JPH10324502A - 超純水の炭酸ガス付加装置及び付加方法 - Google Patents

超純水の炭酸ガス付加装置及び付加方法

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JPH10324502A
JPH10324502A JP9130966A JP13096697A JPH10324502A JP H10324502 A JPH10324502 A JP H10324502A JP 9130966 A JP9130966 A JP 9130966A JP 13096697 A JP13096697 A JP 13096697A JP H10324502 A JPH10324502 A JP H10324502A
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water
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fiber membrane
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Hitoshi Kato
均 加藤
Kazunari Sakai
一成 酒井
Toshio Kanbe
利夫 神戸
Kazumi Oi
和美 大井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 超純水に気体透過膜を介して炭酸ガスを付加
し、比抵抗値の調整された超純水を製造する際、従来は
生成水の比抵抗値を測定しながら供給水または供給ガス
の流量を調整していたが、生成水の消費量に変動がある
場合に、一定範囲の比抵抗値の超純水を安定して供給す
るのが困難で、それを達成するには装置の高機能化を要
し容易でなく、コスト上も問題である。 【解決手段】 小流量の炭酸ガス高濃度付加水(通常は
飽和濃度水)を中空糸膜を介して生成させ、これを一定
比率で大流量の原水と均一混合する。膜モジュールの処
理能力が幅を有するので、大小の流れの流量比を一定に
保つことによって、生成水の消費量変動による総流量変
動が存在しても、それに対して比抵抗値を一定に保つた
めの特別な自動制御装置を必要としない。装置の小型
化、簡略化、運転コストの削減が可能。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に半導体分野や
液晶分野での洗浄用水に用いられる超純水の比抵抗を調
整する装置及び方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体や液晶の製造工程において、超純
水(比抵抗≧18MΩ・cm)を使用してフォトマスク
基板を洗浄する場合に、超純水の比抵抗が高いために静
電気が発生し、そのために絶縁破壊を起こしたり、或い
は微粒子の吸着などが生じることで、基板の製品歩留ま
りに著しく悪影響を及ぼす事が広く知られている。そこ
でこのような悪影響を解消するために、一般的には超純
水流路にマグネシウムのメッシュを装着して超純水の比
抵抗を低下させる方法が知られている。
【0003】又、疎水性の多孔質中空糸膜モジュールを
用いる方法としては、炭酸ガスを飲料水へ溶解する装置
(実開昭57−86623号公報)、超純水の比抵抗調
整装置(特公平5−21841号公報)、超純水の比抵
抗調整方法及び装置(特開平7−60082号公報)が
提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら実開昭5
7−86623号公報や特公平5−21841号公報の
方法ではポリプロピレンなど疎水性の多孔質膜によるモ
ジュール使用するため、炭酸ガスが膜を透過し気泡とな
って水中に存在することとなり、超純水の比抵抗値を安
定且つ均一に調整することが難しくなるばかりか、長時
間の使用に際しても多孔質層細孔部の表面に水蒸気が凝
縮し超純水が漏れるなどの問題点があった。
【0005】更に特公平5−21841号公報の方法で
は処理すべき超純水及び炭酸ガスの少なくとも一方の流
量を制御するため、複雑な制御機構を要した機器が必要
となるばかりか、所定の比抵抗値に調整した超純水が瞬
時に変動がある場合の比抵抗値の追従性に問題点があっ
た。
【0006】又、特開平7−60082号公報では上記
問題を解決するために、均質膜を両側から多孔層で挟み
込んだ三層膜構造を用い更に、炭酸ガス供給前に溶存す
る酸素ガスを脱気するという複雑な比抵抗調整装置及び
方法が問題点となった。
【0007】本発明の目的は、これらの問題点を全て解
決し、制御機構の不要な簡便且つ、コンパクトな超純水
の比抵抗値を調整する装置及び方法を提供するところに
ある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は以下の通
りである。 (1) 超純水の比抵抗を調整するために超純水に炭酸
ガスを供給し、所望の比抵抗値の超純水を製造する装置
において、比抵抗値が目標値より低い値となる様に炭酸
ガスが付加された超純水を生成させる手段と、その炭酸
ガス付加水を超純水原水と均一混合させる手段とからな
る超純水の炭酸ガス付加装置。
【0009】(2) 小流量の炭酸ガス高濃度付加水を
生成させるための中空糸膜モジュールと、大流量の原水
を通過させるバイパス管路と、該膜モジュールとバイパ
ス管路に原水を一定比率で分配する分配装置と、生成し
た炭酸ガス高濃度付加水とバイパス管路を経た原水とを
合流させ均一に混合させる合流装置と、膜モジュールに
供給される炭酸ガスの圧力を一定に保持するための調圧
弁とからなる前記(1)の装置。
【0010】(3)バイパス管路が中空糸膜モジュール
内に設けられた上記(2)の装置。 (4) 中空糸膜モジュールが、中空糸膜外側とハウジ
ングの間の空間部に炭酸ガスを給気し、中空糸膜の内側
に超純水を流す内部潅流型であって、組み込まれた中空
糸膜が複数本収束された状態でハウジング内に配設され
たものである上記(2)又は(3)の装置。
【0011】(5) 中空糸膜モジュールが、中空糸膜
の内側に炭酸ガスを給気し、中空糸膜外側とハウジング
の間の空間部に超純水を流す外部潅流型であって、組み
込まれた中空糸膜が複数本収束された状態でハウジング
内に配設されたものである上記(2)又は(3)の装
置。
【0012】(6) バイパス管路が中空糸膜モジュー
ル内に設けられ、当該バイパス管路が、炭酸ガスを通さ
ない円筒管からなり、複数本の中空糸膜と共に収束され
ハウジング内に配設された、特殊中空糸膜モジュールで
ある上記(4)の装置。
【0013】(7) 中空糸膜モジュールが、炭酸ガス
透過速度が100×10-5[cm3/cm 2・sec・cmHg]以下
であり、気体分離係数(酸素透過速度/窒素透過速度)
が1より大きい疎水性の気体透過膜をハウジング内に組
み込んだものである上記(2)〜(6)のいずれか1つ
の装置。
【0014】(8) 中空糸膜がポリー4メチルペンテ
ンー1を素材とし、その内径が20〜350μm、外径
が50〜1000μmである上記(7)の装置。 (9) 変動する消費量に応じた量の比抵抗値調整済み
超純水を製造するための超純水への炭酸ガス付加方法に
おいて、消費量に応じて供給される超純水原水を、分配
装置によって流量に大小のある2流に一定比率で分流
し、膜を隔てて超純水と炭酸ガスを流すための中空糸モ
ジュールに一方の流れを供給して小流量の炭酸ガス高濃
度付加水を生成させ、その炭酸ガス高濃度付加水を大流
量に分けられた原水と合流させて均一に混合し、所定の
比抵抗値に調整した超純水とする、超純水の炭酸ガス付
加方法。
【0015】(10) 大流量流に分けられた原水を、
中空糸膜モジュール内に設けられたバイパス管路を通じ
て流す上記(9)の超純水の炭酸ガス付加方法。 (11)小流量流の炭酸ガス高濃度付加水の大流量流の
超純水に対する流量の比率が1/50より小である上記
(9)又は(10)の方法。
【0016】(12)炭酸ガス高濃度付加水が炭酸ガス
飽和水である上記(9)、(10)又は(11)の方
法。 (13) 炭酸ガス飽和水の飽和状態を維持するため、
調圧弁により中空糸膜に接する炭酸ガス圧を一定に保持
させ、中空糸膜モジュールに分流して流入する原水の流
量の変動に応じて炭酸ガスの供給量を相対的に変化させ
る上記(12)の方法。
【0017】(14) 炭酸ガス付加水と超純水原水と
を合流させる手段と、その下流側に均一混合手段として
スタティックミキサーを配設させたものである上記
(1)又は(2)の装置。
【0018】(15)生成した比抵抗値調整済み超純水
の導電度を見張るための比抵抗センサーを設け、それと
応動する比抵抗計、比抵抗センサーからの信号で炭酸ガ
スの供給を遮断する電磁弁を備える、異常発生時のガス
遮断装置が付加された上記(2)の装置。
【0019】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の典型的なも
の及び最良の状態は後記の実施例に具体的に示される
が、その概要を示すと以下の通りである。
【0020】図1は本発明に適する装置の一例である。
本発明は複雑な制御機構を持たない、簡便且つコンパク
トな超純水への炭酸ガス付加装置及び付加方法を提案す
るものであり、具体的な方法としては比抵抗を調整する
べき超純水原水を2流に分け、小流量の炭酸ガスが付加
された超純水と大流量の超純水原水を均一混合させる事
により比抵抗調整を行う装置及び方法である。
【0021】この炭酸ガス付加効率を高めるために当該
装置の中に中空糸膜モジュールを配設させ、この膜を介
して炭酸ガスを超純水中へ供給付加させる事を更なる提
案としている。
【0022】中空糸膜モジュールの膜としては、炭酸ガ
スが十分に透過する気体透過膜であれば何ら問題は無
い。しかし本発明を半導体や液晶分野で洗浄用に利用す
る超純水に適用する場合には、それらの製品歩留まりに
大きく影響するための清浄度が求められ、膜からの微粒
子は勿論の事、膜素材からの有機物の溶出、言い換えれ
ば全有機物炭素(TOC)による超純水汚染を如何に減
少せしめるかが重要である。
【0023】よって、溶出を減らすにはそれに起因する
膜素材の選定が必要となる。従って具体的には、シリコ
ーンゴム系ポリマー、ポリジメチルシロキサン、シリコ
ーンとポリカーボネートの共重合体などのシリコーン系
ポリマーによる膜は、超純水への溶出の点から半導体や
液晶分野では使用できない。
【0024】又溶出の問題は少ないものの、製膜方法に
起因して膜構造上、中空糸膜の内外層に連通孔の存在す
る(これを微多孔質膜という)ポリフッ化ビニリデン、
ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素系ポリマー、
ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポ
リエーテルスルフォン、ポリサルフォンなどの高価なエ
ンジニアリングポリマーは、細孔表面に水蒸気が凝縮し
超純水が漏れやすいという問題点がある。
【0025】溶出性や疎水性の点で好ましい膜素材とし
てはポリエチレンやポリプロピレンなどで代表されるポ
リオレフィン系ポリマーである。しかし、上記エンジニ
アリングポリマー同様に微多孔質層を有するため特開平
7−60082号公報の如くに複合化し、多孔層細孔表
面に水蒸気が凝縮しない様、複雑な工夫をしてやらなけ
ればならない。
【0026】これに対して、ポリオレフィンに分類され
ながらもプロピレンの二量化されたポリー4−メチルペ
ンテンー1はほぼテフロンに匹敵する表面張力を有する
くらいに疎水性が高く、又特殊な乾式の溶融紡糸方法に
より製膜された中空糸膜は、膜に連通孔のほとんどな
い、あたかも非多孔層を有する膜構造となるため、本発
明に最も適する気体透過膜となる。
【0027】本発明に於ける気体透過膜性能として、炭
酸ガス透過速度が大き過ぎれば、あたかも微多孔を有す
る状況となるため炭酸ガス供給圧力を一定値に維持する
ことが難しくなる。
【0028】こういった点から炭酸ガス透過速度は50
0×10-5[cm3/cm2・sec・cmHg]より小さければ、上
述の問題点を解決しつつ炭酸ガスを効率良く給気できる
事となるが、膜を隔てて微少量の炭酸ガス圧力をコント
ロールするには、炭酸ガス透過性能が100×10
-5[cm3/cm2・sec・cmHg]以下であれば、一層本発明の
目的に最適である。
【0029】又、ガスの加圧給気を目的とした場合、酸
素透過速度/窒素透過速度で表す気体分離係数について
は、ガスの膜を介しての均等透過を考慮すると十分に小
さい必要はなく、中空糸膜外表面には孔が見られるもの
の内表面との連通孔がほとんど存在しなければ、ガスが
気泡となって超純水中に存在する事はない。この点では
当該気体分離係数は1より大きければ何ら支障はない。
【0030】中空糸膜を配設するハウジングについて
は、上述の超純水への溶出の無い事さえ考慮すれば、何
ら材質は一切問わない。具体的に例示すれば、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリ4−メチルペンテン1など
のポリオレフィン系、ポリフッ化ビニリデン、ポリテト
ラフルオロエチレンなどのフッ素系、ポリエーテルエー
テルケトン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルフ
ォン、ポリサルフォンなどのエンジニアリングプラスチ
ック、或いは低溶出の為超純水の配管素材として使用さ
れている、クリーン塩化ビニル系などが挙げられる。
【0031】中空糸膜モジュール構造としては、中空糸
膜を複数本収束しハウジング内に配設し、中空糸膜外側
とハウジングの間の空間部に炭酸ガスを給気し中空糸膜
の内側に超純水を流す内部潅流型のみならず、それ以外
にも特公平5−21841号公報にある中空糸の外側に
超純水を流し、内側に炭酸ガスを流す外部潅流型も考え
られる。
【0032】外部潅流型の場合には、ハウジング内への
中空糸の充填むらなどの原因による水の偏流(チャンネ
リング)が生じるのを防ぐために、中空糸を、中空糸同
士又は他の糸条とによってシート状、例えば簾状に組織
されたシート状物とし、それから得られる重畳体、捲回
体、収束体の状態でハウジング内に組み込むことが効果
的である。また中空糸を筒状芯に綾巻きするなどした三
次元組織を組み込む等適宜の形状を採ることもできる。
【0033】内潅流、外潅流どちらの型を採るかは、超
純水に炭酸ガスを付加する事により比抵抗値を下げると
いう目的からすればどちらの構造でも構わないが、製造
する炭酸ガス付加水の流量の大幅な変動に追随させねば
ならない場合に、設定比抵抗値への高速応答性・精度や
再現性・安定性などを考慮して超純水へ効率的に均等且
つ均一に炭酸ガスを付加させる必要があり、こういった
点から内部潅流型の中空糸膜モジュールの方が好まし
い。
【0034】中空糸膜モジュールとバイパス管路に分配
する分配装置としては、2流に分流できるものであれば
何ら規定するべきものはなく、簡便的に配管用ティーズ
や分岐バルブなどで超純水を分配し、それらの分配比率
を精密バルブ付き流量計や、規定水量しか流せないよう
なオリフィスによって制御する様にしたもので良い。
【0035】但しその材質面では、超純水への不純物溶
出を考慮する必要があり、フッ素系ポリマーやクリーン
塩化ビニル、超純水対応のオーステナイト系ステンレ
ス、無機ガラスなどを使用しなくてはならない。
【0036】生成した炭酸ガス飽和水とバイパス管路を
経た原水を合流させる合流装置としては2流を合流させ
る流入口があれば何ら規定するべきものはなく、簡便的
には配管用ティーズで良い。
【0037】合流装置の下流側には、合流した2流を均
一に混合させる目的で、スタティックミキサーを配設さ
せればより一層好ましいが、合流装置及びスタティック
ミキサーの材質も超純水への不純物溶出には十分考慮
し、フッ素系ポリマーやクリーン塩化ビニル、超純水対
応のオーステナイト系ステンレス、無機ガラスなどを使
用しなくてはならない。
【0038】炭酸ガス圧力調圧弁については、供給元側
(一時側)のガス中コンタミネーションが中空糸膜に付
着しない様、事前にフィルタレーションを行ってさえお
けば、何ら構造,材質,型式を規定する必要はなく、半
導体や液晶分野で一般的に使用されているもので差し支
えない。
【0039】例示すれば、プレッシャーレギュレーティ
ングバルブ、ベローズプレッシャーバルブ、プレッシャ
ーレギュレータ、バックプレッシャーバルブ等の圧力制
御バルブ(レギュレータ)が挙げられる。
【0040】バイパス管路は、超純水を流す管であって
その管壁が炭酸ガスを透過させない管であれば良く、2
分流された超純水が所定比率で一定に保たれておればそ
の形状は問題とはならない。
【0041】又、必ずしもバイパス管路数は1本に限定
されるものではない。バイパス管路内を超純水が通るこ
とから、その管の材質は、前期同様の観点から、プラス
チック製、樹脂製よりも超純水対応のオーステナイト系
ステンレスや無機ガラスが好ましい。
【0042】本発明を更に説明する。記述の通り、従来
超純水の比抵抗を調整する目的で、中空糸膜を介して超
純水に所定量の炭酸ガスを付加する事は特公平5−21
841などでも提案されてきた。従って、炭酸ガスの超
純水への溶解メカニズム、超純水へ炭酸ガスを直接溶解
させる場合の炭酸ガス濃度と比抵抗値の関係はこれ迄に
各種文献などで公知となっている。
【0043】しかしながら超純水の流量の変動が激しい
場合、それに追随させて所定の比抵抗値に維持、制御さ
せる事は実際には難しい。然るに本発明者らは超純水原
水を2流に分け、比抵抗所定値を与える炭酸ガス濃度よ
り高い濃度で炭酸ガスを付加した超純水を、超純水原水
で希釈し、その一定比率を保持させ均一に混合させる方
法により比抵抗調整できる事を見いだした。
【0044】即ち本発明の重点は、消費量に応じて供給
される超純水原水を、分配装置によって流量に大小のあ
る2流に一定比率で分流し、膜を隔てて超純水と炭酸ガ
スを流すための中空糸膜モジュールに一方の流れを供給
して小流量の炭酸ガス付加水を高い炭酸ガス濃度で生成
させ、その炭酸ガス付加水を大流量に分けられた原水へ
合流させて均一に混合させる方法により、容易に比抵抗
調整超純水を得る事にあるが、更には分流を当該装置内
の配管系で実施するか、バイパス管路を中空糸膜モジュ
ール内に設けて実施するか、いくつかの方法で考えられ
る。
【0045】尚炭酸ガス付加水は、好ましくは所定水温
でそれ以上炭酸ガスが溶解せず又、それ以上の圧力を加
えると気泡を生ずる限界圧力の、いわゆる炭酸ガス飽和
水状態にしてやれば、一層流量変動など外乱に対するロ
バスト性は高まり、比抵抗調整は行いやすくなる。
【0046】炭酸ガス付加水と超純水原水の分流比率は
所望とする比抵抗値により大きく変わり、又比抵抗値を
どの程度の範囲内にコントロールすればよいのかは、超
純水使用対象の半導体或いは液晶分野でのデバイスの種
類や使用する洗浄工程によって大きく変わる。
【0047】一般的な使用目的からすると0.05[M
Ω・cm]以上が望まれ、炭酸ガス飽和水を用いた場
合、この0.05[MΩ・cm]の値は、原水との分流
比率が1/1の場合に得られる。
【0048】近年の半導体や液晶分野でのウエハ洗浄工
程では、比抵抗値0.1[MΩ・cm]以上が特に望ま
れており、この場合小流量側の炭酸ガス飽和水の大流量
側の超純水に対する比率が1/50より小さければ良
い。
【0049】
【実施例】以下に本発明を実施例及び比較例によって更
に具体的に説明をする。 ただし、本発明はこれに限定
され制約されるものではない。
【0050】これらの例において超純水の比抵抗は、市
販の比抵抗測定器(THORNTON社製200CR及
び、COS社製CE−480R)を用いて測定した。原
水としては25[℃]にて18.2[MΩ・cm]の比
抵抗を持つ超純水を用い、超純水の流量は2〜8[リッ
トル/min.]の間で変動させた。その供給水圧は2
[kgf/cm2・G] とした。
【0051】炭酸ガス源には7[m3] の炭酸ガスボン
ベを用意し、二段式圧力調整器及びプレッシャーレギュ
レーティングバルブにて、膜モジュールへ給気すべき炭
酸ガスの圧力を1[kgf/cm2・G]とした。
【0052】実施例1 中空糸膜モジュールとしてはポリー4−メチルペンテン
ー1を素材とし、内径200[μm],外径250[μ
m]の糸を収束させ、クリーン塩化ビニル樹脂製のハウ
ジング内に糸の両端を樹脂で固めることにより、0.5
[m2]の膜面積を持つ内部潅流型のモジュール(大日
本インキ化学工業(株)製SEPAREL PF−00
1)を得た。中空糸膜の炭酸ガス透過速度は3.5×1
-5[cm 3/cm2・sec・cmHg]であり、気体分離係数(酸
素透過速度/窒素透過速度)は1.2である。これは以
下の実施例及び比較例において共通する。
【0053】図1に当該中空糸膜モジュールを組み込ん
だ装置のフローを示す。表1に本装置による比抵抗値変
化の結果を示す。
【0054】実施例2 中空糸膜モジュールとしてはポリー4−メチルペンテン
ー1を素材とし、内径200[μm],外径250[μ
m]の糸を収束させ、クリーン塩化ビニル樹脂製のハウ
ジング内に糸の両端を樹脂で固めるた0.5[m2]の
膜面積を持つ膜部分と、バイパス管路部への供給比率が
50倍となる超純水対応のSUS316製円筒部分とを
組み込んだ内部潅流型のモジュール(大日本インキ化学
工業(株)製SEPAREL PF−001R5)を得
た。
【0055】図2にバイパス管路を付加した内部潅流型
中空糸膜モジュールを示す。このモジュールは、中空糸
膜の膜端開口部にバイパス管路が並んで開口され、これ
によって超純水の分配部及び合流部が構成され、分配装
置、中空糸膜モジュール、バイパス管路及び合流装置等
の全体が一体化されたものとされている。超純水の中空
糸膜及びバイパス管への前記供給比率は、中空糸膜開口
の総面積と、バイパス管の開口面積との比率に反映され
ている。
【0056】表1に本装置による比抵抗値変化の結果を
示す。
【0057】実施例3 中空糸膜モジュールとしてはポリー4−メチルペンテン
ー1を素材とし、内径200[μm],外径250[μ
m]の糸を収束させ、クリーン塩化ビニル樹脂製のハウ
ジング内に糸の両端を樹脂で固めるた0.5[m2]の
膜面積を持つ膜部分と、バイパス管路側への供給比率が
150倍となる超純水対応のSUS316製円筒部分と
を組み込んだ内部潅流型のモジュール(大日本インキ化
学工業(株)製SEPAREL PF−001R15)
を得た。
【0058】表1に本装置による比抵抗値変化の結果を
示す。
【0059】実施例4 中空糸膜モジュールとしてはポリー4−メチルペンテン
ー1を素材とし、内径200[μm],外径250[μ
m]の糸を収束させ、クリーン塩化ビニル樹脂製のハウ
ジング内に糸の両端を樹脂で固めることにより、0.5
[m2]の膜面積を持つ内部潅流型のモジュール(大日
本インキ化学工業(株)製SEPARELPF−00
1)を得た。この膜モジュールへの炭酸ガスと超純水の
流れる側を反対にし、中空糸膜の中に炭酸ガスを又、中
空糸膜の外側に超純水を流すようにし、実施例1と同様
の試験を行ったその結果を表1に示す。
【0060】比較例 比較例として、図1からバイパス管路を取り外し、超純
水原水が2[リットル/min.]時、設定比抵抗値が
0.1[MΩ・cm]となる様に炭酸ガス圧力を調整
し、超純水原水流量を2〜8[リットル/min.]の
間で変動させた。
【0061】その時の比抵抗値変化を表1に示す。次
に、設定比抵抗値を0.2[MΩ・cm]とした場合の
結果も表1に示す。
【0062】
【表1】
【0063】
【発明の効果】本発明では、消費量に応じて供給される
超純水原水を、分配装置によって流量に大小のある2流
に一定比率で分流し、中空糸モジュールに一方の流れを
供給して小流量の炭酸ガス付加水を生成させ、その炭酸
ガス付加水を大流量に分けられていた原水へ合流させて
均一に混合させる事により、容易に比抵抗調整が可能と
なる。
【0064】当該装置の下流側のウエットプロセス洗浄
機で使用の際には、超純水使用量が瞬時に変動しても、
何ら制御機器を用いる事なく容易且つ安定して、所望の
比抵抗値を有する超純水を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による、比抵抗調整を目的とした超純水
の炭酸ガス付加装置の一例を示す模式図である。
【図2】本発明による、バイパス管路7を中空糸膜5と
共に収束、配設させた内部潅流型中空糸膜モジュールの
縦断面図である。
【符号の説明】 PI 炭酸ガス圧力計 FI1 超純水小流量側の、炭酸ガス付加水流量計 FI2 超純水大流量側のバイパス流量計 1 炭酸ガス給気用の中空糸膜モジュール 2 超純水小流量側の炭酸ガス付加水流路 3 超純水大流量側のバイパス管路 4 一定供給圧に調整された炭酸ガス給気口 5 分配装置 6 合流装置 7 超純水原水入口 8 炭酸ガス付加処理水出口 9 中空糸膜モジュール内に配設されたバイパス
管路 10 中空糸膜 11 中空糸膜モジュール用エンドキャップ 12 炭酸ガス給気口 13 中空糸膜とモジュールハウジングの接着封止
部 14 調圧弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI B01F 3/04 B01F 3/04 A

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 超純水の比抵抗を調整するために超純水
    に炭酸ガスを供給し、所望の比抵抗値の超純水を製造す
    る装置において、比抵抗値が目標値より低い値となる様
    に炭酸ガスが付加された超純水を生成させる手段と、そ
    の炭酸ガス付加水を超純水原水と均一混合させる手段と
    からなる超純水の炭酸ガス付加装置。
  2. 【請求項2】 小流量の炭酸ガス高濃度付加水を生成さ
    せるための中空糸膜モジュールと、大流量の原水を通過
    させるバイパス管路と、該膜モジュールとバイパス管路
    に原水を一定比率で分配する分配装置と、生成した炭酸
    ガス高濃度付加水とバイパス管路を経た原水とを合流さ
    せ均一に混合させる合流装置と、膜モジュールに供給さ
    れる炭酸ガスの圧力を一定に保持するための調圧弁とか
    らなる請求項1記載の装置。
  3. 【請求項3】 バイパス管路が中空糸膜モジュール内に
    設けられた請求項2記載の装置。
  4. 【請求項4】 中空糸膜モジュールが、中空糸膜外側と
    ハウジングの間の空間部に炭酸ガスを給気し、中空糸膜
    の内側に超純水を流す内部潅流型であって、組み込まれ
    た中空糸膜が複数本収束された状態でハウジング内に配
    設されたものである請求項2又は3記載の装置。
  5. 【請求項5】 中空糸膜モジュールが、中空糸膜の内側
    に炭酸ガスを給気し、中空糸膜外側とハウジングの間の
    空間部に超純水を流す外部潅流型であって、組み込まれ
    た中空糸膜が複数本収束された状態でハウジング内に配
    設されたものである請求項2又は3記載の装置。
  6. 【請求項6】 バイパス管路が中空糸膜モジュール内に
    設けられ、当該バイパス管路が、炭酸ガスを通さない円
    筒管からなり、複数本の中空糸膜と共に収束されハウジ
    ング内に配設された、特殊中空糸膜モジュールである請
    求項4記載の装置。
  7. 【請求項7】 中空糸膜モジュールが、炭酸ガス透過速
    度が100×10-5[cm3/cm2・sec・cmHg]以下であ
    り、気体分離係数(酸素透過速度/窒素透過速度)が1
    より大きい疎水性の気体透過膜をハウジング内に組み込
    んだものである請求項2〜6のいずれか1つに記載の装
    置。
  8. 【請求項8】 中空糸膜がポリー4メチルペンテンー1
    を素材とし、その内径が20〜350μm、外径が50
    〜1000μmである請求項7記載の装置。
  9. 【請求項9】 変動する消費量に応じた量の比抵抗値調
    整済み超純水を製造するための超純水への炭酸ガス付加
    方法において、消費量に応じて供給される超純水原水
    を、分配装置によって流量に大小のある2流に一定比率
    で分流し、膜を隔てて超純水と炭酸ガスを流すための中
    空糸モジュールに一方の流れを供給して小流量の炭酸ガ
    ス高濃度付加水を生成させ、その炭酸ガス高濃度付加水
    を大流量に分けられた原水と合流させて均一に混合し、
    所定の比抵抗値に調整した超純水とする、超純水の炭酸
    ガス付加方法。
  10. 【請求項10】 大流量流に分けられた原水を、中空糸
    膜モジュール内に設けられたバイパス管路を通じて流す
    請求項9記載の超純水の炭酸ガス付加方法。
  11. 【請求項11】小流量流の炭酸ガス高濃度付加水の大流
    量流の超純水に対する流量の比率が1/50より小であ
    る請求項9又は10記載の方法。
  12. 【請求項12】炭酸ガス高濃度付加水が炭酸ガス飽和水
    である請求項9、10又は11記載の方法。
  13. 【請求項13】 炭酸ガス飽和水の飽和状態を維持する
    ため、調圧弁により中空糸膜に接する炭酸ガス圧を一定
    に保持させ、中空糸膜モジュールに分流して流入する原
    水の流量の変動に応じて炭酸ガスの供給量を相対的に変
    化させる請求項12記載の方法。
  14. 【請求項14】 炭酸ガス付加水と超純水原水とを合流
    させる手段と、その下流側に均一混合手段としてスタテ
    ィックミキサーを配設させたものである請求項1又は2
    記載の装置。
  15. 【請求項15】生成した比抵抗値調整済み超純水の導電
    度を見張るための比抵抗センサーを設け、それと応動す
    る比抵抗計、比抵抗センサーからの信号で炭酸ガスの供
    給を遮断する電磁弁を備える、異常発生時のガス遮断装
    置が付加された請求項2記載の装置。
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