JP2001284241A - フォトレジスト塗布装置、現像装置と剥離装置および半導体基板の処理方法 - Google Patents
フォトレジスト塗布装置、現像装置と剥離装置および半導体基板の処理方法Info
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- JP2001284241A JP2001284241A JP2000101928A JP2000101928A JP2001284241A JP 2001284241 A JP2001284241 A JP 2001284241A JP 2000101928 A JP2000101928 A JP 2000101928A JP 2000101928 A JP2000101928 A JP 2000101928A JP 2001284241 A JP2001284241 A JP 2001284241A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトレジスト塗布装置およびそれを用いた
半導体基板の処理方法においては、半導体基板上に直接
フォトレジストを塗布するため、フォトレジストを剥離
する際に、剥離液によって半導体基板の表面がむき出し
になり荒らされるといった問題を有する。 【解決手段】 基板を１枚ずつ回転可能に支持する手段
と、前記支持手段を回転させる駆動手段と、前記基板上
にフォトレジストを供給する手段とを備えたフォトレジ
スト塗布装置において、前記基板上にオゾン水を供給す
る手段を備えた。
半導体基板の処理方法においては、半導体基板上に直接
フォトレジストを塗布するため、フォトレジストを剥離
する際に、剥離液によって半導体基板の表面がむき出し
になり荒らされるといった問題を有する。 【解決手段】 基板を１枚ずつ回転可能に支持する手段
と、前記支持手段を回転させる駆動手段と、前記基板上
にフォトレジストを供給する手段とを備えたフォトレジ
スト塗布装置において、前記基板上にオゾン水を供給す
る手段を備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスな
どの製造工程に用いられるフォトレジスト塗布装置、現
像装置と剥離装置および半導体基板の処理方法に関す
る。
どの製造工程に用いられるフォトレジスト塗布装置、現
像装置と剥離装置および半導体基板の処理方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、半導体デバイスの製造工程に
おいては、半導体基板やＬＣＤ用ガラス基板上にフォト
リソグラフィー技術を用いて所定のデバイスパターンの
形成を行なっている。
おいては、半導体基板やＬＣＤ用ガラス基板上にフォト
リソグラフィー技術を用いて所定のデバイスパターンの
形成を行なっている。
【０００３】このようなフォトリソグラフィー技術を用
いたデバイスパターン形成工程は、まず、半導体基板を
ブラシ洗浄装置にて半導体基板上に付着したパーティク
ルや金属汚染を除去した後、乾燥する。その後、半導体
基板はアドヒージョン装置にて疎水化処理を行ない、ク
ーリング装置にて冷却する。次に、フォトレジスト塗布
装置にてフォトレジスト液を液供給ノズルから半導体基
板上に所定のフォトレジスト液を吐出させた後、スピン
チャックにより半導体基板を高速回転させてフォトレジ
スト液を半導体基板表面全体に拡散させ、均一なレジス
ト膜を形成する。
いたデバイスパターン形成工程は、まず、半導体基板を
ブラシ洗浄装置にて半導体基板上に付着したパーティク
ルや金属汚染を除去した後、乾燥する。その後、半導体
基板はアドヒージョン装置にて疎水化処理を行ない、ク
ーリング装置にて冷却する。次に、フォトレジスト塗布
装置にてフォトレジスト液を液供給ノズルから半導体基
板上に所定のフォトレジスト液を吐出させた後、スピン
チャックにより半導体基板を高速回転させてフォトレジ
スト液を半導体基板表面全体に拡散させ、均一なレジス
ト膜を形成する。
【０００４】そして、このフォトレジストが加熱装置に
て加熱されてベーキング処理が施された後、露光装置に
て所定のデバイスパターンが露光される。そして、露光
された半導体基板は、フォトレジスト現像装置にて現像
液により現像処理された後、リンス液により現像液を洗
い流し、現像処理を完了する。次に加熱装置にて加熱さ
れてベーキング処理が施された後、Ｏ２アッシャーによ
りデスカムを行なった後、フォトレジスト剥離装置にて
剥離液によりフォトレジストの除去、洗浄を行ない、デ
バイスパターンを形成する。
て加熱されてベーキング処理が施された後、露光装置に
て所定のデバイスパターンが露光される。そして、露光
された半導体基板は、フォトレジスト現像装置にて現像
液により現像処理された後、リンス液により現像液を洗
い流し、現像処理を完了する。次に加熱装置にて加熱さ
れてベーキング処理が施された後、Ｏ２アッシャーによ
りデスカムを行なった後、フォトレジスト剥離装置にて
剥離液によりフォトレジストの除去、洗浄を行ない、デ
バイスパターンを形成する。
【０００５】以下、一例としてかかるフォトレジスト塗
布装置、現像装置と剥離装置の一般的な構成について説
明する。
布装置、現像装置と剥離装置の一般的な構成について説
明する。
【０００６】図９にフォトレジスト塗布装置の概略構成
図を示す。図９において、９０は基板を真空チャックに
より吸着保持するスピンチャック、９１はスピンチャッ
ク９０を回転させるための駆動モーター、９２はレジス
ト液塗布時に飛散するレジスト液を受け止めるカップで
あり、９３は前記カップ９２の底部に接続された排液を
排出するための排液配管である。９４はレジスト液供給
ノズル、９５はレジスト液供給ノズル９４を待機させる
ノズル待機部、９６はレジスト液のダミー吐出を行なう
ダミー吐出部が並設されている。
図を示す。図９において、９０は基板を真空チャックに
より吸着保持するスピンチャック、９１はスピンチャッ
ク９０を回転させるための駆動モーター、９２はレジス
ト液塗布時に飛散するレジスト液を受け止めるカップで
あり、９３は前記カップ９２の底部に接続された排液を
排出するための排液配管である。９４はレジスト液供給
ノズル、９５はレジスト液供給ノズル９４を待機させる
ノズル待機部、９６はレジスト液のダミー吐出を行なう
ダミー吐出部が並設されている。
【０００７】次にフォトレジスト現像装置の構成につい
て、図１０を用いて説明する。１００は基板を真空チャ
ックにより吸着保持するスピンチャック、１０１はスピ
ンチャック１００を回転させるための駆動モーター、１
０２は現像液塗布時に飛散する現像液を受け止めるカッ
プであり、１０３は前記カップ１０２の底部に接続され
た排液を排出するための排液配管である。１０４は現像
液供給ノズル、１０５は現像液供給ノズル１０４を待機
させるノズル待機部、１０６は現像液のダミー吐出を行
なうダミー吐出部である。１０７はリンス液供給ノズ
ル、１０８はリンス液供給ノズル１０７を待機させるノ
ズル待機部である。
て、図１０を用いて説明する。１００は基板を真空チャ
ックにより吸着保持するスピンチャック、１０１はスピ
ンチャック１００を回転させるための駆動モーター、１
０２は現像液塗布時に飛散する現像液を受け止めるカッ
プであり、１０３は前記カップ１０２の底部に接続され
た排液を排出するための排液配管である。１０４は現像
液供給ノズル、１０５は現像液供給ノズル１０４を待機
させるノズル待機部、１０６は現像液のダミー吐出を行
なうダミー吐出部である。１０７はリンス液供給ノズ
ル、１０８はリンス液供給ノズル１０７を待機させるノ
ズル待機部である。
【０００８】続いてフォトレジスト剥離装置の構成につ
いて、図１１を用いて説明する。Ａは剥離液処理ゾー
ン、Ｂ１は乾燥１ゾーン、Ｃはリンス液処理ゾーン、Ｂ
２は乾燥２ゾーンである。フォトレジストが塗布された
基板はまず、剥離液処理ゾーンＡにて剥離液シャワーに
よってフォトレジストを除去し、続いて乾燥１ゾーンＢ
１にてエアーナイフにより乾燥する。次にリンス液処理
ゾーンＣにて純水リンスシャワーによって洗浄された
後、乾燥２ゾーンＢ２にてエアーナイフにより乾燥され
る。
いて、図１１を用いて説明する。Ａは剥離液処理ゾー
ン、Ｂ１は乾燥１ゾーン、Ｃはリンス液処理ゾーン、Ｂ
２は乾燥２ゾーンである。フォトレジストが塗布された
基板はまず、剥離液処理ゾーンＡにて剥離液シャワーに
よってフォトレジストを除去し、続いて乾燥１ゾーンＢ
１にてエアーナイフにより乾燥する。次にリンス液処理
ゾーンＣにて純水リンスシャワーによって洗浄された
後、乾燥２ゾーンＢ２にてエアーナイフにより乾燥され
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記したようなフォト
レジスト塗布装置およびそれを用いた半導体基板の処理
方法においては、半導体基板上に直接フォトレジストを
塗布するため、フォトレジストを剥離する際に、剥離液
によって半導体基板の表面がむき出しになり荒らされる
といった問題を有する。
レジスト塗布装置およびそれを用いた半導体基板の処理
方法においては、半導体基板上に直接フォトレジストを
塗布するため、フォトレジストを剥離する際に、剥離液
によって半導体基板の表面がむき出しになり荒らされる
といった問題を有する。
【００１０】フォトレジスト現像装置およびそれを用い
た半導体基板の処理方法においては、現像後Ｏ２アッシ
ャー処理などによりデスカムを行なっているため、処理
に手間がかかる。
た半導体基板の処理方法においては、現像後Ｏ２アッシ
ャー処理などによりデスカムを行なっているため、処理
に手間がかかる。
【００１１】また、フォトレジスト剥離装置およびそれ
を用いた半導体基板の処理方法においては、剥離液処理
のみではフォトレジストが十分に除去しきれず、残さが
見られるといった課題がある。
を用いた半導体基板の処理方法においては、剥離液処理
のみではフォトレジストが十分に除去しきれず、残さが
見られるといった課題がある。
【００１２】本発明はかかる点に鑑みてなされたもの
で、半導体基板へのダメージを減らし、処理時間を短縮
することができる優れた性能のフォトレジスト塗布装
置、現像装置と剥離装置、および半導体基板の処理方法
を提供することを目的とする。
で、半導体基板へのダメージを減らし、処理時間を短縮
することができる優れた性能のフォトレジスト塗布装
置、現像装置と剥離装置、および半導体基板の処理方法
を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のフォトレジスト塗布装置、現像装置と剥離装
置およびそれを用いた半導体基板の処理方法が、具体的
に講じた手段は以下の通りである。
に本発明のフォトレジスト塗布装置、現像装置と剥離装
置およびそれを用いた半導体基板の処理方法が、具体的
に講じた手段は以下の通りである。
【００１４】本発明の請求項１記載のフォトレジスト塗
布装置は、基板上にオゾン水を供給する手段を備えたこ
とを特徴とするものである。本発明によれば、半導体基
板にオゾン水を供給することにより、前記半導体基板表
面に酸化層の形成と、半導体基板上にフォトレジスト液
を吐出し、前記半導体基板を高速回転させることによ
り、フォトレジスト液を半導体基板表面全体に拡散さ
せ、均一なフォトレジスト層の形成が同一装置内で容易
にできる。
布装置は、基板上にオゾン水を供給する手段を備えたこ
とを特徴とするものである。本発明によれば、半導体基
板にオゾン水を供給することにより、前記半導体基板表
面に酸化層の形成と、半導体基板上にフォトレジスト液
を吐出し、前記半導体基板を高速回転させることによ
り、フォトレジスト液を半導体基板表面全体に拡散さ
せ、均一なフォトレジスト層の形成が同一装置内で容易
にできる。
【００１５】本発明の請求項２記載の半導体基板の処理
方法は、半導体基板にオゾン水を供給して前記半導体基
板の表面を酸化させる工程と、前記表面酸化された半導
体基板上にフォトレジストを塗布する工程とを含むこと
を特徴とするものである。本発明によれば、半導体基板
にオゾン水を供給して半導体基板の表面を酸化させた
後、前記表面酸化された半導体基板上にフォトレジスト
を塗布することにより、最終フォトレジストの剥離処理
を行なう際に、表面酸化膜が存在することにより剥離液
による半導体基板へのダメージを低減することができ
る。
方法は、半導体基板にオゾン水を供給して前記半導体基
板の表面を酸化させる工程と、前記表面酸化された半導
体基板上にフォトレジストを塗布する工程とを含むこと
を特徴とするものである。本発明によれば、半導体基板
にオゾン水を供給して半導体基板の表面を酸化させた
後、前記表面酸化された半導体基板上にフォトレジスト
を塗布することにより、最終フォトレジストの剥離処理
を行なう際に、表面酸化膜が存在することにより剥離液
による半導体基板へのダメージを低減することができ
る。
【００１６】本発明の請求項３記載のフォトレジスト現
像装置は、基板上にオゾン水を供給する手段を備えたこ
とを特徴とするものである。本発明によれば、同一装置
内でフォトレジストの現像と、オゾン水によるデスカム
を行なうことができる。
像装置は、基板上にオゾン水を供給する手段を備えたこ
とを特徴とするものである。本発明によれば、同一装置
内でフォトレジストの現像と、オゾン水によるデスカム
を行なうことができる。
【００１７】本発明の請求項４記載の半導体基板の処理
方法は、露光後にフォトレジストを現像する工程と、前
記現像されたフォトレジストが形成された半導体基板上
にオゾン水を供給してデスカムを行なう工程とを含むこ
とを特徴とするものである。本発明によれば、オゾン水
でデスカムを行なうことにより、フォトレジストの現像
とデスカムを連続処理で行なうことができるといった効
果を有する。
方法は、露光後にフォトレジストを現像する工程と、前
記現像されたフォトレジストが形成された半導体基板上
にオゾン水を供給してデスカムを行なう工程とを含むこ
とを特徴とするものである。本発明によれば、オゾン水
でデスカムを行なうことにより、フォトレジストの現像
とデスカムを連続処理で行なうことができるといった効
果を有する。
【００１８】本発明の請求項５記載のフォトレジスト剥
離装置は、基板上に形成されたフォトレジストを剥離す
る手段と、前記基板上にオゾン水を供給する手段とを備
えたことを特徴とするものである。本発明によれば、剥
離液によるフォトレジストの除去と、剥離液処理による
レジスト残さの除去を同一装置内で行なうことができ
る。
離装置は、基板上に形成されたフォトレジストを剥離す
る手段と、前記基板上にオゾン水を供給する手段とを備
えたことを特徴とするものである。本発明によれば、剥
離液によるフォトレジストの除去と、剥離液処理による
レジスト残さの除去を同一装置内で行なうことができ
る。
【００１９】本発明の請求項６記載の半導体基板の処理
方法は、表面酸化層を有する半導体基板上に塗布された
フォトレジストを剥離する工程と、前記基板にオゾン水
を供給して前記半導体基板上のレジスト残さを除去する
工程とを含むことを特徴とするものである。本発明によ
れば、剥離液によるフォトレジストの除去と、剥離液処
理によるレジスト残さの除去を、連続処理で行なうこと
ができる。
方法は、表面酸化層を有する半導体基板上に塗布された
フォトレジストを剥離する工程と、前記基板にオゾン水
を供給して前記半導体基板上のレジスト残さを除去する
工程とを含むことを特徴とするものである。本発明によ
れば、剥離液によるフォトレジストの除去と、剥離液処
理によるレジスト残さの除去を、連続処理で行なうこと
ができる。
【００２０】本発明の請求項７記載のフォトレジスト剥
離装置は、基板上に形成されたフォトレジストを剥離す
る手段と、前記基板上に希ふっ酸を供給する手段とを備
えたことを特徴とするものである。本発明によれば、剥
離液によるフォトレジストの除去と、希ふっ酸による表
面酸化層の除去を同一装置内で行なうことができる。
離装置は、基板上に形成されたフォトレジストを剥離す
る手段と、前記基板上に希ふっ酸を供給する手段とを備
えたことを特徴とするものである。本発明によれば、剥
離液によるフォトレジストの除去と、希ふっ酸による表
面酸化層の除去を同一装置内で行なうことができる。
【００２１】本発明の請求項８記載の半導体基板の処理
方法は、表面酸化層を有する半導体基板上に塗布された
フォトレジストを剥離する工程と、前記基板に希ふっ酸
を供給して前記半導体の表面酸化層を除去する工程とを
含むことを特徴とするものである。本発明によれば、剥
離液によるフォトレジストの除去と、希ふっ酸による表
面酸化層の除去を連続処理で行なうことができる。
方法は、表面酸化層を有する半導体基板上に塗布された
フォトレジストを剥離する工程と、前記基板に希ふっ酸
を供給して前記半導体の表面酸化層を除去する工程とを
含むことを特徴とするものである。本発明によれば、剥
離液によるフォトレジストの除去と、希ふっ酸による表
面酸化層の除去を連続処理で行なうことができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態におけ
るフォトレジスト塗布装置、現像装置と剥離装置および
半導体基板の処理方法について、図面を参照にしながら
説明する。
るフォトレジスト塗布装置、現像装置と剥離装置および
半導体基板の処理方法について、図面を参照にしながら
説明する。
【００２３】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１におけるフォトレジスト塗布装置の概略構成図であ
る。図１において、１０は基板を真空チャックにより吸
着保持するスピンチャック、１１はスピンチャック１０
を回転させるための駆動モーター、１２はレジスト液塗
布時に飛散するレジスト液を受け止めるカップであり、
１３は前記カップ１２の底部に接続された排液を排出す
るための排液配管である。１４はレジスト液供給ノズ
ル、１５はレジスト液供給ノズル１４を待機させるノズ
ル待機部、１６はレジスト液のダミー吐出を行なうダミ
ー吐出部、１７はオゾン水供給ノズル、１８はオゾン水
供給ノズル１７を待機させるノズル待機部である。
態１におけるフォトレジスト塗布装置の概略構成図であ
る。図１において、１０は基板を真空チャックにより吸
着保持するスピンチャック、１１はスピンチャック１０
を回転させるための駆動モーター、１２はレジスト液塗
布時に飛散するレジスト液を受け止めるカップであり、
１３は前記カップ１２の底部に接続された排液を排出す
るための排液配管である。１４はレジスト液供給ノズ
ル、１５はレジスト液供給ノズル１４を待機させるノズ
ル待機部、１６はレジスト液のダミー吐出を行なうダミ
ー吐出部、１７はオゾン水供給ノズル、１８はオゾン水
供給ノズル１７を待機させるノズル待機部である。
【００２４】本実施の形態の特徴は、オゾン水供給ノズ
ル１７を備えたことであり、この構成によれば、半導体
基板表面に酸化層の形成と、フォトレジスト層の形成が
同一装置内で容易にできる。
ル１７を備えたことであり、この構成によれば、半導体
基板表面に酸化層の形成と、フォトレジスト層の形成が
同一装置内で容易にできる。
【００２５】（実施の形態２）図２は本発明の実施の形
態２における半導体基板の処理方法フローチャートであ
る。本発明実施の形態１のフォトレジスト塗布装置を用
いて、まず半導体基板をスピンチャックにより高速回転
させ、前記半導体基板上にオゾン水を供給し、前記半導
体基板の表面に酸化層を形成する。次に、前記表面酸化
層を有する半導体基板上に所定のフォトレジスト液を供
給した後、スピンチャックにより半導体基板を高速回転
させてフォトレジスト液を半導体基板表面全体に拡散さ
せ、均一なレジスト膜を形成する。
態２における半導体基板の処理方法フローチャートであ
る。本発明実施の形態１のフォトレジスト塗布装置を用
いて、まず半導体基板をスピンチャックにより高速回転
させ、前記半導体基板上にオゾン水を供給し、前記半導
体基板の表面に酸化層を形成する。次に、前記表面酸化
層を有する半導体基板上に所定のフォトレジスト液を供
給した後、スピンチャックにより半導体基板を高速回転
させてフォトレジスト液を半導体基板表面全体に拡散さ
せ、均一なレジスト膜を形成する。
【００２６】本実施の形態の特徴は、半導体基板にオゾ
ン水を供給して前記半導体基板の表面を酸化させる工程
と、前記表面酸化された半導体基板上にフォトレジスト
を塗布する工程とを含むものであり、この処理方法によ
れば、半導体基板にオゾン水を供給して半導体基板の表
面を酸化させた後、前記表面酸化された半導体基板上に
フォトレジストを塗布することにより、最終フォトレジ
ストの剥離処理を行なう際に、表面酸化膜が存在するこ
とにより剥離液による半導体基板へのダメージを低減す
ることができる。
ン水を供給して前記半導体基板の表面を酸化させる工程
と、前記表面酸化された半導体基板上にフォトレジスト
を塗布する工程とを含むものであり、この処理方法によ
れば、半導体基板にオゾン水を供給して半導体基板の表
面を酸化させた後、前記表面酸化された半導体基板上に
フォトレジストを塗布することにより、最終フォトレジ
ストの剥離処理を行なう際に、表面酸化膜が存在するこ
とにより剥離液による半導体基板へのダメージを低減す
ることができる。
【００２７】（実施の形態３）図３は本発明の実施の形
態３におけるフォトレジスト現像装置の概略構成図であ
る。図３において、３０は基板を真空チャックにより吸
着保持するスピンチャック、３１はスピンチャック３０
を回転させるための駆動モーター、３２はレジスト液塗
布時に飛散するレジスト液を受け止めるカップであり、
３３は前記カップ３２の底部に接続された排液を排出す
るための排液配管である。３４は現像液供給ノズル、３
５は現像液供給ノズル３４を待機させるノズル待機部、
３６は現像液のダミー吐出を行なうダミー吐出部、３７
はオゾン水供給ノズル、３８はオゾン水供給ノズルが３
７を待機させるノズル待機部、３９はリンス液供給ノズ
ル、４０はリンス液供給ノズル３９を待機させるノズル
待機部である。これらのフォトレジスト現像ユニットに
はアニール処理炉が並設されている。
態３におけるフォトレジスト現像装置の概略構成図であ
る。図３において、３０は基板を真空チャックにより吸
着保持するスピンチャック、３１はスピンチャック３０
を回転させるための駆動モーター、３２はレジスト液塗
布時に飛散するレジスト液を受け止めるカップであり、
３３は前記カップ３２の底部に接続された排液を排出す
るための排液配管である。３４は現像液供給ノズル、３
５は現像液供給ノズル３４を待機させるノズル待機部、
３６は現像液のダミー吐出を行なうダミー吐出部、３７
はオゾン水供給ノズル、３８はオゾン水供給ノズルが３
７を待機させるノズル待機部、３９はリンス液供給ノズ
ル、４０はリンス液供給ノズル３９を待機させるノズル
待機部である。これらのフォトレジスト現像ユニットに
はアニール処理炉が並設されている。
【００２８】本実施の形態の特徴は、オゾン水供給ノズ
ル３８を備えたことであり、この構成によれば、フォト
レジストの現像と、オゾン水によるデスカムを同一装置
内で行なうことができる。
ル３８を備えたことであり、この構成によれば、フォト
レジストの現像と、オゾン水によるデスカムを同一装置
内で行なうことができる。
【００２９】（実施の形態４）図４は本発明の実施の形
態４における半導体基板の処理方法フローチャートであ
る。本発明実施の形態３のフォトレジスト現像装置を用
いて、露光された半導体基板上をスピンチャックにより
高速回転させ、前記半導体基板上に現像液を供給し現像
処理された後、続いてリンス液を供給し現像液を洗い流
し、現像処理を完了する。次にフォトレジスト現像ユニ
ットに並設されたアニール処理炉にて加熱装置にて加熱
されてベーキング処理が施された後、再びフォトレジス
ト現像ユニットにて、前記半導体基板をスピンチャック
により高速回転させ、前記半導体基板上にオゾン水を供
給しデスカムを行なう。
態４における半導体基板の処理方法フローチャートであ
る。本発明実施の形態３のフォトレジスト現像装置を用
いて、露光された半導体基板上をスピンチャックにより
高速回転させ、前記半導体基板上に現像液を供給し現像
処理された後、続いてリンス液を供給し現像液を洗い流
し、現像処理を完了する。次にフォトレジスト現像ユニ
ットに並設されたアニール処理炉にて加熱装置にて加熱
されてベーキング処理が施された後、再びフォトレジス
ト現像ユニットにて、前記半導体基板をスピンチャック
により高速回転させ、前記半導体基板上にオゾン水を供
給しデスカムを行なう。
【００３０】本実施の形態の特徴は、露光後にフォトレ
ジストを現像する工程と、前記現像されたフォトレジス
トが形成された半導体基板上にオゾン水を供給してデス
カムを行なう工程とを含むものであり、本発明によれ
ば、オゾン水でデスカムを行なうことにより、フォトレ
ジストの現像とデスカムを連続処理で行なうことができ
るといった効果を有する。
ジストを現像する工程と、前記現像されたフォトレジス
トが形成された半導体基板上にオゾン水を供給してデス
カムを行なう工程とを含むものであり、本発明によれ
ば、オゾン水でデスカムを行なうことにより、フォトレ
ジストの現像とデスカムを連続処理で行なうことができ
るといった効果を有する。
【００３１】（実施の形態５）図５は本発明の実施の形
態５におけるフォトレジスト剥離装置の概略構成図であ
る。図５において、Ａは剥離液処理ゾーン、Ｂ１は乾燥
１ゾーン、Ｃはリンス液処理ゾーン、Ｂ２は乾燥２ゾー
ンである。乾燥１ゾーンＢ１はエアーナイフによる乾燥
であり、乾燥２ゾーンＢ２はスピン乾燥である。また、
乾燥２ゾーンＢ２にはオゾン水供給ノズルが備えられて
いる。
態５におけるフォトレジスト剥離装置の概略構成図であ
る。図５において、Ａは剥離液処理ゾーン、Ｂ１は乾燥
１ゾーン、Ｃはリンス液処理ゾーン、Ｂ２は乾燥２ゾー
ンである。乾燥１ゾーンＢ１はエアーナイフによる乾燥
であり、乾燥２ゾーンＢ２はスピン乾燥である。また、
乾燥２ゾーンＢ２にはオゾン水供給ノズルが備えられて
いる。
【００３２】本実施の形態の特徴は、乾燥２ゾーンＢ２
にオゾン水供給ノズルを備えたことであり、この構成に
よれば、フォトレジストの現像と、オゾン水によるデス
カムを同一装置内で行なうことができる。
にオゾン水供給ノズルを備えたことであり、この構成に
よれば、フォトレジストの現像と、オゾン水によるデス
カムを同一装置内で行なうことができる。
【００３３】（実施の形態６）図６は本発明の実施の形
態６における半導体基板の処理方法フローチャートであ
る。本発明実施の形態５のフォトレジスト剥離装置を用
いて、フォトレジストが塗布された基板をまず、剥離液
処理ゾーンＡにて剥離液シャワーによってフォトレジス
トを除去し、続いて乾燥１ゾーンＢ１にてエアーナイフ
により乾燥する。次にリンス液処理ゾーンＣにて純水リ
ンスシャワーによって洗浄された後、乾燥２ゾーンＢ２
にて半導体基板をスピンチャックにて高速回転させ、前
記半導体基板上にオゾン水を供給しレジスト残さを除去
した後、スピン乾燥させる。
態６における半導体基板の処理方法フローチャートであ
る。本発明実施の形態５のフォトレジスト剥離装置を用
いて、フォトレジストが塗布された基板をまず、剥離液
処理ゾーンＡにて剥離液シャワーによってフォトレジス
トを除去し、続いて乾燥１ゾーンＢ１にてエアーナイフ
により乾燥する。次にリンス液処理ゾーンＣにて純水リ
ンスシャワーによって洗浄された後、乾燥２ゾーンＢ２
にて半導体基板をスピンチャックにて高速回転させ、前
記半導体基板上にオゾン水を供給しレジスト残さを除去
した後、スピン乾燥させる。
【００３４】本実施の形態の特徴は、表面酸化層を有す
る半導体基板上に塗布されたフォトレジストを剥離する
工程と、前記基板にオゾン水を供給して前記半導体基板
上のレジスト残さを除去する工程とを含むものであり、
本発明によれば、剥離液によるフォトレジストの除去
と、剥離液処理によるレジスト残さの除去を、連続処理
で行なうことができる。
る半導体基板上に塗布されたフォトレジストを剥離する
工程と、前記基板にオゾン水を供給して前記半導体基板
上のレジスト残さを除去する工程とを含むものであり、
本発明によれば、剥離液によるフォトレジストの除去
と、剥離液処理によるレジスト残さの除去を、連続処理
で行なうことができる。
【００３５】（実施の形態７）図７は本発明の実施の形
態５におけるフォトレジスト剥離装置の概略構成図であ
る。図７において、Ａは剥離液処理ゾーン、Ｂ１は乾燥
１ゾーン、Ｃはリンス液処理ゾーン、Ｂ２は乾燥２ゾー
ンである。乾燥１ゾーンＢ１はエアーナイフによる乾燥
であり、乾燥２ゾーンＢ２はスピン乾燥である。また、
乾燥２ゾーンＢ２には希ふっ酸供給ノズルと純水リンス
液供給ノズルが備えられている。
態５におけるフォトレジスト剥離装置の概略構成図であ
る。図７において、Ａは剥離液処理ゾーン、Ｂ１は乾燥
１ゾーン、Ｃはリンス液処理ゾーン、Ｂ２は乾燥２ゾー
ンである。乾燥１ゾーンＢ１はエアーナイフによる乾燥
であり、乾燥２ゾーンＢ２はスピン乾燥である。また、
乾燥２ゾーンＢ２には希ふっ酸供給ノズルと純水リンス
液供給ノズルが備えられている。
【００３６】本実施の形態の特徴は、乾燥２ゾーンＢ２
に希ふっ酸供給ノズルを備えたことであり、この構成に
よれば、剥離液によるフォトレジストの除去と、希ふっ
酸による表面酸化層の除去を同一装置内で行なうことが
できる。
に希ふっ酸供給ノズルを備えたことであり、この構成に
よれば、剥離液によるフォトレジストの除去と、希ふっ
酸による表面酸化層の除去を同一装置内で行なうことが
できる。
【００３７】（実施の形態８）図８は本発明の実施の形
態８における半導体基板の処理方法フローチャートであ
る。本発明実施の形態７のフォトレジスト剥離装置を用
いて、フォトレジストが塗布された基板をまず、剥離液
処理ゾーンＡにて剥離液シャワーによってフォトレジス
トを除去し、続いて乾燥１ゾーンＢ１にてエアーナイフ
により乾燥する。
態８における半導体基板の処理方法フローチャートであ
る。本発明実施の形態７のフォトレジスト剥離装置を用
いて、フォトレジストが塗布された基板をまず、剥離液
処理ゾーンＡにて剥離液シャワーによってフォトレジス
トを除去し、続いて乾燥１ゾーンＢ１にてエアーナイフ
により乾燥する。
【００３８】次にリンス液処理ゾーンＣにて純水リンス
シャワーによって洗浄された後、乾燥２ゾーンＢ２にて
半導体基板をスピンチャックにより高速回転させ、前記
半導体基板上に希ふっ酸を供給し表面酸化層を除去した
後、続いてリンス液を供給して洗浄し、スピン乾燥させ
る。
シャワーによって洗浄された後、乾燥２ゾーンＢ２にて
半導体基板をスピンチャックにより高速回転させ、前記
半導体基板上に希ふっ酸を供給し表面酸化層を除去した
後、続いてリンス液を供給して洗浄し、スピン乾燥させ
る。
【００３９】本実施の形態の特徴は、表面酸化層を有す
る半導体基板上に塗布されたフォトレジストを剥離する
工程と、前記基板に希ふっ酸を供給して前記半導体の表
面酸化層を除去する工程とを含むものでり、本発明によ
れば、剥離液によるフォトレジストの除去と、希ふっ酸
による表面酸化層の除去を連続処理で行なうことができ
る。
る半導体基板上に塗布されたフォトレジストを剥離する
工程と、前記基板に希ふっ酸を供給して前記半導体の表
面酸化層を除去する工程とを含むものでり、本発明によ
れば、剥離液によるフォトレジストの除去と、希ふっ酸
による表面酸化層の除去を連続処理で行なうことができ
る。
【００４０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、フォトレ
ジスト塗布装置、現像装置と剥離装置に、オゾン水を供
給する手段を備えることにより、半導体基板へのダメー
ジを減らし、処理時間を短縮することができる優れた性
能のフォトレジスト塗布装置、現像装置と剥離装置、お
よび半導体基板の処理方法を得ることができる。
ジスト塗布装置、現像装置と剥離装置に、オゾン水を供
給する手段を備えることにより、半導体基板へのダメー
ジを減らし、処理時間を短縮することができる優れた性
能のフォトレジスト塗布装置、現像装置と剥離装置、お
よび半導体基板の処理方法を得ることができる。
【図１】本発明の実施の形態１におけるフォトレジスト
塗布装置の概略構成図
塗布装置の概略構成図
【図２】本発明の実施の形態２における半導体基板の処
理方法フローチャート
理方法フローチャート
【図３】本発明の実施の形態３におけるフォトレジスト
現像装置の概略構成図
現像装置の概略構成図
【図４】本発明の実施の形態４における半導体基板の処
理方法フローチャート
理方法フローチャート
【図５】本発明の実施の形態５におけるフォトレジスト
剥離装置の概略構成図
剥離装置の概略構成図
【図６】本発明の実施の形態６における半導体基板の処
理方法フローチャート
理方法フローチャート
【図７】本発明の実施の形態７におけるフォトレジスト
剥離装置の概略構成図
剥離装置の概略構成図
【図８】本発明の実施の形態８における半導体基板の処
理方法フローチャート
理方法フローチャート
【図９】一般的なフォトレジスト塗布装置の概略構成図
【図１０】一般的なフォトレジスト現像装置の概略構成
図
図
【図１１】一般的なフォトレジスト剥離装置の概略構成
図
図
１０ スピンチャック １１ 駆動モーター １２ カップ １３ 排液配管 １４ レジスト液供給ノズル １５ レジスト液供給ノズル待機部 １６ ダミー吐出部 １７ オゾン水供給ノズル １８ オゾン水供給ノズル待機部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２ Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０２ ５Ｆ０４６ 7/30 ５０２ 7/42 7/42 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６３ ５６４Ｃ ５６９Ｃ ５７２Ｂ Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB16 EA05 FA14 FA15 FA47 FA48 2H096 AA25 CA01 CA14 CA20 GA02 GA29 LA01 LA03 4D075 AC64 AC79 BB20Z DA08 DC21 4F041 AA06 AB02 BA38 CA02 CA18 CA28 4F042 AA07 EB08 EB18 5F046 HA07 JA04 LA01 LA18 MA10
Claims (8)
- 【請求項１】 基板を１枚ずつ回転可能に支持する手段
と、前記支持手段を回転させる駆動手段と、前記基板上
にフォトレジストを供給する手段とを備えたフォトレジ
スト塗布装置において、前記基板上にオゾン水を供給す
る手段を備えたことを特徴とするフォトレジスト塗布装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載のフォトレジスト塗布装置
を用いて、半導体基板にオゾン水を供給して前記半導体
基板の表面を酸化させる工程と、前記表面酸化された半
導体基板上にフォトレジストを塗布する工程とを含むこ
とを特徴とする半導体基板の処理方法。 - 【請求項３】 基板を１枚ずつ回転可能に支持する手段
と、前記支持手段を回転させる駆動手段と、前記基板上
にフォトレジスト現像液を供給する手段とを備えたフォ
トレジスト現像装置において、前記基板上にオゾン水を
供給する手段を備えたことを特徴とするフォトレジスト
現像装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のフォトレジスト現像装置
を用いて、露光後にフォトレジストを現像する工程と、
前記現像されたフォトレジストが形成された半導体基板
上にオゾン水を供給してデスカムを行う工程を含むこと
を特徴とする半導体基板の処理方法。 - 【請求項５】 基板上に形成されたフォトレジストを剥
離する手段と、前記基板上にオゾン水を供給する手段と
を備えたことを特徴とするフォトレジスト剥離装置。 - 【請求項６】 請求項５記載のフォトレジスト剥離装置
を用いて、表面酸化層を有する半導体基板上に塗布され
たフォトレジストを剥離する工程と、前記基板上にオゾ
ン水を供給して前記半導体基板上のレジスト残さを除去
する工程とを含むことを特徴とする半導体基板の処理方
法。 - 【請求項７】 基板上に形成されたフォトレジストを剥
離する手段と、前記基板上に希ふっ酸を供給する手段と
を備えたことを特徴とするフォトレジスト剥離装置。 - 【請求項８】 請求項７記載のフォトレジスト剥離装置
を用いて、表面酸化層を有する半導体基板上に塗布され
たフォトレジストを剥離する工程と、前記基板に希ふっ
酸を供給して前記半導体基板の表面酸化層を除去する工
程とを含むことを特徴とする半導体基板の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000101928A JP2001284241A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | フォトレジスト塗布装置、現像装置と剥離装置および半導体基板の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000101928A JP2001284241A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | フォトレジスト塗布装置、現像装置と剥離装置および半導体基板の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284241A true JP2001284241A (ja) | 2001-10-12 |
Family
ID=18615888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000101928A Pending JP2001284241A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | フォトレジスト塗布装置、現像装置と剥離装置および半導体基板の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001284241A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7821655B2 (en) * | 2004-02-09 | 2010-10-26 | Axcelis Technologies, Inc. | In-situ absolute measurement process and apparatus for film thickness, film removal rate, and removal endpoint prediction |
-
2000
- 2000-04-04 JP JP2000101928A patent/JP2001284241A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7821655B2 (en) * | 2004-02-09 | 2010-10-26 | Axcelis Technologies, Inc. | In-situ absolute measurement process and apparatus for film thickness, film removal rate, and removal endpoint prediction |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20061109 |