JP3552592B2 - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3552592B2 JP3552592B2 JP17112299A JP17112299A JP3552592B2 JP 3552592 B2 JP3552592 B2 JP 3552592B2 JP 17112299 A JP17112299 A JP 17112299A JP 17112299 A JP17112299 A JP 17112299A JP 3552592 B2 JP3552592 B2 JP 3552592B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- core layer
- refractive index
- waveguide
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
光デバイスの小型化、集積化、低コスト化のために、導波路型構造の光デバイスの研究開発が活発に行われている。
【0003】
図6(a)は従来の光導波路の断面図であり、図6(b)は図6(a)のA−A線断面内の屈折率分布を示し、図6(c)は図6(a)のB−B線断面内の屈折率分布を示す図である。
【0004】
図6(b)において横軸は幅方向の位置を示し、縦軸は屈折率を示す。図6(c)において横軸は屈折率を示し、縦軸は厚さ方向の位置を示す。
【0005】
導波路は基板1上に形成された低屈折率のクラッド層3内に略矩形断面形状の高屈折率のコア層2が埋め込まれた構造である。コア層2の幅及び厚さ方向の屈折率分布は略一様の値を有する平坦な分布を有している。
【0006】
図7(a)は図6に示した導波路のうち、90°に曲がった導波路の曲率半径Rと導波路放射損失(曲線部での放射損失)をコア層とクラッド層との比屈折率差Δをパラメータにして計算した結果を示し、図7(b)は図6に示した導波路のうち、S字状の曲線導波路の曲率半径Rと導波路放射損失をコア層とクラッド層との比屈折率差Δをパラメータにして計算した結果を示す図である。両図において横軸が曲率半径を示し、縦軸が結合損失を示している。
【0007】
両図より、放射損失は比屈折率差Δが小さい程、あるいは曲率半径Rが小さい程大きくなることが分かる。放射損失を0.02dB以下にするためには曲率半径Rを0.8cm以上にしなければならず、導波路型光デバイスの小型化を困難にしている。これとは逆に曲率半径Rを小さくして小型化すると損失の大きな光デバイスになってしまう。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、従来の導波路型光デバイスには以下のような問題点がある。
【0009】
(1) 小型で低損失な導波路型光デバイスを実現することが困難である。
【0010】
(2) 製造プロセスに起因してコア層とクラッド層との界面が不均一になりやすく、散乱損失が非常に大きな値を示している。特に図7に示したような曲線導波路部からのコア層とクラッド層との界面の不均一による散乱損失が非常に大きい。
【0011】
(3) 略矩形断面形状のコア層をドライエッチングで形成するため、コア層の両側面、コア層のエッジ面の荒れに起因した散乱損失や放射損失が大きい。
【0012】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、小型で散乱損失や放射損失の小さい低損失光導波路及びその製造方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の光導波路の製造方法は、基板上に第1クラッド層を形成する工程と、第1クラッド層の上にUV光の照射量に応じて屈折率が低下するフォトブリーチング層を形成する工程と、該フォトブリーチング層の上にコア層のパターンを有する第1フォトマスクを配置し、第1フォトマスクの上からUV光を照射して略矩形断面形状で少なくとも1か所に曲線部を有する高屈折率のコア層を形成すると共にコア層の両側に低屈折率の側面クラッド層を形成する工程と、該側面クラッド層及びコア層の上に中央コア層のパターンを有する第2フォトマスクを配置し、第2フォトマスクの上からUV光を照射してコア層の中央部を高屈折率の中央コア層に形成すると共に、中央コア層の両側部を中央コア層よりも屈折率の低い側面コア層を形成する工程と、上記中央コア層、上記側面コア層及び上記側面クラッド層の上に第2クラッド層を積層する工程とを有するものである。
【0014】
上記構成に加え、上記第2クラッド層の上にUVカット層あるいはUV吸収層を積層する工程を有するものである。
【0015】
本発明によれば、コア層が幅方向に少なくとも2段型の屈折率分布を有するので、コア層中を伝搬する光の大部分が屈折率の高い部分に閉じ込められて伝搬する。コア層及びクラッド層がフォトブリーチング材料からなるため、界面が均一である。その結果、小型で散乱損失や放射損失の小さい低損失光導波路及びその製造方法の提供を実現することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【0017】
図1(a)は本発明の低損失光導波路の一実施の形態を示す断面図であり、図1(b)は図1(a)のC−C線断面内での屈折率分布を示し、図1(c)は図1(a)のD−D線断面内での屈折率分布を示す図である。図1(b)において横軸が中心からの幅方向の位置を示し、縦軸が屈折率を示している。図1(c)において横軸が屈折率を示し、縦軸が厚さ方向の位置を示している。
【0018】
基板1はSi基板である(但し、ガラス、GaAsやInP等の半導体、磁性体、ポリマ材料、強誘電体材料あるいはこれらの材料を組み合わせた材料からなる基板を用いてもよい。)。
【0019】
基板1上には第1クラッド層(屈折率nC1)4が形成されている。この第1クラッド層4は膜厚が5μm以上のSiO2からなっている(但し、SiO2にF、B、P、Ti、Ge等の屈折率制御用ドーパントを少なくとも1種類添加したもの、PMMA、ポリフッ化ビニリデン、ポリスチレン、ポリイミド、シリコーン、ポリシラン等のポリマ材料を用いてもよい。)。
【0020】
第1クラッド層4の上にはフォトブリーチング材料からなる第2コア層5a、側面コア層5b及び側面クラッド層6a、6bが形成されている。このフォトブリーチング材料からなるフォトブリーチング層はUV光の照射量を増加させることによって略連続的に屈折率を低くすることができるものである。この、フォトブリーチング材料には例えばポリシランが用いられる。
【0021】
側面クラッド層6a、6bはUV光が長い時間照射されて第1クラッド層4の屈折率nC1と同程度の屈折率nCPとなるように調節されたものである。図1(b)に示すように側面クラッド層6a、6bは通常のクラッド層として作用する。
【0022】
側面コア層5bはUV照射光量を側面クラッド層6a、6bよりも少なくすることにより、コア層として作用するように屈折率nCPよりも高い屈折率nWSに調節されている。
【0023】
第2コア層5aはUV光を照射しないかあるいはUV光の照射光量が少ない層であり、その屈折率nWCは最も高い値に調節され、光が支配的に伝搬するコア層として作用する。
【0024】
次に第2コア層5a、側面コア層5b及び側面クラッド層6a、6bの上には第2クラッド層(屈折率nC2、nC2≒nC1)7が形成され、第2クラッド層7の上にはUVカット層(あるいはUV吸収層)8が形成されている。
【0025】
第2クラッド層7には前述した第1クラッド層4の材料と同等のものを用いることができる。UVカット層8にはZrO2(あるいはTaO5)とSiO2とを120℃の温度で交互に数十層、多層状に蒸着した多重層が用いられる。この多重層は波長300nm〜500nmの範囲で反射率が80%以上の特性を有する多層膜蒸着層である。なお、このUV光カット層8の代わりにUV光吸収層を用いてもよい。UV光吸収層は例えば、ポリマ材料にベンゾフェノン系、サリチレート系、ベンゾトリアゾール系の添加剤を添加したもの、あるいはポリマ材料に二酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛等の金属酸化物顔料を添加したものを用いることができる。
【0026】
図1(b)に示したように、第2コア層5a及び側面コア層5bの幅方向に2段型の屈折率分布を持たせ、第2コア層5a及び側面コア層5bからなるコア層の中央部、つまり第2コア層5aを高屈折率層とすることにより、図7(a)、(b)に示したような曲線部内を伝搬する光信号の放射損失を大幅に低減することができる。すなわち、光信号の大部分がコア層の中央部に閉じ込められて伝搬するので、曲線部での製造プロセスに起因する構造不均一による放射及び散乱損失を低減することができる。
【0027】
特に、第2コア層5a、側面コア層5b及び側面クラッド層6a、6bはフォトブリーチング材料によって形成されているので界面が均一であり、この界面での散乱損失も小さいので、より効果的に放射及び散乱損失を低減することができる。この結果、図7(a)、(b)に示したような90°の曲線パターン及びS字曲線パターンの曲率半径Rを小さくすることができ、小型の導波路デバイスを実現することができる。
【0028】
また、第2コア層5a及び側面コア層5bは、その厚さ方向に対してコア層パターンが曲線状パターンに形成されないので、第2コア層5a、側面コア層5b内の厚さ方向の屈折率分布は一様に平坦に形成される。また厚さ方向の屈折率分布の段差はほとんど生じないので、より一層の低損失化が可能となる。
【0029】
図2(a)〜(d)は図1に示した低損失導波路の製造方法の一実施の形態を示す工程図である。図3(a)、(b)は図2(a)〜(d)に示した工程中に用いられるフォトマスクの平面図である。
【0030】
Si基板1上にSiO2からなる第1クラッド層4を約10μmの厚さに形成する。第1クラッド層4の上にフォトブリーチング層5を形成する。
【0031】
ここで、フォトブリーチング層5は次のように形成する。第1クラッド層4の上にヘキサメチルジシラザン(CH3SiNHSiCH3)を塗布する。ヘキサメチルジシラザンを120℃で約1時間べーキングして疎水化した後、10重量%の濃度でトルエンに溶解したポリシランをスピンコーティングし、120℃で約1時間べーキングする(図2(a))。
【0032】
フォトブリーチング層5の上に、第1フォトマスク9を配置し、第1フォトマスク9の上から波長370nmのUV光10を照射する。第1フォトマスク9には図3(a)に示すような第1コア層のパターンを有するマスクを用いる。第1フォトマスク9は例えば直線状のコアパターン(UV光反射領域)12を形成するためのマスクであり、UV光反射領域12とUV光透過領域13とを有している。このような第1フォトマスク9を用い、第1フォトマスク9の上からUV光を照射すると、UV光透過領域13の下のフォトブリーチング層5はUV光照射によって屈折率が低下する(屈折率:1.460)。
【0033】
他方、UV光反射領域12の下のフォトブリーチング層5はUV光が照射されないので、屈折率の低下は生じない(屈折率値:1.475)。
【0034】
以上より、図2(b)に示すように、高屈折率の第1コア層5´と、第1コア層5´の両側面に低屈折率の側面クラッド層6a´、6b´が形成される。
【0035】
次に図2(c)に示すように第1コア層5´及び側面クラッド層6a´、6b´の上に第2フォトマスク11を配置し、UV光10を照射する。
【0036】
第2フォトマスク11は図3(b)に示すようなマスクが用いられる。第2フォトマスク11は、UV光反射領域12´とUV光透過領域13とを有するマスクが用いられる。この第2フォトマスク11の上からUV光10を照射すると、UV光透過領域13の下の側面クラッド層6a´、6b´の屈折率はさらに低下する(屈折率値:1.450)。UV光反射領域12´の下の第1コア層5´の中央部にはUV光が照射されないので、屈折率の低下は生じない(屈折率値:1.475)。
【0037】
しかし、UV光反射領域12の中のUV光反射領域12´に相当する部分以外の部分(第1コア層5´の両側部)にはUV光が照射されるので、第1コア層5´の両側部の屈折率は1.475から1.460へ低下する。
【0038】
すなわち、図2(d)に示すように第2コア層5aの屈折率は1.475となり側面コア層5bの屈折率は1.460になり、側面クラッド層6a、6bの屈折率は1.450になる。
【0039】
第2コア層5a、側面コア層5b、側面クラッド層6a、6bの上に第2クラッド層7(シリコーン樹脂、屈折率1.450)を形成し、第2クラッド層7の上にUV光吸収層8を形成することにより図1に示した低損失光導波路が得られる。
【0040】
図4(a)は本発明の低損失光導波路の他の実施の形態を示す断面図であり、図4(b)は図4(a)のE−E線断面内での屈折率分布を示し、図4(c)は図4(a)のF−F線断面内での屈折率分布を示す図である。図4(b)において横軸が中心からの幅方向の位置を示し、縦軸が屈折率を示している。図4(c)において横軸が屈折率を示し、縦軸が厚さ方向の位置を示している。
【0041】
この光導波路は第1クラッド層4の上に、二つのコア層(一方(図では左側)の第2コア層5aa、一方の側面コア層5ba、他方(図では右側)の第2コア層5ab、他方の側面コア層5bb)を並列に配置した構造を有している。
【0042】
高屈折率の一方の第2コア層5aaがこの第2コア層5aaより低屈折率の一方の側面コア層5baの間に設けられ、高屈折率の他方の第2コア層5abがこの第2コア層5abより低屈折率の他方の側面コア層5bbの間に設けられ、両コア層の間に低屈折率のフォトブリーチング層からなる側面クラッド層6cが設けられている。
【0043】
一方の側面コア層5baの外側(図では左側)には低屈折率のフォトブリーチング層からなる側面クラッド層6aが形成されている。他方の側面コア層5bb外側(図では右側)には低屈折率のフォトブリーチング層からなる側面クラッド層6bが形成されている。
【0044】
この光導波路は、並置コア層、90°曲線パターン及びS字曲線パターン等を有しているので、方向性結合器、合分波器、フィルタ、スイッチ、変調器等のデバイスを低損失で実現する上で有効となる。また、これらのデバイスは幅方向に図7に示したような90°曲線パターンやS字曲線パターンを多用するので、本発明の導波路を用いて低損失が図られ、小型化を実現することができる。
【0045】
図5(a)は本発明の低損失光導波路の他の実施の形態を示す断面図であり、図5(b)は図5(a)のG−G線断面内での屈折率分布を示し、図5(c)は図5(a)のH−H線断面内での屈折率分布を示す図である。図5(b)において横軸が中心からの幅方向の位置を示し、縦軸が屈折率を示している。図5(c)において横軸が屈折率を示し、縦軸が厚さ方向の位置を示している。
【0046】
この光導波路は、基板1上に第1導波路14−1が形成され、第1導波路14−1の上に第2導波路14−2が形成された積層構造の多機能、高集積型の光導波路である。
【0047】
第1導波路14−1は、第1クラッド層4−1と、第1クラッド層4−1の上に形成された第2コア層5a−1、側面コア層5b−1及び側面クラッド層6a−1、6b−1と、第2コア層5a−1、側面コア層5b−1及び側面クラッド層6a−1、6b−1の上に形成された第2クラッド層7−1と、第2クラッド層7−1の上に形成されたUVカット(あるいはUV吸収)層8−1とで構成されている。
【0048】
第2導波路14−2は、第1クラッド層4−2と、第1クラッド層4−2の上に形成された第2コア層5a−2、側面コア層5b−2及び側面クラッド層6a−2、6b−2と、第2コア層5a−2、側面コア層5b−2及び側面クラッド層6a−2、6b−2の上に形成された第2クラッド層7−2と、第2クラッド層7−2の上に形成されたUVカット(あるいはUV吸収)層8−2とで構成されている。
【0049】
この積層型の光導波路は第1導波路14−1及び第2導波路14−2にそれぞれ同一、あるいは別々の光信号処理回路を形成してもよい。
【0050】
本発明は上記実施の形態に限定されない。
【0051】
まず、第1クラッド層4−1、4−2と第2クラッド層7−1、7−2との屈折率は等しくてもよく、異なっていてもよい。側面クラッド層6a−1、6b−1、6a−2、6b−2の屈折率も第1クラッド層4−1、4−2及び第2クラッド層7−1、7−2の屈折率と等しくてもよく、異なっていてもよい。光導波路はシングルモード伝送用以外に、マルチモード伝送用であってもよい。フォトブリーチング材料にはシリコーン系、エポキシ系等の材料を用いることができる。また、上記実施の形態以外の具体例としては、dye polymer,4−dialkylamino−4´−nitro−stilbene,DMAPN,2−nitrostilbene等を用いることができる。コア層は基板の幅方向に1個、2個、さらには3個以上並べて配置してもよい。また基板1上には導波路を1層、2層、3層、4層、…のように多層状に形成し、高集積化、多機能化を図るようにすることができる。
【0052】
基板1の表面、裏面あるいは中に電子回路、電子部品、電気配線が実装されていてもよい。また導波路の上面、下面、両端面あるいは中に光回路以外の光部品、電子回路、電子部品、電気配線等が実装されていてもよい。さらに導波路の入出力端面側には光ファイバが接続されていてもよい。またフォトブリーチング材料として、ポリマ材料以外に無機材料(例えばSiO2系材料にGeO2を添加したもの等)を用いてもよい。
【0053】
コア層内の屈折率分布は2段型以外に、3段型、4段型等であってもよい。これらの多段型屈折率分布の製造方法は、複数のフォトマスクを用いることによって容易に実現することができる。
【0054】
以上において本発明によれば、
(1) 導波路のコア層の幅方向の光パワー分布に類似の屈折率分布を形成することができ、かつそれぞれのコア層の界面を均一に形成することができるので、低損失な導波路が得られる。
【0055】
(2) 放射損失や散乱損失を低減した低損失導波路を簡単なプロセスで実現することができる。
【0056】
(3) 基板の幅方向に90°曲線パターンやS字曲線パターンを多用した光信号処理回路を曲率半径を小さくして形成することができ、小型で、高集積な光デバイスを実現することができる。
【0057】
(4) コア層をフォトブリーチング層で形成することにより、屈折率分布の各段階の境界部を均一に形成することができ、屈折率はUV光の照射パワーと照射時間とを制御することで変化させることができるので、低損失化、低コスト化の他に、光信号処理回路の設計を容易に行うことができる。
【0058】
(5) 各層の厚さ方向の段差もほとんど無いので、さらに低損失化を図ることができる。また、光部品、電気部品、電気回路、電気配線等を基板の表面(あるいは裏面)、基板中あるいは導波路の上面(あるいは裏面)、あるいは導波路中に実装することが容易になる。
【0059】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、次のような優れた効果を発揮する。
【0060】
小型で散乱損失や放射損失の小さい低損失光導波路及びその製造方法の提供を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の低損失光導波路の一実施の形態を示す断面図であり、(b)は(a)のC−C線断面内での屈折率分布を示し、(c)は(a)のD−D線断面内での屈折率分布を示す図である。
【図2】(a)〜(d)は図1に示した低損失導波路の製造方法の一実施の形態を示す工程図である。
【図3】(a)、(b)は図2(a)〜(d)に示した工程中に用いられるフォトマスクの平面図である。
【図4】(a)は本発明の低損失光導波路の他の実施の形態を示す断面図であり、(b)は(a)のE−E線断面内での屈折率分布を示し、(c)は(a)のF−F線断面内での屈折率分布を示す図である。
【図5】(a)は本発明の低損失光導波路の他の実施の形態を示す断面図であり、(b)は(a)のG−G線断面内での屈折率分布を示し、(c)は(a)のH−H線断面内での屈折率分布を示す図である。
【図6】(a)は従来の光導波路の断面図であり、(b)は(a)のA−A線断面内の屈折率分布を示し、(c)は(a)のB−B線断面内の屈折率分布を示す図である。
【図7】(a)は図6に示した導波路のうち、90°に曲がった導波路の曲率半径Rと導波路放射損失をコア層とクラッド層との比屈折率差Δをパラメータにして計算した結果を示し、(b)は図6に示した導波路のうち、S字状の曲線導波路の曲率半径Rと導波路放射損失をコア層とクラッド層との比屈折率差Δをパラメータにして計算した結果を示す図である。
【符号の説明】
1 基板
5a、5b コア層
4、6a、6b、7 クラッド層
8 UVカット層(UV吸収層)
Claims (2)
- 基板上に第1クラッド層を形成する工程と、第1クラッド層の上にUV光の照射量に応じて屈折率が低下するフォトブリーチング層を形成する工程と、該フォトブリーチング層の上にコア層のパターンを有する第1フォトマスクを配置し、第1フォトマスクの上からUV光を照射して略矩形断面形状で少なくとも1か所に曲線部を有する高屈折率のコア層を形成すると共にコア層の両側に低屈折率の側面クラッド層を形成する工程と、該側面クラッド層及びコア層の上に中央コア層のパターンを有する第2フォトマスクを配置し、第2フォトマスクの上からUV光を照射してコア層の中央部を高屈折率の中央コア層に形成すると共に、中央コア層の両側部を中央コア層よりも屈折率の低い側面コア層を形成する工程と、上記中央コア層、上記側面コア層及び上記側面クラッド層の上に第2クラッド層を積層する工程とを有することを特徴とする光導波路の製造方法。
- 上記第2クラッド層の上にUVカット層あるいはUV吸収層を積層する工程を有する請求項1に記載の光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17112299A JP3552592B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17112299A JP3552592B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 光導波路の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001004852A JP2001004852A (ja) | 2001-01-12 |
JP3552592B2 true JP3552592B2 (ja) | 2004-08-11 |
Family
ID=15917403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17112299A Expired - Fee Related JP3552592B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3552592B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103080798A (zh) * | 2010-08-27 | 2013-05-01 | 住友电木株式会社 | 光波导和电子设备 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004287396A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-10-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路フィルム |
CN101128768A (zh) | 2005-02-22 | 2008-02-20 | 日本碍子株式会社 | 光调制器 |
JP5580511B2 (ja) * | 2007-10-22 | 2014-08-27 | パナソニック株式会社 | 光電複合基板の製造方法 |
WO2012039393A1 (ja) * | 2010-09-22 | 2012-03-29 | 住友ベークライト株式会社 | 光導波路および電子機器 |
JP2012163837A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路の製造方法、光導波路および電子機器 |
JP7162268B2 (ja) | 2017-12-26 | 2022-10-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光スキャンデバイス、光受信デバイス、および光検出システム |
-
1999
- 1999-06-17 JP JP17112299A patent/JP3552592B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103080798A (zh) * | 2010-08-27 | 2013-05-01 | 住友电木株式会社 | 光波导和电子设备 |
CN103080798B (zh) * | 2010-08-27 | 2015-09-16 | 住友电木株式会社 | 光波导和电子设备 |
US9151888B2 (en) | 2010-08-27 | 2015-10-06 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Optical waveguide and electronic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001004852A (ja) | 2001-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Baba et al. | Loss reduction of an ARROW waveguide in shorter wavelength and its stack configuration | |
JP2007072433A (ja) | 光集積素子及び光制御素子 | |
US20080193079A1 (en) | Interface Device For Performing Mode Transformation in Optical Waveguides | |
TW200426416A (en) | Embedded mode converter | |
JP2005128419A (ja) | 光導波路構造およびその作製方法 | |
JP3739328B2 (ja) | フォトニック結晶素子 | |
JP7400843B2 (ja) | 光素子の製造方法 | |
JP3552592B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
EP1623255A2 (en) | Low-loss optical waveguide crossovers using an out-of-plane waveguide | |
US20230089592A1 (en) | Optical Connecting Device, Optical Device, and Method for Manufacturing Optical Device | |
JP2004170668A (ja) | 光送受信モジュール、その製造方法、及び光通信システム | |
JPH1048443A (ja) | ポリマ導波路及びその製造方法 | |
JP2001296438A (ja) | フォトブリーチング導波路 | |
JP4095358B2 (ja) | ホーリー導波路型光回路及びその製造方法 | |
WO2006049324A1 (ja) | 導波型ビームパラメータ積制御光回路及び光集積回路 | |
JP4114791B2 (ja) | 積層光導波路 | |
Lin et al. | Two-and three-dimensional photonic crystals built with VLSI tools | |
US20030099438A1 (en) | Directional coupler and optical communication device | |
JP2010085564A (ja) | 光導波路回路及び光回路装置 | |
JPH10123341A (ja) | 光導波路およびその製造方法 | |
JPH11264912A (ja) | 光配線 | |
JP3898457B2 (ja) | 光集積回路基板 | |
JP3898448B2 (ja) | 光集積回路基板 | |
JP2004177816A (ja) | 光配線 | |
Noor et al. | Comparison of Photonic to Plasmonic Mode Converters for Plasmonic Multiple-Input Devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040413 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040426 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100514 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |