JPH04102227A - 相変化型光ディスクの初期化方法 - Google Patents
相変化型光ディスクの初期化方法Info
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- JPH04102227A JPH04102227A JP21887290A JP21887290A JPH04102227A JP H04102227 A JPH04102227 A JP H04102227A JP 21887290 A JP21887290 A JP 21887290A JP 21887290 A JP21887290 A JP 21887290A JP H04102227 A JPH04102227 A JP H04102227A
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Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
(産業上の利用分野)
本発明は、情報の記録再生で用いられる相変彫型光ディ
スクの初期化方法に関する。
スクの初期化方法に関する。
(従来の技術)
近年、大容量メモリーとして光ディスクが注目をあびて
いる。
いる。
光ディスクは、CD(コンパクトディスク)に代表され
る再生専用タイプと、電子式文書ファイルに代表される
1回記録可能な書込み専用タイプと、記録、消去が可能
な書替タイプとに大別される。
る再生専用タイプと、電子式文書ファイルに代表される
1回記録可能な書込み専用タイプと、記録、消去が可能
な書替タイプとに大別される。
また、書替タイプの内、レーザー光の照射により、記録
膜を結晶相と非晶質相とに可逆的に変化させて記録、消
去を行う、いわゆる、相変化型光ディスクが注目をあび
ている。
膜を結晶相と非晶質相とに可逆的に変化させて記録、消
去を行う、いわゆる、相変化型光ディスクが注目をあび
ている。
情報の記録再生で用いられる相変化型の光ディスクとし
ては、カルコゲナイド系材料を記録膜に用いた光ディス
クが検討されている。
ては、カルコゲナイド系材料を記録膜に用いた光ディス
クが検討されている。
相変化型光ディスクの従来技術については、「書換え可
能光ディスク材料ヨ (奥田昌宏著、株式会社工業調査
会発行、1989年5月20日初版発行)に詳しい。
能光ディスク材料ヨ (奥田昌宏著、株式会社工業調査
会発行、1989年5月20日初版発行)に詳しい。
相変化型光ディスクは、カルコゲナイド系記録膜の結晶
相、非晶質層の相変化を利用して情報の記録再生を行な
う。従来の相変化型光ディスクの動作は次のように行わ
れている。
相、非晶質層の相変化を利用して情報の記録再生を行な
う。従来の相変化型光ディスクの動作は次のように行わ
れている。
1)スパッタ、蒸着などで成膜された記録膜は非晶質で
あるので、加熱アニール処理または光ビーム照射などで
、記録膜を結晶相とする。これを初期(結晶)化という
。
あるので、加熱アニール処理または光ビーム照射などで
、記録膜を結晶相とする。これを初期(結晶)化という
。
2)短パルス、高パワーの記録パルスで結晶相の記録膜
を溶融、急冷し非晶質化して記録マークとする。
を溶融、急冷し非晶質化して記録マークとする。
3)長パルス、低パワーの消去パルスで非結晶質相の記
録マークを結晶化し、記録マークを消去する。
録マークを結晶化し、記録マークを消去する。
また、消去パワーを重畳させて、オーバーライトを行な
うことも検討されている。
うことも検討されている。
第4図は、従来の初期化方法で初期化した初期化トラッ
クTの従来例を模式的に示す。成膜のままの記録膜を結
晶化させるレベルの光強度の連続光ビームを記録トラッ
クに照射してトラックT全面を結晶Cとしている。その
ため記録を行うと記録マークで大きく反射・率が変化す
るのでトラックTの平均反射率も大きく変化する。
クTの従来例を模式的に示す。成膜のままの記録膜を結
晶化させるレベルの光強度の連続光ビームを記録トラッ
クに照射してトラックT全面を結晶Cとしている。その
ため記録を行うと記録マークで大きく反射・率が変化す
るのでトラックTの平均反射率も大きく変化する。
(発明が解決しようとする課題)
従来は、前述の相変化型光ディスクの初期化は、一定強
度の連続光ビームを集光し記録トラックTに照射するこ
とでなされていた。相変化型光ディスクの初期化トラッ
クTに記録を行なうと相変化に伴う反射率変化か数10
%と大きいので、記録によって光ビームのトラッキング
及びフォーカシングのためのサーボゲインが大きく変化
する。そのため記録によってトラッキング及びフォーカ
シングのサーボ系の動作が不安定となる問題があった。
度の連続光ビームを集光し記録トラックTに照射するこ
とでなされていた。相変化型光ディスクの初期化トラッ
クTに記録を行なうと相変化に伴う反射率変化か数10
%と大きいので、記録によって光ビームのトラッキング
及びフォーカシングのためのサーボゲインが大きく変化
する。そのため記録によってトラッキング及びフォーカ
シングのサーボ系の動作が不安定となる問題があった。
そこで、この発明は、初期化トラックに記録を行なって
も安定したトラッキング及びフォーカシング動作が得ら
れる相変化型光ディスクの初期化方法を提供することを
目的とする。
も安定したトラッキング及びフォーカシング動作が得ら
れる相変化型光ディスクの初期化方法を提供することを
目的とする。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
本発明は、上記課題を解決するために、光ビームを照射
し、照射部分に状態の変化を生じさせて情報を記録する
相変化型光ディスクの初期化方法であって、記録周波数
に対応したパルス列の光ビームで初期化するものである
。
し、照射部分に状態の変化を生じさせて情報を記録する
相変化型光ディスクの初期化方法であって、記録周波数
に対応したパルス列の光ビームで初期化するものである
。
(作用)
相変化光ディスクの初期化を記録周波数に対応したパル
ス列の光ビームで行なうので、初期化トラックは結晶化
トラックと非晶質マークから形成される。これは記録ト
ラックの状態と同じである。
ス列の光ビームで行なうので、初期化トラックは結晶化
トラックと非晶質マークから形成される。これは記録ト
ラックの状態と同じである。
また記録周波数に対応したパルス列で初期化を行なうの
で結晶化トラックと非晶質マークの割合も記録トラック
の場合に近くなる。
で結晶化トラックと非晶質マークの割合も記録トラック
の場合に近くなる。
従って、この発明による初期化トラックに記録を行なっ
てもトラックの平均反射率の変化は少ないので安定した
トラッキング及びフォーカシング動作が得られる。
てもトラックの平均反射率の変化は少ないので安定した
トラッキング及びフォーカシング動作が得られる。
(実施例)
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
第1図は、本発明の初期化方法で用いる記録周波数に対
応したパルス列の先ビームBの実施例を示す。
応したパルス列の先ビームBの実施例を示す。
第1図(a)はオーバーライト波形を初期化に用いる場
合である。成膜のままの非晶質の記録膜を結晶化させる
レベルH1の光強度の光パルスPaに記録膜を溶融急冷
で非晶質化させるレベルH2の光強度の光パルスpbを
重畳させた光ビームBで初期化を行なう。このオーバラ
イド初期化パルスPa、Pbのパルス周波数は、記録周
波数に対応させる。
合である。成膜のままの非晶質の記録膜を結晶化させる
レベルH1の光強度の光パルスPaに記録膜を溶融急冷
で非晶質化させるレベルH2の光強度の光パルスpbを
重畳させた光ビームBで初期化を行なう。このオーバラ
イド初期化パルスPa、Pbのパルス周波数は、記録周
波数に対応させる。
第1図(b)は単一パルス波形を初期化に用いる場合で
ある。パルスpbの光強度は第1図(a)と同様に記録
膜を非晶質化させるレベルH2に設定され、そのパルス
周波数は記録周波数に対応するように設定される。
ある。パルスpbの光強度は第1図(a)と同様に記録
膜を非晶質化させるレベルH2に設定され、そのパルス
周波数は記録周波数に対応するように設定される。
本発明の要件は、第1図(a)または第1図(b)のよ
うなパルス列の光ビームBを記録トラックTに少なくと
も1回以上照射して初期化を行なうことである。従って
必要に応じてこれらの初期化パルスで同じ記録トラック
を複数回照射して初期化してもよい。
うなパルス列の光ビームBを記録トラックTに少なくと
も1回以上照射して初期化を行なうことである。従って
必要に応じてこれらの初期化パルスで同じ記録トラック
を複数回照射して初期化してもよい。
また必要に応じて、連続光ビームで記録トラッりを結晶
化させてから本発明のパルス光ビームBで初期化しても
よい。
化させてから本発明のパルス光ビームBで初期化しても
よい。
パルス波形についても、第1図(a)、(b)に限定さ
れるものではなく、記録周波数に対応したパルスであれ
ばその他の波形を用いてもよい。
れるものではなく、記録周波数に対応したパルスであれ
ばその他の波形を用いてもよい。
第2図にこの初期化方法で初期化された記録トラックの
実施例を模式的に示す。この実施例では、連続溝の記録
トラックTに初期化を行なった例を示す。この発明では
初期化したトラックTは主として結晶Cのトラックと主
として非晶質のマークMから構成される。この非晶質の
マークMの間隔か記録周波数に対応している。この初期
化トラックTに記録がなされる。
実施例を模式的に示す。この実施例では、連続溝の記録
トラックTに初期化を行なった例を示す。この発明では
初期化したトラックTは主として結晶Cのトラックと主
として非晶質のマークMから構成される。この非晶質の
マークMの間隔か記録周波数に対応している。この初期
化トラックTに記録がなされる。
第3図に本発明の適用か可能な相変化型光ディスクDの
層構成の1例を模式的に示す。本発明においても従来の
相変化型光ディスクの層構成を用いることができる。
層構成の1例を模式的に示す。本発明においても従来の
相変化型光ディスクの層構成を用いることができる。
第3図では本発明の適用が可能な相変化型光ディスクD
は、光デイスク基板10と、この光デイスク基板10上
に順次積層された保護層11、記録層12、保護層13
、反射層14、および保護層15から構成されている。
は、光デイスク基板10と、この光デイスク基板10上
に順次積層された保護層11、記録層12、保護層13
、反射層14、および保護層15から構成されている。
この層構成は単板の場合の例であり、記録層12のある
面を内側にしてこの単板光デイスク2枚を貼り合わせ両
面使用の光ディスクとすることも可能である。
面を内側にしてこの単板光デイスク2枚を貼り合わせ両
面使用の光ディスクとすることも可能である。
また、用途に応じて保護層11、保護層13、反射層1
4、保護層15は、それぞれ省略することも可能である
。
4、保護層15は、それぞれ省略することも可能である
。
光デイスク基板10は、透明で経時変化か少ない材料、
例えばポリメチルメタクリレート(PMMA)のような
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、
スチレン樹脂、またはガラス等で形成される。記録フォ
ーマットに応じて連続溝、サンプルサーボマーク、プリ
フォーマットマーク等が形成される。
例えばポリメチルメタクリレート(PMMA)のような
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、
スチレン樹脂、またはガラス等で形成される。記録フォ
ーマットに応じて連続溝、サンプルサーボマーク、プリ
フォーマットマーク等が形成される。
記録層12は、光ビームBか照射されることにより状態
が変化する材料で形成されている。このような相変化型
材料としては、GeTe系、TeSe系、Ge5bSe
系、TeOx系、InSe系、Ge5bTe系等のカル
コゲナイド系アモルファス半導体材料やI nSb系、
GaSb系、In5bTe系等の化合物半導体材料など
を用いることができる。この記録層12は、真空蒸着法
やスパッタリング法等で形成することができる。この記
録層12の膜厚としては、実用上数nl〜数μ■範囲で
あることが好ましい。
が変化する材料で形成されている。このような相変化型
材料としては、GeTe系、TeSe系、Ge5bSe
系、TeOx系、InSe系、Ge5bTe系等のカル
コゲナイド系アモルファス半導体材料やI nSb系、
GaSb系、In5bTe系等の化合物半導体材料など
を用いることができる。この記録層12は、真空蒸着法
やスパッタリング法等で形成することができる。この記
録層12の膜厚としては、実用上数nl〜数μ■範囲で
あることが好ましい。
保護層11.13は、記録層12を挾むように配設され
ており、記録ビームBの照射により記録層12が、飛散
したり、穴がおいてしまうことを防止する役割を有して
いる。また記録のときの記録層の加熱、冷却の熱拡散を
制御する役割もある。
ており、記録ビームBの照射により記録層12が、飛散
したり、穴がおいてしまうことを防止する役割を有して
いる。また記録のときの記録層の加熱、冷却の熱拡散を
制御する役割もある。
この保護層11.13は、SiO2+ S iO+A
p N、AM 203.Z T02 、T102Ta2
03 、ZnS、S i、またはGe等を真空蒸着法や
スパッタリング法などで形成することができる。保護層
11.13の膜厚は実用上数r+m〜数μmあることが
好ましい。
p N、AM 203.Z T02 、T102Ta2
03 、ZnS、S i、またはGe等を真空蒸着法や
スパッタリング法などで形成することができる。保護層
11.13の膜厚は実用上数r+m〜数μmあることが
好ましい。
反射層14は、記録層の光学的変化を光学的にエンハン
スして再生信号を増大させる効果と記録層の冷却効果が
ある。この反射層14は、Au、Al、Cu5Ni−C
r合金等の金属膜を真空蒸着法やスパッタリング法など
で形成することができる。反射層の膜厚は、実用上数n
l1l〜数μWあることが好ましい。
スして再生信号を増大させる効果と記録層の冷却効果が
ある。この反射層14は、Au、Al、Cu5Ni−C
r合金等の金属膜を真空蒸着法やスパッタリング法など
で形成することができる。反射層の膜厚は、実用上数n
l1l〜数μWあることが好ましい。
保護層15は、相変化光ディスクを取り扱う上での、傷
、はこり等を防止するために配設されるものであり、通
常、紫外線硬化樹脂などにより形成される。この保護層
15は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコード法により
反射層14の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化させ
て形成する。
、はこり等を防止するために配設されるものであり、通
常、紫外線硬化樹脂などにより形成される。この保護層
15は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコード法により
反射層14の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化させ
て形成する。
この保護層15の膜厚としては、実用上数um〜数百μ
■範囲であることが好ましい。
■範囲であることが好ましい。
しかして、本発明にあっては、相変化型光ディスクDの
初期化を記録周波数に対応したパルス列Pa、Pbの光
ビームBで行なうので、初期化トラックTは結晶化トラ
ックCと非晶質マークMがら形成される。これは記録ト
ラックの状態と同じである。また記録周波数に対応した
パルス列で初期化を行なうので結晶化トラックCと非晶
質マ−りMの割合も記録トラックの場合に近くなる。
初期化を記録周波数に対応したパルス列Pa、Pbの光
ビームBで行なうので、初期化トラックTは結晶化トラ
ックCと非晶質マークMがら形成される。これは記録ト
ラックの状態と同じである。また記録周波数に対応した
パルス列で初期化を行なうので結晶化トラックCと非晶
質マ−りMの割合も記録トラックの場合に近くなる。
従って、この発明による初期化トラックTに記録を行な
ってもトラックTの平均反射率の変化は少ないので安定
したトラッキング及びフォーカシング動作が得られる。
ってもトラックTの平均反射率の変化は少ないので安定
したトラッキング及びフォーカシング動作が得られる。
なお、本発明は上記一実施例には限らず、要旨を変えな
い範囲で種々変形実施可能であることは勿論である。
い範囲で種々変形実施可能であることは勿論である。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、従来の相変化光デ
ィスクの初期化方法よりも、記録したときのトラッキン
グ及びフォーカシングの動作が安定な初期化方法を提供
することができる。また初期化で非晶質マークを形成す
るので記録膜の記録特性や欠陥などをチエツクすること
も可能であるといった効果を奏する。
ィスクの初期化方法よりも、記録したときのトラッキン
グ及びフォーカシングの動作が安定な初期化方法を提供
することができる。また初期化で非晶質マークを形成す
るので記録膜の記録特性や欠陥などをチエツクすること
も可能であるといった効果を奏する。
第1図は本発明の初期化方法で用いる記録周波数に対応
したパルス列、の光ビームの状態を示す図、第2図はこ
の発明の実施例に係わる相変化光ディスクの初期化方法
の概略を模式的に示す図、第3図はこの発明の適用され
る相変化光デイスク記録媒体の断面図、第4図は従来の
相変化光ディスクの初期化トラックを模式的に示す図で
ある。 10・・・光デイスク基板、11・・・保護層、12・
・・記録層、13・・・保護層、14・・・保護層、1
5・・・保護層、B・・・光ビーム、D・・・先ディス
ク。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 (b) 第1図 第2図 第4図
したパルス列、の光ビームの状態を示す図、第2図はこ
の発明の実施例に係わる相変化光ディスクの初期化方法
の概略を模式的に示す図、第3図はこの発明の適用され
る相変化光デイスク記録媒体の断面図、第4図は従来の
相変化光ディスクの初期化トラックを模式的に示す図で
ある。 10・・・光デイスク基板、11・・・保護層、12・
・・記録層、13・・・保護層、14・・・保護層、1
5・・・保護層、B・・・光ビーム、D・・・先ディス
ク。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 (b) 第1図 第2図 第4図
Claims (2)
- (1)光ビームを照射して照射部分に状態の変化を生じ
させることにより情報を記録する相変化型光ディスクの
初期化方法であって、 記録周波数に対応したパルス列の光ビームで初期化する
ことを特徴とする相変化型の情報記録媒体の初期化方法
。 - (2)前記パルス列がオーバーライト波形であることを
特徴とする請求項1記載の相変化型光ディスクの初期化
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21887290A JPH04102227A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 相変化型光ディスクの初期化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21887290A JPH04102227A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 相変化型光ディスクの初期化方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04102227A true JPH04102227A (ja) | 1992-04-03 |
Family
ID=16726628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21887290A Pending JPH04102227A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 相変化型光ディスクの初期化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04102227A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6256286B1 (en) | 1997-02-21 | 2001-07-03 | Nec Corporation | Method for initiating a phase change recording medium |
US6278674B1 (en) | 1996-12-13 | 2001-08-21 | Nec Corporation | Phase change optical disk initializing apparatus |
WO2006121128A1 (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-16 | Pioneer Corporation | 情報記録媒体、情報記録装置及び方法、記録制御用のコンピュータプログラム |
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1990
- 1990-08-22 JP JP21887290A patent/JPH04102227A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6278674B1 (en) | 1996-12-13 | 2001-08-21 | Nec Corporation | Phase change optical disk initializing apparatus |
US6256286B1 (en) | 1997-02-21 | 2001-07-03 | Nec Corporation | Method for initiating a phase change recording medium |
WO2006121128A1 (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-16 | Pioneer Corporation | 情報記録媒体、情報記録装置及び方法、記録制御用のコンピュータプログラム |
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