JPH1049915A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH1049915A JPH1049915A JP19900096A JP19900096A JPH1049915A JP H1049915 A JPH1049915 A JP H1049915A JP 19900096 A JP19900096 A JP 19900096A JP 19900096 A JP19900096 A JP 19900096A JP H1049915 A JPH1049915 A JP H1049915A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- recording
- phase
- light reflected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/256—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers improving adhesion between layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/913—Material designed to be responsive to temperature, light, moisture
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜厚を厚くすることなく初期反射率を高くで
きるようにする。 【解決手段】 基板１上に、光干渉膜２、下層保護膜
３、記録膜４、上層保護膜５、および反射膜６が順次形
成され、記録、消去光と再生光の波長を異なるようにし
て情報の記録および読み出しを行うようにした書換え可
能な光情報記録媒体であって、光干渉膜２は、反射率の
波長依存性を有する透明干渉膜２ａと、Ａｕで形成され
た半透明干渉膜２ｂとにより構成されている。この半透
明干渉膜２ｂを用いることによって、初期反射率を高め
ることができる。
きるようにする。 【解決手段】 基板１上に、光干渉膜２、下層保護膜
３、記録膜４、上層保護膜５、および反射膜６が順次形
成され、記録、消去光と再生光の波長を異なるようにし
て情報の記録および読み出しを行うようにした書換え可
能な光情報記録媒体であって、光干渉膜２は、反射率の
波長依存性を有する透明干渉膜２ａと、Ａｕで形成され
た半透明干渉膜２ｂとにより構成されている。この半透
明干渉膜２ｂを用いることによって、初期反射率を高め
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光を用いて情報の
再生、消去および記録を行うことができる書換え可能な
光情報記録媒体に関する。
再生、消去および記録を行うことができる書換え可能な
光情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、記録媒体の結晶相を結晶質−非晶
質間で相変化させ、それに伴って生じる反射率の変化を
利用する相変化型の光情報記録媒体が種々提案されてい
る。このものは、基板上に、下層保護膜、記録膜、上層
保護膜、および反射膜を順次形成して、情報の書換えを
可能にした光情報記録媒体であるが、従来の再生専用の
光学情報記録媒体（ＣＤ、ＬＤ等）と同一の標準規格を
満たすためには、６５％以上の初期反射率を必要とす
る。この初期反射率とは、記録媒体の未記録部分の反射
率である。
質間で相変化させ、それに伴って生じる反射率の変化を
利用する相変化型の光情報記録媒体が種々提案されてい
る。このものは、基板上に、下層保護膜、記録膜、上層
保護膜、および反射膜を順次形成して、情報の書換えを
可能にした光情報記録媒体であるが、従来の再生専用の
光学情報記録媒体（ＣＤ、ＬＤ等）と同一の標準規格を
満たすためには、６５％以上の初期反射率を必要とす
る。この初期反射率とは、記録媒体の未記録部分の反射
率である。
【０００３】本出願人は、下層保護膜を屈折率の異なる
透明な複数膜にて形成し、各膜厚を調整することで初期
反射率を高めるものを提案した（特開平５−２０５３１
６号公報）。
透明な複数膜にて形成し、各膜厚を調整することで初期
反射率を高めるものを提案した（特開平５−２０５３１
６号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】特開平５−２０５３１
６号公報に示されるものによれば、下層保護膜を複数膜
にて形成することにより、初期反射率を高めることがで
きるが、十分な初期反射率を得るためには、下層保護膜
の膜層数を多くする必要があり、全膜厚が厚くなること
から、製造コストが高くなるとともに、膜中にクラック
が入る可能性がある。
６号公報に示されるものによれば、下層保護膜を複数膜
にて形成することにより、初期反射率を高めることがで
きるが、十分な初期反射率を得るためには、下層保護膜
の膜層数を多くする必要があり、全膜厚が厚くなること
から、製造コストが高くなるとともに、膜中にクラック
が入る可能性がある。
【０００５】本発明は上記問題に鑑みたもので、膜厚を
厚くすることなく初期反射率を高くできるようにするこ
とを目的とする。
厚くすることなく初期反射率を高くできるようにするこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、基板上に、光干
渉膜、下層保護膜、記録膜、上層保護膜、および反射膜
が順次形成され、記録、消去光と再生光の波長を異なる
ようにして情報の記録および読み出しを行うようにした
ものであって、光干渉膜を、反射率の波長依存性を有す
る第１の光干渉膜と、この第１の光干渉膜より光透過率
が低い第２の光干渉膜とを有して構成したことを特徴と
している。
め、請求項１に記載の発明においては、基板上に、光干
渉膜、下層保護膜、記録膜、上層保護膜、および反射膜
が順次形成され、記録、消去光と再生光の波長を異なる
ようにして情報の記録および読み出しを行うようにした
ものであって、光干渉膜を、反射率の波長依存性を有す
る第１の光干渉膜と、この第１の光干渉膜より光透過率
が低い第２の光干渉膜とを有して構成したことを特徴と
している。
【０００７】従って、第１の光干渉膜に反射率の波長依
存性を持たせることによって、記録、消去と再生用に２
波長利用した場合の記録および再生を容易に行うことが
できる。このように、記録、消去と再生用に２波長利用
した場合には、記録、消去用の光のパワーを小さくする
ことができる。さらに、第１の光干渉膜より光透過率が
低い第２の光干渉膜を設けることによって、第２の光干
渉膜での反射が大きくなり、初期反射率を高くすること
ができる。
存性を持たせることによって、記録、消去と再生用に２
波長利用した場合の記録および再生を容易に行うことが
できる。このように、記録、消去と再生用に２波長利用
した場合には、記録、消去用の光のパワーを小さくする
ことができる。さらに、第１の光干渉膜より光透過率が
低い第２の光干渉膜を設けることによって、第２の光干
渉膜での反射が大きくなり、初期反射率を高くすること
ができる。
【０００８】第２の光干渉膜としては、請求項２に記載
の発明のように、金属、半金属、半導体のいずれか１つ
の材料で形成することができる。また、請求項３に記載
の発明のように、記録部分と未記録部分において、再生
光に対するそれぞれの反射率の大小関係と記録、消去光
に対するそれぞれの反射率の大小関係を逆にした場合に
は、オーバーライト時のジッター（再生信号の揺らぎ）
を少なくすることができる。
の発明のように、金属、半金属、半導体のいずれか１つ
の材料で形成することができる。また、請求項３に記載
の発明のように、記録部分と未記録部分において、再生
光に対するそれぞれの反射率の大小関係と記録、消去光
に対するそれぞれの反射率の大小関係を逆にした場合に
は、オーバーライト時のジッター（再生信号の揺らぎ）
を少なくすることができる。
【０００９】また、請求項４に記載の発明のように、記
録部分と未記録部分において、再生光に対するそれぞれ
の反射率の大小関係と記録、消去光に対するそれぞれの
反射率の大小関係を同じにした場合には、記録、消去光
と同じ波長の再生光を用いて再生を行うようにすること
もできる。請求項５に記載の発明においては、再生光に
対し、第１、第２の光干渉膜で反射した光が実質的に同
位相の関係になるようにし、未記録部分においては、第
１、第２の光干渉膜で反射した光の位相と記録膜で反射
した光の位相が実質的に同位相の関係になり、記録部分
においては、第１、第２の光干渉膜で反射した光の位相
と記録膜底面および反射膜で反射した光の位相が実質的
に逆位相の関係になるようにしているから、初期反射率
を高くすることができるとともに、振幅変調度も大きく
することができる。
録部分と未記録部分において、再生光に対するそれぞれ
の反射率の大小関係と記録、消去光に対するそれぞれの
反射率の大小関係を同じにした場合には、記録、消去光
と同じ波長の再生光を用いて再生を行うようにすること
もできる。請求項５に記載の発明においては、再生光に
対し、第１、第２の光干渉膜で反射した光が実質的に同
位相の関係になるようにし、未記録部分においては、第
１、第２の光干渉膜で反射した光の位相と記録膜で反射
した光の位相が実質的に同位相の関係になり、記録部分
においては、第１、第２の光干渉膜で反射した光の位相
と記録膜底面および反射膜で反射した光の位相が実質的
に逆位相の関係になるようにしているから、初期反射率
を高くすることができるとともに、振幅変調度も大きく
することができる。
【００１０】請求項６に記載の発明においては、記録、
消去光に対し、未記録部分および記録部分において、第
１の光干渉膜で反射した光の位相と第２の光干渉膜で反
射した光の位相が実質的に逆位相の関係になるようにし
ているから、記録、消去光での反射率を低く、すなわち
光吸収率を高くして、小さな光パワーで情報の記録、消
去を行うことができる。
消去光に対し、未記録部分および記録部分において、第
１の光干渉膜で反射した光の位相と第２の光干渉膜で反
射した光の位相が実質的に逆位相の関係になるようにし
ているから、記録、消去光での反射率を低く、すなわち
光吸収率を高くして、小さな光パワーで情報の記録、消
去を行うことができる。
【００１１】請求項７に記載の発明においては、記録、
消去光に対し、未記録部分および記録部分において、第
１の光干渉膜で反射した光の位相と第２の光干渉膜で反
射した光の位相が実質的に逆位相の関係になり、未記録
部分においては第１の光干渉膜で反射した光の位相と記
録膜で反射した光の位相が実質的に逆位相の関係にな
り、記録部分においては第１の光干渉膜で反射した光の
位相と記録膜底面および反射膜で反射した光の位相が実
質的に同位相の関係になるようにしているから、記録、
消去光に対する記録部分での反射率が未記録部分での反
射率より高くなり、オーバーライト時のジッターを少な
くすることができる。
消去光に対し、未記録部分および記録部分において、第
１の光干渉膜で反射した光の位相と第２の光干渉膜で反
射した光の位相が実質的に逆位相の関係になり、未記録
部分においては第１の光干渉膜で反射した光の位相と記
録膜で反射した光の位相が実質的に逆位相の関係にな
り、記録部分においては第１の光干渉膜で反射した光の
位相と記録膜底面および反射膜で反射した光の位相が実
質的に同位相の関係になるようにしているから、記録、
消去光に対する記録部分での反射率が未記録部分での反
射率より高くなり、オーバーライト時のジッターを少な
くすることができる。
【００１２】請求項８に記載の発明においては、基板上
に、光干渉膜、下層保護膜、記録膜、上層保護膜、およ
び反射膜が順次形成され、記録、消去光と再生光の波長
を異なるようにして情報の記録および読み出しを行うよ
うにしたものであって、再生光に対し、未記録部分にお
いては、光干渉膜で反射した光の位相と記録膜で反射し
た光の位相が実質的に同位相の関係になり、記録部分に
おいては、光干渉膜で反射した光の位相と記録膜底面お
よび反射膜で反射した光の位相が実質的に逆位相の関係
になり、記録、消去光に対し、未記録部分においては光
干渉膜で反射した光の位相と記録膜で反射した光の位相
が実質的に逆位相の関係になることを特徴としている。
に、光干渉膜、下層保護膜、記録膜、上層保護膜、およ
び反射膜が順次形成され、記録、消去光と再生光の波長
を異なるようにして情報の記録および読み出しを行うよ
うにしたものであって、再生光に対し、未記録部分にお
いては、光干渉膜で反射した光の位相と記録膜で反射し
た光の位相が実質的に同位相の関係になり、記録部分に
おいては、光干渉膜で反射した光の位相と記録膜底面お
よび反射膜で反射した光の位相が実質的に逆位相の関係
になり、記録、消去光に対し、未記録部分においては光
干渉膜で反射した光の位相と記録膜で反射した光の位相
が実質的に逆位相の関係になることを特徴としている。
【００１３】この場合も、再生時の初期反射率を高くす
ることができるとともに、振幅変調度も大きくすること
ができ、さらに記録、消去時の反射率を低くして小さな
光パワーで情報の記録、消去を行うことができる。請求
項９に記載の発明においては、記録、消去光に対し、記
録部分においては光干渉膜で反射した光の位相と記録膜
底面および反射膜で反射した光の位相が実質的に同位相
の関係になるようにしているから、記録、消去光に対す
る記録部分での反射率が未記録部分での反射率より高く
なり、オーバーライト時のジッターを少なくすることが
できる。
ることができるとともに、振幅変調度も大きくすること
ができ、さらに記録、消去時の反射率を低くして小さな
光パワーで情報の記録、消去を行うことができる。請求
項９に記載の発明においては、記録、消去光に対し、記
録部分においては光干渉膜で反射した光の位相と記録膜
底面および反射膜で反射した光の位相が実質的に同位相
の関係になるようにしているから、記録、消去光に対す
る記録部分での反射率が未記録部分での反射率より高く
なり、オーバーライト時のジッターを少なくすることが
できる。
【００１４】この場合、光干渉膜としては、請求項１０
に記載の発明のように、金属、半金属、半導体のいずれ
か１つの材料で形成することができる。さらに、請求項
１１に記載の発明のように、再生光に対し未記録部分の
反射率を６５％以上とし、未記録部分の反射率と記録部
分の反射率の差を未記録部分の反射率で割った値を６０
％以上とれば、ＣＤ規格を満足することができる。
に記載の発明のように、金属、半金属、半導体のいずれ
か１つの材料で形成することができる。さらに、請求項
１１に記載の発明のように、再生光に対し未記録部分の
反射率を６５％以上とし、未記録部分の反射率と記録部
分の反射率の差を未記録部分の反射率で割った値を６０
％以上とれば、ＣＤ規格を満足することができる。
【００１５】
（第１実施形態）図１は本発明の第１実施形態にかかる
光情報記録媒体の断面構造を示した模式図である。円盤
状の透明なガラスまたはプラスチックにて形成された基
板１上に、光干渉膜２が形成されている。この光干渉膜
２は、透明な第１の光干渉膜（以下、透明干渉膜とい
う）２ａと、半透明の第２の光干渉膜（以下、半透明干
渉膜という）２ｂからなる。透明干渉膜２ａは、記録、
消去光（波長が例えば６３５ｎｍ）と再生光（波長が例
えば７８０ｎｍ）の２つの光のそれぞれの波長に対し基
板１と屈折率が異なっており、反射率の波長依存性を有
する膜である。半透明干渉膜２ｂは、透明干渉膜２ａよ
り光透過率が低く光吸収をもつ膜である。
光情報記録媒体の断面構造を示した模式図である。円盤
状の透明なガラスまたはプラスチックにて形成された基
板１上に、光干渉膜２が形成されている。この光干渉膜
２は、透明な第１の光干渉膜（以下、透明干渉膜とい
う）２ａと、半透明の第２の光干渉膜（以下、半透明干
渉膜という）２ｂからなる。透明干渉膜２ａは、記録、
消去光（波長が例えば６３５ｎｍ）と再生光（波長が例
えば７８０ｎｍ）の２つの光のそれぞれの波長に対し基
板１と屈折率が異なっており、反射率の波長依存性を有
する膜である。半透明干渉膜２ｂは、透明干渉膜２ａよ
り光透過率が低く光吸収をもつ膜である。
【００１６】具体的には、基板１はポリカーボネイト
（屈折率は１．５８）で形成され、透明干渉膜２ａはＭ
ｇＦ2 （屈折率１．３８）にて厚さ１５０ｎｍ、半透明
干渉膜２ｂはＡｕ（屈折率０．２〜４．８１）にて厚さ
１０ｎｍにてそれぞれ成膜されている。光干渉膜２の上
には、下層保護膜３としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 （屈折率
２．０）が厚さ２３０ｎｍにて成膜され、その上にＧｅ
ＳｂＴｅからなる記録膜４が１８ｎｍ成膜されている。
その上にＺｎＳ−ＳｉＯ2 （屈折率２．０）からなる上
層保護膜５が２０ｎｍ成膜され、さらにＡｕからなる反
射膜６が厚さ１００ｎｍにて成膜されている。
（屈折率は１．５８）で形成され、透明干渉膜２ａはＭ
ｇＦ2 （屈折率１．３８）にて厚さ１５０ｎｍ、半透明
干渉膜２ｂはＡｕ（屈折率０．２〜４．８１）にて厚さ
１０ｎｍにてそれぞれ成膜されている。光干渉膜２の上
には、下層保護膜３としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 （屈折率
２．０）が厚さ２３０ｎｍにて成膜され、その上にＧｅ
ＳｂＴｅからなる記録膜４が１８ｎｍ成膜されている。
その上にＺｎＳ−ＳｉＯ2 （屈折率２．０）からなる上
層保護膜５が２０ｎｍ成膜され、さらにＡｕからなる反
射膜６が厚さ１００ｎｍにて成膜されている。
【００１７】上述した各膜はスパッタリング、あるいは
蒸着により形成することができる。このときの膜厚のば
らつき、膜厚分布は各層で１．５％以内であればよい。
さらに、反射膜６の上には、オーバーコート７が形成さ
れている。なお、図では、基板１の表面に、矩形上の溝
部であるプリグルーブ（案内溝）が形成された構成を示
している。
蒸着により形成することができる。このときの膜厚のば
らつき、膜厚分布は各層で１．５％以内であればよい。
さらに、反射膜６の上には、オーバーコート７が形成さ
れている。なお、図では、基板１の表面に、矩形上の溝
部であるプリグルーブ（案内溝）が形成された構成を示
している。
【００１８】上記した記録膜４は、光照射により結晶状
態が可逆的変化、つまり非晶質−結晶質間で相転移する
もので、情報が記録されていない未記録部分においては
結晶で、情報が記録された記録部分においては非晶質と
なる。図２に、上記した構造を有する光情報記録媒体の
未記録部分（結晶）と記録部分（非晶質）の光の波長に
対する反射率の依存性を示す。
態が可逆的変化、つまり非晶質−結晶質間で相転移する
もので、情報が記録されていない未記録部分においては
結晶で、情報が記録された記録部分においては非晶質と
なる。図２に、上記した構造を有する光情報記録媒体の
未記録部分（結晶）と記録部分（非晶質）の光の波長に
対する反射率の依存性を示す。
【００１９】光の波長がＣＤの再生波長である７８０ｎ
ｍの場合、未記録部分（結晶）の反射率は７０．３％
で、記録部分（非晶質）の反射率は２７．８％となっ
た。一方、記録、消去波長を６３０ｎｍとすると、未記
録部分（結晶）の反射率は２３．８％で、記録部分（非
晶質）の反射率は２７．８％となった。上記した光情報
記録媒体の場合、オーバーライトを行うと、結晶と非晶
質で光吸収率に差があり、光吸収率が非晶質＞結晶であ
ると、ジッター（再生信号のゆらぎ）が増加することが
知られている。本実施形態のものによれば、上記した反
射率から、記録、消去波長である６３０ｎｍでは、光吸
収率が未記録部分（結晶）では７６．２％、記録部分
（非晶質）では７２．２％となり、光吸収率が未記録部
分（結晶）＞記録部分（非晶質）となるため、オーバー
ライト時のジッターが少なくなり、光吸収率がともに大
きいので、記録、消去を小さな光エネルギーによって容
易行うことができる。
ｍの場合、未記録部分（結晶）の反射率は７０．３％
で、記録部分（非晶質）の反射率は２７．８％となっ
た。一方、記録、消去波長を６３０ｎｍとすると、未記
録部分（結晶）の反射率は２３．８％で、記録部分（非
晶質）の反射率は２７．８％となった。上記した光情報
記録媒体の場合、オーバーライトを行うと、結晶と非晶
質で光吸収率に差があり、光吸収率が非晶質＞結晶であ
ると、ジッター（再生信号のゆらぎ）が増加することが
知られている。本実施形態のものによれば、上記した反
射率から、記録、消去波長である６３０ｎｍでは、光吸
収率が未記録部分（結晶）では７６．２％、記録部分
（非晶質）では７２．２％となり、光吸収率が未記録部
分（結晶）＞記録部分（非晶質）となるため、オーバー
ライト時のジッターが少なくなり、光吸収率がともに大
きいので、記録、消去を小さな光エネルギーによって容
易行うことができる。
【００２０】一方、光の波長がＣＤの再生波長の７８０
ｎｍでは未記録部分（結晶）の反射率が７０．３％で、
ＣＤ規格である反射率６５％以上を満足する。また、振
幅変調度＝｛（記録部分の反射率−未記録部分の反射
率）／未記録部分の反射率｝×１００（％）も６０％以
上となり、ＣＤ規格を満足する。このことから、本実施
形態にかかる光情報記録媒体は再生用ドライブ装置（Ｃ
Ｄプレーヤ）で再生可能なものとなる。
ｎｍでは未記録部分（結晶）の反射率が７０．３％で、
ＣＤ規格である反射率６５％以上を満足する。また、振
幅変調度＝｛（記録部分の反射率−未記録部分の反射
率）／未記録部分の反射率｝×１００（％）も６０％以
上となり、ＣＤ規格を満足する。このことから、本実施
形態にかかる光情報記録媒体は再生用ドライブ装置（Ｃ
Ｄプレーヤ）で再生可能なものとなる。
【００２１】次に、本実施形態にかかる光情報記録媒体
が、図２に示す特性を有する点について原理面から説明
する。図３に、再生光に対する、未記録部分と記録部分
での光の反射の位相関係を示す。位相の揃った光、例え
ばレーザ光を基板１の上側から垂直に入射するとする。
未記録部分では、図３（ａ）に示すように、記録膜４が
結晶になっているため消衰係数が大きく、その下の層ま
で光が到達しない。ここで、記録膜４より上の層で反射
した光の位相を同位相の関係になるように各膜の膜厚を
設定しておくと、反射率が高くなる。
が、図２に示す特性を有する点について原理面から説明
する。図３に、再生光に対する、未記録部分と記録部分
での光の反射の位相関係を示す。位相の揃った光、例え
ばレーザ光を基板１の上側から垂直に入射するとする。
未記録部分では、図３（ａ）に示すように、記録膜４が
結晶になっているため消衰係数が大きく、その下の層ま
で光が到達しない。ここで、記録膜４より上の層で反射
した光の位相を同位相の関係になるように各膜の膜厚を
設定しておくと、反射率が高くなる。
【００２２】一方、記録部分では、記録膜４が非晶質状
態となり、消衰係数が小さくなるため、記録膜４の透過
率が大きくなる。このため、図３（ｂ）に示すように、
反射膜６まで光が到達し、記録膜４の底面と反射膜６で
反射した光の位相は、記録膜４の上面以上の各層で反射
した光の位相と逆位相の関係になるように、記録膜４以
下の膜厚を設定しておくと、反射率は低くなる。従っ
て、振幅変調度が大きくなる。
態となり、消衰係数が小さくなるため、記録膜４の透過
率が大きくなる。このため、図３（ｂ）に示すように、
反射膜６まで光が到達し、記録膜４の底面と反射膜６で
反射した光の位相は、記録膜４の上面以上の各層で反射
した光の位相と逆位相の関係になるように、記録膜４以
下の膜厚を設定しておくと、反射率は低くなる。従っ
て、振幅変調度が大きくなる。
【００２３】図４に、記録、消去光に対する、未記録部
分と記録部分での光の反射の位相関係を示す。記録、消
去光は再生光と光の波長が異なるため、透明干渉膜２ａ
で反射した光の位相を再生光の場合と反転させることが
できるように膜厚を設定しておくと、逆位相の反射とな
り、反射率が未記録部分も記録部分も再生光の場合に比
べて反射率が低くなる。従って、記録、消去のための光
吸収が十分に得られる。
分と記録部分での光の反射の位相関係を示す。記録、消
去光は再生光と光の波長が異なるため、透明干渉膜２ａ
で反射した光の位相を再生光の場合と反転させることが
できるように膜厚を設定しておくと、逆位相の反射とな
り、反射率が未記録部分も記録部分も再生光の場合に比
べて反射率が低くなる。従って、記録、消去のための光
吸収が十分に得られる。
【００２４】また、各層の膜厚の設定により、記録部分
と未記録部分にける反射率の大小関係を、図２に示すよ
うに、再生光に対する場合と記録、消去光に対する場合
とで反転させることができる。なお、各層の膜厚の設定
により、反射率の大小関係を、再生光に対する場合と記
録、消去光に対する場合とで反転させないようにするこ
ともできる。例えば、透明干渉膜（ＭｇＦ2 ）２ａの膜
厚を１７０ｎｍ、半透明干渉膜（Ａｕ）２ｂの膜厚を１
０ｎｍ、下層保護膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ）３の膜厚を２
２０ｎｍ、記録膜（ＧｅＳｂＴｅ）の膜厚を２０ｎｍ、
上層保護膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ）５の膜厚を２０ｎｍ、
反射膜（Ａｕ）６の膜厚を１００ｎｍとした場合、未記
録部分（結晶）と記録部分（非晶質）での光の波長に対
する反射率特性は、図５に示すようになり、記録、消去
光の波長を例えば６８０ｎｍにした場合には、反射率の
大小関係を再生光と記録、消去光の場合とで反転させな
いようにすることができる。このような特性にした場合
には、例えば、ＤＶＤにように、記録、消去波長におい
ても再生を行うときに好適である。
と未記録部分にける反射率の大小関係を、図２に示すよ
うに、再生光に対する場合と記録、消去光に対する場合
とで反転させることができる。なお、各層の膜厚の設定
により、反射率の大小関係を、再生光に対する場合と記
録、消去光に対する場合とで反転させないようにするこ
ともできる。例えば、透明干渉膜（ＭｇＦ2 ）２ａの膜
厚を１７０ｎｍ、半透明干渉膜（Ａｕ）２ｂの膜厚を１
０ｎｍ、下層保護膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ）３の膜厚を２
２０ｎｍ、記録膜（ＧｅＳｂＴｅ）の膜厚を２０ｎｍ、
上層保護膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ）５の膜厚を２０ｎｍ、
反射膜（Ａｕ）６の膜厚を１００ｎｍとした場合、未記
録部分（結晶）と記録部分（非晶質）での光の波長に対
する反射率特性は、図５に示すようになり、記録、消去
光の波長を例えば６８０ｎｍにした場合には、反射率の
大小関係を再生光と記録、消去光の場合とで反転させな
いようにすることができる。このような特性にした場合
には、例えば、ＤＶＤにように、記録、消去波長におい
ても再生を行うときに好適である。
【００２５】なお、上記した構造において、透明干渉膜
２ａ、下層保護膜３、および上層保護膜５に用いる材料
としては、例えば、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、
ＳｉＯX 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＭｏＯ3 、ＷＯ3 、ＺｒＯ2 、
ＺｎＳ、ＡｌＮX 、ＢＮ、ＳｉＮX 、ＴｉＮ、ＺｒＮ、
ＰｂＦ2 、ＭｇＦ2 等の誘電体、あるいはこれらの適当
な組み合わせを用いることができる。上層保護膜３と下
層保護膜５は、異なった材料で形成してもよい。
２ａ、下層保護膜３、および上層保護膜５に用いる材料
としては、例えば、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、
ＳｉＯX 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＭｏＯ3 、ＷＯ3 、ＺｒＯ2 、
ＺｎＳ、ＡｌＮX 、ＢＮ、ＳｉＮX 、ＴｉＮ、ＺｒＮ、
ＰｂＦ2 、ＭｇＦ2 等の誘電体、あるいはこれらの適当
な組み合わせを用いることができる。上層保護膜３と下
層保護膜５は、異なった材料で形成してもよい。
【００２６】また、半透明干渉膜２ｂａの材料として
は、金属、半金属、半導体を用いることができ、好まし
くはＡｕ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇがよい。また、記録膜４の
材料としては、上述のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系において、Ｇ
ｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 の混合比が２：１よりもＧｅＴｅ
が多い方向付近が好ましい。理由は、ＧｅＴｅの多い方
が消衰係数の変化量が大きく、振幅変調度が大きくなる
からである。但し、ＧｅＴｅだけであると、結晶化時の
体積収縮率が大きいため膜にクラックが入る。好ましく
はＧｅ4 Ｓｂ1 Ｔｅ5 付近がよい。
は、金属、半金属、半導体を用いることができ、好まし
くはＡｕ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇがよい。また、記録膜４の
材料としては、上述のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系において、Ｇ
ｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 の混合比が２：１よりもＧｅＴｅ
が多い方向付近が好ましい。理由は、ＧｅＴｅの多い方
が消衰係数の変化量が大きく、振幅変調度が大きくなる
からである。但し、ＧｅＴｅだけであると、結晶化時の
体積収縮率が大きいため膜にクラックが入る。好ましく
はＧｅ4 Ｓｂ1 Ｔｅ5 付近がよい。
【００２７】また、記録膜４の材料としては、Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ系を主成分とするもの以外に、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ａｕ、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ−Ｐｄ、Ｓｂ−Ｓｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｅ−
Ｔｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ、Ｉ
ｎ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｇ等を主成分とす
るものを用いることができる。これらの膜はレーザ光に
より、結晶と非晶質に相変化する材質である。一方、結
晶−結晶相変化により反射率が変化する材料がある。代
表的なものとしてＡｇ−Ｚｎがあり、このような材料で
も利用可能である。
ｂ−Ｔｅ系を主成分とするもの以外に、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ａｕ、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ−Ｐｄ、Ｓｂ−Ｓｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｅ−
Ｔｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ、Ｉ
ｎ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｇ等を主成分とす
るものを用いることができる。これらの膜はレーザ光に
より、結晶と非晶質に相変化する材質である。一方、結
晶−結晶相変化により反射率が変化する材料がある。代
表的なものとしてＡｇ−Ｚｎがあり、このような材料で
も利用可能である。
【００２８】反射膜６としては、Ａｕ以外にＡｌ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｐｔ等の金属、あるいはこれらの合金を用いることがで
きる。また、特定の波長の光を反射する無機透明多層膜
からできた反射増加膜を使用してもよい。さらに、オー
バーコート７を施した上に保護板またはもう１つの同様
の光情報記録媒体を接着剤で張り合わせる構成にしても
よい。 （第２実施形態）上記した第１実施形態では、透明干渉
膜２ａの上に半透明干渉膜２ｂを成膜するものを示した
が、図６に示すように、透明干渉膜２ａと半透明干渉膜
２ｂの積層関係を逆にしてもよい。 （第３実施形態）また、第１の干渉膜２ａを無くして構
成することもできる。この場合の構成を図７に示す。こ
の実施形態においては、再生光に対し、未記録部分で
は、図８（ａ）に示すように、半透明膜干渉膜２ｂで反
射した光の位相と記録膜４で反射した光の位相を同位相
として反射率を高くし、記録部分では、図８（ｂ）に示
すように、半透明膜干渉膜２ｂで反射した光の位相と記
録膜４の底面と反射膜６で反射した光の位相を逆位相と
して反射率を低くする。
ｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｐｔ等の金属、あるいはこれらの合金を用いることがで
きる。また、特定の波長の光を反射する無機透明多層膜
からできた反射増加膜を使用してもよい。さらに、オー
バーコート７を施した上に保護板またはもう１つの同様
の光情報記録媒体を接着剤で張り合わせる構成にしても
よい。 （第２実施形態）上記した第１実施形態では、透明干渉
膜２ａの上に半透明干渉膜２ｂを成膜するものを示した
が、図６に示すように、透明干渉膜２ａと半透明干渉膜
２ｂの積層関係を逆にしてもよい。 （第３実施形態）また、第１の干渉膜２ａを無くして構
成することもできる。この場合の構成を図７に示す。こ
の実施形態においては、再生光に対し、未記録部分で
は、図８（ａ）に示すように、半透明膜干渉膜２ｂで反
射した光の位相と記録膜４で反射した光の位相を同位相
として反射率を高くし、記録部分では、図８（ｂ）に示
すように、半透明膜干渉膜２ｂで反射した光の位相と記
録膜４の底面と反射膜６で反射した光の位相を逆位相と
して反射率を低くする。
【００２９】また、記録、消去光に対し、未記録部分で
は、図９（ａ）に示すように、半透明膜干渉膜２ｂで反
射した光の位相と記録膜４で反射した光の位相を逆位相
にすることによって、再生光の場合に比べ反射率を低く
することができる。なお、記録部分では、半透明膜干渉
膜２ｂで反射した光の位相と記録膜４の底面および反射
膜６で反射した光の位相を、図９（ｂ）に示すように逆
位相にした場合には、図２に示すものと同様、記録部分
と未記録部分にける反射率の大小関係を再生光に対する
場合と記録、消去光に対する場合とで反転させることが
できるが、その位相関係を変えることにより、逆転しな
いようにすることもできる。
は、図９（ａ）に示すように、半透明膜干渉膜２ｂで反
射した光の位相と記録膜４で反射した光の位相を逆位相
にすることによって、再生光の場合に比べ反射率を低く
することができる。なお、記録部分では、半透明膜干渉
膜２ｂで反射した光の位相と記録膜４の底面および反射
膜６で反射した光の位相を、図９（ｂ）に示すように逆
位相にした場合には、図２に示すものと同様、記録部分
と未記録部分にける反射率の大小関係を再生光に対する
場合と記録、消去光に対する場合とで反転させることが
できるが、その位相関係を変えることにより、逆転しな
いようにすることもできる。
【００３０】なお、上記した位相関係は、各層の膜厚を
調整することにより設定することができる。図１０に、
この実施形態における、光情報記録媒体の未記録部分
（結晶）と記録部分（非晶質）の光の波長に対する反射
率特性を示す。この特性は、半透明干渉膜（Ａｕ）２ｂ
の膜厚を１０ｎｍ、下層保護膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ）３
の膜厚を２３０ｎｍ、記録膜（ＧｅＳｂＴｅ）の膜厚を
２５ｎｍ、上層保護膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ）５の膜厚を
１０ｎｍ、反射膜（Ａｕ）６の膜厚を１００ｎｍとした
場合のものである。
調整することにより設定することができる。図１０に、
この実施形態における、光情報記録媒体の未記録部分
（結晶）と記録部分（非晶質）の光の波長に対する反射
率特性を示す。この特性は、半透明干渉膜（Ａｕ）２ｂ
の膜厚を１０ｎｍ、下層保護膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ）３
の膜厚を２３０ｎｍ、記録膜（ＧｅＳｂＴｅ）の膜厚を
２５ｎｍ、上層保護膜（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ）５の膜厚を
１０ｎｍ、反射膜（Ａｕ）６の膜厚を１００ｎｍとした
場合のものである。
【００３１】なお、上記した説明において、反射した光
の位相関係としては、完全な同相あるいは逆相の関係と
なるものに限らず、位相がずれていても実質的に同相あ
るいは逆相の関係にあればよい。
の位相関係としては、完全な同相あるいは逆相の関係と
なるものに限らず、位相がずれていても実質的に同相あ
るいは逆相の関係にあればよい。
【図１】本発明の第１実施形態にかかる光情報記録媒体
の断面構造を示した模式図である。
の断面構造を示した模式図である。
【図２】図１に示す光情報記録媒体の未記録部分（結
晶）と記録部分（非晶質）の光の波長に対する反射率の
依存性を示す特性図である。
晶）と記録部分（非晶質）の光の波長に対する反射率の
依存性を示す特性図である。
【図３】図１に示す光情報記録媒体の再生光に対する未
記録部分と記録部分での光の反射の位相関係を示す図で
ある。
記録部分と記録部分での光の反射の位相関係を示す図で
ある。
【図４】図１に示す光情報記録媒体の記録、消去光に対
する未記録部分と記録部分での光の反射の位相関係を示
す図である。
する未記録部分と記録部分での光の反射の位相関係を示
す図である。
【図５】再生光と記録、消去光とで反射率の大小関係を
反転させないようにした他の波長−反射率特性を示す図
である。
反転させないようにした他の波長−反射率特性を示す図
である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる光情報記録媒体
の断面構造を示した模式図である。
の断面構造を示した模式図である。
【図７】本発明の第３実施形態にかかる光情報記録媒体
の断面構造を示した模式図である。
の断面構造を示した模式図である。
【図８】本発明の第３実施形態における、再生光に対す
る未記録部分と記録部分での光の反射の位相関係を示す
図である。
る未記録部分と記録部分での光の反射の位相関係を示す
図である。
【図９】本発明の第３実施形態における、記録、消去光
に対する未記録部分と記録部分での光の反射の位相関係
を示す図である。
に対する未記録部分と記録部分での光の反射の位相関係
を示す図である。
【図１０】本発明の第３実施形態における波長−反射率
特性を示す図である。
特性を示す図である。
１…基板、２…光干渉膜、２ａ…透明干渉膜、２ｂ…半
透明干渉膜、３…下層保護膜、４…記録膜、５…上層保
護膜、６…反射膜。
透明干渉膜、３…下層保護膜、４…記録膜、５…上層保
護膜、６…反射膜。
Claims (11)
- 【請求項１】 基板（１）上に、光干渉膜（２）、下層
保護膜（３）、記録膜（４）、上層保護膜（５）、およ
び反射膜（６）が順次形成されており、前記記録膜
（４）は、前記基板（１）から入射された光により相変
化を生じて光学定数が変化するものであって、 再生光により前記記録膜（４）に記録された情報を読み
出し、前記再生光と異なる波長の記録、消去光により前
記記録膜（４）に情報の記録を行うように、前記各膜の
膜厚が設定されており、 前記光干渉膜（２）は、反射率の波長依存性を有する第
１の光干渉膜（２ａ）と、この第１の光干渉膜より光透
過率が低い第２の光干渉膜（２ｂ）とを有することを特
徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】 前記第２の光干渉膜（２ｂ）は、金属、
半金属、半導体のいずれか１つの材料で形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項３】 前記記録膜（４）に情報が記録されてい
る記録部分と情報が記録されていない未記録部分におい
て、前記再生光に対するそれぞれの反射率の大小関係と
前記記録、消去光に対するそれぞれの反射率の大小関係
が逆になっていることを特徴とする請求項１又は２に記
載の光情報記録媒体。 - 【請求項４】 前記記録膜（４）に情報が記録されてい
る記録部分と情報が記録されていない未記録部分におい
て、前記再生光に対するそれぞれの反射率の大小関係と
前記記録、消去光に対するそれぞれの反射率の大小関係
が同じになっていることを特徴とする請求項１又は２に
記載の光情報記録媒体。 - 【請求項５】 前記再生光に対し、前記第１、第２の光
干渉膜（２ａ、２ｂ）で反射した光が実質的に同位相の
関係になり、前記記録膜（４）に情報が記録されていな
い未記録部分においては、前記第１、第２の光干渉膜
（２ａ、２ｂ）で反射した光の位相と前記記録膜（４）
で反射した光の位相が実質的に同位相の関係になり、前
記記録膜（４）に情報が記録されている記録部分におい
ては、前記第１、第２の光干渉膜（２ａ、２ｂ）で反射
した光の位相と前記記録膜（４）底面および前記反射膜
で反射した光の位相が実質的に逆位相の関係になること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の光
情報記録媒体。 - 【請求項６】 前記記録、消去光に対し、前記未記録部
分および前記記録部分において、前記第１の光干渉膜
（２ａ）で反射した光の位相と前記第２の光干渉膜（２
ｂ）で反射した光の位相が実質的に逆位相の関係になる
ことを特徴とする請求項５に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項７】 前記再生光に対し、前記第１、第２の光
干渉膜（２ａ、２ｂ）で反射した光が実質的に同位相の
関係になり、前記記録膜（４）に情報が記録されていな
い未記録部分においては、前記第１、第２の光干渉膜
（２ａ、２ｂ）で反射した光の位相と前記記録膜（４）
で反射した光の位相が実質的に同位相の関係になり、前
記記録膜（４）に情報が記録されている記録部分におい
ては、前記第１、第２の光干渉膜（２ａ、２ｂ）で反射
した光の位相と前記記録膜（４）底面および前記反射膜
で反射した光の位相が実質的に逆位相の関係になり、 前記記録、消去光に対し、前記未記録部分および前記記
録部分において、前記第１の光干渉膜（２ａ）で反射し
た光の位相と前記第２の光干渉膜（２ｂ）で反射した光
の位相が実質的に逆位相の関係になり、前記未記録部分
においては前記第１の光干渉膜（２ａ）で反射した光の
位相と前記記録膜（４）で反射した光の位相が実質的に
逆位相の関係になり、前記記録部分においては前記第１
の光干渉膜（２ａ）で反射した光の位相と前記記録膜
（４）底面および前記反射膜で反射した光の位相が実質
的に同位相の関係になることを特徴とする請求項３に記
載の光情報記録媒体。 - 【請求項８】 基板（１）上に、光干渉膜（２ｂ）、下
層保護膜（３）、記録膜（４）、上層保護膜（５）、お
よび反射膜（６）が順次形成されており、前記記録膜
（４）は、前記基板（１）から入射された光により相変
化を生じて光学定数が変化するものであって、 再生光により前記記録膜（４）に記録された情報を読み
出し、前記再生光と異なる波長の記録、消去光により前
記記録膜（４）に情報の記録を行うように、前記各膜の
膜厚が設定されており、 前記再生光に対し、前記記録膜（４）に情報が記録され
ていない未記録部分においては、前記光干渉膜（２ｂ）
で反射した光の位相と前記記録膜（４）で反射した光の
位相が実質的に同位相の関係になり、前記記録膜（４）
に情報が記録されている記録部分においては、前記光干
渉膜（２ｂ）で反射した光の位相と前記記録膜（４）底
面および前記反射膜で反射した光の位相が実質的に逆位
相の関係になり、 前記記録、消去光に対し、前記未記録部分においては前
記光干渉膜（２ｂ）で反射した光の位相と前記記録膜
（４）で反射した光の位相が実質的に逆位相の関係にな
ることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項９】 前記記録、消去光に対し、前記記録部分
においては前記光干渉膜（２ｂ）で反射した光の位相と
前記記録膜（４）底面および前記反射膜で反射した光の
位相が実質的に同位相の関係になることを特徴とする請
求項８に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項１０】 前記光干渉膜（２ｂ）は、金属、半金
属、半導体のいずれか１つの材料で形成されていること
を特徴とする請求項８又は９に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項１１】 前記再生光に対し、前記未記録部分の
反射率が６５％以上で、前記未記録部分の反射率と前記
記録部分の反射率の差を未記録部分の反射率で割った値
が６０％以上であることを特徴とする請求項３乃至１０
のいずれか１つに記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19900096A JPH1049915A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 光情報記録媒体 |
| US08/901,271 US5962100A (en) | 1996-07-29 | 1997-07-28 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19900096A JPH1049915A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1049915A true JPH1049915A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16400439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19900096A Pending JPH1049915A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 光情報記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5962100A (ja) |
| JP (1) | JPH1049915A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100342640B1 (ko) * | 1999-01-11 | 2002-07-04 | 가네꼬 히사시 | 광학적 정보 기록 매체 및 광학적 정보 기록 매체 상의정보를 기록, 재생, 및 소거하는 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6477135B1 (en) * | 1998-03-26 | 2002-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for recording and reproduction information thereon |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02113453A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-25 | Hitachi Ltd | 光ディスク |
| JPH03292630A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-24 | Hitachi Ltd | 情報の記録方法 |
| US5234737A (en) * | 1991-01-28 | 1993-08-10 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Phase change optical recording medium |
| JPH05109113A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Nec Corp | 相変化型光デイスク |
| JPH05144082A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体と光記録媒体用保護膜 |
| JPH05205316A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-08-13 | Nippondenso Co Ltd | 書き換え可能な光情報記録媒体 |
| US5419937A (en) * | 1991-12-12 | 1995-05-30 | U.S. Philips Corporation | Optical record carrier |
| JPH05286249A (ja) * | 1992-02-10 | 1993-11-02 | Hitachi Ltd | 情報記録用媒体 |
| JP2709887B2 (ja) * | 1992-06-12 | 1998-02-04 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| JP3156418B2 (ja) * | 1993-02-02 | 2001-04-16 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録媒体及び光学情報記録再生方法 |
-
1996
- 1996-07-29 JP JP19900096A patent/JPH1049915A/ja active Pending
-
1997
- 1997-07-28 US US08/901,271 patent/US5962100A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100342640B1 (ko) * | 1999-01-11 | 2002-07-04 | 가네꼬 히사시 | 광학적 정보 기록 매체 및 광학적 정보 기록 매체 상의정보를 기록, 재생, 및 소거하는 방법 |
| US6606293B1 (en) | 1999-01-11 | 2003-08-12 | Nec Corporation | Optical information recording medium and methods for recording, reading, and erasing information thereupon |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5962100A (en) | 1999-10-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU758976B2 (en) | Optical recording medium | |
| JP4834666B2 (ja) | 情報記録媒体およびその製造方法 | |
| CA2298456C (en) | Optical recording medium | |
| JP2001243655A (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置 | |
| US6660451B1 (en) | Optical information recording medium | |
| JPH06243507A (ja) | 光情報キャリア | |
| US6638594B1 (en) | Rewritable optical information recording medium | |
| JP2000215516A (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、その記録再生方法および記録再生装置 | |
| KR100854953B1 (ko) | 재기록가능한 광학 데이터 저장매체와 이 매체의 용도 | |
| JP2002074742A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH1049915A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP4227278B2 (ja) | 情報記録媒体とその製造方法およびその記録再生方法 | |
| JP3031135B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP2002329348A (ja) | 光学記録媒体 | |
| JP4308741B2 (ja) | 情報記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3908682B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、並びにその記録再生方法 | |
| JP4542922B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法 | |
| JP2003091875A (ja) | 相変化型光情報記録媒体、光情報記録再生装置及び方法、並びに光学フィルター | |
| JP4086689B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法 | |
| JP2004025801A (ja) | 相変化型情報記録媒体 | |
| JPH04228126A (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JPWO2006112165A1 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法 | |
| JP3180559B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体及び記録方法 | |
| KR100698167B1 (ko) | 상변화형 광 디스크 | |
| JPH11185289A (ja) | 追記型光学情報記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050222 |