JPH1041209A - 基板現像方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板をその周縁部に当接する支持部材で支持
することにより、吸着に起因する基板裏面の汚染を防止
することができるとともに、温度分布の偏りに起因する
現像ムラを防止する。 【解決手段】 被膜が形成された基板Ｗの表面全体を現
像液Ｄで覆って現像処理を施す基板処理方法において、
基板Ｗを、その周縁部に当接する支持部材５ｆによって
支持した状態で現像処理を施す。現像液Ｄは、支持部材
５ｆを伝って流下するので、基板Ｗの中心部から外周部
に向かう流動が生じる。この流動によって現像液Ｄの活
性度が均一にされる。また、支持ピン５ｂと支持部材５
ｆとによって支持するので、吸着に起因する基板Ｗの汚
染及び温度分布不均一を解消できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称す
る）の表面に形成された被膜に対して現像液を供給して
現像処理を施す基板現像方法及びその装置に係り、特
に、静止した状態の基板の表面全体を現像液で覆って現
像処理を施す（いわゆるパドル現像）技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の基板現像方法として、例
えば、基板の裏面を吸引式スピンチャックにより吸着支
持し、基板を回転させることなく静止させた状態で露光
済みの被膜を有する表面に現像液を供給して全体を現像
液で覆い、この状態を一定時間、例えば、６０秒間保持
することにより基板に対して現像処理を施すものが挙げ
られる。このようにして現像された基板は、その後、電
動モータにより吸引式スピンチャックとともに回転駆動
され、その表面に供給されている現像液を振り切って乾
燥される。

【０００３】このような現像方法では、基板に供給した
現像液を静止させた状態に保持しているので、基板の上
方から現像液を常に供給し続ける方法に比較して露光済
みの被膜に対してダメージを与えることが少なく、ま
た、現像液の消費量も少なく現像処理を施すことができ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来方法によると次のような問題がある。すなわ
ち、吸引式スピンチャックは、基板を回転駆動する際に
も確実に吸着保持できるように強力な吸引を行う必要が
あるので、吸引に起因する汚染が基板の裏面に生じると
いう問題点がある。つまり、基板裏面を強力に吸引する
ことにより、ミストやパーティクルがその付近に付着し
てチャック跡が生じる。

【０００５】また、吸引式スピンチャックは、基板の裏
面への吸着部分の大きさが、基板の径よりも小さくなっ
ている関係上、裏面に吸引式スピンチャックが当接して
いる部分とそうでない部分とにおいて温度分布に偏りが
生じる。つまり、基板の回転中心付近とその外周部とで
は、温度分布に差異が生じる。このように温度分布に差
異が生じることにより、現像液による反応に差異が生じ
て現像ムラが生じるという問題点がある。

【０００６】また、基板の表面に供給された現像液は、
基板の回転中心上方から供給され、基板の中心付近から
周縁部に向かって拡がってゆき、最終的に基板の表面全
体を覆うことになる。しかしながら、その際にも現像液
は基板表面の被膜と反応しつつ拡がってゆくので、現像
液の活性度が中心部と周縁部とで異なることになる。つ
まり、基板の中心付近の現像液は活性度が高く、周縁部
に向かうに従ってその度合いが低下している。したがっ
て、その状態で基板を一定時間保持して現像すると、中
心部ほど現像が進行し、周縁部に向かうにつれてその割
合が低下することになる。その結果、基板の全面にわた
って現像を均一に施すことができないという別異の問題
がある。

【０００７】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板をその周縁部に当接する支持部材
で支持することにより、吸着に起因する基板裏面の汚染
を防止することができるとともに、温度分布の偏りに起
因する現像ムラを防止することができる基板現像方法を
提供することを目的とする。

【０００８】また、本発明のもう一つの目的は、基板の
表面全体を覆っている現像液をその外周部から漏らすこ
とによって、現像液の活性度不均一に起因する現像ムラ
を防止することができる基板現像方法及びその装置を提
供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の基板現像方法は、被膜が形成され
た基板の表面全体を現像液で覆って現像処理を施す基板
現像方法において、前記基板を、その周縁部に当接する
複数個の支持部材により支持した状態で現像処理を施す
ことを特徴とするものである。

【００１０】また、請求項２に記載の基板現像方法は、
請求項１に記載の基板現像方法において、前記基板の表
面全体を覆っている現像液を、その外周部より漏らしつ
つ現像処理を施すことを特徴とするものである。

【００１１】また、請求項３に記載の基板現像方法は、
請求項２に記載の基板現像方法において、さらに前記基
板の表面に現像液を供給しつつ現像処理を施すことを特
徴とするものである。

【００１２】また、請求項４に記載の基板現像装置は、
被膜が形成された基板の表面全体を現像液で覆って現像
処理を施す基板現像装置において、前記基板を水平面内
で回転自在に支持する回転支持手段と、前記基板の表面
に現像液を供給する供給手段と、前記回転支持手段の周
囲を囲って現像液が飛散することを防止する飛散防止カ
ップと、前記基板の表面を覆った現像液を、その外周部
から漏らすためのリーク手段と、前記回転支持手段を停
止させた状態で、前記供給手段により前記基板の表面に
現像液を供給し、前記リーク手段を介して現像液をその
外周部より漏らしつつ現像処理を施すとともに、所定時
間後に前記回転支持手段により前記基板を回転駆動して
前記基板に供給された現像液を振り切って乾燥させる制
御手段と、を備えていることを特徴とするものである。

【００１３】

【作用】請求項１に記載の発明方法の作用は次のとおり
である。基板の周縁部に当接する複数個の支持部材によ
り基板をほぼ水平姿勢に保持し、この状態で基板の表面
全体に現像液を供給する。したがって、吸引に起因する
基板裏面の汚染を防止することができる。また、基板に
当接するのは、複数個の支持部材であって、かつ、周縁
部に当接するようになっているので、吸引式スピンチャ
ックのように当接した部分とそうでない部分とで温度に
偏りが生じることを防止することができる。したがっ
て、基板の表面全体にわたって温度分布を均一にするこ
とができる。

【００１４】また、請求項２に記載の発明方法によれ
ば、基板の表面全体を覆っている現像液の外周部から現
像液を積極的に漏らすことにより、現像液が中心部から
外周部に向かって流動するので、基板の表面全体にわた
って現像液の活性度をほぼ均一にすることができる。

【００１５】また、請求項３に記載の発明方法の作用は
次のとおりである。現像液を外周部から漏らしてゆく
と、当然のことながら基板の表面に供給された現像液の
深さ（以下、液深と称する）は、次第に減少してゆく。
すると、その液深の減少に伴って漏れ量が減少してゆく
ので、現像液の流動する割合が減少することになる。し
たがって、現像液の活性度を均一にする作用が低下する
ことになる。そこで、現像液を外周部から漏らしつつ、
活性度の高い現像液を新たに補充するように供給するこ
とによって液深をほぼ一定に保ち、現像液の漏れ量をほ
ぼ一定にすることができる。その結果、現像液の活性度
をより均一にすることができる。

【００１６】また、請求項４に記載の発明装置の作用は
次のとおりである。基板は回転支持手段により支持さ
れ、供給手段から現像液が供給される。供給された現像
液は、基板の回転中心から周縁部に向かって拡がって基
板の表面全体を覆う。基板の表面を覆っている現像液
は、リーク手段によってその外周部から漏らされる。し
たがって、その中心部から外周部に向かって現像液の流
動が生じ、現像液の活性度を基板の全体にわたってほぼ
均一にすることができる。その後、制御手段は回転支持
手段を介して基板を回転駆動し、その表面の現像液を振
り切って基板を乾燥する。振り切られた現像液は飛散防
止カップによって受け止められて回収される。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。 ＜第１実施例＞図１は、実施例に係る基板現像装置の概
略構成を示す縦断面図である。図中、符号１は回転軸で
あり、その下端部は電動モータ３に連動連結されて鉛直
方向に沿った軸芯Ｐ周りに回転駆動される。回転軸１の
上端部には、メカ式スピンチャック５が装着されてい
る。このメカ式スピンチャック５の詳細については後述
する。メカ式スピンチャック５の周囲には、基板Ｗに供
給された現像液が飛散することを防止するための飛散防
止カップ７が配設されている。この飛散防止カップ７
は、上部に開口および内面に下向き傾斜面を有する上カ
ップ７ａと、上カップ７ａを上部内周面に嵌め込まれた
下カップ７ｂと、下カップ７ｂの底部上面に嵌め込まれ
ている円盤状の整流板７ｃとから構成されている。下カ
ップ７ｂのリング状の排液ゾーンには、飛散した現像液
などを回収するための排液口７ｄが形成され、整流板７
ｃと下カップ７ｂとによって形成されている排気ゾーン
には、ミストやパーティクルを含む気流を排気するため
の排気口７ｅが形成されている。なお、上述したメカ式
スピンチャック５は、本発明における回転支持手段に相
当する。

【００１８】飛散防止カップ７の上方には、現像液を基
板Ｗに対して供給するための供給ノズル１０が配備され
ている。この供給ノズル１０は、現像液を貯留するタン
クやポンプなどの現像液を圧送するための供給機構１２
に連通接続されている。なお、供給ノズル１０と供給機
構１２とは、本発明における供給手段に相当する。

【００１９】なお、図示しない基板搬送機構とメカ式ス
ピンチャック５との間で基板Ｗを受け渡しする際には、
メカ式スピンチャック５と飛散防止カップ７とが昇降機
構１４により相対昇降され、図１中に二点鎖線で示すよ
うにメカ式スピンチャック５が上カップ７ａの開口より
上方に突出するように移動される。また、基板Ｗに対し
て現像処理を施す際には、図１中に実線で示すようにメ
カ式スピンチャック５が飛散防止カップ７内に収容され
るように移動される。

【００２０】上述した電動モータ３の回転制御と、供給
機構１２からの現像液の供給制御と、昇降機構１４によ
る昇降制御は、図示しないＣＰＵやメモリを内蔵した制
御部１６によって統括制御されるようになっている。な
お、制御部１６は、本発明における制御手段に相当す
る。

【００２１】次に、上述したメカ式スピンチャック５に
ついて、図２ないし図６を参照して詳細に説明する。な
お、図２はメカ式スピンチャック５の平面図であり、図
３はその斜視図である。また、図４は回転式支持部材の
斜視図であり、図５および図６は、回転式支持部材の動
作説明に供する要部拡大図である。

【００２２】メカ式スピンチャック５は、基板Ｗの径よ
りもやや大径の回転台５ａを備えており、その上面には
回転台５ａの外周部から軸芯Ｐ側に３本の支持ピン５ｂ
が立設されている。これらの３本の支持ピン５ｂは、基
板Ｗの裏面に点接触して基板Ｗをほぼ水平姿勢で当接支
持するものである。回転台５ａの円周方向には、基板Ｗ
の周縁部に当接して水平方向の位置を規制する回転式支
持部材５ｃが配備されている。なお、以下、全ての回転
式支持部材５ｃが回転自在に構成されているとして説明
するが、基板Ｗの回転中心と軸芯Ｐとを精度良く一致さ
せるために回転式支持部材５ｃのうちの数個を固定式と
することが好ましい。

【００２３】回転式支持部材５ｃは、図４に示すように
構成されている。円柱状のベース５ｅの上面には、その
回転軸Ｐ₁ から所定距離だけ離れた移動軸Ｐ₂ に沿って
ピン状の支持部材５ｆが立設されている。ベース５ｅの
下面には回転軸Ｐ₁ に沿って回転軸体５ｇが配設され、
この下端部には円盤状の磁石保持体５ｈが取り付けられ
ている。磁石保持体５ｈは、その回転軸Ｐ₁ を通る直径
方向に長細形状の永久磁石５ｉを保持している。このよ
うに構成されている回転式支持部材５ｃは、図５に示す
ように、その回転軸体５ｇが回転台５ａに取り付けられ
ている軸受け５ａ₁ によって回動自在に支持されてい
る。この実施例では、図２に示すように、回転台５ａの
８箇所に回転式支持部材５ｃが配設されている。

【００２４】メカ式スピンチャック５と飛散防止カップ
７とが昇降機構１４により相対昇降して鉛直方向に離れ
ると、図５に示すように、回転式支持部材５ｃと、整流
板７ｃの上面に配設されたリング状磁石１８とは鉛直方
向に離れた状態となる。このときリング状磁石１８の形
成する磁力線は、図中に実線矢印で示すように回転台５
ａの外側から中心部に向かう方向に向いている。したが
って、永久磁石５ｉのＮ極が回転台５ａの中心部に向か
うように吸引される。その結果、回転式支持部材５ｃは
回転軸Ｐ₁ を中心にして回転し、支持部材５ｆが支持ピ
ン５ｂ側から離れる。つまり、支持ピン５ｂに当接支持
されている基板Ｗの周縁部から離れる。したがって、こ
の状態で図示しない基板搬送機構とメカ式スピンチャッ
ク５との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

【００２５】メカ式スピンチャック５と飛散防止カップ
７とが昇降機構１４により相対昇降して鉛直方向に近接
すると、図６に示すように、回転式支持部材５ｃとリン
グ状磁石１８とが近接した状態となる。この状態では、
永久磁石５ｉのＳ極がリング状磁石１８のＮ極に吸引さ
れる。したがって、回転式支持部材５ｃは回転軸Ｐ₁を
中心にして回転し、支持部材５ｆが支持ピン５ｂ側に回
転移動する。その結果、支持ピン５ｆが基板Ｗの周縁部
に当接して水平方向の位置を規制する。この状態では、
基板Ｗに現像液を供給して液盛りし、その後基板Ｗを回
転駆動することによって現像液を振り切って基板Ｗを乾
燥させることができる。

【００２６】次に、図７のフローチャートを参照して現
像処理について説明する。なお、基板Ｗの表面には、図
示しない感光性被膜が形成されており、既に所定パター
ンの露光が行われているものとする。

【００２７】ステップＳ１（基板の搬入） まず、制御部１６が昇降機構１４を介してメカ式スピン
チャック５と飛散防止カップ７とを相対昇降し、図示し
ない基板搬送機構を介して基板Ｗをメカ式スピンチャッ
ク５に載置する。このとき基板Ｗは、図５に示すように
支持ピン５ｂによって水平姿勢で支持されている。次い
で、メカ式スピンチャック５と飛散防止カップ７とを相
対昇降して、メカ式スピンチャック５を飛散防止カップ
７内に収容する。すると、上述したように回転式支持部
材５ｃによって基板Ｗの水平方向の位置が規制される
（図６参照）。

【００２８】ステップＳ２（現像液の供給） 供給ノズル１０の先端部を軸芯Ｐの上方に移動し、供給
機構１２から供給ノズル１０を介して静止した状態の基
板Ｗに現像液を供給開始する。なお、このとき基板Ｗを
低速回転させつつ現像液を供給するようにしてもよい。
供給された現像液Ｄは、図８中に点線で示すように基板
Ｗの中心部から周縁部に向かって次第に拡がってゆく。
そして、現像液Ｄが基板Ｗの表面全体を覆い、かつ、そ
の現像液Ｄの深さ（以下、液深と称する）がｄ₀ となっ
た時点で現像液Ｄの供給を停止する（図９参照）。つま
り、静止した基板Ｗの表面全体に現像液Ｄを液盛りす
る。なお、この液深ｄ₀ は、例えば、０．５ｍｍ〜１．
０ｍｍ程度である。このようにして現像液Ｄは、基板Ｗ
の中心部から外周部に向かって拡がってゆくが、その過
程において基板Ｗの表面に形成されている被膜と反応し
ている。つまり、最初に供給された現像液Ｄは、基板Ｗ
の中心部分で反応しつつ外周部に拡がってゆく一方で、
その後供給された現像液Ｄは、最初に供給された現像液
Ｄによって被膜がある程反応した部分に供給されること
になる。したがって、現像液Ｄの活性度は、中心部分が
最も高く、外周部に向かうにつれて低下している。その
ためこの状態を一定時間保持して現像処理を施すと、基
板Ｗの中心部分と外周部とでは反応の進行度合いに偏り
が生じることになる。つまり、活性度不均一に起因する
現像ムラが生じる。

【００２９】ステップＳ３（現像液を漏らす） 基板Ｗの表面に供給された現像液Ｄは、図１０に示すよ
うに、その外周部が８箇所の支持部材５ｆに接触し、各
接触部分から極めて微量であるが一定量ずつ漏れ始め
る。なお、この現象は、支持部材５ｆを基板Ｗの周縁部
に当接させることによって意図的に生じさせているもの
であるので、現像液Ｄを漏らすと表現することにする。
また、この現像液Ｄを漏らす過程は、説明の都合上、上
記ステップＳ２の後に生じるように記載しているが、実
際には、ステップＳ２において基板Ｗの表面全体を現像
液Ｄが覆った時点から生じるものである。上述した現像
液Ｄの漏れ量は、各支持部材５ｆの径にほぼ比例するの
で、支持部材５ｆを径が異なるものに交換することによ
って漏れ量を調整することができる。なお、支持部材５
ｆは、本発明におけるリーク手段に相当する。

【００３０】ステップＳ４（一定時間保持） 図１１に示すように、現像液Ｄが初期の液深ｄ₀ からｄ
₁ に減少するまで現像液Ｄを漏らすことを一定時間だけ
保持する。この液深ｄ₁ が『０』、すなわち、現像液Ｄ
がなくなるまで保持すると、残渣が生じて基板Ｗの被膜
に悪影響を与えることになるので、液深ｄ₁ がそれより
大きな値となるように時間を設定しておくことが好まし
い。例えば、初期の液深ｄ₀ の１／３程度の液深ｄ₁ と
なる時間だけ保持すればよい。現像液Ｄは、図１１中に
二点鎖線で示すように、各支持部材５ｆを伝って流下す
る。すると基板Ｗの中心側から外周部に向かって現像液
Ｄが流動することになる。つまり、活性度の高い現像液
Ｄが活性度の低い現像液Ｄ側に向かって流動するので、
基板Ｗの全体における現像液Ｄの活性度不均一がほぼ解
消される。したがって、現像液Ｄの活性度不均一に起因
する現像ムラを防止することができる。

【００３１】また、基板Ｗは、上述したように構成され
ているメカ式スピンチャック５によって保持されてい
る。つまり、３本の支持ピン５ｂによりその裏面が当接
支持されるとともに、その周縁部に当接する８本の回転
式支持部材５ｃにより水平方向の位置を規制されて支持
されている。したがって、吸引式スピンチャックのよう
な強力な吸着を行わないので、基板Ｗの裏面にミストや
パーティクルが付着することによりチャック跡が生じる
ことを防止することができる。さらに、接触面積を極め
て少なくすることができるので、基板Ｗの全体における
温度分布の偏りを抑制することができる。その結果、吸
着に起因する基板Ｗの裏面の汚染を防止することができ
るとともに、温度分布の偏りに起因する現像ムラを防止
することができる。

【００３２】ステップＳ５（振り切り・乾燥） 上述したようにして現像液Ｄを一定量ずつ漏らしながら
一定時間保持された基板Ｗは、電動モータ３によって回
転駆動される。これによって液深ｄ₁ にまで減少した現
像液Ｄは、遠心力によって振り切られて基板Ｗの周囲に
飛散する。飛散した現像液Ｄは、飛散防止カップ７によ
り受け止められて排液ゾーンの排液口７ｄとおって回収
される。

【００３３】ステップＳ６（基板の搬出） 昇降機構１４によりメカ式スピンチャック５と飛散防止
カップ７とを相対昇降する。これによりメカ式スピンチ
ャック５は、図１中に二点鎖線で示すように飛散防止カ
ップ７の開口を通って上方に突出する。このとき回転式
支持部材５ｃの支持部材５ｆが基板Ｗの周縁部から離れ
るので、基板Ｗは、その裏面を３本の支持ピン５ｂによ
って当接支持されているだけである。次いで、図示しな
い基板搬送機構がメカ式スピンチャック５から現像処理
済みの基板Ｗを受け取って搬出する。

【００３４】上述したようなステップＳ１〜Ｓ６を経て
１枚の基板Ｗに対する現像処理が完了する。次いで、ス
テップＳ１に戻って新たな基板Ｗを搬入して上記ステッ
プを行うことによって、順次に基板Ｗの現像処理を行う
ことができる。

【００３５】なお、上述した現像処理では、現像液Ｄを
一定量ずつ漏らすだけであったが、上記ステップＳ３，
Ｓ４において現像液Ｄを一定量ずつ漏らしつつ、その漏
れ量に相当する量の現像液Ｄを供給ノズル１０から補充
するように供給してもよい。このように現像液Ｄを補充
することによって、現像液Ｄの初期の液深ｄ₀ を保持す
ることができて漏れ量をほぼ一定化できるので、基板の
全面にわたって現像液の活性度をより均一にすることが
できる。また、活性度の高い現像液Ｄを供給するので、
現像に要する時間を短縮することができる。上記現像液
の補充供給のためには、供給ノズル１０の他に微量の現
像液Ｄを安定して供給することができるノズルを別途配
備することが好ましい。

【００３６】なお、上述した回転式支持部材５ｃの支持
部材５ｆは、ピン状のものであって現像液Ｄがその外周
面を伝って流下する構造であったが、図１２および図１
３のような構造としてもよい。すなわち、支持部材５ｆ
の外周面に、基板Ｗの周縁部から斜め下方に向かう浅い
流下案内溝５ｆ₁ を形成する。このように流下案内溝５
ｆ₁ を形成することによって、流下する経路が変わるこ
とに起因する漏れ量の変動を抑制することができ、現像
液Ｄの漏れ量を安定させることができる。したがって、
現像液Ｄの活性度を安定して一定にすることができる。
また、このように流下案内溝５ｆ₁ が形成された支持部
材５ｆの高さを調節することによって、基板Ｗの周縁部
に面する開口面積を可変することができるので、現像液
Ｄの漏れ量を調整することができる。

【００３７】さらに、支持部材５ｆの流下案内溝５ｆ₁
の下方に、基板Ｗの周縁部からベース５ｅの上部を経て
回転台５ａの外側に達する流下案内板５ｆ₂ を配設する
ようにしてもよい。これにより流下案内溝５ｆ₁ から溢
れた現像液Ｄ（図１３中に点線で示す）が、ベース５ｅ
を伝って回転軸体５ｇおよび軸受け５ａ₁ に到達して、
回転式支持部材５ｃの回動性を悪化させることを防止す
ることができる。したがって、回転式支持部材５ｃの回
動動作を長期間にわたって安定して保つことができるの
で、基板Ｗの水平方向の位置決めを確実に行うことがで
きる。

【００３８】また、上記メカ式スピンチャック５は、３
本の支持ピン５ｂと、８個の回転式支持部材５ｃとによ
って基板Ｗを当接支持するようにしたが、図１４および
図１５に示すように、支持ピン５ｂを省略して８個の回
転式支持部材６ｃによってのみ支持するように構成して
もよい。

【００３９】すなわち、回転式支持部材６ｃは、回転軸
Ｐ₁ で回転自在に構成され、上部に下向き傾斜面６ｅ₁
を有する円柱状のベース６ｅと、このベース６ｅの上部
に形成されて回転軸Ｐ₁ からずれた移動軸Ｐ₂ を有する
円柱状の支持部材６ｆとを備えている。その下方には、
図示省略しているが上記回転式支持部材５ｃと同様に永
久磁石が取り付けられている。したがって、基板Ｗを搬
入する際には、図１５中に実線で示すように回転軸Ｐ₁
を中心にして支持部材６ｆが基板Ｗの周縁部から遠ざか
り、下向き傾斜面６ｅ₁ によって基板Ｗの裏面周縁部を
点接触にて支持する。そして、基板Ｗを処理する際に
は、図１５中に二点鎖線で示すように支持部材６ｆが基
板Ｗの周縁部に近接して、基板Ｗの周縁部を当接支持す
る。なお、支持部材６ｆは、本発明におけるリーク手段
に相当する。

【００４０】なお、上記のメカ式スピンチャック５は、
回転台５ａの８箇所に回転式支持部材５ｃ，６ｃを配設
したが、その配設個数や位置は基板Ｗのサイズや形状な
どに応じたものとすればよい。また、オリエンテーショ
ン・フラット（以下、オリフラと称する）を有する半導
体ウエハの場合には、オリフラ部分に複数個の回転式支
持部材５ｃ，６ｃが位置するように配置してもよい。さ
らに、オリフラ部分からの現像液Ｄの漏れ量を他の部分
と異なるようにするために、その部分に位置する支持部
材５ｆ，６ｆの形状を変えておくようにしてもよい。

【００４１】＜第２実施例＞上記の第１実施例では、メ
カ式スピンチャック５を採用した基板現像装置を例にと
って説明したが、この実施例では吸引式スピンチャック
を採用した装置を例に採って説明する。なお、図１６
中、符号が図１と同一のものは同じ機能を有するもので
あるので詳細な説明は省略する。また、上述した供給ノ
ズル１０と、供給機構１２と、昇降機構１４とは図示省
略している。

【００４２】回転支持手段に相当する吸引式スピンチャ
ック２０は、基板Ｗの径よりも小径の円盤状に形成され
ている。この吸引式スピンチャック２０は、図示しない
吸引手段に連通接続されており、その上面に載置された
基板Ｗの裏面を吸着保持するようになっている。下カッ
プ７ｂの外周面には、第１エアシリンダ２２が上下方向
に沿って配設されている。この第１エアシリンダ２２の
ロッド２２ａは、水平方向に沿って配設された第２エア
シリンダ２４を昇降可能なように連動連結されている。
第２エアシリンダ２４のロッド２４ａは逆Ｌの字状に形
成されており、その水平方向に延出した部分は上下方向
への移動を案内するガイド２６に緩挿されている。ロッ
ド２４ａの下端部には、ピン状のリーク部材２８が傾斜
して取り付けられている。このリーク部材２８は、その
上端部が基板Ｗの軸芯Ｐ側に向かうように傾斜して配設
されている。なお、リーク部材２８は、基板Ｗの外周部
の４箇所に配設されている。

【００４３】上記のように構成されている装置の動作に
ついて説明する。なお、初期状態では、図１に示すよう
に第１エアシリンダ２２のロッド２２ａが伸長した状態
であり、第２エアシリンダ２４のロッド２４ａが収縮し
た状態である。

【００４４】まず、図１６中に二点鎖線で示すように、
飛散防止カップ７と吸引式スピンチャック２０とを相対
昇降し、この状態で吸引式スピンチャック２０に基板Ｗ
を載置する。そして、再びそれらを相対昇降して、図１
６に実線で示すように基板Ｗと吸引式スピンチャック２
０とを飛散防止カップ７内に収容する。

【００４５】つぎに、図１７に示すように、第１エアシ
リンダ２２のロッド２２ａを収縮して、第２エアシリン
ダ２４を下降する。これによりリーク部材２８は、図１
７中の点線で示す状態から二点鎖線で示す状態にまで鉛
直方向に沿って下降する。そして、第２エアシリンダ２
４のロッド２４ａを伸長して、図１７中に実線で示すよ
うにリーク部材２８を基板Ｗの周縁部に向けて移動す
る。このときリーク部材２８は、後に基板Ｗに液盛りさ
れる現像液Ｄの外周部にさえ接触すればよく、基板Ｗの
周縁部に当接する必要はない。なお、リーク部材２８
は、本発明におけるリーク手段に相当するものである。

【００４６】このような状態で基板Ｗの表面に現像液Ｄ
を供給すると、基板Ｗの周縁部にまで拡がってきた現像
液Ｄは、その外周部がリーク部材２８に接触し、この部
分から一定量ずつ漏れ始める（図１８中の二点鎖線）。
したがって、上述した第１実施例と同様に基板Ｗの表面
に盛られた現像液Ｄに流動が生じて基板Ｗの表面全体に
わたって現像液Ｄの活性度が均一にされる。したがっ
て、活性度不均一に起因する現像ムラを防止することが
できる。

【００４７】なお、現像液Ｄの漏れ量を変えるためには
リーク部材２８の径を変えればよいこと、リーク部材２
８の配設個数や位置は基板Ｗに応じて変えればよいこ
と、現像液Ｄの漏れ量を安定させるためにリーク部材２
８に案内溝を形成してもよいこと、現像液Ｄを漏らしつ
つ現像液Ｄを補充供給してもよいことなどは、上述した
第１実施例と同様である。

【００４８】また、上述した第１実施例では、支持部材
５ｆがリーク手段を兼用しているが、第２実施例のよう
に別途リーク手段を配設するようにしてもよい。

【００４９】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明方法によれば、複数個の支持部材によっ
て基板の周縁部を支持するので、吸着に起因する基板の
汚染を防止できるとともに、当接した部分とそうでない
部分とにおいて温度差が生じることを防止することがで
きるので、温度差に起因する現像ムラを防止することが
できる。

【００５０】また、請求項２に記載の発明方法によれ
ば、基板の中心部から外周部に向かって現像液を流動さ
せることによって、現像液の活性度を基板の全面にわた
ってほぼ均一にすることができる。したがって、活性度
不均一に起因する現像ムラを防止することができる。

【００５１】また、請求項３に記載の発明方法によれ
ば、現像液を補充するように供給することによって液深
をほぼ一定に保ち、現像液の漏れ量をほぼ一定化するこ
とができる。その結果、基板の全面にわたって現像液の
活性度をより均一にすることができる。また、活性度の
高い現像液を供給するので、現像時間を短縮することが
できる。

【００５２】また、請求項４に記載の発明装置によれ
ば、基板の表面を覆っている現像液を、リーク手段によ
ってその外周部から漏らすことにより、その中心部から
外周部に向かって流動させることができる。したがっ
て、現像液の活性度を基板の全体にわたってほぼ均一に
することができる。その結果、現像液の活性度不均一に
起因する現像ムラを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例に係る基板現像装置の概略構成を示
す縦断面図である。

【図２】メカ式スピンチャックの平面図である。

【図３】メカ式スピンチャックの斜視図である。

【図４】回転式支持部材の斜視図である。

【図５】回転式支持部材の動作説明に供する要部拡大図
である。

【図６】回転式支持部材の動作説明に供する要部拡大図
である。

【図７】現像処理を示すフローチャートである。

【図８】現像液が基板の全面を覆った状態を示す平面図
である。

【図９】現像液が基板の全面を覆った状態を示す側面図
である。

【図１０】現像液を漏らす際の状態を示す平面図であ
る。

【図１１】現像液を漏らす際の状態を示す側面図であ
る。

【図１２】支持部材の変形例を示す側面図である。

【図１３】支持部材の変形例を示す側面図である。

【図１４】メカ式スピンチャックの変形例を示す平面図
である。

【図１５】回転式支持部材を示す図である。

【図１６】第２実施例に係る基板現像装置の概略構成を
示す縦断面図である。

【図１７】リーク部材の動作説明に供する図である。

【図１８】リーク部材の動作説明に供する図である。

【符号の説明】

Ｗ … 基板 Ｄ … 現像液 １ … 回転軸 ３ … 電動モータ ５ … メカ式スピンチャック（回転支持手段） ５ｂ … 支持ピン ５ｆ … 支持部材（リーク手段） ５ｆ … 回転台 ７ … 飛散防止カップ １０ … 供給ノズル（供給手段） １２ … 供給機構（供給手段） １６ … 制御部（制御手段） １８ … リング状磁石 ２０ … 吸引式スピンチャック（回転支持手段） ２８ … リーク部材（リーク手段）

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被膜が形成された基板の表面全体を現像
   液で覆って現像処理を施す基板現像方法において、 前記基板を、その周縁部に当接する複数個の支持部材に
   より支持した状態で現像処理を施すことを特徴とする基
   板現像方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板現像方法におい
   て、前記基板の表面全体を覆っている現像液を、その外
   周部より漏らしつつ現像処理を施すことを特徴とする基
   板現像方法。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の基板現像方法におい
   て、さらに前記基板の表面に現像液を供給しつつ現像処
   理を施すことを特徴とする基板現像方法。
4. 【請求項４】 被膜が形成された基板の表面全体を現像
   液で覆って現像処理を施す基板現像装置において、 前記基板を水平面内で回転自在に支持する回転支持手段
   と、 前記基板の表面に現像液を供給する供給手段と、 前記回転支持手段の周囲を囲って現像液が飛散すること
   を防止する飛散防止カップと、 前記基板の表面を覆った現像液を、その外周部から漏ら
   すためのリーク手段と、 前記供給手段により前記基板の表面に現像液を供給し、
   前記リーク手段を介して現像液をその外周部より漏らし
   つつ現像処理を施すとともに、所定時間後に前記回転支
   持手段により前記基板を回転駆動して前記基板に供給さ
   れた現像液を振り切って乾燥させる制御手段と、 を備えていることを特徴とする基板現像装置。