐれた透明
導電性膜を効率よく安価に成膜できる。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｇａを３〜７原子％、および、Ａｌ、
   Ｂ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、ＳｎおよびＴｉからなる群より
   選ばれた１種以上の第３元素を０．３〜３原子％含有
   し、実質的に亜鉛とガリウムと前記第３元素の複合酸化
   物からなることを特徴とするＺｎＯ系焼結体。
2. 【請求項２】 焼結密度が４．８ｇ／ｃｍ³ 以上であ
   り、かつ、複合酸化物の結晶平均粒径が４〜１５μｍで
   あることを特徴とする請求項１に記載のＺｎＯ系焼結
   体。
3. 【請求項３】 内部に存在する空孔の最大径が５μｍ以
   下であることを特徴とする請求項１に記載のＺｎＯ系焼
   結体。