JPH10334509A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents

光学的情報記録媒体

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JPH10334509A
JPH10334509A JP14549197A JP14549197A JPH10334509A JP H10334509 A JPH10334509 A JP H10334509A JP 14549197 A JP14549197 A JP 14549197A JP 14549197 A JP14549197 A JP 14549197A JP H10334509 A JPH10334509 A JP H10334509A
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recording medium
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満哉 岡田
Masaki Ito
雅樹 伊藤
Shuichi Okubo
修一 大久保
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 相変化型光ディスクのオーバライト特性を改
善し、高密度記録を可能にする新規な光学的情報記録媒
体を提供する。 【解決手段】 本発明に係る光学的情報記録媒体は、レ
ーザ光のトラッキング用案内溝を有する透明な基板１
と、基板１上に形成された下地膜２と、下地膜２上に形
成された第一保護膜３と、第一保護膜３上に形成された
相変化型の記録膜４と、記録膜４上に形成された第二保
護膜５と、第二保護膜５上に形成された反射膜６とを備
えたものである。反射膜６上には、保護用として紫外線
硬化樹脂７が塗布されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を用いて
高密度に情報を記録・再生・消去する光学的情報記録媒
体に関し、特に、レーザ光の照射による昇温又は冷却の
熱履歴の違いにより結晶−非晶質間における構造及び光
学的性質が変化する光学的情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光を用いた光ディスク型記録方式
は、大容量記録が可能であるとともに、非接触により高
速アクセスが可能であることから、大容量メモリとして
実用化が進んでいる。光ディスクは、コンパクトディス
クやレーザディスクとして知られている再生専用型、ユ
ーザ自身で記録できる追記型、及びユーザ側で繰り返し
記録消去ができる書換型に分類される。追記型・書換型
の光ディスクは、コンピュータの外部メモリ又は文書・
画像ファイルとして使用されている。
【０００３】書換型光ディスクには、記録膜の相変化を
利用した相変化型光ディスクと、垂直磁化膜の磁化方向
の変化を利用した光磁気ディスクとがある。このうち、
相変化型光ディスクは、外部磁場が不要で、かつ、オー
バライトが容易にできることから、今後、書換型光ディ
スクの主流になることが期待されている。
【０００４】従来よりレーザ光照射により結晶−非晶質
間の相変化を起こす記録膜を用いた書換可能な、いわゆ
る相変化型光ディスクが知られている。相変化型光ディ
スクでは、記録すべき情報に応じた高パワのレーザ光ス
ポットを記録膜に照射し、記録膜温度を局部的に上昇さ
せることにより、結晶−非晶質間の相変化を起こさせて
記録し、これに伴う光学定数の変化を低パワのレーザ光
によって反射光強度差又は位相変化として読み取ること
により再生を行っている。
【０００５】例えば、結晶化時間が比較的遅い記録膜を
用いた相変化光ディスクでは、ディスクを回転させ、こ
のディスクに形成された記録膜にレーザ光を照射し、こ
の記録膜の温度を融点以上に上昇させ、レーザ光が通過
した後、急冷することによりその部分を非晶質状態とし
て記録する。消去時には、記録膜温度を結晶化温度以上
かつ融点以下の結晶化可能温度範囲で結晶化を進行させ
るために十分な時間保持することにより、記録膜を結晶
化させる。このための方法としては、レーザ光進行方向
に長い長円レーザ光を照射する方法が知られている。既
に記録したデータを消去しながら新しい情報を記録する
２ビームによる疑似的なオーバライトを行う場合には、
消去用の長円レーザ光を記録用円形レーザ光に先行させ
て照射するように配置する。
【０００６】一方、高速結晶化が可能な記録膜を用いた
ディスクでは、円形に集光した１本のレーザ光を使う。
従来より知られている方法は、レーザ光のパワを２つの
レベル間で変化させることにより、結晶化又は非晶質化
を行う。すなわち、記録膜の温度を融点以上に上昇させ
ることが可能なパワのレーザ光を記録膜に照射すること
により、そのほとんどの部分は冷却時に非晶質状態とな
る。その一方、記録膜温度が結晶化温度以上かつ融点以
下の温度に達するようなパワのレーザ光が照射された部
分は結晶状態になる。
【０００７】相変化型光ディスクの記録膜には、カルコ
ゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ
系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯ
ｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、Ｂ
ｉＳｅＧｅ系、などが用いられる。いずれの材料も、抵
抗加熱真空蒸着法、電子ビーム真空蒸着法、スパッタリ
ング法などの成膜法で成膜される。成膜直後の記録膜の
状態は一種の非晶質状態であり、この記録膜に記録を行
って非晶質の記録部を形成するために、記録膜全体を結
晶質にしておく初期化処理が行われる。記録は、この結
晶化された状態の中に非晶質部分を形成することにより
達成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来、光ディスクの高
密度記録の手段としては、マークエッジ記録とランド／
グルーブ記録との併用が効果的である。
【０００９】高反射率状態の結晶部に非晶質マークを記
録するタイプで、結晶部と非晶質部との反射率差を大き
くとった反射率差再生型媒体が従来から知られている。
この反射率差再生型媒体をマークエッジ記録に使用した
場合、媒体の透過光が無いために、結晶部の吸収率が非
晶質部の吸収率よりかなり小さくなり、高線速でのオー
バライト時の記録マーク歪みを小さく抑えられないとい
う欠点があった。
【００１０】この欠点を解消するために、結晶部と非晶
質部との反射率差を小さくし両者間の光学的な位相差を
大きく設定する、いわゆる位相差再生型相変化光ディス
クが提案されている（例えば特開平７−９３８０４公
報。しかしながら、この方式では、位相差を１８０度近
傍に設定する必要があるので、所望の位相差を実現する
のは媒体の各層の膜厚を精度よく制御して成膜しなけれ
ばならないという課題があった。
【００１１】従来の位相差再生型媒体は、図５に示すよ
うに基板１／第一保護膜３／記録膜４／第二保護膜５／
反射膜６／保護樹脂（紫外線硬化樹脂７）の構成であ
る。この媒体での光学特性は例えば図６のようになる。
ここで、図５及び図６からわかるように、位相差再生と
して最も効果を発揮する位相差１８０度を実現するに
は、第一保護膜の膜厚を４５ｎｍ又は１９５ｎｍ近傍に
設定すればよいが、膜厚変動に対するマージンは狭い。
成膜時の設定膜厚の制御性の点では、第一保護膜の膜厚
６０ｎｍが好ましいが、この構成では記録時の加熱によ
って基板が熱的にダメージを受けるため、繰り返し使用
に不適であるという課題があった。
【００１２】また、高密度のもう一つの有力手段である
ランド／グルーブ記録では、トラック案内溝の凸部トラ
ックからの再生信号と、凹部トラックからの再生信号の
振幅レベルを揃えることが要求される。これを実現する
には、結晶−非晶質間の光学的位相差を、反射率再生型
媒体では０度近傍、位相差再生型媒体では１８０度近傍
に精度良く設定することが求められる。しかしながら、
従来から知られている図５の構成の媒体では、第一保護
膜を厚く設定せざるを得ず（例えば、図６の第一保護膜
の膜厚１７０ｎｍ近傍）、その際の第一保護膜の厚さ変
動が位相差に大きく影響するという欠点があった。
【００１３】
【発明の目的】本発明の目的は上記の欠点を解決し、相
変化型光ディスクのオーバライト特性を改善し、高密度
記録を可能にする新規な光学的情報記録媒体を提供する
ことにある。本発明では、所望の光学特性制御を実行し
つつ、作成が容易な媒体構成が選択された光学的情報記
録媒体が得られる。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の光学的情報記録
媒体は、結晶−非晶質間の可逆的な相変化を用い、レー
ザ光の照射による記録膜の相状態変化によって情報の記
録・再生・消去を行う光学的情報記録媒体であって、前
記レーザ光のトラッキング用案内溝を有する透明な基板
と、この基板上に形成された下地膜と、この下地膜上に
形成された第一保護膜と、この第一保護膜上に形成され
た相変化型の記録膜と、この記録膜上に形成された第二
保護膜と、この第二保護膜上に形成された反射膜とを備
えたことを特徴とする。また、前記レーザ光の波長にお
いて前記下地膜の屈折率が前記第一保護膜の屈折率より
も小さいものとしてもよい。この場合、前記トラッキン
グ用案内溝の凹部及び凸部両方に情報を記録するものと
してもよく、なおかつ、前記記録膜の結晶部及び非晶質
部からの反射光の位相差を０度近傍又は１８０度近傍に
設定したものとしてもよい。
【００１５】次に、本発明に係る光学的情報記録媒体の
設計指針について説明する。本発明では、透明な基板上
に下地膜を形成した後、第一保護膜を形成する。ここ
で、下地膜としては、光学的に第一保護膜よりも屈折率
が小さく、できれば、その屈折率が基板の屈折率に近い
材料を選定することが望ましい。例えば、第一保護膜に
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、基板にポリカーボネート樹脂を用い
る場合、波長６５０ｎｍ近傍では、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 の
屈折率は２．１０、基板樹脂の屈折率は１．５９である
ので、下地膜としては、例えば屈折率が通常１．４６で
あるＳｉＯ2 が選択できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る光学的情報
記録媒体の一実施形態を示す概略断面図である。本実施
形態の光学的情報記録媒体の構成は、基板１／下地膜２
／第一保護膜３／記録膜４／第二保護膜５／反射膜６／
保護樹脂（紫外線硬化樹脂７）である。ここで、下地膜
として光学定数が基板に近い材料を使うことによって、
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 などの第一保護膜を薄く設定できる。
【００１７】すなわち、従来の構成では、記録膜と基板
間の膜厚を１００ｎｍ以下に設定すると繰り返しオーバ
ライト耐性が確保できないので、図５に示したように、
結晶と非晶質間の位相差を１８０度に設定したい場合、
第一保護膜の厚さが２００ｎｍ近傍となるように精度良
く制御して成膜する必要があった。また、位相差を０度
近傍に設定したい場合は、第一保護膜の厚さを１７０ｎ
ｍ近傍となるように精度良く制御して成膜する必要があ
った。
【００１８】一方、本発明では、繰り返しオーバライト
での基板へのダメージを防ぐために、下地層を比較的厚
く作成でき、また、その膜厚設定にも自由度があるの
で、第一保護膜の膜厚として、成膜時の膜厚設定の制御
性が良い薄い膜厚が選択できる。
【００１９】図２は、ポリカーボネート基板／ＳｉＯ2
下地膜／ＺｎＳ−ＳｉＯ2 第一保護膜／ＧｅＳｂＴｅ記
録膜／ＺｎＳ−ＳｉＯ2 第二保護膜／Ａｌ反射膜／紫外
線硬化型保護樹脂の構成における光学設計の一例であ
る。この図から、例えば下地膜の膜厚として１００ｎｍ
を選定した場合、位相差を１８０度とした媒体を得るに
は、第一保護膜の膜厚として５５ｎｍを選定できる。ま
た、位相差を０度とした媒体を得るには、第一保護膜の
膜厚として１０ｎｍを選定できる。
【００２０】図３及び図４は、ＳｉＯ2 を下地膜とした
ときの、下地膜の膜厚変動に対する反射光の光学位相差
の変動を求めたものである。図５に示した従来構成で
は、位相差１８０度となるように保護膜の膜厚を設定し
た場合、保護膜の膜厚が１０ｎｍ変動したときに約３０
度の位相差変動があった。これに対して本発明では、位
相差１８０度となるように保護膜の膜厚を設定した場
合、下地膜の膜厚の１０ｎｍの変動に対して４度程度の
位相差変動に収まる。また、従来構成では、位相差０度
となるように保護膜の膜厚を設定した場合、保護膜の膜
厚が１０ｎｍ変動したときに約１７度の位相差変動があ
った。これに対して本発明では、位相差０度となるよう
に保護膜の膜厚を設定した場合、下地膜の膜厚の１０ｎ
ｍの変動に対して２．４度の位相差変動に収まる。この
ように、本発明では、従来構成に比べて成膜のマージン
が広く、成膜再現性に優れた光学的情報記録媒体が得ら
れる。
【００２１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。本発明に係る光学的情報記録媒体は、図１
に示すように、レーザ光のトラッキング用案内溝を有す
る透明な基板１と、基板１上に形成された下地膜２と、
下地膜２上に形成された第一保護膜３と、第一保護膜３
上に形成された相変化型の記録膜４と、記録膜４上に形
成された第二保護膜５と、第二保護膜５上に形成された
反射膜６とを備えたものである。反射膜６上には保護用
として紫外線硬化樹脂７を塗布している。
【００２２】基板１には、円盤状のガラス又はプラスチ
ックが用いられる。好ましくは、強化ガラス、ポリカー
ボネート樹脂、ＰＭＭＡ樹脂、ポリオレフィン系樹脂が
使用される。
【００２３】下地膜２は、前述したように第一保護膜３
よりも屈折率が小さければよいが、透明基板と屈折率が
近いものが好ましく、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、
ＮａＦ、Ｎａ3 ＡｌＦ6 、ＬｉＦ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＣｅＦ
3 、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＴｈＯ2 、ＰｂＦ2 、ＳｎＯ2 、
Ｌａ2 Ｏ3 などが使用できる。
【００２４】第一保護膜３と第二保護膜５には、ＳｉＯ
2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ、ＴｉＯ2、ＺｎＳ、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 などの誘電体材料が用いられる。
【００２５】記録膜４としては、カルコゲナイド系材料
であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、
ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、
ＴｅＳｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系、な
どが用いられる。
【００２６】反射膜６には、金属材科又は透過性高屈折
率材料が使用できる。好ましくは、Ａｌ、Ａｉ−Ｔｉ、
Ａｌ合金、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｇｅなどが使用できる。
【００２７】
【実施例１】使用するレーザ波長を６５０ｎｍに設定
し、図１と同等構成で反射率差を大きくし位相差を０度
に設定したランド／グルーブ記録型媒体を作成した。基
板１には直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのプリグルー
ブ付きポリカーボネート基板を用いた。基板には、トラ
ックピッチ０．５６μｍ（凹部幅０．５６μｍ、凸部幅
０．５６μｍ）、溝深さ５５ｎｍのランド／グルーブ両
方に記録するタイプの基板を用いた。下地膜２にはＳｉ
Ｏ2 を、第一保護膜３及び第二保護膜５にはＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 混合膜（屈折率２．１０）を、記録膜４にはＧｅ
ＳｂＴｅを、反射膜６にはＡｌを用い、マグネトロンス
パッタ法により連続成膜した。各層の膜厚は下地膜１０
０ｎｍ、第一保護膜１０ｎｍ、記録膜１２ｎｍ、第二保
護膜２５ｎｍ、反射膜１００ｎｍとした。反射膜上部に
は、紫外線硬化樹脂（大日本インキ製ＳＤ−３０１）を
９．２μｍ厚に塗布した。
【００２８】次に、前記ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長６５０ｎｍの半導
体レーザとＮＡ０．６０の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度５．８
ｍ／ｓにて回転させ、半径４５ｍｍの凹部溝トラックに
８．５ＭＨｚ信号と２．１３ＭＨｚ信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ７ｍＷ、４ｍＷ
に設定した。再生パワ１ｍＷにおける２．１３ＭＨｚ再
生信号レベルは、１６０ｍＶｐ−ｐの振幅を示した。次
に、同一条件で半径４５ｍｍの凸部溝トラックに８．５
ＭＨｚ信号と２．１３ＭＨｚ信号とを交互にオーバライ
トしたところ、２．１３ＭＨｚ再生信号レベルは１６５
ｍＶｐ−ｐの振幅を示し、凹部トラックと凸部トラック
とでバランスのとれた信号レベルが確認できた。
【００２９】
【実施例２】使用するレーザ波長を６５０ｎｍに設定
し、図１と同等構成で位相差を１８０度に設定したラン
ド／グルーブ記録型媒体を作成した。基板１には直径１
２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのプリグルーブ付きポリカー
ボネート基板を用いた。基板には、トラックピッチ０．
５６μｍ（凹部幅０．５６μｍ、凸部幅０．５６μ
ｍ）、溝深さ５５ｎｍのランド／グルーブ両方に記録す
るタイプの基板を用いた。下地膜２にはＳｉＯ2 を、第
一保護膜３及び第二保護膜５にはＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合
膜を、記録膜４にはＧｅＳｂＴｅを、反射膜６にはＡｌ
を用い、マグネトロンスパッタ法により連続成膜した。
各層の膜厚は下地膜１００ｎｍ、第一保護膜５５ｎｍ、
記録膜１２ｎｍ、第二保護膜２５ｎｍ、反射膜１００ｎ
ｍとした。反射膜上部には、紫外線硬化樹脂（大日本イ
ンキ製ＳＤ−３０１）を９．２μｍ厚に塗布した。
【００３０】次に、前記ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長６５０ｎｍの半導
体レーザとＮＡ０．６０の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度５．８
ｍ／ｓにて回転させ、半径４５ｍｍの凹部溝トラックに
８．５ＭＨｚ信号と２．１３ＭＨｚ信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ６ｍＷ、３ｍＷ
に設定した。再生パワ１ｍＷにおける２．１３ＭＨｚの
再生信号レベルは１４５ｍＶｐ−ｐの振幅を示した。次
に、同一条件で半径４５ｍｍの凸部溝トラックに８．５
ＭＨｚ信号と２．１３ＭＨｚ信号とを交互にオーバライ
トしたところ、２．１３ＭＨｚの再生信号レベルは１５
０ｍＶｐ−ｐの振幅を示し、凹部トラックと凸部トラッ
クとでバランスのとれた信号レベルが確認できた。
【００３１】
【比較例１】比較例として、使用するレーザ波長を６５
０ｎｍに設定し、図５と同等の従来構成で反射率差を大
きくし位相差０度を目標としたランド／グルーブ記録型
媒体を作成した。基板１には、直径１２０ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍのプリグルーブ付きポリカーボネート基板を
用いた。基板には、トラックピッチ０．５６μｍ（凹部
幅０．５６μｍ、凸部幅０．５６μｍ）、溝深さ５５ｎ
ｍのランド／グルーブ両方に記録するタイプの基板を用
いた。第一保護膜３及び第二保護膜５にはＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 混合膜を、記録膜４にはＧｅＳｂＴｅを、反射膜６
にはＡｌを用い、マグネトロンスパッタ法により連続成
膜した。各層の膜厚は、第一保護膜１７０ｎｍ、記録膜
１２ｎｍ、第二保護膜２５ｎｍ、反射膜１００ｎｍとし
た。反射膜上部には、紫外線硬化樹脂（大日本インキ製
ＳＤ−３０１）を９．２μｍ厚に塗布した。
【００３２】次に、前記ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長６５０ｎｍの半導
体レーザとＮＡ０．６０の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度５．８
ｍ／ｓにて回転させ、半径４５ｍｍの凹部溝トラックに
８．５ＭＨｚ信号と２．１３ＭＨｚ信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ７．５ｍＷ、
３．８ｍＷに設定した。再生パワ１ｍＷにおける２．１
３ＭＨｚ再生信号レベルは１７０ｍＶｐ−ｐの振幅を示
した。次に、同一条件で半径４５ｍｍの凸部溝トラック
に８．５ＭＨｚ信号と２．１３ＭＨｚ信号とを交互にオ
ーバライトしたところ、２．１３ＭＨｚ再生信号レベル
は１４０ｍＶｐ−ｐの振幅を示し、凹部トラックと凸部
トラックとで出力のバランスが崩れていることが確認さ
れた。この後、作成したディスクの各層の厚さを段差型
膜厚計を用いて測定したところ、第一保護膜の膜厚が１
７５ｎｍとなっており、設計値に比べて厚く成膜されて
いたことがわかった。
【００３３】
【比較例２】比較例として、使用するレーザ波長を６５
０ｎｍに設定し、図５と同等の従来構成て位相差１８０
度を目標としたランド／グルーブ記録型媒体を作成し
た。基板１には直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのプリ
グルーブ付きポリカーボネート基板を用いた。基板に
は、トラックピッチ０．５６μｍ（凹部幅０．５６μ
ｍ、凸部幅０．５６μｍ）、溝深さ５５ｎｍのランド／
グルーブ両方に記録するタイプの基板を用いた。第一保
護膜３及び第二保護膜５にはＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合膜
を、記録膜４にはＧｅＳｂＴｅを、反射膜６にはＡｌを
用い、マグネトロンスパッタ法により連続成膜した。各
層の膜厚は、第一保護膜２００ｎｍ、記録膜１２ｎｍ、
第二保護膜２５ｎｍ、反射膜１００ｎｍとした。反射膜
上部には、紫外線硬化樹脂（大日本インキ製ＳＤ−３０
１）を９．２μｍ厚に塗布した。
【００３４】次に、前記ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長６５０ｎｍの半導
体レーザとＮＡ０．６０の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度５．８
ｍ１ｓにて回転させ、半径４５ｍｍの凹部溝トラックに
８．５ＭＨｚ信号と２．１３ＭＨｚ信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ５．５ｍＷ、３
ｍＷに設定した。再生パワ１ｍＷにおける２．１３ＭＨ
ｚ再生信号レベルは、１６０ｍＶｐ−ｐの振幅を示し
た。次に、同一条件で半径４５ｍｍの凸部溝トランクに
８．５ＭＨｚ信号と２．１３ＭＨｚ信号とを交互にオー
バライトしたところ、２．１３ＭＨｚ再生信号レベルは
１１０ｍＶｐ−ｐの振幅を示し、凹部トラックと凸部ト
ラックとで出力のバランスが崩れていることが確認され
た。この後、作成したディスクの各層の厚さを段差型膜
厚計を用いて測定したところ、第一保護膜の膜厚が２０
５ｎｍとなっており、設計値に比べて厚く成膜されてい
たことがわかった。
【００３５】
【実施例３】使用するレーザ波長を６５０ｎｍに設定
し、図１と同等構成で位相差を０度に設定したランド／
グルーブ記録型媒体を作成した。基板１には直径１２０
ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのプリグルーブ付きポリカーボネ
ート基板を用いた。基板には、トラックピッチ０．５６
μｍ（凹部幅０．５６μｍ、凸部幅０．５６μｍ）、溝
深さ５５ｎｍのランド／グルーブ両方に記録するタイプ
の基板を用いた。下地膜２にはＡｌ2 Ｏ3 （屈折率１．
６２）を、第一保護膜３及び第二保護膜５にはＺｎＳ−
ＳｉＯ2 混合膜を、記録膜４にはＧｅＳｂＴｅを、反射
膜６にはＡｌを用い、マグネトロンスパッタ法により連
続成膜した。各層の膜厚は下地膜１５０ｎｍ、第一保護
膜２０ｎｍ、記録膜１２ｎｍ、第二保護膜２５ｎｍ、反
射膜１００ｎｍとした。反射膜上部には、紫外線硬化樹
脂（大日本インキ製ＳＤ−３０１）を９．２μｍ厚に塗
布した。
【００３６】次に、前記ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長６５０ｎｍの半導
体レーザとＮＡ０．６０の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度５．８
ｍ／ｓにて回転させ、半径４５ｍｍの凹部溝トラックに
８．５ＭＨｚ信号と２．１３ＭＨｚ信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ８ｍＷ、４ｍＷ
に設定した。再生パワ１ｍＷにおける２．１３ＭＨｚの
再生信号レベルは１９０ｍＶｐ−ｐの振幅を示した。次
に、同一条件で半径４５ｍｍの凸部溝トラックに８．５
ＭＨｚ信号と２．１３ＭＨｚ信号とを交互にオーバライ
トしたところ、２．１３ＭＨｚの再生信号レベルは１９
５ｍＶｐ−ｐの振幅を示し、凹部トラックと凸部トラッ
クとでバランスのとれた信号レベルが確認できた。
【００３７】
【実施例４】使用するレーザ波長を６５０ｎｍに設定
し、図１と同等構成で位相差を０度に設定したランド／
グルーブ記録型媒体を作成した。基板１には直径１２０
ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのプリグルーブ付きポリカーボネ
ート基板を用いた。基板には、トラックピッチ０．５６
μｍ（凹部幅０．５６μｍ、凸部幅０．５６μｍ）、溝
深さ５５ｎｍのランド／グルーブ両方に記録するタイプ
の基板を用いた。下地膜２にはＳｎＯ2 （屈折率１．９
０）を、第一保護膜３及び第二保護膜５にはＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 混合膜を、記録膜４にはＧｅＳｂＴｅを、反射膜
６にはＡｌを用い、マグネトロンスパッタ法により連続
成膜した。各層の膜厚は下地膜２００ｎｍ、第一保護膜
１０ｎｍ、記録膜１２ｎｍ、第二保護膜２５ｎｍ、反射
膜１００ｎｍとした。反射膜上部には、紫外線硬化樹脂
（大日本インキ製ＳＤ−３０１）を９．２μｍ厚に塗布
した。
【００３８】次に、前記ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長６５０ｎｍの半導
体レーザとＮＡ０．６０の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度５．８
ｍ／ｓにて回転させ、半径４５ｍｍの凹部溝トラックに
８．５ＭＨｚ信号と２．１３ＭＨｚ信号とを交互にオー
バライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるよ
うに、記録パワと消去パワとをそれぞれ７ｍＷ、３．４
ｍＷに設定した。再生パワ１ｍＷにおける２．１３ＭＨ
ｚの再生信号レベルは１８０ｍＶｐ−ｐの振幅を示し
た。次に、同一条件で半径４５ｍｍの凸部溝トラックに
８．５ＭＨｚ信号と２．１３ＭＨｚ信号とを交互にオー
バライトしたところ、２．１３ＭＨｚの再生信号レベル
は１８５ｍＶｐ−ｐの振幅を示し、凹部トラックと凸部
トラックとでバランスのとれた信号レベルが確認でき
た。
【００３９】
【実施例５】使用するレーザ波長を６５０ｎｍに設定
し、図１と同等構成て反射率差を大きくし位相差を０度
に設定したランド／グルーブ記録型媒体を作成した。基
板１には直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのプリグルー
ブ付きポリカーボネート基板を用いた。基板には、トラ
ックピッチ０．５６μｍ（凹部幅０．５６μｍ、凸部幅
０．５６μｍ）、溝深さ５５ｎｍのランド／グルーブ両
方に記録するタイプの基板を用いた。下地膜２にはＳｉ
Ｏ2 を、第一保護膜３及び第二保護膜５にはＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 混合膜（屈折率２．１０）を、記録膜４にはＧｅ
ＳｂＴｅを、反射膜６にはＳｉを用い、マグネトロンス
パッタ法により連続成膜した。各層の膜厚は下地膜１５
０ｎｍ、第一保護膜１２０ｎｍ、記録膜１２ｎｍ、第二
保護膜１５ｎｍ、反射膜６０ｎｍとした。反射膜上部に
は、紫外線硬化樹脂（大日本インキ製ＳＤ−３０１）を
９．２μｍ厚に塗布した。
【００４０】次に、前記ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長６５０ｎｍの半導
体レーザとＮＡ０．６０の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度１２．
０ｍ／ｓにて回転させ、半径４５ｍｍの凹部溝トラック
に１３．５ＭＨｚ信号と３．４ＭＨｚ信号とを交互にオ
ーバライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となる
ように、記録パワと消去パワとをそれぞれ１０ｍＷ、５
ｍＷに設定した。再生パワ１ｍＷにおける３．４ＭＨｚ
再生信号レベルは２００ｍＶｐ−ｐの振幅を示した。次
に、同一条件で半径４５ｍｍの凸部溝トラックに１３．
５ＭＨｚ信号と３．４ＭＨｚ信号とを交互にオーバライ
トしたところ、３．４ＭＨｚ再生信号レベルは１９５ｍ
Ｖｐ−ｐの振幅を示し、凹部トラックと凸部トラックと
でバランスのとれた信号レベルが確認できた。
【００４１】
【実施例６】使用するレーザ波長を６５０ｎｍに設定
し、図１と同等構成で位相差を１８０度に設定したラン
ド／グルーブ記録型媒体を作成した。基板１には直径１
２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのプリグルーブ付きポリカー
ボネート基板を用いた。基板には、トラックピッチ０．
５６μｍ（凹部幅０．５６μｍ、凸部幅０．５６μ
ｍ）、溝深さ５５ｎｍのランド／グルーブ両方に記録す
るタイプの基板を用いた。下地膜２にはＳｉＯ2 を、第
一保護膜３及び第二保護膜５にはＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合
膜を、記録膜４にはＧｅＳｂＴｅを、反射膜６にはＳｉ
を用い、マグネトロンスパッタ法により連続成膜した。
各層の膜厚は下地膜１５０ｎｍ、第一保護膜６５ｎｍ、
記録膜１２ｎｍ、第二保護膜１５ｎｍ、反射膜６０ｎｍ
とした。反射膜上部には、紫外線硬化樹脂（大日本イン
キ製ＳＤ−３０１）を９．２μｍ厚に塗布した。
【００４２】次に、前記ディスクにオーバライトを行
い、特性を評価した。測定には、波長６５０ｎｍの半導
体レーザとＮＡ０．６０の集光レンズとを搭載した光ヘ
ッドを用いた。初期化処理後のディスクを線速度１２．
０ｍ／ｓにて回転させ、半径４５ｍｍの凹部溝トラック
に１３．５ＭＨｚ信号と３．４ＭＨｚ信号とを交互にオ
ーバライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となる
ように、記録パワと消去パワとをそれぞれ１１ｍＷ、
５．８ｍＷに設定した。再生パワ１．５ｍＷにおける
３．４ＭＨｚの再生信号レベルは２５５ｍＶｐ−ｐの振
幅を示した。次に、同一条件で半径４５ｍｍの凸部溝ト
ラックに１３．５ＭＨｚ信号と３．４ＭＨｚ信号とを交
互にオーバライトしたところ、１３．４ＭＨｚの再生信
号レベルは２５０ｍＶｐ−ｐの振幅を示し、凹部トラッ
クと凸部トラックとでバランスのとれた信号レベルが確
認できた。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、繰り
返しオーバライトでの基板へのダメージを防ぐために、
下地層を比較的厚く作成でき、また、その膜厚設定にも
自由度があるので、媒体の光学特性を再現性良く実現で
きるという優れた効果があり、結果として、従来構成に
比べて成膜のマージンが広く、成膜再現性に優れた光学
的情報記録媒体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光学的情報記録媒体の構成を示す
概略断面図である。
【図２】本発明に係る光学的情報記録媒体の反射率、吸
収率、光学的位相差特性を示すグラフである。
【図３】本発明に係る光学的情報記録媒体の下地膜の膜
厚と光学的位相差の関係を示すグラフである。
【図４】本発明に係る光学的情報記録媒体の下地膜の膜
厚と光学的位相差の関係を示すグラフである。
【図５】従来例の光学的情報記録媒体の構成を示す概略
断面図である。
【図６】従来例の光学的情報記録媒体の反射率、吸収
率、光学的位相差特性を示すグラフである。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 下地膜 ３ 第一保護膜 ４ 記録膜 ５ 第二保護膜 ６ 反射膜 ７ 紫外線硬化樹脂

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 結晶−非晶質間の可逆的な相変化を用
    い、レーザ光の照射による記録膜の相状態変化によって
    情報の記録・再生・消去を行う光学的情報記録媒体であ
    って、前記レーザ光のトラッキング用案内溝を有する透
    明な基板と、この基板上に形成された下地膜と、この下
    地膜上に形成された第一保護膜と、この第一保護膜上に
    形成された相変化型の記録膜と、この記録膜上に形成さ
    れた第二保護膜と、この第二保護膜上に形成された反射
    膜とを備えたことを特徴とする光学的情報記録媒体。
  2. 【請求項２】 前記レーザ光の波長において前記下地膜
    の屈折率が前記第一保護膜の屈折率よりも小さい、請求
    項１記載の光学的情報記録媒体。
  3. 【請求項３】 前記トラッキング用案内溝の凹部及び凸
    部両方に情報を記録する、請求項２記載の光学的情報記
    録媒体。
  4. 【請求項４】 前記記録膜の結晶部及び非晶質部からの
    反射光の位相差を０度近傍に設定した、請求項３記載の
    光学的情報記録媒体。
  5. 【請求項５】 前記記録膜の結晶部及び非晶質部からの
    反射光の位相差を１８０度近傍に設定した、請求項３記
    載の光学的情報記録媒体。
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