JPH11204699A - 半導体装置とその製造方法と電子装置 - Google Patents

半導体装置とその製造方法と電子装置

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JPH11204699A
JPH11204699A JP10002714A JP271498A JPH11204699A JP H11204699 A JPH11204699 A JP H11204699A JP 10002714 A JP10002714 A JP 10002714A JP 271498 A JP271498 A JP 271498A JP H11204699 A JPH11204699 A JP H11204699A
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reinforcing plate
conductive
semiconductor element
heat sink
film
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Isato Takeuchi
勇人 竹内
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 フィルム回路１と、半導体素子４と、こ
れ４を囲繞しフィルム回路１に接着された補強板２５
と、これ２５に接着されたヒートシンク２７からなり、
樹脂封止された半導体装置において、その電源端子間
（電源・グランド間）の寄生容量を大きくして耐ノイズ
性を高める。 【解決手段】 補強板２５とヒートシンク２７は共に導
電性を有し、フィルム回路１の配線膜（リード）３のう
ちグランド側のもの３ｅは補強板２５とヒートシンク２
７のうちの一方とも電気的に接続し、電源側のもの３ｄ
はそのうちの他方とも電気的に接続するようにする。ヒ
ートシンク２７と配線膜３ｅ（或いは３ｄ）とは例えば
導電リング２９を介して接続するようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特に
絶縁層をベースとして複数の配線膜を形成し、該配線膜
の一端を半導体素子の電極と接続される半導体素子側端
子とし他端に外部端子を形成したフィルム回路と、上記
配線膜の半導体素子側端子に各電極が接続された半導体
素子と、上記半導体素子を囲繞し上記フィルム回路に接
着された補強板と、該補強板に接着されたヒートシンク
とからなり、該補強板、ヒートシンク、フィルム回路及
び半導体素子の相互間が封止された半導体装置と、その
製造方法と、その半導体装置を用いた電子機器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置として、フィルム回路の各リ
ード（配線膜）の先端に半導体素子の各電極をボンディ
ングし、該半導体素子とフィルム回路との間を樹脂で封
止し、フィルム回路の裏面に半導体素子を囲繞するよう
なリング状の補強板を接着した構造のものがある。
【０００３】図５（Ａ）、（Ｂ）はそのような半導体装
置の各別の従来例を示す断面図である。先ず（Ａ）に示
す方について説明する。図面において、ａはフィルム回
路、ｂはそのベースを成すポリイミドテープ、ｃはリー
ドを成す配線膜、ｄはフィルム回路ａの反ベース側表面
を選択的に覆う絶縁層で、例えばソルダーレジストから
なる。ｅはリードｃの表面を露出する、絶縁層ｄの開口
ｆに形成された半田ボールで、半導体装置の外部端子を
成す。
【０００４】ｇは半導体素子で、その電極がリードｃの
デバイスホールｈへ突出する部分の先端にボンディング
されている。ｉは半導体素子ｇ・フィルム回路ａ間を封
止する樹脂、ｊは矩形リング状の補強板で、フィルム回
路ａの裏面の半導体素子ｇを囲繞する位置に接着剤ｋを
介して接着されている。
【０００５】次に、図５（Ｂ）に示す方を説明する。
ａ′はフィルム回路で、そのベースを成すポリイミドテ
ープｂの裏面にリードを成す配線膜ｃが形成され、該テ
ープｂにリードｃを露出させる開口ｆを形成し、該開口
ｆに外部端子を成す半田ボールｅを形成してなる。半導
体素子ｇが図５（Ａ）に示す半導体装置と同様にフィル
ム回路ａ′のリードｃに接続され、半導体素子ｇ・フィ
ルム回路ａ′間が樹脂ｉにて封止され、そして、矩形リ
ング状補強板ｊがフィルム回路ａ′の裏面に接着剤ｋを
介して接着されている。
【０００６】そして、組立に関して説明すると、先ずフ
ィルム回路ａ（ａ）′に半導体素子ｇを組み付け、次
に、樹脂ｉでフィルム回路ａ（ａ′）・半導体素子ｇ間
を封止し、その後、補強板ｊをフィルム回路ａ（ａ′）
の裏面に接着し、しかる後、外部端子を成す半田ボール
電極ｅを形成するという方法で組み立てられた。
【０００７】ところで、図５に示す従来技術によれば、
フィルム回路ａ（ａ′）と補強板ｊとの電気的接続が為
されておらず、そのため、外部からのノイズの侵入を防
止することが難しく、また外部へのノイズの発生源とも
なるという問題を有効に防止することができなかった。
【０００８】また、従来においてはフィルム回路ａ
（ａ′）に半導体素子ｇを組み付けた後、その間を樹脂
封止し、しかる後、補強板ｊのフィルム回路ａ（ａ′）
への接着を行っていたので、接着剤ｉが大きく食み出す
ことにより補強板ｊの取付に支障を来すことがあるとい
う問題があった。そのため、補強板ｊとして図５（Ｂ）
に示すように孔ｌを大きめに形成したものを用いる必要
性が生じた。しかし、それは補強効果の低減につなが
り、好ましくない。即ち、図５（Ｂ）に示す半導体装置
は補強効果の低減を余儀なくされた。
【０００９】そこで、本願出願人会社は、このような問
題点を解決すべく、半導体装置の耐ノイズ性を高め、且
つ補強板を支障なくフィルム回路に取り付けられるよう
にする技術の開発をすると共に、その開発の成果につい
ての技術的な提案を特願平８５４４７８により行った
（それは特開平９−２４６３１５号公報により公開され
る。）。その提案の要旨は、フィルム回路にその周辺部
に形成されたグランドラインを成す配線膜を設け、補強
板として導電性を有するものを用い、該グランドライン
を成す配線膜と、該導電性補強板とを上記フィルム回路
周辺部にて電気的に接続してなることを特徴とする半導
体装置であり、こうすることにより、半導体素子を囲繞
する補強板をグランドラインとし、延いては他と静電シ
ールドするものである。
【００１０】斯かる半導体装置は、フィルム回路に補強
板を接着し、その後、半導体素子を補強板で囲繞された
ところに位置させてその各電極をフィルム回路の半導体
素子側端子とボンディングし、しかる後、補強板、フィ
ルム回路及び半導体素子の相互間を封止することにより
製造することができる。即ち、このような半導体装置の
製造方法によれば、フィルム回路に補強板を接着した
後、半導体素子をフィルム回路に組み付け、その後、封
止するので、半導体素子・フィルム回路間を封止する封
止剤が補強板のフィルム回路への接着を阻むというおそ
れが全くなくなる。従って、補強板を支障なく取り付け
ることができ、取り付け性を考慮して図５（Ｂ）に示す
半導体装置のように補強板として孔の大きめなものを用
いる必要がない。従って、補強効果の低減を余儀なくさ
れるということもないのである。
【００１１】図６（Ａ）、（Ｂ）はそのような半導体装
置を示すものである。これについて簡単に説明すると、
フィルム回路１にその周辺部に延設されたグランドライ
ンを成す配線膜３Ｅ、３ｅを設け、補強板として導電性
を有するもの２５を用い、該グランドライン３Ｅを成す
配線膜と、該導電性補強板２５とをフィルム回路１周辺
部にて例えば銅電ペースト２６により電気的に接続す
る。必要に応じて、ヒートシンク２７を半導体素子４及
びフィルム回路１の裏面に接着する。
【００１２】そして、その製造は、フィルム回路１に補
強板２５を接着し、その後、半導体素子４を補強板２５
で囲繞されたところに位置させてその各電極をフィルム
回路１の半導体素子側端子とボンディングし、しかる
後、補強板２５、フィルム回路１及び半導体素子４の相
互間を封止剤２４で封止することにより行う。尚、図に
おいて、２は絶縁膜、３は配線膜（リード）、６は半導
体素子４の電極、７は導電性補強板２５とフィルム回路
１とを接着する弾性接着剤、１６は配線膜（リード）の
バンプ、２８は封止樹脂２４の周りへの流出を阻むダム
である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した図
６に示す従来技術によれば、確かに補強板を静電シール
ド手段として利用することができ、その点で優れている
と言えるが、ノイズの発生を抑制するのには限界があ
る。というのは、電源ラインとグランドラインとの間
（電源端子間、例えばＶDD・ＶSS間或いはＶCC・ＶEE間
等）に寄生する寄生容量（寄生キャパシタンス）を高め
るのに限界があり、そのため、発生するノイズを寄生容
量により吸収することが難しいからである。この点につ
いて詳しく述べると次のとおりである。
【００１４】負荷変動等により電源端子のレベルが変動
したり、グランドレベルが変動したりするが、これはそ
のままノイズとなる。斯かるノイズは電源・グランド間
の寄生容量により吸収しうるが、その寄生容量が小さい
とノイズを充分に吸収することができない。従って、電
源・グランド間の寄生容量は大きい程良いと言える。し
かし、図６に示す従来の半導体装置によれば、その寄生
容量というのは、電源配線膜とグランド配線膜に寄生す
る容量と、グランド（若しくは電源）に接続された補強
板と電源配線膜（若しくはグランド配線膜）との間に寄
生する容量のみであるからである。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題を解決すべく為されたもので、絶縁層をベースとして
複数の配線膜を形成し、該配線膜の一端を半導体素子の
電極と接続される半導体素子側端子とし他端に外部端子
を形成したフィルム回路と、上記配線膜の半導体素子側
端子に各電極が接続された半導体素子と、該半導体素子
を囲繞し上記フィルム回路に接着された補強板と、該補
強板に接着されたヒートシンクとからなり、該ヒートシ
ンク、補強板、フィルム回路及び半導体素子の相互間が
封止された半導体装置において、その電源端子間（電源
・グランド間）の寄生容量を大きくして耐ノイズ性を高
めることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】請求項１の半導体装置
は、上記補強板と上記ヒートシンクは共に導電性を有
し、上記配線膜の半導体素子側端子のうちグランド端子
は上記導電性補強板と上記導電性ヒートシンクのうちの
一方とも電気的に接続され、上記配線膜の半導体素子側
端子のうち電源端子は上記導電性補強板と上記導電性ヒ
ートシンクのうちの他方とも電気的に接続されたことを
特徴とする。
【００１７】従って、請求項１の半導体装置よれば、グ
ランド端子は上記導電性補強板と上記導電性ヒートシン
クのうちの一方と接続され、電源端子は他方と接続され
ているので、電源ライン・グランドライン間には、補強
板とヒートシンクとの間に寄生する静電容量までもが寄
生することとなる。従って、電源・グランド間の寄生容
量が大きくなり、延いてはより有効にノイズを吸収する
ことができる。
【００１８】請求項２の半導体装置の製造方法は、上記
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、フィル
ム回路に導電性補強板を接着した後、半導体素子を補強
板により囲繞されたところに位置させてフィルム回路の
配線膜の各半導体素子側端子を半導体素子の各電極とボ
ンディングすると同時に、半導体素子側端子のうちグラ
ンド端子は補強板とヒートシンクのうちの一方ともボン
ディングし、電源端子は上記導電性補強板と上記導電性
ヒートシンクのうちの他方ともボンディングし、しかる
後、上記導電性ヒートシンク、上記導電性補強板、フィ
ルム回路及び半導体素子の相互間を樹脂封止することを
特徴とする。
【００１９】従って、請求項２の半導体装置の製造方法
によれば、フィルム回路の配線膜の電源端子、グランド
端子を半導体素子の電極だけでなく、補強板或いはヒー
トシンクとも接続する（ダブルボンディングする）の
で、電源端子・グランド端子間に補強板とヒートシンク
との間に寄生する容量を存在させることができる。
【００２０】請求項３の電子機器は、請求項１記載の半
導体装置を有することを特徴とする。
【００２１】従って、請求項３の電子機器によれば、請
求項１の半導体装置を使用するので、ノイズをより少な
くすることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明半導体装置は、グランド端
子を補強板に接続し、電源端子をヒートシンクに接続す
るようにしても良いし、逆にグランド端子をヒートシン
クに接続し、電源端子を補強板に接続するようにしても
良い。
【００２３】
【実施例】以下、本発明を図示実施の形態に従って詳細
に説明する。図１は本発明半導体装置の第１の実施例を
示す断面図である。
【００２４】図面において、１はフィルム回路で、絶縁
層２の裏面側にリードを成す配線膜３が多数形成されて
いる。３ｅは配線膜３のうちの後述する半導体素子
（４）のグランド電極に接続されたグランドラインを成
す配線膜（リード）、３ｄは同じく電源端子の電極に接
続された電源ラインを成す配線膜（リード）であり、各
配線膜３、３ｅ、３ｄの内端は絶縁層２のデバイスホー
ル１ｈへ突出せしめられて半導体素子（４）の電極と接
続される接続端となる。尚、図１において解り易くする
ために、電源ラインを成す配線膜（リード）３ｄは斜め
格子のハッチングを施し、グランドラインを成す配線膜
３e は黒で塗り潰した。６はボール電極で、上記絶縁層
２に形成されてリード３を露出させる開口２１にメッキ
により形成されており、例えばニッケルと半田或いは金
からなる二層構造を有している。
【００２５】２５は例えばアルミニウムからなる矩形リ
ング状の補強板で、フィルム回路１の裏面に弾性接着剤
７を介して接着されている。該補強板２５は少なくとも
一部分がフィルム回路１から食み出すように形成されて
いる。そして、その食み出した部分の上面に上記グラン
ドラインを成す各配線膜３ｄの内端から稍ずれた部分が
ボンディングされており、これにより該配線膜３ｄは補
強板２５に接続された状態になる。
【００２６】２９は導電性の材料からなる矩形状の導電
リングで、上記補強板２５の内側にこれと接触しないよ
うに離間して位置されており、該導電リング２９の上面
内周部分に電源ラインを成す配線膜３ｄの内端より稍外
側の部分がボンディングされている。
【００２７】４は半導体素子で、その電極が配線膜３、
３ｄ、３ｅの先端のバンプ１６とボンディングされてい
る。２７は半導体素子４、補強板２５及び導電リング２
９の底面に接着されたヒートシンクであり、例えばアル
ミニウムからなる。該ヒートシンク２７と補強板２５と
の接着は絶縁性接着剤３０を介して為され、該ヒートシ
ンク２７・補強板２５間が電気的に絶縁されている。そ
れに対して、ヒートシンク２７と導電リング２９との接
着は導電性接着剤３１を介して為され、該ヒートシンク
２７は導電リング２９を介してフィルム回路１のグラン
ドラインを成す配線膜３ｅに電気的に接続されている。
【００２８】尚、半導体素子４、フィルム回路１、補強
板２５、ヒートシンク２７、導電リング２９相互間は樹
脂により封止されているが、図では封止樹脂の図示を省
略した。ところで、半導体素子４とヒートシンク２７と
の接着は素子の底面の電位が電源レベルになっても良い
場合には、導電性接着剤により行っても良いが、そうで
ない場合には、絶縁性接着剤により行わなければならな
いということになるが、それは本発明の本質に係る問題
ではない。
【００２９】このような半導体装置によれば、半導体素
子４を囲繞する補強板２５を電源ラインとし、ヒートシ
ンク２７をグランドラインとすることができ、該補強板
２５及びヒートシンク２７の双方により半導体素子４を
他と静電的にシールドすることができる。従って、半導
体装置外部から半導体素子４内へのノイズの侵入を極め
て有効に防止し、また、半導体素子４内部に発生したノ
イズが外部に放射されることを極めて有効に防止するこ
とができ、より有効に静電シールド効果を高めることが
できる。
【００３０】しかも、電源ラインとグランドラインとの
間の寄生容量には、補強板２５とヒートシンク２７との
間に寄生する大きな静電容量が加わるので、電源・グラ
ンド間の寄生容量が極めて大きくなる。従って、電源ラ
イン或いはグランドラインに電位変動が生じ、ノイズが
発生しようとしてもそれが大きな寄生容量の存在により
吸収され、ノイズが生じにくくなる。また、仮にノイズ
が発生しても小さなノイズになる。従って、半導体装置
の耐ノイズ性が高まる。
【００３１】尚、図１に示した半導体装置は、補強板２
５を電源ラインに、ヒートシンク２７をグランドライン
に接続していたが、その逆に、補強板２５をグランドラ
インに、ヒートシンク２７を電源ラインに接続するよう
にしても良く、どちらにしても効果に大きな差異は生じ
ない。
【００３２】図２（Ａ）乃至（Ｉ）はフィルム回路の形
成及び補強板の接着を工程順に示す断面図である。
【００３３】（Ａ）先ず、図２（Ａ）に示すように、三
層構造の金属積層板１１を用意する。該積層板１１は、
厚さ例えば１５０μｍの銅層１２と、エッチングストッ
パとしての役割を担う厚さ例えば３μｍのアルミニウム
層１３と、厚さ例えば２μｍの銅あるいはニッケルから
なるメッキ下地層１４を積層したものである。尚、メッ
キ下地層１４は、例えばクロム層（厚さ例えば０．２μ
ｍ）の上にニッケル層（厚さ例えば２μｍ）を形成した
多層構造にしても良い。
【００３４】（Ｂ）次に、図２（Ｂ）に示すように、上
記メッキ下地層１４上に配線膜（リード）３、３ｄ、３
ｅを形成する。具体的には、該配線膜３、３ｄ、３ｅを
形成すべきパターンに対してネガのパターンのレジスト
を塗布し、該レジストをマスクとして層１４を下地とし
て銅（あるいはニッケル）メッキ（メッキ厚さ例えば３
０μｍ）することにより形成する。このようにすると、
サイドエッチングなるものがないので、微細なリードを
高精度に形成することができる。
【００３５】ところで、この配線膜３、３ｄ、３ｅの形
成において重要なのは、配線膜３ｄ、３ｅはダブルボン
ディング（半導体素子の電極とのボンディングと、補強
板或いは導電リングとのボンディング）する必要がある
ので、それ以外の配線膜３よりも内側への突出長さを長
く形成することが必要である。図２において、リードの
斜め格子縞の部分は普通の配線膜３から食み出して見え
るところの電源ラインを成す配線膜３ｄの内端部分であ
る。尚、グランドラインを成す配線膜３ｅは該配線膜３
ｄの陰に隠れており、図２では図面に現れない。
【００３６】（Ｃ）次に、図２（Ｃ）に示すように、金
属積層板１１に対してそれを貫通するエッチングを両面
から選択的に行うことにより複数のフィルム回路が一体
に連結されたリードフレーム形状に成形する。該エッチ
ングは例えば塩化第２鉄系のエッチング液を用いて行
う。３０はこのエッチングにより形成された外形孔であ
る。
【００３７】（Ｄ）次に、上記積層板１１のリード形成
面側の表面に絶縁層（絶縁フィルム）２を選択的に形成
する。該絶縁層２は感光性を有する樹脂材料を用い、そ
れを塗布し、露光、現像することにより所望のパターン
に形成する。２１、２１、・・・は絶縁層２の各配線膜
３、３ｄ、３ｅのボール電極（６）を形成すべき部分を
露出させる開口であり、該開口２１、２１、・・・を有
するように絶縁層２の選択的形成が行われる。従って、
後で絶縁層２を例えばレーザ加工によりパターニングす
ることは必要ではない。
【００３８】その後、樹脂膜からなるリング状ダム２８
を形成する。該ダム２８は後に、具体的には半導体素子
４の各電極をフィルム回路１の配線膜３、３ｄ、３ｅの
内端にボンディングした後行う図示しない樹脂による封
止のときに、封止用樹脂が外側に溢れようとするのを堰
止める役割を果たす。しかし、必ずしも不可欠ではな
い。図２（Ｄ）はダム２８形成後の状態を示す。
【００３９】（Ｅ）次に、図２（Ｅ）に示すように、上
記配線膜３、３ｄ、３ｅ表面に上記絶縁層２をマスクと
して外部端子となる半田ボール６、６、・・・を形成す
る。該半田ボール６、６、・・・はニッケルメッキ（厚
さ例えば８０〜１１０μｍ）及び半田若しくは金メッキ
（厚さ例えば１０〜３０μｍ）により形成される。
【００４０】（Ｆ）次に、図２（Ｆ）に示すように、積
層板１１の裏面側に位置する厚い銅層１２のフィルム回
路１の主部１５と対応する部分を裏面側からの選択的エ
ッチングにより除去する。このエッチングは、例えばＨ
2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ2 系のエッチング液を用いて行う。な
ぜならば、このエッチング液は銅を侵すが、アルミニウ
ムを侵さず、アルミニウム層１３にエッチングストッパ
としての役割を果たさせることができるからである。
【００４１】（Ｇ）次に、図２（Ｇ）に示すように、上
記配線膜３、３ｄ、３ｅをマスクとしてその下地である
メッキ下地層１４及びエッチングストッパであったアル
ミニウム層１３をエッチングする。これにより、各配線
膜３、３ｄ、３ｅが独立し、ここで初めて互いに電気的
にショートした状態ではなくなる。
【００４２】（Ｈ）次に、図２（Ｈ）に示すように、フ
ィルム回路１の主部の裏面に矩形リング状の補強板２５
をクッション性を有した接着剤７を介して接着する。こ
の場合、重要なのは、補強板２５として内周部がフィル
ム回路１の内周部（デバイスホール）よりも小さく、補
強板２５にフィルム回路１を重ねたとき補強板２５内周
部がフィルム回路１のデバイスホール１ｈ内に食み出す
ものを用いる。というのは、電源ラインを成す配線膜３
ｄの内端から稍ずれた部分を補強板２５にボンディング
することができるようにするためである。
【００４３】（Ｉ）次に図２（Ｉ）に示すように、各配
線膜３、３ｄ、３ｅの端部にバンプ１６、１６、・・・
を形成する。尚、バンプは半導体素子４側に形成する場
合もあるし、全く形成しない場合もある。
【００４４】尚、本実施の形態においてリード３はメッ
キ下地膜上に選択的に形成したレジスト膜をマスクとし
てメッキ膜を成長させることにより形成していたが、銅
あるいはニッケルからなる層１４を厚めに形成しておく
こととし、それを選択エッチングによりパターニングす
ることによってリードを形成するようにしても良い。次
に、図３（Ａ）乃至（Ｃ）に従って補強板付きフィルム
回路への半導体素子の組付け、導電リング及びヒートシ
ンクの組付けを工程順に説明する。
【００４５】（Ａ）図３（Ａ）に示すように、導電リン
グ２９を矩形リング状の補強板２５内に位置させる。該
導電リング２９はバンプを圧着し得るように表面処理を
施したものを用いる。
【００４６】（Ｂ）次に、図３（Ｂ）に示すように、各
配線膜３、３ｄ、３ｅの先端部のバンプ１６、１６、・
・・を半導体素子４の電極パッド５、５、・・・にシン
グルポイントボンディングにより接続する。それと共
に、電源ラインを成す配線膜３ｄについては先端を半導
体素子４の電源端子を成す電極のパッド５にボンディン
グした後、先端から稍離間した部分を補強板２５上面に
もボンディングし、また、グランドラインを成す配線膜
３ｅについては先端を半導体素子４のグランド端子を成
す電極のパッド５にボンディングした後、先端から稍離
間した部分を導電リング２９上面にもボンディングす
る。尚、配線膜３ｄを導電リング２９に、配線膜３ｅを
補強板２５に接続するようにしても良いことは言うまで
もない。
【００４７】（Ｃ）次に、図３（Ｃ）に示すように、半
導体素子４、補強板２５及び導電リング２９の裏面にヒ
ートシンク２７を接着する。この場合、重要なのは、補
強板２５のヒートシンク２７との接着を絶縁性接着剤３
０により行い、導電リング２９のヒートシンク２７との
接着を導電性接着剤３１により行う。そして、絶縁性接
着剤３０の材質（誘電率）により、或いはその厚さによ
り補強板２５・ヒートシンク２７間の寄生容量、延いて
は電源端子・グランド端子間の寄生容量を調節すること
ができる。
【００４８】その後、外部端子を成す半田電極６、６、
・・・の形状をリフローフュージングによりドーム状に
整形し、次いで、樹脂封止し、しかる後、リードフレー
ム状金属積層体１１の不要部分を切断除去し、各フィル
ム回路１を互いに他から分離独立する。すると、図１に
示す本発明半導体装置が出来上がる（但し、図１には樹
脂の図示を省略した。）。
【００４９】図１に示した上記半導体装置は各電子機器
に用いることができ、特に耐ノイズ性を要する例えば携
帯電話等に用いると、半導体装置の低ノイズ性という利
点を有効に享受することができる。図４はそのような電
子機器の一例（携帯電話）Ａを示し、この内部にはマザ
ーボードＢに搭載された本発明に係る半導体装置Ｃが存
在し、電子機器の内部回路の少なくとも一部を成してい
る。
【００５０】
【発明の効果】請求項１の半導体装置よれば、グランド
端子は導電性補強板と導電性ヒートシンクのうちの一方
と接続され、電源端子は他方と接続されているので、電
源・グランド間には、補強板とヒートシンクとの間に寄
生する静電容量が寄生することとなる。従って、電源・
グランド間の寄生容量が大きくなる。依って、その大き
な寄生容量によりノイズを有効に除去することができ、
半導体装置の耐ノイズ性を高めることができる。
【００５１】請求項２の半導体装置の製造方法によれ
ば、フィルム回路の配線膜の電源端子、グランド端子を
半導体素子の電極だけでなく、補強板或いはヒートシン
クとも接続する（ダブルボンディングする）ので、電源
端子・グランド端子間に補強板とヒートシンクとの間に
寄生する容量を存在させることができる。
【００５２】請求項３の電子機器によれば、ノイズを有
効に吸収することのできる電源・グランド間の寄生容量
の大きい半導体装置を使用するので、ノイズをより少な
くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明半導体装置の第１の実施例を示す断面図
である。
【図２】（Ａ）乃至（Ｉ）は図１に示した半導体装置の
フィルム回路の形成と、補強板の組み付けを工程順に示
す断面図である。
【図３】（Ａ）乃至（Ｃ）は図１に示した半導体装置の
補強板付きフィルム回路への半導体素子の組み付け等半
導体装置の略完成までを示す断面図である。
【図４】本発明半導体装置を用いた電子機器の一例を示
す一部切欠斜視図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は半導体装置の各別の従来技術
を示す断面図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は本願出願人会社が既に出願
（特願平８−５４４７８ 特開平９−２４６３１５号公
報）済みの従来例を示すものであり、（Ａ）は断面図、
（Ｂ）は一部を示す平面図である。
【符号の説明】
１・・・フィルム回路、２・・・絶縁層、３・・・配線
膜（リード）、３ｄ・・・電源ライン側配線膜、３ｅ・
・・グランドライン側配線膜、４・・・半導体素子、７
・・・接着剤（弾性接着剤）、２４・・・封止剤、２５
・・・補強板、２７・・・ヒートシンク。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁層をベースとして複数の配線膜を形
    成し、該配線膜の一端を半導体素子の電極と接続される
    半導体素子側端子とし他端に外部端子を形成したフィル
    ム回路と、上記配線膜の半導体素子側端子に各電極が接
    続された半導体素子と、該半導体素子を囲繞し上記フィ
    ルム回路に接着された補強板と、該補強板に接着された
    ヒートシンクとからなり、該ヒートシンク、補強板、フ
    ィルム回路及び半導体素子の相互間が封止された半導体
    装置であって、 上記補強板と上記ヒートシンクは共に導電性を有し、 上記配線膜の半導体素子側端子のうちグランド端子は上
    記導電性補強板と上記導電性ヒートシンクのうちの一方
    とも電気的に接続され、 上記配線膜の半導体素子側端子のうち電源端子は上記導
    電性補強板と上記導電性ヒートシンクのうちの他方とも
    電気的に接続されたことを特徴とする半導体装置
  2. 【請求項２】 絶縁層をベースとして複数の配線膜を形
    成し、該配線膜の一端を半導体素子の電極と接続される
    半導体素子側端子とし他端に外部端子を形成したフィル
    ム回路と、上記配線膜の半導体素子側端子に各電極が接
    続された半導体素子と、該半導体素子を囲繞し上記フィ
    ルム回路に接着された補強板と、該補強板に接着された
    ヒートシンクとからなり、上記補強板と上記ヒートシン
    クは共に導電性を有し、上記配線膜の半導体素子側端子
    のうちグランド端子は上記導電性補強板と上記導電性ヒ
    ートシンクのうちの一方とも電気的に接続され、上記配
    線膜の半導体素子側端子のうち電源端子は上記導電性補
    強板と上記導電性ヒートシンクのうちの他方とも電気的
    に接続され、該導電性ヒートシンク、上記導電性補強
    板、フィルム回路及び半導体素子の相互間が樹脂封止さ
    れた半導体装置の製造方法であって、 上記フィルム回路に上記導電性補強板を接着する工程を
    有し、 上記工程の後に、上記半導体素子を上記補強板により囲
    繞されたところに位置させて上記フィルム回路の上記配
    線膜の各半導体素子側端子を上記半導体素子の各電極と
    ボンディングすると同時に、半導体素子側端子のうちグ
    ランド端子は上記導電性補強板と上記導電性ヒートシン
    クのうちの一方ともボンディングし、電源端子は上記導
    電性補強板と上記導電性ヒートシンクのうちの他方とも
    ボンディングし、 しかる後、上記導電性ヒートシンク、上記導電性補強
    板、フィルム回路及び半導体素子の相互間を樹脂封止す
    ることを特徴とする半導体装置の製造方法
  3. 【請求項３】 絶縁層をベースとして複数の配線膜を形
    成し、該配線膜の一端を半導体素子の電極と接続される
    半導体素子側端子とし他端に外部端子を形成したフィル
    ム回路と、上記配線膜の半導体素子側端子に各電極が接
    続された半導体素子と、該半導体素子を囲繞し上記フィ
    ルム回路に接着された補強板とからなり、上記補強板と
    上記ヒートシンクは共に導電性を有し、上記配線膜の半
    導体素子側端子のうちグランド端子は上記導電性補強板
    と上記導電性ヒートシンクのうちの一方とも電気的に接
    続され、上記配線膜の半導体素子側端子のうち電源端子
    は上記導電性補強板と上記導電性ヒートシンクのうちの
    他方とも電気的に接続され、該導電性ヒートシンク、上
    記導電性補強板、フィルム回路及び半導体素子の相互間
    が樹脂封止された半導体装置を少なくとも備えたことを
    特徴とする電子機器
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