JPH11131283A - 赤外線リモートコントロール受光ユニット及びその製造方法 - Google Patents
赤外線リモートコントロール受光ユニット及びその製造方法Info
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- JPH11131283A JPH11131283A JP9309586A JP30958697A JPH11131283A JP H11131283 A JPH11131283 A JP H11131283A JP 9309586 A JP9309586 A JP 9309586A JP 30958697 A JP30958697 A JP 30958697A JP H11131283 A JPH11131283 A JP H11131283A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シールドケースにより放熱効率が悪い、また
コストアップになる。 【解決手段】 回路基板面２にフォトダイオード、集積
回路、コンデンサ及び抵抗等の電子部品を実装し、前記
電子部品の上面を透光性の封止樹脂７（エポキシ樹脂）
で封止したモジュール本体を、受光ユニットの受光窓２
３ａ及び回路基板２のグランド用スルーホール電極以外
のスルーホール電極を除く、封止樹脂７の全表面にＮｉ
メッキ層２１を形成する。エポキシ樹脂表面に形成した
Ｎｉメッキ層２１のＧＮＤへの接地は、取り付け基板側
（マザーボード）のＧＮＤ電極９でＮｉメッキされたグ
ランド用スルーホール電極の一部を半田１０で半田付け
して処理する。シールドケースを使用しないので、部材
費での製品のコストダウン、組立工数、検査工数等での
製品のコストダウン、Ｎｉメッキ層２１によるシールド
対策、放熱効果アップでの信頼性の向上、小型、薄型化
が可能となる。
コストアップになる。 【解決手段】 回路基板面２にフォトダイオード、集積
回路、コンデンサ及び抵抗等の電子部品を実装し、前記
電子部品の上面を透光性の封止樹脂７（エポキシ樹脂）
で封止したモジュール本体を、受光ユニットの受光窓２
３ａ及び回路基板２のグランド用スルーホール電極以外
のスルーホール電極を除く、封止樹脂７の全表面にＮｉ
メッキ層２１を形成する。エポキシ樹脂表面に形成した
Ｎｉメッキ層２１のＧＮＤへの接地は、取り付け基板側
（マザーボード）のＧＮＤ電極９でＮｉメッキされたグ
ランド用スルーホール電極の一部を半田１０で半田付け
して処理する。シールドケースを使用しないので、部材
費での製品のコストダウン、組立工数、検査工数等での
製品のコストダウン、Ｎｉメッキ層２１によるシールド
対策、放熱効果アップでの信頼性の向上、小型、薄型化
が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＶ、ＶＴＲ、オ
ーディオ機器、エアコン、カーステレオ、カメラ等の民
生機器に使用される赤外線リモートコントロール受光ユ
ニット及びその製造方法に関する。
ーディオ機器、エアコン、カーステレオ、カメラ等の民
生機器に使用される赤外線リモートコントロール受光ユ
ニット及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信機能を搭載したＴＶ、ＶＴ
Ｒ、オーディオ機器、エアコン、カーステレオ、カメラ
等の民生機器に使用される赤外線リモートコントロール
受光ユニット等の民生機器の小型、薄型化、信頼性の向
上及びコストダウン等がより強く要求されている。従来
の一般的な赤外線リモートコントロール受光ユニットの
構造について、図１５でその概要を説明する。図１５
は、赤外線リモートコントロール受光ユニットの外観を
示す斜視図である。
Ｒ、オーディオ機器、エアコン、カーステレオ、カメラ
等の民生機器に使用される赤外線リモートコントロール
受光ユニット等の民生機器の小型、薄型化、信頼性の向
上及びコストダウン等がより強く要求されている。従来
の一般的な赤外線リモートコントロール受光ユニットの
構造について、図１５でその概要を説明する。図１５
は、赤外線リモートコントロール受光ユニットの外観を
示す斜視図である。
【０００３】図１５において、１は、赤外線リモートコ
ントロール受光ユニットである。２はガラスエボキシ、
ＢＴレジン等の耐熱性及び絶縁性を有する回路基板であ
り、表面には図示しない電極パターンが形成されてい
る。
ントロール受光ユニットである。２はガラスエボキシ、
ＢＴレジン等の耐熱性及び絶縁性を有する回路基板であ
り、表面には図示しない電極パターンが形成されてい
る。
【０００４】図示しない受光素子であるフォトダイオー
ドが回路基板２上面側に形成された電極パターンにダイ
ボンド及びワイヤーボンド実装されている。フォトダイ
オードは電極パターン上に、導電性接着剤として銀ペー
スト等のダイボンドペーストで電気的に接続されてい
る。前記回路基板２上には、前記フォトダイオード以外
に、図示しない集積回路、コンデンサ、抵抗等の電子部
品が搭載されている。
ドが回路基板２上面側に形成された電極パターンにダイ
ボンド及びワイヤーボンド実装されている。フォトダイ
オードは電極パターン上に、導電性接着剤として銀ペー
スト等のダイボンドペーストで電気的に接続されてい
る。前記回路基板２上には、前記フォトダイオード以外
に、図示しない集積回路、コンデンサ、抵抗等の電子部
品が搭載されている。
【０００５】図１５において、７は、可視光線カット剤
入りエポキシ系樹脂等の透光性の封止樹脂で、フォトダ
イオード等の電子部品を覆っている。
入りエポキシ系樹脂等の透光性の封止樹脂で、フォトダ
イオード等の電子部品を覆っている。
【０００６】８は、略箱型形状をした薄板、例えば、略
０．１５ｍｍの厚さのステンレス、アルミ、銅、鉄等の
金属製のシールドケースである。シールドケース８は、
前記赤外線リモートコントロール受光ユニット１の受光
部１ａの位置に受光窓８ａを有し、モジュール本体を覆
っている。前記シールドケース８は、回路部を囲ってい
るので、電磁シールド対策を採ることができ、外部から
のノイズなどによる影響を防止するのに極めて有効であ
る。従って、前記受光部１ａ及びプリント配線基板等の
マザーボードに実装される以外の面は、前記シールドケ
ース８でカバーされている。９は、マザーボードのＧＮ
Ｄ電極であり、赤外線リモートコントロール受光ユニッ
ト１はこのＧＮＤ電極に半田１０にて半田付けされてい
る。
０．１５ｍｍの厚さのステンレス、アルミ、銅、鉄等の
金属製のシールドケースである。シールドケース８は、
前記赤外線リモートコントロール受光ユニット１の受光
部１ａの位置に受光窓８ａを有し、モジュール本体を覆
っている。前記シールドケース８は、回路部を囲ってい
るので、電磁シールド対策を採ることができ、外部から
のノイズなどによる影響を防止するのに極めて有効であ
る。従って、前記受光部１ａ及びプリント配線基板等の
マザーボードに実装される以外の面は、前記シールドケ
ース８でカバーされている。９は、マザーボードのＧＮ
Ｄ電極であり、赤外線リモートコントロール受光ユニッ
ト１はこのＧＮＤ電極に半田１０にて半田付けされてい
る。
【０００７】前記赤外線リモートコントロール受光ユニ
ット１の製造方法の概略について説明する。図８〜図１
５は、従来の赤外線リモートコントロール受光ユニット
の製造方法を示す。図８は、集合回路基板にスルーホー
ル加工工程と電極パターン形成工程、図９は、コンデン
サ及び抵抗を実装する電極パターン上に銀ペースト印
刷、マウント、リフロー工程、図１０は、フォトダイオ
ード及び集積回路を実装する電極パターン上に銀ペース
ト印刷、ダイボンド、キュアー工程、図１１は、ワイヤ
ーボンド工程、図１２は、樹脂封止工程、図１３は、ダ
イシング工程、図１４は、赤外線リモートコントロール
受光ユニットの半完成品単体にするチップバラシ工程、
図１５は、図１４の半完成品をシールドケースに組み込
んで赤外線リモートコントロール受光ユニットの完成品
にするためのシールドケース組み込み工程を示す、それ
ぞれの斜視図である。
ット１の製造方法の概略について説明する。図８〜図１
５は、従来の赤外線リモートコントロール受光ユニット
の製造方法を示す。図８は、集合回路基板にスルーホー
ル加工工程と電極パターン形成工程、図９は、コンデン
サ及び抵抗を実装する電極パターン上に銀ペースト印
刷、マウント、リフロー工程、図１０は、フォトダイオ
ード及び集積回路を実装する電極パターン上に銀ペース
ト印刷、ダイボンド、キュアー工程、図１１は、ワイヤ
ーボンド工程、図１２は、樹脂封止工程、図１３は、ダ
イシング工程、図１４は、赤外線リモートコントロール
受光ユニットの半完成品単体にするチップバラシ工程、
図１５は、図１４の半完成品をシールドケースに組み込
んで赤外線リモートコントロール受光ユニットの完成品
にするためのシールドケース組み込み工程を示す、それ
ぞれの斜視図である。
【０００８】図８において、スルーホール加工工程は、
ガラスエポキシ樹脂よりなる多数個取りする集合回路基
板２Ａの各列毎に、上下面導電パターン接続用の複数個
のスルーホール１１をＮＣ切削等の加工手段により穴明
けする。
ガラスエポキシ樹脂よりなる多数個取りする集合回路基
板２Ａの各列毎に、上下面導電パターン接続用の複数個
のスルーホール１１をＮＣ切削等の加工手段により穴明
けする。
【０００９】次に、メッキ工程において、前記スルーホ
ール１１の壁面を含む集合回路基板２Ａの全表面を洗浄
した後、集合回路基板２Ａの全表面に無電解メッキによ
り銅メッキ層を形成し、その上に電解メッキによりニッ
ケルメッキ層を形成し、更に、その上に電解メッキによ
り金メッキ層を形成する。
ール１１の壁面を含む集合回路基板２Ａの全表面を洗浄
した後、集合回路基板２Ａの全表面に無電解メッキによ
り銅メッキ層を形成し、その上に電解メッキによりニッ
ケルメッキ層を形成し、更に、その上に電解メッキによ
り金メッキ層を形成する。
【００１０】更に、電極パターン形成工程は、エッチン
グ工程で、メッキレジストをラミネートし、露光現像し
てパターンマスクを形成し、前記集合回路基板２Ａの上
面に電子部品実装用電極パターン２ａ、２ｂ、２ｃ及び
２ｄと、上面及び下面の導電パターンと接続するスルー
ホール電極１１ａを形成する。
グ工程で、メッキレジストをラミネートし、露光現像し
てパターンマスクを形成し、前記集合回路基板２Ａの上
面に電子部品実装用電極パターン２ａ、２ｂ、２ｃ及び
２ｄと、上面及び下面の導電パターンと接続するスルー
ホール電極１１ａを形成する。
【００１１】図９において、コンデンサ及び抵抗を固着
するマウント及びリフロー工程は、前記回路基板２Ａ上
に形成された電極パターン２ｃ及び２ｄ上に、導電性接
着剤である銀ペースト３を印刷等で塗布し、コンデンサ
４及び抵抗５を銀ペースト３上にマウントし、リフロー
する。
するマウント及びリフロー工程は、前記回路基板２Ａ上
に形成された電極パターン２ｃ及び２ｄ上に、導電性接
着剤である銀ペースト３を印刷等で塗布し、コンデンサ
４及び抵抗５を銀ペースト３上にマウントし、リフロー
する。
【００１２】図１０において、フォトダイオード６及び
集積回路１２を固着するダイボンド及びキュアー工程
は、前記回路基板２Ａ上に形成された電極パターン２ａ
及び２ｂ上に、導電性接着剤である銀ペースト３を印刷
等で塗布し、フォトダイオード６及び集積回路１２に傷
が付かない程度に軽く加圧しながら銀ペースト３上に搭
載し、その後キュアー炉に入れて、所定の温度で所定の
時間保持して、銀ペースト３が硬化することにより、集
合回路基板２Ａ上に固着し一体化される。
集積回路１２を固着するダイボンド及びキュアー工程
は、前記回路基板２Ａ上に形成された電極パターン２ａ
及び２ｂ上に、導電性接着剤である銀ペースト３を印刷
等で塗布し、フォトダイオード６及び集積回路１２に傷
が付かない程度に軽く加圧しながら銀ペースト３上に搭
載し、その後キュアー炉に入れて、所定の温度で所定の
時間保持して、銀ペースト３が硬化することにより、集
合回路基板２Ａ上に固着し一体化される。
【００１３】図１１において、ワイヤーボンド工程は、
前記集合回路基板２Ａ上に固着された前記フォトダイオ
ード６及び集積回路１２を金線等よりなるボンディング
ワイヤー１３により集合回路基板２Ａ上のパターンにワ
イヤーボンド接続する。
前記集合回路基板２Ａ上に固着された前記フォトダイオ
ード６及び集積回路１２を金線等よりなるボンディング
ワイヤー１３により集合回路基板２Ａ上のパターンにワ
イヤーボンド接続する。
【００１４】図１２において、樹脂封止工程は、前記コ
ンデンサ４、抵抗５、フォトダイオード６及び集積回路
１２の上面を覆うように、集合回路基板２Ａの上面側を
透光性のエポキシ樹脂よりなる封止樹脂７を充填して、
成形、キュアーする。以上により、赤外線リモートコン
トロール受光ユニット集合体１Ａが形成される。
ンデンサ４、抵抗５、フォトダイオード６及び集積回路
１２の上面を覆うように、集合回路基板２Ａの上面側を
透光性のエポキシ樹脂よりなる封止樹脂７を充填して、
成形、キュアーする。以上により、赤外線リモートコン
トロール受光ユニット集合体１Ａが形成される。
【００１５】図１３において、ダイシング工程は、前記
赤外線リモートコントロール受光ユニット集合体１Ａ
を、直交する２つのカットラインに沿って、ダイシング
又はスライシングマシン等で切断して単体の赤外線リモ
ートコントロール受光ユニット半完成品１Ｂに分割す
る。前記カットラインのうち、Ｘ方向のカットライン１
４は、前記各列間に形成された複数の図示しないスルー
ホール（１１）の中心を通るラインであり、このライン
に直交するＹ方向のカットライン１５は、前記電子部品
の一組を含むラインである。前記Ｘ方向のカットライン
１４の列上には、半円形状の図示しないスルーホール電
極（１１ａ）が形成されている。
赤外線リモートコントロール受光ユニット集合体１Ａ
を、直交する２つのカットラインに沿って、ダイシング
又はスライシングマシン等で切断して単体の赤外線リモ
ートコントロール受光ユニット半完成品１Ｂに分割す
る。前記カットラインのうち、Ｘ方向のカットライン１
４は、前記各列間に形成された複数の図示しないスルー
ホール（１１）の中心を通るラインであり、このライン
に直交するＹ方向のカットライン１５は、前記電子部品
の一組を含むラインである。前記Ｘ方向のカットライン
１４の列上には、半円形状の図示しないスルーホール電
極（１１ａ）が形成されている。
【００１６】チップバラシ工程は、図１４に示すよう
に，前記ダイシング工程で分割され単体にばらされて、
赤外線リモートコントロール受光ユニット半完成品１Ｂ
になる。前述したように、図１５は、シールドケース組
み込み工程で、赤外線リモートコントロール受光ユニッ
ト半完成品１Ｂを、略箱型形状をし、受光ユニットの受
光部１ａに対応する位置に受光窓８ａを有する、薄板の
ステンレス、アルミ、銅、鉄等の金属製のシールドケー
ス８で覆うことにより、赤外線リモートコントロール受
光ユニット１が完成される。
に，前記ダイシング工程で分割され単体にばらされて、
赤外線リモートコントロール受光ユニット半完成品１Ｂ
になる。前述したように、図１５は、シールドケース組
み込み工程で、赤外線リモートコントロール受光ユニッ
ト半完成品１Ｂを、略箱型形状をし、受光ユニットの受
光部１ａに対応する位置に受光窓８ａを有する、薄板の
ステンレス、アルミ、銅、鉄等の金属製のシールドケー
ス８で覆うことにより、赤外線リモートコントロール受
光ユニット１が完成される。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た赤外線リモートコントロール受光ユニット及びその製
造方法には次のような問題点がある。即ち、赤外線リモ
ートコントロール受光ユニットにおいて、使用中におけ
る電子部品から発生する熱の放熱及び外部からのノイズ
対策をシールドケースを用いて行っているため、先ず、
薄板の金属製のシールドケース（部品代）が必要とな
る。また、シールドケースを作るための金型（金型代）
が必要となる。更に、シールドケースに製品を組み込む
作業（工数）が必要となる。また、組み込み後の組み込
み高さ検査（工数）も必要となる。また、組み込まれた
製品とシールドケースの間（特に上面方向）に隙間（空
気層）があるため、空気層に熱がこもってしまい、放熱
が十分でなく、電子部品の寿命劣化等を促進させる。こ
のため、シールドケースの使用により信頼性及び製品の
コストアップ、また、薄型化に不利になる等致命的な問
題があった。
た赤外線リモートコントロール受光ユニット及びその製
造方法には次のような問題点がある。即ち、赤外線リモ
ートコントロール受光ユニットにおいて、使用中におけ
る電子部品から発生する熱の放熱及び外部からのノイズ
対策をシールドケースを用いて行っているため、先ず、
薄板の金属製のシールドケース（部品代）が必要とな
る。また、シールドケースを作るための金型（金型代）
が必要となる。更に、シールドケースに製品を組み込む
作業（工数）が必要となる。また、組み込み後の組み込
み高さ検査（工数）も必要となる。また、組み込まれた
製品とシールドケースの間（特に上面方向）に隙間（空
気層）があるため、空気層に熱がこもってしまい、放熱
が十分でなく、電子部品の寿命劣化等を促進させる。こ
のため、シールドケースの使用により信頼性及び製品の
コストアップ、また、薄型化に不利になる等致命的な問
題があった。
【００１８】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、従来の金属製のシールドケース
を使わずに、その代わりとてエボキシ樹脂よりなる封止
樹脂の表面にＮｉメッキ層を形成した簡単な構成で、Ｎ
ｉメッキ層でシールド対策及び放熱効率をアップさせ
る。即ち、電子部品から発生する熱を放熱させることが
できると同時に、外部からのノイズ対策に対応すること
ができる。安価で、超小型、薄型で信頼性に優れた赤外
線リモートコントロール受光ユニットを提供するもので
ある。
のであり、その目的は、従来の金属製のシールドケース
を使わずに、その代わりとてエボキシ樹脂よりなる封止
樹脂の表面にＮｉメッキ層を形成した簡単な構成で、Ｎ
ｉメッキ層でシールド対策及び放熱効率をアップさせ
る。即ち、電子部品から発生する熱を放熱させることが
できると同時に、外部からのノイズ対策に対応すること
ができる。安価で、超小型、薄型で信頼性に優れた赤外
線リモートコントロール受光ユニットを提供するもので
ある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における赤外線リモートコントロール受光ユ
ニットは、平面が略長方形形状のガラスエポキシ樹脂よ
りなる回路基板面にスルーホール電極及び電極パターン
を形成し、前記電極パターンに受光素子及び集積回路、
コンデンサ、抵抗等の電子部品を実装し、前記電子部品
の上面を覆うように透光性エポキシ樹脂よりなる封止樹
脂で封止したモジュール本体を、受光窓を有するシール
ド部材でシールドした赤外線リモートコントロール受光
ユニットにおいて、前記受光窓を除く封止樹脂の表面に
Ｎｉメッキを施し、Ｎｉメッキ層でシールド部材を形成
したことを特徴とするものである。
に、本発明における赤外線リモートコントロール受光ユ
ニットは、平面が略長方形形状のガラスエポキシ樹脂よ
りなる回路基板面にスルーホール電極及び電極パターン
を形成し、前記電極パターンに受光素子及び集積回路、
コンデンサ、抵抗等の電子部品を実装し、前記電子部品
の上面を覆うように透光性エポキシ樹脂よりなる封止樹
脂で封止したモジュール本体を、受光窓を有するシール
ド部材でシールドした赤外線リモートコントロール受光
ユニットにおいて、前記受光窓を除く封止樹脂の表面に
Ｎｉメッキを施し、Ｎｉメッキ層でシールド部材を形成
したことを特徴とするものである。
【００２０】また、前記受光窓及び回路基板のグランド
用スルーホール電極以外のスルーホール電極を除く封止
樹脂の表面にＮｉメッキを施し、Ｎｉメッキ層でシール
ド部材を形成し、前記シールド部材とグランド用スルー
ホール電極とを前記Ｎｉメッキ層で電気的に接続したこ
とを特徴とするものである。
用スルーホール電極以外のスルーホール電極を除く封止
樹脂の表面にＮｉメッキを施し、Ｎｉメッキ層でシール
ド部材を形成し、前記シールド部材とグランド用スルー
ホール電極とを前記Ｎｉメッキ層で電気的に接続したこ
とを特徴とするものである。
【００２１】また、ガラスエポキシ樹脂よりなる多数個
取りする集合回路基板の各列毎に、上下面導電パターン
接続用の複数個のスルーホールを穴明けするスルーホー
ル加工工程と、前記スルーホールの各列間の所定位置に
メッキ処理により前記スルーホール内面を含む集合回路
基板の全面にメッキ層を形成するメッキ工程と、メッキ
レジストをラミネートし、露光現像後パターンマスクを
形成し、パターンエッチングを行い、集合回路基板の上
面に電子部品実装用電極パターンと、前記スルーホール
にスルーホール電極を形成する電極パターン形成工程
と、前記集合回路基板の上面に受光素子、集積回路、コ
ンデンサ、抵抗等の電子部品を導電性接着剤で固着し、
電気的接続として実装する実装工程と、前記電子部品の
上面を覆うように透光性エポキシ樹脂よりなる封止樹脂
で封止する樹脂封止工程と、直交するカットラインに沿
って切断するハーフダイシング工程と、前記封止樹脂の
上面に受光窓のみ露出するマスク型等のマスク部材及
び、集合回路基板の裏面のグランド用スルーホール電極
以外のスルーホール電極部をマスキングテープ等のマス
ク部材でマスクするマスキング工程と、前記封止樹脂の
表面でマスキングにより露出した受光窓の表面にレジス
ト液を塗布又は吹き付け、キュアーすることにより、開
口した受光窓部にレジスト膜を形成するレジスト塗布工
程と、前記封止樹脂の上面を覆ったマスク型等のマスク
部材を取り外した後、Ｎｉメッキによりエポキシ樹脂よ
りなる封止樹脂の表面にＮｉメッキ層を形成するＮｉメ
ッキ工程と、前記レジスト膜及びマスキングテープ等の
マスク部材の除去工程と、前記ハーフダイシングで残し
た集合回路基板を切断して赤外線リモートコントロール
受光ユニットの単体に分割するフルダイシング工程とよ
りなることを特徴とするものである。
取りする集合回路基板の各列毎に、上下面導電パターン
接続用の複数個のスルーホールを穴明けするスルーホー
ル加工工程と、前記スルーホールの各列間の所定位置に
メッキ処理により前記スルーホール内面を含む集合回路
基板の全面にメッキ層を形成するメッキ工程と、メッキ
レジストをラミネートし、露光現像後パターンマスクを
形成し、パターンエッチングを行い、集合回路基板の上
面に電子部品実装用電極パターンと、前記スルーホール
にスルーホール電極を形成する電極パターン形成工程
と、前記集合回路基板の上面に受光素子、集積回路、コ
ンデンサ、抵抗等の電子部品を導電性接着剤で固着し、
電気的接続として実装する実装工程と、前記電子部品の
上面を覆うように透光性エポキシ樹脂よりなる封止樹脂
で封止する樹脂封止工程と、直交するカットラインに沿
って切断するハーフダイシング工程と、前記封止樹脂の
上面に受光窓のみ露出するマスク型等のマスク部材及
び、集合回路基板の裏面のグランド用スルーホール電極
以外のスルーホール電極部をマスキングテープ等のマス
ク部材でマスクするマスキング工程と、前記封止樹脂の
表面でマスキングにより露出した受光窓の表面にレジス
ト液を塗布又は吹き付け、キュアーすることにより、開
口した受光窓部にレジスト膜を形成するレジスト塗布工
程と、前記封止樹脂の上面を覆ったマスク型等のマスク
部材を取り外した後、Ｎｉメッキによりエポキシ樹脂よ
りなる封止樹脂の表面にＮｉメッキ層を形成するＮｉメ
ッキ工程と、前記レジスト膜及びマスキングテープ等の
マスク部材の除去工程と、前記ハーフダイシングで残し
た集合回路基板を切断して赤外線リモートコントロール
受光ユニットの単体に分割するフルダイシング工程とよ
りなることを特徴とするものである。
【００２２】また、前記ハーフダイシング工程は、直交
する２つのカットラインに沿って封止樹脂のみ切断する
ことを特徴とするものである。
する２つのカットラインに沿って封止樹脂のみ切断する
ことを特徴とするものである。
【００２３】また、前記ハーフダイシング工程は、直交
するカットラインの中で、一方のカットラインに沿って
グランド用スルーホール電極以外のスルーホール電極上
と、他方のカットラインに沿ってダイシングする切削深
さは、封止樹脂のみを切断するハーフダイシングであ
り、前記グランド用スルーホール電極上のカットライン
に沿ってダイシングする切削深さは、前記封止樹脂と、
更に、基板のスルーホール電極内に達することを特徴と
するものである。
するカットラインの中で、一方のカットラインに沿って
グランド用スルーホール電極以外のスルーホール電極上
と、他方のカットラインに沿ってダイシングする切削深
さは、封止樹脂のみを切断するハーフダイシングであ
り、前記グランド用スルーホール電極上のカットライン
に沿ってダイシングする切削深さは、前記封止樹脂と、
更に、基板のスルーホール電極内に達することを特徴と
するものである。
【００２４】また、前記ハーフダイシング工程は、直交
するカットラインの中で、前記一方のスルーホール電極
上をダイシングする切削深さは、前記封止樹脂のみのダ
イシングと、封止樹脂の全切断に加えて基板のスルーホ
ール電極に達するダイシングとを交互に行うことを特徴
とするものである。
するカットラインの中で、前記一方のスルーホール電極
上をダイシングする切削深さは、前記封止樹脂のみのダ
イシングと、封止樹脂の全切断に加えて基板のスルーホ
ール電極に達するダイシングとを交互に行うことを特徴
とするものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明にお
ける赤外線リモートコントロール受光ユニットについて
説明する。図１〜図７は、本発明の実施の形態に係わる
赤外線リモートコントロール受光ユニット及びその製造
方法を説明するそれぞれの斜視図である。図において、
従来技術と同一部材は同一符号で示す。
ける赤外線リモートコントロール受光ユニットについて
説明する。図１〜図７は、本発明の実施の形態に係わる
赤外線リモートコントロール受光ユニット及びその製造
方法を説明するそれぞれの斜視図である。図において、
従来技術と同一部材は同一符号で示す。
【００２６】図１において、２０は、赤外線リモートコ
ントロール受光ユニットである。２は、従来と同様に、
平面が略長方形形状のガラスエポキシ樹脂よりなる回路
基板で、表面には図示しない電極パターン及びスルーホ
ール電極が形成さている。フォトダイオード、集積回
路、コンデンサ及び抵抗等の電子部品が回路基板２の上
面側に形成さた電極パターンに銀ペースト等の導電性接
着剤により固着され、フォトダイオード及び集積回路は
金線等のボンディングワイヤーによりワイヤーボンド実
装されている。
ントロール受光ユニットである。２は、従来と同様に、
平面が略長方形形状のガラスエポキシ樹脂よりなる回路
基板で、表面には図示しない電極パターン及びスルーホ
ール電極が形成さている。フォトダイオード、集積回
路、コンデンサ及び抵抗等の電子部品が回路基板２の上
面側に形成さた電極パターンに銀ペースト等の導電性接
着剤により固着され、フォトダイオード及び集積回路は
金線等のボンディングワイヤーによりワイヤーボンド実
装されている。
【００２７】また、従来と同様に、回路基板２の上面に
実装された電子部品は、その上面をエポキシ樹脂等の透
光性の封止樹脂７で封止されている。
実装された電子部品は、その上面をエポキシ樹脂等の透
光性の封止樹脂７で封止されている。
【００２８】２１は、赤外線リモートコントロール受光
ユニット２０の受光部２０ａ及びマザーボードへ接地す
るために、グランド用スルーホール電極以外のスルーホ
ール電極部を除く、封止樹脂７の表面に形成されたＮｉ
メッキ層である。前記Ｎｉメッキ層２１は、従来のシー
ルドケースの機能を有するもので、電磁シールド対策を
採ることができ、外部からのノイズなどによる影響を防
止するのに極めて有効である。更に、電子部品から発生
する熱を放熱するのに、従来のシールドケースと異な
り、回路基板２及び封止樹脂７は露出しているので空気
層が介在することもなく放熱効率は極めて良好である。
９は、マザーボードのＧＮＤ電極で、赤外線リモートコ
ントロール受光ユニット２０はこのＧＮＤ電極に半田１
０にて半田付けされている。
ユニット２０の受光部２０ａ及びマザーボードへ接地す
るために、グランド用スルーホール電極以外のスルーホ
ール電極部を除く、封止樹脂７の表面に形成されたＮｉ
メッキ層である。前記Ｎｉメッキ層２１は、従来のシー
ルドケースの機能を有するもので、電磁シールド対策を
採ることができ、外部からのノイズなどによる影響を防
止するのに極めて有効である。更に、電子部品から発生
する熱を放熱するのに、従来のシールドケースと異な
り、回路基板２及び封止樹脂７は露出しているので空気
層が介在することもなく放熱効率は極めて良好である。
９は、マザーボードのＧＮＤ電極で、赤外線リモートコ
ントロール受光ユニット２０はこのＧＮＤ電極に半田１
０にて半田付けされている。
【００２９】前記赤外線リモートコントロール受光ユニ
ット２０の製造方法の概略について説明する。図２〜図
７は、本発明の赤外線リモートコントロール受光ユニッ
トの製造方法を示す。図２（ａ）は、ハーフダイシング
工程を示す斜視図、図２（ｂ）は、Ｘ方向のカットライ
ンで、図２（ａ）の二点鎖線Ａの円で囲むハーフダイシ
ングを示す断面図、図２（ｃ）は、図２（ａ）の二点鎖
線Ｂの円で囲むハーフダイシングを示す断面図。図３
は、マスキング工程、図４は、レジスト塗布工程、図５
は、Ｎｉメッキ工程、図６は、マスク部材の剥離工程、
図７は、回路基板を切断するフルダイシング工程で単体
に分割された赤外線リモートコントロール受光ユニット
を示すもので、それぞれの斜視図である。
ット２０の製造方法の概略について説明する。図２〜図
７は、本発明の赤外線リモートコントロール受光ユニッ
トの製造方法を示す。図２（ａ）は、ハーフダイシング
工程を示す斜視図、図２（ｂ）は、Ｘ方向のカットライ
ンで、図２（ａ）の二点鎖線Ａの円で囲むハーフダイシ
ングを示す断面図、図２（ｃ）は、図２（ａ）の二点鎖
線Ｂの円で囲むハーフダイシングを示す断面図。図３
は、マスキング工程、図４は、レジスト塗布工程、図５
は、Ｎｉメッキ工程、図６は、マスク部材の剥離工程、
図７は、回路基板を切断するフルダイシング工程で単体
に分割された赤外線リモートコントロール受光ユニット
を示すもので、それぞれの斜視図である。
【００３０】本発明の実施の形態に係わる赤外線リモー
トコントロール受光ユニットの製造方法において、ガラ
スエポキシ樹脂よりなる多数個取りする集合回路基板の
各列毎に、上下面導電パターン接続用の複数個のスルー
ホールを穴明けするスルーホール加工工程と、前記スル
ーホールの各列間の所定位置にメッキ処理により前記ス
ルーホール内面を含む集合回路基板の全面にメッキ層を
形成するメッキ工程と、メッキレジストをラミネート
し、露光現像後パターンマスクを形成し、パターンエッ
チングを行い、集合回路基板の上面に電子部品実装用電
極パターンと、前記スルーホールにスルーホール電極を
形成する電極パターン形成工程と、前記集合回路基板の
上面に形成された電極パターン上に、導電性接着剤であ
る銀ペーストを印刷等で塗布し、コンデンサ及び抵抗を
銀ペースト上にマウントしリフローする工程と、前記集
合回路基板上に形成された電極パターン上に、導電性接
着剤である銀ペーストを印刷等で塗布し、フォトダイオ
ード及び集積回路を銀ペースト上に搭載し、その後キュ
アー炉に入れて、所定の温度で所定の時間保持するダイ
ボンド及びワイヤーボンド実装する実装工程と、前記電
子部品の上面を覆うように透光性のエポキシ樹脂よりな
る封止樹脂で封止する樹脂封止工程は、前述した従来技
術と同様であるので、その説明は省略する。前記樹脂封
止工程迄で、赤外線リモートコントロール受光ユニット
集合体２０Ａが形成される。
トコントロール受光ユニットの製造方法において、ガラ
スエポキシ樹脂よりなる多数個取りする集合回路基板の
各列毎に、上下面導電パターン接続用の複数個のスルー
ホールを穴明けするスルーホール加工工程と、前記スル
ーホールの各列間の所定位置にメッキ処理により前記ス
ルーホール内面を含む集合回路基板の全面にメッキ層を
形成するメッキ工程と、メッキレジストをラミネート
し、露光現像後パターンマスクを形成し、パターンエッ
チングを行い、集合回路基板の上面に電子部品実装用電
極パターンと、前記スルーホールにスルーホール電極を
形成する電極パターン形成工程と、前記集合回路基板の
上面に形成された電極パターン上に、導電性接着剤であ
る銀ペーストを印刷等で塗布し、コンデンサ及び抵抗を
銀ペースト上にマウントしリフローする工程と、前記集
合回路基板上に形成された電極パターン上に、導電性接
着剤である銀ペーストを印刷等で塗布し、フォトダイオ
ード及び集積回路を銀ペースト上に搭載し、その後キュ
アー炉に入れて、所定の温度で所定の時間保持するダイ
ボンド及びワイヤーボンド実装する実装工程と、前記電
子部品の上面を覆うように透光性のエポキシ樹脂よりな
る封止樹脂で封止する樹脂封止工程は、前述した従来技
術と同様であるので、その説明は省略する。前記樹脂封
止工程迄で、赤外線リモートコントロール受光ユニット
集合体２０Ａが形成される。
【００３１】図２において、１４は、Ｘ方向のカットラ
インであり、前記各列間に形成された複数のスルーホー
ル１１の中心を通るラインである。このＸ方向のカット
ラインに直交するＹ方向のカットライン１５は、前記電
子部品の一組を含むカットラインである。前記赤外線リ
モートコントロール受光ユニット集合体２０Ａを、この
直交する２つのカットライン１４、１５に沿って、ダイ
シング又はスライシングマシン等でダイシングするが、
そのダイシングの深さは、Ｘ方向のカットライン１４の
中、グランド用スルーホール電極以外のスルーホール電
極１１ａ上及びＹ方向のカットライン１５をダイシング
する際、図２（ｂ）のように、集合回路基板２Ａは切断
することなく、集合回路基板２Ａの手前まで切り込み、
封止樹脂７の厚み分を切断するハーフダイシングである
が、隣接するＸ方向のカットライン１４でグランド用ス
ルーホール電極１１ａ上をダイシングする際は、そのダ
イシングの深さは、図２（ｃ）に示すように、封止樹脂
７の全ての切断に加えて集合回路基板２Ａのスルーホー
ル電極１１ａ内に達する迄切り込みを入れるハーフダイ
シングである。
インであり、前記各列間に形成された複数のスルーホー
ル１１の中心を通るラインである。このＸ方向のカット
ラインに直交するＹ方向のカットライン１５は、前記電
子部品の一組を含むカットラインである。前記赤外線リ
モートコントロール受光ユニット集合体２０Ａを、この
直交する２つのカットライン１４、１５に沿って、ダイ
シング又はスライシングマシン等でダイシングするが、
そのダイシングの深さは、Ｘ方向のカットライン１４の
中、グランド用スルーホール電極以外のスルーホール電
極１１ａ上及びＹ方向のカットライン１５をダイシング
する際、図２（ｂ）のように、集合回路基板２Ａは切断
することなく、集合回路基板２Ａの手前まで切り込み、
封止樹脂７の厚み分を切断するハーフダイシングである
が、隣接するＸ方向のカットライン１４でグランド用ス
ルーホール電極１１ａ上をダイシングする際は、そのダ
イシングの深さは、図２（ｃ）に示すように、封止樹脂
７の全ての切断に加えて集合回路基板２Ａのスルーホー
ル電極１１ａ内に達する迄切り込みを入れるハーフダイ
シングである。
【００３２】図３において、マスキング工程は、集合回
路基板２Ａの裏面のグランド用スルーホール電極以外の
スルーホール電極部１１ａをマスク部材として、例え
ば、マスキングテープ２２等でマスクする。また、赤外
線リモートコントロール受光ユニット２０の受光部２０
ａに対応する位置に受光窓２３ａを形成したマスク部材
として、例えば、マスク型２３で封止樹脂の表面をマス
クする。
路基板２Ａの裏面のグランド用スルーホール電極以外の
スルーホール電極部１１ａをマスク部材として、例え
ば、マスキングテープ２２等でマスクする。また、赤外
線リモートコントロール受光ユニット２０の受光部２０
ａに対応する位置に受光窓２３ａを形成したマスク部材
として、例えば、マスク型２３で封止樹脂の表面をマス
クする。
【００３３】図４において、レジスト塗布工程は、前記
マスキングされた赤外線リモートコントロール受光ユニ
ット集合体２０Ａに、レジスト液を塗り付けるか又は吹
き付け、キュアーすることにより、前記受光窓２３ａの
表面にレジスト膜２４が形成される。
マスキングされた赤外線リモートコントロール受光ユニ
ット集合体２０Ａに、レジスト液を塗り付けるか又は吹
き付け、キュアーすることにより、前記受光窓２３ａの
表面にレジスト膜２４が形成される。
【００３４】図５において、Ｎｉメッキ工程は、前記封
止樹脂７の表面をマスクしていたマスク型２３を除去し
た後、Ｎｉメッキを施す。Ｎｉメッキ層２１は、レジス
ト膜２４でマスクされた受光窓２３ａとグランド用スル
ーホール電極以外のスルーホール電極１１ａを除く封止
樹脂７の全面に形成される。前記Ｎｉメッキ層２１の厚
みとては、その目的がシールドであることより、薄くて
はシールドの効果が発揮されず、最低でも、例えば、
０．１ｍｍ以上の厚みを確保する必要がある。従って、
シールド用のＮｉメッキ層２１は厚メッキになる。尚、
前記Ｎｉメッキの際、集合回路基板２Ａの表面にもメッ
キ液は浸るが、基板の材質がガラス入りのエポキシ樹脂
のため、基板の表面にはＮｉメッキは付かない。
止樹脂７の表面をマスクしていたマスク型２３を除去し
た後、Ｎｉメッキを施す。Ｎｉメッキ層２１は、レジス
ト膜２４でマスクされた受光窓２３ａとグランド用スル
ーホール電極以外のスルーホール電極１１ａを除く封止
樹脂７の全面に形成される。前記Ｎｉメッキ層２１の厚
みとては、その目的がシールドであることより、薄くて
はシールドの効果が発揮されず、最低でも、例えば、
０．１ｍｍ以上の厚みを確保する必要がある。従って、
シールド用のＮｉメッキ層２１は厚メッキになる。尚、
前記Ｎｉメッキの際、集合回路基板２Ａの表面にもメッ
キ液は浸るが、基板の材質がガラス入りのエポキシ樹脂
のため、基板の表面にはＮｉメッキは付かない。
【００３５】図６において、剥離工程は、受光窓２３ａ
をマスクしていたレジスト膜２４を剥離した後、基板裏
面のグランド用スルーホール電極以外のスルーホール電
極１１ａをマスクしていたマスキングテープ２２を除去
する。
をマスクしていたレジスト膜２４を剥離した後、基板裏
面のグランド用スルーホール電極以外のスルーホール電
極１１ａをマスクしていたマスキングテープ２２を除去
する。
【００３６】図７において、フルダイシング工程は、前
記ハーフダイシング工程で残した集合回路基板２Ａを切
断して単体の赤外線リモートコントロール受光ユニット
２０が完成される。フルダイシング工程で、前記Ｘ方向
のカットライン１４の列上には、半円形状の図示しない
スルーホール電極（１１ａ）が形成される。
記ハーフダイシング工程で残した集合回路基板２Ａを切
断して単体の赤外線リモートコントロール受光ユニット
２０が完成される。フルダイシング工程で、前記Ｘ方向
のカットライン１４の列上には、半円形状の図示しない
スルーホール電極（１１ａ）が形成される。
【００３７】前述した図１は、全工程を終え完成した赤
外線リモートコントロール受光ユニット２０である。封
止樹脂７の表面に形成されたＮｉメッキ層２１が形成さ
れ、電磁シールド対策を採ることができ、外部からのノ
イズなどによる影響を防止するのに極めて有効である。
更に、実装された電子部品から発生する熱を放熱するの
に、封止樹脂７面から直接Ｎｉメッキ層２１へ、また回
路基板２から直接放熱することができるので、放熱効率
は極めて良好である。
外線リモートコントロール受光ユニット２０である。封
止樹脂７の表面に形成されたＮｉメッキ層２１が形成さ
れ、電磁シールド対策を採ることができ、外部からのノ
イズなどによる影響を防止するのに極めて有効である。
更に、実装された電子部品から発生する熱を放熱するの
に、封止樹脂７面から直接Ｎｉメッキ層２１へ、また回
路基板２から直接放熱することができるので、放熱効率
は極めて良好である。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の赤外線リ
モートコントロール受光ユニットは、受光窓及びグラン
ド用スルーホール電極以外のスルーホール電極部を除
く、封止樹脂の表面にＮｉメッキ層を形成することによ
り、このＮｉメッキ層が従来のシールドケースの機能を
有するもので、電磁シールド対策を採ることができ、外
部からのノイズなどによる影響を防止するのに極めて有
効である。更に、電子部品から発生する熱を放熱するの
に、従来は基板とシールドケースとの間に空気層が介在
していたが、封止樹脂面から直接Ｎｉメッキ層へ、また
回路基板から直接放熱し、放熱効果をアップすることが
できる。
モートコントロール受光ユニットは、受光窓及びグラン
ド用スルーホール電極以外のスルーホール電極部を除
く、封止樹脂の表面にＮｉメッキ層を形成することによ
り、このＮｉメッキ層が従来のシールドケースの機能を
有するもので、電磁シールド対策を採ることができ、外
部からのノイズなどによる影響を防止するのに極めて有
効である。更に、電子部品から発生する熱を放熱するの
に、従来は基板とシールドケースとの間に空気層が介在
していたが、封止樹脂面から直接Ｎｉメッキ層へ、また
回路基板から直接放熱し、放熱効果をアップすることが
できる。
【００３９】また、従来使用していたシールドケースは
不要となる。これに伴いシールドケースを作るための金
型が不要となり、シールドケースに製品を組み込む作業
が不要となる。更に、組み込み後の検査も不要となる。
不要となる。これに伴いシールドケースを作るための金
型が不要となり、シールドケースに製品を組み込む作業
が不要となる。更に、組み込み後の検査も不要となる。
【００４０】以上述べたように、部材費でのコストダウ
ン、組立工数、検査工数等での製品のコストダウン、多
数個取り生産による生産性のアップ、放熱効果がアップ
することによる信頼性の向上、シールドケースがなくな
るので、小型・薄型になる等の様々な実用効果を発揮す
る赤外線リモートコントロール受光ユニット及びその製
造方法を提供することができる。
ン、組立工数、検査工数等での製品のコストダウン、多
数個取り生産による生産性のアップ、放熱効果がアップ
することによる信頼性の向上、シールドケースがなくな
るので、小型・薄型になる等の様々な実用効果を発揮す
る赤外線リモートコントロール受光ユニット及びその製
造方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態に係わる赤外線リモートコ
ントロール受光ユニットの外観斜視図である。
ントロール受光ユニットの外観斜視図である。
【図２】図２（ａ）は、図１の赤外線リモートコントロ
ール受光ユニットの製造方法におけるハーフダイシング
工程を示す斜視図、図２（ｂ）は、図２（ａ）の二点鎖
線Ａの円で囲むスルーホール電極上を封止樹脂のみを切
断するハーフダイシングを示す断面図、図２（ｃ）は、
図２（ａ）の二点鎖線Ｂの円で囲むグランド用スルーホ
ール電極上を封止樹脂と、更に、基板のスルーホール電
極内に達するハーフダイシングを示す断面図である。
ール受光ユニットの製造方法におけるハーフダイシング
工程を示す斜視図、図２（ｂ）は、図２（ａ）の二点鎖
線Ａの円で囲むスルーホール電極上を封止樹脂のみを切
断するハーフダイシングを示す断面図、図２（ｃ）は、
図２（ａ）の二点鎖線Ｂの円で囲むグランド用スルーホ
ール電極上を封止樹脂と、更に、基板のスルーホール電
極内に達するハーフダイシングを示す断面図である。
【図３】図２にマスキングテープ及びマスク型を取り付
けるマスキング工程を示す斜視図である。
けるマスキング工程を示す斜視図である。
【図４】図３の受光窓にレジスト膜を形成するレジスト
液塗布工程を示す斜視図である。
液塗布工程を示す斜視図である。
【図５】図４の受光窓及びグランド用スルーホール電極
以外のスルーホール電極を除く封止樹脂の表面にＮｉメ
ッキ層を形成するＮｉメッキ工程を示す斜視図である。
以外のスルーホール電極を除く封止樹脂の表面にＮｉメ
ッキ層を形成するＮｉメッキ工程を示す斜視図である。
【図６】図５のマスキングテープの除去及びレジスト膜
の剥離工程を示す斜視図である。
の剥離工程を示す斜視図である。
【図７】図６の基板を切断するフルダイシング工程を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図８】従来と本発明に共通した集合回路基板にスルー
ホール加工及び電極パターン形成工程を示す斜視図であ
る。
ホール加工及び電極パターン形成工程を示す斜視図であ
る。
【図９】図８の集合回路基板の電極パターンに銀ペース
トを印刷し、コンデンサ及び抵抗を固着するマウント、
リフロー工程を示す斜視図である。
トを印刷し、コンデンサ及び抵抗を固着するマウント、
リフロー工程を示す斜視図である。
【図１０】図９の集合回路基板の電極パターンに銀ペー
ストを印刷し、フォトダイオード及び集積回路を固着す
るダイボンド、キュアー工程を示す斜視図である。
ストを印刷し、フォトダイオード及び集積回路を固着す
るダイボンド、キュアー工程を示す斜視図である。
【図１１】図１０のフォトダイオード及び集積回路をボ
ンディングワイヤーで接続するワイヤーボンド工程を示
す斜視図である。
ンディングワイヤーで接続するワイヤーボンド工程を示
す斜視図である。
【図１２】図１１の電子部品を封止する樹脂封止工程を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図１３】従来のダイシング工程を示す斜視図である。
【図１４】図１３で分割された赤外線リモートコントロ
ール受光ユニット半完成品を示す斜視図である。
ール受光ユニット半完成品を示す斜視図である。
【図１５】図１４の半完成品をシールドケースに組み込
んで完成された状態の赤外線リモートコントロール受光
ユニットの外観を示す斜視図である。
んで完成された状態の赤外線リモートコントロール受光
ユニットの外観を示す斜視図である。
【符号の説明】 ２ 回路基板 ２Ａ 集合回路基板 ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ 電子部品実装用電極パターン ３ 銀ペースト（導電性接着剤） ４ コンデンサ ５ 抵抗 ６ フォトダイオード ７ 封止樹脂 ９ マザーボードのＧＮＤ電極 １０ 半田 １１ スルーホール １１ａ スルーホール電極 １２ 集積回路 １３ ボンディングワイヤー １４ Ｘ方向カットライン １５ Ｙ方向カットライン ２０ 赤外線リモートコントロール受光ユニット ２０Ａ 赤外線リモートコントロール受光ユニット集合
体 ２０ａ 受光部 ２１ Ｎｉメッキ層 ２２ マスキングテープ ２３ マスク型 ２３ａ 受光窓 ２４ レジスト膜
体 ２０ａ 受光部 ２１ Ｎｉメッキ層 ２２ マスキングテープ ２３ マスク型 ２３ａ 受光窓 ２４ レジスト膜
Claims (6)
- 【請求項１】 平面が略長方形形状のガラスエポキシ樹
脂よりなる回路基板面にスルーホール電極及び電極パタ
ーンを形成し、前記電極パターンに受光素子及び集積回
路、コンデンサ、抵抗等の電子部品を実装し、前記電子
部品の上面を覆うように透光性エポキシ樹脂よりなる封
止樹脂で封止したモジュール本体を、受光窓を有するシ
ールド部材でシールドした赤外線リモートコントロール
受光ユニットにおいて、前記受光窓を除く封止樹脂の表
面にＮｉメッキを施し、Ｎｉメッキ層でシールド部材を
形成したことを特徴とする赤外線リモートコントロール
受光ユニット。 - 【請求項２】 前記受光窓及び回路基板のグランド用ス
ルーホール電極以外のスルーホール電極を除く封止樹脂
の表面にＮｉメッキを施し、Ｎｉメッキ層でシールド部
材を形成し、前記シールド部材とグランド用スルーホー
ル電極とを前記Ｎｉメッキ層によって電気的に接続した
ことを特徴とする請求項１記載の赤外線リモートコント
ロール受光ユニット。 - 【請求項３】ガラスエポキシ樹脂よりなる多数個取りす
る集合回路基板の各列毎に、上下面導電パターン接続用
の複数個のスルーホールを穴明けするスルーホール加工
工程と、前記スルーホールの各列間の所定位置にメッキ
処理により前記スルーホール内面を含む集合回路基板の
全面にメッキ層を形成するメッキ工程と、メッキレジス
トをラミネートし、露光現像後パターンマスクを形成
し、パターンエッチングを行い、集合回路基板の上面に
電子部品実装用電極パターンと、前記スルーホールにス
ルーホール電極を形成する電極パターン形成工程と、前
記集合回路基板の上面に受光素子、集積回路、コンデン
サ、抵抗等の電子部品を導電性接着剤で固着し、電気的
接続をして実装する実装工程と、前記電子部品の上面を
覆うように透光性エポキシ樹脂よりなる封止樹脂で封止
する樹脂封止工程と、直交するカットラインに沿って切
断するハーフダイシング工程と、前記封止樹脂の上面に
受光窓のみ露出するマスク型等のマスク部材及び、集合
回路基板の裏面のグランド用スルーホール電極以外のス
ルーホール電極部をマスキングテープ等のマスク部材で
マスクするマスキング工程と、前記封止樹脂の表面でマ
スキングにより露出した受光窓の表面にレジスト液を塗
布又は吹き付け、キュアーすることにより、開口した受
光窓部にレジスト膜を形成するレジスト塗布工程と、前
記封止樹脂の上面を覆ったマスク型等のマスク部材を取
り外した後、Ｎｉメッキによりエポキシ樹脂よりなる封
止樹脂の表面にＮｉメッキ層を形成するＮｉメッキ工程
と、前記レジスト膜及びマスキングテープ等のマスク部
材の除去工程と、前記ハーフダイシングで残した集合回
路基板を切断して赤外線リモートコントロール受光ユニ
ットの単体に分割するフルダイシング工程とよりなるこ
とを特徴とする赤外線リモートコントロール受光ユニッ
トの製造方法。 - 【請求項４】 前記ハーフダイシング工程は、直交する
カットラインに沿って封止樹脂のみ切断することを特徴
とする請求項３記載の赤外線リモートコントロール受光
ユニットの製造方法。 - 【請求項５】 前記ハーフダイシング工程は、直交する
カットラインの中で、一方のカットラインに沿ってグラ
ンド用スルーホール電極以外のスルーホール電極上と、
他方のカットラインに沿ってダイシングする切削深さ
は、封止樹脂のみを切断するハーフダイシングであり、
前記グランド用スルーホール電極上のカットラインに沿
ってダイシングする切削深さは、前記封止樹脂と、更
に、基板のスルーホール電極内に達することを特徴とす
る請求項３記載の赤外線リモートコントロール受光ユニ
ットの製造方法。 - 【請求項６】 前記ハーフダイシング工程は、直交する
カットラインの中で、前記一方のスルーホール電極上を
ダイシングする切削深さは、前記封止樹脂のみのダイシ
ングと、封止樹脂の全切断に加えて基板のスルーホール
電極に達するダイシングとを交互に行うことを特徴とす
る請求項３記載の赤外線リモートコントロール受光ユニ
ットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30958697A JP3797771B2 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 赤外線リモートコントロール受光ユニット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30958697A JP3797771B2 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 赤外線リモートコントロール受光ユニット及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11131283A true JPH11131283A (ja) | 1999-05-18 |
| JP3797771B2 JP3797771B2 (ja) | 2006-07-19 |
Family
ID=17994826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30958697A Expired - Fee Related JP3797771B2 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 赤外線リモートコントロール受光ユニット及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3797771B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003037276A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Citizen Electronics Co Ltd | リモコンセンサ |
| JP2005072392A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Kyocera Corp | 電子装置の製造方法 |
| US7187060B2 (en) | 2003-03-13 | 2007-03-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device with shield |
| JP2008288610A (ja) * | 2008-07-17 | 2008-11-27 | Taiyo Yuden Co Ltd | 回路モジュールの製造方法 |
| JP2009060071A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 電磁干渉を防止する電子装置およびその製造方法 |
| JP2012009611A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Murata Mfg Co Ltd | 回路モジュール |
| JP2012160527A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Hitachi Cable Ltd | 光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法 |
| CN104134635A (zh) * | 2013-05-02 | 2014-11-05 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 树脂密封件以及树脂密封件的制造方法 |
-
1997
- 1997-10-24 JP JP30958697A patent/JP3797771B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003037276A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Citizen Electronics Co Ltd | リモコンセンサ |
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| JP2012160527A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Hitachi Cable Ltd | 光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法 |
| US9507112B2 (en) | 2011-01-31 | 2016-11-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Photoelectric conversion module and method of manufacturing photoelectric conversion module |
| CN104134635A (zh) * | 2013-05-02 | 2014-11-05 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 树脂密封件以及树脂密封件的制造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3797771B2 (ja) | 2006-07-19 |
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