JPS62114225A - レジスト現像装置 - Google Patents
レジスト現像装置Info
- Publication number
- JPS62114225A JPS62114225A JP25529685A JP25529685A JPS62114225A JP S62114225 A JPS62114225 A JP S62114225A JP 25529685 A JP25529685 A JP 25529685A JP 25529685 A JP25529685 A JP 25529685A JP S62114225 A JPS62114225 A JP S62114225A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- spraying nozzle
- agent
- spray nozzle
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はレジスト現像装置の改良に関する。
〔発明の技術的背景）
従来のスプレ一式レジスト現像装置を第２図（ａ）及び
（ｂ）を参照して説明する。第２図＜ａ）及び（ｂ）に
おいて、カップ１下方にはモーター２が設けられ、この
モーター２により回転する回転軸３がカップ１内に挿入
されている。この回転軸３上にはウェハチャック４が取
付けられ、更にこのウェハチャック４上には半導体ウェ
ハ５が固定される。また、半導体ウェハ５上方には現像
液スプレーノズル６及びリンス液スプレーノズル７が設
けられている。前記カップ１底部にはダクト１ａ、ｌａ
が設けられており、このダクト１ａ、１ａから排気が行
なわれるとともに、現像液、リンス液の回収が行なわれ
る。
（ｂ）を参照して説明する。第２図＜ａ）及び（ｂ）に
おいて、カップ１下方にはモーター２が設けられ、この
モーター２により回転する回転軸３がカップ１内に挿入
されている。この回転軸３上にはウェハチャック４が取
付けられ、更にこのウェハチャック４上には半導体ウェ
ハ５が固定される。また、半導体ウェハ５上方には現像
液スプレーノズル６及びリンス液スプレーノズル７が設
けられている。前記カップ１底部にはダクト１ａ、ｌａ
が設けられており、このダクト１ａ、１ａから排気が行
なわれるとともに、現像液、リンス液の回収が行なわれ
る。
ところで、半導体製造工程では、ネガ型レジストを用い
、コンタクト露光方式でレジストパターンを形成する場
合がある。この場合、マスク合わせ時にマスクとウェハ
とを接触させるため、両者が接着して離れなくなる、い
わゆるスティッキングが発生し易い。このようにスティ
ッキングが発生すると、作業能率の低下、マスクの汚れ
、製品の歩留り低下等の問題が生じる。
、コンタクト露光方式でレジストパターンを形成する場
合がある。この場合、マスク合わせ時にマスクとウェハ
とを接触させるため、両者が接着して離れなくなる、い
わゆるスティッキングが発生し易い。このようにスティ
ッキングが発生すると、作業能率の低下、マスクの汚れ
、製品の歩留り低下等の問題が生じる。
そこで、このスティッキング対策として、■マスクに接
着防止剤（ＦＣ液、住友３Ｍ社商品名）をコーティング
する方法、■レジスト上に接着防止剤（ＯＰＳ、東京応
化行商品名ンをコーティングする方法、■低接着性のレ
ジストを使用する方法、等が用いられている。
着防止剤（ＦＣ液、住友３Ｍ社商品名）をコーティング
する方法、■レジスト上に接着防止剤（ＯＰＳ、東京応
化行商品名ンをコーティングする方法、■低接着性のレ
ジストを使用する方法、等が用いられている。
これらの対策のうち、■の方法ではパターン変換差が大
きくなるという問題があり、■の方法ではウェハと低接
着性レジストとの密着性が低下するという問題がある。
きくなるという問題があり、■の方法ではウェハと低接
着性レジストとの密着性が低下するという問題がある。
このため、通常は■の方法のみを用いるか、又は■と■
の方法を併用している。ただし、■の方法でもマスクに
コーティングした接着防止剤（ＦＣ液）がレジストに付
着し、レジストを現象しても接着防止剤が除去されずに
残留する場合があり、こうした場合エツチング工程で所
望のパターンが形成されずに欠陥となることが問題とな
る。例えば、第３図（ａ）に示すように、レジストパタ
ーン８．８間に接着防止剤９が残留した場合、同図（ｂ
）に示すようにエツチング後に例えば配線１０．１０が
接続した状態で形成され、ショート不良が発生する原因
となる。
の方法を併用している。ただし、■の方法でもマスクに
コーティングした接着防止剤（ＦＣ液）がレジストに付
着し、レジストを現象しても接着防止剤が除去されずに
残留する場合があり、こうした場合エツチング工程で所
望のパターンが形成されずに欠陥となることが問題とな
る。例えば、第３図（ａ）に示すように、レジストパタ
ーン８．８間に接着防止剤９が残留した場合、同図（ｂ
）に示すようにエツチング後に例えば配線１０．１０が
接続した状態で形成され、ショート不良が発生する原因
となる。
このような不良が発生すると、ＩＣ製品の歩留りが大幅
に低下する。
に低下する。
本発明は上記欠点を解消するためになされたものであり
、ネガ型レジストを用い、コンタクト露光を行なった場
合に、接摺防止剤の付着によるパターン欠陥の発生を防
止できるレジスト現象装置を提供しようとするものであ
る。
、ネガ型レジストを用い、コンタクト露光を行なった場
合に、接摺防止剤の付着によるパターン欠陥の発生を防
止できるレジスト現象装置を提供しようとするものであ
る。
本発明のレジスト現像装置は、レジストに付着した接着
防止剤の除去を行なう処理液スプレーノズルと、現像液
スプレーノズルと、リンス液スプレーノズルとを具備し
たことを特徴とするものである。
防止剤の除去を行なう処理液スプレーノズルと、現像液
スプレーノズルと、リンス液スプレーノズルとを具備し
たことを特徴とするものである。
このようなレジスト現像装置によれば、処理液スプレー
ノズルからスプレーされる処理液により接着防止剤を完
全に除去することができるので、パターン欠陥の発生を
防止することができ、ＩＣ製品の歩留りを向上すること
ができる。なお、本発明において、接着防止剤を除去す
るための処理液としては例えばフレオンが用いられる。
ノズルからスプレーされる処理液により接着防止剤を完
全に除去することができるので、パターン欠陥の発生を
防止することができ、ＩＣ製品の歩留りを向上すること
ができる。なお、本発明において、接着防止剤を除去す
るための処理液としては例えばフレオンが用いられる。
（発明の実施例）
以下、本発明の実施例を第１図（ａ＞及び（ｂ）を参照
して説明する。
して説明する。
第１図（ａ）及び（ｂ）において、カップ１下方にはモ
ーター２が設けられ、このモーター２により回転する回
転軸３がカップ１内に挿入されている。この回転軸３上
にはウェハチャック４が取付けられ、更にこのウェハチ
ャック４上には半導体ウェハ５が固定される。また、半
導体ウェハ５上方には処理液スプレーノズル１１、現像
液スプレーノズル６及びリンス液スプレーノズル７が設
けられている。前記処理液スプレーノズル１１からは接
着防止剤（ＦＣ液）を除去するための処理液、例えばフ
レオンがスプレーされる。前記カップ１底部にはダクト
１ａ、１ａが設けられており、このダク１−１ａ、ｌａ
から排気が行なわれるとともに、処理液、現像液、リン
ス液の回収が行なわれる。
ーター２が設けられ、このモーター２により回転する回
転軸３がカップ１内に挿入されている。この回転軸３上
にはウェハチャック４が取付けられ、更にこのウェハチ
ャック４上には半導体ウェハ５が固定される。また、半
導体ウェハ５上方には処理液スプレーノズル１１、現像
液スプレーノズル６及びリンス液スプレーノズル７が設
けられている。前記処理液スプレーノズル１１からは接
着防止剤（ＦＣ液）を除去するための処理液、例えばフ
レオンがスプレーされる。前記カップ１底部にはダクト
１ａ、１ａが設けられており、このダク１−１ａ、ｌａ
から排気が行なわれるとともに、処理液、現像液、リン
ス液の回収が行なわれる。
上記レジス［・現像装置の操作シーケンスは以下のよう
なものである。例えば、ウェハ回転数１１００Ｏｒｐで
フレオンを１０秒間スプレーし、ウェハ回転数１１００
０ｒｌ）で現象液を１０秒間スプレーし、ウェハ回転数
１０００ｒｐｌでリンス液を１０秒間スプレーし、ウェ
ハ回転数４０００ｒｐａ＋で１０秒間乾燥する。
なものである。例えば、ウェハ回転数１１００Ｏｒｐで
フレオンを１０秒間スプレーし、ウェハ回転数１１００
０ｒｌ）で現象液を１０秒間スプレーし、ウェハ回転数
１０００ｒｐｌでリンス液を１０秒間スプレーし、ウェ
ハ回転数４０００ｒｐａ＋で１０秒間乾燥する。
このようなレジスト現＠装置によれば、現像前に処理液
をスプレーすることにより接着防止剤を完全に除去する
ことができるので、現像後にレジストパターン以外に接
着防止剤が残留するのを防止することができる。したが
って、エツチング工程においてもパターン欠陥が発生す
ることなく、所望の回路パターンを得ることができるの
で、ＩＣ製品の歩留りを向上することができる。
をスプレーすることにより接着防止剤を完全に除去する
ことができるので、現像後にレジストパターン以外に接
着防止剤が残留するのを防止することができる。したが
って、エツチング工程においてもパターン欠陥が発生す
ることなく、所望の回路パターンを得ることができるの
で、ＩＣ製品の歩留りを向上することができる。
以上詳述した如く本発明のレジスト現像装置によれば、
ネガ型レジストを用い、コンタクト露光を行なった場合
に、接着防止剤の付着によるパターン欠陥の発生を防止
でき、ひいては１０１品の歩留りを大幅に向上すること
ができるものである。
ネガ型レジストを用い、コンタクト露光を行なった場合
に、接着防止剤の付着によるパターン欠陥の発生を防止
でき、ひいては１０１品の歩留りを大幅に向上すること
ができるものである。
第１図（ａ＞は本発明の実施例におけるレジスト現像装
置の正面図、同図（ｂ）は同装置の平面図、第２図（ａ
）は従来のレジスト現像装置の正面図、同図（ｂ）は同
装置の平面図、第３図（ａ）及び（ｂ）は従来のレジス
ト現像装置を用いた場合の欠点を示す説明図である。 １・・・カップ、１ａ・・・ダクト、２・・・モーター
、３・・・回転軸、４・・・ウェハチャック、５・・・
半導体ウェハ、６・・・現像液スプレーノズル、７・・
・リンス液スプレーノズル、８・・・レジストパターン
、９・・・接着防止剤、１０・・・配線、１１・・・処
理液スプレーノズ出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図
置の正面図、同図（ｂ）は同装置の平面図、第２図（ａ
）は従来のレジスト現像装置の正面図、同図（ｂ）は同
装置の平面図、第３図（ａ）及び（ｂ）は従来のレジス
ト現像装置を用いた場合の欠点を示す説明図である。 １・・・カップ、１ａ・・・ダクト、２・・・モーター
、３・・・回転軸、４・・・ウェハチャック、５・・・
半導体ウェハ、６・・・現像液スプレーノズル、７・・
・リンス液スプレーノズル、８・・・レジストパターン
、９・・・接着防止剤、１０・・・配線、１１・・・処
理液スプレーノズ出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図
Claims (1)
- 基板上に塗布され、露光工程の終了したレジストの現像
を行なうレジスト現像装置において、レジストに付着し
た接着防止剤の除去を行なう処理液スプレーノズルと、
現像液スプレーノズルと、リンス液スプレーノズルとを
具備したことを特徴とするレジスト現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25529685A JPS62114225A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | レジスト現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25529685A JPS62114225A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | レジスト現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62114225A true JPS62114225A (ja) | 1987-05-26 |
Family
ID=17276796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25529685A Pending JPS62114225A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | レジスト現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62114225A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01227437A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置 |
| US5416047A (en) * | 1990-09-07 | 1995-05-16 | Tokyo Electron Limited | Method for applying process solution to substrates |
-
1985
- 1985-11-14 JP JP25529685A patent/JPS62114225A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01227437A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置 |
| US5416047A (en) * | 1990-09-07 | 1995-05-16 | Tokyo Electron Limited | Method for applying process solution to substrates |
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