JPH10294204A - 厚膜サーミスタ、およびその製造方法 - Google Patents
厚膜サーミスタ、およびその製造方法Info
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- JPH10294204A JPH10294204A JP9104471A JP10447197A JPH10294204A JP H10294204 A JPH10294204 A JP H10294204A JP 9104471 A JP9104471 A JP 9104471A JP 10447197 A JP10447197 A JP 10447197A JP H10294204 A JPH10294204 A JP H10294204A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度の変化を検出する厚膜サーミスタにおい
て、高温時での厚膜サーミスタの抵抗値の経時変化が大
きくなることのない特性の向上したものを提供すること
を目的とする。 【解決手段】 サーミスタ層３３をＶ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素のうち少なくと
も二つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹脂バイン
ダーと、導電性粉末との混合物とを、この混合物の結晶
変態点温度以下で焼成することにより、スピネル構造体
を保持できるので、高温時での経時変化の小さい特性の
向上した厚膜サーミスタを提供できる構成とした。
て、高温時での厚膜サーミスタの抵抗値の経時変化が大
きくなることのない特性の向上したものを提供すること
を目的とする。 【解決手段】 サーミスタ層３３をＶ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素のうち少なくと
も二つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹脂バイン
ダーと、導電性粉末との混合物とを、この混合物の結晶
変態点温度以下で焼成することにより、スピネル構造体
を保持できるので、高温時での経時変化の小さい特性の
向上した厚膜サーミスタを提供できる構成とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は温度変化による半導
体の抵抗変化を利用する厚膜サーミスタに関し、特に基
板の電極間に印刷形成される厚膜サーミスタ、およびそ
の製造方法に関するものである。
体の抵抗変化を利用する厚膜サーミスタに関し、特に基
板の電極間に印刷形成される厚膜サーミスタ、およびそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の厚膜サーミスタについては、特開
平６−７７００９号公報に開示されたものが知られてい
る。
平６−７７００９号公報に開示されたものが知られてい
る。
【０００３】以下に従来の厚膜サーミスタについて、図
面を参照しながら説明する。図４は、従来の厚膜サーミ
スタの側断面図である。図４において、１は基板であ
る。２は基板の上面両端部に設けられた電極である。３
は基板１の上面に設けられるとともに前記電極と電気的
に接続されたサーミスタ層である。このサーミスタ層３
はＭｎ3Ｏ4，Ｃｏ3Ｏ4，Ｆｅ3Ｏ4を混合して得た金属酸
化物粉末と、ＲｕＯ2粉末と、ＣｕＯと、Ｌｉ2Ｃ2Ｏ
4と、ホウケイ酸鉛ガラス粉末との混合物である。
面を参照しながら説明する。図４は、従来の厚膜サーミ
スタの側断面図である。図４において、１は基板であ
る。２は基板の上面両端部に設けられた電極である。３
は基板１の上面に設けられるとともに前記電極と電気的
に接続されたサーミスタ層である。このサーミスタ層３
はＭｎ3Ｏ4，Ｃｏ3Ｏ4，Ｆｅ3Ｏ4を混合して得た金属酸
化物粉末と、ＲｕＯ2粉末と、ＣｕＯと、Ｌｉ2Ｃ2Ｏ
4と、ホウケイ酸鉛ガラス粉末との混合物である。
【０００４】以上のように構成された従来の厚膜サーミ
スタについて、その製造方法を説明する。まず、Ｍｎ3
Ｏ4，Ｃｏ3Ｏ4，Ｆｅ3Ｏ4を１：１：０．２のモル比で
混合して成形し、加熱焼成することにより、固相反応さ
せて得た金属酸化物粉末を作製する。次に、ＣｕＯと、
Ｌｉ2Ｃ2Ｏ4とを１：１のモル比で混合し、９００℃で
１時間加熱焼成して、固相反応させた後、粉砕機にかけ
てＬｉ2ＣｕＯ2の粉末を作製する。次に、前記金属酸化
物粉末を３１ｗｔ％と、ＲｕＯ2粉末４ｗｔ％と、Ｌｉ2
ＣｕＯ2の粉末１０ｗｔ％と、ホウケイ酸鉛ガラス粉末
５５ｗｔ％を自動混合機により混合して混合物とする。
スタについて、その製造方法を説明する。まず、Ｍｎ3
Ｏ4，Ｃｏ3Ｏ4，Ｆｅ3Ｏ4を１：１：０．２のモル比で
混合して成形し、加熱焼成することにより、固相反応さ
せて得た金属酸化物粉末を作製する。次に、ＣｕＯと、
Ｌｉ2Ｃ2Ｏ4とを１：１のモル比で混合し、９００℃で
１時間加熱焼成して、固相反応させた後、粉砕機にかけ
てＬｉ2ＣｕＯ2の粉末を作製する。次に、前記金属酸化
物粉末を３１ｗｔ％と、ＲｕＯ2粉末４ｗｔ％と、Ｌｉ2
ＣｕＯ2の粉末１０ｗｔ％と、ホウケイ酸鉛ガラス粉末
５５ｗｔ％を自動混合機により混合して混合物とする。
【０００５】次に、予め準備されたＡｌ2Ｏ3等の基板１
の一端に電極２を印刷する。次に、電極２の上面に、前
記Ｌｉ2ＣｕＯ2の粉末に有機ビヒクルを加えペースト状
にしたものを印刷しサーミスタ層３を形成する。次に、
サーミスタ層３の上面で、かつ基板１の他端に電極２を
印刷する。最後に、上面に電極２とサーミスタ層３とを
設けられた基板１を８５０℃で１０分間焼成し、厚膜サ
ーミスタを製造した。
の一端に電極２を印刷する。次に、電極２の上面に、前
記Ｌｉ2ＣｕＯ2の粉末に有機ビヒクルを加えペースト状
にしたものを印刷しサーミスタ層３を形成する。次に、
サーミスタ層３の上面で、かつ基板１の他端に電極２を
印刷する。最後に、上面に電極２とサーミスタ層３とを
設けられた基板１を８５０℃で１０分間焼成し、厚膜サ
ーミスタを製造した。
【０００６】以上のように構成、組立てられた厚膜サー
ミスタの特性は１８１６Ω、Ｂ定数３２０６Ｋ、１２５
℃で１０００時間加熱による抵抗値変化率は３．０６％
である。
ミスタの特性は１８１６Ω、Ｂ定数３２０６Ｋ、１２５
℃で１０００時間加熱による抵抗値変化率は３．０６％
である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成におい
ては、ホウケイ酸鉛ガラスをサーミスタ層に含んでいる
ため、焼成温度が８５０℃と高くなり、金属酸化物が立
方晶系から正方晶系に変態するので、スピネル型構造で
なくなり、高温時での厚膜サーミスタの抵抗値の経時変
化が大きくなるという課題を有していた。
ては、ホウケイ酸鉛ガラスをサーミスタ層に含んでいる
ため、焼成温度が８５０℃と高くなり、金属酸化物が立
方晶系から正方晶系に変態するので、スピネル型構造で
なくなり、高温時での厚膜サーミスタの抵抗値の経時変
化が大きくなるという課題を有していた。
【０００８】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、特性の向上した厚膜サーミスタを提供することを目
的とするものである。
で、特性の向上した厚膜サーミスタを提供することを目
的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の厚膜サーミスタは、サーミスタ層をＶ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素の
うち少なくとも二つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化
性樹脂バインダーと、導電性粉末との混合物とを、この
混合物の結晶変態点温度以下で焼成したものである。
に、本発明の厚膜サーミスタは、サーミスタ層をＶ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素の
うち少なくとも二つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化
性樹脂バインダーと、導電性粉末との混合物とを、この
混合物の結晶変態点温度以下で焼成したものである。
【００１０】これにより、高温時での経時変化の少ない
特性の向上した厚膜サーミスタを提供することができる
ものである。
特性の向上した厚膜サーミスタを提供することができる
ものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、基板と、この基板の上面両端部から側面部に渡って
設けられた電極と、前記基板の上面に設けられるととも
に前記電極と電気的に接続されたサーミスタ層とを備
え、このサーミスタ層はＶ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素のうち少なくとも二つ以上
の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹脂バインダーと、導
電性粉末との混合物とを、この混合物の結晶変態点温度
以下で焼成したので、スピネル型構造を保てるという作
用を有するものである。
は、基板と、この基板の上面両端部から側面部に渡って
設けられた電極と、前記基板の上面に設けられるととも
に前記電極と電気的に接続されたサーミスタ層とを備
え、このサーミスタ層はＶ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素のうち少なくとも二つ以上
の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹脂バインダーと、導
電性粉末との混合物とを、この混合物の結晶変態点温度
以下で焼成したので、スピネル型構造を保てるという作
用を有するものである。
【００１２】本発明の請求項２に記載の発明は、基板
と、この基板の上面両端部に設けられた上面電極と、前
記基板の上面に設けられるとともに前記上面電極と電気
的に接続されたサーミスタ層と、前記基板の下面両端部
に設けられた下面電極と、前記サーミスタ層を覆うよう
に設けられた保護層と、前記基板の側面に設けられ前記
上面電極と下面電極とに電気的に接続された側面電極と
を備え、前記サーミスタ層はＶ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素のうち少なくとも二つ
以上の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹脂バインダー
と、導電性粉末との混合物とを、この混合物の結晶変態
点温度以下で焼成したので、スピネル型構造を保てると
いう作用を有するものである。
と、この基板の上面両端部に設けられた上面電極と、前
記基板の上面に設けられるとともに前記上面電極と電気
的に接続されたサーミスタ層と、前記基板の下面両端部
に設けられた下面電極と、前記サーミスタ層を覆うよう
に設けられた保護層と、前記基板の側面に設けられ前記
上面電極と下面電極とに電気的に接続された側面電極と
を備え、前記サーミスタ層はＶ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素のうち少なくとも二つ
以上の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹脂バインダー
と、導電性粉末との混合物とを、この混合物の結晶変態
点温度以下で焼成したので、スピネル型構造を保てると
いう作用を有するものである。
【００１３】本発明の請求項３に記載の発明は、Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素の
うち少なくとも二つ以上の元素からなる金属を粉砕する
工程と、この粉砕された金属を焼成炉で固相反応させて
スピネル型構造を形成する工程と、このスピネル型構造
と、熱硬化性ポリイミド樹脂と、ＲｕＯ2粉末と、Ｐｄ
粉末と、有機溶剤とを練り合わせサーミスタペーストを
形成する工程と、基板の上面および下面にＡｇの厚膜ペ
ーストを印刷した後焼成して上面電極と下面電極とを形
成する工程と、前記基板の上面電極の上面に一部重なる
ように前記サーミスタペーストを印刷した後焼成しサー
ミスタ層を形成する工程と、前記サーミスタ層の上面を
覆うように熱硬化性樹脂を印刷後焼成して保護層を形成
する工程と、前記基板の側面に前記上面電極と側面電極
と電気的に接続されるようにＮｉの厚膜ペーストを印刷
後焼成して側面電極を形成する工程と、前記基板の上面
電極と側面電極と下面電極とを覆うようにＮｉメッキと
半田メッキを施す工程とにより厚膜サーミスタを製造す
ることにより、サーミスタ層をＶ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素のうち少なくとも二
つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹脂バインダー
と、導電性粉末との混合物とを、この混合物の結晶変態
点温度以下で焼成するので、スピネル構造体を保持でき
るという作用を有するものである。
ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素の
うち少なくとも二つ以上の元素からなる金属を粉砕する
工程と、この粉砕された金属を焼成炉で固相反応させて
スピネル型構造を形成する工程と、このスピネル型構造
と、熱硬化性ポリイミド樹脂と、ＲｕＯ2粉末と、Ｐｄ
粉末と、有機溶剤とを練り合わせサーミスタペーストを
形成する工程と、基板の上面および下面にＡｇの厚膜ペ
ーストを印刷した後焼成して上面電極と下面電極とを形
成する工程と、前記基板の上面電極の上面に一部重なる
ように前記サーミスタペーストを印刷した後焼成しサー
ミスタ層を形成する工程と、前記サーミスタ層の上面を
覆うように熱硬化性樹脂を印刷後焼成して保護層を形成
する工程と、前記基板の側面に前記上面電極と側面電極
と電気的に接続されるようにＮｉの厚膜ペーストを印刷
後焼成して側面電極を形成する工程と、前記基板の上面
電極と側面電極と下面電極とを覆うようにＮｉメッキと
半田メッキを施す工程とにより厚膜サーミスタを製造す
ることにより、サーミスタ層をＶ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素のうち少なくとも二
つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹脂バインダー
と、導電性粉末との混合物とを、この混合物の結晶変態
点温度以下で焼成するので、スピネル構造体を保持でき
るという作用を有するものである。
【００１４】以下に本発明の一実施の形態における厚膜
サーミスタについて、図面を参照しながら説明する。
サーミスタについて、図面を参照しながら説明する。
【００１５】（実施の形態）図１は本発明の一実施の形
態における厚膜サーミスタの側断面図である。図１にお
いて、３１は直方体形状のＡｌ2Ｏ3からなる基板であ
る。３２は、この基板３１の上面両端部に設けられたＡ
ｇの上面電極である。３３は、基板３１の上面に設けら
れるとともに、上面電極３２と電気的に接続されたサー
ミスタ層である。このサーミスタ層３３は、Ｖ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素のうち
少なくとも二つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹
脂バインダーと、導電性粉末との混合物とを、この混合
物の結晶変態点温度以下で焼成して形成されたものであ
る。３４は基板３１の下面両端部に設けられたＡｇの下
面電極である。３５はサーミスタ層３３を覆うように設
けられたポリイミド樹脂製の保護層である。３６は基板
３１の側面に設けられ、上面電極３２と下面電極３４と
に電気的に接続されたＡｇの側面電極である。３７は上
面電極３２と、側面電極３６と、下面電極３４とを覆う
ように設けられたＮｉと半田からなるメッキ層である。
態における厚膜サーミスタの側断面図である。図１にお
いて、３１は直方体形状のＡｌ2Ｏ3からなる基板であ
る。３２は、この基板３１の上面両端部に設けられたＡ
ｇの上面電極である。３３は、基板３１の上面に設けら
れるとともに、上面電極３２と電気的に接続されたサー
ミスタ層である。このサーミスタ層３３は、Ｖ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素のうち
少なくとも二つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹
脂バインダーと、導電性粉末との混合物とを、この混合
物の結晶変態点温度以下で焼成して形成されたものであ
る。３４は基板３１の下面両端部に設けられたＡｇの下
面電極である。３５はサーミスタ層３３を覆うように設
けられたポリイミド樹脂製の保護層である。３６は基板
３１の側面に設けられ、上面電極３２と下面電極３４と
に電気的に接続されたＡｇの側面電極である。３７は上
面電極３２と、側面電極３６と、下面電極３４とを覆う
ように設けられたＮｉと半田からなるメッキ層である。
【００１６】以上のように構成された厚膜サーミスタに
ついて、以下にその製造方法を図面を参照しながら説明
する。
ついて、以下にその製造方法を図面を参照しながら説明
する。
【００１７】図２は本発明の一実施の形態における厚膜
サーミスタの製造方法の工程図、図３は同工程図であ
る。まず、図２（ａ）に示すように、ボールミル４１に
Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉを５０：２０：１０の原子％比で投入
し、粉砕する。次に、図２（ｂ）に示すように、炉４２
に粉砕された前記Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉを焼成炉４２に投入
し、約１２４０℃で固相反応させて、スピネル構造体を
形成させる。次に、図２（ｃ）に示すように、フーバー
マーラ４３に、前記Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉのスピネル構造体
５７ｗｔ％と、熱硬化性ポリイミド樹脂２６ｗｔ％と、
ＲｕＯ2粉末８ｗｔ％と、Ｐｄ粉末９ｗｔ％とを投入
し、有機溶剤を添加しながら練り合わせてサーミスタの
ペーストを形成する。次に、図２（ｄ）に示すように、
連結されたＡｌ2Ｏ3からなる連結基板４４を準備する。
次に、図２（ｅ）に示すように、連結基板４４の上面お
よび下面にＡｇの厚膜ペーストをスクリーン印刷した
後、焼成炉（図示せず）に投入し、８５０℃で１０分間
焼成し、上面電極３２および下面電極３４を形成する。
次に、図３（ａ）に示すように、上面電極３２の上面に
一部重なるように、サーミスタのペーストをスクリーン
印刷し、２７０℃で３０分間焼成し、サーミスタ層３３
を形成する。このとき、前記Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉのスピネ
ル構造体の立方晶系から正方晶系への結晶変態点温度は
約５８０℃であるので、２７０℃で焼成することによ
り、スピネル構造体を保持できるという作用を有するも
のである。次に、図３（ｂ）に示すように、サンドブラ
スト等の方法により、サーミスタ層３３の一部を削り取
り、サーミスタ層３３の抵抗値を調整する。次に、図３
（ｃ）に示すように、サーミスタ層３３を覆うように熱
硬化性ポリイミド樹脂をスクリーン印刷した後、１８０
℃で３０分間焼成し、保護層３５を形成する。次に、図
３（ｄ）に示すように、連結基板４４を短冊状に分割
し、分割基板４５にする。次に、図３（ｅ）に示すよう
に、分割基板４５の切断面に上面電極３２と電気的に接
続するように高耐熱エポキシ変性フェノール樹脂系のＮ
ｉの厚膜ペーストを印刷した後、１６０℃で３０分間焼
成し、側面電極３６を形成する。最後に、図３（ｆ）に
示すように、分割基板４５を分割した後、上面電極３２
と側面電極３６と下面電極３４とを覆うようにＮｉメッ
キと半田メッキとを施す。
サーミスタの製造方法の工程図、図３は同工程図であ
る。まず、図２（ａ）に示すように、ボールミル４１に
Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉを５０：２０：１０の原子％比で投入
し、粉砕する。次に、図２（ｂ）に示すように、炉４２
に粉砕された前記Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉを焼成炉４２に投入
し、約１２４０℃で固相反応させて、スピネル構造体を
形成させる。次に、図２（ｃ）に示すように、フーバー
マーラ４３に、前記Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉのスピネル構造体
５７ｗｔ％と、熱硬化性ポリイミド樹脂２６ｗｔ％と、
ＲｕＯ2粉末８ｗｔ％と、Ｐｄ粉末９ｗｔ％とを投入
し、有機溶剤を添加しながら練り合わせてサーミスタの
ペーストを形成する。次に、図２（ｄ）に示すように、
連結されたＡｌ2Ｏ3からなる連結基板４４を準備する。
次に、図２（ｅ）に示すように、連結基板４４の上面お
よび下面にＡｇの厚膜ペーストをスクリーン印刷した
後、焼成炉（図示せず）に投入し、８５０℃で１０分間
焼成し、上面電極３２および下面電極３４を形成する。
次に、図３（ａ）に示すように、上面電極３２の上面に
一部重なるように、サーミスタのペーストをスクリーン
印刷し、２７０℃で３０分間焼成し、サーミスタ層３３
を形成する。このとき、前記Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉのスピネ
ル構造体の立方晶系から正方晶系への結晶変態点温度は
約５８０℃であるので、２７０℃で焼成することによ
り、スピネル構造体を保持できるという作用を有するも
のである。次に、図３（ｂ）に示すように、サンドブラ
スト等の方法により、サーミスタ層３３の一部を削り取
り、サーミスタ層３３の抵抗値を調整する。次に、図３
（ｃ）に示すように、サーミスタ層３３を覆うように熱
硬化性ポリイミド樹脂をスクリーン印刷した後、１８０
℃で３０分間焼成し、保護層３５を形成する。次に、図
３（ｄ）に示すように、連結基板４４を短冊状に分割
し、分割基板４５にする。次に、図３（ｅ）に示すよう
に、分割基板４５の切断面に上面電極３２と電気的に接
続するように高耐熱エポキシ変性フェノール樹脂系のＮ
ｉの厚膜ペーストを印刷した後、１６０℃で３０分間焼
成し、側面電極３６を形成する。最後に、図３（ｆ）に
示すように、分割基板４５を分割した後、上面電極３２
と側面電極３６と下面電極３４とを覆うようにＮｉメッ
キと半田メッキとを施す。
【００１８】以上のように構成された本発明の一実施の
形態における厚膜サーミスタについて以下にその動作を
説明する。
形態における厚膜サーミスタについて以下にその動作を
説明する。
【００１９】予め、厚膜サーミスタ３３の一対の側面電
極３６の一方に電圧を負荷するとともに、他方の側面電
極３６の電圧の降下を測定する。このとき、温度の変化
とともにサーミスタ層３３の抵抗値が変化し、側面電極
３６の出力電圧が変化する。
極３６の一方に電圧を負荷するとともに、他方の側面電
極３６の電圧の降下を測定する。このとき、温度の変化
とともにサーミスタ層３３の抵抗値が変化し、側面電極
３６の出力電圧が変化する。
【００２０】なお、本発明の一実施の形態における厚膜
サーミスタにおいては、上面電極３２と、側面電極３６
と、下面電極３４とを別々に形成したが、一度に形成し
ても良い。
サーミスタにおいては、上面電極３２と、側面電極３６
と、下面電極３４とを別々に形成したが、一度に形成し
ても良い。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明は、サーミスタ層を
Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移
元素のうち少なくとも二つ以上の元素の金属酸化物と、
熱硬化性樹脂バインダーと、導電性粉末との混合物と
を、この混合物の結晶変態点温度以下で焼成することに
より、サーミスタ層のスピネル構造体を保持できるの
で、高温時での経時変化の少ない特性の向上した厚膜サ
ーミスタを提供することができるという効果を有するも
のである。
Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移
元素のうち少なくとも二つ以上の元素の金属酸化物と、
熱硬化性樹脂バインダーと、導電性粉末との混合物と
を、この混合物の結晶変態点温度以下で焼成することに
より、サーミスタ層のスピネル構造体を保持できるの
で、高温時での経時変化の少ない特性の向上した厚膜サ
ーミスタを提供することができるという効果を有するも
のである。
【図１】本発明の一実施の形態における厚膜サーミスタ
の側断面図
の側断面図
【図２】本発明の一実施の形態における厚膜サーミスタ
の製造方法の工程図
の製造方法の工程図
【図３】同工程図
【図４】従来の厚膜サーミスタの側断面図
３１ 基板 ３２ 上面電極 ３３ サーミスタ層 ３４ 下面電極 ３５ 保護層 ３６ 側面電極 ３７ メッキ層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と、この基板の上面両端部から側面
部に渡って設けられた電極と、前記基板の上面に設けら
れるとともに前記電極と電気的に接続されたサーミスタ
層とを備え、このサーミスタ層はＶ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素のうち少なくと
も二つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹脂バイン
ダーと、導電性粉末との混合物とを、この混合物の結晶
変態点温度以下で焼成した厚膜サーミスタ。 - 【請求項２】 基板と、この基板の上面両端部に設けら
れた上面電極と、前記基板の上面に設けられるとともに
前記上面電極と電気的に接続されたサーミスタ層と、前
記基板の下面両端部に設けられた下面電極と、前記サー
ミスタ層を覆うように設けられた保護層と、前記基板の
側面に設けられ前記上面電極と下面電極とに電気的に接
続された側面電極とを備え、前記サーミスタ層はＶ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素の
うち少なくとも二つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化
性樹脂バインダーと、導電性粉末との混合物とを、この
混合物の結晶変態点温度以下で焼成した厚膜サーミス
タ。 - 【請求項３】 Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ，Ｚｎの遷移元素のうち少なくとも二つ以上の元素か
らなる金属を粉砕する工程と、この粉砕された金属を焼
成炉で固相反応させてスピネル構造体を形成する工程
と、このスピネル構造体と、熱硬化性ポリイミド樹脂
と、ＲｕＯ2粉末と、Ｐｄ粉末と、有機溶剤とを練り合
わせサーミスタペーストを形成する工程と、基板の上面
および下面にＡｇの厚膜ペーストを印刷した後焼成して
上面電極と下面電極とを形成する工程と、前記基板の上
面電極の上面に一部重なるように前記サーミスタペース
トを印刷した後焼成しサーミスタ層を形成する工程と、
前記サーミスタ層の上面を覆うように熱硬化性樹脂を印
刷後焼成して保護層を形成する工程と、前記基板の側面
に前記上面電極と側面電極と電気的に接続されるように
Ｎｉの厚膜ペーストを印刷後焼成して側面電極を形成す
る工程と、前記基板の上面電極と側面電極と下面電極と
を覆うようにＮｉメッキと半田メッキを施す工程とから
なる厚膜サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104471A JPH10294204A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 厚膜サーミスタ、およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104471A JPH10294204A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 厚膜サーミスタ、およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294204A true JPH10294204A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14381509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9104471A Pending JPH10294204A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 厚膜サーミスタ、およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10294204A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361310B1 (ko) * | 2000-05-25 | 2002-11-18 | (주) 래트론 | 스피넬계 페라이트를 이용한 부온도계수 서미스터 소자 |
| DE10045658B4 (de) * | 1999-09-16 | 2006-06-29 | Ube Industries, Ltd., Ube | Thermistorzusammensetzung und deren Verwendung |
| JP2008130639A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーミスタ |
| JP2010202490A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-09-16 | Ngk Insulators Ltd | スピネル構造を有する遷移金属酸化物の製造方法 |
| US8183973B2 (en) | 2009-04-13 | 2012-05-22 | Korea Institute Of Machinery And Materials | Highly dense and non-grained spinel NTC thermistor thick film and method for preparing the same |
| JP2020112701A (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | 東芝ライテック株式会社 | ヒータおよび画像形成装置 |
| CN114853448A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-08-05 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种低温共烧用负温度系数热敏陶瓷材料制备方法 |
-
1997
- 1997-04-22 JP JP9104471A patent/JPH10294204A/ja active Pending
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