JPH11190858A - アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ライン状の画素欠陥を防ぐ。 【解決手段】 データ線２を覆う絶縁膜にデータ線２を
露出させるコンタクトホール５ａを設ける。データ線２
に断線が生じた場合には、断線部を挟む２つのコンタク
トホール５ａにわたって導電膜５を形成する。これによ
り、信号電圧が導電膜５を介して断線箇所より先の画素
電極に供給される。ゲート線１とデータ線２との交差部
にリークが生じた場合には、交差部の両側でデータ線２
を切断し、リーク部を挟む２つのコンタクトホール５ａ
にわたって導電膜５を形成する。これにより、信号電圧
が導電膜５を介してリーク箇所より先の画素電極に供給
される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＯＡ機器の表示画
面やテレビジョンセット、プロジェクターのライトバル
ブ等として用いられるアクティブマトリクス型表示装置
及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶表示装置やプラズマ表示装置
等の表示装置においては、マトリクス状に配置された複
数の画素電極と、これらの画素電極に対向して配置され
た対向電極とを備えており、両電極の間に液晶やプラズ
マ等の表示媒体を介在させている。

【０００３】このような表示装置においては、上記画素
電極に選択的に駆動信号を付与し、選択された画素電極
と対向電極との間に印加される電圧により表示媒体を光
学的に変調させる。これにより、画面上に表示パターン
が表示される。

【０００４】このような表示装置の駆動方法として、ア
クティブマトリクス駆動方式が知られている。この駆動
方式を用いたアクティブマトリクス型表示装置において
は、マトリクス状に配置された画素電極の各々にスイッ
チング素子を接続し、そのスイッチング素子を介して各
画素電極に選択的に駆動信号を供給する。

【０００５】上記スイッチング素子としては、一般に、
ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ（金属−絶縁
膜−金属）素子等が知られている。

【０００６】ところで、上記アクティブマトリクス型表
示装置においては、表示媒体を挟んで対向配置される一
対の基板の一方の上で、信号配線や走査配線等のバスラ
インの一方が画素電極と同層に形成されているものが多
く、この場合、画素電極とそれと同層のバスラインとは
互いに接触しない状態に配されている。

【０００７】一方、信号配線や走査配線を覆って絶縁膜
を設け、その絶縁膜上に画素電極を形成することによ
り、画素電極とバスラインとを別層に形成した構成も提
案されている（特開昭６１−１５６０２５号公報等）。

【０００８】図１６は、この提案のアクティブマトリク
ス型表示装置における配線基板の１画素分の構成を示す
平面図である。この配線基板は、走査配線５２及び信号
配線５３が互いに交差して設けられ、それらを覆う絶縁
膜（図示せず）上に画素電極５１が設けられている。画
素電極５１は、この絶縁膜に設けたコンタクトホール５
１ｂを介してＴＦＴ５５のドレイン電極６２と接続され
ている。このように画素電極５１をバスライン（走査配
線５２や信号配線５３）を覆う絶縁膜上に形成すること
により、画素電極５１とバスラインとが別層に形成さ
れ、画素電極５１の面積を大きくして開口率を拡大する
ことができる。

【０００９】なお、この図１６の配線基板は、各画素に
共通のＣｓ線５９が走査配線５２と平行に、かつ、走査
配線５２と交互に設けられ、その上にゲート絶縁膜（図
示せず）を介してＣｓ電極５６が形成されたＣｓ ｏｎ
Ｃｏｍｍｏｎの構成となっている。Ｃｓ電極５６は上
記絶縁膜のコンタクトホール５１ａを介して画素電極５
１と接続されており、補助容量はＣｓ線５２、ゲート絶
縁膜およびＣｓ電極５６の重畳部で構成される。

【００１０】ところで、このようなアクティブマトリク
ス型表示装置においては、製造上の不良に起因して生じ
るバスラインの断線が、常に問題となっている。

【００１１】このようなバスラインの断線による問題を
低減すべく、ＳＩＤ’９５ ＤＩＧＥＳＴ ｏｆ ＴＥ
ＣＨＮＩＣＡＬ ＰＡＰＥＲＳ ４：ＡＭＬＣＤｓ４．
３；”Ｈｉｇｈ−Ａｐｅｒｔｕｒｅ ａｎｄ Ｆａｕｌ
ｔ−Ｔｏｌｅｒａｎｔ Ｐｉｘｅｌ Ｓｔｒｕｃｔｕｒ
ｅｓ ｆｏｒ ＴＦＴ−ＬＣＤｓ”には、アクティブマ
トリクス型液晶表示装置において、１つの画素電極に対
してバスラインを２本設けた構成が提案されている。

【００１２】上記バスラインの断線不良による問題を低
減すべく、アクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、１つの画素電極に対してバスラインを２本設けた構
成が提案されている（ＳＩＤ’９５ ＤＩＧＥＳＴ ｏ
ｆ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ ＰＡＰＥＲＳ ４：ＡＭＬＣ
Ｄｓ４．３；”Ｈｉｇｈ−Ａｐｅｒｔｕｒｅ ａｎｄＦ
ａｕｌｔ−Ｔｏｌｅｒａｎｔ Ｐｉｘｅｌ Ｓｔｒｕｃ
ｔｕｒｅｓ ｆｏｒＴＦＴ−ＬＣＤｓ”）。

【００１３】図１７は、この提案の液晶表示装置におけ
る配線基板の構成を示す平面図である。この配線基板
は、各画素電極５１に対して２本の走査配線５２、５
２’が設けられている。走査配線５２、５２’は、画素
電極５１の両側に信号配線５３、５３’に沿って配され
た短絡線５４、５４’により短絡されている。各短絡線
５４、５４’は、絶縁膜（図示せず）を介して画素電極
５１と重畳しており、その重なった部分が補助容量とな
っている。

【００１４】このような配線基板を用いた液晶表示装置
においては、図示の画素電極５１と隣接する画素電極
（ここでは画素電極５１の上に配置されている図示しな
い画素電極）に接続されたＴＦＴ５５が２本の走査配線
５２、５２’により駆動されるため、２本の走査配線５
２、５２’のうちのいずれか１本が断線しても、短絡線
５４、５４’を介してＴＦＴ５５に走査電圧を印加する
ことができる。また、この液晶表示装置においては、ア
クティブマトリクス基板側に短絡線５４、５４’が画素
電極５１に一部重畳して設けられているため、隣合う画
素電極５１の間から光が漏れるのを防ぐために一般に対
向基板側に形成される遮光パターンの一部として短絡線
５４、５４’を機能させ、遮光パターンの一部を省略す
ることができる。

【００１５】また、走査配線を２重化した他の構造とし
ては、図１８に示すような配線基板も提案されている。
この配線基板は、走査配線５２と予備の走査配線３２と
が一定の間隔を開けて平行かつ交互に配置され、両者が
短絡線３２ａで接続されている。この構成によれば、走
査配線５２が断線しても走査電圧が予備の走査配線３２
を通って断線箇所を迂回することができるので、断線箇
所よりも先の走査配線５２部分に走査電圧を印加するこ
とができる。

【００１６】また、信号配線を２重化した構造として
は、図１９及び図２０に示すような配線基板が提案され
ている。図１９は配線基板の構成を示す平面図であり、
図２０はその１画素分を示す平面図である。この配線基
板は、信号配線５３と予備の信号配線１０５とが一定の
間隔を開けて平行かつ交互に配置され、両者が短絡線１
０５ａで接続されている。この構成によれば、信号配線
５３が断線しても信号電圧が予備の信号配線１０５を通
って断線箇所を迂回することができるので、断線箇所よ
りも先の信号配線５３部分に信号電圧を印加することが
できる。

【００１７】このように信号配線や走査配線の断線の発
生を抑制する方法以外に、以下のような走査配線や信号
配線の断線を修正する方法が提案されている。

【００１８】例えば、特開平８−２０３８９８号公報
「電子回路基板の配線修正方法及びその装置並びに電子
回路基板」に開示されている方法を図２１に示す。ここ
では、配線の断線箇所の両側の部分４２、４２’の上に
金属材料の有機溶液４３を直接塗布し、レーザー光を照
射して加熱することにより導電膜４３’を形成する。な
お、図２１において、４１は基板であり、４４はレーザ
ー光である。

【００１９】また、特開平５−８８１９１号公報「レー
ザーを使用した修理装置およびパッシベーション層に開
口する方法」に開示されている方法を図２２に示す。こ
こでは、断線した信号配線上を覆うパッシベーション膜
をレーザー光３０’で除去することにより断線箇所の両
側に開口部１４０、１４２を設けて、その上に金属材料
を含む有機溶液１４４を塗布し、レーザー光を照射して
加熱することにより導電膜１４４’を形成する。なお、
図２２において、９０は有機溶液１４４の吐出口、５０
はレーザー光である。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におい
ては、表示装置の高開口率化及び高精細化を図るために
バスライン幅が極限まで細線化され、その一方でバスラ
イン同士の交差部が増加しているため、バスラインの断
線不良やバスライン同士の交差部におけるリーク不良等
の発生頻度が、従来に比べて増加傾向にある。

【００２１】このような断線不良やリーク不良が発生す
ると、バスラインからスイッチング素子を介して画素電
極に正常な電圧が印加されないため、ライン状欠陥とし
て表示される。このライン状欠陥は表示装置としては致
命的な欠陥であるため、この欠陥が発生した表示装置は
不良品として廃棄される。その結果、表示装置の良品率
が低下して製造コストの上昇を招くという問題が生じ
る。

【００２２】また、上述の１つの画素電極にバスライン
を２本設けるという従来技術では、一般的な構成である
画素電極と同層にバスラインを設けた構造に適用した場
合、画素電極と同層のバスラインとが接触しないように
配置するために画素電極を大きくすることができず、高
開口率化の妨げとなる。さらに、その制限の中で僅かで
も開口率を高めるためには、２本設けたバスライン同士
の間隔を狭める必要があり、そのバスライン同士の間の
リーク不良が発生しやすくなる。

【００２３】また、上述の配線の断線箇所に局所的に導
電膜を形成して欠陥を修復するという従来技術では、そ
の導電膜が他の導電膜パターンに接触してリーク不良を
生じないように導電膜の形状を制御する必要があり、欠
陥修正プロセスや装置が複雑になる。

【００２４】さらに、上述した断線した配線上を覆うパ
ッシベーション膜をレーザー光等で除去して少なくとも
２箇所に開口部を設け、そのパッシベーション膜上に開
口部を覆って金属有機溶液を塗布し、レーザー光等を照
射して導電膜を形成する従来技術では、パッシベーショ
ン膜に開口部を設ける際にパッシベーション膜のみを選
択的に除去して下層の配線を損傷しないようにする必要
がある。このためにはレーザー照射装置を高度に制御す
る必要があり、欠陥修正の信頼性に対する課題が残され
ている。

【００２５】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、ライン状の画素欠陥を複
雑なプロセスや装置を必要とせずに高い信頼性で修正す
ることが可能なアクティブマトリクス型表示装置及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。

【００２６】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス型表示装置は、マトリクス状に配置された複数の
画素電極及び各画素電極に接続されたスイッチング素子
を備え、該スイッチング素子に走査電圧を与えるための
走査配線及び該スイッチング素子に信号電圧を与えるた
めの信号配線が互いに交差して設けられているアクティ
ブマトリクス型表示装置において、該走査配線及び該信
号配線のうちの少なくとも一方を覆い、かつ、その配線
を２箇所以上の部分で露出させるコンタクトホールを設
けた絶縁膜を有し、該絶縁膜上に、少なくとも一方の配
線における断線不良部又は両配線の交差部におけるリー
ク不良部を挟む２つのコンタクトホールにわたって導電
膜が設けられており、そのことにより上記目的が達成さ
れる。

【００２７】本発明のアクティブマトリクス型表示装置
の製造方法は、マトリクス状に配置された複数の画素電
極及び各画素電極に接続されたスイッチング素子を備
え、該スイッチング素子に走査電圧を与えるための走査
配線及び該スイッチング素子に信号電圧を与えるための
信号配線が互いに交差して設けられたアクティブマトリ
クス型表示装置を製造する方法において、該走査配線及
び該信号配線のうちの少なくとも一方を覆う絶縁膜に、
該絶縁膜で覆われた配線を露出させるコンタクトホール
を２個以上形成する工程と、該当する配線に断線不良が
生じている場合に、該不良部を挟む２つのコンタクトホ
ールにわたって、該絶縁膜上に導電膜を形成する工程と
を含み、そのことにより上記目的が達成される。

【００２８】本発明のアクティブマトリクス型表示装置
の製造方法は、マトリクス状に配置された複数の画素電
極及び各画素電極に接続されたスイッチング素子を備
え、該スイッチング素子に走査電圧を与えるための走査
配線及び該スイッチング素子に信号電圧を与えるための
信号配線が互いに交差して設けられたアクティブマトリ
クス型表示装置を製造する方法において、該走査配線及
び該信号配線のうちの少なくとも一方を覆う絶縁膜に、
該絶縁膜で覆われた配線を露出させるコンタクトホール
を２個以上形成する工程と、両配線の交差部にリーク不
良が生じている場合に、該当する配線を該不良部の両側
で切断する工程と、該切断部を挟む２つのコンタクトホ
ールにわたって、該絶縁膜上に導電膜を形成する工程と
を含み、そのことにより上記目的が達成される。

【００２９】前記走査配線及び前記信号配線のうちの少
なくとも一方の配線を前記画素電極が設けられている表
示領域の両外側まで延在させ、前記コンタクトホールを
該当する配線の両端部に１つずつ形成してもよい。

【００３０】前記コンタクトホールを、前記走査配線及
び前記信号配線の各交差部から所定の間隔を開けた位置
に１つずつ形成してもよい。

【００３１】前記信号配線を覆う絶縁膜として有機絶縁
膜を形成し、該絶縁膜上に前記画素電極を形成してもよ
い。

【００３２】前記有機絶縁膜上に前記導電膜及び前記画
素電極を同じ材料を用いて同時にパターン形成してもよ
い。

【００３３】前記導電膜を覆うように第２の絶縁膜を形
成し、前記画素電極を該第２の絶縁膜上に形成してもよ
い。

【００３４】前記絶縁膜及び第２の絶縁膜のうちの少な
くとも一方として有機絶縁膜を形成してもよい。

【００３５】前記導電膜を、前記２つのコンタクトホー
ルにわたって前記絶縁膜上に金属材料を含む有機溶液を
供給して加熱することにより形成してもよい。

【００３６】前記有機溶液の金属材料として金属錯体を
用い、又はＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ及びＡｌの少なくとも１種
類の金属微粒子を用いてもよい。

【００３７】以下に、本発明の作用について説明する。

【００３８】本発明にあっては、走査配線及び信号配線
のうちの少なくとも一方の配線を覆うように設けられて
いる絶縁膜に、その配線を露出させるコンタクトホール
を２個以上設けてある。その配線に断線不良が生じた場
合には、その不良部を挟む２つのコンタクトホールにわ
たって絶縁膜上に導電膜を設ける。この導電膜により、
その不良を有する配線が２つのコンタクトホールを介し
て不良部の両側で接続され、信号電圧又は走査電圧がそ
の導電膜を通って不良部を迂回する。これにより、断線
不良部よりも先の走査配線部分に走査電圧を供給するこ
とができるので、その走査配線に沿って配置される全て
の画素電極に走査電圧を印加することが可能である。ま
た、断線不良部よりも先の信号配線部分に信号電圧を供
給することができるので、その信号配線に沿って配置さ
れる全ての画素電極に信号電圧を印加することが可能で
ある。

【００３９】また、本発明にあっては、走査配線と信号
配線との交差部にリーク不良が生じた場合に、そのリー
ク不良部の両側で走査配線及び信号配線のうちの少なく
とも一方の配線を切断する。そして、その切断部を挟む
２つのコンタクトホールにわたって絶縁膜上に導電膜を
設ける。リーク不良が生じた部分の両側で信号配線を切
断すると、信号配線に信号電圧が印加されなくなるの
で、走査配線と信号配線とのリーク不良が生じなくな
る。また、この導電膜により、その切断された配線が２
つのコンタクトホールを介して切断部の両側で接続さ
れ、信号電圧又は走査電圧がその導電膜を通って不良部
を迂回する。これにより、走査配線を切断してもその切
断部よりも先の走査配線部分に走査電圧を供給すること
ができるので、その走査配線に沿って配置される全ての
画素電極に走査電圧を印加することが可能である。ま
た、信号配線を切断してもその切断不良部よりも先の信
号配線部分に信号電圧を供給することができるので、そ
の信号配線に沿って配置される全ての画素電極に信号電
圧を印加することが可能である。

【００４０】上記絶縁膜のコンタクトホールは、走査配
線又は信号配線の両端部に１つず設けてもよい。この場
合、画素電極が設けられていない表示領域外にコンタク
トホールを配置できるので、コンタクトホールの面積を
広くして走査配線と導電膜との接続面積又は信号配線と
導電膜との接続面積を広くすることができる。従って、
それらの接続抵抗が低く抑えると共に接続の信頼性を向
上させることができる。また、表示領域外を迂回するよ
うに導電膜を設けることにより、断線箇所を特定できな
くても断線した配線を特定することができれば欠陥修復
を行うことが可能となる。従って、検査時間の短縮や装
置の簡略化を図ることができる。

【００４１】また、上記絶縁膜のコンタクトホールは、
走査配線及び信号配線の各交差部から所定の間隔を開け
た位置に１つずつ設けてもよい。この場合、ある画素電
極に対応する走査配線部分と、隣接する画素電極に対応
する走査配線部分とを全て導電膜により接続でき、又
は、ある画素電極に対応する信号配線部分と、隣接する
画素電極に対応する信号配線部分とを全て導電膜により
接続できる。これに対して、コンタクトホールを各交差
部から２つ以上の位置に形成した場合、各コンタクトホ
ールの間に存在する走査配線部分が、隣接する画素電極
に対応する走査配線部分と接続されず、又は、各コンタ
クトホールの間に存在する信号配線部分が、隣接する画
素電極に対応する信号配線部分と接続されない。

【００４２】上記信号配線を覆う絶縁膜の上に画素電極
を設けて走査配線や信号配線と一部重畳させることによ
り、表示装置の高開口率化を図ることができる。ここ
で、有機絶縁膜を用いると、有機絶縁膜は一般に誘電率
が低いため、画素電極と信号配線との間の容量を小さく
することができ、また、信号配線の下方に形成される走
査配線と画素電極との間の容量も小さくすることができ
る。

【００４３】ところで、走査配線を覆う絶縁膜上に信号
配線を形成する際に、絶縁膜の形成不良や絶縁膜の剥が
れ、絶縁膜の成膜前又は成膜中に混入する異物等によっ
て急峻な凹凸が発生し、それによって信号配線が断線す
ることがある。そこで、走査配線や信号配線を覆う絶縁
膜として有機絶縁膜を設けてその上に導電膜を形成する
と、有機絶縁膜は一般に平坦化が可能であるため、導電
膜の断線が発生しにくくなる。また、画素電極と導電膜
とを同じ材料を用いて同時にパターニングすることによ
り、製造コストが削減される。

【００４４】上記画素電極は、上記導電膜を覆う第２の
絶縁膜上に設けてもよい。この場合、画素電極と導電膜
とが別層に形成されるので、画素電極と導電膜とのリー
クが極めて生じにくくなる。また、欠陥修正のために設
けるコンタクトホールと導電膜とを第２の絶縁膜で覆う
ことにより、コンタクトホールで露出している配線と導
電膜とを保護することができ、修正の信頼性が飛躍的に
向上する。

【００４５】また、上記走査配線及び信号配線を覆う絶
縁膜及び第２の絶縁膜のうちの少なくとも一方を有機絶
縁膜にすると、それらの絶縁膜を平坦化することができ
るので、導電膜の断線を低減することができる。

【００４６】上記導電膜は、２つのコンタクトホールに
わたって絶縁膜上に金属材料を含む有機溶液を供給して
加熱することにより形成することができる。

【００４７】例えば、金属錯体を含む有機溶液を使用す
ることにより、真空中で薄膜を形成するスパッタリング
やＣＶＤと異なり、大気中で容易にバイパスを形成する
ことができる。

【００４８】また、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ及びＡｌの少なく
とも１種類の金属微粒子を含む有機溶液を使用すること
により、導電膜の抵抗を下げて修正による配線抵抗の増
加を抑制することができる。

【００４９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。

【００５０】（実施形態１）図１（ａ）は実施形態１の
アクティブマトリクス型の液晶表示装置（以下、各実施
形態において液晶表示装置と称する）において、表示媒
体（ここでは液晶層）を挟んで対向配置される一対の配
線基板のうちの一方の構成を示す平面図であり、図１
（ｂ）はそのＴＦＴ部分の拡大図であり、図２はその１
画素分の拡大図である。また、図３（ａ）は図２のＡ−
Ａ’線部分の断面図であり、図３（ｂ）はそのコンタク
トホール部分の拡大図であり、図４はそのＴＦＴ部分の
断面図である。

【００５１】この液晶表示装置は、図１及び図２に示す
ように、ガラス等の透光性を有する絶縁性の基板８上
に、走査配線としての複数のゲート線１、信号配線とし
ての複数のデータ線２、及び複数の補助容量配線（以
下、Ｃｓ線と称する）３が一定の間隔を開けて互いに平
行に設けられた配線基板を備えている。

【００５２】ここで、データ線２はゲート線１と交互に
（ここでは直交して）設けられ、Ｃｓ線３は全画素に共
通してゲート線１と平行かつ交互に配置されている。

【００５３】ゲート線１及びデータ線２の交差部近傍に
はスイッチング素子としてのＴＦＴ（以下、ＴＦＴと称
する）６が設けられている。ＴＦＴ６は、図４に示すよ
うに、半導体層６ａを有しており、この半導体層６ａは
ゲート線１の上にゲート絶縁膜９を介して形成されてい
る。半導体層６ａの中央部はチャネル領域となってお
り、その一方の端部は半導体コンタクト層１４を介して
データ線２から分岐された下層データ電極１７及びデー
タ電極１５と接続され、他方の端部は半導体コンタクト
層１４を介して下層ドレイン電極１６及びドレイン電極
７に接続されている。

【００５４】データ線２は、図３（ａ）及び図３（ｂ）
に示すように、絶縁膜１２で覆われており、絶縁膜１２
にはデータ線２の上に画素電極４毎にコンタクトホール
５ａが設けられている。このコンタクトホール５ａは第
２の絶縁膜（層間絶縁膜）１３で覆われており、その層
間絶縁膜１３を介して隣合うゲート線１、１と隣合うソ
ース線２、２とに一部重畳するように画素電極４が設け
られている。

【００５５】また、ドレイン電極７は画素電極４の下ま
で延びており、絶縁膜１２に設けられたコンタクトホー
ル４ａを介して画素電極４に接続されている。

【００５６】Ｃｓ線３は、基板８上にゲート線１と交互
に１本ずつ同じ本数だけ配され、図４に示すように、ゲ
ート線１と同層に設けられている。このＣｓ線３上に
は、ゲート絶縁膜９を介して１画素当たり１つの補助容
量電極（以下、Ｃｓ電極と称する）１０が形成されてい
る。このＣｓ電極１０は、絶縁膜１２及び層間絶縁膜１
３に設けられたコンタクトホール４ｂを介して画素電極
４と接続されている。

【００５７】また、ゲート絶縁膜９上には、Ｃｓ電極１
０の両側に、信号配線としての下層データ線１１及びデ
ータ線２がゲート線１と交差して設けられている。

【００５８】これらは絶縁膜１２で覆われており、デー
タ線２に断線が発生がした場合には、その断線部の両側
のコンタクトホール５ａ、５ａにわたって絶縁膜１２上
に導電膜５が設けられる。これにより導電膜５がコンタ
クトホール５ａ、５ａを介してデータ線２と接続され、
データ線２における断線部の両側が導電膜５により接続
される。

【００５９】その導電膜５の上を覆って第２の絶縁膜と
しての層間絶縁膜１３が設けられており、その上に画素
電極４が設けられている。

【００６０】ここで、絶縁膜１２の膜厚はデータ線２の
膜厚から１μｍの範囲に設定するのが好ましい。また、
層間絶縁膜１３の膜厚は１μｍから５μｍの範囲に設定
するのが好ましく、さらに好ましくは１．５μｍから３
μｍの範囲である。この層間絶縁膜１３の材料として
は、比誘電率の低い材料が用いるのが好ましい。

【００６１】この配線基板は、図示しない対向電極が設
けられた対向基板と所定の空隙を隔てて貼り合わせら
れ、その空隙に表示媒体としての液晶が封入されて液晶
表示装置（液晶パネル）が構成される。

【００６２】この液晶表示装置において、上記配線基板
のゲート線１にＯＮ電圧（走査電圧）が印加されるとＴ
ＦＴ６がＯＮ状態になり、データ線２に印加される信号
電圧が画素電極４に与えられる。これにより、その画素
電極４と対向電極との間の画素容量（液晶）を充電する
ようになっている。

【００６３】この実施形態１のアクティブマトリクス型
表示装置の製造について、図３（ａ）、図３（ｂ）、図
４及び図５を参照しながら説明する。

【００６４】まず、透光性及び絶縁性を有する基板８の
表面に導電性薄膜を形成し、これをパターニングするこ
とによりゲート線１及びＣｓ線３を形成する。ここで
は、基板８としてガラス基板を用いるが、透光性及び絶
縁性を有する基板であれば、他の材料からなるものを用
いても良い。

【００６５】次に、ゲート線１及びＣｓ線３を覆うよう
にゲート絶縁膜９となる絶縁性薄膜、半導体層６ａとな
る半導体薄膜、半導体コンタクト層１４となる半導体−
電極コンタクト材薄膜を順次形成する。ここでは絶縁性
薄膜として窒化シリコンを用い、半導体薄膜としてはア
モルファスシリコンを用いた。但し、絶縁性薄膜は、絶
縁性を有するものであれば他の材料を用いてもよい。

【００６６】続いて、透明導電性薄膜及び導電性薄膜を
順次形成し、導電性薄膜をパターニングすることにより
データ線２、ドレイン電極７及びデータ線２の一部であ
るソース電極１５を形成する。次に、上記透明導電性薄
膜をパターニングすることにより下層データ線１１、下
層ドレイン電極１６、下層ソース電極１７およびＣｓ電
極１０を形成する。ここでは透明導電性薄膜としてＩＴ
Ｏを用い、導電性薄膜としてＴａ系金属材料を用いた
が、導電性材料であれば他の材料を用いてもよい。ま
た、データバスライン、ドレイン電極、ソース電極およ
びＣｓ電極は１種類の導電性材料を用いて形成しても良
く、透明導電性材料を用いて形成してもよい。この場合
には、下層データバスライン１１および下層ドレイン電
極１６は不要になる。尚、データバスライン２の幅は、
電気的な駆動条件を考慮して約８μｍに設定した。以上
によりＴＦＴ６が形成される。

【００６７】その後、絶縁膜１２となる絶縁層を形成
し、データ線２上の絶縁膜１２にコンタクトホール５ａ
を形成する。ここでは、チッ化シリコンを用いて絶縁膜
１２を形成したが、絶縁性を有する材料であれば他の材
料を用いてもよく、後述する層間絶縁膜１３と同じ材料
を用いてもよい。

【００６８】ここで、データ線２に断線が生じている場
合には、図５に示すようにして修正を行うことができ
る。

【００６９】まず、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すよ
うに、絶縁膜１２の上に、少なくとも断線箇所Ｏｐを挟
む２つのコンタクトホール５ａにわたって導電性ペース
トを５ｂを供給する。ここで、Ｏｐは膜剥がれが原因で
発生する断線不良を示す。

【００７０】この導電性ペーストは金属材料を含む有機
溶液であり、液体状であるために所望の形状に描画する
ことができる。この導電性ペースト５ｂの材料として
は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属微粒子をα−テル
ピネオール、トルエン、キシレン等の有機溶媒に分散さ
せた溶液を使用することができる。また、Ｐｄ、Ｔｉ、
Ｐｔ、Ａｕ等の金属錯体を有機溶媒に溶解させた溶液等
を用いてもよい。さらに、加熱によって純度の高い導電
膜を析出・形成可能な材料であれば、他の材料を用いて
も良い。

【００７１】次に、塗布した導電性ペースト５ｂを加熱
・乾燥させることにより、図５（ｃ）に示すように、コ
ンタクトホール５ａから露出したデータ線２を不良部の
両側でつなぐ導電膜５を形成する。例えば、真空冶金株
式会社のカタログ「超微粒子による商標パーフェクトゴ
ールド＆シルバー」によれば、典型的な粒径である０．
０１μｍ程度のＡｕ超微粒子をα−テルビネオールに質
量比約５０％の濃度で分散させた溶液を用いた場合、３
００℃で１５分加熱して得られる膜厚０．２５μｍのＡ
ｕ薄膜は、断線を接続するのに充分低い抵抗値である比
抵抗値１１μΩｃｍを示すことが開示されている。な
お、このときの加熱方法として、ＡｒレーザーやＹＡＧ
レーザー等を用いた局所加熱方式を採用すれば、スルー
プットを短縮することができる。

【００７２】続いて、図５（ｄ）に示すように、層間絶
縁膜１３としての絶縁層を形成し、画素電極４とドレイ
ン電極７とを接続するためのコンタクトホール４ａ、及
び画素電極４とＣｓ電極１０とを接続するためのコンタ
クトホール４ｂを形成する。ここでは、比誘電率３．５
の感光性アクリル樹脂を用いて約３．０μｍの厚みの層
間絶縁膜１３を形成したが、絶縁性を有する材料であれ
ばその他の材料を用いてもよい。なお、絶縁膜１２およ
び第２の絶縁膜としての層間絶縁膜１３のうちの少なく
とも一方は有機絶縁膜であるのが好ましい。

【００７３】その後、ＩＴＯ等の導電性膜をパターニン
グすることにより画素電極４を形成する。このとき、コ
ンタクトホール４ａ、４ｂ内部にも導電性膜が形成さ
れ、画素電極４とドレイン電極７と、及び画素電極４と
Ｃｓ電極１０とが接続される。

【００７４】このようにして作製される配線基板と、対
向電極が設けられた対向基板とを所定の空隙を隔てて貼
り合わせ、その空隙に液晶を封入することにより液晶表
示装置が完成する。

【００７５】上記構成を有する本実施形態１のアクティ
ブマトリクス型表示装置は、以下のように優れた特徴を
備えている。

【００７６】（１）データ線２に断線が生じた場合、導
電膜５によりコンタクトホール５ａを介して断線箇所Ｏ
ｐの両側でデータ線２をつなぐことができるので、断線
発生箇所から先の画素電極４に信号電圧を印加すること
ができる。

【００７７】（２）ゲート線１とデータ線２との交差部
にリークが生じた場合には、以下のようにして修正を行
うことができる。

【００７８】まず、図６（ａ）に示すように、絶縁膜１
２の形成前に、例えばレーザー光等を照射することによ
りデータ線２をその交差部Ｌｋの両側Ｒで切断する。こ
れにより、交差部においてデータ線２に電圧が印加され
なくなり、ゲート線１とデータ線２とのリーク不良を修
正することができる。

【００７９】次に、図６（ｂ）に示すように絶縁膜１２
を形成し、図６（ｃ）に示すようにデータ線２を露出さ
せるコンタクトホール５ａを形成する。

【００８０】続いて、図６（ｄ）に示すように、絶縁膜
１２の上に、少なくとも切断部Ｒを挟む２つのコンタク
トホール５ａにわたって導電性ペーストを５ｂを供給す
る。

【００８１】次に、塗布した導電性ペースト５ｂを加熱
・乾燥させることにより、図６（ｅ）に示すように、コ
ンタクトホール５ａから露出したデータ線２を不良部の
両側でつなぐ導電膜５を形成する。これにより切断され
たデータ線２が修復され、その結果、交差部におけるゲ
ート線１とデータ線２とのリーク不良が修正される。

【００８２】その後、図６（ｆ）に示すように、層間絶
縁膜１３としての絶縁層を形成し、画素電極４とドレイ
ン電極７とを接続するためのコンタクトホール４ａ、及
び画素電極４とＣｓ電極１０とを接続するためのコンタ
クトホール４ｂを形成する。その上に、ＩＴＯ等の導電
性膜をパターニングすることにより画素電極４を形成す
ることにより配線基板が作製される。

【００８３】（３）導電膜５は絶縁膜１２上に設けられ
るので、データ線２が成膜中に混入した異物等によって
断線した場合でも、導電膜５は容易に異物を回避するこ
とができる。

【００８４】（４）導電膜５は層間絶縁膜１３で覆われ
ており、後のプロセスで導電膜５が保護されるので、信
頼性を向上させることができる。

【００８５】（５）コンタクトホール５ａがゲート信号
配線１とデータ信号配線２との交差部から所定の間隔を
開けた位置に１つずつ設けられているので、データ線２
のどの箇所に断線が生じても、導電膜５により断線発生
箇所から先の画素電極４に信号電圧を印加することがで
きる。

【００８６】（６）フォトリソグラフィプロセス等によ
りコンタクトホールを形成することができるので、エキ
シマレーザー等を用いて絶縁膜を除去する従来技術に比
べて、データ線２を損傷する危険性を極めて低くするこ
とができる。

【００８７】（７）バスラインを２重化した従来技術に
比べて、開口率を広くすることができる。

【００８８】なお、上記実施形態１では、画素電極４と
ドレイン電極７を直接接続させたが、図７に示すよう
に、Ｃｓ電極１０とドレイン電極７とを接続電極１０ａ
を介して接続させることにより、Ｃｓ電極１０及び接続
電極１０ａを介して画素電極４とドレイン電極７とを接
続させてもよい。

【００８９】また、図１及び図７では、Ｃｓ電極１０を
各画素に共通するＣｓ線３上に配して、Ｃｓ線３、ゲー
ト絶縁膜９及びＣｓ電極１０の重畳部に補助容量を設け
るＣｓ ｏｎ Ｃｏｍｍｏｎの構造を採用したが、図８
に示すように、隣接する画素電極４に対応するゲート線
１の上にＣｓ電極１０の一部を重畳させて、ゲート線
１、ゲート絶縁膜９及びＣｓ電極１０の重畳部に補助容
量を設けるＣｓ ｏｎＧａｔｅの構造としてもよい。

【００９０】（実施形態２）実施形態２のアクティブマ
トリクス型表示装置について、図９を用いて説明する。
尚、本実施形態２、後述の実施形態３および実施形態４
において、上述の実施形態１における構成要素と同様の
機能を有する構成要素については、同一の符号を付して
その説明を省略する。

【００９１】図９は実施形態２のアクティブマトリクス
型表示装置における配線基板の１画素分の構成を示す平
面図である。

【００９２】この配線基板において、ゲート線１、デー
タ線２、Ｃｓ線３及び画素電極４は実施形態１と同様に
配置されている。

【００９３】Ｃｓ線３上には、図示しないゲート絶縁膜
を介してＣｓ電極１０が形成されており、Ｃｓ ｏｎ
Ｃｏｍｍｏｎ構造の補助容量が形成されている。このＣ
ｓ電極１０は、ゲート絶縁膜のコンタクトホール４ｂを
介して画素電極４と接続されている。

【００９４】これらを覆って設けられた図示しない絶縁
膜１２には、実施形態１のコンタクトホール５ａの代わ
りに、ゲート線１の上に画素電極４毎にコンタクトホー
ル２２ａが設けられている。

【００９５】この実施形態２のアクティブマトリクス型
表示装置は、絶縁膜１２にコンタクトホール５ａを形成
する工程を省略し、その代わりに絶縁膜１２にコンタク
トホール２２ａを形成する工程を加える以外は、実施形
態１と同様にして作製することができる。

【００９６】このアクティブマトリクス型表示装置のゲ
ート線１が断線した場合には、実施形態１で導電膜５を
形成する場合と同様にして、絶縁膜１２のコンタクトホ
ール２２ａから露出したゲート線１に導電膜２２を接続
する。

【００９７】この実施形態２のアクティブマトリクス型
表示装置は、以下のように優れた特徴を備えている。

【００９８】（１）ゲート線１に断線が生じた場合、導
電膜２２により断線発生箇所から先の画素電極４に走査
電圧を印加することができる。

【００９９】（２）ゲート線１とデータ線２との交差部
にリークが生じた場合、絶縁膜１２の形成前に、例えば
レーザー光等を照射することによりゲート線１をその交
差部の両側で切断する。これにより、交差部においてゲ
ート線１に電圧が印加されなくなり、ゲート線１とデー
タ線２とのリーク不良を修正することができる。次に、
コンタクトホール２２ａから露出したゲート線１を不良
部の両側でつなぐ導電膜２２を形成することにより、切
断されたデータ線２が修復され、その結果、交差部にお
けるゲート線１とデータ線２とのリーク不良が修正され
る。

【０１００】（３）コンタクトホール２２ａがゲート信
号配線１とデータ信号配線２との交差部から所定の間隔
を開けた位置に１つずつ設けられているので、ゲート線
１のどの箇所に断線が生じても、導電膜２２により断線
発生箇所から先の画素電極４に信号電圧を印加すること
ができる。

【０１０１】（４）フォトリソグラフィプロセス等によ
りコンタクトホールを形成することができるので、エキ
シマレーザー等を用いて絶縁膜を除去する従来技術に比
べて、データ線２を損傷する危険性を極めて低くするこ
とができる。

【０１０２】（５）バスラインを２重化した従来技術に
比べて、開口率を広くすることができる。

【０１０３】なお、上記実施形態２では、Ｃｓ電極１０
を各画素に共通するＣｓ線３上に配して、Ｃｓ線３、ゲ
ート絶縁膜及びＣｓ電極１０の重畳部に補助容量を設け
るＣｓ ｏｎ Ｃｏｍｍｏｎの構造を採用したが、図１
０に示すように、隣接する画素電極４に対応するゲート
バスライン１の上にＣｓ電極１０の一部を重畳させて、
ゲートバスライン１、ゲート絶縁膜およびＣｓ電極１０
の重畳部に補助容量を設けるＣｓ ｏｎ Ｇａｔｅの構
造としてもよい。

【０１０４】また、実施形態２の構成に加えて、絶縁膜
１２に実施形態１と同様のコンタクトホール５ａを形成
することにより、ゲート線１の断線を修正可能すると共
にデータ線２の断線を修正可能とすることもできる。

【０１０５】（実施形態３）実施形態３のアクティブマ
トリクス型表示装置について、図１１を参照しながら説
明する。

【０１０６】図１１及び図１２は実施形態３のアクティ
ブマトリクス型表示装置における配線基板の構成を示す
平面図である。

【０１０７】この配線基板においては、コンタクトホー
ル５ａおよびコンタクトホール２２ａを設けずに、表示
領域外のデータ線２の両端部にコンタクトホール５ｃ、
ゲート線１の両端部にコンタクトホール２２ｃを設けた
以外は実施形態１及び実施形態２と同様の構成を有して
いる。

【０１０８】ゲート線１及びデータ線２は、画素電極４
が設けられている表示領域よりも外側で幅が広くなって
おり、コンタクトホール５ｃ、２２ｃの面積が実施形態
１や実施形態２よりも広くなっている。

【０１０９】この実施形態３のアクティブマトリクス型
表示装置は、実施形態１及び実施形態２のアクティブマ
トリクス型表示装置の優れた特徴に加えて、さらに、以
下のように優れた特徴を備えている。

【０１１０】（１）断線箇所を特定できなくても、断線
した配線を検出できれば、両端のコンタクトホール５ｃ
同士、またはコンタクトホール２２ｃ同士を接続する導
電膜を形成することにより、信号電圧又は走査電圧を全
ての画素電極に供給して断線不良やリーク不良を修正す
ることができる。

【０１１１】（２）コンタクトホール５ｃ、２２ｃの面
積が広いので、コンタクトホール５ｃ、２２ｃから露出
しているバスライン（ゲート線１、データ線２）の面積
が広くなり、導電膜との接続の信頼性を向上することが
できる。

【０１１２】（実施形態４）実施形態４のアクティブマ
トリクス型表示装置について、図１３、図１４及び図１
５を用いて説明する。なお、これらの図において、画素
電極は省略して示してある。

【０１１３】本実施形態４のアクティブマトリクス型表
示装置における配線基板は、実施形態１と同様に、デー
タ線１を覆う絶縁膜１２に、各画素電極毎にデータ線１
を露出させるコンタクトホール５ａが設けられている。

【０１１４】この実施形態４のアクティブマトリクス型
表示装置において、図１４に示すようにゲート線１とデ
ータ線２との交差部Ｒでリーク不良が生じた場合には、
以下のようにして欠陥修正を行う。

【０１１５】まず、交差部Ｒを挟むコンタクトホール５
ａ、５ａにわたって交差部Ｒを迂回する導電膜５を形成
する。

【０１１６】次に、その交差部Ｒの両側Ｒ１、Ｒ２にレ
ーザー光等を照射してデータ線２を切断する。これによ
り、交差部Ｒにおいてデータ線２に電圧が印加されなく
なって、ゲート線１とデータ線２とのリーク不良が修正
される。また、信号電圧は導電膜５により交差部Ｒより
先のデータ線２に供給される。

【０１１７】また、データ線２とＣｓ線３との交差部Ｓ
でリーク不良が生じた場合にも、応用に、レーザー光等
を照射してその交差部Ｓの両側でデータ線２を切断す
る。これにより、交差部Ｓにおいてデータ線２に電圧が
印加されなくなり、データ線２とＣｓ線３とのリーク不
良を修正することができる。

【０１１８】また、配線基板に断線不良が生じた場合に
は、以下のようにして欠陥修正を行う。、例えば、図１
５に示すようなデータ線２のＯｐ部分で断線不良が生じ
た場合には、断線箇所を挟むコンタクトホール５ａ、５
ａにわたって導電膜５を形成して電気的バイパスとす
る。これにより、信号電圧が導電膜５を通って断線不良
部Ｏｐを迂回し、導電膜５にコンタクトホール５ａを介
して接続されたデータ線２に供給される。

【０１１９】さらに、配線基板に図１５に示すような断
線不良Ｏｄが発生した場合には、その不良部Ｏｄを迂回
するようにＯｄを挟むコンタクトホール５ａ、５ａにわ
たって導電膜５ａを形成する。ここで、Ｏｄは異物（ダ
スト）が原因で発生する断線不良を示す。

【０１２０】このように、本実施形態４のアクティブマ
トリクス型表示装置によれば、断線不良が生じた場合に
は断線部に導電膜５で電気的バイパスを設けることによ
り、データ線２の断線不良部を迂回してデータ線２への
電圧印加を維持することができる。それと共に、配線の
交差部でリーク不良が生じた場合にはリーク不良部から
データ線２を切り離し、導電膜５で電気的バイパスを設
けることにより、リーク不良部を迂回してデータ線２へ
の電圧印加を維持することができる。

【０１２１】なお、図１３〜図１５では、データ線２上
に絶縁膜１２のコンタクトホール５ａを設けたが、実施
形態２のようにゲート線１上に絶縁膜１２のコンタクト
ホール２２ａを設けた構成とすることもできる。

【０１２２】また、上記実施形態１〜４では、レーザー
光の照射によりバスラインを切断したが、配線基板と対
向基板とを貼り合わせる前にリーク不良が発見された場
合には、レーザー光以外の物理的手段又は化学的手段に
よりバスラインを切断してもよい。また、配線基板の製
造過程においてリーク不良を修正する場合も同様であ
る。

【０１２３】また、上記実施形態１〜３では、ゲート線
１又はデータ線２に断線不良が生じた場合について説明
したが、ゲート線１とデータ線２との交差部、及びデー
タ線２とＣｓ線３との交差部でリーク不良が発生した場
合には、実施形態４と同様にリーク不良を有する交差部
の両側でゲート線１又はデータ線２を切断することによ
り、リーク不良を修正することができる。

【０１２４】また、上記実施形態１〜４においては、ス
イッチング素子として逆スタガ型ＴＦＴを用いたが、ス
タガ型ＴＦＴやＭＩＭ素子等の他のスイッチング素子を
用いてもよく、スイッチング素子として動作できるもの
であれば、上記材料、構造及び製造方法については特に
限定しない。せずに用いることができる。尚、スタガ型
ＴＦＴを用いる場合、ゲート線及び半導体層の配置は逆
スタガ型ＴＦＴの場合と異なったものになる。また、Ｍ
ＩＭ素子を用いる場合、上述の配線基板上に走査配線と
してのゲート線１が省略された構造となり、その代わり
に対向基板（又はカラーフィルタ基板）上に画素電極と
同じ幅の走査配線が設けられる。従って、この場合に
は、配線基板上にＭＩＭ素子と共に形成されるデータ線
について本発明の適用が可能である。但し、この場合、
画素電極と各データ線とは絶縁膜を介して別層に形成さ
れる。

【０１２５】また、実施形態１〜４においては、導電膜
５をデータ線２を覆う絶縁膜１２の上に形成し、その上
に設けた第２の絶縁膜（層間絶縁膜）１３上に画素電極
４を形成したが、導電膜５と画素電極４とを同じ絶縁膜
上の同層に形成しても良い。

【０１２６】さらに、表示媒体としては液晶を用いた
が、プラズマ等の他の表示媒体を用いても良い。

【０１２７】

【発明の効果】以上の詳述したように、本発明による場
合には、走査配線又は信号配線に断線不良が生じた場合
に、走査電圧又は信号電圧が導電膜を介して不良部を迂
回して、その断線不良部より先の走査配線または信号配
線に走査電圧又は信号電圧が印加される。そのため、あ
る画素電極と隣接する画素電極との間で走査配線又は信
号配線に断線不良が生じても、断線箇所より先に設けら
れた画素電極に走査電圧又は信号電圧を印加することが
できる。この結果、ライン状欠陥の発生を防いでアクテ
ィブマトリクス型表示装置の良品率を大幅に高め、製造
コストの低減を図ると共に信頼性を向上させることがで
きる。

【０１２８】また、本発明による場合には、走査配線と
信号配線との交差部にリーク不良が生じた場合に、リー
ク不良が生じた部分の両側で走査配線又は信号配線が切
断されているので走査配線と信号配線とのリーク不良を
修正可能である。また、その部分で走査配線や信号配線
を切断しても、走査電圧又は信号電圧が導電膜を介して
その切断部を迂回してその切断部より先の走査配線また
は信号配線に走査電圧又は信号電圧が印加される。その
ため、ある画素電極と隣接する画素電極との間で走査配
線及び信号配線の交差部にリーク不良が生じても、リー
ク不良箇所より先に設けられた画素電極に走査電圧又は
信号電圧を印加することができる。この結果、ライン状
欠陥の発生を防いでアクティブマトリクス型表示装置の
良品率を大幅に高め、製造コストの低減を図ると共に信
頼性を向上させることができる。

【０１２９】また、絶縁膜のコンタクトホールを走査配
線又は信号配線の両端部に１つずつ設けることにより、
コンタクトホールの数を必要最低限の個数とし、表示領
域外に広い面積のコンタクト部を形成することができ
る。また、断線不良部の位置を特定できない場合でも、
配線の両端を接続することにより断線欠陥を修正するこ
とができるので、断線不良部を特定するための検査プロ
セスを簡略化することができる。その結果、アクティブ
マトリクス型表示装置の製造コストの低減を図ると共に
信頼性をさらに向上させることができる。

【０１３０】また、絶縁膜のコンタクトホールを走査配
線及び信号配線の交差部から所定の間隔を開けた位置に
１つずつ設けることにより、ある画素電極に対応する走
査配線部分と、隣接する画素電極に対応する走査配線部
分とを全て導電膜により接続でき、又は、ある画素電極
に対応する信号配線部分と、隣接する画素電極に対応す
る信号配線部分とを全て導電膜により接続できる。従っ
て、走査配線や信号配線が導電膜によって接続されない
箇所をなくすることができる。その結果、アクティブマ
トリクス型表示装置の製造コストの低減を図ると共に信
頼性を向上させることができ、さらに、高い表示品位を
実現することができる。

【０１３１】また、画素電極を走査配線及び信号配線を
覆う有機絶縁膜上に設けることにより、画素電極と信号
配線との間の容量を小さくすることができると共に、信
号配線の下方に形成される走査配線と画素電極との間の
容量も小さくすることができる。従って、画素電極と信
号配線との間の容量によるクロストークを低減すること
ができると共に、画素電極と走査配線との間の容量によ
る画素電圧の引き込みを抑制することができる。その結
果、これらの容量による影響を抑えて表示品位をさらに
向上させることができる。

【０１３２】また、走査配線及び信号配線を覆う有機絶
縁膜上に不良部を迂回するための上記導電膜を形成する
と、導電膜の断線が発生しにくいので歩留りを向上させ
ることができる。また、画素電極と導電膜とを同層に形
成すると、１枚のマスクを用いてこれらを同時にパター
ニングできるので、製造コストをさらに削減できる。

【０１３３】また、走査配線や信号配線を覆う上記絶縁
膜上に上記導電膜を設け、その導電膜を覆うように設け
た第２の絶縁膜上に画素電極を設けると、画素電極と導
電膜とが別層に形成されるので、画素電極と導電膜との
リークが極めて生じにくくなる。また、絶縁膜のコンタ
クトホールと導電膜とが第２の絶縁膜で覆われるので、
コンタクトホールで露出している配線と導電膜とを保護
することができ、修正の信頼性が飛躍的に向上する。

【０１３４】この走査配線や信号配線を覆う上記絶縁膜
を有機絶縁膜とした場合、ゲート絶縁膜の剥がれによる
急峻な段差により信号配線に断線が生じても、絶縁膜に
よりその段差を埋めて平坦化することができるので、そ
の上に設けられる導電膜は断線しにくくなる。従って、
ゲート絶縁膜の膜剥がれにより信号配線の断線が生じて
も、導電膜により信号電圧を迂回させて全ての画素電極
に信号電圧を供給することができる。

【０１３５】また、この導電膜を覆う第２の絶縁膜を有
機絶縁膜とした場合、各配線の段差を埋めて平坦化する
ことができるので、液晶等の表示媒体の配向乱れを防い
で表示品位を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は実施形態１のアクティブマトリクス型
表示装置における配線基板の構成を示す平面図であり、
（ｂ）はそのＴＦＴ部分を拡大して示す平面図である。

【図２】実施形態１のアクティブマトリクス型表示装置
における配線基板の１画素分の拡大図である。

【図３】（ａ）は図２のＡ−Ａ’線断面図であり、
（ｂ）はコンタクトホール部分の拡大図である。

【図４】実施形態１のアクティブマトリクス型表示装置
における配線基板のＴＦＴ部分の断面図である

【図５】（ａ）〜（ｄ）は実施形態１のアクティブマト
リクス型表示装置において断線不良が生じた場合の修正
について説明するための工程図である。

【図６】（ａ）〜（ｆ）は実施形態１のアクティブマト
リクス型表示装置においてリーク不良が生じた場合の修
正について説明するための工程図である。

【図７】実施形態１のアクティブマトリクス型表示装置
における配線基板の他の構成を示す平面図である

【図８】実施形態１のアクティブマトリクス型表示装置
における配線基板の他の構成を示す平面図である

【図９】実施形態２のアクティブマトリクス型表示装置
における配線基板の１画素分の構成を示す平面図であ
る。

【図１０】実施形態２のアクティブマトリクス型表示装
置における配線基板の他の構成を示す平面図である

【図１１】実施形態３のアクティブマトリクス型表示装
置における配線基板について、データ線を露出させるコ
ンタクトホール部分を示す平面図である。

【図１２】実施形態３のアクティブマトリクス型表示装
置における配線基板について、ゲート線を露出させるコ
ンタクトホール部分を示す平面図である。

【図１３】実施形態４のアクティブマトリクス型表示装
置における配線基板の構成を示す平面図である

【図１４】実施形態４のアクティブマトリクス型表示装
置においてリーク不良が生じた場合の修正について説明
するための平面図である。

【図１５】実施形態４のアクティブマトリクス型表示装
置において断線不良が生じた場合の修正について説明す
るための平面図である。

【図１６】従来のアクティブマトリクス型表示装置にお
ける配線基板の１画素分の構成を示す平面図である。

【図１７】従来のアクティブマトリクス型表示装置にお
ける配線基板の１画素分の構成を示す平面図である。

【図１８】従来のアクティブマトリクス型表示装置にお
ける配線基板の１画素分の構成を示す平面図である。

【図１９】従来のアクティブマトリクス型表示装置にお
ける配線基板の構成を示す平面図である。

【図２０】従来のアクティブマトリクス型表示装置にお
ける配線基板の１画素分の構成を示す平面図である。

【図２１】（ａ）〜（ｃ）は従来の断線修正方法を説明
するための断面図である。

【図２２】（ａ）〜（ｃ）は従来の断線修正方法を説明
するための断面図である。

【符号の説明】

１ ゲート線 ２ データ線 ３ Ｃｓ線 ４ 画素電極 ４ａ、４ｂ、５ａ コンタクトホール ５、２２ 導電膜 ６ ＴＦＴ ６ａ 半導体層 ７ ドレイン電極 ８ 基板 ９ ゲート絶縁膜 １０ Ｃｓ電極 １１ 下層のデータ線 １２ 絶縁膜 １３ 層間絶縁膜 １４ 半導体コンタクト層 １５ データ電極 １６ 下層のドレイン電極 １７ 下層のデータ電極

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マトリクス状に配置された複数の画素電
   極及び各画素電極に接続されたスイッチング素子を備
   え、該スイッチング素子に走査電圧を与えるための走査
   配線及び該スイッチング素子に信号電圧を与えるための
   信号配線が互いに交差して設けられているアクティブマ
   トリクス型表示装置において、 該走査配線及び該信号配線のうちの少なくとも一方を覆
   い、かつ、その配線を２箇所以上の部分で露出させるコ
   ンタクトホールを設けた絶縁膜を有し、該絶縁膜上に、
   少なくとも一方の配線における断線不良部又は両配線の
   交差部におけるリーク不良部を挟む２つのコンタクトホ
   ールにわたって導電膜が設けられているアクティブマト
   リクス型表示装置。
2. 【請求項２】 マトリクス状に配置された複数の画素電
   極及び各画素電極に接続されたスイッチング素子を備
   え、該スイッチング素子に走査電圧を与えるための走査
   配線及び該スイッチング素子に信号電圧を与えるための
   信号配線が互いに交差して設けられたアクティブマトリ
   クス型表示装置を製造する方法において、 該走査配線及び該信号配線のうちの少なくとも一方を覆
   う絶縁膜に、該絶縁膜で覆われた配線を露出させるコン
   タクトホールを２個以上形成する工程と、 該当する配線に断線不良が生じている場合に、該不良部
   を挟む２つのコンタクトホールにわたって、該絶縁膜上
   に導電膜を形成する工程とを含むアクティブマトリクス
   型表示装置の製造方法。
3. 【請求項３】 マトリクス状に配置された複数の画素電
   極及び各画素電極に接続されたスイッチング素子を備
   え、該スイッチング素子に走査電圧を与えるための走査
   配線及び該スイッチング素子に信号電圧を与えるための
   信号配線が互いに交差して設けられたアクティブマトリ
   クス型表示装置を製造する方法において、 該走査配線及び該信号配線のうちの少なくとも一方を覆
   う絶縁膜に、該絶縁膜で覆われた配線を露出させるコン
   タクトホールを２個以上形成する工程と、 両配線の交差部にリーク不良が生じている場合に、該当
   する配線を該不良部の両側で切断する工程と、 該切断部を挟む２つのコンタクトホールにわたって、該
   絶縁膜上に導電膜を形成する工程とを含むアクティブマ
   トリクス型表示装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記走査配線及び前記信号配線のうちの
   少なくとも一方の配線を前記画素電極が設けられている
   表示領域の両外側まで延在させ、前記コンタクトホール
   を該当する配線の両端部に１つずつ形成する請求項２又
   は請求項３に記載のアクティブマトリクス型表示装置の
   製造方法。
5. 【請求項５】 前記コンタクトホールを、前記走査配線
   及び前記信号配線の各交差部から所定の間隔を開けた位
   置に１つずつ形成する請求項２又は請求項３に記載のア
   クティブマトリクス型表示装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記信号配線を覆う絶縁膜として有機絶
   縁膜を形成し、該絶縁膜上に前記画素電極を形成する請
   求項２乃至請求項５のいずれかに記載のアクティブマト
   リクス型表示装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記有機絶縁膜上に前記導電膜及び前記
   画素電極を同じ材料を用いて同時にパターン形成する請
   求項６に記載のアクティブマトリクス型表示装置の製造
   方法。
8. 【請求項８】 前記導電膜を覆うように第２の絶縁膜を
   形成し、前記画素電極を該第２の絶縁膜上に形成する請
   求項２乃至請求項６のいずれかに記載のアクティブマト
   リクス型表示装置の製造方法。
9. 【請求項９】 前記絶縁膜及び第２の絶縁膜のうちの少
   なくとも一方として有機絶縁膜を形成する請求項８に記
   載のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記導電膜を、前記２つのコンタクト
    ホールにわたって前記絶縁膜上に金属材料を含む有機溶
    液を供給して加熱することにより形成する請求項２乃至
    請求項９のいずれかに記載のアクティブマトリクス型表
    示装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記有機溶液の金属材料として金属錯
    体を用い、又はＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ及びＡｌの少なくとも
    １種類の金属微粒子を用いる請求項１０に記載のアクテ
    ィブマトリクス型表示装置の製造方法。