JPH0317614A - アクティブマトリクス表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は表示用絵素電極にスイッチング素子を介して駆
動信号を印加することにより、表示を実行する表示装置
の製造方法に関し、特に絵素電極をマトリクス状に配列
して高密度表示を行う、アクティブマトリクス駆動方式
の表示装置の製造方法に関する。

（従来の技術） 従来より、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、プラズマ表示
装置等に於いては、マトリクス状に配列された絵素電極
を選択駆動することにより、画面上に表示パターンが形
戊される。選択された絵素電極とこれに対向する対向電
極との間に電圧が印加され、その間に介在する表示媒体
の光学的変調が行われる。この光学的変調が表示パター
ンとして視認される。絵素電極の駆動方式として、個々
の独立した絵素電極を配列し、この絵素電極のそれぞれ
にスイノチング素子を連結して駆動するアクティブマト
リクス駆動方式が知られている。絵素電極を選択駆動す
るスイッチング素子としては、ＴＰＴ　（薄膜トランジ
スタ）素子、ＭＩＭ　（金属−絶縁層一金属）素子、Ｍ
ＯＳ｝ランジスタ素子、ダイオード、バリスタ等が一般
的に知られている。

アクティブマトリクス駆動方式は、高コントラストの表
示が可能であり、液晶テレビジョン、ワードブａセッサ
、コンピュータの端末表示装置等に実用化されている。

（発明が解決しようとする課Ｂ） このような表示装置を用いて高密度の表示を大画面で行
う場合、非常に多数の絵素電極とスイッチング素子とを
配列することが必要となる。しかしながら、スイッチン
グ素子は基板上に作製した時点で動作不良素子として形
成されることがある。

このような不良素子に連結された絵素電極は、表示に寄
与しない絵素欠陥を生ずることになる。

絵素欠陥を修正する為の構成が、例えば特開昭６１−１
５３６１９号公報に開示されている。この構成では、絵
素電極１個当り複数個のスイッチング素子が設けられる
。複数個のスイッチング素子のうちの一個が絵素電極に
接続され、他は絵素電極には接続されない。絵素電極に
接続されたスイッチング素子が不良の場合は、レーザト
リマ、超音波カッタ等により該スイッチング素子が絵素
電極から切り離され、他のスイッチング素子が絵素電極
に接続される。スイッチング素子と絵素電極との接続は
、微小な導体をディスペンサ等で付着させることにより
、或いは基板上にＡｕＳ　Ａｔ等を所定部位にコートす
ることにより行われる。

更に、特開昭６１−５６３８２号公報及び特開昭５９−
１０１６９３号公報には、レーザ光を照射して金属を溶
融させることにより、金ａ層相互間を電気的に接続する
構成が開示されている。

上記の欠陥修正は、表示装置を組み立てる前のアクティ
ブマトリクス基板の状態で行われている。

ところが、絵素欠陥をアクティブマトリクス基板の製作
段階で検出することは極めて困難である。

特に絵素数が１０万個〜５０万個以上もある大型表示装
置では、全ての絵素電極の電気的特性を検出して不良ス
イッチング素子を発見するには、極めて高精度の創定機
器等を使用しなければならない。そのため、検査工程が
繁雑となり、量産性が阻害される。従って、コスト高に
なるという結果を招く。このような理由で、絵素数の多
い大型表示装置では、実際には基板の状態で絵素欠陥の
発生位置を特定することは行われていない。そのため、
前述のレーザ光を用いた絵素欠陥の修正を行うことがで
きず、製造歩留りを向上させることができなかった。

本発明はこのような問題点を解決するために為されたも
のである。即ち、本発明の目的は、アクティブマトリク
ス表示装置を高い歩留りで得られる製造方法を提供する
ことである。

（課題を解決するための手段） 本発明のアクティブマトリクス表示装置の製造方法は、
少なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、該基阪
間に挿入され印加電圧に応答して光学的特性が変調され
る表示媒体と、を有するアクティブマトリクス表示装置
の製造方法に於いて、ｔｓＭの基板の何れか一方の基板
内面にマｌ−　ＩＪクス状に配された絵素電極と、該絵
素電極にそれぞれ電気的に接続された主スイノチング素
子及び予備スイッチング素子と、該主スイッチング素子
と該予備スイッチング素子とに接続された走査線と、該
主スイソチング素子に接続された信号線と、該予備スイ
ッチング素子の信号入力端子の延設端と該信号線から分
岐した枝配線とが少なくとも絶縁膜を介して非導通状態
で近接対置する接続部と、を形或する工程と、該一対の
基板の他方の基板に対向電極を形成する工程と、該一対
の基板間に該表示媒体を封入する工程と、該絵素電極と
該対向電極とを介して駆動電圧を該表示媒体に印加し、
絵素欠陥を検出する工程と、絵素欠陥が検出された該絵
素電極に接続された該予備スイッチング素子の信号入力
端子の該延設端と、該枝配線とが対置する該接続部にエ
ネルギーを照射して、該予備スイ・７チング素子と該信
号線とを該接続部を介して電気的に接続する工程と、該
主スイッチング素子と該信号線との間の配線部、及び該
主スイッチング素子と該絵素電極との間の配線部のうち
何れか一方の配線部にエネルギーを照射して該配線部を
切断する工程と、を包含しており、そのことによって上
記目的が達成される。

また、前記接続部を、前記予備スイッチング素子の信号
入力瑞子の前記延設端と、前記信号線とが対置した構成
に置き換えることもできる。

（作用） 本発明のアクティブマトリクス表示装置の製造方法では
、アクティブマトリクス基板の内面に、絵素電極、主ス
イッチング素子、予備スイッチング素子、走査線、信号
線、及び接続部が形戊される。接続部では予備スイッチ
ング素子の信号入力端子の延設端と、信号線からの枝配
線又は信号線とが近接対置している。対向基板には対向
電極が形戊される。アクティブマトリクス基板と対向基
板との間に表示媒体が封入された後、全絵素電極に駆動
電圧が印加される。全絵素電極の駆動により、これに対
応して表示媒体は駆動電圧に応じた光学的変調を生ずる
。しかし、主スイッチング素子が不良の場合は、この光
学的変調が不完全となり絵素欠陥として視認される。こ
の絵素欠陥は微小な絵素電極が数十万個以上配列されて
いる基板に於いても、拡大レンズ等を使用すれば容易に
識別が可能である。

絵素欠陥部位が特定されると、透光性の基板を介して外
部より接続部に、レーザ光等のエネルギーが照射される
。接続部ではレーザ光照射によって、予備スイッチング
素子の信号入力端子の延設端と、信号線から分岐した枝
配線または信号線とが、互いに電気的に接続される。こ
のようにして予備ＴＦＴ７と信号線とが接続部を介して
電気的に接続される。更に、主スイッチング素子と信号
線との間の配線部、又は主スイッチング素子と絵素電極
との間の配線部にエネルギーが照射されて切断され、不
良の主スイッチング素子が、信号線又は絵素電極から切
り離される。従って、絵素電極は予備スイッチング素子
によって駆動される。

（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。第ＩＡ図に本
発明の製造方法によって製造した表示装置を構成する、
アクティブマトリクス基板の一例を示す。第ＩＡ図のＢ
−Ｂ線及びＣ−ｃ線に沿った各断面の構成を、第ＩＢ図
及び第ＩＣ図に示す。

本実施例の製造方法では、まず、ガラス基板１上にＴ　
ａ　２０５、Ａ１２０３、ＳＩ３Ｎ４等から戊るべ一ス
コート膜２が厚さ３０００λ〜９０００入で形成される
。ベースコート膜２の上に走査信号を供給するゲートバ
ス配線３と、データ信号を供給するソースバス配線４と
が格子状に配列される。ゲートバス配！！！３は一般に
Ｔａ，ＡＩ，ＴｉＳ　Ｎｉ，ＭＯ等の単層又はこれらの
多層金属で形成されるが、本実施例ではＴａを使用して
いる。ンースバス配線４も同様の金属で形成されるが、
本実施例ではＴｉを使用している。ゲートバス配線３と
ソースバス配線４の交差位置には、後述するように全面
に形威されたベース絶縁膜１１が介在している。

ゲートバス配線３とソースバス配線４とに囲まれた矩形
の領域には、透明導電膜（ＩＴＯ）から成る絵素電極５
が設けられ、マトリクス状の絵素パターンを構成してい
る。絵素電極５の隅部付近には主スイッチング素子とし
て主ＴＦＴ６が配され、主ＴＦＴ６と絵素電極５とはド
レイン電極ｌ６によって電気的に接続されている。絵素
電極５とドレイン電極１６とが接続される領域では、ド
レイン電極ｌ６の幅は小さく、絵素電極５には切欠部が
設けられている。このようなドレイン電極ｌ６及び絵素
電極５の形状により、後にレーザ光などによってドレイ
ン電極ｌ６を切断することが容易となる。絵素電極５の
他の隅部付近には予備スイッチング素子として予備ＴＦ
Ｔ７が配され、予備Ｔ　ＦＴ７と絵素電極５とはドレイ
ン電極ｌ６ａによって電気的に接続されている。

主ＴＦＴ６及び予＠ＴＦＴ７はゲートバス配線３上に並
設され、主ＴＦＴ６のソース電極ｌ５とソースバス配線
４とは枝配線８によって接続されている。ソース電極ｌ
５は後にレーザ光等によって切断し易いように、幅を一
部で小さくした形状で形成される。予＠ＴＦＴ７のソー
ス電極１５ａはソース電極延設端８ａによって、接続部
２５に導かれる。接続部２５ではソース電極延設端８ａ
は、非導通状態で枝配線８に対置されている。従って、
主ＴＦＴ６及び予備ＴＰＴ７のうち、主ＴＦＴ６のみが
ンースバス配線４に電気的に接続され、予＠ＴＦＴ７は
ソースバス配線４には接続されていない。接続部２５の
断面構成の詳細については後述する。

主ＴＦＴ６近傍の断面構成を第ＩＢ図に従って説明する
。尚、予備ＴＦＴ７の断面構成も主ＴＦＴ６と同様であ
る。ゲートバス配線３の一部として形成されるＴａのゲ
ート電極９上に、ゲート電極９の表面を陽極酸化して得
られるＴａ２０５から成るゲート絶縁膜１０が形成され
ている。この上から、ゲート絶縁膜としても機能してい
るＳｉＮ×（例えばＳｉ３Ｎ４）のベース絶縁膜１ｌが
基板全面に亙って堆積されている。ゲート絶縁膜として
のベース絶縁１１１１１の厚さは１５００Ａ〜６００Ｏ
Ａ程度が適切であるが、本実施例では２０００Ａ〜３５
００入に設定されている。

ベース絶縁膜１１上にはアモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｔ）の真性半導体層ｌ２、真性半導体層１２の上面を保
護し、エノチングストツパとして機能するＳｉＮ）＜か
ら戊る半導体層保護膜ｌ３が順次積層されている。更に
その上から、後に形戊されるソース電極及びドレイン電
極とオーミγクコンタクトを得るための、ａ−Ｓｉから
戊るｎ型半導体層ｌ４が積層されている。ｎ型半導体層
１４上にはソース電極ｌ５、及びドレイン電極１６が形
成されている。ソース電極ｌ５及びドレイン電極ｌ６は
、Ｔｉ，ＮｆＳ　Ａｔ等から成る。

接続部２５の断面構成を第ｌＣ図を用いて説明する。ベ
ースコートｙ４２上に継手金属層２４が形戊されている
。継手金属層２４の形状は、第ＩＡ図に示すように平面
視矩形である。継手金属層２４は、ゲートバス配線３と
同様にＴａＳＡｌ，　　Ｔｉ，Ｎｉ，Ｍｏ等から成り、
ゲートバス配線３の形成と同時にパターン形成すること
ができる。継手金属層２４上には前述のベース絶縁膜１
１が堆積されている。継手金属層２４上にはベース絶縁
膜ｌ１を介して、予備ＴＦＴ７のソース電極ｌ５ａに接
続されたソース電極延設端８ａと、ソースバス配線４に
接続された枝配線８とが載置されている。ソース電極延
設端８ａと枝配Ｒ８とは、互いに離隔され非導通状態を
維持している。従って、予備ＴＦＴ７はソースバス配線
４とは電気的には接続されていない。ソース電極延設端
８ａと枝配線８とは保護膜１７によって完全に被覆され
ている。

継手金属層２４と、ソース電極延設端８ａ及び枝配線８
との間に位置するベース絶縁膜１ｌは、これらの金属層
及び配線間の層間絶縁膜としても機能している。層間絶
縁膜としての厚さは１０００Ａ〜７０００大が適してい
るが、本実施例では主Ｔ　Ｐ　Ｔ．６及び７のゲート絶
縁膜としても機能するベース絶縁膜ｌ１を利用している
ので、前述のように２０００λ〜３５００λに設定され
ている。

保護膜１７は枝配線８とソース電極延設端８ａとの間の
電気的接続を、表示媒体である液晶分子ｌ８と離隔した
状態で行うためのものである。そのため、保護膜ｌ７の
厚さは１５００Ａ〜１５０００入程度が適切である。本
実施例では主ＴＦＴ６及び７の保護膜を利用しているた
め、その厚さは５０００入前後に設定されている。

絵素電極５は、ベース絶縁膜ｌ１上にパターン形成され
る。主ＴＦＴ６及び絵素電極５の上面を覆って基板全面
にＳｉＮｘから成る保護膜１７が形戊され、保護膜ｌ７
上に液晶分子１８の配向を規制する配向層１９が堆積さ
れている。配向層ｌ９はポリイミド膜、Ｓｌ０２等によ
って形或される。

ＴＦＴ６及び７、バス配線等を保護するための保護膜ｌ
７の厚さは、２０００Ａ−１００００Ａ程度が適切であ
るが、本実施例では前述のように５０００Ａ前後に設定
されている。ベース絶縁膜ｌ１及び保護膜ｌ７はＳｉＮ
×以外に、ＳｊＯｘ、Ｔａ　２０６、Ａ１２０３その池
の酸化物或いは窒化物によって形成され得る。保護膜ｌ
７は基板全面に形或せずに、主ＴＦＴ６、予備ＴＦＴ７
、バス配線等の直接表示に関与しない部分のみを覆い、
絵素電極５の中央部で除去した窓あき構造としてもよい
。本実施例で作製されるアクティブマトソクス基板は、
以上の構戊を有している。

次に、絵素電極５の形或されたガラス基板１に対向する
他方のガラス基板２０に、カラーフィルタ２１、対向電
極２２、及び配向層２３が重畳形成される。カラーフィ
ルタ２ｌの周囲には必要に応じてブラノクマトリクス（
図示せず）が設けられる。

上記一対のガラス基板ｌ及び２０の間に、表示媒体とし
て、ツィステソドネマチック岐晶分子１８が封入される
。液晶分子ｌ８は絵素電極５と対向電極２２との間の印
加電圧に応答して配向変換され、光学的変調が行われる
。この光学的変調が表示パターンとして視認される。

上記構成を有する液晶表示装置のゲートバス配線３及び
ソースバス配線４の全配線から、主ＴＦＴ６を介して全
絵素電極５に駆動電圧が印加される。このように全絵素
電極を駆動した状態では、絵素欠陥が容易に視認される
。主ＴＦＴ６の不良による絵素欠陥が発生している場合
には、接続部２５を用いて容易に修正することができる
。

第２図に絵素欠陥の修正に用いられた接続部２５の断面
図を示す。第２図の矢印２６で示すように、下方のガラ
ス基板１を介して外部よりレーザ光、赤外線、電子ビー
ム、その他のエネルギーが継手金属層２４に照射される
。本実施例ではＹＡＧレーザ光を用いた。枝配線８とベ
ース絶縁膜ｌ１と継手金属層２４との重畳部分では、レ
ーザ光が照射されるとベース絶縁膜ｌ１の絶縁破壊が起
こり、枝配線８と継手金属層２４とは互いに溶融接続さ
れて導通状態となる。同様に、ソース電極延設端８ａと
ベース絶縁膜ｌ１と継手金属層２４とのＭ畳部分でも、
ベース絶縁膜ｌ１の絶縁破壊が起こり、ソース電極延設
端８ａと継手金属層２４とは互いに溶融接続されて導通
状態となる。このようにして枝配線８とソース電極延設
端８ａとが継手金属層２４を介して電気的に接続され、
予＠Ｔ　Ｆ　Ｔ　７がソースバス配１１１４によって駆
動され予＠ＴＦＴ７が絵素電極５に接続されても、不良
の主ＴＦＴ６が接続されたまま絵素電極５の表示動作を
行うと、絵素電極５は正常に表示動作を行えない場合が
ある。このような動作不良を解消するため、レーザ光に
より主ＴＦＴ６が切り離される。レーザ光により切断さ
れる位置はドレイン電極ｌ６又はソース電極ｌ５の何れ
かである。ドレイン電極１６及びソース電極１５には、
前述した第ＩＡ図に示すように幅の小さい部分が設けら
れ、更にドレイン電極１６の近傍の絵素電極５には、切
矢部が設けられているので、レーザ光照射によって溶融
した金属等が再び付着して、切断が不十分となることは
ない。

ドレイン電極１６及びソース電極ｌ５の何れを切断する
かは、主ＴＦＴ６がどの様な不良を生じているかによっ
て異なる。ソース電極ｌ５のみを切断すれば、枝配線８
からのソース信号は主ＴＦＴ６へ全く印加されることは
ない。しかし、主ＴＦＴ６が絵素電極５に接続されてい
るため、絵素電極５の電圧が主ＴＦＴ６のドレイン電極
ｌ６及びゲート電極９との間の寄生容量として残存する
。

この寄生容量により、絵素電極５の表示動作が遅延し、
且つ不完全となることがある。

ドレイン電極１６のみを切断すれば、上述の寄生容量の
問題は解消される。しかし、主ＴＦＴ６の絶縁不良が生
じている場合には、枝配線８のソース信号が主ＴＦＴ６
を介して洩れることとなる。

ンース電極１５及びドレイン電極ｌ６の両方を切断すれ
ば、上記の問題は完全に解消されるが、修正工程が繁雑
となり、フストアップにつながるので好ましくない。本
実施例では不良の主ＴＦＴ６のドレイン電極ｌ６を切断
し、必要に応じてソース電極１５も切断することとした
。以上の修正により、絵素電極５は予備ＴＦＴ７によっ
て正常に駆動される。

本実施例ではレーザ光をガラス基板１側から照射したが
、レーザ光を透過させる基板であれば何れの基板側から
照射してもよい。このようにレーザ光を用いて絵素欠陥
の修正を行っても、接続部２５の上方には保護膜ｌ７が
形成されているので、溶融した金属の表示媒体である液
晶層中へのｄ入は起こらない。また、レーザ光の照射さ
れた部分の近傍の液晶層は白濁するが、この白濁はやが
て消失し元の状態に復元されるので、画像品位の低下が
生じることもない。

高工不ルギーのレーザ光を照射し、或いはレーザ光の照
射時間を長くすると、保護膜１７更には配向層１９が変
色し、或いは破壊されて孔が開くことがある。しかし、
レーザ光の照射される部分は微小領域なので、表示に悪
影響を与えることはない。即ち、保護膜ｌ７及び配向層
ｌ９が破壊されると、レーザ光照射により溶解された金
属等の微片が液晶層中に混入され、液晶層が汚染される
が、この微片はレーザ光照射部付近から、液晶層へ広く
拡散されることはないことが実験的に確認された。従っ
て、戚晶層の汚染はレーザ光照射部付近の限定された領
域のみに生じ、実質的に画像品位に悪影響を与えない。

第３Ａ図に本発明の製造方法によって製造した表示装置
を構戊する、アクティブマトリクス基板の池の実施例を
示す。この実施例では主ＴＦＴ６と予備ＴＦＴ７との位
置が、第ＩＡ図の実施例とは逆に形成される。そして、
接続部２５は継手金属層２４、並びに、継手金属層２４
とベース絶縁膜１１を介して重畳された枝配線８及びソ
ース電極延設端８ａによって形成されている。接続部２
５ではソース電極延設端８ａは、非導通状態で枝配線８
に対置されている。従って、主ＴＦＴ６及び７のうち、
主ＴＦＴ６のみがソースバス配線４に電気的に接続され
、予［ＴＦＴ７はソースバス配線４には接続されない。

本実施例の場合も第ＩＡ図の実施例と同様に、接続部２
５にレーザ光等を照射し、主ＴＦＴ６をレーザ光によっ
て切り離すことによって、主ＴＦＴ６の不良による絵素
欠陥が修正される。

第３Ｂ図に本発明の製造方法によって製造した表示装置
を構成する、アクティブマトリクス基板の池の実施例を
示す。本実施例では第ＩＡ図と同様の位置に主ＴＦＴ６
及び予ｌＴＦＴ７が形戊され、主ＴＦＴ６は枝配線８に
よってソースバス配線４に接続されている。継手金属層
２４はソースバス配線４の下方に形成されている。接続
部２５は継手金属層２４、並びに継手金属層２４上にベ
ース絶縁膜１１を介して重畳されたソースバス配線４及
びソース電極延設端８ａによって形戊されている。接続
部２５ではソース電極延設瑞８ａは、非導通状態でソー
スバス配線４に対置されている。

従って、主ＴＦＴ６及び予備ＴＦＴ７のうち、主ＴＦＴ
６のみがソースバス配線４に電気的に接続され、予備Ｔ
ＦＴ７はソースバス配線４には接続されない。

本実施例の場合も第ＩＡ図の例と同様に、接続部２５に
レーザ光等を照射し、主ＴＦＴ６をレーザ光によって切
り離すことによって、主「Ｆ　ｉ’　６の不良による絵
素欠陥が修正される。

上記の実施例では主ＴＦＴ６及び予備ＴＦＴ７をゲート
バス配線３上に並設し、絵素電極５の同一の辺に接続し
たが、絵素電極５の異なる辺に接続してもよい。

接続部２５の構戊は、上記実施例の構戊以外に第４図或
いは第５図に示す構戊とすることもできる。第４図に示
す構成では、ベース絶縁膜１１にスルーホール２７が設
けられ、継手金属層２４とソース電極延設端８ａとが予
め電気的に接続されている。主ＴＦＴ６に不良が発生し
た場合には、枝配線８と継手金属層２４との重畳部のみ
が光エネルギーを用いて接続される。第５図に示す構戊
では、継手金属層２４は設けられず、ソース電極延設端
８ａが枝配線８の直上にベース絶縁膜１ｌを介して配置
されている。主ＴＦＴ６に不良が允生じた場合には、光
エネルギー照射によって、ソース電極延設端８ａと枝配
線８とが直接溶融接続される。

第４図に於いて、スルーホール２７を枝配線８側に設け
、枝配線８と継手金属層２４とを予め接続した構成とし
てもよい。この構成ではレーザ光照射によって、ソース
電極延設端８ａと継手金属層２４との重畳部のみが接続
される。また、第５図に於で、枝配線８がベース絶縁膜
１ｌを介して、ソース電極延設端８ａ上に形成された構
成とすることもできる。また、何れの実施例に於いても
、べ−スコート膜２は必ずしも設ける必要はなく、廃止
することもできる。

上記の各実施例では透過型の液晶表示装置の製造方法を
示したが、本発明は反射型の表示装置の製造にも同様に
適用できる。また、上記実施例ではスイッチング素子と
してＴＰＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装
置の製造方法について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではない。本発明はＭＴＭ素子、ダイオード
、バリスタ等の種々のスイノチング素子を用いた広範囲
の表示装置の製造にも適用可能である。更に、表示媒体
として、薄膜発光層、分散型ＥＬ発光層、プラズマ発光
体等を用いた各種表示装置の製造にも適用され得る。

（発明の効果） 本発明のアクティブマトリクス表示装置の製造方法によ
れば、絵素欠陥の発生位置を容易に特定でき、該絵素欠
陥がスイノチング素子の不良による場合には、これを表
示装置の外部から容易に修正できるので、高い歩留りで
表示装置を製造することができる。従って、表示装置と
してのコスト低減に寄与することができる。

４．　゛　　　の　　　　な！　１ 第ｌＡ図は本発明の製造方法によって製造した表示装置
を構成するアクティブマトリクス基板の一例の平面図、
第ＩＢ図及び第ＩＣ図は第１Ａ図の表示装置を、それぞ
れ第１Ａ図のＢ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿った面で切断し
た断面図、第２図は絵素欠陥の修正に用いられた接続部
の断面図、第３Ａ図及び第３Ｂ図は本発明の製造方法に
よって製造した他の表示装置を構成するアクティブマト
リクス基板の平面図、第４図及び第５図は接続部の池の
実施例を示す断面図である。

１，２０・・・ガラス基板、３・・・ゲートバス配線、
４・・・ソースバス配線、５・・・絵素電極、６・・・
主ＴＦＴ、７・・・予備ＴＦＴ，８・・・枝配線、８ａ
ソース電極延設端、９・・・ゲート電極、１１・・・ベ
ース絶縁膜、＋５，１５ａ・・・ソース電極、１６．１
６ａ・・・ドレイン電極、ｌ７・・・保護膜、１８・・
・液晶分子、１９，２３・・・配向層、２ｌ・・・カラ
ーフィルタ、２２・・・対向電極、２４・・・継手金属
層、２５・・・接続部。

以 上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、少なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、該
   基板間に挿入され印加電圧に応答して光学的特性が変調
   される表示媒体と、を有するアクティブマトリクス表示
   装置の製造方法に於いて、該一対の基板の何れか一方の
   基板内面にマトリクス状に配された絵素電極と、該絵素
   電極にそれぞれ電気的に接続された主スイッチング素子
   及び予備スイッチング素子と、該主スイッチング素子と
   該予備スイッチング素子とに接続された走査線と、該主
   スイッチング素子に接続された信号線と、該予備スイッ
   チング素子の信号入力端子の延設端と該信号線から分岐
   した枝配線とが少なくとも絶縁膜を介して非導通状態で
   近接対置する接続部と、を形成する工程と、 該一対の基板の他方の基板に対向電極を形成する工程と
   、 該一対の基板間に該表示媒体を封入する工程と、該絵素
   電極と該対向電極とを介して駆動電圧を該表示媒体に印
   加し、絵素欠陥を検出する工程と、絵素欠陥が検出され
   た該絵素電極に接続された該予備スイッチング素子の信
   号入力端子の該延設端と、該枝配線とが対置する該接続
   部にエネルギーを照射して、該予備スイッチング素子と
   該信号線とを該接続部を介して電気的に接続する工程と
   、該主スイッチング素子と該信号線との間の配線部、及
   び該主スイッチング素子と該絵素電極との間の配線部の
   うち何れか一方の配線部にエネルギーを照射して該配線
   部を切断する工程と、 を包含するアクティブマトリクス表示装置の製造方法。 ２、少なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、該
   基板間に挿入され印加電圧に応答して光学的特性が変調
   される表示媒体と、を有するアクティブマトリクス表示
   装置の製造方法に於いて、該一対の基板の何れか一方の
   基板内面にマトリクス状に配された絵素電極と、該絵素
   電極にそれぞれ電気的に接続された主スイッチング素子
   及び予備スイッチング素子と、該主スイッチング素子と
   該予備スイッチング素子とに接続された走査線と、該主
   スイッチング素子に接続された信号線と、該予備スイッ
   チング素子の信号入力端子の延設端と該信号線とが少な
   くとも絶縁膜を介して非導通状態で近接対置する接続部
   と、を形成する工程と、　該一対の基板の他方の基板に
   対向電極を形成する工程と、 　該一対の基板間に該表示媒体を封入する工程と、　該
   絵素電極と該対向電極とを介して駆動電圧を該表示媒体
   に印加し、絵素欠陥を検出する工程と、　絵素欠陥が検
   出された該絵素電極に接続された該予備スイッチング素
   子の信号入力端子の該延設端と、該信号線とが対置する
   該接続部にエネルギーを照射して、該予備スイッチング
   素子と該信号線とを該接読部を介して電気的に接続する
   工程と、　該主スイッチング素子と該信号線との間の配
   線部、及び該主スイッチング素子と該絵素電極との間の
   配線部のうち何れか一方の配線部にエネルギーを照射し
   て該配線部を切断する工程と、 　を包含するアクティブマトリクス表示装置の製造方法
   。