JPH1117275A - 窒化ガリウム系半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系半導体レーザおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 面精度および平行度の良好な共振器ミラーを
備えた窒化ガリウム系半導体レーザを提供する。 【解決手段】 サファイア（０００１）面基板１０１上
に、ＭＯＶＰＥ法によりバッファ層６０２、窒化ガリウ
ムからなるコンタクト層６０３を形成した後、その表面
に窒化珪素マスク１０２を形成する。マスク窒化珪素マ
スク１０２には、前記窒化ガリウムの［１１−２０］方
向に長辺、［１−１００］方向に短辺を有する長方形の
開口部を設ける。この開口部に、ＭＯＶＰＥ法を用いて
窒化ガリウム系半導体層１０４を形成し、その側面の
（１１−２０）面を共振器端面１０３とする。
備えた窒化ガリウム系半導体レーザを提供する。 【解決手段】 サファイア（０００１）面基板１０１上
に、ＭＯＶＰＥ法によりバッファ層６０２、窒化ガリウ
ムからなるコンタクト層６０３を形成した後、その表面
に窒化珪素マスク１０２を形成する。マスク窒化珪素マ
スク１０２には、前記窒化ガリウムの［１１−２０］方
向に長辺、［１−１００］方向に短辺を有する長方形の
開口部を設ける。この開口部に、ＭＯＶＰＥ法を用いて
窒化ガリウム系半導体層１０４を形成し、その側面の
（１１−２０）面を共振器端面１０３とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、面精度および平行
度の良好な共振器ミラーを有する窒化ガリウム系半導体
レーザおよびその製造方法に関する。
度の良好な共振器ミラーを有する窒化ガリウム系半導体
レーザおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化ガリウムは、燐化インジウムや砒化
ガリウムといった従来の一般的な化合物半導体に比べ、
禁制帯幅エネルギーが大きい。そのため、窒化ガリウム
系半導体は緑から紫外にかけての発光素子、特にレーザ
ヘの応用が期待されている。従来、代表的な窒化ガリウ
ム系半導体である窒化ガリウムは、有機金属化学気相成
長法（以下ＭＯＶＰＥ法という。）により、（１１−２
０）面または（０００１）面を表面とするサファイア基
板上に形成されることが一般的であった。図６は、サフ
ァイア面基板上に形成された代表的な従来技術の窒化ガ
リウム系レーザの概略断面図である（S.Nakamura et a
l.,Jpn.J.Appl.Phys.35(1996)L74)。図６において、こ
の窒化ガリウム系レーザは、サファイア（０００１）面
基板１０１上に、成長温度５５０℃の厚さ３００Åのア
ンドープの窒化ガリウム低温成長バッファ層６０２、珪
素が添加された厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウムコンタク
ト層６０３、珪素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型Ｉ
ｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層６０４、珪素が添加された厚さ０．４
μｍのｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層６０５、珪素
が添加された厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウム光ガイ
ド層６０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ0.2Ｇａ0.8
Ｎ量子井戸層と厚さ５０ÅのアンドープのＩｎ0. 05Ｇａ
0.95Ｎ障壁層からなる２６周期の多重量子井戸構造活性
層６０７、マグネシウムが添加された厚さ２００Åのｐ
型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層６０８、マグネシウムが添加され
た厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム光ガイド層６０
９、マグネシウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａ
ｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層６１０、マグネシウムが添
加された厚さ０．５μｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト
層６１１、ニッケル（第１層）および金（第２層）から
なるｐ電極６１２、チタン（第１層）およびアルミニウ
ム（第２層）からなるｎ電極６１３が形成されている。
半導体層６０２、６０３、６０４、６０５、６０６、６
０７、６０８、６０９、６１０、６１１の形成はＭＯＶ
ＰＥ法により行われた。ｎ型窒化ガリウムコンタクト層
６０３より表面側の半導体層は六方晶であって、窒化ガ
リウム系半導体の（０００１）面を表面としている。
ガリウムといった従来の一般的な化合物半導体に比べ、
禁制帯幅エネルギーが大きい。そのため、窒化ガリウム
系半導体は緑から紫外にかけての発光素子、特にレーザ
ヘの応用が期待されている。従来、代表的な窒化ガリウ
ム系半導体である窒化ガリウムは、有機金属化学気相成
長法（以下ＭＯＶＰＥ法という。）により、（１１−２
０）面または（０００１）面を表面とするサファイア基
板上に形成されることが一般的であった。図６は、サフ
ァイア面基板上に形成された代表的な従来技術の窒化ガ
リウム系レーザの概略断面図である（S.Nakamura et a
l.,Jpn.J.Appl.Phys.35(1996)L74)。図６において、こ
の窒化ガリウム系レーザは、サファイア（０００１）面
基板１０１上に、成長温度５５０℃の厚さ３００Åのア
ンドープの窒化ガリウム低温成長バッファ層６０２、珪
素が添加された厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウムコンタク
ト層６０３、珪素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型Ｉ
ｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層６０４、珪素が添加された厚さ０．４
μｍのｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層６０５、珪素
が添加された厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウム光ガイ
ド層６０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ0.2Ｇａ0.8
Ｎ量子井戸層と厚さ５０ÅのアンドープのＩｎ0. 05Ｇａ
0.95Ｎ障壁層からなる２６周期の多重量子井戸構造活性
層６０７、マグネシウムが添加された厚さ２００Åのｐ
型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層６０８、マグネシウムが添加され
た厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム光ガイド層６０
９、マグネシウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａ
ｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層６１０、マグネシウムが添
加された厚さ０．５μｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト
層６１１、ニッケル（第１層）および金（第２層）から
なるｐ電極６１２、チタン（第１層）およびアルミニウ
ム（第２層）からなるｎ電極６１３が形成されている。
半導体層６０２、６０３、６０４、６０５、６０６、６
０７、６０８、６０９、６１０、６１１の形成はＭＯＶ
ＰＥ法により行われた。ｎ型窒化ガリウムコンタクト層
６０３より表面側の半導体層は六方晶であって、窒化ガ
リウム系半導体の（０００１）面を表面としている。
【０００３】図７は、サファイア（１１−２０）の面基
板上に形成された代表的な従来技術の窒化ガリウム系レ
ーザの概略断面図である（S.Nakamura et al.,Jpn.App
l.Phys.35(1996)L217）。図７において、この窒化ガリ
ウム系レーザは、サファイア（１１−２０）面基板７０
１上に、成長温度５５０℃の厚さ５００Åのアンドープ
の窒化ガリウム低温成長バッファ層７０２、珪素が添加
された厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０
３、珪素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ 0.1Ｇ
ａ0.9Ｎ層６０４、珪素が添加された厚さ０．４μｍの
ｎ型Ａｌ0.12Ｇａ0. 88Ｎクラッド層７０５、珪素が添加
された厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウム光ガイド層６
０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子
井戸層と厚さ５０ÅのアンドープのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ
障壁層からなる２０周期の多重量子井戸構造活性層７０
７、マグネシウムが添加された厚さ２００Åのｐ型Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ｎ層６０８、マグネシウムが添加された厚さ
０．１μｍのｐ型窒化ガリウム光ガイド層６０９、マグ
ネシウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.15Ｇ
ａ0.85Ｎクラッド層６１０、マグネシウムが添加された
厚さ０．５μｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト層６１
１、ニッケル（第１層）および金（第２層）からなるｐ
電極６１２、チタン（第１層）およびアルミニウム（第
２層）からなるｎ電極６１３が形成されている。半導体
層６０２、６０３、６０４、７０５、６０６、７０７、
６０８、６０９、６１０、６１１の形成はＭＯＶＰＥ法
により行われた。ｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０３
より表面側の半導体層は六方晶であって、窒化ガリウム
系半導体の（０００１）面を表面としている。
板上に形成された代表的な従来技術の窒化ガリウム系レ
ーザの概略断面図である（S.Nakamura et al.,Jpn.App
l.Phys.35(1996)L217）。図７において、この窒化ガリ
ウム系レーザは、サファイア（１１−２０）面基板７０
１上に、成長温度５５０℃の厚さ５００Åのアンドープ
の窒化ガリウム低温成長バッファ層７０２、珪素が添加
された厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０
３、珪素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ 0.1Ｇ
ａ0.9Ｎ層６０４、珪素が添加された厚さ０．４μｍの
ｎ型Ａｌ0.12Ｇａ0. 88Ｎクラッド層７０５、珪素が添加
された厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウム光ガイド層６
０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子
井戸層と厚さ５０ÅのアンドープのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ
障壁層からなる２０周期の多重量子井戸構造活性層７０
７、マグネシウムが添加された厚さ２００Åのｐ型Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ｎ層６０８、マグネシウムが添加された厚さ
０．１μｍのｐ型窒化ガリウム光ガイド層６０９、マグ
ネシウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.15Ｇ
ａ0.85Ｎクラッド層６１０、マグネシウムが添加された
厚さ０．５μｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト層６１
１、ニッケル（第１層）および金（第２層）からなるｐ
電極６１２、チタン（第１層）およびアルミニウム（第
２層）からなるｎ電極６１３が形成されている。半導体
層６０２、６０３、６０４、７０５、６０６、７０７、
６０８、６０９、６１０、６１１の形成はＭＯＶＰＥ法
により行われた。ｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０３
より表面側の半導体層は六方晶であって、窒化ガリウム
系半導体の（０００１）面を表面としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術の窒化ガリウム系レーザは、共振器ミラーの形成
が困難であるという問題があった。
来技術の窒化ガリウム系レーザは、共振器ミラーの形成
が困難であるという問題があった。
【０００５】例えば、図６に示された従来技術の窒化ガ
リウム系レーザは、サファイアの（０００１）面基板１
０１上に形成されている。この場合、サファイアの（０
００１）面基板１０１の表面に垂直な劈開面である（１
−１００）面と、ｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０３
より表面側の窒化ガリウム系半導体層の表面に垂直な劈
開面である（１−１００）面とは、３０度の角度をなし
ている。このため、サファイアの（０００１）面基板上
に形成された窒化ガリウム系レーザは、共振器ミラーを
簡便な劈開により形成することが困難であり、ドライエ
ッチングにより形成する必要があった。共振器ミラーを
ドライエッチングにより形成する場合、劈開により形成
する場合に比べ、工程が煩雑である上、半導体層に損傷
を与えたり共振器ミラー面に凹凸が生じる場合がある等
の問題があった。
リウム系レーザは、サファイアの（０００１）面基板１
０１上に形成されている。この場合、サファイアの（０
００１）面基板１０１の表面に垂直な劈開面である（１
−１００）面と、ｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０３
より表面側の窒化ガリウム系半導体層の表面に垂直な劈
開面である（１−１００）面とは、３０度の角度をなし
ている。このため、サファイアの（０００１）面基板上
に形成された窒化ガリウム系レーザは、共振器ミラーを
簡便な劈開により形成することが困難であり、ドライエ
ッチングにより形成する必要があった。共振器ミラーを
ドライエッチングにより形成する場合、劈開により形成
する場合に比べ、工程が煩雑である上、半導体層に損傷
を与えたり共振器ミラー面に凹凸が生じる場合がある等
の問題があった。
【０００６】サファイア（０００１）面基板上に形成さ
れた窒化ガリウム系レーザにおいては、サファイア基板
をある程度以下に薄く研磨することによって、共振器の
ミラーを劈開により形成することが可能であるという報
告もあるが（K.Itaya et al.,Jpn.J.Appl.Phys.35(199
6)L1315)、共振器ミラー形成の歩留まりが悪いという問
題がある。
れた窒化ガリウム系レーザにおいては、サファイア基板
をある程度以下に薄く研磨することによって、共振器の
ミラーを劈開により形成することが可能であるという報
告もあるが（K.Itaya et al.,Jpn.J.Appl.Phys.35(199
6)L1315)、共振器ミラー形成の歩留まりが悪いという問
題がある。
【０００７】また、例えば、図７に示された従来技術の
窒化ガリウム系レーザは、サファイア（１１−２０）面
基板７０１上に形成されている。この場合、サファイア
（１１−２０）面基板７０１の面に垂直な劈開面である
（１−１００）面と、ｎ型窒化ガリウムコンタクト層６
０３より表面側の窒化ガリウム系半導体層の表面に垂直
な劈開面である（１−１００）面は、ほぼ一致してい
る。このため、サファイア（１１−２０）面基板上に形
成された窒化ガリウム系レーザは、共振器のミラーを、
劈開により比較的歩留まり良く形成することが可能であ
る。しかし、この場合でも、サファイア基板と窒化ガリ
ウム系半導体層の劈開面が完全には一致していない
（２．４度の角度をなしている）ために、共振器ミラー
面に凹凸が生じるという問題があった。
窒化ガリウム系レーザは、サファイア（１１−２０）面
基板７０１上に形成されている。この場合、サファイア
（１１−２０）面基板７０１の面に垂直な劈開面である
（１−１００）面と、ｎ型窒化ガリウムコンタクト層６
０３より表面側の窒化ガリウム系半導体層の表面に垂直
な劈開面である（１−１００）面は、ほぼ一致してい
る。このため、サファイア（１１−２０）面基板上に形
成された窒化ガリウム系レーザは、共振器のミラーを、
劈開により比較的歩留まり良く形成することが可能であ
る。しかし、この場合でも、サファイア基板と窒化ガリ
ウム系半導体層の劈開面が完全には一致していない
（２．４度の角度をなしている）ために、共振器ミラー
面に凹凸が生じるという問題があった。
【０００８】発振しきい値電流および発振効率の優れた
半導体レーザを得るためには共振器ミラーの面精度およ
び平行度を良好にする必要があるが、上述のように、従
来の窒化ガリウム系レーザはこのような条件を十分に満
足するものではなかった。また、共振器ミラーの平行度
を上げるためにはドライエッチング等の煩雑な工程が必
要となることから、簡便な工程で良好な共振器ミラーを
形成する方法の開発が強く望まれていた。
半導体レーザを得るためには共振器ミラーの面精度およ
び平行度を良好にする必要があるが、上述のように、従
来の窒化ガリウム系レーザはこのような条件を十分に満
足するものではなかった。また、共振器ミラーの平行度
を上げるためにはドライエッチング等の煩雑な工程が必
要となることから、簡便な工程で良好な共振器ミラーを
形成する方法の開発が強く望まれていた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の半導体レーザは、基板と、該基板上に形成され窒化
ガリウム系半導体層を含んでなる共振器とを有する半導
体レーザにおいて、前記窒化ガリウム系半導体層が六方
晶の結晶構造を有し、前記共振器の端面は前記窒化ガリ
ウム系半導体層の（１１−２０）面であって前記基板に
対して実質的に垂直に形成され、前記端面は数原子層オ
ーダーの面精度を有することを特徴とする。本発明の半
導体レーザによれば、共振器を構成する両端面の平行度
および面精度が良好であるため、良好なしきい値電流を
実現するとともに優れた発振効率を実現することができ
る。
明の半導体レーザは、基板と、該基板上に形成され窒化
ガリウム系半導体層を含んでなる共振器とを有する半導
体レーザにおいて、前記窒化ガリウム系半導体層が六方
晶の結晶構造を有し、前記共振器の端面は前記窒化ガリ
ウム系半導体層の（１１−２０）面であって前記基板に
対して実質的に垂直に形成され、前記端面は数原子層オ
ーダーの面精度を有することを特徴とする。本発明の半
導体レーザによれば、共振器を構成する両端面の平行度
および面精度が良好であるため、良好なしきい値電流を
実現するとともに優れた発振効率を実現することができ
る。
【００１０】また、本発明の半導体レーザの製造方法
は、窒化ガリウム系半導体層を含む半導体レーザの製造
方法において、六方晶の結晶構造を有し該結晶構造の
（０００１）面または（０００１）面とのなす角が５゜
以下である面を主面とする一または二以上の窒化ガリウ
ム系半導体層を含む平坦層を、基板上に直接にまたはバ
ッファ層を介して形成する工程と、該平坦層の表面に窒
化珪素マスクを形成する工程と、該窒化珪素マスクに、
前記平坦層の［１１−２０］方向を長辺、［１−１０
０］方向を短辺とする長方形の開口部を設ける工程と、
前記開口部の前記平坦層の表面上に、活性層を含む一ま
たは二以上の窒化ガリウム系半導体層を含んでなる選択
成長層を形成する工程とを有することを特徴とする。
は、窒化ガリウム系半導体層を含む半導体レーザの製造
方法において、六方晶の結晶構造を有し該結晶構造の
（０００１）面または（０００１）面とのなす角が５゜
以下である面を主面とする一または二以上の窒化ガリウ
ム系半導体層を含む平坦層を、基板上に直接にまたはバ
ッファ層を介して形成する工程と、該平坦層の表面に窒
化珪素マスクを形成する工程と、該窒化珪素マスクに、
前記平坦層の［１１−２０］方向を長辺、［１−１０
０］方向を短辺とする長方形の開口部を設ける工程と、
前記開口部の前記平坦層の表面上に、活性層を含む一ま
たは二以上の窒化ガリウム系半導体層を含んでなる選択
成長層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１１】窒化ガリウム系半導体層をエピタキシャル
成長させる際、従来は酸化珪素をマスクとして選択成長
させる方法が一般的に用いられていた。しかしこの方法
では選択成長層の側面を基板に垂直にすることは困難で
あった。また、垂直に形成できてもその製造条件はきわ
めて限られたものとなり、品質の安定性も十分ではなか
った。このため、通常、選択成長層形成後の工程でドラ
イエッチングや劈開により共振器ミラーを形成すること
が行われていた。これに対し、本発明によれば窒化珪素
をマスクとして成長させるため、選択成長層の側面が基
板に対し実質的に垂直に形成され、かつ、数原子層オー
ダーの面精度を有する平滑な鏡面が得られる。したがっ
て、選択成長層の側面をそのまま共振器ミラーとするこ
とで、製造条件について大きな制約を加えることなく、
平行度および面精度の良好で品質の安定性に優れた共振
器ミラーを得ることができる。
成長させる際、従来は酸化珪素をマスクとして選択成長
させる方法が一般的に用いられていた。しかしこの方法
では選択成長層の側面を基板に垂直にすることは困難で
あった。また、垂直に形成できてもその製造条件はきわ
めて限られたものとなり、品質の安定性も十分ではなか
った。このため、通常、選択成長層形成後の工程でドラ
イエッチングや劈開により共振器ミラーを形成すること
が行われていた。これに対し、本発明によれば窒化珪素
をマスクとして成長させるため、選択成長層の側面が基
板に対し実質的に垂直に形成され、かつ、数原子層オー
ダーの面精度を有する平滑な鏡面が得られる。したがっ
て、選択成長層の側面をそのまま共振器ミラーとするこ
とで、製造条件について大きな制約を加えることなく、
平行度および面精度の良好で品質の安定性に優れた共振
器ミラーを得ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の半導体レーザの一例につ
いて、以下、図１を参照して説明する。
いて、以下、図１を参照して説明する。
【００１３】本発明に用いられる基板１０１の材料とし
ては、サファイア、ＧａＮ、Ｓｉ、ＳｉＣ等が挙げら
れ、このうちサファイアが好ましく用いられる。結晶性
に優れた窒化ガリウム系半導体層を比較的容易に形成す
ることができるからである。サファイアを用いた場合、
基板の主面は（０００１）面または（１１−２０）面と
する。
ては、サファイア、ＧａＮ、Ｓｉ、ＳｉＣ等が挙げら
れ、このうちサファイアが好ましく用いられる。結晶性
に優れた窒化ガリウム系半導体層を比較的容易に形成す
ることができるからである。サファイアを用いた場合、
基板の主面は（０００１）面または（１１−２０）面と
する。
【００１４】本発明における窒化ガリウム系半導体層と
は、一般式ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦
ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される半導体層をいう。
は、一般式ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦
ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される半導体層をいう。
【００１５】本発明の半導体レーザにおいて、共振器端
面１０３は基板１０１に対して実質的に垂直に形成され
る。実質的に垂直とは、発振効率の低下をもたらさない
程度に十分な垂直であることをいう。具体的には、共振
器端面１０３は基板１０１に垂直な方向に対して１度以
内、好ましくは０．５度以内の角度をなす方向に形成さ
れる。このようにすることにより、良好なしきい値電流
および優れた発振効率を実現することができる。
面１０３は基板１０１に対して実質的に垂直に形成され
る。実質的に垂直とは、発振効率の低下をもたらさない
程度に十分な垂直であることをいう。具体的には、共振
器端面１０３は基板１０１に垂直な方向に対して１度以
内、好ましくは０．５度以内の角度をなす方向に形成さ
れる。このようにすることにより、良好なしきい値電流
および優れた発振効率を実現することができる。
【００１６】本発明の半導体レーザにおいて、共振器端
面１０３は、数原子層オーダーの面精度を有する。数原
子層オーダーの面精度とは、２〜３原子層オーダーの精
度をいい、従来のミラー形成方法である劈開法により形
成された鏡面と同等の面精度をいう。このような面精度
とすることにより、良好なしきい値電流および優れた発
振効率を実現することができる。
面１０３は、数原子層オーダーの面精度を有する。数原
子層オーダーの面精度とは、２〜３原子層オーダーの精
度をいい、従来のミラー形成方法である劈開法により形
成された鏡面と同等の面精度をいう。このような面精度
とすることにより、良好なしきい値電流および優れた発
振効率を実現することができる。
【００１７】また、本発明の半導体レーザにおいて、窒
化ガリウム系半導体層１０４は六方晶の結晶構造を有し
ており、共振器端面１０３は窒化ガリウム系半導体層１
０４の（１１−２０）面とする。これにより、共振器端
面１０３と基板１０１との垂直性が保たれる。また、
（１１−２０）面を利用することにより、例えば後述す
るような窒化珪素をマスクとしてエピタキシャル成長さ
せる等の方法で形成させることができ、製造条件につい
ての制約が少なく品質安定性に優れた半導体レーザが提
供される。
化ガリウム系半導体層１０４は六方晶の結晶構造を有し
ており、共振器端面１０３は窒化ガリウム系半導体層１
０４の（１１−２０）面とする。これにより、共振器端
面１０３と基板１０１との垂直性が保たれる。また、
（１１−２０）面を利用することにより、例えば後述す
るような窒化珪素をマスクとしてエピタキシャル成長さ
せる等の方法で形成させることができ、製造条件につい
ての制約が少なく品質安定性に優れた半導体レーザが提
供される。
【００１８】また共振器端面１０３は、基板１０１上に
窒化ガリウム系半導体層１０４をエピタキシャル成長さ
せることにより形成された窒化ガリウム系半導体層１０
４の側面とすることが好ましい。すなわち、マスク材料
を適宜選択し所定の条件で基板上に窒化ガリウム系半導
体層をエピタキシャル成長させた際の選択成長層の側面
をそのまま利用することで、特に優れた面精度および平
行度を実現することができる。この場合、エピタキシャ
ル成長の際に用いるマスクは、酸化シリコン、窒化珪
素、酸化チタン等が挙げられるが、このうち、窒化珪素
が特に好ましい。後述するように、基板に対して実質的
に垂直な共振器端面を容易に形成することができるから
である。
窒化ガリウム系半導体層１０４をエピタキシャル成長さ
せることにより形成された窒化ガリウム系半導体層１０
４の側面とすることが好ましい。すなわち、マスク材料
を適宜選択し所定の条件で基板上に窒化ガリウム系半導
体層をエピタキシャル成長させた際の選択成長層の側面
をそのまま利用することで、特に優れた面精度および平
行度を実現することができる。この場合、エピタキシャ
ル成長の際に用いるマスクは、酸化シリコン、窒化珪
素、酸化チタン等が挙げられるが、このうち、窒化珪素
が特に好ましい。後述するように、基板に対して実質的
に垂直な共振器端面を容易に形成することができるから
である。
【００１９】次に、本発明の半導体レーザの製造方法の
一例について、以下、図１を参照して説明する。本発明
の半導体レーザの製造方法においては、まず基板１０１
上に直接にまたはバッファ層６０２を介して平坦層６０
３を形成する。ここで、バッファ層とは、その上に窒化
ガリウム系半導体の単結晶を均一に形成させるために設
けられる層であり、昇温時に部分的に単結晶化し、この
部分が核となって単結晶の均一成長を促すものである。
また、平坦層６０３は、六方晶の結晶構造を有しその結
晶構造の（０００１）面または（０００１）面とのなす
角が５゜以下である面を主面とする。このような面を主
面とすることで、平坦層６０３の上に窒化ガリウム系半
導体層を形成した際、基板に対して垂直に形成された共
振器端面１０３を得ることができる。なお、（０００
１）面とのなす角が５゜を越えると、共振器端面１０３
の平行度が損なわれる場合がある。
一例について、以下、図１を参照して説明する。本発明
の半導体レーザの製造方法においては、まず基板１０１
上に直接にまたはバッファ層６０２を介して平坦層６０
３を形成する。ここで、バッファ層とは、その上に窒化
ガリウム系半導体の単結晶を均一に形成させるために設
けられる層であり、昇温時に部分的に単結晶化し、この
部分が核となって単結晶の均一成長を促すものである。
また、平坦層６０３は、六方晶の結晶構造を有しその結
晶構造の（０００１）面または（０００１）面とのなす
角が５゜以下である面を主面とする。このような面を主
面とすることで、平坦層６０３の上に窒化ガリウム系半
導体層を形成した際、基板に対して垂直に形成された共
振器端面１０３を得ることができる。なお、（０００
１）面とのなす角が５゜を越えると、共振器端面１０３
の平行度が損なわれる場合がある。
【００２０】平坦層の表面には、窒化珪素マスク１０２
が形成される。窒化珪素マスクの厚みは特に制限されな
いが、好ましくは５００Å以上４０００Å以下、さらに
好ましくは１０００Å以上３０００Å以下とする。５０
０Å未満ではマスクにピンホール等の欠陥が生じる場合
がある。また、４０００Åを越えても効果はそれほど変
わらないため、４０００Å以下とすることで十分であ
る。
が形成される。窒化珪素マスクの厚みは特に制限されな
いが、好ましくは５００Å以上４０００Å以下、さらに
好ましくは１０００Å以上３０００Å以下とする。５０
０Å未満ではマスクにピンホール等の欠陥が生じる場合
がある。また、４０００Åを越えても効果はそれほど変
わらないため、４０００Å以下とすることで十分であ
る。
【００２１】窒化珪素マスク１０２は、ＣＶＤ法等の通
常用いられる方法、条件により形成される。また、窒化
珪素の組成比は、マスクにピンホール等の欠陥が生じな
い範囲であれば、化学量論比からずれていてもよい。窒
化珪素マスクには、平坦層の［１１−２０］方向を長
辺、［１−１００］方向を短辺とする長方形の開口部が
設けられる。開口部の大きさは、共振器のサイズに応じ
て適宜設定される。
常用いられる方法、条件により形成される。また、窒化
珪素の組成比は、マスクにピンホール等の欠陥が生じな
い範囲であれば、化学量論比からずれていてもよい。窒
化珪素マスクには、平坦層の［１１−２０］方向を長
辺、［１−１００］方向を短辺とする長方形の開口部が
設けられる。開口部の大きさは、共振器のサイズに応じ
て適宜設定される。
【００２２】開口部を形成した後、この開口部の平坦層
６０３の表面上に、活性層を含む一または二以上の窒化
ガリウム系半導体層を含んでなる選択成長層を形成す
る。形成方法は、有機金属化学気相成長法を用いること
が好ましい。この場合、成長条件は通常用いられる条件
が用いられ、成長温度は例えば９００〜１２００℃とす
る。
６０３の表面上に、活性層を含む一または二以上の窒化
ガリウム系半導体層を含んでなる選択成長層を形成す
る。形成方法は、有機金属化学気相成長法を用いること
が好ましい。この場合、成長条件は通常用いられる条件
が用いられ、成長温度は例えば９００〜１２００℃とす
る。
【００２３】選択成長層の層構造の例を図２、３、５に
示す。この選択成長層は、図３、５のようにアルミニウ
ムを含まない層のみによって構成されることが好まし
い。選択成長法によりＡｌＧａＮを含む窒化ガリウム系
半導体層を形成した場合、マスク材とＡｌ原料の反応に
より、マスク上にＡｌＧａＮの多結晶が析出する場合が
あるからである。但し、このような層構造とした場合、
選択成長層にＡｌＧａＮクラッド層が含まれないことと
なるため、多重量子井戸活性層６０７ヘの光閉込係数を
ある程度確保するための手段をとることが望ましい。例
えば、その手段の一つとして多重量子井戸構造を比較的
多周期にすることが有効である。周期数は、例えば、Ｉ
ｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層とＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層
からなる多重量子井戸構造の場合、８周期以上とするこ
とが好ましい。また、 ＡｌＧａＮクラッド層を、マス
クの下部の平坦層中に形成することも有効である。例え
ば、図３のように、ｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０
３と窒化珪素マスク１０２の間に、ｎ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層４０５が形成された構造とする。この方法によれ
ば、多重量子井戸構造の周期数を特に増加させることな
く、光閉込係数を確保することができる。
示す。この選択成長層は、図３、５のようにアルミニウ
ムを含まない層のみによって構成されることが好まし
い。選択成長法によりＡｌＧａＮを含む窒化ガリウム系
半導体層を形成した場合、マスク材とＡｌ原料の反応に
より、マスク上にＡｌＧａＮの多結晶が析出する場合が
あるからである。但し、このような層構造とした場合、
選択成長層にＡｌＧａＮクラッド層が含まれないことと
なるため、多重量子井戸活性層６０７ヘの光閉込係数を
ある程度確保するための手段をとることが望ましい。例
えば、その手段の一つとして多重量子井戸構造を比較的
多周期にすることが有効である。周期数は、例えば、Ｉ
ｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層とＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層
からなる多重量子井戸構造の場合、８周期以上とするこ
とが好ましい。また、 ＡｌＧａＮクラッド層を、マス
クの下部の平坦層中に形成することも有効である。例え
ば、図３のように、ｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０
３と窒化珪素マスク１０２の間に、ｎ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層４０５が形成された構造とする。この方法によれ
ば、多重量子井戸構造の周期数を特に増加させることな
く、光閉込係数を確保することができる。
【００２４】
（実施例１）以下、実施例により本発明の内容をさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２５】本実施例では、マスク材として窒化珪素を
用いた選択成長により形成される窒化ガリウム系半導体
層の側面である（１１−２０）面を窒化ガリウム系レー
ザの共振器ミラーとして用いた。
用いた選択成長により形成される窒化ガリウム系半導体
層の側面である（１１−２０）面を窒化ガリウム系レー
ザの共振器ミラーとして用いた。
【００２６】本実施例の窒化ガリウム系レーザの構造の
模式的断面図を図１に示す。この窒化ガリウム系レーザ
は以下のようにして作製した。まず、サファイア（００
０１）面基板１０１上に、ＭＯＶＰＥ法により、成長温
度５５０℃で厚さ３００Åのアンドープの窒化ガリウム
低温成長バッファ層６０２、および、珪素が添加された
厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０３を形
成した。ｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０３は、（０
００１）面を表面とする六方晶である。しかる後に、前
記ｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０３の表面にプラズ
マ化学気相堆積（プラズマＣＶＤ）法およびリソグラフ
イーおよび弗酸によるエッチングにより、窒化ガリウム
の［１１−２０］方向に５００μｍ、［１−１００］方
向に５μｍの、長方形の開口部を有する厚さ２０００Å
の窒化珪素マスク１０２を形成した。さらに、前記マス
ク１０２の開口部にのみ、ＭＯＶＰＥ法により、選択的
に、窒化ガリウム系レーザの活性層を含む窒化ガリウム
系半導体層を形成した。最後に、ニッケル（第１層）お
よび金（第２層）からなるｐ電極６１２、チタン（第１
層）およびアルミニウム（第２層）からなるｎ電極６１
３を形成した。図１に示された本実施例１の窒化ガリウ
ム系レーザでは、前記窒化ガリウム系半導体層１０４の
側面に形成された窒化ガリウムの（１１−２０）面を共
振器ミラーとして利用している。
模式的断面図を図１に示す。この窒化ガリウム系レーザ
は以下のようにして作製した。まず、サファイア（００
０１）面基板１０１上に、ＭＯＶＰＥ法により、成長温
度５５０℃で厚さ３００Åのアンドープの窒化ガリウム
低温成長バッファ層６０２、および、珪素が添加された
厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０３を形
成した。ｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０３は、（０
００１）面を表面とする六方晶である。しかる後に、前
記ｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０３の表面にプラズ
マ化学気相堆積（プラズマＣＶＤ）法およびリソグラフ
イーおよび弗酸によるエッチングにより、窒化ガリウム
の［１１−２０］方向に５００μｍ、［１−１００］方
向に５μｍの、長方形の開口部を有する厚さ２０００Å
の窒化珪素マスク１０２を形成した。さらに、前記マス
ク１０２の開口部にのみ、ＭＯＶＰＥ法により、選択的
に、窒化ガリウム系レーザの活性層を含む窒化ガリウム
系半導体層を形成した。最後に、ニッケル（第１層）お
よび金（第２層）からなるｐ電極６１２、チタン（第１
層）およびアルミニウム（第２層）からなるｎ電極６１
３を形成した。図１に示された本実施例１の窒化ガリウ
ム系レーザでは、前記窒化ガリウム系半導体層１０４の
側面に形成された窒化ガリウムの（１１−２０）面を共
振器ミラーとして利用している。
【００２７】本実施例において、図１に示された前記窒
化ガリウム系半導体層１０４を、窒化ガリウムの（１１
−２０）面で切断した場合の概略断面図を図２に示す。
図２において、窒化ガリウム系半導体結晶１０３は、珪
素が添加された厚さ０．４μｍのｎ型窒化ガリウム層２
０１、珪素が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ0. 15
Ｇａ0.85Ｎクラッド層６０５、珪素が添加された厚さ
０．１μｍのｎ型窒化ガリウム光ガイド層６０６、厚さ
２５ÅのアンドープのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層と厚
さ５０ÅのアンドープのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層から
なる２６周期の多重量子井戸構造活性層６０７、マグネ
シウムが添加された厚さ２００Åのｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8
Ｎ層６０８、マグネシウムが添加された厚さ０．１μｍ
のｐ型窒化ガリウム光ガイド層６０９、マグネシウムが
添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.l5Ｇａ0.85Ｎク
ラッド層６１０、マグネシウムが添加された厚さ０．５
μｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト層６１１からなる。
化ガリウム系半導体層１０４を、窒化ガリウムの（１１
−２０）面で切断した場合の概略断面図を図２に示す。
図２において、窒化ガリウム系半導体結晶１０３は、珪
素が添加された厚さ０．４μｍのｎ型窒化ガリウム層２
０１、珪素が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ0. 15
Ｇａ0.85Ｎクラッド層６０５、珪素が添加された厚さ
０．１μｍのｎ型窒化ガリウム光ガイド層６０６、厚さ
２５ÅのアンドープのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層と厚
さ５０ÅのアンドープのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層から
なる２６周期の多重量子井戸構造活性層６０７、マグネ
シウムが添加された厚さ２００Åのｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8
Ｎ層６０８、マグネシウムが添加された厚さ０．１μｍ
のｐ型窒化ガリウム光ガイド層６０９、マグネシウムが
添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.l5Ｇａ0.85Ｎク
ラッド層６１０、マグネシウムが添加された厚さ０．５
μｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト層６１１からなる。
【００２８】本実施例においては、窒化ガリウム系半導
体の選択成長層を形成する際のマスク材として窒化珪素
を用いており、窒化ガリウム系半導体層１０４は（００
０１）面および（１−１０１）面および（１１−２０）
面で囲まれた形状となる。マスク１０２は窒化ガリウム
の［１１−２０］方向に長い長方形の開口部を有してい
るため、窒化ガリウム系半導体層１０４の側面である
（１１−２０）面がそのままレーザの共振器ミラーとな
る。
体の選択成長層を形成する際のマスク材として窒化珪素
を用いており、窒化ガリウム系半導体層１０４は（００
０１）面および（１−１０１）面および（１１−２０）
面で囲まれた形状となる。マスク１０２は窒化ガリウム
の［１１−２０］方向に長い長方形の開口部を有してい
るため、窒化ガリウム系半導体層１０４の側面である
（１１−２０）面がそのままレーザの共振器ミラーとな
る。
【００２９】共振器端面１０３をＳＥＭ観察したとこ
ろ、基板に対して９０度の方向に形成され、かつ、原子
層オーダーの面精度を有していることが確認された。
ろ、基板に対して９０度の方向に形成され、かつ、原子
層オーダーの面精度を有していることが確認された。
【００３０】（実施例２）実施例１と同じく、マスク材
として窒化珪素を用いた選択成長により形成される窒化
ガリウム系半導体層の側面である（１１−２０）面を窒
化ガリウム系レーザの共振器ミラーとして用いた。本実
施例では、実施例１において窒化ガリウム系半導体層１
０４中で活性層の上下に形成されているＡｌＧａＮクラ
ッド層が形成されていない。
として窒化珪素を用いた選択成長により形成される窒化
ガリウム系半導体層の側面である（１１−２０）面を窒
化ガリウム系レーザの共振器ミラーとして用いた。本実
施例では、実施例１において窒化ガリウム系半導体層１
０４中で活性層の上下に形成されているＡｌＧａＮクラ
ッド層が形成されていない。
【００３１】本実施例２の窒化ガリウム系レーザの構造
の模式的断面図は、実施例１と同じく図１で示され、そ
の製造方法も実施例１と同様である。
の模式的断面図は、実施例１と同じく図１で示され、そ
の製造方法も実施例１と同様である。
【００３２】本実施例２において、図１に示された窒化
ガリウム系半導体結晶１０３を、窒化ガリウムの（１１
−２０）面で切断した場合の、概略断面図を図３に示
す。図３において、窒化ガリウム系半導体結晶１０３
は、珪素が添加された厚さ０．９μｍのｎ型窒化ガリウ
ム層２０１、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ0.2Ｇａ0.8
Ｎ量子井戸層と厚さ５０ÅのアンドープのＩｎ0.05Ｇａ
0.95Ｎ障壁層からなる２６周期の多重量子井戸構造活性
層６０７、マグネシウムが添加された厚さ２００Åのｐ
型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層６０８、マグネシウムが添加され
た厚さ１．０μｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト層６１
１からなる。
ガリウム系半導体結晶１０３を、窒化ガリウムの（１１
−２０）面で切断した場合の、概略断面図を図３に示
す。図３において、窒化ガリウム系半導体結晶１０３
は、珪素が添加された厚さ０．９μｍのｎ型窒化ガリウ
ム層２０１、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ0.2Ｇａ0.8
Ｎ量子井戸層と厚さ５０ÅのアンドープのＩｎ0.05Ｇａ
0.95Ｎ障壁層からなる２６周期の多重量子井戸構造活性
層６０７、マグネシウムが添加された厚さ２００Åのｐ
型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層６０８、マグネシウムが添加され
た厚さ１．０μｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト層６１
１からなる。
【００３３】本実施例においては、マスク１０２は窒化
ガリウムの［１１−２０］方向に長い長方形の開口部を
有しているため、選択成長法によって形成された窒化ガ
リウム系半導体層１０４の（１１−２０）面がそのまま
レーザの共振器ミラーとなる。
ガリウムの［１１−２０］方向に長い長方形の開口部を
有しているため、選択成長法によって形成された窒化ガ
リウム系半導体層１０４の（１１−２０）面がそのまま
レーザの共振器ミラーとなる。
【００３４】共振器端面１０３をＳＥＭ観察したとこ
ろ、基板に対して９０度の方向に形成され、かつ、原子
層オーダーの面精度を有していることが確認された。
ろ、基板に対して９０度の方向に形成され、かつ、原子
層オーダーの面精度を有していることが確認された。
【００３５】（実施例３）実施例１および実施例２と同
様にマスク材として窒化珪素を用いて選択成長により形
成した窒化ガリウム系半導体層の側面である（１１−２
０）面を窒化ガリウム系レーザの共振器ミラーとして用
いた。但し、本実施例では、実施例１において窒化ガリ
ウム系半導体層１０４中で活性層の上下に形成されてい
るＡｌＧａＮクラッド層が形成されておらず、かつ、ｎ
型窒化ガリウムコンタクト層６０３と窒化珪素マスク１
０２の間に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層が形成されてい
る。
様にマスク材として窒化珪素を用いて選択成長により形
成した窒化ガリウム系半導体層の側面である（１１−２
０）面を窒化ガリウム系レーザの共振器ミラーとして用
いた。但し、本実施例では、実施例１において窒化ガリ
ウム系半導体層１０４中で活性層の上下に形成されてい
るＡｌＧａＮクラッド層が形成されておらず、かつ、ｎ
型窒化ガリウムコンタクト層６０３と窒化珪素マスク１
０２の間に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層が形成されてい
る。
【００３６】本実施例３の窒化ガリウム系レーザの構造
の模式的断面図を図４に示す。図４に示された本実施例
の窒化ガリウム系レーザの製造方法は以下の通りであ
る。サファイア（０００１）面基板１０１上に、ＭＯＶ
ＰＥ法により、成長温度５５０℃で厚さ３００Åのアン
ドープの窒化ガリウム低温成長バッファ層６０２、およ
び、珪素が添加された厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウムコ
ンタクト層６０３、および、珪素が添加された厚さ０．
４μｍのｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４０５を形
成した。前記ｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０３およ
びｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４０５は、（００
０１）面を表面とする六方晶である。しかる後に、前記
ｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０３の表面にプラズマ
化学気相堆積（プラズマＣＶＤ）法およびリソグラフィ
ーおよび弗酸によるエッチングにより、窒化ガリウムの
［１１−２０］方向に５００μｍ、［１−１００］方向
に５μｍの、長方形の開口部を有する厚さ２０００Åの
窒化珪素マスク１０２を形成した。さらに、前記マスク
１０２の開口部にのみ、ＭＯＶＰＥ法により、選択的
に、窒化ガリウム系レーザの活性層を含む窒化ガリウム
系半導体層１０４を形成した。最後に、ニッケル（第１
層）および金（第２層）からなるｐ電極６１２、チタン
（第１層）およびアルミニウム（第２層）からなるｎ電
極６１３を形成した。図１に示された本実施例１の窒化
ガリウム系レーザでは、前記窒化ガリウム系半導体層１
０４の側面に形成された窒化ガリウムの（１１−２０）
面を共振器ミラーとして利用している。
の模式的断面図を図４に示す。図４に示された本実施例
の窒化ガリウム系レーザの製造方法は以下の通りであ
る。サファイア（０００１）面基板１０１上に、ＭＯＶ
ＰＥ法により、成長温度５５０℃で厚さ３００Åのアン
ドープの窒化ガリウム低温成長バッファ層６０２、およ
び、珪素が添加された厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウムコ
ンタクト層６０３、および、珪素が添加された厚さ０．
４μｍのｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４０５を形
成した。前記ｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０３およ
びｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４０５は、（００
０１）面を表面とする六方晶である。しかる後に、前記
ｎ型窒化ガリウムコンタクト層６０３の表面にプラズマ
化学気相堆積（プラズマＣＶＤ）法およびリソグラフィ
ーおよび弗酸によるエッチングにより、窒化ガリウムの
［１１−２０］方向に５００μｍ、［１−１００］方向
に５μｍの、長方形の開口部を有する厚さ２０００Åの
窒化珪素マスク１０２を形成した。さらに、前記マスク
１０２の開口部にのみ、ＭＯＶＰＥ法により、選択的
に、窒化ガリウム系レーザの活性層を含む窒化ガリウム
系半導体層１０４を形成した。最後に、ニッケル（第１
層）および金（第２層）からなるｐ電極６１２、チタン
（第１層）およびアルミニウム（第２層）からなるｎ電
極６１３を形成した。図１に示された本実施例１の窒化
ガリウム系レーザでは、前記窒化ガリウム系半導体層１
０４の側面に形成された窒化ガリウムの（１１−２０）
面を共振器ミラーとして利用している。
【００３７】本実施例３において、図４に示された窒化
ガリウム系半導体層１０４を、窒化ガリウムの（１１−
２０）面で切断した場合の、概略断面図を図５に示す。
図５において、窒化ガリウム系半導体結晶１０３は、珪
素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウム光ガ
イド層６０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ0.2Ｇａ
0.8Ｎ量子井戸層と厚さ５０ÅのアンドープのＩｎ0.05
Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる２６周期の多重量子井戸構造
活性層６０７、マグネシウムが添加された厚さ２００Å
のｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層６０８、マグネシウムが添加
された厚さ１．０μｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト層
６１１からなる。
ガリウム系半導体層１０４を、窒化ガリウムの（１１−
２０）面で切断した場合の、概略断面図を図５に示す。
図５において、窒化ガリウム系半導体結晶１０３は、珪
素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型窒化ガリウム光ガ
イド層６０６、厚さ２５ÅのアンドープのＩｎ0.2Ｇａ
0.8Ｎ量子井戸層と厚さ５０ÅのアンドープのＩｎ0.05
Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる２６周期の多重量子井戸構造
活性層６０７、マグネシウムが添加された厚さ２００Å
のｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層６０８、マグネシウムが添加
された厚さ１．０μｍのｐ型窒化ガリウムコンタクト層
６１１からなる。
【００３８】本実施例においては、マスク１０２は窒化
ガリウムの［１１−２０］方向に長い長方形の開口部を
有しているため、選択成長法によって形成された窒化ガ
リウム系半導体層１０４の（１１−２０）面がそのまま
レーザの共振器ミラーとなる。
ガリウムの［１１−２０］方向に長い長方形の開口部を
有しているため、選択成長法によって形成された窒化ガ
リウム系半導体層１０４の（１１−２０）面がそのまま
レーザの共振器ミラーとなる。
【００３９】共振器端面１０３をＳＥＭ観察したとこ
ろ、基板に対して９０度の方向に形成され、かつ、原子
層オーダーの面精度を有していることが確認された。
ろ、基板に対して９０度の方向に形成され、かつ、原子
層オーダーの面精度を有していることが確認された。
【００４０】本発明の窒化ガリウム系レーザおよびその
製造方法は、上述した実施例１ないし実施例３に示され
るマスクパタンや層構造においてのみ有効であるという
訳ではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、あらゆ
るマスクパタンおよびあらゆる層構造において有効であ
る。なお、本発明に於けるサファイア基板の表面面方位
に関しては、実施例１ないし実施例３に示されたような
（０００１）面である必要はなく、（１１−２０）面で
も良い。さらに、サファイア基板の表面面方位に関して
は、必ずしも厳密に（０００１）面または（１１−２
０）面である必要はなく、（０００１）面または（１１
−２０）面となす角が５度程度以内の面であれば良い。
さらに、マスクの開口部の長方形の長辺および短辺の方
向は必ずしも厳密に窒化ガリウムの［１１−２０］方向
や［１−１００］方向である必要はなく、窒化ガリウム
の［１１−２０］方向または［１１−２０］方向とのな
す角が５度程度以内の方向であればよい。
製造方法は、上述した実施例１ないし実施例３に示され
るマスクパタンや層構造においてのみ有効であるという
訳ではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、あらゆ
るマスクパタンおよびあらゆる層構造において有効であ
る。なお、本発明に於けるサファイア基板の表面面方位
に関しては、実施例１ないし実施例３に示されたような
（０００１）面である必要はなく、（１１−２０）面で
も良い。さらに、サファイア基板の表面面方位に関して
は、必ずしも厳密に（０００１）面または（１１−２
０）面である必要はなく、（０００１）面または（１１
−２０）面となす角が５度程度以内の面であれば良い。
さらに、マスクの開口部の長方形の長辺および短辺の方
向は必ずしも厳密に窒化ガリウムの［１１−２０］方向
や［１−１００］方向である必要はなく、窒化ガリウム
の［１１−２０］方向または［１１−２０］方向とのな
す角が５度程度以内の方向であればよい。
【００４１】
【発明の効果】本発明の半導体レーザによれば、共振器
端面が基板に対して実質的に垂直に形成され、かつ、こ
の端面は数原子層オーダーの面精度を有するため、優れ
たしきい値電流および発振効率を実現することができ
る。
端面が基板に対して実質的に垂直に形成され、かつ、こ
の端面は数原子層オーダーの面精度を有するため、優れ
たしきい値電流および発振効率を実現することができ
る。
【００４２】また、本発明の半導体レーザによれば、共
振器の端面は窒化ガリウム系半導体層の（１１−２０）
面を利用しているため、例えば窒化珪素をマスクとして
エピタキシャル成長させる等の方法で形成させることが
でき、製造条件についての制約が少なく品質安定性に優
れた半導体レーザが提供される。
振器の端面は窒化ガリウム系半導体層の（１１−２０）
面を利用しているため、例えば窒化珪素をマスクとして
エピタキシャル成長させる等の方法で形成させることが
でき、製造条件についての制約が少なく品質安定性に優
れた半導体レーザが提供される。
【００４３】また、本発明の半導体レーザの製造方法に
よれば、窒化珪素をマスクとして成長させるため、選択
成長層の側面が基板に対し実質的に垂直に形成され、か
つ、数原子層オーダーの面精度を有する平滑な鏡面が得
られる。したがって、選択成長層の側面をそのまま共振
器ミラーとすることができる。このため、共振器のミラ
ーをドライエッチングや歩留まりの悪い劈開によって形
成する必要がない。また、共振器ミラー面に凹凸が生じ
る問題もない。即ち、本発明の窒化ガリウム系レーザの
製造方法によれば、極めて平坦で、かつ平行度に優れた
共振器ミラーを簡便な工程で形成することができる。さ
らに、製造条件についての制約が少なく品質安定性に優
れるという利点も有する。
よれば、窒化珪素をマスクとして成長させるため、選択
成長層の側面が基板に対し実質的に垂直に形成され、か
つ、数原子層オーダーの面精度を有する平滑な鏡面が得
られる。したがって、選択成長層の側面をそのまま共振
器ミラーとすることができる。このため、共振器のミラ
ーをドライエッチングや歩留まりの悪い劈開によって形
成する必要がない。また、共振器ミラー面に凹凸が生じ
る問題もない。即ち、本発明の窒化ガリウム系レーザの
製造方法によれば、極めて平坦で、かつ平行度に優れた
共振器ミラーを簡便な工程で形成することができる。さ
らに、製造条件についての制約が少なく品質安定性に優
れるという利点も有する。
【図１】本発明の窒化ガリウム系レーザの構造を示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図２】本発明の窒化ガリウム系レーザ選択成長層の層
構造を示す模式的断面図である。
構造を示す模式的断面図である。
【図３】本発明の窒化ガリウム系レーザ選択成長層の層
構造を示す模式的断面図である。
構造を示す模式的断面図である。
【図４】本発明の窒化ガリウム系レーザの構造を示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図５】本発明の窒化ガリウム系レーザの構造を示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図６】従来技術の結晶成長方法により（０００１）面
サファイア基板上に形成された代表的な窒化ガリウム系
レーザの概略断面図である。
サファイア基板上に形成された代表的な窒化ガリウム系
レーザの概略断面図である。
【図７】従来技術の結晶成長方法により（１１−２０）
面サファイア基板上に形成された代表的な窒化ガリウム
系レーザの概略断面図である。
面サファイア基板上に形成された代表的な窒化ガリウム
系レーザの概略断面図である。
【符号の説明】 １０１ サファイア（０００１）面基板 １０２ 窒化珪素膜 １０３ 共振器端面 １０４ 窒化ガリウム系半導体層 ２０１ ｎ型窒化ガリウム層 ４０５ ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 ６０２ 窒化ガリウム低温成長バッファ層 ６０３ ｎ型窒化ガリウムコンタクト層 ６０４ ｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層 ６０５ ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 ６０６ ｎ型窒化ガリウム光ガイド層 ６０７ Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ／Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ多重量
子井戸活性層 ６０８ ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層 ６０９ ｐ型窒化ガリウム光ガイド層 ６１０ ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 ６１１ ｐ型Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎコンタクト層 ６１２ ｐ電極 ６１３ ｎ電極 ７０１ サファイア（１１−２０）面基板 ７０２ 窒化ガリウム低温成長バッファ層 ７０５ ｎ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎ層 ７０７ Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ／Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ多重量
子井戸活性層
子井戸活性層 ６０８ ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層 ６０９ ｐ型窒化ガリウム光ガイド層 ６１０ ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 ６１１ ｐ型Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎコンタクト層 ６１２ ｐ電極 ６１３ ｎ電極 ７０１ サファイア（１１−２０）面基板 ７０２ 窒化ガリウム低温成長バッファ層 ７０５ ｎ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎ層 ７０７ Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ／Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ多重量
子井戸活性層
Claims (9)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に形成され窒化ガリウ
ム系半導体層を含んでなる共振器とを有する半導体レー
ザにおいて、前記窒化ガリウム系半導体層が六方晶の結
晶構造を有し、前記共振器の端面は前記窒化ガリウム系
半導体層の（１１−２０）面であって前記基板に対して
実質的に垂直に形成され、前記端面は数原子層オーダー
の面精度を有することを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記端面が、前記基板上に前記窒化ガリ
ウム系半導体層をエピタキシャル成長させることにより
形成された前記窒化ガリウム系半導体層の側面であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 前記基板がサファイア基板である請求項
１または２に記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 前記基板が、一または二以上の窒化ガリ
ウム系半導体層を含む平坦層が表面に形成されたサファ
イア基板であって、該平坦層は、六方晶の結晶構造を有
し、該結晶構造の（０００１）面または（０００１）面
とのなす角が５゜以下である面を主面とする請求項１ま
たは２に記載の半導体レーザ。 - 【請求項５】 窒化ガリウム系半導体層を含む半導体レ
ーザの製造方法において、六方晶の結晶構造を有し該結
晶構造の（０００１）面または（０００１）面とのなす
角が５゜以下である面を主面とする一または二以上の窒
化ガリウム系半導体層を含む平坦層を、基板上に直接に
またはバッファ層を介して形成する工程と、該平坦層の
表面に窒化珪素マスクを形成する工程と、該窒化珪素マ
スクに、前記平坦層の［１１−２０］方向を長辺、［１
−１００］方向を短辺とする長方形の開口部を設ける工
程と、前記開口部の前記平坦層の表面上に、活性層を含
む一または二以上の窒化ガリウム系半導体層を含んでな
る選択成長層を形成する工程とを有することを特徴とす
る半導体レーザの製造方法。 - 【請求項６】 前記選択成長層が、アルミニウムを含ま
ない層のみによって構成される請求項５に記載の半導体
レーザの製造方法。 - 【請求項７】 前記平坦層が、一般式ＡｌxＧａyＮ
1-x-yで表される半導体層を少なくとも含む請求項６に
記載の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項８】 前記選択成長層を、有機金属化学気相成
長法を用いて形成する請求項５乃至７いずれかに記載の
半導体レーザの製造方法。 - 【請求項９】 請求項５乃至８いずれかに記載の半導体
レーザの製造方法によって製造された半導体レーザ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16271797A JP3153153B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 窒化ガリウム系半導体レーザおよびその製造方法 |
| US09/098,433 US20020048302A1 (en) | 1997-06-19 | 1998-06-17 | Gallium nitride semiconductor laser and a manufacturing process thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16271797A JP3153153B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 窒化ガリウム系半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117275A true JPH1117275A (ja) | 1999-01-22 |
| JP3153153B2 JP3153153B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=15759958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16271797A Expired - Fee Related JP3153153B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 窒化ガリウム系半導体レーザおよびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001230497A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体装置 |
| JP2002270893A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-20 | Sony Corp | 半導体発光素子、表示装置、半導体発光素子の製造方法及び半導体レーザーの製造方法 |
| JP2003046189A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Sony Corp | 半導体レーザー素子及びその製造方法 |
| WO2003075424A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | GaN LASER ELEMENT |
| WO2004086579A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| WO2004086580A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Nec Corporation | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308460A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-02 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子とその光ピックアップ装置 |
| US7138716B2 (en) * | 2003-06-27 | 2006-11-21 | Intel Corporation | Addition of metal layers with signal reallocation to a microprocessor for increased frequency and lower power |
| US7052942B1 (en) | 2003-09-19 | 2006-05-30 | Rf Micro Devices, Inc. | Surface passivation of GaN devices in epitaxial growth chamber |
| WO2007126158A1 (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Panasonic Corporation | 半導体発光素子およびウエハ |
| US9312343B2 (en) * | 2009-10-13 | 2016-04-12 | Cree, Inc. | Transistors with semiconductor interconnection layers and semiconductor channel layers of different semiconductor materials |
| US9093420B2 (en) | 2012-04-18 | 2015-07-28 | Rf Micro Devices, Inc. | Methods for fabricating high voltage field effect transistor finger terminations |
| US9124221B2 (en) | 2012-07-16 | 2015-09-01 | Rf Micro Devices, Inc. | Wide bandwidth radio frequency amplier having dual gate transistors |
| US8988097B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-03-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Method for on-wafer high voltage testing of semiconductor devices |
| US9147632B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-09-29 | Rf Micro Devices, Inc. | Semiconductor device having improved heat dissipation |
| US9917080B2 (en) | 2012-08-24 | 2018-03-13 | Qorvo US. Inc. | Semiconductor device with electrical overstress (EOS) protection |
| US9202874B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-12-01 | Rf Micro Devices, Inc. | Gallium nitride (GaN) device with leakage current-based over-voltage protection |
| US9142620B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-09-22 | Rf Micro Devices, Inc. | Power device packaging having backmetals couple the plurality of bond pads to the die backside |
| US9070761B2 (en) | 2012-08-27 | 2015-06-30 | Rf Micro Devices, Inc. | Field effect transistor (FET) having fingers with rippled edges |
| WO2014035794A1 (en) | 2012-08-27 | 2014-03-06 | Rf Micro Devices, Inc | Lateral semiconductor device with vertical breakdown region |
| US9325281B2 (en) | 2012-10-30 | 2016-04-26 | Rf Micro Devices, Inc. | Power amplifier controller |
| US9455327B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-09-27 | Qorvo Us, Inc. | Schottky gated transistor with interfacial layer |
| US9536803B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-01-03 | Qorvo Us, Inc. | Integrated power module with improved isolation and thermal conductivity |
| US10062684B2 (en) | 2015-02-04 | 2018-08-28 | Qorvo Us, Inc. | Transition frequency multiplier semiconductor device |
| US10615158B2 (en) | 2015-02-04 | 2020-04-07 | Qorvo Us, Inc. | Transition frequency multiplier semiconductor device |
-
1997
- 1997-06-19 JP JP16271797A patent/JP3153153B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-17 US US09/098,433 patent/US20020048302A1/en not_active Abandoned
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001230497A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体装置 |
| JP2002270893A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-20 | Sony Corp | 半導体発光素子、表示装置、半導体発光素子の製造方法及び半導体レーザーの製造方法 |
| JP2003046189A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Sony Corp | 半導体レーザー素子及びその製造方法 |
| WO2003075424A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | GaN LASER ELEMENT |
| US7899100B2 (en) | 2002-03-01 | 2011-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | GaN laser element |
| US8170076B2 (en) | 2002-03-01 | 2012-05-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | GaN laser element |
| US8548019B2 (en) | 2002-03-01 | 2013-10-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | GaN laser element |
| US8824516B2 (en) | 2002-03-01 | 2014-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | GaN-based laser device |
| WO2004086579A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| CN100349341C (zh) * | 2003-03-25 | 2007-11-14 | 松下电器产业株式会社 | 氮化物半导体元件及其制造方法 |
| WO2004086580A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Nec Corporation | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Also Published As
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