JPH10334509A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH10334509A JPH10334509A JP14549197A JP14549197A JPH10334509A JP H10334509 A JPH10334509 A JP H10334509A JP 14549197 A JP14549197 A JP 14549197A JP 14549197 A JP14549197 A JP 14549197A JP H10334509 A JPH10334509 A JP H10334509A
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- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 相変化型光ディスクのオーバライト特性を改
善し、高密度記録を可能にする新規な光学的情報記録媒
体を提供する。 【解決手段】 本発明に係る光学的情報記録媒体は、レ
ーザ光のトラッキング用案内溝を有する透明な基板1
と、基板1上に形成された下地膜2と、下地膜2上に形
成された第一保護膜3と、第一保護膜3上に形成された
相変化型の記録膜4と、記録膜4上に形成された第二保
護膜5と、第二保護膜5上に形成された反射膜6とを備
えたものである。反射膜6上には、保護用として紫外線
硬化樹脂7が塗布されている。
善し、高密度記録を可能にする新規な光学的情報記録媒
体を提供する。 【解決手段】 本発明に係る光学的情報記録媒体は、レ
ーザ光のトラッキング用案内溝を有する透明な基板1
と、基板1上に形成された下地膜2と、下地膜2上に形
成された第一保護膜3と、第一保護膜3上に形成された
相変化型の記録膜4と、記録膜4上に形成された第二保
護膜5と、第二保護膜5上に形成された反射膜6とを備
えたものである。反射膜6上には、保護用として紫外線
硬化樹脂7が塗布されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を用いて
高密度に情報を記録・再生・消去する光学的情報記録媒
体に関し、特に、レーザ光の照射による昇温又は冷却の
熱履歴の違いにより結晶−非晶質間における構造及び光
学的性質が変化する光学的情報記録媒体に関する。
高密度に情報を記録・再生・消去する光学的情報記録媒
体に関し、特に、レーザ光の照射による昇温又は冷却の
熱履歴の違いにより結晶−非晶質間における構造及び光
学的性質が変化する光学的情報記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】レーザ光を用いた光ディスク型記録方式
は、大容量記録が可能であるとともに、非接触により高
速アクセスが可能であることから、大容量メモリとして
実用化が進んでいる。光ディスクは、コンパクトディス
クやレーザディスクとして知られている再生専用型、ユ
ーザ自身で記録できる追記型、及びユーザ側で繰り返し
記録消去ができる書換型に分類される。追記型・書換型
の光ディスクは、コンピュータの外部メモリ又は文書・
画像ファイルとして使用されている。
は、大容量記録が可能であるとともに、非接触により高
速アクセスが可能であることから、大容量メモリとして
実用化が進んでいる。光ディスクは、コンパクトディス
クやレーザディスクとして知られている再生専用型、ユ
ーザ自身で記録できる追記型、及びユーザ側で繰り返し
記録消去ができる書換型に分類される。追記型・書換型
の光ディスクは、コンピュータの外部メモリ又は文書・
画像ファイルとして使用されている。
【0003】書換型光ディスクには、記録膜の相変化を
利用した相変化型光ディスクと、垂直磁化膜の磁化方向
の変化を利用した光磁気ディスクとがある。このうち、
相変化型光ディスクは、外部磁場が不要で、かつ、オー
バライトが容易にできることから、今後、書換型光ディ
スクの主流になることが期待されている。
利用した相変化型光ディスクと、垂直磁化膜の磁化方向
の変化を利用した光磁気ディスクとがある。このうち、
相変化型光ディスクは、外部磁場が不要で、かつ、オー
バライトが容易にできることから、今後、書換型光ディ
スクの主流になることが期待されている。
【0004】従来よりレーザ光照射により結晶−非晶質
間の相変化を起こす記録膜を用いた書換可能な、いわゆ
る相変化型光ディスクが知られている。相変化型光ディ
スクでは、記録すべき情報に応じた高パワのレーザ光ス
ポットを記録膜に照射し、記録膜温度を局部的に上昇さ
せることにより、結晶−非晶質間の相変化を起こさせて
記録し、これに伴う光学定数の変化を低パワのレーザ光
によって反射光強度差又は位相変化として読み取ること
により再生を行っている。
間の相変化を起こす記録膜を用いた書換可能な、いわゆ
る相変化型光ディスクが知られている。相変化型光ディ
スクでは、記録すべき情報に応じた高パワのレーザ光ス
ポットを記録膜に照射し、記録膜温度を局部的に上昇さ
せることにより、結晶−非晶質間の相変化を起こさせて
記録し、これに伴う光学定数の変化を低パワのレーザ光
によって反射光強度差又は位相変化として読み取ること
により再生を行っている。
【0005】例えば、結晶化時間が比較的遅い記録膜を
用いた相変化光ディスクでは、ディスクを回転させ、こ
のディスクに形成された記録膜にレーザ光を照射し、こ
の記録膜の温度を融点以上に上昇させ、レーザ光が通過
した後、急冷することによりその部分を非晶質状態とし
て記録する。消去時には、記録膜温度を結晶化温度以上
かつ融点以下の結晶化可能温度範囲で結晶化を進行させ
るために十分な時間保持することにより、記録膜を結晶
化させる。このための方法としては、レーザ光進行方向
に長い長円レーザ光を照射する方法が知られている。既
に記録したデータを消去しながら新しい情報を記録する
2ビームによる疑似的なオーバライトを行う場合には、
消去用の長円レーザ光を記録用円形レーザ光に先行させ
て照射するように配置する。
用いた相変化光ディスクでは、ディスクを回転させ、こ
のディスクに形成された記録膜にレーザ光を照射し、こ
の記録膜の温度を融点以上に上昇させ、レーザ光が通過
した後、急冷することによりその部分を非晶質状態とし
て記録する。消去時には、記録膜温度を結晶化温度以上
かつ融点以下の結晶化可能温度範囲で結晶化を進行させ
るために十分な時間保持することにより、記録膜を結晶
化させる。このための方法としては、レーザ光進行方向
に長い長円レーザ光を照射する方法が知られている。既
に記録したデータを消去しながら新しい情報を記録する
2ビームによる疑似的なオーバライトを行う場合には、
消去用の長円レーザ光を記録用円形レーザ光に先行させ
て照射するように配置する。
【0006】一方、高速結晶化が可能な記録膜を用いた
ディスクでは、円形に集光した1本のレーザ光を使う。
従来より知られている方法は、レーザ光のパワを2つの
レベル間で変化させることにより、結晶化又は非晶質化
を行う。すなわち、記録膜の温度を融点以上に上昇させ
ることが可能なパワのレーザ光を記録膜に照射すること
により、そのほとんどの部分は冷却時に非晶質状態とな
る。その一方、記録膜温度が結晶化温度以上かつ融点以
下の温度に達するようなパワのレーザ光が照射された部
分は結晶状態になる。
ディスクでは、円形に集光した1本のレーザ光を使う。
従来より知られている方法は、レーザ光のパワを2つの
レベル間で変化させることにより、結晶化又は非晶質化
を行う。すなわち、記録膜の温度を融点以上に上昇させ
ることが可能なパワのレーザ光を記録膜に照射すること
により、そのほとんどの部分は冷却時に非晶質状態とな
る。その一方、記録膜温度が結晶化温度以上かつ融点以
下の温度に達するようなパワのレーザ光が照射された部
分は結晶状態になる。
【0007】相変化型光ディスクの記録膜には、カルコ
ゲナイド系材料であるGeSbTe系、InSbTe
系、InSe系、InTe系、AsTeGe系、TeO
x−GeSn系、TeSeSn系、SbSeBi系、B
iSeGe系、などが用いられる。いずれの材料も、抵
抗加熱真空蒸着法、電子ビーム真空蒸着法、スパッタリ
ング法などの成膜法で成膜される。成膜直後の記録膜の
状態は一種の非晶質状態であり、この記録膜に記録を行
って非晶質の記録部を形成するために、記録膜全体を結
晶質にしておく初期化処理が行われる。記録は、この結
晶化された状態の中に非晶質部分を形成することにより
達成される。
ゲナイド系材料であるGeSbTe系、InSbTe
系、InSe系、InTe系、AsTeGe系、TeO
x−GeSn系、TeSeSn系、SbSeBi系、B
iSeGe系、などが用いられる。いずれの材料も、抵
抗加熱真空蒸着法、電子ビーム真空蒸着法、スパッタリ
ング法などの成膜法で成膜される。成膜直後の記録膜の
状態は一種の非晶質状態であり、この記録膜に記録を行
って非晶質の記録部を形成するために、記録膜全体を結
晶質にしておく初期化処理が行われる。記録は、この結
晶化された状態の中に非晶質部分を形成することにより
達成される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来、光ディスクの高
密度記録の手段としては、マークエッジ記録とランド/
グルーブ記録との併用が効果的である。
密度記録の手段としては、マークエッジ記録とランド/
グルーブ記録との併用が効果的である。
【0009】高反射率状態の結晶部に非晶質マークを記
録するタイプで、結晶部と非晶質部との反射率差を大き
くとった反射率差再生型媒体が従来から知られている。
この反射率差再生型媒体をマークエッジ記録に使用した
場合、媒体の透過光が無いために、結晶部の吸収率が非
晶質部の吸収率よりかなり小さくなり、高線速でのオー
バライト時の記録マーク歪みを小さく抑えられないとい
う欠点があった。
録するタイプで、結晶部と非晶質部との反射率差を大き
くとった反射率差再生型媒体が従来から知られている。
この反射率差再生型媒体をマークエッジ記録に使用した
場合、媒体の透過光が無いために、結晶部の吸収率が非
晶質部の吸収率よりかなり小さくなり、高線速でのオー
バライト時の記録マーク歪みを小さく抑えられないとい
う欠点があった。
【0010】この欠点を解消するために、結晶部と非晶
質部との反射率差を小さくし両者間の光学的な位相差を
大きく設定する、いわゆる位相差再生型相変化光ディス
クが提案されている(例えば特開平7−93804公
報。しかしながら、この方式では、位相差を180度近
傍に設定する必要があるので、所望の位相差を実現する
のは媒体の各層の膜厚を精度よく制御して成膜しなけれ
ばならないという課題があった。
質部との反射率差を小さくし両者間の光学的な位相差を
大きく設定する、いわゆる位相差再生型相変化光ディス
クが提案されている(例えば特開平7−93804公
報。しかしながら、この方式では、位相差を180度近
傍に設定する必要があるので、所望の位相差を実現する
のは媒体の各層の膜厚を精度よく制御して成膜しなけれ
ばならないという課題があった。
【0011】従来の位相差再生型媒体は、図5に示すよ
うに基板1/第一保護膜3/記録膜4/第二保護膜5/
反射膜6/保護樹脂(紫外線硬化樹脂7)の構成であ
る。この媒体での光学特性は例えば図6のようになる。
ここで、図5及び図6からわかるように、位相差再生と
して最も効果を発揮する位相差180度を実現するに
は、第一保護膜の膜厚を45nm又は195nm近傍に
設定すればよいが、膜厚変動に対するマージンは狭い。
成膜時の設定膜厚の制御性の点では、第一保護膜の膜厚
60nmが好ましいが、この構成では記録時の加熱によ
って基板が熱的にダメージを受けるため、繰り返し使用
に不適であるという課題があった。
うに基板1/第一保護膜3/記録膜4/第二保護膜5/
反射膜6/保護樹脂(紫外線硬化樹脂7)の構成であ
る。この媒体での光学特性は例えば図6のようになる。
ここで、図5及び図6からわかるように、位相差再生と
して最も効果を発揮する位相差180度を実現するに
は、第一保護膜の膜厚を45nm又は195nm近傍に
設定すればよいが、膜厚変動に対するマージンは狭い。
成膜時の設定膜厚の制御性の点では、第一保護膜の膜厚
60nmが好ましいが、この構成では記録時の加熱によ
って基板が熱的にダメージを受けるため、繰り返し使用
に不適であるという課題があった。
【0012】また、高密度のもう一つの有力手段である
ランド/グルーブ記録では、トラック案内溝の凸部トラ
ックからの再生信号と、凹部トラックからの再生信号の
振幅レベルを揃えることが要求される。これを実現する
には、結晶−非晶質間の光学的位相差を、反射率再生型
媒体では0度近傍、位相差再生型媒体では180度近傍
に精度良く設定することが求められる。しかしながら、
従来から知られている図5の構成の媒体では、第一保護
膜を厚く設定せざるを得ず(例えば、図6の第一保護膜
の膜厚170nm近傍)、その際の第一保護膜の厚さ変
動が位相差に大きく影響するという欠点があった。
ランド/グルーブ記録では、トラック案内溝の凸部トラ
ックからの再生信号と、凹部トラックからの再生信号の
振幅レベルを揃えることが要求される。これを実現する
には、結晶−非晶質間の光学的位相差を、反射率再生型
媒体では0度近傍、位相差再生型媒体では180度近傍
に精度良く設定することが求められる。しかしながら、
従来から知られている図5の構成の媒体では、第一保護
膜を厚く設定せざるを得ず(例えば、図6の第一保護膜
の膜厚170nm近傍)、その際の第一保護膜の厚さ変
動が位相差に大きく影響するという欠点があった。
【0013】
【発明の目的】本発明の目的は上記の欠点を解決し、相
変化型光ディスクのオーバライト特性を改善し、高密度
記録を可能にする新規な光学的情報記録媒体を提供する
ことにある。本発明では、所望の光学特性制御を実行し
つつ、作成が容易な媒体構成が選択された光学的情報記
録媒体が得られる。
変化型光ディスクのオーバライト特性を改善し、高密度
記録を可能にする新規な光学的情報記録媒体を提供する
ことにある。本発明では、所望の光学特性制御を実行し
つつ、作成が容易な媒体構成が選択された光学的情報記
録媒体が得られる。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の光学的情報記録
媒体は、結晶−非晶質間の可逆的な相変化を用い、レー
ザ光の照射による記録膜の相状態変化によって情報の記
録・再生・消去を行う光学的情報記録媒体であって、前
記レーザ光のトラッキング用案内溝を有する透明な基板
と、この基板上に形成された下地膜と、この下地膜上に
形成された第一保護膜と、この第一保護膜上に形成され
た相変化型の記録膜と、この記録膜上に形成された第二
保護膜と、この第二保護膜上に形成された反射膜とを備
えたことを特徴とする。また、前記レーザ光の波長にお
いて前記下地膜の屈折率が前記第一保護膜の屈折率より
も小さいものとしてもよい。この場合、前記トラッキン
グ用案内溝の凹部及び凸部両方に情報を記録するものと
してもよく、なおかつ、前記記録膜の結晶部及び非晶質
部からの反射光の位相差を0度近傍又は180度近傍に
設定したものとしてもよい。
媒体は、結晶−非晶質間の可逆的な相変化を用い、レー
ザ光の照射による記録膜の相状態変化によって情報の記
録・再生・消去を行う光学的情報記録媒体であって、前
記レーザ光のトラッキング用案内溝を有する透明な基板
と、この基板上に形成された下地膜と、この下地膜上に
形成された第一保護膜と、この第一保護膜上に形成され
た相変化型の記録膜と、この記録膜上に形成された第二
保護膜と、この第二保護膜上に形成された反射膜とを備
えたことを特徴とする。また、前記レーザ光の波長にお
いて前記下地膜の屈折率が前記第一保護膜の屈折率より
も小さいものとしてもよい。この場合、前記トラッキン
グ用案内溝の凹部及び凸部両方に情報を記録するものと
してもよく、なおかつ、前記記録膜の結晶部及び非晶質
部からの反射光の位相差を0度近傍又は180度近傍に
設定したものとしてもよい。
【0015】次に、本発明に係る光学的情報記録媒体の
設計指針について説明する。本発明では、透明な基板上
に下地膜を形成した後、第一保護膜を形成する。ここ
で、下地膜としては、光学的に第一保護膜よりも屈折率
が小さく、できれば、その屈折率が基板の屈折率に近い
材料を選定することが望ましい。例えば、第一保護膜に
ZnS−SiO2 、基板にポリカーボネート樹脂を用い
る場合、波長650nm近傍では、ZnS−SiO2 の
屈折率は2.10、基板樹脂の屈折率は1.59である
ので、下地膜としては、例えば屈折率が通常1.46で
あるSiO2 が選択できる。
設計指針について説明する。本発明では、透明な基板上
に下地膜を形成した後、第一保護膜を形成する。ここ
で、下地膜としては、光学的に第一保護膜よりも屈折率
が小さく、できれば、その屈折率が基板の屈折率に近い
材料を選定することが望ましい。例えば、第一保護膜に
ZnS−SiO2 、基板にポリカーボネート樹脂を用い
る場合、波長650nm近傍では、ZnS−SiO2 の
屈折率は2.10、基板樹脂の屈折率は1.59である
ので、下地膜としては、例えば屈折率が通常1.46で
あるSiO2 が選択できる。
【0016】
【発明の実施の形態】図1は、本発明に係る光学的情報
記録媒体の一実施形態を示す概略断面図である。本実施
形態の光学的情報記録媒体の構成は、基板1/下地膜2
/第一保護膜3/記録膜4/第二保護膜5/反射膜6/
保護樹脂(紫外線硬化樹脂7)である。ここで、下地膜
として光学定数が基板に近い材料を使うことによって、
ZnS−SiO2 などの第一保護膜を薄く設定できる。
記録媒体の一実施形態を示す概略断面図である。本実施
形態の光学的情報記録媒体の構成は、基板1/下地膜2
/第一保護膜3/記録膜4/第二保護膜5/反射膜6/
保護樹脂(紫外線硬化樹脂7)である。ここで、下地膜
として光学定数が基板に近い材料を使うことによって、
ZnS−SiO2 などの第一保護膜を薄く設定できる。
【0017】すなわち、従来の構成では、記録膜と基板
間の膜厚を100nm以下に設定すると繰り返しオーバ
ライト耐性が確保できないので、図5に示したように、
結晶と非晶質間の位相差を180度に設定したい場合、
第一保護膜の厚さが200nm近傍となるように精度良
く制御して成膜する必要があった。また、位相差を0度
近傍に設定したい場合は、第一保護膜の厚さを170n
m近傍となるように精度良く制御して成膜する必要があ
った。
間の膜厚を100nm以下に設定すると繰り返しオーバ
ライト耐性が確保できないので、図5に示したように、
結晶と非晶質間の位相差を180度に設定したい場合、
第一保護膜の厚さが200nm近傍となるように精度良
く制御して成膜する必要があった。また、位相差を0度
近傍に設定したい場合は、第一保護膜の厚さを170n
m近傍となるように精度良く制御して成膜する必要があ
った。
【0018】一方、本発明では、繰り返しオーバライト
での基板へのダメージを防ぐために、下地層を比較的厚
く作成でき、また、その膜厚設定にも自由度があるの
で、第一保護膜の膜厚として、成膜時の膜厚設定の制御
性が良い薄い膜厚が選択できる。
での基板へのダメージを防ぐために、下地層を比較的厚
く作成でき、また、その膜厚設定にも自由度があるの
で、第一保護膜の膜厚として、成膜時の膜厚設定の制御
性が良い薄い膜厚が選択できる。
【0019】図2は、ポリカーボネート基板/SiO2
下地膜/ZnS−SiO2 第一保護膜/GeSbTe記
録膜/ZnS−SiO2 第二保護膜/Al反射膜/紫外
線硬化型保護樹脂の構成における光学設計の一例であ
る。この図から、例えば下地膜の膜厚として100nm
を選定した場合、位相差を180度とした媒体を得るに
は、第一保護膜の膜厚として55nmを選定できる。ま
た、位相差を0度とした媒体を得るには、第一保護膜の
膜厚として10nmを選定できる。
下地膜/ZnS−SiO2 第一保護膜/GeSbTe記
録膜/ZnS−SiO2 第二保護膜/Al反射膜/紫外
線硬化型保護樹脂の構成における光学設計の一例であ
る。この図から、例えば下地膜の膜厚として100nm
を選定した場合、位相差を180度とした媒体を得るに
は、第一保護膜の膜厚として55nmを選定できる。ま
た、位相差を0度とした媒体を得るには、第一保護膜の
膜厚として10nmを選定できる。
【0020】図3及び図4は、SiO2 を下地膜とした
ときの、下地膜の膜厚変動に対する反射光の光学位相差
の変動を求めたものである。図5に示した従来構成で
は、位相差180度となるように保護膜の膜厚を設定し
た場合、保護膜の膜厚が10nm変動したときに約30
度の位相差変動があった。これに対して本発明では、位
相差180度となるように保護膜の膜厚を設定した場
合、下地膜の膜厚の10nmの変動に対して4度程度の
位相差変動に収まる。また、従来構成では、位相差0度
となるように保護膜の膜厚を設定した場合、保護膜の膜
厚が10nm変動したときに約17度の位相差変動があ
った。これに対して本発明では、位相差0度となるよう
に保護膜の膜厚を設定した場合、下地膜の膜厚の10n
mの変動に対して2.4度の位相差変動に収まる。この
ように、本発明では、従来構成に比べて成膜のマージン
が広く、成膜再現性に優れた光学的情報記録媒体が得ら
れる。
ときの、下地膜の膜厚変動に対する反射光の光学位相差
の変動を求めたものである。図5に示した従来構成で
は、位相差180度となるように保護膜の膜厚を設定し
た場合、保護膜の膜厚が10nm変動したときに約30
度の位相差変動があった。これに対して本発明では、位
相差180度となるように保護膜の膜厚を設定した場
合、下地膜の膜厚の10nmの変動に対して4度程度の
位相差変動に収まる。また、従来構成では、位相差0度
となるように保護膜の膜厚を設定した場合、保護膜の膜
厚が10nm変動したときに約17度の位相差変動があ
った。これに対して本発明では、位相差0度となるよう
に保護膜の膜厚を設定した場合、下地膜の膜厚の10n
mの変動に対して2.4度の位相差変動に収まる。この
ように、本発明では、従来構成に比べて成膜のマージン
が広く、成膜再現性に優れた光学的情報記録媒体が得ら
れる。
【0021】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。本発明に係る光学的情報記録媒体は、図1
に示すように、レーザ光のトラッキング用案内溝を有す
る透明な基板1と、基板1上に形成された下地膜2と、
下地膜2上に形成された第一保護膜3と、第一保護膜3
上に形成された相変化型の記録膜4と、記録膜4上に形
成された第二保護膜5と、第二保護膜5上に形成された
反射膜6とを備えたものである。反射膜6上には保護用
として紫外線硬化樹脂7を塗布している。
て説明する。本発明に係る光学的情報記録媒体は、図1
に示すように、レーザ光のトラッキング用案内溝を有す
る透明な基板1と、基板1上に形成された下地膜2と、
下地膜2上に形成された第一保護膜3と、第一保護膜3
上に形成された相変化型の記録膜4と、記録膜4上に形
成された第二保護膜5と、第二保護膜5上に形成された
反射膜6とを備えたものである。反射膜6上には保護用
として紫外線硬化樹脂7を塗布している。
【0022】基板1には、円盤状のガラス又はプラスチ
ックが用いられる。好ましくは、強化ガラス、ポリカー
ボネート樹脂、PMMA樹脂、ポリオレフィン系樹脂が
使用される。
ックが用いられる。好ましくは、強化ガラス、ポリカー
ボネート樹脂、PMMA樹脂、ポリオレフィン系樹脂が
使用される。
【0023】下地膜2は、前述したように第一保護膜3
よりも屈折率が小さければよいが、透明基板と屈折率が
近いものが好ましく、SiO2 、MgF2 、CaF2 、
NaF、Na3 AlF6 、LiF、Al2 O3 、CeF
3 、MgO、SiO、ThO2 、PbF2 、SnO2 、
La2 O3 などが使用できる。
よりも屈折率が小さければよいが、透明基板と屈折率が
近いものが好ましく、SiO2 、MgF2 、CaF2 、
NaF、Na3 AlF6 、LiF、Al2 O3 、CeF
3 、MgO、SiO、ThO2 、PbF2 、SnO2 、
La2 O3 などが使用できる。
【0024】第一保護膜3と第二保護膜5には、SiO
2 、Si3 N4 、AlN、TiO2、ZnS、ZnS−
SiO2 などの誘電体材料が用いられる。
2 、Si3 N4 、AlN、TiO2、ZnS、ZnS−
SiO2 などの誘電体材料が用いられる。
【0025】記録膜4としては、カルコゲナイド系材料
であるGeSbTe系、InSbTe系、InSe系、
InTe系、AsTeGe系、TeOx−GeSn系、
TeSeSn系、SbSeBi系、BiSeGe系、な
どが用いられる。
であるGeSbTe系、InSbTe系、InSe系、
InTe系、AsTeGe系、TeOx−GeSn系、
TeSeSn系、SbSeBi系、BiSeGe系、な
どが用いられる。
【0026】反射膜6には、金属材科又は透過性高屈折
率材料が使用できる。好ましくは、Al、Ai−Ti、
Al合金、Au、Ag、Si、Geなどが使用できる。
率材料が使用できる。好ましくは、Al、Ai−Ti、
Al合金、Au、Ag、Si、Geなどが使用できる。
【0027】
【実施例1】使用するレーザ波長を650nmに設定
し、図1と同等構成で反射率差を大きくし位相差を0度
に設定したランド/グルーブ記録型媒体を作成した。基
板1には直径120mm、厚さ0.6mmのプリグルー
ブ付きポリカーボネート基板を用いた。基板には、トラ
ックピッチ0.56μm(凹部幅0.56μm、凸部幅
0.56μm)、溝深さ55nmのランド/グルーブ両
方に記録するタイプの基板を用いた。下地膜2にはSi
O2 を、第一保護膜3及び第二保護膜5にはZnS−S
iO2 混合膜(屈折率2.10)を、記録膜4にはGe
SbTeを、反射膜6にはAlを用い、マグネトロンス
パッタ法により連続成膜した。各層の膜厚は下地膜10
0nm、第一保護膜10nm、記録膜12nm、第二保
護膜25nm、反射膜100nmとした。反射膜上部に
は、紫外線硬化樹脂(大日本インキ製SD−301)を
9.2μm厚に塗布した。
し、図1と同等構成で反射率差を大きくし位相差を0度
に設定したランド/グルーブ記録型媒体を作成した。基
板1には直径120mm、厚さ0.6mmのプリグルー
ブ付きポリカーボネート基板を用いた。基板には、トラ
ックピッチ0.56μm(凹部幅0.56μm、凸部幅
0.56μm)、溝深さ55nmのランド/グルーブ両
方に記録するタイプの基板を用いた。下地膜2にはSi
O2 を、第一保護膜3及び第二保護膜5にはZnS−S
iO2 混合膜(屈折率2.10)を、記録膜4にはGe
SbTeを、反射膜6にはAlを用い、マグネトロンス
パッタ法により連続成膜した。各層の膜厚は下地膜10
0nm、第一保護膜10nm、記録膜12nm、第二保
護膜25nm、反射膜100nmとした。反射膜上部に
は、紫外線硬化樹脂(大日本インキ製SD−301)を
9.2μm厚に塗布した。
【0028】次に、前記ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長650nmの半導
体レーザとNA0.60の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度5.8
m/sにて回転させ、半径45mmの凹部溝トラックに
8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ7mW、4mW
に設定した。再生パワ1mWにおける2.13MHz再
生信号レベルは、160mVp−pの振幅を示した。次
に、同一条件で半径45mmの凸部溝トラックに8.5
MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオーバライ
トしたところ、2.13MHz再生信号レベルは165
mVp−pの振幅を示し、凹部トラックと凸部トラック
とでバランスのとれた信号レベルが確認できた。
い、特性を評価した。測定には、波長650nmの半導
体レーザとNA0.60の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度5.8
m/sにて回転させ、半径45mmの凹部溝トラックに
8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ7mW、4mW
に設定した。再生パワ1mWにおける2.13MHz再
生信号レベルは、160mVp−pの振幅を示した。次
に、同一条件で半径45mmの凸部溝トラックに8.5
MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオーバライ
トしたところ、2.13MHz再生信号レベルは165
mVp−pの振幅を示し、凹部トラックと凸部トラック
とでバランスのとれた信号レベルが確認できた。
【0029】
【実施例2】使用するレーザ波長を650nmに設定
し、図1と同等構成で位相差を180度に設定したラン
ド/グルーブ記録型媒体を作成した。基板1には直径1
20mm、厚さ0.6mmのプリグルーブ付きポリカー
ボネート基板を用いた。基板には、トラックピッチ0.
56μm(凹部幅0.56μm、凸部幅0.56μ
m)、溝深さ55nmのランド/グルーブ両方に記録す
るタイプの基板を用いた。下地膜2にはSiO2 を、第
一保護膜3及び第二保護膜5にはZnS−SiO2 混合
膜を、記録膜4にはGeSbTeを、反射膜6にはAl
を用い、マグネトロンスパッタ法により連続成膜した。
各層の膜厚は下地膜100nm、第一保護膜55nm、
記録膜12nm、第二保護膜25nm、反射膜100n
mとした。反射膜上部には、紫外線硬化樹脂(大日本イ
ンキ製SD−301)を9.2μm厚に塗布した。
し、図1と同等構成で位相差を180度に設定したラン
ド/グルーブ記録型媒体を作成した。基板1には直径1
20mm、厚さ0.6mmのプリグルーブ付きポリカー
ボネート基板を用いた。基板には、トラックピッチ0.
56μm(凹部幅0.56μm、凸部幅0.56μ
m)、溝深さ55nmのランド/グルーブ両方に記録す
るタイプの基板を用いた。下地膜2にはSiO2 を、第
一保護膜3及び第二保護膜5にはZnS−SiO2 混合
膜を、記録膜4にはGeSbTeを、反射膜6にはAl
を用い、マグネトロンスパッタ法により連続成膜した。
各層の膜厚は下地膜100nm、第一保護膜55nm、
記録膜12nm、第二保護膜25nm、反射膜100n
mとした。反射膜上部には、紫外線硬化樹脂(大日本イ
ンキ製SD−301)を9.2μm厚に塗布した。
【0030】次に、前記ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長650nmの半導
体レーザとNA0.60の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度5.8
m/sにて回転させ、半径45mmの凹部溝トラックに
8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ6mW、3mW
に設定した。再生パワ1mWにおける2.13MHzの
再生信号レベルは145mVp−pの振幅を示した。次
に、同一条件で半径45mmの凸部溝トラックに8.5
MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオーバライ
トしたところ、2.13MHzの再生信号レベルは15
0mVp−pの振幅を示し、凹部トラックと凸部トラッ
クとでバランスのとれた信号レベルが確認できた。
い、特性を評価した。測定には、波長650nmの半導
体レーザとNA0.60の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度5.8
m/sにて回転させ、半径45mmの凹部溝トラックに
8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ6mW、3mW
に設定した。再生パワ1mWにおける2.13MHzの
再生信号レベルは145mVp−pの振幅を示した。次
に、同一条件で半径45mmの凸部溝トラックに8.5
MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオーバライ
トしたところ、2.13MHzの再生信号レベルは15
0mVp−pの振幅を示し、凹部トラックと凸部トラッ
クとでバランスのとれた信号レベルが確認できた。
【0031】
【比較例1】比較例として、使用するレーザ波長を65
0nmに設定し、図5と同等の従来構成で反射率差を大
きくし位相差0度を目標としたランド/グルーブ記録型
媒体を作成した。基板1には、直径120mm、厚さ
0.6mmのプリグルーブ付きポリカーボネート基板を
用いた。基板には、トラックピッチ0.56μm(凹部
幅0.56μm、凸部幅0.56μm)、溝深さ55n
mのランド/グルーブ両方に記録するタイプの基板を用
いた。第一保護膜3及び第二保護膜5にはZnS−Si
O2 混合膜を、記録膜4にはGeSbTeを、反射膜6
にはAlを用い、マグネトロンスパッタ法により連続成
膜した。各層の膜厚は、第一保護膜170nm、記録膜
12nm、第二保護膜25nm、反射膜100nmとし
た。反射膜上部には、紫外線硬化樹脂(大日本インキ製
SD−301)を9.2μm厚に塗布した。
0nmに設定し、図5と同等の従来構成で反射率差を大
きくし位相差0度を目標としたランド/グルーブ記録型
媒体を作成した。基板1には、直径120mm、厚さ
0.6mmのプリグルーブ付きポリカーボネート基板を
用いた。基板には、トラックピッチ0.56μm(凹部
幅0.56μm、凸部幅0.56μm)、溝深さ55n
mのランド/グルーブ両方に記録するタイプの基板を用
いた。第一保護膜3及び第二保護膜5にはZnS−Si
O2 混合膜を、記録膜4にはGeSbTeを、反射膜6
にはAlを用い、マグネトロンスパッタ法により連続成
膜した。各層の膜厚は、第一保護膜170nm、記録膜
12nm、第二保護膜25nm、反射膜100nmとし
た。反射膜上部には、紫外線硬化樹脂(大日本インキ製
SD−301)を9.2μm厚に塗布した。
【0032】次に、前記ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長650nmの半導
体レーザとNA0.60の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度5.8
m/sにて回転させ、半径45mmの凹部溝トラックに
8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ7.5mW、
3.8mWに設定した。再生パワ1mWにおける2.1
3MHz再生信号レベルは170mVp−pの振幅を示
した。次に、同一条件で半径45mmの凸部溝トラック
に8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオ
ーバライトしたところ、2.13MHz再生信号レベル
は140mVp−pの振幅を示し、凹部トラックと凸部
トラックとで出力のバランスが崩れていることが確認さ
れた。この後、作成したディスクの各層の厚さを段差型
膜厚計を用いて測定したところ、第一保護膜の膜厚が1
75nmとなっており、設計値に比べて厚く成膜されて
いたことがわかった。
い、特性を評価した。測定には、波長650nmの半導
体レーザとNA0.60の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度5.8
m/sにて回転させ、半径45mmの凹部溝トラックに
8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ7.5mW、
3.8mWに設定した。再生パワ1mWにおける2.1
3MHz再生信号レベルは170mVp−pの振幅を示
した。次に、同一条件で半径45mmの凸部溝トラック
に8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオ
ーバライトしたところ、2.13MHz再生信号レベル
は140mVp−pの振幅を示し、凹部トラックと凸部
トラックとで出力のバランスが崩れていることが確認さ
れた。この後、作成したディスクの各層の厚さを段差型
膜厚計を用いて測定したところ、第一保護膜の膜厚が1
75nmとなっており、設計値に比べて厚く成膜されて
いたことがわかった。
【0033】
【比較例2】比較例として、使用するレーザ波長を65
0nmに設定し、図5と同等の従来構成て位相差180
度を目標としたランド/グルーブ記録型媒体を作成し
た。基板1には直径120mm、厚さ0.6mmのプリ
グルーブ付きポリカーボネート基板を用いた。基板に
は、トラックピッチ0.56μm(凹部幅0.56μ
m、凸部幅0.56μm)、溝深さ55nmのランド/
グルーブ両方に記録するタイプの基板を用いた。第一保
護膜3及び第二保護膜5にはZnS−SiO2 混合膜
を、記録膜4にはGeSbTeを、反射膜6にはAlを
用い、マグネトロンスパッタ法により連続成膜した。各
層の膜厚は、第一保護膜200nm、記録膜12nm、
第二保護膜25nm、反射膜100nmとした。反射膜
上部には、紫外線硬化樹脂(大日本インキ製SD−30
1)を9.2μm厚に塗布した。
0nmに設定し、図5と同等の従来構成て位相差180
度を目標としたランド/グルーブ記録型媒体を作成し
た。基板1には直径120mm、厚さ0.6mmのプリ
グルーブ付きポリカーボネート基板を用いた。基板に
は、トラックピッチ0.56μm(凹部幅0.56μ
m、凸部幅0.56μm)、溝深さ55nmのランド/
グルーブ両方に記録するタイプの基板を用いた。第一保
護膜3及び第二保護膜5にはZnS−SiO2 混合膜
を、記録膜4にはGeSbTeを、反射膜6にはAlを
用い、マグネトロンスパッタ法により連続成膜した。各
層の膜厚は、第一保護膜200nm、記録膜12nm、
第二保護膜25nm、反射膜100nmとした。反射膜
上部には、紫外線硬化樹脂(大日本インキ製SD−30
1)を9.2μm厚に塗布した。
【0034】次に、前記ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長650nmの半導
体レーザとNA0.60の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度5.8
m1sにて回転させ、半径45mmの凹部溝トラックに
8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ5.5mW、3
mWに設定した。再生パワ1mWにおける2.13MH
z再生信号レベルは、160mVp−pの振幅を示し
た。次に、同一条件で半径45mmの凸部溝トランクに
8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオー
バライトしたところ、2.13MHz再生信号レベルは
110mVp−pの振幅を示し、凹部トラックと凸部ト
ラックとで出力のバランスが崩れていることが確認され
た。この後、作成したディスクの各層の厚さを段差型膜
厚計を用いて測定したところ、第一保護膜の膜厚が20
5nmとなっており、設計値に比べて厚く成膜されてい
たことがわかった。
い、特性を評価した。測定には、波長650nmの半導
体レーザとNA0.60の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度5.8
m1sにて回転させ、半径45mmの凹部溝トラックに
8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ5.5mW、3
mWに設定した。再生パワ1mWにおける2.13MH
z再生信号レベルは、160mVp−pの振幅を示し
た。次に、同一条件で半径45mmの凸部溝トランクに
8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオー
バライトしたところ、2.13MHz再生信号レベルは
110mVp−pの振幅を示し、凹部トラックと凸部ト
ラックとで出力のバランスが崩れていることが確認され
た。この後、作成したディスクの各層の厚さを段差型膜
厚計を用いて測定したところ、第一保護膜の膜厚が20
5nmとなっており、設計値に比べて厚く成膜されてい
たことがわかった。
【0035】
【実施例3】使用するレーザ波長を650nmに設定
し、図1と同等構成で位相差を0度に設定したランド/
グルーブ記録型媒体を作成した。基板1には直径120
mm、厚さ0.6mmのプリグルーブ付きポリカーボネ
ート基板を用いた。基板には、トラックピッチ0.56
μm(凹部幅0.56μm、凸部幅0.56μm)、溝
深さ55nmのランド/グルーブ両方に記録するタイプ
の基板を用いた。下地膜2にはAl2 O3 (屈折率1.
62)を、第一保護膜3及び第二保護膜5にはZnS−
SiO2 混合膜を、記録膜4にはGeSbTeを、反射
膜6にはAlを用い、マグネトロンスパッタ法により連
続成膜した。各層の膜厚は下地膜150nm、第一保護
膜20nm、記録膜12nm、第二保護膜25nm、反
射膜100nmとした。反射膜上部には、紫外線硬化樹
脂(大日本インキ製SD−301)を9.2μm厚に塗
布した。
し、図1と同等構成で位相差を0度に設定したランド/
グルーブ記録型媒体を作成した。基板1には直径120
mm、厚さ0.6mmのプリグルーブ付きポリカーボネ
ート基板を用いた。基板には、トラックピッチ0.56
μm(凹部幅0.56μm、凸部幅0.56μm)、溝
深さ55nmのランド/グルーブ両方に記録するタイプ
の基板を用いた。下地膜2にはAl2 O3 (屈折率1.
62)を、第一保護膜3及び第二保護膜5にはZnS−
SiO2 混合膜を、記録膜4にはGeSbTeを、反射
膜6にはAlを用い、マグネトロンスパッタ法により連
続成膜した。各層の膜厚は下地膜150nm、第一保護
膜20nm、記録膜12nm、第二保護膜25nm、反
射膜100nmとした。反射膜上部には、紫外線硬化樹
脂(大日本インキ製SD−301)を9.2μm厚に塗
布した。
【0036】次に、前記ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長650nmの半導
体レーザとNA0.60の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度5.8
m/sにて回転させ、半径45mmの凹部溝トラックに
8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ8mW、4mW
に設定した。再生パワ1mWにおける2.13MHzの
再生信号レベルは190mVp−pの振幅を示した。次
に、同一条件で半径45mmの凸部溝トラックに8.5
MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオーバライ
トしたところ、2.13MHzの再生信号レベルは19
5mVp−pの振幅を示し、凹部トラックと凸部トラッ
クとでバランスのとれた信号レベルが確認できた。
い、特性を評価した。測定には、波長650nmの半導
体レーザとNA0.60の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度5.8
m/sにて回転させ、半径45mmの凹部溝トラックに
8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ8mW、4mW
に設定した。再生パワ1mWにおける2.13MHzの
再生信号レベルは190mVp−pの振幅を示した。次
に、同一条件で半径45mmの凸部溝トラックに8.5
MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオーバライ
トしたところ、2.13MHzの再生信号レベルは19
5mVp−pの振幅を示し、凹部トラックと凸部トラッ
クとでバランスのとれた信号レベルが確認できた。
【0037】
【実施例4】使用するレーザ波長を650nmに設定
し、図1と同等構成で位相差を0度に設定したランド/
グルーブ記録型媒体を作成した。基板1には直径120
mm、厚さ0.6mmのプリグルーブ付きポリカーボネ
ート基板を用いた。基板には、トラックピッチ0.56
μm(凹部幅0.56μm、凸部幅0.56μm)、溝
深さ55nmのランド/グルーブ両方に記録するタイプ
の基板を用いた。下地膜2にはSnO2 (屈折率1.9
0)を、第一保護膜3及び第二保護膜5にはZnS−S
iO2 混合膜を、記録膜4にはGeSbTeを、反射膜
6にはAlを用い、マグネトロンスパッタ法により連続
成膜した。各層の膜厚は下地膜200nm、第一保護膜
10nm、記録膜12nm、第二保護膜25nm、反射
膜100nmとした。反射膜上部には、紫外線硬化樹脂
(大日本インキ製SD−301)を9.2μm厚に塗布
した。
し、図1と同等構成で位相差を0度に設定したランド/
グルーブ記録型媒体を作成した。基板1には直径120
mm、厚さ0.6mmのプリグルーブ付きポリカーボネ
ート基板を用いた。基板には、トラックピッチ0.56
μm(凹部幅0.56μm、凸部幅0.56μm)、溝
深さ55nmのランド/グルーブ両方に記録するタイプ
の基板を用いた。下地膜2にはSnO2 (屈折率1.9
0)を、第一保護膜3及び第二保護膜5にはZnS−S
iO2 混合膜を、記録膜4にはGeSbTeを、反射膜
6にはAlを用い、マグネトロンスパッタ法により連続
成膜した。各層の膜厚は下地膜200nm、第一保護膜
10nm、記録膜12nm、第二保護膜25nm、反射
膜100nmとした。反射膜上部には、紫外線硬化樹脂
(大日本インキ製SD−301)を9.2μm厚に塗布
した。
【0038】次に、前記ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長650nmの半導
体レーザとNA0.60の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度5.8
m/sにて回転させ、半径45mmの凹部溝トラックに
8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ7mW、3.4
mWに設定した。再生パワ1mWにおける2.13MH
zの再生信号レベルは180mVp−pの振幅を示し
た。次に、同一条件で半径45mmの凸部溝トラックに
8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオー
バライトしたところ、2.13MHzの再生信号レベル
は185mVp−pの振幅を示し、凹部トラックと凸部
トラックとでバランスのとれた信号レベルが確認でき
た。
い、特性を評価した。測定には、波長650nmの半導
体レーザとNA0.60の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度5.8
m/sにて回転させ、半径45mmの凹部溝トラックに
8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ7mW、3.4
mWに設定した。再生パワ1mWにおける2.13MH
zの再生信号レベルは180mVp−pの振幅を示し
た。次に、同一条件で半径45mmの凸部溝トラックに
8.5MHz信号と2.13MHz信号とを交互にオー
バライトしたところ、2.13MHzの再生信号レベル
は185mVp−pの振幅を示し、凹部トラックと凸部
トラックとでバランスのとれた信号レベルが確認でき
た。
【0039】
【実施例5】使用するレーザ波長を650nmに設定
し、図1と同等構成て反射率差を大きくし位相差を0度
に設定したランド/グルーブ記録型媒体を作成した。基
板1には直径120mm、厚さ0.6mmのプリグルー
ブ付きポリカーボネート基板を用いた。基板には、トラ
ックピッチ0.56μm(凹部幅0.56μm、凸部幅
0.56μm)、溝深さ55nmのランド/グルーブ両
方に記録するタイプの基板を用いた。下地膜2にはSi
O2 を、第一保護膜3及び第二保護膜5にはZnS−S
iO2 混合膜(屈折率2.10)を、記録膜4にはGe
SbTeを、反射膜6にはSiを用い、マグネトロンス
パッタ法により連続成膜した。各層の膜厚は下地膜15
0nm、第一保護膜120nm、記録膜12nm、第二
保護膜15nm、反射膜60nmとした。反射膜上部に
は、紫外線硬化樹脂(大日本インキ製SD−301)を
9.2μm厚に塗布した。
し、図1と同等構成て反射率差を大きくし位相差を0度
に設定したランド/グルーブ記録型媒体を作成した。基
板1には直径120mm、厚さ0.6mmのプリグルー
ブ付きポリカーボネート基板を用いた。基板には、トラ
ックピッチ0.56μm(凹部幅0.56μm、凸部幅
0.56μm)、溝深さ55nmのランド/グルーブ両
方に記録するタイプの基板を用いた。下地膜2にはSi
O2 を、第一保護膜3及び第二保護膜5にはZnS−S
iO2 混合膜(屈折率2.10)を、記録膜4にはGe
SbTeを、反射膜6にはSiを用い、マグネトロンス
パッタ法により連続成膜した。各層の膜厚は下地膜15
0nm、第一保護膜120nm、記録膜12nm、第二
保護膜15nm、反射膜60nmとした。反射膜上部に
は、紫外線硬化樹脂(大日本インキ製SD−301)を
9.2μm厚に塗布した。
【0040】次に、前記ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長650nmの半導
体レーザとNA0.60の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度12.
0m/sにて回転させ、半径45mmの凹部溝トラック
に13.5MHz信号と3.4MHz信号とを交互にオ
ーバライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となる
ように、記録パワと消去パワとをそれぞれ10mW、5
mWに設定した。再生パワ1mWにおける3.4MHz
再生信号レベルは200mVp−pの振幅を示した。次
に、同一条件で半径45mmの凸部溝トラックに13.
5MHz信号と3.4MHz信号とを交互にオーバライ
トしたところ、3.4MHz再生信号レベルは195m
Vp−pの振幅を示し、凹部トラックと凸部トラックと
でバランスのとれた信号レベルが確認できた。
い、特性を評価した。測定には、波長650nmの半導
体レーザとNA0.60の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度12.
0m/sにて回転させ、半径45mmの凹部溝トラック
に13.5MHz信号と3.4MHz信号とを交互にオ
ーバライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となる
ように、記録パワと消去パワとをそれぞれ10mW、5
mWに設定した。再生パワ1mWにおける3.4MHz
再生信号レベルは200mVp−pの振幅を示した。次
に、同一条件で半径45mmの凸部溝トラックに13.
5MHz信号と3.4MHz信号とを交互にオーバライ
トしたところ、3.4MHz再生信号レベルは195m
Vp−pの振幅を示し、凹部トラックと凸部トラックと
でバランスのとれた信号レベルが確認できた。
【0041】
【実施例6】使用するレーザ波長を650nmに設定
し、図1と同等構成で位相差を180度に設定したラン
ド/グルーブ記録型媒体を作成した。基板1には直径1
20mm、厚さ0.6mmのプリグルーブ付きポリカー
ボネート基板を用いた。基板には、トラックピッチ0.
56μm(凹部幅0.56μm、凸部幅0.56μ
m)、溝深さ55nmのランド/グルーブ両方に記録す
るタイプの基板を用いた。下地膜2にはSiO2 を、第
一保護膜3及び第二保護膜5にはZnS−SiO2 混合
膜を、記録膜4にはGeSbTeを、反射膜6にはSi
を用い、マグネトロンスパッタ法により連続成膜した。
各層の膜厚は下地膜150nm、第一保護膜65nm、
記録膜12nm、第二保護膜15nm、反射膜60nm
とした。反射膜上部には、紫外線硬化樹脂(大日本イン
キ製SD−301)を9.2μm厚に塗布した。
し、図1と同等構成で位相差を180度に設定したラン
ド/グルーブ記録型媒体を作成した。基板1には直径1
20mm、厚さ0.6mmのプリグルーブ付きポリカー
ボネート基板を用いた。基板には、トラックピッチ0.
56μm(凹部幅0.56μm、凸部幅0.56μ
m)、溝深さ55nmのランド/グルーブ両方に記録す
るタイプの基板を用いた。下地膜2にはSiO2 を、第
一保護膜3及び第二保護膜5にはZnS−SiO2 混合
膜を、記録膜4にはGeSbTeを、反射膜6にはSi
を用い、マグネトロンスパッタ法により連続成膜した。
各層の膜厚は下地膜150nm、第一保護膜65nm、
記録膜12nm、第二保護膜15nm、反射膜60nm
とした。反射膜上部には、紫外線硬化樹脂(大日本イン
キ製SD−301)を9.2μm厚に塗布した。
【0042】次に、前記ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長650nmの半導
体レーザとNA0.60の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度12.
0m/sにて回転させ、半径45mmの凹部溝トラック
に13.5MHz信号と3.4MHz信号とを交互にオ
ーバライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となる
ように、記録パワと消去パワとをそれぞれ11mW、
5.8mWに設定した。再生パワ1.5mWにおける
3.4MHzの再生信号レベルは255mVp−pの振
幅を示した。次に、同一条件で半径45mmの凸部溝ト
ラックに13.5MHz信号と3.4MHz信号とを交
互にオーバライトしたところ、13.4MHzの再生信
号レベルは250mVp−pの振幅を示し、凹部トラッ
クと凸部トラックとでバランスのとれた信号レベルが確
認できた。
い、特性を評価した。測定には、波長650nmの半導
体レーザとNA0.60の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度12.
0m/sにて回転させ、半径45mmの凹部溝トラック
に13.5MHz信号と3.4MHz信号とを交互にオ
ーバライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となる
ように、記録パワと消去パワとをそれぞれ11mW、
5.8mWに設定した。再生パワ1.5mWにおける
3.4MHzの再生信号レベルは255mVp−pの振
幅を示した。次に、同一条件で半径45mmの凸部溝ト
ラックに13.5MHz信号と3.4MHz信号とを交
互にオーバライトしたところ、13.4MHzの再生信
号レベルは250mVp−pの振幅を示し、凹部トラッ
クと凸部トラックとでバランスのとれた信号レベルが確
認できた。
【0043】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、繰り
返しオーバライトでの基板へのダメージを防ぐために、
下地層を比較的厚く作成でき、また、その膜厚設定にも
自由度があるので、媒体の光学特性を再現性良く実現で
きるという優れた効果があり、結果として、従来構成に
比べて成膜のマージンが広く、成膜再現性に優れた光学
的情報記録媒体が得られる。
返しオーバライトでの基板へのダメージを防ぐために、
下地層を比較的厚く作成でき、また、その膜厚設定にも
自由度があるので、媒体の光学特性を再現性良く実現で
きるという優れた効果があり、結果として、従来構成に
比べて成膜のマージンが広く、成膜再現性に優れた光学
的情報記録媒体が得られる。
【図1】本発明に係る光学的情報記録媒体の構成を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図2】本発明に係る光学的情報記録媒体の反射率、吸
収率、光学的位相差特性を示すグラフである。
収率、光学的位相差特性を示すグラフである。
【図3】本発明に係る光学的情報記録媒体の下地膜の膜
厚と光学的位相差の関係を示すグラフである。
厚と光学的位相差の関係を示すグラフである。
【図4】本発明に係る光学的情報記録媒体の下地膜の膜
厚と光学的位相差の関係を示すグラフである。
厚と光学的位相差の関係を示すグラフである。
【図5】従来例の光学的情報記録媒体の構成を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図6】従来例の光学的情報記録媒体の反射率、吸収
率、光学的位相差特性を示すグラフである。
率、光学的位相差特性を示すグラフである。
1 基板 2 下地膜 3 第一保護膜 4 記録膜 5 第二保護膜 6 反射膜 7 紫外線硬化樹脂
Claims (5)
- 【請求項1】 結晶−非晶質間の可逆的な相変化を用
い、レーザ光の照射による記録膜の相状態変化によって
情報の記録・再生・消去を行う光学的情報記録媒体であ
って、前記レーザ光のトラッキング用案内溝を有する透
明な基板と、この基板上に形成された下地膜と、この下
地膜上に形成された第一保護膜と、この第一保護膜上に
形成された相変化型の記録膜と、この記録膜上に形成さ
れた第二保護膜と、この第二保護膜上に形成された反射
膜とを備えたことを特徴とする光学的情報記録媒体。 - 【請求項2】 前記レーザ光の波長において前記下地膜
の屈折率が前記第一保護膜の屈折率よりも小さい、請求
項1記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項3】 前記トラッキング用案内溝の凹部及び凸
部両方に情報を記録する、請求項2記載の光学的情報記
録媒体。 - 【請求項4】 前記記録膜の結晶部及び非晶質部からの
反射光の位相差を0度近傍に設定した、請求項3記載の
光学的情報記録媒体。 - 【請求項5】 前記記録膜の結晶部及び非晶質部からの
反射光の位相差を180度近傍に設定した、請求項3記
載の光学的情報記録媒体。
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- 1998-06-01 US US09/088,067 patent/US6117511A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-03 KR KR1019980020494A patent/KR19990006606A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-06-03 EP EP19980304398 patent/EP0883116B1/en not_active Expired - Lifetime
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