JPH10303170A

JPH10303170A - 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Info

Publication number: JPH10303170A
Application number: JP11286397A
Authority: JP
Inventors: Kaoru Niihara; 薫新原
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1997-04-30
Filing date: 1997-04-30
Publication date: 1998-11-13

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の表面の洗浄を良好に行うことができる基
板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。【解決手段】水中ローダ３１のカセット３３から、ロー
ダ搬送ロボット４１によって、未洗浄のウエハが１枚ず
つ順次取り出され、両面ブラシ洗浄部５０に搬入され
る。両面ブラシ洗浄部５０によるブラシ洗浄によって、
表面および裏面に付着した大粒子径の付着物が除去され
たウエハは、表面ブラシ洗浄部６０に搬入される。この
表面ブラシ洗浄部６０は、粒子径の小さな付着物を精密
に除去する。その後、ウエハは、水洗・乾燥処理部７０
に搬入されて、水洗処理および乾燥処理を受ける。こう
して一連の処理を経たウエハは、アンローダ搬送ロボッ
ト４２によって、アンローダ３２のカセット３７に収容
される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ用ガラス基板など
の各種被処理基板に対して洗浄処理を施すための基板洗
浄装置および基板洗浄方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、半導
体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面に形
成された膜の表面を研磨剤（スラリー）を用いて化学的
および物理的に研磨するＣＭＰ処理が行われる場合があ
る。このＣＭＰ処理後のウエハの表面には、スラリーが
残留しているから、その後の半導体製造工程を良好に行
うためには、ウエハの表面からスラリーを除去するため
の洗浄工程が必須である。

【０００３】ＣＭＰ処理後のウエハを洗浄するための洗
浄装置の構成例は、たとえば特開平６−３２６０６７号
公報に記載されている。この公開公報に記載された洗浄
装置は、洗浄処理前のウエハを水中に浸漬しておき、処
理時にウエハを１枚ずつ取り出すように構成された水中
ローダと、この水中ローダから供給されるウエハの裏面
を洗浄する裏面洗浄部と、裏面洗浄後のウエハの表面を
洗浄する表面洗浄部と、表面洗浄処理後のウエハを高速
回転させることにより水切り乾燥させるスピン乾燥部
と、スピン乾燥部による処理後のウエハをカセットに収
容するためのアンローダ部とを備えている。水中ローダ
からアンローダ部に至る各処理部は、一直線に配列され
ており、装置の一端から未洗浄のウエハを搬入し、装置
の他端から洗浄処理済みのウエハを搬出する構成となっ
ている。

【０００４】裏面洗浄部は、ウエハを端面において水平
に保持し、かつ、水平面に沿ってウエハを揺動させるこ
とができる一対のハンドと、ウエハの裏面をスクラブ洗
浄する裏面ブラシと、ウエハの裏面に向けて洗浄用の薬
液を吐出する薬液ノズルとを有している。この裏面ブラ
シの回転とハンドによるウエハの揺動との組み合わせに
よって、ウエハの裏面のほぼ全域を洗浄することができ
る。

【０００５】表面洗浄部は、ウエハの端面に当接する複
数の保持ピンを有するスピンチャック機構と、このスピ
ンチャック機構によって保持されて回転されるウエハの
表面をスクラブ洗浄するスキャンブラシと、ウエハの表
面および裏面に薬液や純水を供給するノズルとを備えて
いる。スキャンブラシは、小径のディスクブラシと、こ
のディスクブラシをウエハの半径方向に沿って揺動させ
る揺動アームとを有している。この構成により、ディス
クブラシは、ウエハの中心から周縁部に向かって移動す
る過程で、ウエハと接触した状態で自転する。このディ
スクブラシによるウエハ半径方向へのスキャンと、スピ
ンチャックによるウエハの回転との組み合わせによっ
て、ウエハの表面のほぼ全域がディスクブラシによるス
クラブ洗浄を受けることになる。

【０００６】スピン乾燥部は、ウエハを水平に保持した
状態で回転させることができるスピンチャックと、下方
からウエハの裏面に向けて純水を供給する純水ノズルと
を有している。この構成により、ウエハの裏面をリンス
し、その後に、ウエハの表面および裏面の水分を遠心力
によって振り切り、ウエハを乾燥させることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記の洗浄装置におい
ては、半導体素子が形成されるべきウエハの表面の洗浄
は、専ら、表面洗浄部におけるスキャンブラシによって
行われるのみである。そのため、ウエハの表面の不要物
を必ずしも十分に除去できない場合があった。また、裏
面洗浄部におけるウエハの保持は、一対の保持ハンドに
よって行われるが、この保持ハンドとウエハとの当接位
置は、裏面洗浄部における洗浄処理期間中終始一定であ
る。したがって、その当接位置の近傍では、ハンドとウ
エハとの間にまでブラシを入り込ませることができず、
その部分の不要物の除去が不十分になりやすいという問
題もあった。

【０００８】さらには、スピン乾燥部における乾燥処理
時間が長く、しかも、長時間の乾燥処理のためにウォー
ターマークが発生する場合もあった。そこで、本発明の
目的は、上述の技術的課題を解決し、基板の表面の洗浄
を良好に行うことができる基板洗浄装置および基板洗浄
方法を提供することである。本発明の他の目的は、基板
の全面を隈無く良好に洗浄することができる基板洗浄装
置および基板洗浄方法を提供することである。

【０００９】本発明のさらに他の目的は、乾燥処理時間
を短縮できる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供す
ることである。本発明のさらなる目的は、乾燥処理を良
好に行うことができる基板洗浄装置および基板洗浄方法
を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板を保
持する第１基板保持手段と、この第１基板保持手段に保
持された基板の表面および裏面を洗浄する両面洗浄手段
とを有する両面洗浄部と、基板を保持する第２基板保持
手段と、上記両面洗浄手段によって洗浄された後にこの
第２基板保持手段に保持された基板の表面を洗浄する表
面洗浄手段とを有する表面洗浄部と、基板を保持する第
３基板保持手段と、上記表面洗浄手段によって洗浄され
た後にこの第３基板保持手段に保持された基板を乾燥さ
せる基板乾燥手段を有する乾燥部とを含む処理部群を備
えていることを特徴とする基板洗浄装置である。

【００１１】上記の構成によれば、両面洗浄手段によっ
て基板の両面の付着物のうち粒子径の大きなものを除去
し、その後に、表面洗浄手段によって基板表面（処理
面）に残留している粒子径の小さな付着物を精密に除去
することができる。そして、その後に、基板を乾燥させ
ることができる。これにより、基板表面の付着物を効率
的に除去することができるから、高品質な基板を提供で
きる。

【００１２】請求項２記載の発明は、上記第１基板保持
手段は、基板の端面に当接して基板を保持しつつ回転す
ることができ、回転駆動源によって駆動される駆動ロー
ラを少なくとも１つ含む複数の保持ローラを含むもので
あり、上記両面洗浄手段は、上記第１基板保持手段に保
持された基板の表面および裏面に第１洗浄液を供給する
第１洗浄液供給機構と、上記保持ローラにより回転され
る基板の両面をスクラブして洗浄する両面スクラブ洗浄
機構とを含むものであることを特徴する請求項１記載の
基板洗浄装置である。

【００１３】この構成によれば、保持ローラが回転され
ることによって、基板を回転させることができる。そこ
で、基板に第１洗浄液を供給しつつ、基板の両面をスク
ラブすれば、基板の両面の全域を周縁部に至る領域まで
隈無く洗浄できるので、基板両面の付着物を効率よく除
去することができる。これにより、さらに高品質な基板
を提供することが可能となる。

【００１４】なお、保持ローラは、少なくとも１つが駆
動ローラであれば、残りの保持ローラが基板の回転に従
動して回転される従動ローラであってもよい。また、す
べての保持ローラが駆動ローラであってもよい。また、
両面スクラブ洗浄機構は、基板の面に平行な軸線まわり
に回動して基板の面に接触するロールブラシを有するも
のであってもよく、また、基板の面に垂直な軸線まわり
に回動しつつ基板の面に接触するディスクブラシを有す
るものであってもよい。

【００１５】請求項３記載の発明は、上記第２基板保持
手段は、基板を保持して回転するスピンチャックを含
み、上記表面洗浄手段は、上記第２基板保持手段に保持
された基板の表面に第２洗浄液を供給する第２洗浄液供
給機構と、基板の表面に対してほぼ垂直な方向に沿った
回転軸を有する表面スクラブ洗浄機構とを含むことを特
徴とする請求項１または２記載の基板洗浄装置である。

【００１６】この構成によれば、スピンチャックが回転
して基板を高速に回転させ、その一方で、基板の表面を
ディスク状のブラシでスクラブできる。これにより、基
板の表面を隈無く洗浄できるうえ、ロールブラシを使用
する場合に比較して、ブラシを何度も繰り返し基板の表
面にこすりつけることができるので、基板の表面を精密
に洗浄することができる。

【００１７】請求項４記載の発明は、上記表面洗浄手段
は、上記第２基板保持手段に保持された基板の表面に、
超音波が付与された純水を供給する超音波洗浄機構を含
むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載
の基板洗浄装置である。この構成によれば、基板の全域
を周縁部に至るまで、超音波洗浄することができるの
で、基板の表面の全域において、粒子径の微少な付着物
を精密に除去できる。これにより、さらに高品質な基板
を提供できる。

【００１８】請求項５記載の発明は、上記第３基板保持
手段は、基板を保持して回転するスピンチャックを含
み、上記基板乾燥手段は、このスピンチャックによって
回転される基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給
機構を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれ
かに記載の基板洗浄装置である。この構成によれば、基
板に不活性ガスを供給しつつ基板を回転させることによ
って、効率よく、かつ、迅速に基板全体を乾燥させるこ
とができる。したがって、短時間で、高品質な基板を提
供できる。

【００１９】また、基板の周囲の雰囲気を不活性ガス雰
囲気にすることにより、ウォーターマークの発生を防止
できるので、基板処理のさらなる高品質化を図ることが
できる。請求項６記載の発明は、基板を複数枚収容可能
なロードカセットが載置され、このロードカセットに収
容された基板に対して純水を供給する純水供給手段を有
するローダ部と、上記カセットに収容された基板を取り
出して保持し、上記両面洗浄部へ受け渡すロード基板搬
送手段と、このロード基板搬送手段によって保持された
基板に対して純水を吐出する純水吐出手段とをさらに備
えていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか
に記載の基板洗浄装置である。

【００２０】この構成によれば、ローダ部においては、
基板を湿らせた状態で収容しておくことができ、しか
も、ロード基板搬送手段によって保持された基板にも純
水が供給されるので、基板を湿らせた状態で両面洗浄部
まで搬送できる。これにより、基板の付着物が乾燥して
固化することなく洗浄工程を開始させることができるか
ら、基板上の付着物をさらに効果的に除去できる。その
結果、さらに高品質な基板を提供できる。

【００２１】なお、上記のようなローダは、基板を水中
に浸漬させて待機させておき、必要に応じて水上に処理
対象の基板を浮上させる水中ローダであってもよい。ま
た、上記ローダは、処理前の基板をシャワー槽内に保持
し、この保持された基板に純水をスプレーする構成のシ
ャワーローダであってもよい。請求項７記載の発明は、
上記乾燥部で乾燥された基板を複数枚収容可能なアンロ
ーダカセットが載置されたアンローダ部と、上記乾燥部
から基板を取り出して保持し、当該基板を上記アンロー
ドカセットへ収容するアンロード基板搬送手段とをさら
に備えていることを特徴とする請求項６に記載の基板洗
浄装置である。

【００２２】この構成によれば、洗浄処理前の基板と洗
浄処理後の基板とでは、基板が収容されるカセット、お
よび基板搬送手段にそれぞれ別のものが用いられるの
で、洗浄処理後の基板が再汚染されることがない。した
がって、高品質な基板を得ることができる。請求項８記
載の発明は、上記処理部群は、基板に対して化学的およ
び物理的に研磨処理を施すＣＭＰ処理装置で研磨処理さ
れた基板に対して洗浄処理を施すものであることを特徴
とする請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装
置である。

【００２３】この発明では、基板の表面を２回にわたっ
て洗浄する構成を採用しているので、ＣＭＰ処理装置に
おける研磨処理に用いられる研磨剤（スラリー）を基板
の表面から効果的に除去することができ、高品質な基板
を提供することができる。請求項９記載の発明は、第１
表面洗浄手段により基板の表面を洗浄する第１表面洗浄
工程と、上記第１表面洗浄手段とは別の第２表面洗浄手
段により、上記第１表面洗浄工程で洗浄された基板の表
面を洗浄する第２表面洗浄工程とを含むことを特徴とす
る基板洗浄方法である。

【００２４】この構成によれば、精密な洗浄が必要とさ
れる基板の表面に対しては、少なくとも２つの表面洗浄
工程による洗浄処理が施される。そのため、基板表面の
付着物の種類および状態等に応じた最適な洗浄方法でそ
れぞれの付着物が除去される。これにより、基板の表面
を精密に洗浄した高品質な基板を提供できる。請求項１
０記載の発明は、上記第２表面洗浄工程が行われるまで
に、裏面洗浄手段により基板の裏面を洗浄する裏面洗浄
工程をさらに含むことを特徴とする請求項９記載の基板
洗浄方法である。

【００２５】基板の裏面については、表面ほど精密な洗
浄は不要である。そこで、少なくとも１ステップの洗浄
工程で十分であり、また、第２表面洗浄工程に至るまで
に、裏面を洗浄しておけば、その後に基板の裏面に当接
して基板を保持し、その状態で基板を高速回転させるス
ピンチャックを用いることができる。これにより、第２
表面洗浄工程における洗浄効果を一層高めることができ
る。

【００２６】請求項１１記載の発明は、基板の表面およ
び裏面を洗浄する両面洗浄工程と、この両面洗浄工程に
よって洗浄された基板の表面を洗浄する表面洗浄工程
と、この表面洗浄工程によって洗浄された基板を乾燥さ
せる乾燥工程とを含むことを特徴とする基板洗浄方法で
ある。この方法により、請求項１記載の発明と同様な効
果が得られる。

【００２７】請求項１２記載の発明は、上記両面洗浄工
程は、基板の端面に当接して保持する保持ローラが回転
することにより基板を回転させつつ、基板の表面および
裏面に第１洗浄液を供給しつつスクラブして洗浄する両
面スクラブ洗浄工程を含むことを特徴とする請求項１１
記載の基板洗浄方法である。この方法により、請求項２
記載の発明と同様な効果が得られる。

【００２８】請求項１３記載の発明は、上記表面洗浄工
程は、基板を保持するスピンチャックが回転することに
より基板を回転させつつ、基板の表面に第２洗浄液を供
給しつつスクラブ洗浄する表面スクラブ洗浄工程を含む
ことを特徴とする請求項１１または１２記載の基板洗浄
方法である。この方法により、請求項３記載の発明と同
様な効果が得られる。

【００２９】請求項１４の記載の発明は、上記表面洗浄
工程は、基板の表面に超音波が付与された純水を供給し
て洗浄する超音波洗浄工程を含むことを特徴とする請求
項１１ないし１３のいずれかに記載の基板洗浄方法であ
る。この方法により、請求項４記載の発明と同様な効果
が得られる。請求項１５記載の発明は、上記乾燥工程
は、基板を保持するスピンチャックが回転することによ
り基板を回転させつつ、基板に不活性ガスを供給して乾
燥させるスピン乾燥工程を含むことを特徴とする請求項
１１ないし１４のいずれかに記載の基板洗浄方法であ
る。

【００３０】この方法により、請求項５記載の発明と同
様な効果が得られる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施形態を、
添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この発明
の一実施形態に係る基板洗浄装置２０の設置状態を示す
簡略化した斜視図である。この装置２０は、主として、
ウエハ表面を研磨剤（スラリー）を用いて化学的および
物理的に研磨するＣＭＰ（Chemical Mechanical Polish
ing ）処理の後にウエハに付着しているスラリーを除去
するための洗浄装置である。

【００３２】この洗浄装置２０は、隔壁１によって仕切
られた一対の空間１１，１２の境界部に配置されてい
る。すなわち、装置２０の主要部は空間１１側に配置さ
れており、隔壁１に形成された矩形の開口２において、
洗浄装置の前面２１が空間１２に露出している。空間１
１は、空間１２よりも清浄度が低い空間であり、ウエハ
に対して、ＣＭＰ処理およびその後の洗浄処理をはじめ
とする各種の処理を施すための処理空間である。空間１
２は、主として、洗浄処理後のウエハを搬送したりする
ための清浄空間である。

【００３３】洗浄装置２０は、大略的に直方体形状の外
形を有しており、清浄空間１２に臨む前面２１には、未
洗浄のウエハを導入するためのウエハ導入口２２と、洗
浄処理済みのウエハを搬出するためのウエハ搬出口２３
とが形成されている。ウエハ導入口２２に関連して、こ
のウエハ導入口２２を開閉するための一対のドア２２
ａ，２２ｂが備えられている。また、ウエハ搬出口２３
に関連して、このウエハ搬出口２３を開閉するためのド
ア２４が取り付けられている。ウエハ導入口２２の上方
には、洗浄装置２０に動作指令を与えるための入力装置
と、警報メッセージなどを表示するための表示装置とを
備えた操作パネル２５が配置されている。

【００３４】ウエハ搬入口２２とウエハ搬出口２３とは
左右に隣り合って形成されており、また、操作パネル２
５はウエハ搬入口２２の上方に隣接して配置されてい
る。したがって、清浄空間１２においては、前面２１の
付近の小面積の領域を確保しておけば、ウエハの搬入お
よび搬出ならびに洗浄装置２０の操作を行える。洗浄装
置２０において、処理空間１１内に位置する側壁１６の
所定位置には、処理空間１１内において、ＣＭＰ処理装
置（図示せず）とインライン接続するための接続用開口
２７が形成されている。

【００３５】図２は、洗浄装置２０の内部の全体の構成
を簡略化して示す平面図である。洗浄装置２０の前面２
１のウエハ導入口２２の背後に相当する位置には、処理
前のウエハが複数枚収容されるカセット３３（ロードカ
セットに対応）を水槽３４に貯留された水中に浸漬させ
ておくことができる水中ローダ３１（ローダ部に対応）
が備えられており、同じく前面２１のウエハ搬出口２３
の背後に相当する位置には、洗浄処理済みのウエハが収
容されるカセット３７（アンロードカセットに対応）が
載置されるアンローダ３２（アンローダ部に対応）が備
えられている。

【００３６】洗浄処理装置２０によって処理されるウエ
ハは、水中ローダ３１からアンローダ３２に至る平面視
においてＵ字状の経路４０を通って搬送され、その過程
で、洗浄処理および乾燥処理が行われるようになってい
る。すなわち、この経路４０に沿って、水中ローダ３１
側から順に、両面ブラシ洗浄部５０（両面洗浄部および
第１表面洗浄手段に対応）、表面ブラシ洗浄部６０（表
面洗浄部および第２表面洗浄手段に対応）、水洗・乾燥
処理部７０（乾燥部に対応）が配置されている。

【００３７】さらに、経路４０上には、水中ローダ３１
と両面ブラシ洗浄部５０との間に、ローダ搬送ロボット
４１（ロード基板搬送手段に対応）が配置され、両面ブ
ラシ洗浄部５０と表面ブラシ洗浄部６０との間に、第１
中間搬送ロボット８１が配置され、表面ブラシ洗浄部６
０と水洗・乾燥処理部７０との間に、第２中間搬送ロボ
ット８２が配置され、水洗・乾燥処理部７０とアンロー
ダ３２との間に、アンローダ搬送ロボット４２（アンロ
ード基板搬送手段に対応）が配置されている。すなわ
ち、これらの搬送ロボット４１，８１，８２，４２によ
って、水中ローダ３１からアンローダ３２に至る処理部
間でのウエハの移送が行われることにより、ウエハはＵ
字状の経路４０を搬送されつつ、両面ブラシ洗浄、表面
洗浄および水洗・乾燥処理などの処理を受けて、アンロ
ーダ３２に配置されたカセット３７に収容される。

【００３８】水中ローダ３１は、ウエハをカセット３３
に収容した状態で純水中に浸漬しておくための水槽３４
（純水供給手段に対応）と、カセット３３が載置される
ステージ３５と、このステージ３５を昇降するための昇
降機構３６とを有している。これにより、洗浄処理のた
めにウエハを取り出すときにのみ、ステージ３５を必要
な高さまで上昇させ、処理対象のウエハを水面上に浮上
させることができる。

【００３９】一方、アンローダ３２は、カセット３７が
載置されるカセット載置部３８と、このカセット載置部
３８に載置されたカセット３７内の各ウエハ収容棚にお
けるウエハの有無を検知するための光学式のセンサ３９
とを有している。カセット３７内には、上下方向に複数
段のウエハ収容棚が配列されており、各ウエハ収容棚に
は各１枚のウエハを収容することができる。センサ３９
は、たとえば、発光素子と受光素子との対からなり、こ
の発光素子−受光素子対を上下動させることにより、各
ウエハ収容棚におけるウエハの有無を検知する構成とな
っている。

【００４０】水中ローダ３１に隣接して配置されたロー
ダ搬送ロボット４１は、水中ローダ３１において水上に
浮上させられた１枚のウエハを受け取り、両面ブラシ洗
浄部５０に受け渡す。このローダ搬送ロボット４１は、
水平面に沿って回動自在な下アームＬＡと、この下アー
ムＬＡの先端において水平面に沿う回動が自在であるよ
うに設けられた上アームＵＡとを有するスカラー式ロボ
ットによって構成されている。すなわち、下アームＬＡ
が回動すると、上アームＵＡは、下アームＬＡの回動方
向とは反対方向に、下アームＬＡの回動角度の２倍の角
度だけ回動するように構成されている。これにより、下
アームＬＡと上アームＵＡとは、両アームが上下に重な
りあった収縮状態と、両アームが経路４０に沿って、水
中ローダ３１側または両面ブラシ洗浄部５０に向かって
展開された伸長状態とをとることができる。その結果、
収縮状態において下アームＬＡの回動中心のほぼ上方に
位置する上アームＵＡの先端は、経路４０に沿って直線
移動することができる。

【００４１】上アームＵＡの基端部寄りの位置には、ウ
エハの外周縁に沿う円弧形状のガイド面を有するガイド
部材Ｇが取り付けられている。一方、上アームＵＡの先
端には、ウエハの下面を真空吸着して保持するための吸
着孔Ｈが形成されている。したがって、ローダ搬送ロボ
ット４１は、水中ローダ３１から受け取ったウエハの下
面を真空吸着して保持し、そのウエハを両面ブラシ洗浄
部５０に向けて直線搬送することができる。

【００４２】ウエハの搬送中におけるウエハの表面およ
び裏面の乾燥を防止するために、ローダ搬送ロボット４
１に関連して、このローダ搬送ロボット４１によって保
持されて搬送されている途中のウエハの上面に純水を吐
出するための純水吐出手段としてのスプレーノズルＳＮ
が配置されている。第１中間搬送ロボット８１および第
２中間ロボット８２は、ローダ搬送ロボット４１と同様
に構成されているので、これらのロボット８１，８２の
各部には、ローダ搬送ロボット４１の対応部分の参照符
号を付して表すこととし、説明を省略する。搬送中のウ
エハの乾燥を防止するためにスプレーノズルＳＮが第１
および第２中間搬送ロボット８１，８２に関連して設け
られている点も、ローダ搬送ロボット４１の場合と同様
である。

【００４３】アンローダ搬送ロボット４２は、上下一対
のアーム４３，４４で構成されたスカラー式ロボット
と、このスカラー式ロボットを経路４０に沿って往復直
線移動させるための直線搬送機構（図示せず）と、さら
に、スカラー式ロボットを昇降させるための昇降機構
（図示せず）とを組み合わせて構成されている。すなわ
ち、スカラー式ロボットの下アーム４４は、水平面に沿
って回動自在とされており、上アーム４３は、下アーム
４４の先端において、水平面に沿う回動が自在であるよ
うに取り付けられている。そして、下アーム４４が回動
すると、上アーム４３は、下アーム４４の回動方向とは
反対方向に、下アーム４４の回動角度の２倍だけ回動す
るように構成されている。このスカラー式ロボット全体
が、上記昇降機構に保持されており、この昇降機構が、
上記直線搬送機構のキャリッジ（図示せず）に支持され
ている。直線搬送機構は、たとえば、ボールねじ機構で
あってもよい。

【００４４】上アーム４３は、板状のビームで構成され
ており、その先端部および基端部には、それぞれ、ウエ
ハの周縁に沿う円弧形状に形成されたガイド面４６ａ，
４７ａを有するガイド部材４６，４７が設けられてい
る。ガイド面４６ａ，４７ａは、ウエハの下面の周縁部
のみに接触するウエハ保持面と、このウエハ保持面から
立ち上がり、ウエハ保持面に向けてウエハを案内するた
めに上方に向かうに従って外側に拡開した形状のテーパ
ー面（逆円錐面）とを有している。この構成により、上
アーム４３は、洗浄処理後のウエハの裏面の中央付近に
接触することなくウエハを保持することができる。

【００４５】水洗・乾燥処理部７０での処理が終了した
ウエハを搬出する際には、上アーム４３および下アーム
４４からなるスカラー式ロボットを参照符号４２Ａで示
す状態に展開した後、上記直線搬送機構によって、さら
に、上アーム４３および下アーム４４を水洗・乾燥処理
部７０に向かって直線移動させ、上記昇降機構によっ
て、上昇させる。これにより、上アーム４３が水洗・乾
燥処理部７０に入り込み、処理後のウエハを受け取るこ
とができる。

【００４６】その後、上記直線搬送機構は、上記スカラ
ー式ロボットを原点（水洗・乾燥処理部７０とアンロー
ダ３２との間のほぼ中間位置）にまで直線移動させる。
その後、スカラー式ロボットは、上アーム４３および下
アーム４４を、収縮状態を経て、反対側に伸長させ、参
照符号４２Ｂで示すように、アンローダ３２に向けて展
開させる。この状態から、上記直線搬送機構が上記スカ
ラー式ロボットをアンローダ３２に載置されたカセット
３７に向かって移動させ、上記昇降機構によって、下降
させることにより、このカセット３７内に洗浄処理後の
ウエハが収容される。

【００４７】カセット３７内に多段に設けられた任意の
ウエハ収容棚にウエハを収容することができるように、
上記昇降機構がスカラー式ロボットを昇降させる。その
際、ウエハの収容位置は、センサ３９の出力に基づいて
決定される。ウエハは、たとえば、カセット３７の上の
ウエハ収容棚から順に収容されてもよいし、下のウエハ
収容棚から順に収容されてもよい。ただし、上アーム４
３などからのパーティクルの落下の可能性を考慮すれ
ば、上のウエハ収容棚から順に洗浄済みのウエハを収容
するのが好ましい。

【００４８】図３は、両面ブラシ洗浄部５０の構成を簡
略化して示す斜視図である。両面ブラシ洗浄部５０は、
ローダ搬送ロボット４１によって搬入されたウエハＷを
水平に保持し、かつ、水平面内で回転させるための複数
本（この実施例では６本）の保持ローラ５１ａ，５１
ｂ，５１ｃ；５２ａ，５２ｂ，５２ｃを有しており、こ
れらは、すべて駆動力が与えられる駆動ローラであっ
て、第１基板保持手段に相当している。保持ローラ５１
ａ，５１ｂ，５１ｃ；５２ａ，５２ｂ，５２ｃによって
水平に保持されたウエハＷを上下から挟むように、上デ
ィスクブラシ５３Ｕおよび下ディスクブラシ５３Ｌが設
けられており、これらは、ウエハＷの両面をスクラブ洗
浄する両面スクラブ洗浄機構５３を構成している。

【００４９】６本の保持ローラのうちの３本の保持ロー
ラ５１ａ，５１ｂ，５１ｃの組と、残る３本の保持ロー
ラ５２ａ，５２ｂ，５２ｃの組とは、ウエハＷを挟んで
ほぼ対向して配置されている。各保持ローラ５１ａ，５
１ｂ，５１ｃ；５２ａ，５２ｂ，５２ｃは、鉛直方向に
沿って立設されており、かつ、それぞれウエハＷの端面
に当接している。

【００５０】一方の組を構成する３本の保持ローラ５１
ａ，５１ｂ，５１ｃのうちの中央の保持ローラ５１ｂに
は、モータＭ１からの回転力がベルトＢ１を介して伝達
されている。そして、保持ローラ５１ｂの回転が、ベル
トＢ２およびＢ３を介して、保持ローラ５１ａおよび５
１ｃにそれぞれ伝達されるようになっている。他方の組
を構成する３本の保持ローラ５２ａ，５２ｂ，５２ｃに
ついても同様であり、中央の保持ローラ５２ｂにモータ
Ｍ２からの回転力がベルトＢ４を介して伝達され、保持
ローラ５２ｂの回転が、ベルトＢ５およびＢ６を介して
他の２本の保持ローラ５２ａおよび５２ｃに伝達される
ようになっている。

【００５１】一方の組を構成する３本の保持ローラ５１
ａ，５１ｂ，５１ｃと、他方の組を構成する３本の保持
ローラ５２ａ，５２ｂ，５２ｃとは、それぞれ図２に示
す保持機構５１，５２に保持されており、互いに近接し
たり離反したりすることができるようになっている。こ
れにより、ウエハＷを保持した状態と、ウエハＷの保持
を開放した状態とをとることができる。

【００５２】両面スクラブ洗浄機構５３の上ディスクブ
ラシ５３Ｕおよび下ディスクブラシ５３Ｌは、ウエハＷ
の中心から周縁までの領域をスクラブできる様に円板状
に形成されている。上ディスクブラシ５３Ｕは、鉛直方
向に沿って配設された回転軸５５の下端に固定されてお
り、この回転軸５５には、モータＭ３からの回転力がベ
ルトＢ７を介して伝達されている。同様に、下ディスク
ブラシ５３Ｌは、鉛直方向に沿って配設された回転軸５
６の上端に固定されており、モータＭ４からの回転力が
ベルトＢ８を介して与えられることによって、鉛直軸線
まわりに回転駆動されるようになっている。さらに、上
ディスクブラシ５３Ｕおよび下ディスクブラシ５３Ｌ
が、ウエハＷの表面および裏面に対して近接／離反する
ことができるように、上ディスクブラシ５３Ｕおよび下
ディスクブラシ５３Ｌを昇降するための昇降機構１０
１，１０２がそれぞれ備えられている。

【００５３】回転軸５５，５６は、いずれも中空の軸で
構成されており、その内部には、ディスクブラシ５３
Ｕ，５３Ｌの表面の近傍にまで至る処理液供給管５７
Ｕ，５７Ｌが挿通している。この処理液供給管５７Ｕ，
５７Ｌには、それぞれ、薬液供給弁５８を介する薬液
や、純水供給弁５９を介する純水を、選択的に供給する
ことができるようになっており、これらが、第１洗浄液
供給機構を構成している。薬液供給弁５８を介して供給
される薬液には、たとえば、フッ酸、塩酸、硫酸、燐
酸、アンモニア、およびこれらの過酸化水素水溶液など
がある。

【００５４】モータＭ３，Ｍ４を付勢して上下のディス
クブラシ５３Ｕ，５３Ｌを回転し、この回転状態のディ
スクブラシ５３Ｕ，５３ＬをウエハＷの表面および裏面
にそれぞれ接触させると、ウエハＷの表面および裏面を
スクラブ洗浄することができる。その際、保持ローラ５
１ａ，５１ｂ，５１ｃ；５２ａ，５２ｂ，５２ｃにより
ウエハＷが低速回転されるため、保持ローラ５１ａ，５
１ｂ，５１ｃ；５２ａ，５２ｂ，５２ｃとウエハＷとが
当接する位置は刻々と変化し、また、スクラブ洗浄され
る位置も刻々と変化する。これにより、ウエハＷの中心
から周縁までの領域をカバーするように設けられたディ
スクブラシ５３Ｕ，５３Ｌは、ウエハＷの表面および裏
面の全域を隈無くスクラブすることができる。

【００５５】スクラブ洗浄を行う際、処理液供給管５７
Ｕ，５７Ｌには、薬液または純水が供給され、これらの
処理液を供給しながら、ウエハＷの表面および裏面をス
クラブすることによって、ＣＭＰ処理後のウエハＷの表
面のスラリーのうち、比較的粒子径の大きなものを除去
することができる。図４は、表面ブラシ洗浄部６０の概
念的な構成を示す図解図である。この表面ブラシ洗浄部
６０は、両面ブラシ洗浄部５０での処理によって、比較
的大きな粒径の異物が除去された後のウエハＷの表面に
残る小粒径の異物を除去するためのものである。

【００５６】この表面ブラシ洗浄部６０は、たとえば６
本の保持ピン６１でウエハＷの裏面の周縁部付近を支持
する構成のスピンチャック６２を備えており、このスピ
ンチャック６２が第２基板保持手段に相当する。６本の
保持ピンのうち、１本おきに配設された３本の保持ピン
６１は、鉛直軸線周りに回動することができるようにな
っており、ウエハＷの端面に対して、保持面を選択的に
当接させることができるように構成されている。これに
より、ウエハＷは、結果として、６本の保持ピン６１に
よって強固に握持される。

【００５７】スピンチャック６２は、この６本の保持ピ
ン６１によって水平保持されたウエハＷを、鉛直軸線ま
わりに回転させるために、保持ピン６１を保持する保持
部材６５と、この保持部材６５の中央の下面に鉛直方向
に沿って固定された回転軸６６と、この回転軸６６を回
転駆動するための回転駆動機構６７とを備えている。ス
ピンチャック６２に保持されたウエハＷの上方には、表
面スクラブ洗浄機構としてのスキャンブラシ６３が備え
られている。スキャンブラシ６３は、ウエハＷの表面に
対してほぼ垂直な方向に沿う回転軸まわりに回転駆動さ
れるディスク型ブラシである自転ブラシ６３ａと、この
自転ブラシ６３ａを先端において下方に向けて支持する
揺動腕６３ｂと、この揺動腕６３ｂを、スピンチャック
６２に保持されたウエハＷよりも外側に設定された鉛直
軸線まわりに揺動させる揺動駆動機構６３ｃとを備えて
いる。

【００５８】この構成により、揺動腕６３ｂを揺動させ
ることにより、ウエハＷの半径方向に沿って、その中心
位置から周縁部までの範囲で、自転ブラシ６３ａを繰り
返し往復させることができる。自転ブラシ６３ａが、ウ
エハＷの中心から周縁部に向かう際には、自転ブラシ６
３ａは下方位置にあって、ウエハＷの表面をスクラブ洗
浄する。その際、スピンチャック６２によってウエハＷ
が回転されているので、ウエハＷの表面のほぼ全域をス
クラブすることができる。自転ブラシ６３ａがウエハＷ
の周縁部から中心位置に戻されるときには、自転ブラシ
６３ａは、上方位置とされ、ウエハＷから離間した状態
とされる。これを数回繰り返すことにより、ウエハＷの
表面の小粒径の異物を、スクラブすることによって浮き
出させ、さらにその異物をウエハＷの外側に向かって掃
き出すことができる。

【００５９】スピンチャック６２に関連して、薬液をウ
エハＷの表面に供給するための薬液供給ノズルＣＮ、純
水をウエハＷの表面に供給するための純水ノズルＤＮ、
および超音波振動が付与された純水をウエハＷの表面に
供給するための超音波洗浄ノズルＤＳＮが備えられてい
る。上記薬液供給ノズルＣＮおよび純水ノズルＤＮは、
第２洗浄液供給機構に相当し、超音波洗浄ノズルＤＳＮ
は、超音波洗浄機構に相当する。薬液供給ノズルＣＮか
らウエハＷの表面に供給される薬液には、たとえば、フ
ッ酸、塩酸、硫酸、燐酸、アンモニア、およびこれらの
過酸化水素水溶液、などがある。

【００６０】この構成により、スキャンブラシ６３によ
るウエハＷの表面のスクラブ洗浄の際に、薬液、純水お
よび超音波振動が付与された純水を、それぞれ単独で、
または組み合わせて供給することにより、ウエハＷの表
面の異物を効果的に除去することができる。とくに、超
音波振動の付与された純水をウエハの表面に供給するこ
とによって、微小粒径の付着物を効果的に除去でき、さ
らに、超音波振動が付与された純水と薬液とを同時に使
用すれば、薬液による洗浄効果と超音波振動による洗浄
効果との相乗効果を期待することもできる。しかも、ス
キャンブラシ６３によるスクラブ洗浄は、保持ピン６１
と自転ブラシ６３ａとの干渉を避ける必要性から、ウエ
ハＷの周縁部に対してまでは施すことができないのであ
るが、超音波振動が付与された純水は、ウエハＷの表面
の全域が達するから、ウエハＷの表面の全域において、
微小粒径の付着物の除去を効果的に行うことができる。

【００６１】なお、スピンチャック６２に保持されたウ
エハＷの裏面側にも、薬液ノズルＣＮ１０からの薬液お
よび純水ノズルＤＮ１０からの純水を供給することがで
き、これにより、ウエハＷの裏面の清浄をも行うことが
できる。図５は、水洗・乾燥処理部７０の概念的な構成
を示す図解図である。水洗・乾燥処理部７０は、ウエハ
Ｗを水平に保持して回転させる第３基板保持手段として
のスピンチャック７１と、このスピンチャック７１の上
方に設けられた不活性ガス供給機構７２とを有してい
る。不活性ガス供給機構７２に関連して、スピンチャッ
ク７１に保持されたウエハＷの表面に純水を供給するた
めの純水供給ノズルＤＮ１が設けられており、この純水
供給ノズルＤＮ１には、純水供給源７３から純水が供給
されるようになっている。また、スピンチャック７１の
下方には、ウエハＷの裏面に純水を供給するための純水
ノズルＤＮ２，ＤＮ３が配置されている。

【００６２】スピンチャック７１は、図４に示された表
面ブラシ洗浄部６０のスピンチャック６２と同様の構成
を有しており、６本の保持ピン８４によって、ウエハＷ
の裏面の周縁部を支持し、かつ、端面を握持するように
なっている。このスピンチャック７１も、スピンチャッ
ク６２と同様に、保持ピン８４を保持する保持部材８５
と、この保持部材８５の下面に鉛直方向に沿って固定さ
れた回転軸８６と、この回転軸８６を回転駆動するため
の回転駆動機構８７とを備えている。

【００６３】不活性ガス供給機構７２は、遮蔽円板７５
と、この遮蔽円板７５を支持する支持部材７６と、この
遮蔽円板７５の中央付近に設けられた不活性ガス供給ノ
ズル７７と、この不活性ガス供給ノズル７７に不活性ガ
スとしての加熱されたＮ₂（窒素）ガスを供給する不活
性ガス供給源７８とを有している。上記の純水供給ノズ
ルＤＮ１も、遮蔽円板７５の中央付近に設けられてい
る。

【００６４】支持部材７６は、昇降駆動機構７９によっ
て昇降されるようになっている。この昇降駆動機構７９
は、ウエハＷの表面および裏面を水洗するときには、遮
蔽円板７５をウエハＷから所定距離だけ上方に離間した
上位置に位置させ、ウエハＷの表面および裏面を乾燥さ
せるときには、遮蔽円板７５を上記上位置よりもウエハ
Ｗの表面に近接した下位置に位置させるように、支持部
材７６を昇降する。

【００６５】水洗・乾燥処理部７０の動作を概説すれば
次のとおりである。まず、第２中間搬送ロボット８２
（図２参照）によって搬入されるウエハＷは、スピンチ
ャック７１によって保持される。その後、スピンチャッ
ク６２は、回転駆動機構８７によって、低速回転され、
この低速回転されているスピンチャック６２に保持され
ているウエハＷの表面および裏面には、純水供給ノズル
ＤＮ１，ＤＮ２，ＤＮ３からの純水が供給される。これ
により、前工程において使用された薬液や、ウエハＷの
表面および裏面に残留している付着物を洗い流すための
リンス処理が行われる。このリンス処理期間中、遮蔽円
板７５は上位置にあり、不活性ガス供給ノズル７７から
は、不活性ガスは供給されない。

【００６６】このリンス処理の後には、回転駆動機構８
７は、スピンチャック６２を高速回転させる。その一方
で、遮蔽円板７５が下位置に導かれ、不活性ガス供給ノ
ズル７７からは、ウエハＷの表面に向けて、加熱された
Ｎ₂ガスが供給される。これにより、遠心力によって、
ウエハＷの表面および裏面の水分が振り切られる一方
で、加熱されたＮ₂ガスによって、ウエハＷの表面が速
やかに乾燥させられる。こうして、ウエハの全域を効率
よく乾燥させることができるので、ウエハＷに対して高
品位の処理を施すことができる。しかも、ウエハＷの周
囲を不活性ガス雰囲気で充満させることができるから、
ウォータマークの発生が防止される。このことにより、
ウエハＷに対する処理のさらなる高品位化が図られてい
る。

【００６７】以上のようにこの実施例の洗浄装置におい
ては、両面ブラシ洗浄部５０により、ウエハの両面の付
着物のうち粒子径の大きなものを除去し、その後に、表
面ブラシ洗浄部６０により、ウエハの表面の比較的粒子
径の小さな付着物を除去するようにしている。これによ
り、ウエハの表面の付着物を効率的に除去することがで
きるので、高品位な洗浄処理を行うことができる。しか
も、表面ブラシ洗浄部６０においては、超音波が付与さ
れた純水による洗浄を併用しているので、ウエハ表面の
周縁部に付着している微小粒子をも除去できる。これに
より、さらに、高品位な洗浄処理が可能となる。

【００６８】また、両面ブラシ洗浄部５０は、保持ロー
ラ５１ａ，５１ｂ，５１ｃ；５２ａ，５２ｂ，５２ｃに
よって、ウエハＷの端面を保持しつつ回転させ、その一
方で、ウエハＷの表面および裏面をディスクブラシでス
クラブ洗浄する構成を採用しているので、ウエハＷの表
面および裏面の全域を隈無く良好に洗浄することができ
る。

【００６９】さらに、水洗・乾燥処理部７０において
は、ウエハを高速回転させて水切り乾燥を行うだけでな
く、ウエハの表面に加熱された不活性ガス（Ｎ₂ガス）
を供給して、速やかにウエハを乾燥し、かつ、ウエハの
周囲を不活性ガス雰囲気で充満させるようにしている。
そのため、乾燥処理時間に要する時間が短縮されるう
え、ウォータマークの発生も防止できる。

【００７０】この発明の一実施形態について説明した
が、この発明は上記の実施形態以外にも種々の形態で実
施することが可能である。たとえば、上記の実施形態に
おいては、両面スクラブ洗浄機構５３は、ディスクブラ
シ５３Ｕ，５３Ｌによってウエハの表面および裏面をス
クラブしているが、ウエハの表面および裏面のうちの少
なくともいずれか一方をロールブラシによってスクラブ
洗浄するようにしても差し支えない。同様に、表面ブラ
シ洗浄部６０においても、ディスク型ブラシからなる自
転ブラシ６３ａに代えて、ロールブラシが適用されても
よい。ただし、粒子径の小さな付着物の除去のために
は、ディスク型ブラシの方が適している。

【００７１】また、上記の実施形態においては、両面ブ
ラシ洗浄部５０の保持ローラ５１ａ，５１ｂ，５１ｃ；
５２ａ，５２ｂ，５２ｃは、すべて駆動ローラである
が、たとえば、一方の組を構成する保持ローラ５１ａ，
５１ｂ，５１ｃを駆動ローラとし、他方の組を構成する
保持ローラ５２ａ，５２ｂ，５２ｃは、ウエハＷの回転
に従動して回転する従動ローラとしてもよい。ただし、
すべての保持ローラを駆動ローラとする方が、ウエハＷ
に働く偏心力を少なくすることができるので、回転を安
定させることができる。

【００７２】さらに、保持ローラの数は、６本である必
要はなく、少なくとも２本の保持ローラで、ウエハＷを
回転可能に保持すればよい。ただし、ウエハＷを安定に
保持し、かつその回転を安定に行うためには、少なくと
も３本の保持ローラが備えられていることが好ましい。
また、上記の実施形態においては、ウエハＷの両面を洗
浄した後に、ウエハＷの表面を洗浄するようにしている
が、ウエハＷの表面をまず洗浄し、その後に、ウエハＷ
の両面を洗浄するようにしてもよい。このようにして
も、異なる洗浄方法でウエハＷの表面を２回に渡って洗
浄することができるから、ウエハＷの表面を良好に洗浄
することができる。ただし、ウエハＷの両面を最初に洗
浄しておけば、その後の工程においては、ウエハＷの裏
面をスピンチャックで保持することができるという利点
がある。

【００７３】さらにまた、上記の実施形態においては、
洗浄処理前のウエハを待機させておくために、ウエハを
水槽中に浸漬させておく水中ローダ３１が適用されてい
るが、たとえば、内壁面に純水を噴霧するスプレーノズ
ルが配置されたシャワー槽内に、ウエハを収容したカセ
ットを配置しておくようにしたシャワーローダが適用さ
れてもよい。

【００７４】さらに、上記の実施形態においては、不活
性ガス供給機構は、加熱されたＮ2ガスを供給するもの
としたが、たとえば、常温のＮ₂ガス、ヘリウムガス、
アルゴンガスなどの他の不活性ガスが適用されてもよい
ことは言うまでもない。また、上記の実施形態では、表
面ブラシ洗浄部６０および水洗・乾燥処理部７０におい
ては、ウエハＷの端面を機械的に保持する構成のスピン
チャック６２，７１が用いられているが、ウエハＷの裏
面を真空吸着して保持するバキューム型スピンチャック
が適用されてもよい。

【００７５】さらに、上記の実施形態においては、清浄
空間１２から、ドア２２ａ，２２ｂを開けて、水中ロー
ダ３１にウエハが供給される構成について説明したが、
ＣＭＰ処理装置と洗浄装置２０とを接続用開口２７にお
いてインライン接続し、この接続用開口２７から、洗浄
処理されるべきウエハを水中ローダ３１に供給するよう
にしてもよい。この場合には、処理空間１１側にＣＭＰ
処理装置および洗浄装置２０を配置することができるの
で、ＣＭＰ処理後の汚染されたウエハが清浄空間１２に
持ち込まれることがなく、清浄空間２０内の空気の汚染
を抑制できる。

【００７６】また、上記の実施形態では、ウエハを洗浄
する装置を例にとったが、この発明は、液晶表示装置用
ガラス基板やＰＤＰ表示装置用ガラス基板などのような
他の種類の被処理基板の洗浄のためにも適用することが
できる。その他、特許請求の範囲に記載された技術的事
項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態に係る基板洗浄装置の設
置状態を示す簡略化した斜視図である。

【図２】上記基板洗浄装置の内部の全体の構成を簡略化
して示す平面図である。

【図３】両面ブラシ洗浄部の構成を簡略化して示す斜視
図である。

【図４】表面ブラシ洗浄部の概念的な構成を示す図解図
である。

【図５】水洗・乾燥処理部の概念的な構成を示す図解図
である。

【符号の説明】

２０洗浄装置３１水中ローダ３２アンローダ３３，３７カセット４１ローダ搬送ロボット４２アンローダ搬送ロボット５０両面ブラシ洗浄部６０表面ブラシ洗浄部７０水洗・乾燥処理部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５２ａ，５２ｂ，５２ｃ
保持ローラ５３両面スクラブ洗浄機構５７Ｕ，５７Ｌ処理液供給管６２スピンチャック６３スキャンブラシＤＮ純水ノズルＣＮ薬液ノズルＤＳＮ超音波洗浄ノズル７１スピンチャック７２不活性ガス供給機構

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を保持する第１基板保持手段と、この
第１基板保持手段に保持された基板の表面および裏面を
洗浄する両面洗浄手段とを有する両面洗浄部と、基板を保持する第２基板保持手段と、上記両面洗浄手段
によって洗浄された後にこの第２基板保持手段に保持さ
れた基板の表面を洗浄する表面洗浄手段とを有する表面
洗浄部と、基板を保持する第３基板保持手段と、上記表面洗浄手段
によって洗浄された後にこの第３基板保持手段に保持さ
れた基板を乾燥させる基板乾燥手段を有する乾燥部とを
含む処理部群を備えていることを特徴とする基板洗浄装
置。
【請求項２】上記第１基板保持手段は、基板の端面に当
接して基板を保持しつつ回転することができ、回転駆動
源によって駆動される駆動ローラを少なくとも１つ含む
複数の保持ローラを含むものであり、上記両面洗浄手段は、上記第１基板保持手段に保持され
た基板の表面および裏面に第１洗浄液を供給する第１洗
浄液供給機構と、上記保持ローラにより回転される基板
の両面をスクラブして洗浄する両面スクラブ洗浄機構と
を含むものであることを特徴する請求項１記載の基板洗
浄装置。
【請求項３】上記第２基板保持手段は、基板を保持して
回転するスピンチャックを含み、上記表面洗浄手段は、上記第２基板保持手段に保持され
た基板の表面に第２洗浄液を供給する第２洗浄液供給機
構と、基板の表面に対してほぼ垂直な方向に沿った回転
軸を有する表面スクラブ洗浄機構とを含むことを特徴と
する請求項１または２記載の基板洗浄装置。
【請求項４】上記表面洗浄手段は、上記第２基板保持手
段に保持された基板の表面に、超音波が付与された純水
を供給する超音波洗浄機構を含むことを特徴とする請求
項１ないし３のいずれかに記載の基板洗浄装置。
【請求項５】上記第３基板保持手段は、基板を保持して
回転するスピンチャックを含み、上記基板乾燥手段は、このスピンチャックによって回転
される基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構
を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに
記載の基板洗浄装置。
【請求項６】基板を複数枚収容可能なロードカセットが
載置され、このロードカセットに収容された基板に対し
て純水を供給する純水供給手段を有するローダ部と、上記カセットに収容された基板を取り出して保持し、上
記両面洗浄部へ受け渡すロード基板搬送手段と、このロード基板搬送手段によって保持された基板に対し
て純水を吐出する純水吐出手段とをさらに備えているこ
とを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基
板洗浄装置。
【請求項７】上記乾燥部で乾燥された基板を複数枚収容
可能なアンローダカセットが載置されたアンローダ部
と、上記乾燥部から基板を取り出して保持し、当該基板
を上記アンロードカセットへ収容するアンロード基板搬
送手段とをさらに備えていることを特徴とする請求項６
に記載の基板洗浄装置。
【請求項８】上記処理部群は、基板に対して化学的およ
び物理的に研磨処理を施すＣＭＰ処理装置で研磨処理さ
れた基板に対して洗浄処理を施すものであることを特徴
とする請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装
置。
【請求項９】第１表面洗浄手段により基板の表面を洗浄
する第１表面洗浄工程と、上記第１表面洗浄手段とは別の第２表面洗浄手段によ
り、上記第１表面洗浄工程で洗浄された基板の表面を洗
浄する第２表面洗浄工程とを含むことを特徴とする基板
洗浄方法。
【請求項１０】上記第２表面洗浄工程が行われるまで
に、裏面洗浄手段により基板の裏面を洗浄する裏面洗浄
工程をさらに含むことを特徴とする請求項９記載の基板
洗浄方法。
【請求項１１】基板の表面および裏面を洗浄する両面洗
浄工程と、この両面洗浄工程によって洗浄された基板の表面を洗浄
する表面洗浄工程と、この表面洗浄工程によって洗浄された基板を乾燥させる
乾燥工程とを含むことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１２】上記両面洗浄工程は、基板の端面に当接
して保持する保持ローラが回転することにより基板を回
転させつつ、基板の表面および裏面に第１洗浄液を供給
しつつスクラブして洗浄する両面スクラブ洗浄工程を含
むことを特徴とする請求項１１記載の基板洗浄方法。
【請求項１３】上記表面洗浄工程は、基板を保持するス
ピンチャックが回転することにより基板を回転させつ
つ、基板の表面に第２洗浄液を供給しつつスクラブ洗浄
する表面スクラブ洗浄工程を含むことを特徴とする請求
項１１または１２記載の基板洗浄方法。
【請求項１４】上記表面洗浄工程は、基板の表面に超音
波が付与された純水を供給して洗浄する超音波洗浄工程
を含むことを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれ
かに記載の基板洗浄方法。
【請求項１５】上記乾燥工程は、基板を保持するスピン
チャックが回転することにより基板を回転させつつ、基
板に不活性ガスを供給して乾燥させるスピン乾燥工程を
含むことを特徴とする請求項１１ないし１４のいずれか
に記載の基板洗浄方法。