JPH11181494A - 洗浄剤組成物 - Google Patents
洗浄剤組成物Info
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- JPH11181494A JPH11181494A JP35811797A JP35811797A JPH11181494A JP H11181494 A JPH11181494 A JP H11181494A JP 35811797 A JP35811797 A JP 35811797A JP 35811797 A JP35811797 A JP 35811797A JP H11181494 A JPH11181494 A JP H11181494A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】固体状微粒子や油性汚れの付着した半導体基板
又は半導体素子の洗浄性に優れ、かつ泡立ちの少ない洗
浄剤組成物を提供すること、並びに固体状微粒子や油性
汚れの付着した半導体基板又は半導体素子の洗浄性に優
れ、かつ泡立ちの少ない洗浄方法を提供すること。 【解決手段】アクリル酸、メタクリル酸及びマレイン酸
からなる群より選ばれる少なくとも１種をモノマー成分
とし、該モノマー成分を全モノマー成分の使用量の２０
モル％以上用いて得られる、重量平均分子量が５００〜
１５万のポリカルボン酸化合物を含有してなる、半導体
基板用又は半導体素子用洗浄剤組成物、並びに該洗浄剤
組成物を用いて洗浄する半導体基板又は半導体素子の洗
浄方法。
又は半導体素子の洗浄性に優れ、かつ泡立ちの少ない洗
浄剤組成物を提供すること、並びに固体状微粒子や油性
汚れの付着した半導体基板又は半導体素子の洗浄性に優
れ、かつ泡立ちの少ない洗浄方法を提供すること。 【解決手段】アクリル酸、メタクリル酸及びマレイン酸
からなる群より選ばれる少なくとも１種をモノマー成分
とし、該モノマー成分を全モノマー成分の使用量の２０
モル％以上用いて得られる、重量平均分子量が５００〜
１５万のポリカルボン酸化合物を含有してなる、半導体
基板用又は半導体素子用洗浄剤組成物、並びに該洗浄剤
組成物を用いて洗浄する半導体基板又は半導体素子の洗
浄方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエハ等
の半導体用基板上に半導体素子を形成する際に使用され
る、有機あるいは無機の微細な異物及び油分の除去に有
効な、発泡性の少ない洗浄剤組成物及びそれを用いる洗
浄方法に関する。
の半導体用基板上に半導体素子を形成する際に使用され
る、有機あるいは無機の微細な異物及び油分の除去に有
効な、発泡性の少ない洗浄剤組成物及びそれを用いる洗
浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン半導体に代表される半導体素子
は、その性能の、より高速化、高感度化、あるいは小型
化等の市場ニーズに対応すべく高集積化し、その回路パ
ターンの最小寸法も１ＫＤＲＡＭの１０ミクロンメータ
ーから４メガＤＲＡＭの０．８ミクロンメーターへと微
細化し、さらには１ギガＤＲＡＭの０．１５ミクロンメ
ータへの微細化が予測されている。これら半導体素子
は、シリコンウエハ等の基板の平滑化、清浄化の後、レ
ジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト除去、
イオンドーピングによる半導体形成等の工程を複数回く
りかえし行うことによって製造される。
は、その性能の、より高速化、高感度化、あるいは小型
化等の市場ニーズに対応すべく高集積化し、その回路パ
ターンの最小寸法も１ＫＤＲＡＭの１０ミクロンメータ
ーから４メガＤＲＡＭの０．８ミクロンメーターへと微
細化し、さらには１ギガＤＲＡＭの０．１５ミクロンメ
ータへの微細化が予測されている。これら半導体素子
は、シリコンウエハ等の基板の平滑化、清浄化の後、レ
ジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト除去、
イオンドーピングによる半導体形成等の工程を複数回く
りかえし行うことによって製造される。
【０００３】この半導体素子製造工程で、異物が基板や
素子上に残留したまま作業すると、基板の格子欠損を生
じたり、酸化膜の絶縁不良やエピタキシャル膜の異常突
起や積層欠陥、あるいは配線の断線や、微粒子が配線間
に入りショートやリークを起こす等のトラブルが発生
し、品質不良や生産歩留まりの低下を引き起こす。この
ような傾向は、半導体素子の集積度が上がり、回路パタ
ーンが微細化すればするほど強く現れる。したがって、
回路パターンの微細化に伴う製品の品質悪化や歩留まり
低下を抑えるべく、前述した微細異物の新たな除去法の
開発が強く望まれていた。
素子上に残留したまま作業すると、基板の格子欠損を生
じたり、酸化膜の絶縁不良やエピタキシャル膜の異常突
起や積層欠陥、あるいは配線の断線や、微粒子が配線間
に入りショートやリークを起こす等のトラブルが発生
し、品質不良や生産歩留まりの低下を引き起こす。この
ような傾向は、半導体素子の集積度が上がり、回路パタ
ーンが微細化すればするほど強く現れる。したがって、
回路パターンの微細化に伴う製品の品質悪化や歩留まり
低下を抑えるべく、前述した微細異物の新たな除去法の
開発が強く望まれていた。
【０００４】このような状況に対応すべく各種の異物除
去方法が提案されている。その代表的な方法には１９７
０年ＲＣＡ社から提案された洗浄方法がある。その概略
は、まずアンモニア水と過酸化水素の混合液でウエハを
浸漬処理し、ついで塩酸と過酸化水素の混合液でウエハ
を浸漬処理するもので、これらの処理の前後で必要に応
じフッ酸水溶液処理や純水処理を加えるというものであ
る。
去方法が提案されている。その代表的な方法には１９７
０年ＲＣＡ社から提案された洗浄方法がある。その概略
は、まずアンモニア水と過酸化水素の混合液でウエハを
浸漬処理し、ついで塩酸と過酸化水素の混合液でウエハ
を浸漬処理するもので、これらの処理の前後で必要に応
じフッ酸水溶液処理や純水処理を加えるというものであ
る。
【０００５】しかし、この方法は、エッチング等の力に
よりウエハの表面から各種の微粒子を離脱させることは
できるが、離脱した微粒子の再付着を防止する力が弱い
ため必ずしも充分な除去性が得られない場合がある。そ
こで、複数の処理槽を用い、洗浄処理や後処理あるいは
すすぎを行い、目標とする清浄度を得ようとする試みも
あるが、必ずしも充分な洗浄性は得られていなかった。
特に、油性汚れと微粒子との複合汚染物が付着した場
合、その油膜によりエッチング能が妨げられるため、か
かる複合汚染物の除去は極めて困難であった。
よりウエハの表面から各種の微粒子を離脱させることは
できるが、離脱した微粒子の再付着を防止する力が弱い
ため必ずしも充分な除去性が得られない場合がある。そ
こで、複数の処理槽を用い、洗浄処理や後処理あるいは
すすぎを行い、目標とする清浄度を得ようとする試みも
あるが、必ずしも充分な洗浄性は得られていなかった。
特に、油性汚れと微粒子との複合汚染物が付着した場
合、その油膜によりエッチング能が妨げられるため、か
かる複合汚染物の除去は極めて困難であった。
【０００６】このような問題を解決すべく、種々の方法
が提案されている。例えば特開平６−４１７７０号公報
には、洗浄液としての処理液に界面活性剤を添加して、
処理液中の微粒子のゼーター電位を一定の値以下に維持
する方法、特開平６−２１６０９８号公報にはＥＤＴＡ
等のキレート化剤を利用する洗浄方法、特開平７−６２
３８６号公報にはフルオロアルキルスルホン酸の三級ア
ンモニウム塩を配合した洗浄剤組成物が開示されてい
る。
が提案されている。例えば特開平６−４１７７０号公報
には、洗浄液としての処理液に界面活性剤を添加して、
処理液中の微粒子のゼーター電位を一定の値以下に維持
する方法、特開平６−２１６０９８号公報にはＥＤＴＡ
等のキレート化剤を利用する洗浄方法、特開平７−６２
３８６号公報にはフルオロアルキルスルホン酸の三級ア
ンモニウム塩を配合した洗浄剤組成物が開示されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの洗浄
剤や洗浄方法を実施しても、微粒子除去、特に油性汚れ
が付着あるいは混在した場合の汚れの除去は充分ではな
く、また界面活性剤の利用は、洗浄作業時や排水処理時
に発泡し作業性を低下させるという新たな問題を発生さ
せた。このため、半導体素子の製造に於ける洗浄のため
のコストの増大、生産歩留まりの低下、生産性の低下の
問題が依然として大きな問題となっていた。したがっ
て、本発明の目的は、固体状微粒子や油性汚れの付着し
た半導体基板又は半導体素子の洗浄性に優れ、かつ泡立
ちの少ない洗浄剤組成物を提供することにある。さらに
本発明の目的は、固体状微粒子や油性汚れの付着した半
導体基板又は半導体素子の洗浄性に優れ、かつ泡立ちの
少ない洗浄方法を提供することにある。
剤や洗浄方法を実施しても、微粒子除去、特に油性汚れ
が付着あるいは混在した場合の汚れの除去は充分ではな
く、また界面活性剤の利用は、洗浄作業時や排水処理時
に発泡し作業性を低下させるという新たな問題を発生さ
せた。このため、半導体素子の製造に於ける洗浄のため
のコストの増大、生産歩留まりの低下、生産性の低下の
問題が依然として大きな問題となっていた。したがっ
て、本発明の目的は、固体状微粒子や油性汚れの付着し
た半導体基板又は半導体素子の洗浄性に優れ、かつ泡立
ちの少ない洗浄剤組成物を提供することにある。さらに
本発明の目的は、固体状微粒子や油性汚れの付着した半
導体基板又は半導体素子の洗浄性に優れ、かつ泡立ちの
少ない洗浄方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、固
体状微粒子あるいは油性汚れの付着した固体状微粒子の
除去性、洗浄性に優れかつ洗浄あるいは排水工程での泡
立ちのすくない洗浄剤組成物及び洗浄方法を見出すべく
検討の結果、極めて有効な洗浄剤組成物と洗浄方法を発
明した。
体状微粒子あるいは油性汚れの付着した固体状微粒子の
除去性、洗浄性に優れかつ洗浄あるいは排水工程での泡
立ちのすくない洗浄剤組成物及び洗浄方法を見出すべく
検討の結果、極めて有効な洗浄剤組成物と洗浄方法を発
明した。
【０００９】即ち、本発明の要旨は、〔１〕 アクリル
酸、メタクリル酸及びマレイン酸からなる群より選ばれ
る少なくとも１種をモノマー成分とし、該モノマー成分
を全モノマー成分の使用量の２０モル％以上用いて得ら
れる、重量平均分子量が５００〜１５万のポリカルボン
酸化合物を含有してなる、半導体基板用又は半導体素子
用洗浄剤組成物、〔２〕 前記〔１〕記載の洗浄剤組成
物を用いて洗浄する半導体基板又は半導体素子の洗浄方
法、に関するものである。
酸、メタクリル酸及びマレイン酸からなる群より選ばれ
る少なくとも１種をモノマー成分とし、該モノマー成分
を全モノマー成分の使用量の２０モル％以上用いて得ら
れる、重量平均分子量が５００〜１５万のポリカルボン
酸化合物を含有してなる、半導体基板用又は半導体素子
用洗浄剤組成物、〔２〕 前記〔１〕記載の洗浄剤組成
物を用いて洗浄する半導体基板又は半導体素子の洗浄方
法、に関するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の洗浄剤組成物及び洗浄方
法は、シリコンウエハ、化学半導体のウエハ、液晶パネ
ルにおけるガラスパネル等の半導体基板に対して、及び
かかる基板上に形成される半導体素子に対して適用され
る。
法は、シリコンウエハ、化学半導体のウエハ、液晶パネ
ルにおけるガラスパネル等の半導体基板に対して、及び
かかる基板上に形成される半導体素子に対して適用され
る。
【００１１】１．洗浄剤組成物 本発明の半導体基板用又は半導体素子用洗浄剤組成物
は、アクリル酸、メタクリル酸及びマレイン酸からなる
群より選ばれる少なくとも１種をモノマー成分（「モノ
マー成分Ａ」とする。）とし、該モノマー成分を全モノ
マー成分の使用量の２０モル％以上用いて得られる、重
量平均分子量が５００〜１５万のポリカルボン酸化合物
を含有してなる。前記ポリカルボン酸化合物を含有する
洗浄剤組成物は、半導体基板及び半導体素子上の微粒子
汚れの洗浄性に特に優れ、かつ使用時の泡立ちが少な
く、洗浄作業性にも優れるものである。
は、アクリル酸、メタクリル酸及びマレイン酸からなる
群より選ばれる少なくとも１種をモノマー成分（「モノ
マー成分Ａ」とする。）とし、該モノマー成分を全モノ
マー成分の使用量の２０モル％以上用いて得られる、重
量平均分子量が５００〜１５万のポリカルボン酸化合物
を含有してなる。前記ポリカルボン酸化合物を含有する
洗浄剤組成物は、半導体基板及び半導体素子上の微粒子
汚れの洗浄性に特に優れ、かつ使用時の泡立ちが少な
く、洗浄作業性にも優れるものである。
【００１２】モノマー成分Ａの総使用量は、水溶性の低
下による微粒子汚れの洗浄性の悪化を防止する観点か
ら、全モノマー成分の使用量の２０モル％以上が好まし
く、５０モル％以上がより好ましく、８０％以上が特に
好ましい。
下による微粒子汚れの洗浄性の悪化を防止する観点か
ら、全モノマー成分の使用量の２０モル％以上が好まし
く、５０モル％以上がより好ましく、８０％以上が特に
好ましい。
【００１３】本発明におけるポリカルボン酸化合物とし
ては、微粒子除去性の観点から、全モノマー成分のうち
のアクリル酸とマレイン酸の占める割合が７０モル％以
上のものがより好ましい。その中でも、アクリル酸／マ
レイン酸のモル比が９／１〜５／５の場合が特に好まし
い。
ては、微粒子除去性の観点から、全モノマー成分のうち
のアクリル酸とマレイン酸の占める割合が７０モル％以
上のものがより好ましい。その中でも、アクリル酸／マ
レイン酸のモル比が９／１〜５／５の場合が特に好まし
い。
【００１４】前記ポリカルボン酸化合物の重量平均分子
量は、充分な微粒子除去性を得る観点から、５００以上
であり、１０００以上がより好ましい。凝集性が現れ微
粒子除去性が低下するのを防ぐ観点から、該重量平均分
子量は１５万以下であり、１０万以下がより好ましく、
５万以下が特に好ましい。
量は、充分な微粒子除去性を得る観点から、５００以上
であり、１０００以上がより好ましい。凝集性が現れ微
粒子除去性が低下するのを防ぐ観点から、該重量平均分
子量は１５万以下であり、１０万以下がより好ましく、
５万以下が特に好ましい。
【００１５】また、微粒子の洗浄性を向上させる観点か
ら、モノマー成分として、さらに一般式（１）：
ら、モノマー成分として、さらに一般式（１）：
【００１６】
【化３】
【００１７】（式中、Ｒ1 は水素原子、炭素原子数１〜
１８の炭化水素基又は炭素原子数１〜１８のアシル基を
示す。Ｒ2 は水素原子又はメチル基を示す。ＡＯはエチ
レンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイドを示
す。ｍは１〜１００の整数を示す。）で示される化合物
（「モノマー成分Ｂ」とする。）を、全モノマー成分の
使用量の５〜７０モル％使用することが好ましい。
１８の炭化水素基又は炭素原子数１〜１８のアシル基を
示す。Ｒ2 は水素原子又はメチル基を示す。ＡＯはエチ
レンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイドを示
す。ｍは１〜１００の整数を示す。）で示される化合物
（「モノマー成分Ｂ」とする。）を、全モノマー成分の
使用量の５〜７０モル％使用することが好ましい。
【００１８】前記一般式（１）において、Ｒ1 は直鎖で
あってもよく分岐鎖であってもよく、飽和であってもよ
く不飽和であってもよく、芳香族環又は脂環族環を含ん
でいてもよく、含んでいなくてもよい。
あってもよく分岐鎖であってもよく、飽和であってもよ
く不飽和であってもよく、芳香族環又は脂環族環を含ん
でいてもよく、含んでいなくてもよい。
【００１９】前記炭素原子数１〜１８の炭化水素基の具
体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘキシ
ル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、
イソデシル基、トリデシル基、ステアリル基、オレイル
基、ビニル基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニ
ル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、イソブチ
ルフェニル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。前記
炭素原子数１〜１８のアシル基の具体例としては、例え
ば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリ
ル基、イソブチリル基、ヘキサノイル基、オクチノイル
基等が挙げられる。これらのうち、Ｒ1は、微粒子除去
性の観点から、水素原子又は炭素原子数１〜８の炭化水
素基が好ましい。
体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘキシ
ル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、
イソデシル基、トリデシル基、ステアリル基、オレイル
基、ビニル基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニ
ル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、イソブチ
ルフェニル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。前記
炭素原子数１〜１８のアシル基の具体例としては、例え
ば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリ
ル基、イソブチリル基、ヘキサノイル基、オクチノイル
基等が挙げられる。これらのうち、Ｒ1は、微粒子除去
性の観点から、水素原子又は炭素原子数１〜８の炭化水
素基が好ましい。
【００２０】前記一般式（１）において、ｍはＡＯの付
加モル数を示し、微粒子の除去性の観点から１以上が好
ましく、２以上がより好ましく、３以上が特に好まし
い。また、微粒子の除去性の観点から１００以下が好ま
しく、４０以下がより好ましく、２０以下が特に好まし
い。ｍが２以上の場合、ＡＯとしては、エチレンオキサ
イド単独からなるものでも良く、プロピレンオキサイド
単独からなるものでも良く、両方が含まれていても良
い。両方を含む場合、エチレンオキサイドとプロピレン
オキサイドは、それぞれがランダムで結合していてもブ
ロック状で結合していてもよいが、微粒子除去性の観点
からは分子中のエチレンオキサイドとプロピレンオキサ
イドのモル比は９９／１〜５０／５０が好ましい。
加モル数を示し、微粒子の除去性の観点から１以上が好
ましく、２以上がより好ましく、３以上が特に好まし
い。また、微粒子の除去性の観点から１００以下が好ま
しく、４０以下がより好ましく、２０以下が特に好まし
い。ｍが２以上の場合、ＡＯとしては、エチレンオキサ
イド単独からなるものでも良く、プロピレンオキサイド
単独からなるものでも良く、両方が含まれていても良
い。両方を含む場合、エチレンオキサイドとプロピレン
オキサイドは、それぞれがランダムで結合していてもブ
ロック状で結合していてもよいが、微粒子除去性の観点
からは分子中のエチレンオキサイドとプロピレンオキサ
イドのモル比は９９／１〜５０／５０が好ましい。
【００２１】モノマー成分Ｂの使用量は、微粒子の除去
性の観点から、全モノマー成分の使用量の５モル％以上
が好ましく、１０モル％以上がより好ましい。また、微
粒子の除去性の観点から、モノマー成分Ｂの使用量は、
全モノマー成分の使用量の７０モル％以下が好ましく、
４０モル％以下がより好ましい。
性の観点から、全モノマー成分の使用量の５モル％以上
が好ましく、１０モル％以上がより好ましい。また、微
粒子の除去性の観点から、モノマー成分Ｂの使用量は、
全モノマー成分の使用量の７０モル％以下が好ましく、
４０モル％以下がより好ましい。
【００２２】ポリカルボン酸化合物のモノマー成分とし
て、さらに他の化合物を用いても良い。具体的には、ア
クリル酸イソボルニル、アクリル酸メチル、アクリル酸
エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸イソブチル、
アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸アミノエチ
ルエステル、アクリル酸４−ヒドロキシブチル、アクリ
ル酸ラウリル、アクリルアミド、２−アクリルアミド−
２−メチルプロパンスルホン酸等のアクリル酸の誘導
体；メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタク
リル酸イソブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、
メタクリル酸アミノエチルエステル、メタクリル酸２−
ヒドロキシエチル、メタクリル酸２−ヒドロキシプロピ
ル、メタクリルアミド、２−メタクリルアミド２−メチ
ルプロパンスルホン酸、メタクリル酸プロピル、メタク
リル酸シクロヘキシル、メタクリル酸ベンジル、メタク
リル酸ジメチルアミノエチル等のメタクリル酸の誘導
体；エチレン、プロピレン、ブチレン、オクテン、ジイ
ソブチレン、デセン等の炭素原子数２〜１８のオレフィ
ン；スチレン、スチレン誘導体等が挙げられる。
て、さらに他の化合物を用いても良い。具体的には、ア
クリル酸イソボルニル、アクリル酸メチル、アクリル酸
エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸イソブチル、
アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸アミノエチ
ルエステル、アクリル酸４−ヒドロキシブチル、アクリ
ル酸ラウリル、アクリルアミド、２−アクリルアミド−
２−メチルプロパンスルホン酸等のアクリル酸の誘導
体；メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタク
リル酸イソブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、
メタクリル酸アミノエチルエステル、メタクリル酸２−
ヒドロキシエチル、メタクリル酸２−ヒドロキシプロピ
ル、メタクリルアミド、２−メタクリルアミド２−メチ
ルプロパンスルホン酸、メタクリル酸プロピル、メタク
リル酸シクロヘキシル、メタクリル酸ベンジル、メタク
リル酸ジメチルアミノエチル等のメタクリル酸の誘導
体；エチレン、プロピレン、ブチレン、オクテン、ジイ
ソブチレン、デセン等の炭素原子数２〜１８のオレフィ
ン；スチレン、スチレン誘導体等が挙げられる。
【００２３】前記のポリカルボン酸化合物の対イオンは
特に限定されないが、分子量３００以下の含窒素系化合
物が好ましい。例えば、アンモニア、アルキルアミン又
はポリアルキルポリアミンにエチレンオキサイド、プロ
ピレンオキサイド等を付加したモノエタノールアミン、
ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルエ
タノールアミン、モノプロパノールアミン、ジプロパノ
ールアミン、トリプロパノールアミン、メチルプロパノ
ールアミン、モノブタノールアミン、アミノエチルエタ
ノールアミン等のアミノアルコール類；テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド、コリン等の四級アンモ
ニウム塩等が挙げられる。
特に限定されないが、分子量３００以下の含窒素系化合
物が好ましい。例えば、アンモニア、アルキルアミン又
はポリアルキルポリアミンにエチレンオキサイド、プロ
ピレンオキサイド等を付加したモノエタノールアミン、
ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルエ
タノールアミン、モノプロパノールアミン、ジプロパノ
ールアミン、トリプロパノールアミン、メチルプロパノ
ールアミン、モノブタノールアミン、アミノエチルエタ
ノールアミン等のアミノアルコール類；テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド、コリン等の四級アンモ
ニウム塩等が挙げられる。
【００２４】本発明の洗浄剤組成物におけるポリカルボ
ン酸化合物の量は、微粒子の除去性、低泡性等の特徴を
発揮させる観点から、洗浄剤組成物の０．０１重量％以
上が好ましく、０．１重量％以上がより好ましい。ま
た、洗浄コスト、排水処理性等の観点から、１５重量％
以下が好ましく、５重量％以下がより好ましい。
ン酸化合物の量は、微粒子の除去性、低泡性等の特徴を
発揮させる観点から、洗浄剤組成物の０．０１重量％以
上が好ましく、０．１重量％以上がより好ましい。ま
た、洗浄コスト、排水処理性等の観点から、１５重量％
以下が好ましく、５重量％以下がより好ましい。
【００２５】さらに本発明の洗浄剤組成物は、一般式
（２）で示される化合物及び／又は一般式（３）で示さ
れる化合物を含有してもよい。かかる化合物を含有する
洗浄剤組成物は、微粒子除去性、低泡性等を損なうこと
なく、半導体基板、半導体素子等に対する洗浄成分の湿
潤浸透性、油性汚れに対する洗浄性等が向上し、特に油
性汚れの付着した微粒子汚れに対し、優れた油性汚れ除
去性微粒子除去性等が得られる。
（２）で示される化合物及び／又は一般式（３）で示さ
れる化合物を含有してもよい。かかる化合物を含有する
洗浄剤組成物は、微粒子除去性、低泡性等を損なうこと
なく、半導体基板、半導体素子等に対する洗浄成分の湿
潤浸透性、油性汚れに対する洗浄性等が向上し、特に油
性汚れの付着した微粒子汚れに対し、優れた油性汚れ除
去性微粒子除去性等が得られる。
【００２６】前記一般式（２）で示される化合物とは、
下式：
下式：
【００２７】
【化４】
【００２８】（式中、Ｒ3 は水素原子、炭素原子数１〜
５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を
示す。ＡＯはエチレンオキサイド及び／又はプロピレン
オキサイドを示す。Ｘは水素原子、炭素原子数１〜４の
アルキル基又は炭素原子数１〜４のアシル基を示す。ｎ
は０〜２の整数を示す。ｐは１〜８の整数を示す。）で
示される化合物である。
５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を
示す。ＡＯはエチレンオキサイド及び／又はプロピレン
オキサイドを示す。Ｘは水素原子、炭素原子数１〜４の
アルキル基又は炭素原子数１〜４のアシル基を示す。ｎ
は０〜２の整数を示す。ｐは１〜８の整数を示す。）で
示される化合物である。
【００２９】前記一般式（２）において、Ｒ3 水素原
子、炭素原子数１〜３のアルキル基又は炭素原子数２〜
３のアルケニル基のものが洗浄性の観点から好ましい。
また、Ｒ3 がアルキル基又はアルケニル基の場合、その
炭素原子数が６以上のときは一般式（２）で示される化
合物が発泡しやすくなるため好ましくない。（ＡＯ）の
部分はエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドをラ
ンダムで含んでいても良く、ブロックで含んでいても良
い。Ｘは、水に対する溶解性、すすぎ性の観点から、Ｘ
がアルキル基又はアシル基の場合、炭素原子数は４以下
の数が好ましい。Ｘは水素原子、炭素原子数１〜２のア
ルキル基又は炭素原子数１〜２のアシル基のものが洗浄
性の観点からより好ましい。ｐはＡＯの付加モル数を示
し、油性汚れに対する洗浄性の観点から１〜８の整数で
あり、好ましくは２〜６の整数である。
子、炭素原子数１〜３のアルキル基又は炭素原子数２〜
３のアルケニル基のものが洗浄性の観点から好ましい。
また、Ｒ3 がアルキル基又はアルケニル基の場合、その
炭素原子数が６以上のときは一般式（２）で示される化
合物が発泡しやすくなるため好ましくない。（ＡＯ）の
部分はエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドをラ
ンダムで含んでいても良く、ブロックで含んでいても良
い。Ｘは、水に対する溶解性、すすぎ性の観点から、Ｘ
がアルキル基又はアシル基の場合、炭素原子数は４以下
の数が好ましい。Ｘは水素原子、炭素原子数１〜２のア
ルキル基又は炭素原子数１〜２のアシル基のものが洗浄
性の観点からより好ましい。ｐはＡＯの付加モル数を示
し、油性汚れに対する洗浄性の観点から１〜８の整数で
あり、好ましくは２〜６の整数である。
【００３０】前記一般式（２）で示される化合物として
は、具体的には、フェノール、メチルフェノール、イソ
プロピルフェノール、イソブチルフェノール、エチルフ
ェノール、ビニルフェノール、ベンジルアルコール、メ
チルベンジルアルコール、エチルベンジルアルコール、
イソプロピルベンジルアルコール、フェニルエチルアル
コール等のフェノール類やアルコール類にエチレンオキ
サイド及び／又はプロピレンオキサイドが付加されたア
ルキレンオキサイド付加物等が挙げられる。さらに、か
かるアルキレンオキサイド付加物に、例えばメチレンク
ロライド等のアルキレンクロライドや酢酸等を反応さ
せ、Ｘの部分をアルキル基やアシル基にした化合物も、
一般式（２）で示される化合物に含まれる。
は、具体的には、フェノール、メチルフェノール、イソ
プロピルフェノール、イソブチルフェノール、エチルフ
ェノール、ビニルフェノール、ベンジルアルコール、メ
チルベンジルアルコール、エチルベンジルアルコール、
イソプロピルベンジルアルコール、フェニルエチルアル
コール等のフェノール類やアルコール類にエチレンオキ
サイド及び／又はプロピレンオキサイドが付加されたア
ルキレンオキサイド付加物等が挙げられる。さらに、か
かるアルキレンオキサイド付加物に、例えばメチレンク
ロライド等のアルキレンクロライドや酢酸等を反応さ
せ、Ｘの部分をアルキル基やアシル基にした化合物も、
一般式（２）で示される化合物に含まれる。
【００３１】一般式（３）で示される化合物とは、下
式： Ｒ5 −Ｏ−（ＡＯ）ｐ−Ｘ （３） （式中、Ｒ5 は炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原
子数２〜６のアルケニル基又は炭素原子数１〜６のアシ
ル基を示す。ＡＯはエチレンオキサイド及び／又はプロ
ピレンオキサイドを示す。Ｘは水素原子、炭素原子数１
〜４のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアシル基を示
す。ｐは１〜８の整数を示す。）で示される化合物であ
る。
式： Ｒ5 −Ｏ−（ＡＯ）ｐ−Ｘ （３） （式中、Ｒ5 は炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原
子数２〜６のアルケニル基又は炭素原子数１〜６のアシ
ル基を示す。ＡＯはエチレンオキサイド及び／又はプロ
ピレンオキサイドを示す。Ｘは水素原子、炭素原子数１
〜４のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアシル基を示
す。ｐは１〜８の整数を示す。）で示される化合物であ
る。
【００３２】一般式（３）において、発泡性を抑制する
観点からＲ5 の炭素原子数は６以下が好ましい。また、
Ｒ5 は炭素原子数３〜６のアルキル基又は炭素原子数３
〜６のアルケニル基が洗浄性の観点からより好ましい。
（ＡＯ）の部分はエチレンオキサイドとプロピレンオキ
サイドをランダムで含んでいても良く、ブロックで含ん
でいても良い。Ｘは水に対する溶解性、すすぎ性の観点
から、Ｘがアルキル基又はアシル基の場合、炭素原子数
は４以下の数が好ましい。Ｘは水素原子、炭素原子数１
〜２のアルキル基又は炭素原子数１〜２のアシル基のも
のが洗浄性の観点からより好ましい。ｐは２〜６の整数
が好ましい。
観点からＲ5 の炭素原子数は６以下が好ましい。また、
Ｒ5 は炭素原子数３〜６のアルキル基又は炭素原子数３
〜６のアルケニル基が洗浄性の観点からより好ましい。
（ＡＯ）の部分はエチレンオキサイドとプロピレンオキ
サイドをランダムで含んでいても良く、ブロックで含ん
でいても良い。Ｘは水に対する溶解性、すすぎ性の観点
から、Ｘがアルキル基又はアシル基の場合、炭素原子数
は４以下の数が好ましい。Ｘは水素原子、炭素原子数１
〜２のアルキル基又は炭素原子数１〜２のアシル基のも
のが洗浄性の観点からより好ましい。ｐは２〜６の整数
が好ましい。
【００３３】一般式（３）で示される化合物としては、
具体的には、メタノール、エタノール、イソプロパノー
ル、ブタノール、アミルアルコール、ヘキサノール、ビ
ニルアルコール、１−プロペニルアルコール、１−ブテ
ニルアルコール等のアルコールにエチレンオキサイド及
び／又はプロピレンオキサイドが付加されたアルキレン
オキサイド付加物等が挙げられる。さらに、かかるアル
キレンオキサイド付加物に、例えばメチレンクロライド
等のアルキレンクロライドや酢酸等を反応させ、Ｘの部
分をアルキル基やアシル基にした化合物も、一般式
（３）で示される化合物に含まれる。
具体的には、メタノール、エタノール、イソプロパノー
ル、ブタノール、アミルアルコール、ヘキサノール、ビ
ニルアルコール、１−プロペニルアルコール、１−ブテ
ニルアルコール等のアルコールにエチレンオキサイド及
び／又はプロピレンオキサイドが付加されたアルキレン
オキサイド付加物等が挙げられる。さらに、かかるアル
キレンオキサイド付加物に、例えばメチレンクロライド
等のアルキレンクロライドや酢酸等を反応させ、Ｘの部
分をアルキル基やアシル基にした化合物も、一般式
（３）で示される化合物に含まれる。
【００３４】一般式（２）で示される化合物及び一般式
（３）で示される化合物は発泡性が少ないため、得られ
る洗浄剤組成物の使用時の発泡を抑えることができる。
そのため、本発明の洗浄剤組成物は作業性や排水処理性
が良好なものであり、好ましい。
（３）で示される化合物は発泡性が少ないため、得られ
る洗浄剤組成物の使用時の発泡を抑えることができる。
そのため、本発明の洗浄剤組成物は作業性や排水処理性
が良好なものであり、好ましい。
【００３５】ポリカルボン酸化合物に、一般式（２）で
示される化合物及び／又は一般式（３）で示される化合
物とを併用する場合、それぞれの化合物の特徴が相乗的
に現れ、より良好な洗浄性が発揮される。
示される化合物及び／又は一般式（３）で示される化合
物とを併用する場合、それぞれの化合物の特徴が相乗的
に現れ、より良好な洗浄性が発揮される。
【００３６】ここで、一般式（２）で示される化合物と
一般式（３）で示される化合物との比率は特に限定され
ないが、重量比で、〔一般式（２）で示される化合物〕
／〔一般式（３）で示される化合物〕が８／２〜２／８
の範囲が好ましい。
一般式（３）で示される化合物との比率は特に限定され
ないが、重量比で、〔一般式（２）で示される化合物〕
／〔一般式（３）で示される化合物〕が８／２〜２／８
の範囲が好ましい。
【００３７】さらに本発明の洗浄剤組成物は、非イオン
界面活性剤を含有していても良い。かかる非イオン界面
活性剤を含有する洗浄剤組成物は、半導体基板又は半導
体素子に対する洗浄成分の浸透性、油性汚れに対する洗
浄性がより良好なものであり、結果として微粒子の除去
性、分散性等が向上されたものである。
界面活性剤を含有していても良い。かかる非イオン界面
活性剤を含有する洗浄剤組成物は、半導体基板又は半導
体素子に対する洗浄成分の浸透性、油性汚れに対する洗
浄性がより良好なものであり、結果として微粒子の除去
性、分散性等が向上されたものである。
【００３８】かかる非イオン界面活性剤としては、例え
ば、下記の（ａ）群、（ｂ）群又は（ｃ）群の各群に含
まれる化合物、さらには一般式（４）で示される化合物
等が挙げられる。非イオン界面活性剤としては一種を単
独で用いても良く、二種以上を混合して用いても良い。
次に（ａ）群、（ｂ）群又は（ｃ）群の各群に含まれる
化合物の具体例を示す。
ば、下記の（ａ）群、（ｂ）群又は（ｃ）群の各群に含
まれる化合物、さらには一般式（４）で示される化合物
等が挙げられる。非イオン界面活性剤としては一種を単
独で用いても良く、二種以上を混合して用いても良い。
次に（ａ）群、（ｂ）群又は（ｃ）群の各群に含まれる
化合物の具体例を示す。
【００３９】（ａ）群：炭素原子数７〜２２の炭化水素
基を有する直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和のアルコー
ルにエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイ
ドが付加された化合物、炭素原子数１〜２２の炭化水素
基を有する直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和のアミンに
エチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイドが
付加された化合物、並びに炭素原子数１〜２２の炭化水
素基を有する直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の脂肪酸
にエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイド
が付加された化合物。
基を有する直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和のアルコー
ルにエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイ
ドが付加された化合物、炭素原子数１〜２２の炭化水素
基を有する直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和のアミンに
エチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイドが
付加された化合物、並びに炭素原子数１〜２２の炭化水
素基を有する直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の脂肪酸
にエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイド
が付加された化合物。
【００４０】（ｂ）群：炭素原子数２〜１０の多価アル
コールにエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキ
サイドが付加された化合物、炭素原子数２〜１０のポリ
アミンにエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキ
サイドが付加された化合物、並びに炭素原子数２〜１０
の多価脂肪酸にエチレンオキサイド及び／又はプロピレ
ンオキサイドが付加された化合物。
コールにエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキ
サイドが付加された化合物、炭素原子数２〜１０のポリ
アミンにエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキ
サイドが付加された化合物、並びに炭素原子数２〜１０
の多価脂肪酸にエチレンオキサイド及び／又はプロピレ
ンオキサイドが付加された化合物。
【００４１】（ｃ）群：アルキルフェノール（但し、ア
ルキル基の炭素原子数は６以上である。）にエチレンオ
キサイド及び／又はプロピレンオキサイドが付加された
化合物、スチレン化フェノールにエチレンオキサイド及
び／又はプロピレンオキサイドが付加された化合物、ベ
ンジル化フェノールにエチレンオキサイド及び／又はプ
ロピレンオキサイドが付加された化合物、並びにナフト
ールにエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサ
イドが付加された化合物。
ルキル基の炭素原子数は６以上である。）にエチレンオ
キサイド及び／又はプロピレンオキサイドが付加された
化合物、スチレン化フェノールにエチレンオキサイド及
び／又はプロピレンオキサイドが付加された化合物、ベ
ンジル化フェノールにエチレンオキサイド及び／又はプ
ロピレンオキサイドが付加された化合物、並びにナフト
ールにエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサ
イドが付加された化合物。
【００４２】さらに、（ａ）群、（ｂ）群及び（ｃ）群
に含まれる化合物に、例えば炭素原子数１〜４のアルキ
レンクロライドや炭素原子数１〜４の脂肪酸等を反応さ
せ、その末端部分をアルキル基やアシル基にした化合物
も、ここでいう非イオン界面活性剤に含まれる。
に含まれる化合物に、例えば炭素原子数１〜４のアルキ
レンクロライドや炭素原子数１〜４の脂肪酸等を反応さ
せ、その末端部分をアルキル基やアシル基にした化合物
も、ここでいう非イオン界面活性剤に含まれる。
【００４３】一般式（４）で示される化合物を含有して
なる本発明の洗浄剤組成物は油性汚れの除去性が優れた
ものであり、特に油性汚れの付着した微粒子の除去性が
良好なものである。
なる本発明の洗浄剤組成物は油性汚れの除去性が優れた
ものであり、特に油性汚れの付着した微粒子の除去性が
良好なものである。
【００４４】一般式（４）で示される化合物とは、 Ｒ7 −Ｏ−（ＡＯ）ｒ−Ｘ （４） （式中、Ｒ7 は炭素原子数８〜１８のアルキル基、炭素
原子数８〜１８のアルケニル基、炭素原子数８〜１８の
アシル基又は炭素原子数１４〜１８のアルキルフェノー
ル基を示す。ＡＯはエチレンオキサイド及び／又はプロ
ピレンオキサイドを示す。Ｘは水素原子、炭素原子数１
〜４のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアシル基を示
す。ｒは３〜３５の整数を示す。）で示される化合物で
ある。
原子数８〜１８のアルケニル基、炭素原子数８〜１８の
アシル基又は炭素原子数１４〜１８のアルキルフェノー
ル基を示す。ＡＯはエチレンオキサイド及び／又はプロ
ピレンオキサイドを示す。Ｘは水素原子、炭素原子数１
〜４のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアシル基を示
す。ｒは３〜３５の整数を示す。）で示される化合物で
ある。
【００４５】前記一般式（４）において、Ｒ7 は炭素原
子数８〜１４のアルキル基、炭素原子数８〜１４のアル
ケニル基、炭素原子数８〜１４のアシル基又は炭素原子
数１４〜１６のアルキルフェノール基が洗浄性の観点か
ら好ましい。（ＡＯ）の部分はエチレンオキサイドとプ
ロピレンオキサイドをランダムで含んでいても良く、ブ
ロックで含んでいても良い。
子数８〜１４のアルキル基、炭素原子数８〜１４のアル
ケニル基、炭素原子数８〜１４のアシル基又は炭素原子
数１４〜１６のアルキルフェノール基が洗浄性の観点か
ら好ましい。（ＡＯ）の部分はエチレンオキサイドとプ
ロピレンオキサイドをランダムで含んでいても良く、ブ
ロックで含んでいても良い。
【００４６】Ｘは水素原子、炭素原子数１〜２のアルキ
ル基又は炭素原子数１〜２のアシル基が好ましい。ｒは
洗浄性の観点から６〜２５の整数がより好ましい。ま
た、（ＡＯ）の部分がエチレンオキサイドとプロピレン
オキサイドの比がモル比で９／１〜５／５の範囲のもの
は泡立ちが少なく好ましい。
ル基又は炭素原子数１〜２のアシル基が好ましい。ｒは
洗浄性の観点から６〜２５の整数がより好ましい。ま
た、（ＡＯ）の部分がエチレンオキサイドとプロピレン
オキサイドの比がモル比で９／１〜５／５の範囲のもの
は泡立ちが少なく好ましい。
【００４７】前記一般式（４）で示される非イオン界面
活性剤としては、具体的には、２−エチルヘキサノー
ル、オクタノール、デカノール、イソデシルアルコー
ル、トリデシルアルコール、ラウリルアルコール、ミリ
スチルアルコール、ステアリルアルコール、オレイルア
ルコール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、ド
デシルフェノール等のアルコール類、フェノール類等に
エチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイドを
付加した化合物等が挙げられる。さらに、かかるアルキ
レンオキサイド付加物に、例えばメチレンクロライド等
のアルキレンクロライド、酢酸等を反応させ、Ｘの部分
をアルキル基やアシル基にした化合物も、一般式（４）
で示される非イオン界面活性剤に含まれる。
活性剤としては、具体的には、２−エチルヘキサノー
ル、オクタノール、デカノール、イソデシルアルコー
ル、トリデシルアルコール、ラウリルアルコール、ミリ
スチルアルコール、ステアリルアルコール、オレイルア
ルコール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、ド
デシルフェノール等のアルコール類、フェノール類等に
エチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイドを
付加した化合物等が挙げられる。さらに、かかるアルキ
レンオキサイド付加物に、例えばメチレンクロライド等
のアルキレンクロライド、酢酸等を反応させ、Ｘの部分
をアルキル基やアシル基にした化合物も、一般式（４）
で示される非イオン界面活性剤に含まれる。
【００４８】また、一般式（２）で示される化合物、一
般式（３）で示される化合物、非イオン界面活性剤とい
った成分が洗浄剤組成物に含有されている場合、洗浄剤
組成物中のかかる成分の総含有量は特に限定されるもの
ではなく、被洗浄物を洗浄する際にかかる本発明の洗浄
剤組成物を適宜希釈して用いることができる。
般式（３）で示される化合物、非イオン界面活性剤とい
った成分が洗浄剤組成物に含有されている場合、洗浄剤
組成物中のかかる成分の総含有量は特に限定されるもの
ではなく、被洗浄物を洗浄する際にかかる本発明の洗浄
剤組成物を適宜希釈して用いることができる。
【００４９】本発明の洗浄剤組成物は、その洗浄目的に
対応して、洗浄剤組成物のｐＨが適宜調整されても良
い。金属不純物をより効果的に除去する観点から、本発
明の洗浄剤組成物は酸性のものが好ましい。具体的に
は、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸、蟻酸及び酢酸からなる
群より選ばれる少なくとも１種をさらに含有し、そのｐ
Ｈが０．１〜６の洗浄剤組成物が好ましい。この場合、
洗浄剤組成物のｐＨは１〜３がより好ましい。
対応して、洗浄剤組成物のｐＨが適宜調整されても良
い。金属不純物をより効果的に除去する観点から、本発
明の洗浄剤組成物は酸性のものが好ましい。具体的に
は、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸、蟻酸及び酢酸からなる
群より選ばれる少なくとも１種をさらに含有し、そのｐ
Ｈが０．１〜６の洗浄剤組成物が好ましい。この場合、
洗浄剤組成物のｐＨは１〜３がより好ましい。
【００５０】また、微粒子をより効果的に除去する観点
からは、本発明の洗浄剤組成物はアルカリ性のものが好
ましい。具体的には、アンモニア、アミノアルコール、
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、コリン
及び水酸化カリウムからなる群より選ばれる少なくとも
１種をさらに含有し、そのｐＨが８〜１４の範囲の洗浄
剤組成物が好ましい。この場合、洗浄剤組成物のｐＨは
１０〜１３がより好ましい。
からは、本発明の洗浄剤組成物はアルカリ性のものが好
ましい。具体的には、アンモニア、アミノアルコール、
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、コリン
及び水酸化カリウムからなる群より選ばれる少なくとも
１種をさらに含有し、そのｐＨが８〜１４の範囲の洗浄
剤組成物が好ましい。この場合、洗浄剤組成物のｐＨは
１０〜１３がより好ましい。
【００５１】アミノアルコールとしては、例えば、モノ
エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン、メチルエタノールアミン、メチルジエタノー
ルアミン、モノプロパノールアミン、ジプロパノールア
ミン、トリプロパノールアミン、メチルプロパノールア
ミン、メチルジプロパノールアミン、アミノエチルエタ
ノールアミン等が挙げられる。かかるアミノアルコール
は単独で用いても良く、二種以上を混合して用いても良
い。
エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン、メチルエタノールアミン、メチルジエタノー
ルアミン、モノプロパノールアミン、ジプロパノールア
ミン、トリプロパノールアミン、メチルプロパノールア
ミン、メチルジプロパノールアミン、アミノエチルエタ
ノールアミン等が挙げられる。かかるアミノアルコール
は単独で用いても良く、二種以上を混合して用いても良
い。
【００５２】本発明の洗浄剤組成物は本発明の特性を損
なわない範囲で、シリコン系の消泡剤やＥＤＴＡのよう
なキレート剤、アルコール類、グリコールエーテル類、
防腐剤、酸化防止剤等を配合できる。
なわない範囲で、シリコン系の消泡剤やＥＤＴＡのよう
なキレート剤、アルコール類、グリコールエーテル類、
防腐剤、酸化防止剤等を配合できる。
【００５３】本発明の洗浄剤組成物は半導体素子や半導
体基板の製造工程のいずれの工程で使用しても良い。例
示すれば、シリコンウエハのラッピングやポリシング工
程後の洗浄工程；半導体素子製造前の洗浄工程；半導体
素子製造工程、例えば、レジスト現像後、ドライエッチ
ング後、ウェットエッチング後、ドライアッシング後、
レジスト剥離後、ＣＭＰ処理前後、ＣＶＤ処理前後等の
洗浄工程；ＴＦＴ型液晶表示板等の半導体素子製造工程
で使用することができる。
体基板の製造工程のいずれの工程で使用しても良い。例
示すれば、シリコンウエハのラッピングやポリシング工
程後の洗浄工程；半導体素子製造前の洗浄工程；半導体
素子製造工程、例えば、レジスト現像後、ドライエッチ
ング後、ウェットエッチング後、ドライアッシング後、
レジスト剥離後、ＣＭＰ処理前後、ＣＶＤ処理前後等の
洗浄工程；ＴＦＴ型液晶表示板等の半導体素子製造工程
で使用することができる。
【００５４】本発明の洗浄剤組成物は、上記の各成分を
混合すること等により容易に調製することができる。
混合すること等により容易に調製することができる。
【００５５】２．洗浄方法 本発明の洗浄方法は、本発明の洗浄剤組成物を用いて、
半導体基板又は半導体素子を洗浄する方法である。本発
明の洗浄剤組成物を用いて洗浄する際、１）ポリカルボ
ン酸化合物、２）一般式（２）で示される化合物、３）
一般式（３）で示される化合物、及び４）非イオン界面
活性剤の総含有量が、微粒子除去性、洗浄性等の観点か
ら０．００１〜２０重量％で洗浄を行うことが好まし
く、０．０１〜２０重量％で洗浄を行うことがより好ま
しく、０．０５〜１０重量％で洗浄を行うことがさらに
好ましく、０．１〜５．０重量％で洗浄を行うことが特
に好ましい。
半導体基板又は半導体素子を洗浄する方法である。本発
明の洗浄剤組成物を用いて洗浄する際、１）ポリカルボ
ン酸化合物、２）一般式（２）で示される化合物、３）
一般式（３）で示される化合物、及び４）非イオン界面
活性剤の総含有量が、微粒子除去性、洗浄性等の観点か
ら０．００１〜２０重量％で洗浄を行うことが好まし
く、０．０１〜２０重量％で洗浄を行うことがより好ま
しく、０．０５〜１０重量％で洗浄を行うことがさらに
好ましく、０．１〜５．０重量％で洗浄を行うことが特
に好ましい。
【００５６】本発明に用いることのできる洗浄手段とし
ては特に限定されるものではなく、、浸漬洗浄、揺動洗
浄、スピンナー等の回転を利用した洗浄、パドル洗浄、
気中又は液中スプレー洗浄及び超音波洗浄、ブラシ洗浄
等の公知の手段を用いることができる。かかる洗浄手段
は単独で実施しても良く、複数を組み合わせて実施して
も良い。また、半導体基板又は半導体素子は、一回の洗
浄操作で一枚ずつ洗浄しても良く、複数枚数を洗浄して
も良い。また、洗浄の際に用いる洗浄槽の数は１つでも
複数でも良い。洗浄時の洗浄剤組成物の温度は特に限定
されるものではないが、２０〜１００℃の範囲が安全
性、操業性の点で好ましい。
ては特に限定されるものではなく、、浸漬洗浄、揺動洗
浄、スピンナー等の回転を利用した洗浄、パドル洗浄、
気中又は液中スプレー洗浄及び超音波洗浄、ブラシ洗浄
等の公知の手段を用いることができる。かかる洗浄手段
は単独で実施しても良く、複数を組み合わせて実施して
も良い。また、半導体基板又は半導体素子は、一回の洗
浄操作で一枚ずつ洗浄しても良く、複数枚数を洗浄して
も良い。また、洗浄の際に用いる洗浄槽の数は１つでも
複数でも良い。洗浄時の洗浄剤組成物の温度は特に限定
されるものではないが、２０〜１００℃の範囲が安全
性、操業性の点で好ましい。
【００５７】
【実施例】つぎに、本発明を実施例及びに基づいてさら
に詳細に説明するが、本発明はかかる実施例等に限定さ
れるものではない。
に詳細に説明するが、本発明はかかる実施例等に限定さ
れるものではない。
【００５８】実施例１〜１９、比較例１〜４ １．汚染液の調製 ２リットルのビーカーに研磨粒子及びシリコンウエハの
摩耗粒子を想定したシリカ粒子（粒径０．５〜２μｍ）
を、１５００ｍＬの超純水に２重量％となる量分散さ
せ、汚染液（Ａ）を調製した。次に汚染液（Ａ）に機械
油ミストを想定したオレイン酸ブチルエステルを１．０
ｇ加え、汚染液（Ｂ）を調製した。
摩耗粒子を想定したシリカ粒子（粒径０．５〜２μｍ）
を、１５００ｍＬの超純水に２重量％となる量分散さ
せ、汚染液（Ａ）を調製した。次に汚染液（Ａ）に機械
油ミストを想定したオレイン酸ブチルエステルを１．０
ｇ加え、汚染液（Ｂ）を調製した。
【００５９】２．洗浄剤組成物・洗浄液の調製 表１及び表２に示す化合物を用いて、表３〜表５に示す
組成（数値は重量％）の洗浄剤組成物を調製した。
組成（数値は重量％）の洗浄剤組成物を調製した。
【００６０】
【表１】
【００６１】
【表２】
【００６２】
【表３】
【００６３】
【表４】
【００６４】
【表５】
【００６５】次いで、洗浄剤組成物を希釈して洗浄液
（１）、洗浄液（２）及び洗浄液（３）を調製した。具
体的には次の通りである。
（１）、洗浄液（２）及び洗浄液（３）を調製した。具
体的には次の通りである。
【００６６】（１）：洗浄剤組成物を純水で希釈後、ア
ンモニア水又は塩酸でｐＨを７．５に調整して洗浄液を
得た。得られた洗浄液における、洗浄剤組成物を構成す
る各成分の総含有量（重量％）は表６〜表１１に示され
る通りである。ここで総含有量が０重量％の洗浄液は、
洗浄剤組成物を用いず、純水とアンモニア水でｐＨを
７．５に調整したものである。このようにして調製され
た洗浄液を洗浄方法で洗浄液（１）として使用した。
ンモニア水又は塩酸でｐＨを７．５に調整して洗浄液を
得た。得られた洗浄液における、洗浄剤組成物を構成す
る各成分の総含有量（重量％）は表６〜表１１に示され
る通りである。ここで総含有量が０重量％の洗浄液は、
洗浄剤組成物を用いず、純水とアンモニア水でｐＨを
７．５に調整したものである。このようにして調製され
た洗浄液を洗浄方法で洗浄液（１）として使用した。
【００６７】（２）：ｐＨを１１にしたアンモニア水
に、洗浄剤組成物を添加して洗浄液を得た。得られた洗
浄液における、洗浄剤組成物を構成する各成分の総含有
量（重量％）は表６〜表１１に示される通りである。こ
のようにして調製された洗浄液を洗浄方法で洗浄液
（２）として使用した。
に、洗浄剤組成物を添加して洗浄液を得た。得られた洗
浄液における、洗浄剤組成物を構成する各成分の総含有
量（重量％）は表６〜表１１に示される通りである。こ
のようにして調製された洗浄液を洗浄方法で洗浄液
（２）として使用した。
【００６８】（３）：ｐＨを２の塩酸水溶液に、洗浄剤
組成物を添加して洗浄液を得た。得られた洗浄液におけ
る、洗浄剤組成物を構成する各成分の総含有量（重量
％）は表６〜表１１に示される通りである。このように
して調製された洗浄液を洗浄方法で洗浄液（３）とし
て使用した。
組成物を添加して洗浄液を得た。得られた洗浄液におけ
る、洗浄剤組成物を構成する各成分の総含有量（重量
％）は表６〜表１１に示される通りである。このように
して調製された洗浄液を洗浄方法で洗浄液（３）とし
て使用した。
【００６９】
【表６】
【００７０】
【表７】
【００７１】
【表８】
【００７２】
【表９】
【００７３】
【表１０】
【００７４】
【表１１】
【００７５】３．すすぎ液の調製 すすぎ液としては超純水を使用した。超純水１５００ｍ
Ｌの入ったビーカーを２つ用意した。
Ｌの入ったビーカーを２つ用意した。
【００７６】４．洗浄性評価方法 （１）テストピース１に対する洗浄性 マグネチックスターラーで、シリカ粒子を均一分散させ
ながら５０℃に保った汚染液（Ａ）中に、直径１０ｃｍ
のシリコンウエハを５分間浸漬し、ウエハを汚染した。
ながら５０℃に保った汚染液（Ａ）中に、直径１０ｃｍ
のシリコンウエハを５分間浸漬し、ウエハを汚染した。
【００７７】汚染されたウエハを、以下の洗浄方法、
洗浄方法又は洗浄方法のいずれかの方法で洗浄し
た。
洗浄方法又は洗浄方法のいずれかの方法で洗浄し
た。
【００７８】洗浄方法：汚染されたウエハを、６０℃
に保った洗浄液（１）中に浸漬し、３０秒間超音波（３
８ＫＨｚ）を照射しながら洗浄した後、１回／２秒の割
合で上下揺動しながら３分間洗浄した。
に保った洗浄液（１）中に浸漬し、３０秒間超音波（３
８ＫＨｚ）を照射しながら洗浄した後、１回／２秒の割
合で上下揺動しながら３分間洗浄した。
【００７９】洗浄方法：汚染されたウエハを、６０℃
に保った洗浄液（２）中に浸漬し、３０秒間超音波（３
８ＫＨｚ）を照射しながら洗浄した後、１回／２秒の割
合で上下揺動しながら３分間洗浄した。
に保った洗浄液（２）中に浸漬し、３０秒間超音波（３
８ＫＨｚ）を照射しながら洗浄した後、１回／２秒の割
合で上下揺動しながら３分間洗浄した。
【００８０】洗浄方法：汚染されたウエハを、３０℃
に保った洗浄液（３）中に浸漬し、３０秒間超音波（３
８ＫＨｚ）を照射しながら洗浄した後、１回／２秒の割
合で上下揺動しながら３分間洗浄した。
に保った洗浄液（３）中に浸漬し、３０秒間超音波（３
８ＫＨｚ）を照射しながら洗浄した後、１回／２秒の割
合で上下揺動しながら３分間洗浄した。
【００８１】このようにして洗浄されたウエハを６０℃
に保ったすすぎ液中に浸漬し、１回／２秒の割合で上下
揺動しながら３分間すすいだ。ビーカーを替えてこの操
作をもう１回行った。
に保ったすすぎ液中に浸漬し、１回／２秒の割合で上下
揺動しながら３分間すすいだ。ビーカーを替えてこの操
作をもう１回行った。
【００８２】テストピース１に対する洗浄性は、次のよ
うに評価した。
うに評価した。
【００８３】すすぎを終えたウエハの乾燥後、ウエハ表
面に残留する粒子数を顕微鏡で観察して数え、次式から
相対粒子除去率（洗浄性）を求めた。
面に残留する粒子数を顕微鏡で観察して数え、次式から
相対粒子除去率（洗浄性）を求めた。
【００８４】相対粒子除去率（％）＝〔（対照洗浄液使
用時の粒子数−洗浄液使用時の粒子数）／（対照洗浄液
使用時の粒子数）〕×１００ 結果を表６〜表８に示す。
用時の粒子数−洗浄液使用時の粒子数）／（対照洗浄液
使用時の粒子数）〕×１００ 結果を表６〜表８に示す。
【００８５】（２）テストピース２に対する洗浄性 テストピース１に対する洗浄性試験と同様の方法で、シ
リコンウエハを汚染液（Ｂ）で汚染し、汚染されたウエ
ハの洗浄、洗浄されたウエハのすすぎを行った。テスト
ピース２に対する洗浄性の評価は、テストピース１に対
する洗浄性の評価と同様にして行った。
リコンウエハを汚染液（Ｂ）で汚染し、汚染されたウエ
ハの洗浄、洗浄されたウエハのすすぎを行った。テスト
ピース２に対する洗浄性の評価は、テストピース１に対
する洗浄性の評価と同様にして行った。
【００８６】また、すすぎを終えたウエハの乾燥後、ウ
エハ表面に残留する有機物を溶剤で抽出し、堀場ＯＣＭ
Ａ油分分析計でその有機物量を測定し、次式から相対油
分除去率（洗浄性）を求めた。
エハ表面に残留する有機物を溶剤で抽出し、堀場ＯＣＭ
Ａ油分分析計でその有機物量を測定し、次式から相対油
分除去率（洗浄性）を求めた。
【００８７】相対油分除去率（％）＝〔（対照洗浄液使
用時の有機物量−洗浄液使用時の有機物量）／（対照洗
浄液使用時の有機物量）〕×１００
用時の有機物量−洗浄液使用時の有機物量）／（対照洗
浄液使用時の有機物量）〕×１００
【００８８】ここで「対照洗浄液」とは、洗浄方法に
おいては、純水とアンモニア水からなるｐＨ７．５の液
体であり、洗浄方法においては、ｐＨが１１のアンモ
ニア水であり、洗浄方法においては、ｐＨが２の塩酸
水溶液である。
おいては、純水とアンモニア水からなるｐＨ７．５の液
体であり、洗浄方法においては、ｐＨが１１のアンモ
ニア水であり、洗浄方法においては、ｐＨが２の塩酸
水溶液である。
【００８９】また、テストピース２の洗浄性試験におい
て、洗浄液の起泡性についても次のようにして試験を行
った。
て、洗浄液の起泡性についても次のようにして試験を行
った。
【００９０】５０ｍＬの目盛り付きシリンダーに、洗浄
方法で洗浄液として用いる洗浄剤組成物を２０ｍＬ入
れ、３０℃に保温後、１０回上下に振とうし、１０秒間
静置後の泡の体積を測定した。
方法で洗浄液として用いる洗浄剤組成物を２０ｍＬ入
れ、３０℃に保温後、１０回上下に振とうし、１０秒間
静置後の泡の体積を測定した。
【００９１】結果を表９〜表１１に示す。
【００９２】実施例１〜１９の洗浄剤組成物はいずれ
も、比較例１〜４の洗浄剤組成物に比べ良好な微粒子洗
浄性を示した。さらに一般式（１）で示されるモノマー
を用いて得られるポリカルボン酸化合物を用いた実施例
３、４及び９の洗浄剤組成物は、より良好な微粒子洗浄
性を示し、起泡性が極めて少なかった。さらに、一般式
（２）又は（３）で示される化合物を洗浄剤組成物中に
含む実施例１０、１１、１３、１４、及び１８の洗浄剤
組成物は、泡立ちが少なく、かつ油性汚れの付着した微
粒子に対し優れた洗浄性を示した。
も、比較例１〜４の洗浄剤組成物に比べ良好な微粒子洗
浄性を示した。さらに一般式（１）で示されるモノマー
を用いて得られるポリカルボン酸化合物を用いた実施例
３、４及び９の洗浄剤組成物は、より良好な微粒子洗浄
性を示し、起泡性が極めて少なかった。さらに、一般式
（２）又は（３）で示される化合物を洗浄剤組成物中に
含む実施例１０、１１、１３、１４、及び１８の洗浄剤
組成物は、泡立ちが少なく、かつ油性汚れの付着した微
粒子に対し優れた洗浄性を示した。
【００９３】また、非イオン界面活性剤を添加した実施
例１２、１５〜１７及び１９の洗浄剤組成物は、さらに
良好な微粒子洗浄性を示した。また、微粒子と油分とで
汚染したウエハの微粒子除去性を調べることで、非イオ
ン界面活性剤の併用効果がより明確に現れた。
例１２、１５〜１７及び１９の洗浄剤組成物は、さらに
良好な微粒子洗浄性を示した。また、微粒子と油分とで
汚染したウエハの微粒子除去性を調べることで、非イオ
ン界面活性剤の併用効果がより明確に現れた。
【００９４】エチレンオキサイドとプロピレンオキサイ
ドとを付加した非イオン界面活性剤は低泡性である（実
施例１２）。また、ｐＨが酸性でもアルカリ性でも良好
な洗浄性を示した。このことから、本発明の洗浄剤組成
物の組成を適宜調整することにより、洗浄時における洗
浄性と発泡性の兼ね合いに応じた洗浄剤組成物を得るこ
とができる。
ドとを付加した非イオン界面活性剤は低泡性である（実
施例１２）。また、ｐＨが酸性でもアルカリ性でも良好
な洗浄性を示した。このことから、本発明の洗浄剤組成
物の組成を適宜調整することにより、洗浄時における洗
浄性と発泡性の兼ね合いに応じた洗浄剤組成物を得るこ
とができる。
【００９５】
【発明の効果】特定のポリカルボン酸化合物を含有する
ことを特徴とする洗浄剤組成物及びその洗浄剤組成物を
使用して洗浄することにより、半導体素子の製造工程に
おいて素子表面に付着した微粒子等の異物を効率良く洗
浄、除去することができ、製造された半導体素子の歩留
まり及び品質等の向上に寄与する。また、洗浄剤組成物
の発泡性が低いため、洗浄における操業性や排水処理性
を損なわない。
ことを特徴とする洗浄剤組成物及びその洗浄剤組成物を
使用して洗浄することにより、半導体素子の製造工程に
おいて素子表面に付着した微粒子等の異物を効率良く洗
浄、除去することができ、製造された半導体素子の歩留
まり及び品質等の向上に寄与する。また、洗浄剤組成物
の発泡性が低いため、洗浄における操業性や排水処理性
を損なわない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４７ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４７Ａ
Claims (8)
- 【請求項１】 アクリル酸、メタクリル酸及びマレイン
酸からなる群より選ばれる少なくとも１種をモノマー成
分とし、該モノマー成分を全モノマー成分の使用量の２
０モル％以上用いて得られる、重量平均分子量が５００
〜１５万のポリカルボン酸化合物を含有してなる、半導
体基板用又は半導体素子用洗浄剤組成物。 - 【請求項２】 モノマー成分として、さらに一般式
（１）： 【化１】 （式中、Ｒ1 は水素原子、炭素原子数１〜１８の炭化水
素基又は炭素原子数１〜１８のアシル基を示す。Ｒ2 は
水素原子又はメチル基を示す。ＡＯはエチレンオキサイ
ド及び／又はプロピレンオキサイドを示す。ｍは１〜１
００の整数を示す。）で示される化合物を、全モノマー
成分の使用量の５〜７０モル％使用する請求項１記載の
洗浄剤組成物。 - 【請求項３】 一般式（２）： 【化２】 （式中、Ｒ3 は水素原子、炭素原子数１〜５のアルキル
基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を示す。ＡＯは
エチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイドを
示す。Ｘは水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基又
は炭素原子数１〜４のアシル基を示す。ｎは０〜２の整
数を示す。ｐは１〜８の整数を示す。）で示される化合
物、及び一般式（３）： Ｒ5 −Ｏ−（ＡＯ）ｐ−Ｘ （３） （式中、Ｒ5 は炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原
子数２〜６のアルケニル基又は炭素原子数１〜６のアシ
ル基を示す。ＡＯはエチレンオキサイド及び／又はプロ
ピレンオキサイドを示す。Ｘは水素原子、炭素原子数１
〜４のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアシル基を示
す。ｐは１〜８の整数を示す。）で示される化合物から
なる群より選ばれる少なくとも１種をさらに含有してな
る請求項１又は２記載の洗浄剤組成物。 - 【請求項４】 非イオン界面活性剤をさらに含有してな
る請求項１〜３いずれか記載の洗浄剤組成物。 - 【請求項５】 非イオン界面活性剤が、一般式（４）： Ｒ7 −Ｏ−（ＡＯ）ｒ−Ｘ （４） （式中、Ｒ7 は炭素原子数８〜１８のアルキル基、炭素
原子数８〜１８のアルケニル基、炭素原子数８〜１８の
アシル基又は炭素原子数１４〜１８のアルキルフェノー
ル基を示す。ＡＯはエチレンオキサイド及び／又はプロ
ピレンオキサイドを示す。Ｘは水素原子、炭素原子数１
〜４のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアシル基を示
す。ｒは３〜３５の整数を示す。）で示される化合物で
ある請求項４記載の洗浄剤組成物。 - 【請求項６】 塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸、蟻酸及び酢
酸からなる群より選ばれる少なくとも１種をさらに含有
してなり、ｐＨが０．１〜６である請求項１〜５いずれ
か記載の洗浄剤組成物。 - 【請求項７】 アンモニア、アミノアルコール、テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイド、コリン及び水
酸化カリウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を
さらに含有してなり、ｐＨが８〜１４である請求項１〜
５いずれか記載の洗浄剤組成物。 - 【請求項８】 請求項１〜７いずれか記載の洗浄剤組成
物を用いて洗浄する半導体基板又は半導体素子の洗浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35811797A JP3962468B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 洗浄剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35811797A JP3962468B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 洗浄剤組成物 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005252288A Division JP3803360B2 (ja) | 2005-08-31 | 2005-08-31 | 洗浄剤組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11181494A true JPH11181494A (ja) | 1999-07-06 |
| JP3962468B2 JP3962468B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=18457636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35811797A Expired - Fee Related JP3962468B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 洗浄剤組成物 |
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002069495A (ja) * | 2000-06-16 | 2002-03-08 | Kao Corp | 洗浄剤組成物 |
| JP2002308912A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-23 | Asahi Denka Kogyo Kk | 乳化重合用乳化剤又は懸濁重合用分散剤 |
| JP2002359223A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Shibaura Mechatronics Corp | 洗浄液 |
| JP2004519088A (ja) * | 2000-06-26 | 2004-06-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 枚葉プロセスにおけるウェーハの洗浄方法及び洗浄液 |
| JP2009084509A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Kao Corp | ハードディスク用基板用の洗浄剤組成物 |
| US7524771B2 (en) | 2002-10-29 | 2009-04-28 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method using alkaline solution and acid solution |
| EP2284250A1 (en) | 2009-07-07 | 2011-02-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Formulations and Method for Post-CMP Cleaning |
| US7918941B2 (en) | 2006-03-31 | 2011-04-05 | Kao Corporation | Cleaning composition |
| WO2012137605A1 (ja) * | 2011-04-01 | 2012-10-11 | 花王株式会社 | 硬質表面用洗浄剤組成物 |
| US8916338B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-12-23 | Eastman Chemical Company | Processes and compositions for removing substances from substrates |
| US9029268B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-05-12 | Dynaloy, Llc | Process for etching metals |
| JP2018040060A (ja) * | 2011-11-08 | 2018-03-15 | トーソー エスエムディー，インク． | 特別な表面処理及び優れた粒子性能を有するシリコンスパッターターゲットの製造方法 |
| EP3588535A1 (en) | 2018-06-26 | 2020-01-01 | Versum Materials US, LLC | Post chemical mechanical planarization (cmp) cleaning |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP35811797A patent/JP3962468B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002069495A (ja) * | 2000-06-16 | 2002-03-08 | Kao Corp | 洗浄剤組成物 |
| JP2004519088A (ja) * | 2000-06-26 | 2004-06-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 枚葉プロセスにおけるウェーハの洗浄方法及び洗浄液 |
| JP2002308912A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-23 | Asahi Denka Kogyo Kk | 乳化重合用乳化剤又は懸濁重合用分散剤 |
| JP2002359223A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Shibaura Mechatronics Corp | 洗浄液 |
| JP4713767B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2011-06-29 | 株式会社東芝 | 洗浄液および半導体装置の製造方法 |
| US7524771B2 (en) | 2002-10-29 | 2009-04-28 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method using alkaline solution and acid solution |
| US7918941B2 (en) | 2006-03-31 | 2011-04-05 | Kao Corporation | Cleaning composition |
| JP2009084509A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Kao Corp | ハードディスク用基板用の洗浄剤組成物 |
| US8916338B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-12-23 | Eastman Chemical Company | Processes and compositions for removing substances from substrates |
| EP2284250A1 (en) | 2009-07-07 | 2011-02-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Formulations and Method for Post-CMP Cleaning |
| US8765653B2 (en) | 2009-07-07 | 2014-07-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Formulations and method for post-CMP cleaning |
| WO2012137605A1 (ja) * | 2011-04-01 | 2012-10-11 | 花王株式会社 | 硬質表面用洗浄剤組成物 |
| JP2018040060A (ja) * | 2011-11-08 | 2018-03-15 | トーソー エスエムディー，インク． | 特別な表面処理及び優れた粒子性能を有するシリコンスパッターターゲットの製造方法 |
| US9029268B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-05-12 | Dynaloy, Llc | Process for etching metals |
| EP3588535A1 (en) | 2018-06-26 | 2020-01-01 | Versum Materials US, LLC | Post chemical mechanical planarization (cmp) cleaning |
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