JPH1048443A - ポリマ導波路及びその製造方法 - Google Patents
ポリマ導波路及びその製造方法Info
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- JPH1048443A JPH1048443A JP20056296A JP20056296A JPH1048443A JP H1048443 A JPH1048443 A JP H1048443A JP 20056296 A JP20056296 A JP 20056296A JP 20056296 A JP20056296 A JP 20056296A JP H1048443 A JPH1048443 A JP H1048443A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低損失、クラッド層の上面が平坦、高寸法精
度で、基板の厚さが極めて薄く、しかもプロセスが簡単
なポリマ導波路及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ポリマコア層３４ａのコア層３３とすべ
き部分を除いて紫外線３７を照射することにより、コア
層３３の両側面に下部クラッド層３４が形成されるの
で、コア層３３及び下部クラッド層３４を覆うように形
成される上部クラッド層３５の上面が平坦となり、寸法
精度が高く、厚さが極めて薄いポリマ導波路３０を得る
ことができる。
度で、基板の厚さが極めて薄く、しかもプロセスが簡単
なポリマ導波路及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ポリマコア層３４ａのコア層３３とすべ
き部分を除いて紫外線３７を照射することにより、コア
層３３の両側面に下部クラッド層３４が形成されるの
で、コア層３３及び下部クラッド層３４を覆うように形
成される上部クラッド層３５の上面が平坦となり、寸法
精度が高く、厚さが極めて薄いポリマ導波路３０を得る
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリマ導波路及び
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ポリマ導波路の研究開発が活発に
なってきた。これは低コスト光デバイスを実現するのに
有望であると考えられているためである。
なってきた。これは低コスト光デバイスを実現するのに
有望であると考えられているためである。
【０００３】図１０はポリマ導波路の従来例を示す断面
図である。
図である。
【０００４】同図に示すポリマ導波路は、基板（Ｓｉ、
ガラス等）１０上に、ポリマ材料からなるクラッド層１
１−１，１１−２を形成し、そのクラッド層１１−１，
１１−２の中に、クラッド層１１−１，１１−２の屈折
率よりも高い屈折率を有するポリマ材料からなるコア層
１２を埋め込んだ構造を有している。
ガラス等）１０上に、ポリマ材料からなるクラッド層１
１−１，１１−２を形成し、そのクラッド層１１−１，
１１−２の中に、クラッド層１１−１，１１−２の屈折
率よりも高い屈折率を有するポリマ材料からなるコア層
１２を埋め込んだ構造を有している。
【０００５】コア層１２及びクラッド層１１−１，１１
−２のポリマ材料としては、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタ
クリレート）、ポリスチレン、ポリイミド、ポリガイ
ド、エポキシ樹脂、ポリシロキサン等が用いられる。
−２のポリマ材料としては、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタ
クリレート）、ポリスチレン、ポリイミド、ポリガイ
ド、エポキシ樹脂、ポリシロキサン等が用いられる。
【０００６】図１１（ａ）〜図１１（ｃ）はポリマ導波
路の製造方法を示す従来例である。基板１０の上に、紫
外線照射により屈折率が高くなる感光性のポリマ層１５
を形成しておき、そのポリマ層１５の上にマスク１６を
配置し、マスク１６の上から紫外線１７を照射する（図
１１（ａ））。
路の製造方法を示す従来例である。基板１０の上に、紫
外線照射により屈折率が高くなる感光性のポリマ層１５
を形成しておき、そのポリマ層１５の上にマスク１６を
配置し、マスク１６の上から紫外線１７を照射する（図
１１（ａ））。
【０００７】ポリマ層１５のうちマスク１６を透過した
紫外線１７が照射された露光部１５ａは屈折率が高くな
り、マスク１６で紫外線が照射されなかった未露光部１
５ｂは屈折率が変化せず低いままである（図１１
（ｂ））。
紫外線１７が照射された露光部１５ａは屈折率が高くな
り、マスク１６で紫外線が照射されなかった未露光部１
５ｂは屈折率が変化せず低いままである（図１１
（ｂ））。
【０００８】このような未露光部１５ｂを光の導波層、
すなわちコア層１２として用い、コア層１２をクラッド
層１１で被覆することによりポリマ導波路が形成される
（図１１（ｃ））。
すなわちコア層１２として用い、コア層１２をクラッド
層１１で被覆することによりポリマ導波路が形成される
（図１１（ｃ））。
【０００９】図１２（ａ）〜図１２（ｄ）はポリマ導波
路の製造方法を示す他の従来例である。
路の製造方法を示す他の従来例である。
【００１０】基板１０の上に、光の伝搬するコア用ポリ
マ導波層１９を形成しておき、その上にマスク１６を置
いて紫外線１７を照射する（図１２（ａ））。
マ導波層１９を形成しておき、その上にマスク１６を置
いて紫外線１７を照射する（図１２（ａ））。
【００１１】マスク１６を透過した紫外線１７が照射さ
れた露光部１９ａはエッチングにより除去され、マスク
１６で紫外線１７が照射されなかった未露光部１９ｂは
略矩形断面形状のコア層１２として残る（図１２
（ｂ）、（ｃ））。
れた露光部１９ａはエッチングにより除去され、マスク
１６で紫外線１７が照射されなかった未露光部１９ｂは
略矩形断面形状のコア層１２として残る（図１２
（ｂ）、（ｃ））。
【００１２】略矩形断面形状のコア層１２を、コア層１
２の屈折率より低い屈折率のポリマからなるクラッド層
１１で覆うことにより、ポリマ導波路が形成される（図
１２（ｄ））。
２の屈折率より低い屈折率のポリマからなるクラッド層
１１で覆うことにより、ポリマ導波路が形成される（図
１２（ｄ））。
【００１３】図１３（ａ）〜図１３（ｄ）はポリマ導波
路の製造方法を示すさらに他の従来例である。
路の製造方法を示すさらに他の従来例である。
【００１４】基板１０の上に、光の伝搬するコア用ポリ
マ導波層１９を形成し、そのコア用ポリマ導波層１９の
上にマスクパターン２０を形成する。このマスクパター
ン２０の材質はレジスト材料、酸化膜材料或いはメタル
材料が用いられる。次いでマスクパターン２０の上から
紫外線１７を照射する（図１３（ａ））。
マ導波層１９を形成し、そのコア用ポリマ導波層１９の
上にマスクパターン２０を形成する。このマスクパター
ン２０の材質はレジスト材料、酸化膜材料或いはメタル
材料が用いられる。次いでマスクパターン２０の上から
紫外線１７を照射する（図１３（ａ））。
【００１５】コア用ポリマ導波層１９のうちマスクパタ
ーン２０が形成されなかった部分は紫外線１７が照射さ
れ、マスクパターン２０が形成された部分は紫外線１７
が照射されない。コア用ポリマ導波層１９の紫外線１７
が照射された露光部をエッチングにより除去する（図１
２（ｂ））。
ーン２０が形成されなかった部分は紫外線１７が照射さ
れ、マスクパターン２０が形成された部分は紫外線１７
が照射されない。コア用ポリマ導波層１９の紫外線１７
が照射された露光部をエッチングにより除去する（図１
２（ｂ））。
【００１６】コア用ポリマ導波層１９の未露光部１９ｂ
上に残ったマスクパターン２０を剥離し、コア層１２及
び基板１０の表面を、コア層１２の屈折率より低い屈折
率のポリマからなるクラッド層１１で覆うことによりポ
リマ導波路が形成される（図１２（ｃ））。
上に残ったマスクパターン２０を剥離し、コア層１２及
び基板１０の表面を、コア層１２の屈折率より低い屈折
率のポリマからなるクラッド層１１で覆うことによりポ
リマ導波路が形成される（図１２（ｃ））。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１１
（ａ）〜図１１（ｃ）、図１２（ａ）〜図１２（ｄ）、
図１３（ａ）〜図１３（ｄ）に示した従来の方法で形成
したポリマ導波路には以下のような問題があった。
（ａ）〜図１１（ｃ）、図１２（ａ）〜図１２（ｄ）、
図１３（ａ）〜図１３（ｄ）に示した従来の方法で形成
したポリマ導波路には以下のような問題があった。
【００１８】(1) 図１０に示したコア層１２とクラッド
層１１−１，１１−２と間の界面１４−１，１４−２，
１４−３が不均一になり、これによる光の散乱損失を無
視することができなかった。このような界面の不整は、
コア層１２をエッチングしたり、クラッド層１１−１，
１１−２で被覆する際に避けられないものであった。
層１１−１，１１−２と間の界面１４−１，１４−２，
１４−３が不均一になり、これによる光の散乱損失を無
視することができなかった。このような界面の不整は、
コア層１２をエッチングしたり、クラッド層１１−１，
１１−２で被覆する際に避けられないものであった。
【００１９】(2) また、図１０に示すようにクラッド層
１１−２の上面の平坦性が悪いという問題があった。特
に図１２、図１３のように、略矩形断面形状のコア層１
２を形成した後に、その上面をクラッド層１１で覆う方
法を用いている限りクラッド層１１−２の上面を平坦化
することが困難であることが分かった。
１１−２の上面の平坦性が悪いという問題があった。特
に図１２、図１３のように、略矩形断面形状のコア層１
２を形成した後に、その上面をクラッド層１１で覆う方
法を用いている限りクラッド層１１−２の上面を平坦化
することが困難であることが分かった。
【００２０】このように平坦度が悪いと図１４に示すよ
うに、クラッド層１１−２の上に薄膜ヒータ２１を設け
るのが困難なことが分かる。なぜならば、この薄膜ヒー
タ２１は、まず、ポリマクラッド層１１−２上に金属膜
を蒸着によって形成し、その後、その金属膜上にレジス
トパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに
してエッチング加工により形成されるが、クラッド層１
１−２の上面が平坦でないと、金属膜の蒸着が困難なこ
と、レジスト膜を均一膜厚に塗布することが困難なこ
と、さらにエッチングによる微細な薄膜ヒータ２１のパ
ターンを加工することが困難なためである。尚、図１４
（ａ）は従来のポリマ導波路上に薄膜ヒータを設けた場
合の平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線
断面図である。２２は電源、２３はスイッチであり、２
４〜２６は信号光である。
うに、クラッド層１１−２の上に薄膜ヒータ２１を設け
るのが困難なことが分かる。なぜならば、この薄膜ヒー
タ２１は、まず、ポリマクラッド層１１−２上に金属膜
を蒸着によって形成し、その後、その金属膜上にレジス
トパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに
してエッチング加工により形成されるが、クラッド層１
１−２の上面が平坦でないと、金属膜の蒸着が困難なこ
と、レジスト膜を均一膜厚に塗布することが困難なこ
と、さらにエッチングによる微細な薄膜ヒータ２１のパ
ターンを加工することが困難なためである。尚、図１４
（ａ）は従来のポリマ導波路上に薄膜ヒータを設けた場
合の平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線
断面図である。２２は電源、２３はスイッチであり、２
４〜２６は信号光である。
【００２１】(3) 製造工程数が多いため、ポリマ導波路
の低コスト化が困難である。
の低コスト化が困難である。
【００２２】(4) 高寸法精度が要求される高性能のシン
グルモード伝送用ポリマ導波路型光部品を実現すること
ができない。例えば、Ｎチャンネル波長多重伝送用光分
波器、１×Ｍ（或いはＮ×Ｍ）型光スターカプラ等の光
部品を高性能（低損失性、中心波長の制御性、高アイソ
レーション特性、低分配偏差特性等）に実現するのが困
難である。
グルモード伝送用ポリマ導波路型光部品を実現すること
ができない。例えば、Ｎチャンネル波長多重伝送用光分
波器、１×Ｍ（或いはＮ×Ｍ）型光スターカプラ等の光
部品を高性能（低損失性、中心波長の制御性、高アイソ
レーション特性、低分配偏差特性等）に実現するのが困
難である。
【００２３】(5) 基板１０の厚さを極めて薄くした（１
００μｍ以下）、いわゆるフレキシブルポリマ導波路型
光部品を高性能、高寸法精度で形成するのが困難であ
る。なぜならば、エッチング等の加工プロセスがあるた
め、薄い基板では高寸法精度に保って加工することが困
難なためである。
００μｍ以下）、いわゆるフレキシブルポリマ導波路型
光部品を高性能、高寸法精度で形成するのが困難であ
る。なぜならば、エッチング等の加工プロセスがあるた
め、薄い基板では高寸法精度に保って加工することが困
難なためである。
【００２４】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、低損失、クラッド層の上面が平坦、高寸法精度で、
基板の厚さが極めて薄く、しかもプロセスが簡単なポリ
マ導波路及びその製造方法を提供することにある。
し、低損失、クラッド層の上面が平坦、高寸法精度で、
基板の厚さが極めて薄く、しかもプロセスが簡単なポリ
マ導波路及びその製造方法を提供することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のポリマ導波路は、基板と、基板上に形成され
た低屈折率ｎb のバッファ層と、バッファ層の上に形成
され紫外線が照射されると屈折率が低下するポリマから
なり、紫外線が照射されない略矩形断面形状のコア層
（屈折率ｎw 、ｎw ＞ｎb ）と、コア層の両側で紫外線
が照射された下部クラッド層（屈折率ｎp 、ｎp ＜
ｎw ）と、ポリマのコア層の両側で紫外線が照射された
下部クラッド層と、下部クラッド層及びコア層の上面を
覆う上部クラッド層（ｎc 、ｎc ＜ｎw ）とを備えたも
のである。
に本発明のポリマ導波路は、基板と、基板上に形成され
た低屈折率ｎb のバッファ層と、バッファ層の上に形成
され紫外線が照射されると屈折率が低下するポリマから
なり、紫外線が照射されない略矩形断面形状のコア層
（屈折率ｎw 、ｎw ＞ｎb ）と、コア層の両側で紫外線
が照射された下部クラッド層（屈折率ｎp 、ｎp ＜
ｎw ）と、ポリマのコア層の両側で紫外線が照射された
下部クラッド層と、下部クラッド層及びコア層の上面を
覆う上部クラッド層（ｎc 、ｎc ＜ｎw ）とを備えたも
のである。
【００２６】本発明は、基板と、基板上に形成され紫外
線が照射されると屈折率が低下するポリマからなり、紫
外線が照射されない略矩形断面形状のコア層（屈折率ｎ
w 、ｎw ＞ｎb ）と、コア層の両側で紫外線が照射され
た下部クラッド層（屈折率ｎp 、ｎp ＜ｎw ）と、ポリ
マのコア層の両側で紫外線が照射された下部クラッド層
と、下部クラッド層及びコア層の上面を覆う上部クラッ
ド層（ｎc 、ｎc ＜ｎw ）とを備えたものである。
線が照射されると屈折率が低下するポリマからなり、紫
外線が照射されない略矩形断面形状のコア層（屈折率ｎ
w 、ｎw ＞ｎb ）と、コア層の両側で紫外線が照射され
た下部クラッド層（屈折率ｎp 、ｎp ＜ｎw ）と、ポリ
マのコア層の両側で紫外線が照射された下部クラッド層
と、下部クラッド層及びコア層の上面を覆う上部クラッ
ド層（ｎc 、ｎc ＜ｎw ）とを備えたものである。
【００２７】上記構成に加え本発明のポリマ導波路は、
バッファ層及び上部クラッド層にＳｉＯ2 系の材料か或
いはポリマ材料のいずれかを用いてもよい。
バッファ層及び上部クラッド層にＳｉＯ2 系の材料か或
いはポリマ材料のいずれかを用いてもよい。
【００２８】上記構成に加え本発明のポリマ導波路は、
コア層及び下部クラッド層を、屈折率がｎi （ｎi ＜ｎ
w ）で所望の厚さを有する中間層で上下に仕切ってもよ
い。
コア層及び下部クラッド層を、屈折率がｎi （ｎi ＜ｎ
w ）で所望の厚さを有する中間層で上下に仕切ってもよ
い。
【００２９】上記構成に加え本発明のポリマ導波路は、
基板にプラスチック材料を用いてもよい。
基板にプラスチック材料を用いてもよい。
【００３０】本発明のポリマ導波路の製造方法は、基板
上にバッファ層、紫外線が照射されると屈折率が低下す
るポリマ層及び上部クラッド層を順次形成する第１工程
と、上部クラッド層の上面に紫外線非透過部及び紫外線
透過部のパターンが形成されたフォトマスクを配置し、
フォトマスクの上から紫外線を照射することにより、紫
外線の照射されないポリマからなるコア層と紫外線が照
射されたポリマからなる下部クラッド層とを形成する第
２工程と、コア層及び下部クラッド層の上面に上部クラ
ッド層を形成する第３工程とからなるものである。
上にバッファ層、紫外線が照射されると屈折率が低下す
るポリマ層及び上部クラッド層を順次形成する第１工程
と、上部クラッド層の上面に紫外線非透過部及び紫外線
透過部のパターンが形成されたフォトマスクを配置し、
フォトマスクの上から紫外線を照射することにより、紫
外線の照射されないポリマからなるコア層と紫外線が照
射されたポリマからなる下部クラッド層とを形成する第
２工程と、コア層及び下部クラッド層の上面に上部クラ
ッド層を形成する第３工程とからなるものである。
【００３１】上記構成に加え本発明のポリマ導波路の製
造方法は、第１工程において、ポリマ層と上部クラッド
層との間に、他のポリマ層と中間層とを順次形成し、第
２工程において、紫外線の照射されないポリマからなる
コア層及び他のコア層と紫外線が照射されたポリマから
なる下部クラッド層及び他のクラッド層とを形成しても
よい。
造方法は、第１工程において、ポリマ層と上部クラッド
層との間に、他のポリマ層と中間層とを順次形成し、第
２工程において、紫外線の照射されないポリマからなる
コア層及び他のコア層と紫外線が照射されたポリマから
なる下部クラッド層及び他のクラッド層とを形成しても
よい。
【００３２】本発明によれば、紫外線が照射されると屈
折率が低下するポリマコア層を用い、そのポリマコア層
のうちコア層とすべき部分を除いて紫外線を照射するこ
とにより、紫外線露光部の屈折率が低下するので紫外線
露光部をクラッド層として用いることができる。このた
めポリマコア層の上を上部クラッド層で覆っても平坦性
が確保でき、コア層と上部クラッド層との間の界面の不
均一性がなくなり低損失性が得られる。また、上部クラ
ッド層の表面が平坦なため、薄膜金属ヒータの搭載等が
容易となる。しかも紫外線を照射するという簡単なプロ
セスのため高性能なポリマ導波路が低コストに実現でき
る。さらに基板の厚さを極めて薄くすることができるの
でフレキシブルなポリマ導波路を形成することができ
る。
折率が低下するポリマコア層を用い、そのポリマコア層
のうちコア層とすべき部分を除いて紫外線を照射するこ
とにより、紫外線露光部の屈折率が低下するので紫外線
露光部をクラッド層として用いることができる。このた
めポリマコア層の上を上部クラッド層で覆っても平坦性
が確保でき、コア層と上部クラッド層との間の界面の不
均一性がなくなり低損失性が得られる。また、上部クラ
ッド層の表面が平坦なため、薄膜金属ヒータの搭載等が
容易となる。しかも紫外線を照射するという簡単なプロ
セスのため高性能なポリマ導波路が低コストに実現でき
る。さらに基板の厚さを極めて薄くすることができるの
でフレキシブルなポリマ導波路を形成することができ
る。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００３４】図１は本発明のポリマ導波路の一実施の形
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【００３５】同図に示すポリマ導波路３０は、基板３１
（Ｓｉ等の半導体材料、ガラス材料、プラスチック材料
或いは磁性材料等が用いられる）上に形成されたＳｉＯ
2 からなるバッファ層（屈折率ｎb ）３２と、バッファ
層３２の上に形成され略矩形断面形状のポリマからなる
コア層（屈折率ｎw 、ｎw ＞ｎb ）３３と、コア層３３
の両側面に形成された下部クラッド層（屈折率ｎp 、ｎ
p ＜ｎw ）３４と、コア層３３及び下部クラッド層３４
の上面を覆う上部クラッド層（ｎc 、ｎc ＜ｎw ）３５
とで構成されている。
（Ｓｉ等の半導体材料、ガラス材料、プラスチック材料
或いは磁性材料等が用いられる）上に形成されたＳｉＯ
2 からなるバッファ層（屈折率ｎb ）３２と、バッファ
層３２の上に形成され略矩形断面形状のポリマからなる
コア層（屈折率ｎw 、ｎw ＞ｎb ）３３と、コア層３３
の両側面に形成された下部クラッド層（屈折率ｎp 、ｎ
p ＜ｎw ）３４と、コア層３３及び下部クラッド層３４
の上面を覆う上部クラッド層（ｎc 、ｎc ＜ｎw ）３５
とで構成されている。
【００３６】コア層３３及び下部クラッド層３４は、紫
外線が照射されると屈折率が低下するポリマ材料（ポリ
マコア層）からなり、このうちコア層３３は紫外線の照
射されていないポリマ材料からなり、下部クラッド層３
４は紫外線の照射された、いわゆるフォトブリーチング
されたポリマ材料からなっている。
外線が照射されると屈折率が低下するポリマ材料（ポリ
マコア層）からなり、このうちコア層３３は紫外線の照
射されていないポリマ材料からなり、下部クラッド層３
４は紫外線の照射された、いわゆるフォトブリーチング
されたポリマ材料からなっている。
【００３７】ここでポリマ材料としては、例えばＤＭＡ
ＰＮ｛α−（４−dimethlaminophenyl）−Ｎ−phenylni
tron｝が用いられる。これは化学式（１）で表される。
ＰＮ｛α−（４−dimethlaminophenyl）−Ｎ−phenylni
tron｝が用いられる。これは化学式（１）で表される。
【００３８】
【化１】
【００３９】このポリマ材料の光化学的転位は、波長３
８０ｎｍでフォトブリーチングされて、波長２７０ｎｍ
にオキサジリデン光生成物の新しい吸収が行われる。波
長３８０ｎｍの紫外線照射によるフォトブリーチングは
全露光量１００ｍＪ／ｃｍ2 で略完了する（図２及び図
３参照、参考文献；フォトポリマ技術の新展開、東レリ
サーチ）。尚、図２はＤＭＡＰＮの吸収スペクトルを示
す図であり、横軸が波長であり、縦軸が光学密度であ
る。図３はフォトブリーチング前後の屈折率の波長依存
性を示す図であり、横軸が波長であり、縦軸が屈折率で
ある。
８０ｎｍでフォトブリーチングされて、波長２７０ｎｍ
にオキサジリデン光生成物の新しい吸収が行われる。波
長３８０ｎｍの紫外線照射によるフォトブリーチングは
全露光量１００ｍＪ／ｃｍ2 で略完了する（図２及び図
３参照、参考文献；フォトポリマ技術の新展開、東レリ
サーチ）。尚、図２はＤＭＡＰＮの吸収スペクトルを示
す図であり、横軸が波長であり、縦軸が光学密度であ
る。図３はフォトブリーチング前後の屈折率の波長依存
性を示す図であり、横軸が波長であり、縦軸が屈折率で
ある。
【００４０】図１に示すポリマ導波路３０のコア層３３
及びフォトブリーチングした下部クラッド層３４の膜厚
は、数μｍから数十μｍの範囲にあるので、上記露光量
で十分である。未露光のコア層３３は波長８１５ｎｍで
１．５５３であり、フォトブリーチングした下部クラッ
ド層３４の屈折率は波長８１５ｎｍで１．５３７であ
る。上記コア層３３と下部クラッド層３４との間の比屈
折率差Δ1 は約１．２８％である。バッファ層３２及び
上部クラッド層３５は、ＳｉＯ2 からなっている。コア
層３３と上部クラッド層３５（バッファ層３２）との比
屈折率差Δ2 は約５．２％となり、光はコア層３３内に
十分に閉じ込められて伝送される。コア層３３には前述
したＤＭＡＰＮの他にdyepolymer，４−alkoxy−４´−
alkylsulfone stilbene PMMA side −chain,４−dialky
lamino−４´−nitro −stilbene等を用いることができ
る。
及びフォトブリーチングした下部クラッド層３４の膜厚
は、数μｍから数十μｍの範囲にあるので、上記露光量
で十分である。未露光のコア層３３は波長８１５ｎｍで
１．５５３であり、フォトブリーチングした下部クラッ
ド層３４の屈折率は波長８１５ｎｍで１．５３７であ
る。上記コア層３３と下部クラッド層３４との間の比屈
折率差Δ1 は約１．２８％である。バッファ層３２及び
上部クラッド層３５は、ＳｉＯ2 からなっている。コア
層３３と上部クラッド層３５（バッファ層３２）との比
屈折率差Δ2 は約５．２％となり、光はコア層３３内に
十分に閉じ込められて伝送される。コア層３３には前述
したＤＭＡＰＮの他にdyepolymer，４−alkoxy−４´−
alkylsulfone stilbene PMMA side −chain,４−dialky
lamino−４´−nitro −stilbene等を用いることができ
る。
【００４１】図１に示したポリマ導波路は、比屈折率差
Δ1 ，Δ2 が１％以上のマルチモード伝送用の導波路で
あるが、他の実施の形態について述べる。尚、図１に示
した実施の形態と同様の部材には共通の符号を用いた。
Δ1 ，Δ2 が１％以上のマルチモード伝送用の導波路で
あるが、他の実施の形態について述べる。尚、図１に示
した実施の形態と同様の部材には共通の符号を用いた。
【００４２】図４は本発明のポリマ導波路の他の実施の
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【００４３】同図に示すポリマ導波路４０は、シングル
モード伝送用のポリマ導波路であり、バッファ層４１と
上部クラッド層４２にPoly−furfuryl methacrylate
（ＰＦＦＭＡ、屈折率約１．５３６）を用いたものであ
る。比屈折率差Δ1 、Δ2 を１．３％前後とすることに
より、シングルモード伝送用導波路としたものである。
尚、バッファ層４１及び上部クラッド層４２には上記ポ
リマ材料の他に種々のポリマ材料、例えばdiethylene g
lycore bisallyl caronate（屈折率１．５１７）等を用
いることができる。
モード伝送用のポリマ導波路であり、バッファ層４１と
上部クラッド層４２にPoly−furfuryl methacrylate
（ＰＦＦＭＡ、屈折率約１．５３６）を用いたものであ
る。比屈折率差Δ1 、Δ2 を１．３％前後とすることに
より、シングルモード伝送用導波路としたものである。
尚、バッファ層４１及び上部クラッド層４２には上記ポ
リマ材料の他に種々のポリマ材料、例えばdiethylene g
lycore bisallyl caronate（屈折率１．５１７）等を用
いることができる。
【００４４】図５は本発明のポリマ導波路の他の実施の
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【００４５】同図に示すポリマ導波路５０は、基板５１
にポリカーボネート、ポリイミド、エポキシ、ポリスチ
レン等のプラスチックフィルムを用いたものである。こ
のフィルムの厚さは１００μｍから数百μｍ程度であ
り、このような薄いものを用いることにより、ポリマ導
波路５０自体にフレキシビリティを持たせたものであ
る。このプラスチックフィルム状の基板５１を用いるこ
とにより、ガラス、半導体、磁性体の基板に比し、弾力
性を持たせることができる。また、ある程度の曲げに対
してもコア層３３が折れるようなことがない。さらに、
軽量であるため、装置内に実装した場合の装置の軽量化
を図ることができる。また、大幅な低コスト化も期待で
きる。尚、同図に示したポリマ導波路において、プラス
チックからなる基板５１の屈折率がコア層３３の屈折率
よりも低い場合には、バッファ層３２はなくてもよい。
にポリカーボネート、ポリイミド、エポキシ、ポリスチ
レン等のプラスチックフィルムを用いたものである。こ
のフィルムの厚さは１００μｍから数百μｍ程度であ
り、このような薄いものを用いることにより、ポリマ導
波路５０自体にフレキシビリティを持たせたものであ
る。このプラスチックフィルム状の基板５１を用いるこ
とにより、ガラス、半導体、磁性体の基板に比し、弾力
性を持たせることができる。また、ある程度の曲げに対
してもコア層３３が折れるようなことがない。さらに、
軽量であるため、装置内に実装した場合の装置の軽量化
を図ることができる。また、大幅な低コスト化も期待で
きる。尚、同図に示したポリマ導波路において、プラス
チックからなる基板５１の屈折率がコア層３３の屈折率
よりも低い場合には、バッファ層３２はなくてもよい。
【００４６】図６は本発明のポリマ導波路の他の実施の
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【００４７】同図に示すポリマ導波路６０は、バッファ
層３２に光の伝搬するコア層６１，６２を低屈折率の中
間層６３を介して積層させた構造の導波路であり、例え
ば２つのコア層６１，６２間で光の結合を利用した方向
性結合器、光フィルタ等の光回路を実現するのに有効な
光導波路構造のものである。中間層６３の屈折率ｎi は
コア層６１（６２）の屈折率ｎw よりも低い値とし、上
部クラッド層３５の屈折率ｎc 、フォトブリーチングし
た下部クラッド層６４，６５の屈折率ｎp 、バッファ層
３２の屈折率ｎb と同程度の値に選ばれる。この実施の
形態ではコア層６１，６２が２つの場合であるが、さら
に中間層を設けて多数のコア層を積層させてもよい。
層３２に光の伝搬するコア層６１，６２を低屈折率の中
間層６３を介して積層させた構造の導波路であり、例え
ば２つのコア層６１，６２間で光の結合を利用した方向
性結合器、光フィルタ等の光回路を実現するのに有効な
光導波路構造のものである。中間層６３の屈折率ｎi は
コア層６１（６２）の屈折率ｎw よりも低い値とし、上
部クラッド層３５の屈折率ｎc 、フォトブリーチングし
た下部クラッド層６４，６５の屈折率ｎp 、バッファ層
３２の屈折率ｎb と同程度の値に選ばれる。この実施の
形態ではコア層６１，６２が２つの場合であるが、さら
に中間層を設けて多数のコア層を積層させてもよい。
【００４８】図７（ａ）は本発明のポリマ導波路を用い
た光分岐回路の一実施の形態を示す側面図であり、同図
（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図（すなわち、コア層の
パターン図）である。
た光分岐回路の一実施の形態を示す側面図であり、同図
（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図（すなわち、コア層の
パターン図）である。
【００４９】同図に示す光分岐回路７０は、入射光７１
をコア層７２内へ入射させ、コア層７３及びコア層７４
に光信号を分配し、矢印７５，７６のように入射光７１
を等分配するための光分岐回路であるが、この等分配を
低過剰損失で実現するためには、分岐部のδとＬとを精
密に形成しなければならない。
をコア層７２内へ入射させ、コア層７３及びコア層７４
に光信号を分配し、矢印７５，７６のように入射光７１
を等分配するための光分岐回路であるが、この等分配を
低過剰損失で実現するためには、分岐部のδとＬとを精
密に形成しなければならない。
【００５０】特に、δの値は１μｍ前後の値が好ましい
値であるが、従来の製造方法では、δの値を実現するこ
とは極めて困難であったが、本発明のフォトブリーチン
グによれば、１μｍ前後の微細な寸法を要求する光回路
パターンを実現することができる。例えば、２つのコア
層を１〜２μｍの間隔で平行に所望長さだけ配置させて
光を二等分に分岐したり、波長の異なる光信号を分波さ
せたりする光方向性結合回路や光の伝搬方向に屈折率の
異なるコア層を交互に設けて所望の波長の光信号のみを
反射させたり、或いは透過させる光グレーティング回路
や光フィルタ回路を実現するのに好適である。
値であるが、従来の製造方法では、δの値を実現するこ
とは極めて困難であったが、本発明のフォトブリーチン
グによれば、１μｍ前後の微細な寸法を要求する光回路
パターンを実現することができる。例えば、２つのコア
層を１〜２μｍの間隔で平行に所望長さだけ配置させて
光を二等分に分岐したり、波長の異なる光信号を分波さ
せたりする光方向性結合回路や光の伝搬方向に屈折率の
異なるコア層を交互に設けて所望の波長の光信号のみを
反射させたり、或いは透過させる光グレーティング回路
や光フィルタ回路を実現するのに好適である。
【００５１】図８は本発明のポリマ導波路の製造方法の
一実施の形態を示す工程図である。
一実施の形態を示す工程図である。
【００５２】まず同図（ａ）に示すように、基板３１上
にバッファ層３２を形成する。バッファ層２３はＳｉＯ
2 或いはＳｉＯ2 にＢ、Ｆ、Ｐ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ａｌ等屈
折率制御用添加物を少なくとも一種類含んだものの場合
には、このバッファ層３２はＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ
法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法或いはスピン
コーティング法等によって形成する。バッファ層３２が
ポリマからなる場合にはスピンコーティング法、真空蒸
着法等によって形成する。バッファ層３２の上にフォト
ブリーチング用ポリマコア層３４ａを形成する。このフ
ォトブリーチング用ポリマコア層３４ａはスピンコーテ
ィング法、真空蒸着法等によって形成される。尚、ポリ
マのスピンコーティング法は、溶剤に溶かしたポリマ液
をスピンコーティング法によって塗布した後、プリベー
ク、ポストベークを経て乾燥、硬化させる。
にバッファ層３２を形成する。バッファ層２３はＳｉＯ
2 或いはＳｉＯ2 にＢ、Ｆ、Ｐ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ａｌ等屈
折率制御用添加物を少なくとも一種類含んだものの場合
には、このバッファ層３２はＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ
法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法或いはスピン
コーティング法等によって形成する。バッファ層３２が
ポリマからなる場合にはスピンコーティング法、真空蒸
着法等によって形成する。バッファ層３２の上にフォト
ブリーチング用ポリマコア層３４ａを形成する。このフ
ォトブリーチング用ポリマコア層３４ａはスピンコーテ
ィング法、真空蒸着法等によって形成される。尚、ポリ
マのスピンコーティング法は、溶剤に溶かしたポリマ液
をスピンコーティング法によって塗布した後、プリベー
ク、ポストベークを経て乾燥、硬化させる。
【００５３】次に同図（ｂ）に示すように、フォトブリ
ーチング用ポリマコア層３４ａの上に上部クラッド層３
５を形成する。この上部クラッド層３５はバッファ層３
２と同様の材質を用い、同様の方法で形成する。
ーチング用ポリマコア層３４ａの上に上部クラッド層３
５を形成する。この上部クラッド層３５はバッファ層３
２と同様の材質を用い、同様の方法で形成する。
【００５４】同図（ｃ）に示すように上部クラッド層３
５の上にフォトマスク３６を配置し、このフォトマスク
３６の上から紫外線３７を照射する。フォトブリーチン
グ用ポリマ層３４ａが、例えば前述したＤＭＡＰＮの場
合には、紫外線３７の波長は３８０ｎｍの光を照射す
る。紫外線の照射量は１００ｍＪ／ｃｍ2 とする。紫外
線３７を照射すると、紫外線非透過部３６ａ以外の紫外
線透過部３６ｂに対応する部分はフォトブリーチングに
より屈折率が低下し（屈折率１．５３７）、同図（ｄ）
に示すようにフォトブリーチングした下部クラッド層３
４になる。紫外線３７の照射されなかった部分はコア層
３３となり、図１に示したポリマ導波路が形成される
（屈折率１．５５３）。
５の上にフォトマスク３６を配置し、このフォトマスク
３６の上から紫外線３７を照射する。フォトブリーチン
グ用ポリマ層３４ａが、例えば前述したＤＭＡＰＮの場
合には、紫外線３７の波長は３８０ｎｍの光を照射す
る。紫外線の照射量は１００ｍＪ／ｃｍ2 とする。紫外
線３７を照射すると、紫外線非透過部３６ａ以外の紫外
線透過部３６ｂに対応する部分はフォトブリーチングに
より屈折率が低下し（屈折率１．５３７）、同図（ｄ）
に示すようにフォトブリーチングした下部クラッド層３
４になる。紫外線３７の照射されなかった部分はコア層
３３となり、図１に示したポリマ導波路が形成される
（屈折率１．５５３）。
【００５５】以上のように、膜の形成と紫外線の照射と
でポリマ導波路を実現することができるので、従来のポ
リマ導波路で問題となっていた、ポリマコア層１４の界
面１４−１，１４−２，１４−３の荒れは生じない（図
１０参照）。また上部クラッド層３５の上面にも平坦さ
をそのまま維持することができるので、上部クラッド層
３５の上面にさらに光導波路を形成したり、薄膜ヒータ
を設けたり、光部品や電子部品を搭載することが容易と
なる。さらに、従来のようなエッチングプロセスがない
ので、製造方法が簡単で、かつ安価に製造することがで
きる。
でポリマ導波路を実現することができるので、従来のポ
リマ導波路で問題となっていた、ポリマコア層１４の界
面１４−１，１４−２，１４−３の荒れは生じない（図
１０参照）。また上部クラッド層３５の上面にも平坦さ
をそのまま維持することができるので、上部クラッド層
３５の上面にさらに光導波路を形成したり、薄膜ヒータ
を設けたり、光部品や電子部品を搭載することが容易と
なる。さらに、従来のようなエッチングプロセスがない
ので、製造方法が簡単で、かつ安価に製造することがで
きる。
【００５６】図９は本発明のポリマ導波路の製造方法の
他の実施の形態を示す工程図である。
他の実施の形態を示す工程図である。
【００５７】まず同図（ａ）に示すように、基板３１上
にバッファ層３２、フォトブリーチング用ポリマ層６４
ａ、中間層６３、ブリーチング用ポリマ層６５ａ及び上
部クラッド層３５を順次堆積させておく。バッファ層３
２、フォトブリーチング用ポリマ層６４ａ，６５ａ、上
部クラッド層３５は図８に示した製造方法の場合と同様
の方法で形成する。中間層６３は、材料がＳｉＯ2 或い
はＳｉＯ2 にＢ、Ｆ、Ｐ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ａｌ等屈折率制
御用添加物を少なくとも一種類含んだものの場合には、
ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法が用い
られる。材料がスピンオングラス液のような材料や溶剤
に溶けたポリマ液のような材料の場合にはスピンコーテ
ィング、プリベーク、ポストベークによって形成する。
にバッファ層３２、フォトブリーチング用ポリマ層６４
ａ、中間層６３、ブリーチング用ポリマ層６５ａ及び上
部クラッド層３５を順次堆積させておく。バッファ層３
２、フォトブリーチング用ポリマ層６４ａ，６５ａ、上
部クラッド層３５は図８に示した製造方法の場合と同様
の方法で形成する。中間層６３は、材料がＳｉＯ2 或い
はＳｉＯ2 にＢ、Ｆ、Ｐ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ａｌ等屈折率制
御用添加物を少なくとも一種類含んだものの場合には、
ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法が用い
られる。材料がスピンオングラス液のような材料や溶剤
に溶けたポリマ液のような材料の場合にはスピンコーテ
ィング、プリベーク、ポストベークによって形成する。
【００５８】次に同図（ｂ）に示すように、上部クラッ
ド層３５の上にフォトマスク６６を配置し、そのフォト
マスク６６の上面から紫外線６７を照射する。紫外線６
７は紫外線透過部６７ａを透過して上部クラッド層３
５、フォトブリーチング用ポリマ層６５ａ、中間層６
３、フォトブリーチング用ポリマ層６４ａ、バッファ層
３２及び基板３１に到達する。フォトブリーチング用ポ
リマ層６４ａ，６５ａをフォトブリーチングするとその
ポリマ層の屈折率が低下し、フォトブリーチングした下
部クラッド層６４，６５が形成される。
ド層３５の上にフォトマスク６６を配置し、そのフォト
マスク６６の上面から紫外線６７を照射する。紫外線６
７は紫外線透過部６７ａを透過して上部クラッド層３
５、フォトブリーチング用ポリマ層６５ａ、中間層６
３、フォトブリーチング用ポリマ層６４ａ、バッファ層
３２及び基板３１に到達する。フォトブリーチング用ポ
リマ層６４ａ，６５ａをフォトブリーチングするとその
ポリマ層の屈折率が低下し、フォトブリーチングした下
部クラッド層６４，６５が形成される。
【００５９】他方、フォトマスク６６の紫外線非透過部
６６ｂの下のフォトブリーチング用ポリマ層６４ａ，６
５ａの部分は未露光部として屈折率は低下せずそのまま
コア層６１，６２となる。コア層６１，６２の形状は、
下部クラッド層６４，６５、フォトブリーチング用ポリ
マ層６４ａ，６５ａ、中間層６３のそれぞれの厚さの総
和が３０μｍ以下の場合には、略等しい寸法形状とな
る。上記各層のそれぞれの層の厚さの総和が３５μｍ以
上の場合には、コア層６１，６２の形状が若干異なって
いる。フォトブリーチング用ポリマ層６４ａ，６５ａの
厚さが厚い場合、すなわち、マルチモード伝送用の場合
には、上部クラッド層３５を形成する前に、フォトブリ
ーチング用ポリマ層６５ａの上にフォトマスク６６を配
置してフォトブリーチングを行い、その後で上部クラッ
ド層３５を形成するようにすれば、コア層６１，６２を
より精度良く形成することができると共に、フォトブリ
ーチングした下部クラッド層６４，６５の屈折率が均一
なポリマ導波路６０が得られる。
６６ｂの下のフォトブリーチング用ポリマ層６４ａ，６
５ａの部分は未露光部として屈折率は低下せずそのまま
コア層６１，６２となる。コア層６１，６２の形状は、
下部クラッド層６４，６５、フォトブリーチング用ポリ
マ層６４ａ，６５ａ、中間層６３のそれぞれの厚さの総
和が３０μｍ以下の場合には、略等しい寸法形状とな
る。上記各層のそれぞれの層の厚さの総和が３５μｍ以
上の場合には、コア層６１，６２の形状が若干異なって
いる。フォトブリーチング用ポリマ層６４ａ，６５ａの
厚さが厚い場合、すなわち、マルチモード伝送用の場合
には、上部クラッド層３５を形成する前に、フォトブリ
ーチング用ポリマ層６５ａの上にフォトマスク６６を配
置してフォトブリーチングを行い、その後で上部クラッ
ド層３５を形成するようにすれば、コア層６１，６２を
より精度良く形成することができると共に、フォトブリ
ーチングした下部クラッド層６４，６５の屈折率が均一
なポリマ導波路６０が得られる。
【００６０】尚、図８に示したポリマ導波路の製造方法
を用いる場合も同様にしてフォトブリーチングしてもよ
い。
を用いる場合も同様にしてフォトブリーチングしてもよ
い。
【００６１】以上において本発明によれば、 (1) ポリマからなるコア層とクラッド層との界面の不均
一性がほとんどなくなり、低損失の光導波路を実現する
ことができる。
一性がほとんどなくなり、低損失の光導波路を実現する
ことができる。
【００６２】(2) 上部クラッド層の上面が平坦なため、
薄膜金属ヒータや薄膜磁性体の形成等が容易となる。ま
た光部品や電子部品の搭載も容易となる。
薄膜金属ヒータや薄膜磁性体の形成等が容易となる。ま
た光部品や電子部品の搭載も容易となる。
【００６３】(3) プロセスが簡単で、かつ高寸法精度の
コアパターン層を形成することができるので、高性能な
導波路型光部品を低コストで実現することができる。
コアパターン層を形成することができるので、高性能な
導波路型光部品を低コストで実現することができる。
【００６４】(4) 基板の厚さを極めて薄くした、いわゆ
るフレキシブルポリマ導波路型光部品を高性能、高寸法
精度で製造することができる。しかも曲げて折れること
がなく、装置内への実装も容易である。
るフレキシブルポリマ導波路型光部品を高性能、高寸法
精度で製造することができる。しかも曲げて折れること
がなく、装置内への実装も容易である。
【００６５】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００６６】紫外線が照射されると屈折率が低下するポ
リマコア層のコア層とすべき部分を除いて紫外線を照射
することにより、コア層の両側面にクラッド層が形成さ
れるので、クラッド層の上面が平坦となり、高寸法精度
の極めて薄いポリマ導波路を得ることができる。
リマコア層のコア層とすべき部分を除いて紫外線を照射
することにより、コア層の両側面にクラッド層が形成さ
れるので、クラッド層の上面が平坦となり、高寸法精度
の極めて薄いポリマ導波路を得ることができる。
【図１】本発明のポリマ導波路の一実施の形態を示す断
面図である。
面図である。
【図２】ＤＭＡＰＮの吸収スペクトルを示す図である。
【図３】フォトブリーチング前後の屈折率の波長依存性
を示す図である。
を示す図である。
【図４】本発明のポリマ導波路の他の実施の形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明のポリマ導波路の他の実施の形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明のポリマ導波路の他の実施の形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図７】（ａ）は本発明のポリマ導波路を用いた光分岐
回路の一実施の形態を示す側面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
回路の一実施の形態を示す側面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図８】本発明のポリマ導波路の製造方法の一実施の形
態を示す工程図である。
態を示す工程図である。
【図９】本発明のポリマ導波路の製造方法の他の実施の
形態を示す工程図である。
形態を示す工程図である。
【図１０】ポリマ導波路の従来例を示す断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）はポリマ導波路の製造方法を
示す従来例である。
示す従来例である。
【図１２】（ａ）〜（ｄ）はポリマ導波路の製造方法を
示す他の従来例である。
示す他の従来例である。
【図１３】（ａ）〜（ｄ）はポリマ導波路の製造方法を
示すさらに他の従来例である。
示すさらに他の従来例である。
【図１４】（ａ）は従来のポリマ導波路上に薄膜ヒータ
を設けた場合の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
線断面図である。
を設けた場合の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
線断面図である。
３０ ポリマ導波路 ３１ 基板 ３２ バッファ層 ３３ コア層 ３４ 下部クラッド層 ３４ａ ポリマコア層 ３５ 上部クラッド層
Claims (7)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に形成された低屈折率
ｎb のバッファ層と、該バッファ層の上に形成され紫外
線が照射されると屈折率が低下するポリマからなり、紫
外線が照射されない略矩形断面形状のコア層（屈折率ｎ
w 、ｎw ＞ｎb ）と、該コア層の両側で紫外線が照射さ
れた下部クラッド層（屈折率ｎp 、ｎp ＜ｎw ）と、上
記ポリマの該コア層の両側で紫外線が照射された下部ク
ラッド層と、該下部クラッド層及び上記コア層の上面を
覆う上部クラッド層（ｎc 、ｎc ＜ｎw ）とを備えたこ
とを特徴とするポリマ導波路。 - 【請求項２】 基板と、該基板上に形成され紫外線が照
射されると屈折率が低下するポリマからなり、紫外線が
照射されない略矩形断面形状のコア層（屈折率ｎw 、ｎ
w ＞ｎb ）と、該コア層の両側で紫外線が照射された下
部クラッド層（屈折率ｎp 、ｎp ＜ｎw ）と、上記ポリ
マの該コア層の両側で紫外線が照射された下部クラッド
層と、該下部クラッド層及び上記コア層の上面を覆う上
部クラッド層（ｎc 、ｎc ＜ｎw ）とを備えたことを特
徴とするポリマ導波路。 - 【請求項３】 上記バッファ層及び上記上部クラッド層
にＳｉＯ2 系の材料か或いはポリマ材料のいずれかを用
いた請求項１又は２に記載のポリマ導波路。 - 【請求項４】 上記コア層及び上記下部クラッド層を、
屈折率がｎi （ｎi ＜ｎw ）で所望の厚さを有する中間
層で上下に仕切った請求項１から３のいずれかに記載の
ポリマ導波路。 - 【請求項５】 上記基板にプラスチック材料を用いた請
求項１から４のいずれかに記載のポリマ導波路。 - 【請求項６】 基板上にバッファ層、紫外線が照射され
ると屈折率が低下するポリマ層及び上部クラッド層を順
次形成する第１工程と、上記上部クラッド層の上面に紫
外線非透過部及び紫外線透過部のパターンが形成された
フォトマスクを配置し、該フォトマスクの上から紫外線
を照射することにより、紫外線の照射されないポリマか
らなるコア層と紫外線が照射されたポリマからなる下部
クラッド層とを形成する第２工程と、上記コア層及び下
部クラッド層の上面に上部クラッド層を形成する第３工
程とからなることを特徴とするポリマ導波路の製造方
法。 - 【請求項７】 上記第１工程において、ポリマ層と上部
クラッド層との間に、他のポリマ層と中間層とを順次形
成し、上記第２工程において、紫外線の照射されないポ
リマからなるコア層及び他のコア層と紫外線が照射され
たポリマからなる下部クラッド層及び他のクラッド層と
を形成する請求項６に記載のポリマ導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20056296A JPH1048443A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | ポリマ導波路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20056296A JPH1048443A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | ポリマ導波路及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048443A true JPH1048443A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16426389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20056296A Pending JPH1048443A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | ポリマ導波路及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1048443A (ja) |
Cited By (11)
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