JP4834666B2 - 情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)ターゲット交換の間、生産がストップするため、生産稼働率が低下する。
(2)ターゲット交換に伴う成膜室の開放により、成膜室内に真空排気してもなかなか排気されない微量の水分が残存する。さらに、この水分が、ターゲット交換した成膜室だけでなく、メインチャンバーを介してつながっている他の成膜室にも、影響を及ぼす。成膜室中の残留水分は、僅かであっても、特に、記録再生特性を主に支配する記録層及びそれに接する誘電体層の膜質に大きく影響し、ひいては媒体の特性に悪影響を与え得る。また、残留水分の影響は、高倍速対応の媒体において、より大きくなる。
前記誘電体層1aおよび2aは記録層aと接しており、かつ前記誘電体層1bおよび2bは記録層bと接しており、
前記誘電体層1aおよび前記誘電体層1bが、酸素原子、窒素原子およびフッ素原子から選択される少なくとも1つの原子を含み、かつ、酸素原子を含むときには、Al、Si、Cr、Ta、Mo、W、Zr、およびHfから選択される少なくとも1つの元素を含み、窒素原子を含むときには、Al、B、Ge、Si、Ti、およびZrから選択される少なくとも1つの原子を含み、フッ素原子を含むときには、Dy、Er、Eu、Ce、Bi、およびLaから選択される少なくとも1つの元素を含み、
前記誘電体層2aおよび前記誘電体層2bが、Zr、Si、Cr、In、Ga、およびHfから選択される少なくとも1つの元素、および酸素原子を含み、
前記誘電体層1aの組成が前記誘電体層1bの組成と同じであり、前記記録層aの組成が前記記録層bの組成と同じであり、かつ前記誘電体層2aの組成が前記誘電体層2bの組成と同じであり、
記録再生に使用する光の波長における、前記誘電体層1aの屈折率をn1a、前記誘電体層2aの屈折率をn2a、および前記高屈折率層の屈折率をn3aとしたときに、n1a<n3aおよびn2a<n3aを満たす、情報記録媒体を提供する。
誘電体層1aおよび1bを、同じ組成のターゲットを用いて形成し、
記録層aおよびbを、同じ組成のターゲットを用いて形成し、
誘電体層2aおよび2bを、同じ組成のターゲットを用いて形成することを特徴とする。この製造方法によれば、例えば、1つの成膜室において、ターゲット交換をすることなく、誘電体層1aおよび1bを形成することができ、別の共通する成膜室において、ターゲット交換をすることなく、記録層aおよびbを形成することができ、さらに別の共通する成膜室において、ターゲット交換をすることなく、誘電体層2aおよび2bを形成することができ、製造効率を高くし得る。
本発明の実施の形態1として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を実施する、ディスク形状の情報記録媒体(光ディスク)の一例を説明する。図4は、その情報記録媒体の一部断面を示す。
(MO2)A(Cr2O3)100−A(mol%) (1)
(式中、MはZrおよびHfの一方または両方を示し、Aは20≦A≦80である)
(MO2)B(Cr2O3)C(SiO2)100-B-C(mol%) (2)
(式中、MはZrおよびHfの一方または両方を示し、BおよびCはそれぞれ、20≦B≦70および20≦C≦60の範囲内にあり、且つ60≦B+C≦90である)
(D)x(SiO2)y(Cr2O3)z(LaF3)100-x-y-z(mol%) (3)
(式中、DはZrO2、HfO2およびTa2O5から選択される少なくとも1つの酸化物を示し、x、yおよびzは、20≦x≦70、10≦y≦50、10≦z≦60、50≦x+y+z≦90を満たす)
(Ta2O5)H(SiO2)100-H(mol%) (4)
(式中、Hは、20≦H≦80である)
(In2O3)I(CeF3)100-I(mol%) (5)
(式中、Iは、20≦I≦80を満たす)
(MO2)E(SiO2)F(M’O2)100-E-F(mol%) (6)
(式中、MはZrおよびHfの一方または両方を示し、M’は、GaおよびInのいずれか一方または両方を示し、EおよびFはそれぞれ、10≦E≦80および10≦F≦70の範囲内にあり、且つ20≦E+F≦90である)
(MO2)J(M’O2)K(Cr2O3)100−J−K(mol%) (7)
(式中、MはZrおよびHfの一方または両方を示し、M’は、GaおよびInのいずれか一方または両方を示し、JおよびKはそれぞれ、10≦J≦80および10≦K≦70の範囲内にあり、且つ20≦J+K≦90である)
(MO2)G(M’2O3)100−G(mol%) (8)
(式中、MはZrおよびHfの一方または両方を示し、M’は、GaおよびInのいずれか一方または両方を示し、Gは20≦G≦80である)
GeaBibTedM”100−a−b−d(at%) (11)
(式中、M”はAl、GaおよびInから選択される少なくとも一つの元素を示し、a,bおよびdは、25≦a≦60、0<b≦18、35≦d≦55、82≦a+b+d<100を満たす)
で表わされる、Ge−Bi−Te−M”系材料を含むことが好ましい。この材料を含む記録層は、特に、前記特定の化合物(または元素)を含む誘電体層1および2とともに、誘電体層1/記録層/誘電体層2の各層の組成を、情報層aおよび情報層bにおいて共通させるのに適している。
(GeTe)u[(M”2Te3)v(Bi2Te3)1-v]100-u(mol%) (12)
(式中、M”はAl、GaおよびInから選択される少なくとも一つの元素を示し、uおよびvは、80≦u<100、0<v≦0.9を満たす)
GeaSnfBibTedM100−a−b−d−f(原子%) (13)
(式中、MはAl、GaおよびInから選択される少なくとも一つの元素を示し、a、b、dおよびfは、25≦a≦60、0<b≦18、35≦d≦55、0<f≦15、82≦a+b+d<100、82<a+b+d+f<100を満たす)
[(SnTe)t(GeTe)1−t]u[(M2Te3)v(Bi2Te3)1−v]100−u(mol%) (14)
(式中、MはAl、GaおよびInから選択される少なくとも一つの元素を示し、u、vおよびtは、80≦u<100、0<v≦0.9、0<t≦0.3を満たす)
本発明の情報記録媒体の別の形態を、その一部断面を示す図1を参照して説明する。図1に示す記録媒体も、図4に示す媒体と同様に、基板4、ならびに基板4の一方の表面に、情報層bとしての第1の情報層1、光学分離層9、情報層aとしての第2の情報層2、およびカバー層13がこの順に形成された構成を有する。図1において、情報の記録および再生を行うレーザ光3はカバー層14側から入射される。第1の情報層1は、反射層5、誘電体層6、記録層7、および誘電体層8を有し、第2の情報層2は、反射層10、誘電体層11、記録層12、および誘電体層13を有する。
図4に示す構成の記録媒体を製造した。基板40として、表面に、ピッチ(グルーブ−グルーブ間の距離)が約0.32μm、溝深さが20nmの凹凸の案内溝が形成された直径120mm、厚さ1.1mmのポリカーボネート基板を用意した。その上に第1の情報層41を形成した。具体的には、反射層45として厚さ100nmのAgを90at%以上含む合金の層を、誘電体層46として厚さ25nmのZnS−20mol%SiO2の層を、界面層47として厚さ2nmのCの層を、記録層48として厚さ12nmのGe43.5Sb7Te49.5の層を、界面層49として厚さ5nmのZrO2−50mol%Cr2O3の層を、誘電体層50として厚さ65nmのZnS−20mol%SiO2の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。
図4に示す構成に類似する構成の記録媒体を製造した。基板40として、試料1の製造に使用したものと同じポリカーボネート基板を用意した。その上に第1の情報層41を形成した。具体的には、反射層45として厚さ100nmのAgを90at%以上含む合金の層を、誘電体層46として厚さ25nmのZrO2−50mol%Cr2O3の層を、記録層48として厚さ12nmのGe45Sb4Te51の層を、界面層49として厚さ5nmのZrO2−50mol%Cr2O3の層を、誘電体層50として厚さ65nmのZnS−20mol%SiO2の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。続いて、第1の情報層41の上に、試料1の製造で採用した手順と同様の手順に従って、厚さ25μmの光学分離層42を形成した。
図4に示す構成の記録媒体を製造した。基板40として、試料1の製造に使用したものと同じポリカーボネート基板を用意した。その上に第1の情報層41を形成した。具体的には、反射層45として厚さ80nmのAgを90at%以上含む合金の層を、誘電体層46として厚さ13nmのSnO2−15mol%SiCの層を、界面層47として厚さ5nmのZrO2−15mol%SiO2−70mol%Ga2O3の層を、記録層48として厚さ12nmのGe40Bi4Te51Sn5の層を、界面層49として厚さ5nmのZrO2−50mol%Cr2O3の層を、誘電体層50として厚さ60nmのZnS−20mol%SiO2の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。続いて、第1の情報層41の上に、試料1の製造で採用した手順と同様の手順に従って、厚さ25μmの光学分離層42を形成した。
図4に示す構成に類似する構成の記録媒体を製造した。基板40として、試料1の製造に使用したものと同じポリカーボネート基板を用意した。その上に第1の情報層41を形成した。具体的には、反射層45として厚さ80nmのAgを90at%以上含む合金の層を、誘電体層46として厚さ23nmのZrO2−50mol%In2O3の層を、記録層48として厚さ12nmのGe43Bi4Te51In2の層を、界面層49として厚さ5nmのZrO2−50mol%Cr2O3の層を、誘電体層50として厚さ60nmのZnS−20mol%SiO2の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。続いて、第1の情報層41の上に、試料1の製造で採用した手順と同様の手順に従って、厚さ25μmの光学分離層42を形成した。
図4に示す構成に類似する構成の記録媒体を製造した。基板40として、試料1の製造に使用したものと同じポリカーボネート基板を用意した。その上に第1の情報層41を形成した。具体的には、反射層45として厚さ160nmのAlを90at%以上含む合金の層を、誘電体層46として厚さ23nmのZrO2−50mol%In2O3の層を、記録層48として厚さ12nmのGe43Bi4Te51In2の層を、界面層49として厚さ5nmのZrO2−50mol%Cr2O3の層を、誘電体層50として厚さ60nmのZnS−20mol%SiO2の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。続いて、第1の情報層41の上に、試料1と同様の手順に従って、厚さ25μmの光学分離層42を形成した。
(1)第1の情報層(情報層b)の誘電体層4b、誘電体層2bおよび記録層bの組成が、第2の情報層(情報層a)の誘電体層4a、誘電体層2aおよび記録層aの組成とはそれぞれ異なり、3つのスパッタリングターゲットを交換して製造した試料1は、第1の情報層を形成した後、要求される基準を満たすまで時間を多く要した。具体的には、試料1の第1の情報層41を形成してから、1.5時間後から3.5時間後までは、記録パワーマージンが10%以下であり、基準を満たしていなかった。また、4時間後でも、試料1の記録パワーマージンは20%に達しなかった。
(4)ターゲット交換を行っていない試料4については、第1の情報層を形成してから、0.5時間後には、パワーマージンが20%以上となり、良好な特性が得られた。
(5)2つの情報層の反射層の組成が互いに異なるためにターゲット交換した試料5については、第1の情報層を形成してから、1.5時間後にはパワーマージンが15%以上となり、良好な特性が得られた。
図4に示す構成の媒体を製造した。基板40として、試料1の製造に使用したものと同じポリカーボネート基板を用意した。その上に第1の情報層41を形成した。具体的には、反射層45として厚さ80nmのAgを90at%以上含む合金の層を、誘電体層46として厚さ20nmのZnS−20mol%SiO2の層を、界面層47して厚さ5nmのGeNの層を、記録層48として厚さ12nmのGe43Bi4Te51In2の層を、界面層49として厚さ5nmのZrO2−50mol%Cr2O3の層を、誘電体層50として厚さ60nmのZnS−20mol%SiO2の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。続いて、第1の情報層41の上に、試料1の製造で採用した手順と同様の手順に従って、厚さ25μmの光学分離層42を形成した。
Claims (16)
- それぞれ記録層を有する少なくとも2つの情報層を含み、各記録層が光学的に検出可能な相変化を生じ得る情報記録媒体であって、光の入射側に近い方を情報層a、遠い方を情報層bとしたとき、前記情報層aは、光が入射する側に近い方から、誘電体層1a、記録層a、誘電体層2a、反射層aおよび高屈折率層aをこの順に少なくとも有し、前記情報層bは、光が入射する側に近い方から、誘電体層1b、記録層b、誘電体層2b、および反射層bをこの順に少なくとも有し、
前記誘電体層1aおよび2aは記録層aと接しており、かつ前記誘電体層1bおよび2bは記録層bと接しており、
前記誘電体層1aおよび前記誘電体層1bが、酸素原子、窒素原子およびフッ素原子から選択される少なくとも1つの原子を含み、かつ、酸素原子を含むときには、Al、Si、Cr、Ta、Mo、W、Zr、およびHfから選択される少なくとも1つの元素を含み、窒素原子を含むときには、Al、B、Ge、Si、Ti、およびZrから選択される少なくとも1つの原子を含み、フッ素原子を含むときには、Dy、Er、Eu、Ce、Bi、およびLaから選択される少なくとも1つの元素を含み、
前記誘電体層2aおよび前記誘電体層2bが、Zr、Si、Cr、In、Ga、およびHfから選択される少なくとも1つの元素、および酸素原子を含み、
前記誘電体層1aの組成が前記誘電体層1bの組成と同じであり、前記記録層aの組成が前記記録層bの組成と同じであり、かつ前記誘電体層2aの組成が前記誘電体層2bの組成と同じであり、
記録再生に使用する光の波長における、前記誘電体層1aの屈折率をn1a、前記誘電体層2aの屈折率をn2a、および前記高屈折率層の屈折率をn3aとしたときに、n1a<n3aおよびn2a<n3aを満たす、
情報記録媒体。 - 前記誘電体層1aおよび前記誘電体層1bが、Al、Si、Cr、Ta、Mo、W、Zr、およびHfの酸化物、Al、B、Ge、Si、Ti、およびZrの窒化物、Dy、Er、Eu、Ce、Bi、およびLaのフッ化物から選ばれる、少なくとも1つの化合物を含み、前記誘電体層2aおよび前記誘電体層2bが、Zr、Si、Cr、In、Ga、およびHfの酸化物から選ばれる、少なくとも1つの化合物を含み、請求項1に記載の情報記録媒体。
- 前記反射層aの組成が前記反射層bの組成と同じである、請求項1に記載の情報記録媒体。
- 前記反射層aの厚さが、前記反射層bの厚さよりも小さい、請求項3に記載の情報記録媒体。
- 前記反射層aおよび前記反射層bは、Ag、AlおよびAuから選ばれる少なくとも1つの元素を90at%以上含む、請求項3または4に記載の情報記録媒体。
- 前記誘電体層1aと前記誘電体層1bとの組み合わせ、前記記録層aと前記記録層bの組み合わせ、および前記誘電体層2aと前記誘電体層2bとの組み合わせから選択される、少なくとも1つの組み合わせにおいて、層の厚さが互いに異なる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の情報記録媒体。
- 前記記録層aの厚さが、前記記録層bの厚さよりも小さい、請求項1〜6のいずれか1項に記載の情報記録媒体。
- 前記誘電体層1aの前記記録層aと接する側とは反対の側に接している、誘電体層3a、および前記誘電体層1bの前記記録層bと接する側とは反対の側に接している、誘電体層3bをさらに含み、前記誘電体層3aの組成が前記誘電体層3bの組成と同じである、請求項1〜7のいずれか1項に記載の情報記録媒体。
- 前記高屈折率層は、好ましくは、TiおよびNbから選択される少なくとも1つの元素、ならびに酸素原子および窒素原子のいずれか一方または両方を含む、請求項1に記載の情報記録媒体。
- 前記記録層aおよび前記記録層bは、TeおよびGeを含む、請求項1〜9のいずれか1項に記載の情報記録媒体。
- 前記記録層aおよび前記記録層bは、In、Bi、Sn、Ag、Sb、GaおよびAlから選ばれる少なくとも1つの元素をさらに含む、請求項10に記載の情報記録媒体。
- 前記記録層aおよび前記記録層bが、下記の式(11)
GeaBibTedM”100−a−b−d(at%) (11)
(式中、M”はAl、GaおよびInから選択される少なくとも一つの元素を示し、a,bおよびdは、25≦a≦60、0<b≦18、35≦d≦55、82≦a+b+d<100を満たす)
で表わされる、Ge−Bi−Te−M”系材料を含む、請求項11に記載の情報記録媒体。 - 前記情報層の数が2である、請求項1〜12のいずれか1項に記載の情報記録媒体。
- 前記情報層aおよび前記情報層bが連続している、請求項1〜12のいずれか1項に記載の情報記録媒体。
- それぞれ記録層を有する少なくとも2つの情報層を含み、各記録層が光学的に検出可能な相変化を生じ得る情報記録媒体であって、光の入射側に近い方を情報層a、遠い方を情報層bとしたとき、前記情報層aは、光が入射する側に近い方から、誘電体層1a、記録層a、誘電体層2a、反射層aおよび高屈折率層aをこの順に少なくとも有し、前記情報層bは、光が入射する側に近い方から、誘電体層1b、記録層b、誘電体層2b、および反射層bをこの順に少なくとも有し、前記誘電体層1aおよび2aは記録層aと接しており、かつ前記誘電体層1bおよび2bは記録層bと接しており、前記誘電体層1aおよび前記誘電体層1bが、酸素原子、窒素原子およびフッ素原子から選択される少なくとも1つの原子を含み、かつ、酸素原子を含むときには、Al、Si、Cr、Ta、Mo、W、Zr、およびHfから選択される少なくとも1つの元素を含み、窒素原子を含むときには、Al、B、Ge、Si、Ti、およびZrから選択される少なくとも1つの原子を含み、フッ素原子を含むときには、Dy、Er、Eu、Ce、Bi、およびLaから選択される少なくとも1つの元素を含み、前記誘電体層2aおよび前記誘電体層2bが、Zr、Si、Cr、In、Ga、およびHfから選択される少なくとも1つの元素、および酸素原子を含み、前記誘電体層1aの組成が前記誘電体層1bの組成と同じであり、前記記録層aの組成が前記記録層bの組成と同じであり、かつ前記誘電体層2aの組成が前記誘電体層2bの組成と同じであり、かつ記録再生に使用する光の波長における、前記誘電体層1aの屈折率をn1a、前記誘電体層2aの屈折率をn2a、および前記高屈折率層の屈折率をn3aとしたときに、n1a<n3aおよびn2a<n3aを満たす、情報記録媒体を製造する方法であって、
前記誘電体層1a、前記記録層aおよび前記誘電体層2a、前記誘電体層1b、前記記録層bおよび前記誘電体層2b、および前記高屈折率層aを、それぞれスパッタリング法、蒸着法およびCVD法から選択されるいずれか一つの方法で形成することを含み、
前記誘電体層1aおよび前記誘電体層1bを、同じ組成のターゲットを用いて形成し、
前記記録層aおよび前記記録層bを、同じ組成のターゲットを用いて形成し、
前記誘電体層2aおよび前記誘電体層2bを、同じ組成のターゲットを用いて形成する、
製造方法。 - 前記反射層aおよび前記反射層bを、同じ組成のターゲットを用いて形成することをさらに含む、請求項15に記載の製造方法。
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---|---|---|---|---|
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JP2010192025A (ja) | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Sony Corp | 光情報記録媒体 |
JP5569221B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2014-08-13 | ソニー株式会社 | 光記録媒体 |
WO2012120817A1 (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体とその製造方法 |
JP6261987B2 (ja) | 2013-01-16 | 2018-01-17 | 日東電工株式会社 | 透明導電フィルムおよびその製造方法 |
JP6261988B2 (ja) * | 2013-01-16 | 2018-01-17 | 日東電工株式会社 | 透明導電フィルムおよびその製造方法 |
JP6215062B2 (ja) | 2013-01-16 | 2017-10-18 | 日東電工株式会社 | 透明導電フィルムの製造方法 |
CN104919541B (zh) | 2013-01-16 | 2017-05-17 | 日东电工株式会社 | 透明导电性薄膜及其制造方法 |
JP2014216038A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | ソニー株式会社 | 光記録媒体 |
CN105849807B (zh) * | 2013-12-23 | 2018-10-23 | 牛津大学科技创新有限公司 | 光学装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004265540A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
JP2004327016A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-18 | Tdk Corp | 光記録ディスク |
JP2005081795A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Ricoh Co Ltd | 相変化型光情報記録媒体とその製造方法 |
JP2005302264A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-10-27 | Ricoh Co Ltd | 相変化型光情報記録媒体及び2層相変化型光情報記録媒体 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001266402A (ja) | 2000-03-24 | 2001-09-28 | Toshiba Corp | 片面2層の光ディスク |
JP3639218B2 (ja) | 2001-03-30 | 2005-04-20 | 株式会社東芝 | 相変化光記録媒体 |
DE60302378T2 (de) * | 2002-03-22 | 2006-08-03 | Ricoh Co. | Optisches Aufzeichnungsmedium und zugehöriges Aufzeichnungsverfahren |
US20040202097A1 (en) | 2003-04-08 | 2004-10-14 | Tdk Corporation | Optical recording disk |
JP2005122872A (ja) | 2003-09-22 | 2005-05-12 | Ricoh Co Ltd | 2層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 |
EP1726010A4 (en) | 2004-03-18 | 2009-03-04 | Ricoh Kk | OPTICAL RECORDING MEDIUM AND BICOULE OPTICAL RECORDING MEDIUM, RECORDING AND REPRODUCING METHOD, AND RECORDING AND REPRODUCING APPARATUS USING MEDIA |
-
2006
- 2006-07-06 WO PCT/JP2006/313474 patent/WO2007013276A1/ja active Application Filing
- 2006-07-06 CN CNA200680026165XA patent/CN101223591A/zh active Pending
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004265540A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
JP2004327016A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-18 | Tdk Corp | 光記録ディスク |
JP2005081795A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Ricoh Co Ltd | 相変化型光情報記録媒体とその製造方法 |
JP2005302264A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-10-27 | Ricoh Co Ltd | 相変化型光情報記録媒体及び2層相変化型光情報記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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