JPH01316936A - 半導体基板エッチング処理装置 - Google Patents

半導体基板エッチング処理装置

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JPH01316936A
JPH01316936A JP14959788A JP14959788A JPH01316936A JP H01316936 A JPH01316936 A JP H01316936A JP 14959788 A JP14959788 A JP 14959788A JP 14959788 A JP14959788 A JP 14959788A JP H01316936 A JPH01316936 A JP H01316936A
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substrate
etching
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end surface
roller
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JP14959788A
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Kiyoshi Yoshikawa
吉川 清
Takashi Fujiwara
隆 藤原
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体基板(ウェハ)のエツチング処理装置
に係り、特に基板端面のエツチング処理に使用されるも
−のである。
(従来の技術) 半導体基板の製造に際して、基板端面のみをエツチング
処理する場合、従来は次に述べるように実施していた。
即ち、第3図に示すように、先ず、基板31の裏面全体
に刷毛で耐エツチング液32を塗った後、基板31と同
径の弗素樹脂製の円板33に貼シ付ける。次に、この円
板33が下側になるように、基板31卦よび円板33を
熱板上に載置し、数分間ベーキングして基板31と円板
33とを密着させる。次に、基板31の表側(ツヤター
ン作成面)に刷毛で耐エツチング液32を塗って上記と
同様にベーキングする。なお、上記作業時には、基板端
面(通常、斜面状になっている)31′に上記耐エツチ
ング液32が付着しないようにすることが重要である。
次に、上記したように形成された弗素樹脂円板付き基板
をピンセット34で挾み、エツチング液槽(ビーカー等
)35内のエツチング液36中に所要時間浸漬し、基板
端面31′のみエツチング処理を行う。このようなエツ
チング処理の後、水洗洗浄によシエッチング液を上記円
板付き基板から完全に除去し、さらに、ボイル中の有機
溶剤中に上記円板付き基板を浸漬することによって、基
板31と円板33とを剥すと共に耐エツチング液32も
除去する。この後、基板を純水により洗浄し、乾燥する
しかし、上記したようなエツチング処理方法は、次に挙
げるような問題点がある。(1)基板端面に付着しない
ように基板両面に耐エツチング液を塗る作業が大変であ
り、長い時間がかかつてい友。(2)基板端面に耐エツ
チング液が付着しないように基板と弗素樹脂円板とを貼
υ付ける作業が大変であり、長い時間がかかっていた。
(3)エツチング処理後、耐エツチング液を除去するの
に、ディル中の有機溶剤中に円板付き基板を浸漬し、さ
らに、純水洗浄、乾燥等の後処理を必要とするので、作
業が大変であり、長い時間がかかった・(4)基板と同
様に、弗素樹脂円板もエツチング液に浸漬するので、こ
れを洗浄し、清浄な雰囲気で管理しなければならない。
(5)基板両面の耐エツチング液の被覆ム、うが生じる
ので、基板の製造歩留りが低下する。
(6)エツチング液をエツチング液槽に入れ、この中で
基板端面をエツチングするので、エツチング液の使用量
が多かった。(7)耐エツチング液による被覆および樹
脂円板の貼付は等の工程が入るので、自動化が困難であ
った。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、上記したような従来のエツチング処理方法に
おける種々の問題点を解決すべくなされたもので、半導
体基板の端面のみに対するエツチング処理を短時間で自
動的に行うことができ、基板の製造歩留シも向上させる
ことができ、エツチング液の使用量も少なくて済む半導
体基板エツチング処理装置を提供することを目的とする
[発明の構成コ (課題を解決するための手段〕 本発明の半導体基板エツチング処理装置は、半導体基板
が水平状態となるように上記半導体基板の片面側で保持
して回転させる半導体基板保持回転機構と、上記半導体
基板の近傍で水平状態に設けられ、回転周面に前記半導
体基板の端面が非接触状態で入り込む溝部を有する溝付
きローラと、この溝付きローラの溝部に半導体基板の端
面に接触してエツチングを行うためのエツチング液を供
給する手段と、上記半導体基板の表面に純水を吐出して
洗浄するための基板洗浄用ノズルとを具備することを特
徴とする。
(作 用) 溝付きローラの溝部に供給されるエツチング液は表面張
力により保持され、このエツチング液に端面が接触しな
がら半導体基板が回転することによって、基板端面のみ
エツチング処理が行われる。エツチング処理後、洗浄ノ
ズルによシ基板を純水により洗浄することができる。こ
のような処理は自動化が可能であシ、しかも、処理工程
の単純化が可能であるので、処理時間の短縮化が可能で
ある。また、基板の端面以外の部分に対して耐エツチン
グ液ftmる等の処理を必要としないので、基板の製造
歩留りの低下をまねくおそれがなく、エツチング液槽中
に基板全部を浸漬する場合に比ぺてエツチング液の使用
量が少なくて済む。
(実施例) 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
第1図において、1は端面のエツチング処理を必要とす
る半導体基板、2はこの半導体基板1が水平状態となる
ように、その下面側を保持して回転させる半導体基板保
持回転機構でオシ、排気穴を有すると共にモータ(図示
せず)に連結された垂直の回転軸3と、この回転軸3の
上端に取シ付けられると共に上記回転軸3の排気穴と連
通ずる排気穴を有する真空吸着用基板チャック4とを具
備する。5は上記半導体基板1の近傍に配置されて回転
され、回転周面に前記半導体基板1の端面が非接触状態
で入シ込む溝部5′ヲ有すると共に水平状態に回転自在
な溝付きローラでおり、6はこのローラ5を回転させる
ための回転軸であシ、その下端に上記ローラ5が取り付
けられている。7は上記ローラ5の近傍に設けられ、と
のローラ5の溝部5′に半導体基板1の端面1′に接触
してエッチングするためのエツチング液8を供給するエ
ツチング液供給ノズルである。9は前記半導体基板1の
斜め上方に設けられ、その上面に純水を吐出して洗浄す
るための基板洗浄用ノズルでちる。
10は前記保持回転機構2の近傍に設けられ、前記基板
チーツク4などの基板周辺部に純水を吐出して洗浄する
ための周辺部洗浄用ノズルである。
なお、図示しないが、エツチング処理後の洗浄水等を受
けるための容器(図示せず)の内面を洗浄するためにも
、上記とは別に周辺部洗浄用ノズルが設けられる。
次に、上記エツチング処理装置の動作を説明する。ロー
ラ5および半導体基板1は、第2図中に矢印で示すよう
に互いに逆方向に回転するように駆動される。エツチン
グ液供給ノズル7からローラ5の溝部5′に供給される
エツチング液8は、その表面張力によシ溝部5′内に保
持され、ローラ5の回転に伴って半導体基板端面1′に
接触する位置へ移9、基板端面のエツチング処理を行う
。そして、半導体基板1の端面1′の全周のエツチング
を終了すると、エツチング液の供給を停止し、基板洗浄
用ノズル9および周辺部洗浄用ノズルIQからそれぞれ
純水を吐出させて基板1および周辺部を洗浄する。この
後、基板1を高速回転させてその乾燥を行う。
上記したような半導体基板エツチング処理装置によれば
、次に挙げるような効果が得られる。即ち、(1ン溝付
きローラの溝部内に供給されたエツチング液に基板端面
を接触させるので、基板は端面しかエツチングされず、
端面以外の基板表面に耐壬ツチング液を塗布したシ除去
する等の処理を必要としないので、工程が短縮すると共
に歩留りが大幅に向上する。(2)前記ローラの溝部に
しかエツチング液を供給しないので、エツチング液の使
用量、ひいては、エツチング液のランニングコストが大
幅に節約される。(3)上記したようなエツチング処理
自体の自動化が可能であるので、その処理時間の短縮化
を図ることができ、しかも、上記エツチング処理は、前
工程および後工程との接続の自動化が可能となり、自動
化にょシ基板のチッピングが発生しなくなるので歩留シ
が大幅に向上する。(4)常に少量の新しいエツチング
液を基板端面に接触させてエツチングを行うので、エツ
チングムラが無くなり、歩留りが向上する。(5)上記
したエツチング処理中、人体に有害な有機溶剤に作業者
が触れる機会がなくなり、作業の安全性が向上する。
なお、本発明は上記実施例に限らず、種々の変形実施が
可能である。例えば、溝付きローラの溝部にエツチング
液を供給する手段は上記エツチング液供給ノズルに限−
らず、溝付きローラの内部にエツチング液ヲ貯蔵し得る
と共に、この内部と溝部の少なくとも一部が連通ずる構
造にすれば、内部から溝部にエツチング液を供給するこ
とが可能になる。この場合、回転軸6の中心部にエツチ
ング供給用通路を設けておき、この通路をローラ内部に
連通させておけば、この通路を介してローラにエツチン
グ液を補給することが可能になる◇[発明の効果] 上述したように本発明の半導体基板エツチング処理装置
によれば、半導体基板の端面のみに対するエツチング処
理を短時間で自動的に行うことができ、基板の製造歩留
りも向上させることができ、エツチング液の使用量も少
なくて済むなどの効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体基板エツチング処理装置の一実
施例を示す構成説明図、第2図は第1図の装置によるエ
ツチング処理状態を示す平面図、第3図は従来の半導体
基板エツチング処理方法で用いられる治具を示す構成説
明図である。 1・・・半導体基板、1′・・・半導体基板の端面、2
・・・半導体基板保持回転機構、3・・・回転軸、4・
・・真空チャック、5・・・ローラ、5′・・・ローラ
の溝部、6・・・回転軸、7・・・エツチング液供給ノ
ズル、8・・・エツチング液、9,10・・・洗浄用ノ
ズル。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体基板が水平状態となるように上記半導体基板の
    片面側で保持して回転させる半導体基板保持回転機構と
    、上記半導体基板の近傍で水平状態に設けられ、回転周
    面に前記半導体基板の端面が非接触状態で入り込む溝部
    を有する溝付きローラと、この溝付きローラの溝部に半
    導体基板の端面に接触してエッチングを行うためのエッ
    チング液を供給する手段と、上記半導体基板の表面に純
    水を吐出して洗浄するための基板洗浄用ノズルとを具備
    することを特徴とする半導体基板エッチング処理装置。
JP14959788A 1988-06-17 1988-06-17 半導体基板エッチング処理装置 Granted JPH01316936A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14959788A JPH01316936A (ja) 1988-06-17 1988-06-17 半導体基板エッチング処理装置

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14959788A JPH01316936A (ja) 1988-06-17 1988-06-17 半導体基板エッチング処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01316936A true JPH01316936A (ja) 1989-12-21
JPH0529305B2 JPH0529305B2 (ja) 1993-04-30

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ID=15478687

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JP14959788A Granted JPH01316936A (ja) 1988-06-17 1988-06-17 半導体基板エッチング処理装置

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JP (1) JPH01316936A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244167A (ja) * 1993-02-18 1994-09-02 M Setetsuku Kk ウェハーエッジの加工方法とその装置
US6516815B1 (en) 1999-07-09 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module
US6770565B2 (en) 2002-01-08 2004-08-03 Applied Materials Inc. System for planarizing metal conductive layers
US6824612B2 (en) 2001-12-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Electroless plating system

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244167A (ja) * 1993-02-18 1994-09-02 M Setetsuku Kk ウェハーエッジの加工方法とその装置
US6516815B1 (en) 1999-07-09 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module
US6824612B2 (en) 2001-12-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Electroless plating system
US6770565B2 (en) 2002-01-08 2004-08-03 Applied Materials Inc. System for planarizing metal conductive layers

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JPH0529305B2 (ja) 1993-04-30

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