JP3031135B2 - 光学的情報記録用媒体 - Google Patents
光学的情報記録用媒体Info
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- JP3031135B2 JP3031135B2 JP5251824A JP25182493A JP3031135B2 JP 3031135 B2 JP3031135 B2 JP 3031135B2 JP 5251824 A JP5251824 A JP 5251824A JP 25182493 A JP25182493 A JP 25182493A JP 3031135 B2 JP3031135 B2 JP 3031135B2
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- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光などの照射に
より、情報を記録、消去、再生可能な光学的情報記録用
媒体に関する。特に従来のＣＤ専用ドライブにより直接
再生可能な光学的情報記録用媒体に関する。
より、情報を記録、消去、再生可能な光学的情報記録用
媒体に関する。特に従来のＣＤ専用ドライブにより直接
再生可能な光学的情報記録用媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクには再生専用型、光記録可能
型、書換可能型があり、再生専用型はビデオディスク、
オーディオディスク、さらには大容量コンピューター用
ディスクメモリーとしてすでに実用化している。これら
の内で音楽等のオーディオ再生用として、コンパクトデ
ィスク（ＣＤ）が広く普及している。コンパクトディス
ク（ＣＤ）は、ＣＤフォーマット化されたＥＦＭ（Ｅｉ
ｇｈｔ ｔｏ Ｆｏｕｒｔｅｅｎ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏ
ｎ）信号の孔（ピット）をプラスチックからなる基板に
転写し、その上にアルミニウム等の金属からなる反射膜
および保護層を設けている。
型、書換可能型があり、再生専用型はビデオディスク、
オーディオディスク、さらには大容量コンピューター用
ディスクメモリーとしてすでに実用化している。これら
の内で音楽等のオーディオ再生用として、コンパクトデ
ィスク（ＣＤ）が広く普及している。コンパクトディス
ク（ＣＤ）は、ＣＤフォーマット化されたＥＦＭ（Ｅｉ
ｇｈｔ ｔｏ Ｆｏｕｒｔｅｅｎ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏ
ｎ）信号の孔（ピット）をプラスチックからなる基板に
転写し、その上にアルミニウム等の金属からなる反射膜
および保護層を設けている。
【０００３】ＣＤからの情報の読みとりは、半導体レー
ザービームを基板側から入射させて光ディスクに照射す
ることにより行われ、ピットの有無による反射率変化に
よってＣＤフォーマット信号等が読み取られる。この
際、従来のＣＤは７０％以上の高い反射率と６０％以上
の変調度を有することが特徴である。しかし、この再生
専用ＣＤでは情報の記録・編集、あるいは書換等はでき
ない。
ザービームを基板側から入射させて光ディスクに照射す
ることにより行われ、ピットの有無による反射率変化に
よってＣＤフォーマット信号等が読み取られる。この
際、従来のＣＤは７０％以上の高い反射率と６０％以上
の変調度を有することが特徴である。しかし、この再生
専用ＣＤでは情報の記録・編集、あるいは書換等はでき
ない。
【０００４】また、ソフトウェア、データファイル、静
止画像等のファイルにおいてもＣＤ−ＲＯＭ（Ｒｅａｄ
ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）またはＣＤ−Ｉ（ｉｎｔｅ
ｒａｃｔｉｖｅ）用の光記録・消去可能な光ディスクが
望まれている。一方、光記録可能型の代表的なものには
孔あけ・変形型、光磁気型と相変化型がある。孔あけ・
変形型としてはＴｅ等の低融点金属または染料等の記録
層が用いられ、レーザー光照射により局所的に加熱さ
れ、孔もしくは凹部が形成される。
止画像等のファイルにおいてもＣＤ−ＲＯＭ（Ｒｅａｄ
ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）またはＣＤ−Ｉ（ｉｎｔｅ
ｒａｃｔｉｖｅ）用の光記録・消去可能な光ディスクが
望まれている。一方、光記録可能型の代表的なものには
孔あけ・変形型、光磁気型と相変化型がある。孔あけ・
変形型としてはＴｅ等の低融点金属または染料等の記録
層が用いられ、レーザー光照射により局所的に加熱さ
れ、孔もしくは凹部が形成される。
【０００５】実際上そのような孔あけ型には記録層上に
空隙が存在しなければならない。このため２枚のディス
クを互いに向かい合わせてスペーサーを用いて貼り合わ
せ、記録層間に間隙を設けるようにする。当然のことな
がらこのような貼り合わせ構造のディスクでは現在普及
しているＣＤ用ドライブには装着不可能である。
空隙が存在しなければならない。このため２枚のディス
クを互いに向かい合わせてスペーサーを用いて貼り合わ
せ、記録層間に間隙を設けるようにする。当然のことな
がらこのような貼り合わせ構造のディスクでは現在普及
しているＣＤ用ドライブには装着不可能である。
【０００６】光磁気型は記録層の磁化の向きにより記録
や消去を行い、磁気光学効果によって再生を行うため反
射率の差を利用する従来型のＣＤ用ドライブでは再生不
可能である。ＣＤフォーマット信号の記録をおこなうデ
ィスクとしては、基板上に色素または色素を含むポリマ
ー等からなる記録層を有する光ディスク、および該光デ
ィスクを用いる光情報記録方法が提案されている（特開
昭６１ー２３７２３９号、６１ー２３３９４３号）がこ
れらの光ディスクは書換可能にはなりえない。
や消去を行い、磁気光学効果によって再生を行うため反
射率の差を利用する従来型のＣＤ用ドライブでは再生不
可能である。ＣＤフォーマット信号の記録をおこなうデ
ィスクとしては、基板上に色素または色素を含むポリマ
ー等からなる記録層を有する光ディスク、および該光デ
ィスクを用いる光情報記録方法が提案されている（特開
昭６１ー２３７２３９号、６１ー２３３９４３号）がこ
れらの光ディスクは書換可能にはなりえない。
【０００７】これに対し、相変化型は相変化前後で反射
率が変化することを利用するものであり、外部磁界を必
要とせず反射率の違いで再生を行うという点でＣＤと共
通している。さらに、レーザー光のパワーを変調するだ
けで、記録・消去が可能であり、消去と再記録を単一ビ
ームで同時に行う、１ビームオーバーライトも可能であ
るという利点を有する。
率が変化することを利用するものであり、外部磁界を必
要とせず反射率の違いで再生を行うという点でＣＤと共
通している。さらに、レーザー光のパワーを変調するだ
けで、記録・消去が可能であり、消去と再記録を単一ビ
ームで同時に行う、１ビームオーバーライトも可能であ
るという利点を有する。
【０００８】１ビームオーバーライト可能な相変化記録
方式では、記録膜を非晶質化させることによって記録ビ
ットを形成し、結晶化させることによって消去を行う場
合が一般的である。このような、相変化記録方式に用い
られる記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用
いることが多い。例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−
Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金
薄膜等が挙げられる。
方式では、記録膜を非晶質化させることによって記録ビ
ットを形成し、結晶化させることによって消去を行う場
合が一般的である。このような、相変化記録方式に用い
られる記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用
いることが多い。例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−
Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金
薄膜等が挙げられる。
【０００９】通常は記録層の変形等からの保護、酸化等
の変質からの保護、さらには干渉効果利用のために記録
層の上下に誘電体保護層を設ける。また冷却速度の調整
や干渉効果利用のため記録層上部の誘電体層上に反射層
を設ける層構成がよく用いられる。すなわち基板上に誘
電体保護層、相転移型記録層、誘電体保護層、反射層を
順次設けた層構成が一般的である。
の変質からの保護、さらには干渉効果利用のために記録
層の上下に誘電体保護層を設ける。また冷却速度の調整
や干渉効果利用のため記録層上部の誘電体層上に反射層
を設ける層構成がよく用いられる。すなわち基板上に誘
電体保護層、相転移型記録層、誘電体保護層、反射層を
順次設けた層構成が一般的である。
【００１０】なお、書換え型とほとんど同じ材料・層構
成により、追記型の相変化媒体も実現できる。この場
合、可逆性が無いという点でより長期にわたって情報を
記録・保存でき、原理的にはほぼ半永久的な保存が可能
である。
成により、追記型の相変化媒体も実現できる。この場
合、可逆性が無いという点でより長期にわたって情報を
記録・保存でき、原理的にはほぼ半永久的な保存が可能
である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
一般的層構成の相変化光ディスクは反射率が低くＣＤ用
ドライブでは再生できない。記録層上下の誘電体層の膜
厚を変化させることにより反射率を大きくすることは可
能であるが、そのときは充分な変調度を得ることはでき
ない。
一般的層構成の相変化光ディスクは反射率が低くＣＤ用
ドライブでは再生できない。記録層上下の誘電体層の膜
厚を変化させることにより反射率を大きくすることは可
能であるが、そのときは充分な変調度を得ることはでき
ない。
【００１２】さらに、ＣＤ用ドライブで再生するために
は未記録部で反射率が高いことが必要であるので、初期
化が必要なＧｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化媒体
の場合は結晶状態の反射率を高くする必要があるが、高
反射率では吸収係数（複素屈折率の虚数部）の小さいア
モルファス状態の反射率が大きくなる傾向にある。記録
層下部の誘電体層を２層にして反射率を上げる試みが提
案されている（特開平１ー２７３２４）が、反射率およ
びコントラストが充分であるとはいえない。
は未記録部で反射率が高いことが必要であるので、初期
化が必要なＧｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化媒体
の場合は結晶状態の反射率を高くする必要があるが、高
反射率では吸収係数（複素屈折率の虚数部）の小さいア
モルファス状態の反射率が大きくなる傾向にある。記録
層下部の誘電体層を２層にして反射率を上げる試みが提
案されている（特開平１ー２７３２４）が、反射率およ
びコントラストが充分であるとはいえない。
【００１３】さらに反射率が大きくなると記録層に吸収
される熱エネルギーは小さくなるため感度が悪化し、多
大なレーザーパワーが必要となる。
される熱エネルギーは小さくなるため感度が悪化し、多
大なレーザーパワーが必要となる。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に少な
くとも屈折率の異なる２層以上の誘電体中間層、相転移
型光記録層、誘電体層、反射層を順次積層してなる光学
的情報記録用媒体において、相転移型光記録層は膜厚１
０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の（ＧｅＴｅ）1-XαX（ｘは０
〜０．１の数を表し、αはＳｂ、Ｓｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｉ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉの少なくとも１種を表す）からな
り、かつ、誘電体中間層による使用レーザー波長におけ
る反射率（計算値）が３０％以上６０％以下で、ディス
ク鏡面部における記録層が結晶状態にある時の媒体の反
射率が６５％以上、結晶状態とアモルファス状態の反射
率差が３５％以上であることを特徴とする光学的情報記
録用媒体に存する。
くとも屈折率の異なる２層以上の誘電体中間層、相転移
型光記録層、誘電体層、反射層を順次積層してなる光学
的情報記録用媒体において、相転移型光記録層は膜厚１
０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の（ＧｅＴｅ）1-XαX（ｘは０
〜０．１の数を表し、αはＳｂ、Ｓｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｉ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉの少なくとも１種を表す）からな
り、かつ、誘電体中間層による使用レーザー波長におけ
る反射率（計算値）が３０％以上６０％以下で、ディス
ク鏡面部における記録層が結晶状態にある時の媒体の反
射率が６５％以上、結晶状態とアモルファス状態の反射
率差が３５％以上であることを特徴とする光学的情報記
録用媒体に存する。
【００１５】記録層にＧｅＴｅ付近の組成を用いる場
合、高反射率、高コントラスト達成のためには、基板と
記録層の間にある程度の反射率をもつ中間層を設けるこ
とが必要である。中間層の反射率が３０％より小さいと
きは記録層膜厚は３０ｎｍより厚くする必要があり、中
間層反射率が大きくなると記録層膜厚はより薄くても高
反射率、高コントラストが達成される。
合、高反射率、高コントラスト達成のためには、基板と
記録層の間にある程度の反射率をもつ中間層を設けるこ
とが必要である。中間層の反射率が３０％より小さいと
きは記録層膜厚は３０ｎｍより厚くする必要があり、中
間層反射率が大きくなると記録層膜厚はより薄くても高
反射率、高コントラストが達成される。
【００１６】記録感度の面では記録層膜厚が薄い方が好
ましいため、中間層反射率はある程度大きい方が好まし
い。中間層としては、屈折率の異なる２種類以上の誘電
体を積み重ねることが好ましい。この場合、誘電体の層
数を多くすれば中間層反射率を上げることができるが、
中間層反射率が大きすぎると高コントラストをとること
ができなくなり、また、作製プロセスを簡単にするため
や、界面でのはがれ等を少なくするためには誘電体中間
層の層数は少ない方が好ましい。
ましいため、中間層反射率はある程度大きい方が好まし
い。中間層としては、屈折率の異なる２種類以上の誘電
体を積み重ねることが好ましい。この場合、誘電体の層
数を多くすれば中間層反射率を上げることができるが、
中間層反射率が大きすぎると高コントラストをとること
ができなくなり、また、作製プロセスを簡単にするため
や、界面でのはがれ等を少なくするためには誘電体中間
層の層数は少ない方が好ましい。
【００１７】このため、中間層反射率は３０％から６０
％が好ましい。中間層として薄く設けた金属等を使用し
た場合、少ない層数で中間層反射率を大きくすることが
できるが、金属の熱伝導度は一般に大きいこと、また、
入射エネルギーを金属中間層が吸収すること等から、光
学的にも、感度的にも適当ではない。
％が好ましい。中間層として薄く設けた金属等を使用し
た場合、少ない層数で中間層反射率を大きくすることが
できるが、金属の熱伝導度は一般に大きいこと、また、
入射エネルギーを金属中間層が吸収すること等から、光
学的にも、感度的にも適当ではない。
【００１８】本発明で中間層に用いる誘電体としては、
種々の組み合わせが可能であり、屈折率、熱伝導率、化
学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定され
る。一般的には透明性が高く高融点であるＭｇ，Ｃａ，
Ｓｒ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，
Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣａ，Ｍｇ，Ｌｉ等
のフッ化物を用いることができる。
種々の組み合わせが可能であり、屈折率、熱伝導率、化
学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定され
る。一般的には透明性が高く高融点であるＭｇ，Ｃａ，
Ｓｒ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，
Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣａ，Ｍｇ，Ｌｉ等
のフッ化物を用いることができる。
【００１９】これらの酸化物、硫化物、窒化物、フッ化
物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率
等の制御のために組成を制御したり、混合して用いるこ
とも有効である。作製プロセスを簡単にするためや、界
面でのはがれ等を少なくするためには誘電体中間層の層
数は少ない方が好ましく、少ない層数で高反射率、高コ
ントラストを達成するためには屈折率差の大きな２種類
以上の誘電体を用いるとよい。
物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率
等の制御のために組成を制御したり、混合して用いるこ
とも有効である。作製プロセスを簡単にするためや、界
面でのはがれ等を少なくするためには誘電体中間層の層
数は少ない方が好ましく、少ない層数で高反射率、高コ
ントラストを達成するためには屈折率差の大きな２種類
以上の誘電体を用いるとよい。
【００２０】屈折率の比較的小さいものとしては、Ｃａ
Ｆ2、ＭｇＦ2、Ｎａ3ＡｌＦ6、ＳｉＯ2等があり、屈折
率の比較的大きいものとしては、ＴｉＯ2、ＺｎＳ、Ｔ
ａ2Ｏ5、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物等がある。誘電体中
間層の反射率を大きくするにはλ／４の光学膜厚（λは
レーザー波長）で各誘電体層を積み重ねると良いが、必
ずしもλ／４の光学膜厚である必要はなく、この膜厚か
らずらすことにより中間層反射率や反射率の波長依存性
の調整が可能である。
Ｆ2、ＭｇＦ2、Ｎａ3ＡｌＦ6、ＳｉＯ2等があり、屈折
率の比較的大きいものとしては、ＴｉＯ2、ＺｎＳ、Ｔ
ａ2Ｏ5、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物等がある。誘電体中
間層の反射率を大きくするにはλ／４の光学膜厚（λは
レーザー波長）で各誘電体層を積み重ねると良いが、必
ずしもλ／４の光学膜厚である必要はなく、この膜厚か
らずらすことにより中間層反射率や反射率の波長依存性
の調整が可能である。
【００２１】ここで誘電体中間層の反射率は、記録層直
下の誘電体層の膜厚が無限に厚いと仮定したときの反射
率として定義できる。すなわち誘電体の屈折率と膜厚と
から計算により求めることができる。基板上に１〜Ｎ層
の中間層が積層されている場合の反射率の計算方法を以
下に示す。式中基板複素屈折率をｎ0−ｉｋ0、第ｒ層複
素屈折率をｎr−ｉｋr、第ｒ層膜厚をｄｒとする。Ｂ、
Ｃを式１で表したとき、中間層反射率は式２のように求
められる。
下の誘電体層の膜厚が無限に厚いと仮定したときの反射
率として定義できる。すなわち誘電体の屈折率と膜厚と
から計算により求めることができる。基板上に１〜Ｎ層
の中間層が積層されている場合の反射率の計算方法を以
下に示す。式中基板複素屈折率をｎ0−ｉｋ0、第ｒ層複
素屈折率をｎr−ｉｋr、第ｒ層膜厚をｄｒとする。Ｂ、
Ｃを式１で表したとき、中間層反射率は式２のように求
められる。
【００２２】
【数１】
【００２３】
【数２】
【００２４】記録感度の面では記録層に接する誘電体層
は熱伝導率、比熱の小さい物質を厚くつけるとよいと考
えられる。書換特性に対して優れた保護効果をもち、熱
伝導率が小さい誘電体としてＺｎＳとＳｉＯ2の混合物
が好ましく、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20が特に好まし
い。通常相変化光記録層はＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴ
ｅ系等が用いられるが、屈折率変化の大きな材料がコン
トラストを大きくするために好ましい。
は熱伝導率、比熱の小さい物質を厚くつけるとよいと考
えられる。書換特性に対して優れた保護効果をもち、熱
伝導率が小さい誘電体としてＺｎＳとＳｉＯ2の混合物
が好ましく、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20が特に好まし
い。通常相変化光記録層はＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴ
ｅ系等が用いられるが、屈折率変化の大きな材料がコン
トラストを大きくするために好ましい。
【００２５】ＧｅＳｂＴｅ系に関しては、Ｓｂ2Ｔｅ3−
ＧｅＴｅライン上組成またはこの組成に少量のＳｂ等を
加えた組成が相変化記録に適しているが、屈折率変化の
面ではＧｅＴｅに近い方が良い。したがってＧｅＴｅを
ベースとする材料が好ましく、第３の元素を添加してビ
ット形状、結晶粒形、経時安定性、記録感度、光学物性
等を改善することも可能である。
ＧｅＴｅライン上組成またはこの組成に少量のＳｂ等を
加えた組成が相変化記録に適しているが、屈折率変化の
面ではＧｅＴｅに近い方が良い。したがってＧｅＴｅを
ベースとする材料が好ましく、第３の元素を添加してビ
ット形状、結晶粒形、経時安定性、記録感度、光学物性
等を改善することも可能である。
【００２６】第３元素としてＳｂ、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｔｅ、
Ｇｅ，Ｐｂ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉ等を加えてもよい
が、本発明では必要に応じＳｂ、Ｓｅ、Ｂｉ、Ｉｎの少
なくとも一種を１０ａｔ．％以下加える。これによりＧ
ｅＴｅ本来の光学物性、高結晶化速度を損なうことな
く、非晶質ビット形成能を制御できる。
Ｇｅ，Ｐｂ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉ等を加えてもよい
が、本発明では必要に応じＳｂ、Ｓｅ、Ｂｉ、Ｉｎの少
なくとも一種を１０ａｔ．％以下加える。これによりＧ
ｅＴｅ本来の光学物性、高結晶化速度を損なうことな
く、非晶質ビット形成能を制御できる。
【００２７】なおＧｅＴｅの組成比は必ずしも１：１の
原子比である必要はなく５０ａｔ．％（原子％）から±
５ａｔ．％程度のずれは問題ない。記録層膜厚は薄い方
が記録感度的には好ましいが、１０ｎｍ未満では充分な
コントラストをとることはできないため１０ｎｍ以上３
０ｎｍ以下にする必要がある。
原子比である必要はなく５０ａｔ．％（原子％）から±
５ａｔ．％程度のずれは問題ない。記録層膜厚は薄い方
が記録感度的には好ましいが、１０ｎｍ未満では充分な
コントラストをとることはできないため１０ｎｍ以上３
０ｎｍ以下にする必要がある。
【００２８】反射層は反射率の大きい物質が好ましく、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられ、熱伝導度制御等
のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ
等を少量加えてもよい。本発明の記録媒体は、ＣＤ用再
生装置で再生が可能であることを一つの目的とするた
め、ディスクの鏡面部（トラッキング用グルーブ等の凹
凸が設けられていない鏡面のように平滑な部分）におけ
る記録層が結晶状態にある時の媒体の反射率は６５％以
上あることが、また、同部分における記録層が結晶状態
にある時の媒体の反射率とアモルファス状態にある時の
反射率の差が３５％以上であることが必要である。
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられ、熱伝導度制御等
のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ
等を少量加えてもよい。本発明の記録媒体は、ＣＤ用再
生装置で再生が可能であることを一つの目的とするた
め、ディスクの鏡面部（トラッキング用グルーブ等の凹
凸が設けられていない鏡面のように平滑な部分）におけ
る記録層が結晶状態にある時の媒体の反射率は６５％以
上あることが、また、同部分における記録層が結晶状態
にある時の媒体の反射率とアモルファス状態にある時の
反射率の差が３５％以上であることが必要である。
【００２９】本発明における記録媒体の基板としては、
ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性樹脂を設け
たもの等のいずれであってもよいが、ＣＤ互換性の面で
はポリカーボネート樹脂が好ましい。記録層、誘電体
層、反射層はスパッタリング法などによって形成され
る。記録膜用ターゲット、保護膜用ターゲット、必要な
場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャンバー
内に設置したインライン装置で膜形成を行うことが各層
間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、生産性の面
からもすぐれている。
ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性樹脂を設け
たもの等のいずれであってもよいが、ＣＤ互換性の面で
はポリカーボネート樹脂が好ましい。記録層、誘電体
層、反射層はスパッタリング法などによって形成され
る。記録膜用ターゲット、保護膜用ターゲット、必要な
場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャンバー
内に設置したインライン装置で膜形成を行うことが各層
間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、生産性の面
からもすぐれている。
【００３０】
【実施例】以下実施例をもって本発明を詳細に説明す
る。 実施例１ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20（ｍｏｌ％）の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１２
０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を９０ｎｍ、
ＳｉＯ2の層を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
の層を２２０ｎｍ、Ｇｅ46Ｓｂ8Ｔｅ46（ａｔ．％）の
層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を２０
０ｎｍ、Ａｕの層を１００ｎｍ順次マグネトロンスパッ
タリング法にて形成しディスクを作製した。
る。 実施例１ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20（ｍｏｌ％）の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１２
０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を９０ｎｍ、
ＳｉＯ2の層を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
の層を２２０ｎｍ、Ｇｅ46Ｓｂ8Ｔｅ46（ａｔ．％）の
層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を２０
０ｎｍ、Ａｕの層を１００ｎｍ順次マグネトロンスパッ
タリング法にて形成しディスクを作製した。
【００３１】波長７８０ｎｍにおける非結晶状態での反
射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態反射率を
鏡面部（グルーブや凹凸のない平滑部）で測定したとこ
ろ、それぞれ１６％、６７％であった。誘電体中間層部
反射率（計算値）は４６％である。このディスクに１．
４ｍ／ｓｅｃで１９６ｋＨｚ、ｄｕｔｙ５０％、１９ｍ
Ｗの信号を記録したところＣ／Ｎ５３ｄＢが得られ、１
０ｍＷのＤＣレーザーをあてたところ２５ｄＢ以上の消
去率が得られた。レーザー波長は７８０ｎｍ、ＮＡは
０．５５である。なお記録層上下の誘電体層の膜厚は±
１０ｎｍ程度ずれても問題はない。
射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態反射率を
鏡面部（グルーブや凹凸のない平滑部）で測定したとこ
ろ、それぞれ１６％、６７％であった。誘電体中間層部
反射率（計算値）は４６％である。このディスクに１．
４ｍ／ｓｅｃで１９６ｋＨｚ、ｄｕｔｙ５０％、１９ｍ
Ｗの信号を記録したところＣ／Ｎ５３ｄＢが得られ、１
０ｍＷのＤＣレーザーをあてたところ２５ｄＢ以上の消
去率が得られた。レーザー波長は７８０ｎｍ、ＮＡは
０．５５である。なお記録層上下の誘電体層の膜厚は±
１０ｎｍ程度ずれても問題はない。
【００３２】実施例２ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１２０ｎｍ、（Ｚ
ｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2の層を
１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を１３０
ｎｍ、Ｇｅ46Ｓｂ8Ｔｅ46の層を３０ｎｍ、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20の層を２２０ｎｍ、Ａｕの層を１００
ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて形成しディ
スクを作製した。波長７８０ｎｍにおける非結晶状態で
の反射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態での
反射率を鏡面部で測定したところ、それぞれ１６％、６
６％であった。誘電体中間層部反射率（計算値）は４６
％である。このディスクに実施例１と同様な記録をおこ
なったところＣ／Ｎ５２ｄＢが得られた。
Ｏ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１２０ｎｍ、（Ｚ
ｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2の層を
１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を１３０
ｎｍ、Ｇｅ46Ｓｂ8Ｔｅ46の層を３０ｎｍ、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20の層を２２０ｎｍ、Ａｕの層を１００
ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて形成しディ
スクを作製した。波長７８０ｎｍにおける非結晶状態で
の反射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態での
反射率を鏡面部で測定したところ、それぞれ１６％、６
６％であった。誘電体中間層部反射率（計算値）は４６
％である。このディスクに実施例１と同様な記録をおこ
なったところＣ／Ｎ５２ｄＢが得られた。
【００３３】実施例３ ポリカーボネート樹脂基板上にＴａ2Ｏ5の層を９０ｎ
ｍ、ＳｉＯ2の層を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2の層を１２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を２２０ｎｍ、Ｇｅ46
Ｓｂ8Ｔｅ46層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２００ｎｍ、Ａｕ層を１００ｎｍ順次マグネトロン
スパッタリング法にて積層しディスクを作製した。波長
７８０ｎｍにおける非結晶状態での反射率とＡｒレーザ
ーによる初期化後の結晶状態での反射率を鏡面部で測定
したところ、それぞれ１７％、６８％であった。誘電体
中間層部反射率（計算値）は４６％である。このディス
クに実施例１と同様な記録をおこなったところＣ／Ｎ５
２ｄＢが得られた。
ｍ、ＳｉＯ2の層を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2の層を１２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を２２０ｎｍ、Ｇｅ46
Ｓｂ8Ｔｅ46層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
層を２００ｎｍ、Ａｕ層を１００ｎｍ順次マグネトロン
スパッタリング法にて積層しディスクを作製した。波長
７８０ｎｍにおける非結晶状態での反射率とＡｒレーザ
ーによる初期化後の結晶状態での反射率を鏡面部で測定
したところ、それぞれ１７％、６８％であった。誘電体
中間層部反射率（計算値）は４６％である。このディス
クに実施例１と同様な記録をおこなったところＣ／Ｎ５
２ｄＢが得られた。
【００３４】実施例４ ポリカーボネート樹脂基板上にＴｉＯ2の層を７０ｎ
ｍ、ＣａＦ2の層を１９０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20の層を２００ｎｍ、Ｇｅ46Ｓｂ8Ｔｅ46層を２０
ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を１８０ｎｍ、
Ａｕの層を１００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング
法にて積層しディスクを作製した。波長７８０ｎｍにお
ける非結晶状態での反射率とＡｒレーザーによる初期化
後の結晶状態での反射率を鏡面部で測定したところ、そ
れぞれ１６％、６７％であった。誘電体中間層部反射率
（計算値）は５０％である。このディスクに実施例１と
同様な記録をおこなったところＣ／Ｎ５０ｄＢが得られ
た。
ｍ、ＣａＦ2の層を１９０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20の層を２００ｎｍ、Ｇｅ46Ｓｂ8Ｔｅ46層を２０
ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を１８０ｎｍ、
Ａｕの層を１００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング
法にて積層しディスクを作製した。波長７８０ｎｍにお
ける非結晶状態での反射率とＡｒレーザーによる初期化
後の結晶状態での反射率を鏡面部で測定したところ、そ
れぞれ１６％、６７％であった。誘電体中間層部反射率
（計算値）は５０％である。このディスクに実施例１と
同様な記録をおこなったところＣ／Ｎ５０ｄＢが得られ
た。
【００３５】実施例５ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2の層を１２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ 2の
層を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を２
２０ｎｍ、Ｇｅ47Ｓｅ 6Ｔｅ47の層を２０ｎｍ、（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20の層を２００ｎｍ、Ａｕの層を１
００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し
ディスクを作製した。波長７８０ｎｍにおける非結晶状
態での反射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態
での反射率を鏡面部で測定したところ、それぞれ１６
％、６６％であった。誘電体中間層部反射率（計算値）
は４６％である。このディスクに実施例１と同様な記録
をおこなったところＣ／Ｎ５２ｄＢが得られた。
Ｏ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2の層を１２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ 2の
層を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を２
２０ｎｍ、Ｇｅ47Ｓｅ 6Ｔｅ47の層を２０ｎｍ、（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20の層を２００ｎｍ、Ａｕの層を１
００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し
ディスクを作製した。波長７８０ｎｍにおける非結晶状
態での反射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態
での反射率を鏡面部で測定したところ、それぞれ１６
％、６６％であった。誘電体中間層部反射率（計算値）
は４６％である。このディスクに実施例１と同様な記録
をおこなったところＣ／Ｎ５２ｄＢが得られた。
【００３６】実施例６ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１２０ｎｍ、（Ｚ
ｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１
２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を２２０ｎ
ｍ、Ｇｅ47Ｂｉ6Ｔｅ47の層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80
（ＳｉＯ2）20層を２００ｎｍ、Ａｕ層を１００ｎｍ順
次マグネトロンスパッタリング法にて積層しディスクを
作製した。波長７８０ｎｍにおける非結晶状態での反射
率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態での反射率
を鏡面部で測定したところ、それぞれ１７％、６６％で
あった。誘電体中間層部反射率（計算値）は４６％であ
る。このディスクに実施例１と同様な記録をおこなった
ところＣ／Ｎ５１ｄＢが得られた。
Ｏ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１２０ｎｍ、（Ｚ
ｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１
２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を２２０ｎ
ｍ、Ｇｅ47Ｂｉ6Ｔｅ47の層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80
（ＳｉＯ2）20層を２００ｎｍ、Ａｕ層を１００ｎｍ順
次マグネトロンスパッタリング法にて積層しディスクを
作製した。波長７８０ｎｍにおける非結晶状態での反射
率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態での反射率
を鏡面部で測定したところ、それぞれ１７％、６６％で
あった。誘電体中間層部反射率（計算値）は４６％であ
る。このディスクに実施例１と同様な記録をおこなった
ところＣ／Ｎ５１ｄＢが得られた。
【００３７】実施例７ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2の層を１２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ 2の
層を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を２
２０ｎｍ、Ｇｅ47Ｉｎ 6Ｔｅ47の層を２０ｎｍ、（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20の層を２００ｎｍ、Ａｕの層を１
００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し
ディスクを作製した。波長７８０ｎｍにおける非結晶状
態での反射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態
での反射率を鏡面部で測定したところ、それぞれ１８
％、６６％であった。誘電体中間層部反射率（計算値）
は４６％である。このディスクに実施例１と同様な記録
をおこなったところＣ／Ｎ５１ｄＢが得られた。
Ｏ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2の層を１２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ 2の
層を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を２
２０ｎｍ、Ｇｅ47Ｉｎ 6Ｔｅ47の層を２０ｎｍ、（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20の層を２００ｎｍ、Ａｕの層を１
００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し
ディスクを作製した。波長７８０ｎｍにおける非結晶状
態での反射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態
での反射率を鏡面部で測定したところ、それぞれ１８
％、６６％であった。誘電体中間層部反射率（計算値）
は４６％である。このディスクに実施例１と同様な記録
をおこなったところＣ／Ｎ５１ｄＢが得られた。
【００３８】実施例８ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2の層を１２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ 2層
を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を２２
０ｎｍ、Ｇｅ46Ｓｂ8Ｔｅ46の層を２０ｎｍ、（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20の層を２００ｎｍ、Ａｌの層を１
００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し
ディスクを作製した。
Ｏ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2の層を１２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ 2層
を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を２２
０ｎｍ、Ｇｅ46Ｓｂ8Ｔｅ46の層を２０ｎｍ、（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20の層を２００ｎｍ、Ａｌの層を１
００ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて積層し
ディスクを作製した。
【００３９】波長７８０ｎｍにおける非結晶状態での反
射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態での反射
率を鏡面部で測定したところ、それぞれ２２％、６６％
であった。誘電体中間層部反射率（計算値）は４６％で
ある。このディスクに実施例１と同様な記録をおこなっ
たところＣ／Ｎ５１ｄＢが得られた。
射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態での反射
率を鏡面部で測定したところ、それぞれ２２％、６６％
であった。誘電体中間層部反射率（計算値）は４６％で
ある。このディスクに実施例１と同様な記録をおこなっ
たところＣ／Ｎ５１ｄＢが得られた。
【００４０】比較例１ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2の層を１２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ 2層
を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を１３０
ｎｍ、Ｇｅ46Ｓｂ8Ｔｅ46の層を４０ｎｍ、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20の層を２００ｎｍ、Ａｕの層を１００
ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて積層しディ
スクを作製した。
Ｏ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2の層を１２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ 2層
を１２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層を１３０
ｎｍ、Ｇｅ46Ｓｂ8Ｔｅ46の層を４０ｎｍ、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20の層を２００ｎｍ、Ａｕの層を１００
ｎｍ順次マグネトロンスパッタリング法にて積層しディ
スクを作製した。
【００４１】波長７８０ｎｍにおける非結晶状態での反
射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態での反射
率を鏡面部で測定したところ、それぞれ２４％、６７％
であった。誘電体中間層部反射率（計算値）は４６％で
ある。このディスクに実施例１と同様な記録をおこなっ
たところＣ／Ｎは４４ｄＢであった。これはレーザーパ
ワー不足であり、記録層膜厚が厚くなったためと考えら
れる。
射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態での反射
率を鏡面部で測定したところ、それぞれ２４％、６７％
であった。誘電体中間層部反射率（計算値）は４６％で
ある。このディスクに実施例１と同様な記録をおこなっ
たところＣ／Ｎは４４ｄＢであった。これはレーザーパ
ワー不足であり、記録層膜厚が厚くなったためと考えら
れる。
【００４２】比較例２ ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2の層を１２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を１８０ｎｍ、Ｇｅ 46
Ｓｂ8Ｔｅ46の層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20層を１８５ｎｍ、Ａｕの層を１００ｎｍ順次マグネト
ロンスパッタリング法にて積層しディスクを作製した。
Ｏ2）20の層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2の層を１２０ｎｍ、
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の層を１８０ｎｍ、Ｇｅ 46
Ｓｂ8Ｔｅ46の層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20層を１８５ｎｍ、Ａｕの層を１００ｎｍ順次マグネト
ロンスパッタリング法にて積層しディスクを作製した。
【００４３】波長７８０ｎｍにおける非結晶状態での反
射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態での反射
率を鏡面部で測定したところ、それぞれ３５％、６５％
であり反射率差が充分でない。誘電体中間層部反射率
（計算値）は２２％である。誘電体中間層の反射率２２
％、記録層膜厚２０ｎｍでは他の層の膜厚を変化させて
も高反射率、高コントラストのディスクを得ることはで
きない。
射率とＡｒレーザーによる初期化後の結晶状態での反射
率を鏡面部で測定したところ、それぞれ３５％、６５％
であり反射率差が充分でない。誘電体中間層部反射率
（計算値）は２２％である。誘電体中間層の反射率２２
％、記録層膜厚２０ｎｍでは他の層の膜厚を変化させて
も高反射率、高コントラストのディスクを得ることはで
きない。
【００４４】上記の結果より、記録層膜厚が４０ｎｍ以
上では記録感度が不足し、誘電体中間層反射率が２２％
以下では記録層膜厚が薄いとき充分なコントラストをと
ることはできないことが明かとなった。したがって高反
射率、高コントラストで感度の良い媒体を得るために
は、誘電体中間層反射率が３０％以上で記録層膜厚は１
０から３０ｎｍとする必要があると判断できる。
上では記録感度が不足し、誘電体中間層反射率が２２％
以下では記録層膜厚が薄いとき充分なコントラストをと
ることはできないことが明かとなった。したがって高反
射率、高コントラストで感度の良い媒体を得るために
は、誘電体中間層反射率が３０％以上で記録層膜厚は１
０から３０ｎｍとする必要があると判断できる。
【００４５】
【発明の効果】本発明の光学的記録用媒体は高反射率、
高コントラストで記録層膜厚を薄くすることができるの
で、ＣＤプレーヤーで再生可能で、かつ、比較的小さい
レーザーパワーで記録を行うことができる。
高コントラストで記録層膜厚を薄くすることができるの
で、ＣＤプレーヤーで再生可能で、かつ、比較的小さい
レーザーパワーで記録を行うことができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも屈折率の異なる２層
以上の誘電体中間層、相転移型光記録層、誘電体層、反
射層を順次積層してなる光学的情報記録用媒体におい
て、相転移型光記録層は膜厚１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下
の（ＧｅＴｅ）1-XαX（ｘは０〜０．１の数を表し、α
はＳｂ、Ｓｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｉ、
Ａｕ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉの少
なくとも１種を表す）からなり、かつ、誘電体中間層に
よる使用レーザー波長における反射率（計算値）が３０
％以上６０％以下で、ディスク鏡面部における記録層が
結晶状態にある時の媒体の反射率が６５％以上、結晶状
態とアモルファス状態の反射率差が３５％以上であるこ
とを特徴とする光学的情報記録用媒体。 - 【請求項２】 αはＳｂ、Ｓｅ、Ｂｉ、Ｉｎの少なくと
も１種である請求項１に記載の光学的情報記録用媒体。 - 【請求項３】 上記誘電体中間層の誘電体として、Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ若しくはＰｂの酸化物、硫化物若しくは窒化
物、又は、Ｃａ、Ｍｇ若しくはＬｉのフッ化物を用いる
請求項１又は２に記載の光学的情報記録用媒体。 - 【請求項４】 記録層に接する誘電体層がいずれもＺｎ
ＳとＳｉＯ2の混合物であることを特徴とする請求項１
乃至３のいずれかに記載の光学的情報記録用媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5251824A JP3031135B2 (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 光学的情報記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5251824A JP3031135B2 (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 光学的情報記録用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07104424A JPH07104424A (ja) | 1995-04-21 |
| JP3031135B2 true JP3031135B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=17228469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5251824A Expired - Lifetime JP3031135B2 (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 光学的情報記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3031135B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11203725A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Nec Corp | 相変化光ディスク |
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| US7572517B2 (en) | 2002-07-08 | 2009-08-11 | Target Technology Company, Llc | Reflective or semi-reflective metal alloy coatings |
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Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2827545B2 (ja) * | 1990-03-14 | 1998-11-25 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報の記録方法 |
| JPH04265541A (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 光記録媒体 |
-
1993
- 1993-10-07 JP JP5251824A patent/JP3031135B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07104424A (ja) | 1995-04-21 |
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| JPH08102083A (ja) | 光学的情報記録用媒体 |
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