JPH0356041Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0356041Y2 JPH0356041Y2 JP1982199917U JP19991782U JPH0356041Y2 JP H0356041 Y2 JPH0356041 Y2 JP H0356041Y2 JP 1982199917 U JP1982199917 U JP 1982199917U JP 19991782 U JP19991782 U JP 19991782U JP H0356041 Y2 JPH0356041 Y2 JP H0356041Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- wafer
- mounting table
- substrate mounting
- solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 7
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- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 25
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 7
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(1) 考案の技術分野
本考案は、フオトエツチング工程において、前
工程で数回繰り返し行なう一枚毎のウエハ面また
はフオトマスク基板面のレジスト剥離、水洗浄、
乾燥を高速処理することを特徴とするレジスト処
理装置に関するものである。
工程で数回繰り返し行なう一枚毎のウエハ面また
はフオトマスク基板面のレジスト剥離、水洗浄、
乾燥を高速処理することを特徴とするレジスト処
理装置に関するものである。
(2) 技術の背景
最近はICからLSIとトランジスタ回路が高密度
化してきており、従つてフオトエツチング工程も
繰り返される回数が多くなつてきている。フオト
エツチングは写真食刻法とも言われており、第1
段階は清浄された試料面に種々の条件下でフオト
レジストのコーテングを行う。第2段階は塗布し
たフオトレジストを乾燥させることで有機溶剤を
揮発させる。第3段階はフオトレジスト膜上にフ
オトマスクを密着させ、最適条件で紫外線を露光
させる。第4段階は試料面を現像液を用いて現像
し、水洗後ポストベーキングでレジストを硬化さ
せ密着を完全にする。第5段階は熱酸化SiO2膜
のエツチングをエツチング液で行う。最後の第6
段階はフオトマスクの部分でエツチング処理によ
るレジストを除去することで、このフオトエツチ
ング工程が終了する。本考案の工程は前述の最後
のフオトエツチング工程であり、試料の再使用に
当たり表面清浄が欠せない行程である。この行程
はアセトン等の溶媒を用いて試料面のレジスト剥
離して、試料面をレジスト剥離の残留物等と共に
純水水洗で清浄し、試料の乾燥を行なう試料の再
処理に関係するものである。
化してきており、従つてフオトエツチング工程も
繰り返される回数が多くなつてきている。フオト
エツチングは写真食刻法とも言われており、第1
段階は清浄された試料面に種々の条件下でフオト
レジストのコーテングを行う。第2段階は塗布し
たフオトレジストを乾燥させることで有機溶剤を
揮発させる。第3段階はフオトレジスト膜上にフ
オトマスクを密着させ、最適条件で紫外線を露光
させる。第4段階は試料面を現像液を用いて現像
し、水洗後ポストベーキングでレジストを硬化さ
せ密着を完全にする。第5段階は熱酸化SiO2膜
のエツチングをエツチング液で行う。最後の第6
段階はフオトマスクの部分でエツチング処理によ
るレジストを除去することで、このフオトエツチ
ング工程が終了する。本考案の工程は前述の最後
のフオトエツチング工程であり、試料の再使用に
当たり表面清浄が欠せない行程である。この行程
はアセトン等の溶媒を用いて試料面のレジスト剥
離して、試料面をレジスト剥離の残留物等と共に
純水水洗で清浄し、試料の乾燥を行なう試料の再
処理に関係するものである。
(3) 従来技術と問題点
従来、フオトエツチング工程のウエハ再処理で
あるレジスト剥離はアセトン等の溶媒を入れた容
器で数十枚の試料を処理しており、この処理をバ
ツチ処理といわれている。この処理工程で1枚ま
たは数枚の試料を処理する場合、バツチ処理と同
じく行なうと使用するアセトン等の溶媒と同量が
必要であり、時間も同じくかかるものである。従
つて処理する試料の数に対してアセトン等の溶媒
が不経済であり、時間がかかりすぎて作業効率が
悪かつた。
あるレジスト剥離はアセトン等の溶媒を入れた容
器で数十枚の試料を処理しており、この処理をバ
ツチ処理といわれている。この処理工程で1枚ま
たは数枚の試料を処理する場合、バツチ処理と同
じく行なうと使用するアセトン等の溶媒と同量が
必要であり、時間も同じくかかるものである。従
つて処理する試料の数に対してアセトン等の溶媒
が不経済であり、時間がかかりすぎて作業効率が
悪かつた。
(4) 考案の目的
本考案の目的は、上述の欠点に鑑みて、ウエハ
再処理において1枚または数枚のウエハだけの場
合、アセトン等の溶媒が少量で済む経済的に有用
であり、前述の処理時間が従来より短時間で済む
高速処理を提供することにある。他の目的はレジ
スト剥離と同様な動作でウエハを純水で水洗し清
浄する高速処理を提供することにある。
再処理において1枚または数枚のウエハだけの場
合、アセトン等の溶媒が少量で済む経済的に有用
であり、前述の処理時間が従来より短時間で済む
高速処理を提供することにある。他の目的はレジ
スト剥離と同様な動作でウエハを純水で水洗し清
浄する高速処理を提供することにある。
(5) 考案の構成
そしてこの目的は、本考案によれば、レジスト
が塗布された基板が載置され、且つ回転可能な基
板載置台と該基板載置台の上方に設けられ、加熱
を必要とせずに前記レジストを溶かす有機溶媒を
滴下する手段を備え、該有機溶媒を前記基板上に
滴下し、前記基板載置台を高速回転させることに
よつて遠心力により前記レジストを除去するよう
にしたことを特徴としたレジスト処理装置を提供
することによつて達成される。
が塗布された基板が載置され、且つ回転可能な基
板載置台と該基板載置台の上方に設けられ、加熱
を必要とせずに前記レジストを溶かす有機溶媒を
滴下する手段を備え、該有機溶媒を前記基板上に
滴下し、前記基板載置台を高速回転させることに
よつて遠心力により前記レジストを除去するよう
にしたことを特徴としたレジスト処理装置を提供
することによつて達成される。
(6) 考案の実施例
以下、本考案の一実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
第1図、第2図において本実施例はモータに連
動する円柱状の回転軸2上面には、中央部に排気
孔1が設けられこれと連動する放射状の排気溝3
を備えた円板状のウエハ固定台4が水平に支持さ
れる構成を有し、前述ウエハ固定台4の上面で中
心を合わせるようにウエハ5がウエハ固定台4と
一体の回転軸2の排気孔1を介してウエハ固定台
4の排気溝3より真空を引くことで真空吸着固定
保持される構成をなし、前述ウエハの中心上方向
から溶媒が滴下するようにしたノズル6がウエハ
固定台4の中心線上に位置している構成となつて
いる。
動する円柱状の回転軸2上面には、中央部に排気
孔1が設けられこれと連動する放射状の排気溝3
を備えた円板状のウエハ固定台4が水平に支持さ
れる構成を有し、前述ウエハ固定台4の上面で中
心を合わせるようにウエハ5がウエハ固定台4と
一体の回転軸2の排気孔1を介してウエハ固定台
4の排気溝3より真空を引くことで真空吸着固定
保持される構成をなし、前述ウエハの中心上方向
から溶媒が滴下するようにしたノズル6がウエハ
固定台4の中心線上に位置している構成となつて
いる。
前述のウエハ5の上面にノズル6より加熱を必
要としないアセトン等の有機溶媒を例えば50乃至
60c.c.ウエハ5面のレジスト7上に滴下する。
要としないアセトン等の有機溶媒を例えば50乃至
60c.c.ウエハ5面のレジスト7上に滴下する。
次に回転軸2を例えば5000乃至7000rpm位の高
速度で回転させればウエハ5も回転してレジスト
7及び溶媒が遠心力によつて外周方向へ離散され
る。
速度で回転させればウエハ5も回転してレジスト
7及び溶媒が遠心力によつて外周方向へ離散され
る。
また、ウエハ5を回転させながら加熱を必要と
しないアセトン等の有機溶媒を滴下しても同じ効
果が得られる。
しないアセトン等の有機溶媒を滴下しても同じ効
果が得られる。
次に、第3図に示すように、真空吸収されてい
るウエハ5の中心と外周の中間の上方向に設けら
れた放水管8からウエハ5上に純水が放出され、
ウエハ台4を低速回転しながらウエハ5を水洗い
し、次に高速回転で水分をウエハ5面から振り切
る。従つてウエハ5面は洗浄される。
るウエハ5の中心と外周の中間の上方向に設けら
れた放水管8からウエハ5上に純水が放出され、
ウエハ台4を低速回転しながらウエハ5を水洗い
し、次に高速回転で水分をウエハ5面から振り切
る。従つてウエハ5面は洗浄される。
次に前述のウエハ5をベーク炉に入れて残留水
を乾燥させることで再処理に必要な工程が終える
ことになる。
を乾燥させることで再処理に必要な工程が終える
ことになる。
(7) 考案の効果
以上の説明により、本考案は1枚または数枚の
ウエハまたはフオトマスク基板のレジスト剥離を
行なう場合は、数十枚のウエハのレジスト剥離を
行なうバツチ処理と比較して溶媒が極少量で済む
ため経済的であり、処理時間が少なくて済むので
作業効率が良い。
ウエハまたはフオトマスク基板のレジスト剥離を
行なう場合は、数十枚のウエハのレジスト剥離を
行なうバツチ処理と比較して溶媒が極少量で済む
ため経済的であり、処理時間が少なくて済むので
作業効率が良い。
第1図は本考案のレジスト処理装置の一実施例
の側面図、第2図は前記実施例の要部の平面図、
第3図は第1図の実施例におけるウエハ洗浄工程
を説明する側面図である。 2……回転軸、4……ウエハ台、5……ウエ
ハ、6……ノズル、7……レジスト、8……放水
管。
の側面図、第2図は前記実施例の要部の平面図、
第3図は第1図の実施例におけるウエハ洗浄工程
を説明する側面図である。 2……回転軸、4……ウエハ台、5……ウエ
ハ、6……ノズル、7……レジスト、8……放水
管。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) レジストの塗布された基板を載置する、回転
可能な基板載置台と、 該基板載置台の上方に設けられ、加熱を必要
とせずに前記レジストを溶かす有機溶媒を滴下
する溶媒滴下手段と、 該溶媒滴下手段によつて前記有機溶媒を前記
基板上に滴下させた後、前記基板載置台を高速
回転させることによつて前記レジストを遠心力
により外周方向へ離散させて除去する手段とを
備えたことを特徴とするレジスト処理装置。 (2) 前記基板載置台上方にはウエハを洗浄するた
めに放水する手段を設けてなることを特徴とす
る実用新案登録請求の範囲第1項記載のレジス
ト処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19991782U JPS59104533U (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | レジスト処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19991782U JPS59104533U (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | レジスト処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59104533U JPS59104533U (ja) | 1984-07-13 |
JPH0356041Y2 true JPH0356041Y2 (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=30425442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19991782U Granted JPS59104533U (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | レジスト処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59104533U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2743274B2 (ja) * | 1988-07-01 | 1998-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板搬送装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54103034A (en) * | 1978-01-30 | 1979-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Automatic developer |
JPS5596944A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55154548U (ja) * | 1979-04-23 | 1980-11-07 |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP19991782U patent/JPS59104533U/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54103034A (en) * | 1978-01-30 | 1979-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Automatic developer |
JPS5596944A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59104533U (ja) | 1984-07-13 |
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