JPH10294204A - Thick-film thermistor and manufacturing method thereof - Google Patents
Thick-film thermistor and manufacturing method thereofInfo
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- JPH10294204A JPH10294204A JP9104471A JP10447197A JPH10294204A JP H10294204 A JPH10294204 A JP H10294204A JP 9104471 A JP9104471 A JP 9104471A JP 10447197 A JP10447197 A JP 10447197A JP H10294204 A JPH10294204 A JP H10294204A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は温度変化による半導
体の抵抗変化を利用する厚膜サーミスタに関し、特に基
板の電極間に印刷形成される厚膜サーミスタ、およびそ
の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thick film thermistor utilizing a change in resistance of a semiconductor due to a change in temperature, and more particularly to a thick film thermistor formed between electrodes of a substrate by printing and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の厚膜サーミスタについては、特開
平６−７７００９号公報に開示されたものが知られてい
る。2. Description of the Related Art As a conventional thick film thermistor, there is known a thermistor disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-77009.
【０００３】以下に従来の厚膜サーミスタについて、図
面を参照しながら説明する。図４は、従来の厚膜サーミ
スタの側断面図である。図４において、１は基板であ
る。２は基板の上面両端部に設けられた電極である。３
は基板１の上面に設けられるとともに前記電極と電気的
に接続されたサーミスタ層である。このサーミスタ層３
はＭｎ3Ｏ4，Ｃｏ3Ｏ4，Ｆｅ3Ｏ4を混合して得た金属酸
化物粉末と、ＲｕＯ2粉末と、ＣｕＯと、Ｌｉ2Ｃ2Ｏ
4と、ホウケイ酸鉛ガラス粉末との混合物である。Hereinafter, a conventional thick film thermistor will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a side sectional view of a conventional thick film thermistor. In FIG. 4, reference numeral 1 denotes a substrate. Reference numerals 2 denote electrodes provided at both ends of the upper surface of the substrate. 3
Is a thermistor layer provided on the upper surface of the substrate 1 and electrically connected to the electrodes. This thermistor layer 3
Is a metal oxide powder obtained by mixing Mn 3 O 4 , Co 3 O 4 , and Fe 3 O 4 , RuO 2 powder, CuO, and Li 2 C 2 O
4 and a mixture of lead borosilicate glass powder.
【０００４】以上のように構成された従来の厚膜サーミ
スタについて、その製造方法を説明する。まず、Ｍｎ3
Ｏ4，Ｃｏ3Ｏ4，Ｆｅ3Ｏ4を１：１：０．２のモル比で
混合して成形し、加熱焼成することにより、固相反応さ
せて得た金属酸化物粉末を作製する。次に、ＣｕＯと、
Ｌｉ2Ｃ2Ｏ4とを１：１のモル比で混合し、９００℃で
１時間加熱焼成して、固相反応させた後、粉砕機にかけ
てＬｉ2ＣｕＯ2の粉末を作製する。次に、前記金属酸化
物粉末を３１ｗｔ％と、ＲｕＯ2粉末４ｗｔ％と、Ｌｉ2
ＣｕＯ2の粉末１０ｗｔ％と、ホウケイ酸鉛ガラス粉末
５５ｗｔ％を自動混合機により混合して混合物とする。A method of manufacturing a conventional thick film thermistor configured as described above will be described. First, Mn 3
O 4 , Co 3 O 4 , and Fe 3 O 4 are mixed at a molar ratio of 1: 1: 0.2, molded, and fired to produce a metal oxide powder obtained by a solid-phase reaction. . Next, with CuO,
Li 2 C 2 O 4 is mixed at a molar ratio of 1: 1 and heated and baked at 900 ° C. for 1 hour to cause a solid phase reaction. Then, the mixture is crushed to produce a Li 2 CuO 2 powder. Next, 31 wt% of the metal oxide powder, 4 wt% of RuO 2 powder, and Li 2
10 wt% of CuO 2 powder and 55 wt% of lead borosilicate glass powder are mixed by an automatic mixer to form a mixture.
【０００５】次に、予め準備されたＡｌ2Ｏ3等の基板１
の一端に電極２を印刷する。次に、電極２の上面に、前
記Ｌｉ2ＣｕＯ2の粉末に有機ビヒクルを加えペースト状
にしたものを印刷しサーミスタ層３を形成する。次に、
サーミスタ層３の上面で、かつ基板１の他端に電極２を
印刷する。最後に、上面に電極２とサーミスタ層３とを
設けられた基板１を８５０℃で１０分間焼成し、厚膜サ
ーミスタを製造した。Next, a substrate 1 made of Al 2 O 3 or the like prepared in advance is used.
Is printed on one end of the electrode. Next, on the upper surface of the electrode 2, a paste formed by adding an organic vehicle to the Li 2 CuO 2 powder is printed to form a thermistor layer 3. next,
The electrode 2 is printed on the upper surface of the thermistor layer 3 and on the other end of the substrate 1. Finally, the substrate 1 provided with the electrode 2 and the thermistor layer 3 on the upper surface was baked at 850 ° C. for 10 minutes to produce a thick-film thermistor.
【０００６】以上のように構成、組立てられた厚膜サー
ミスタの特性は１８１６Ω、Ｂ定数３２０６Ｋ、１２５
℃で１０００時間加熱による抵抗値変化率は３．０６％
である。The characteristics of the thick film thermistor constructed and assembled as described above are 1816 Ω, B constants 3206K, 125
Resistance change rate by heating at 1000C for 1000 hours is 3.06%
It is.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成におい
ては、ホウケイ酸鉛ガラスをサーミスタ層に含んでいる
ため、焼成温度が８５０℃と高くなり、金属酸化物が立
方晶系から正方晶系に変態するので、スピネル型構造で
なくなり、高温時での厚膜サーミスタの抵抗値の経時変
化が大きくなるという課題を有していた。In the above conventional structure, since the thermistor layer contains lead borosilicate glass, the firing temperature is increased to 850 ° C., and the metal oxide is changed from a cubic system to a tetragonal system. Due to the transformation, the spinel type structure is lost, and the change of the resistance value of the thick film thermistor with time at a high temperature becomes large.
【０００８】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、特性の向上した厚膜サーミスタを提供することを目
的とするものである。An object of the present invention is to solve the above conventional problems and to provide a thick-film thermistor having improved characteristics.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の厚膜サーミスタは、サーミスタ層をＶ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素の
うち少なくとも二つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化
性樹脂バインダーと、導電性粉末との混合物とを、この
混合物の結晶変態点温度以下で焼成したものである。To achieve the above object, a thick-film thermistor according to the present invention comprises a thermistor layer having V, C
A mixture of a metal oxide of at least two or more of the transition elements of r, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, and Zn, a thermosetting resin binder, and a conductive powder is crystallized from the mixture. Fired at a temperature below the transformation point.
【００１０】これにより、高温時での経時変化の少ない
特性の向上した厚膜サーミスタを提供することができる
ものである。As a result, it is possible to provide a thick-film thermistor having improved characteristics with little change over time at high temperatures.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、基板と、この基板の上面両端部から側面部に渡って
設けられた電極と、前記基板の上面に設けられるととも
に前記電極と電気的に接続されたサーミスタ層とを備
え、このサーミスタ層はＶ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素のうち少なくとも二つ以上
の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹脂バインダーと、導
電性粉末との混合物とを、この混合物の結晶変態点温度
以下で焼成したので、スピネル型構造を保てるという作
用を有するものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The invention according to claim 1 of the present invention is directed to a substrate, electrodes provided from both ends of the upper surface of the substrate to side surfaces, and the electrodes provided on the upper surface of the substrate and A thermistor layer electrically connected to V, Cr, Mn, Fe, Co,
Since a mixture of a metal oxide of at least two or more of the transition elements of Ni, Cu, and Zn, a thermosetting resin binder, and a conductive powder was fired at a temperature not higher than the crystal transformation point temperature of the mixture. Has a function of maintaining a spinel structure.
【００１２】本発明の請求項２に記載の発明は、基板
と、この基板の上面両端部に設けられた上面電極と、前
記基板の上面に設けられるとともに前記上面電極と電気
的に接続されたサーミスタ層と、前記基板の下面両端部
に設けられた下面電極と、前記サーミスタ層を覆うよう
に設けられた保護層と、前記基板の側面に設けられ前記
上面電極と下面電極とに電気的に接続された側面電極と
を備え、前記サーミスタ層はＶ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素のうち少なくとも二つ
以上の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹脂バインダー
と、導電性粉末との混合物とを、この混合物の結晶変態
点温度以下で焼成したので、スピネル型構造を保てると
いう作用を有するものである。According to a second aspect of the present invention, a substrate, an upper electrode provided at both ends of an upper surface of the substrate, and an upper electrode provided on the upper surface of the substrate and electrically connected to the upper electrode. A thermistor layer, a lower electrode provided at both ends of the lower surface of the substrate, a protective layer provided to cover the thermistor layer, and an upper electrode and a lower electrode provided on the side surface of the substrate. And a side electrode connected thereto, wherein the thermistor layer comprises V, Cr, Mn, Fe, C
A mixture of a metal oxide of at least two of the transition elements of o, Ni, Cu, and Zn, a thermosetting resin binder, and a conductive powder is fired at a temperature not higher than the crystal transformation point of the mixture. Therefore, it has the function of maintaining the spinel structure.
【００１３】本発明の請求項３に記載の発明は、Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素の
うち少なくとも二つ以上の元素からなる金属を粉砕する
工程と、この粉砕された金属を焼成炉で固相反応させて
スピネル型構造を形成する工程と、このスピネル型構造
と、熱硬化性ポリイミド樹脂と、ＲｕＯ2粉末と、Ｐｄ
粉末と、有機溶剤とを練り合わせサーミスタペーストを
形成する工程と、基板の上面および下面にＡｇの厚膜ペ
ーストを印刷した後焼成して上面電極と下面電極とを形
成する工程と、前記基板の上面電極の上面に一部重なる
ように前記サーミスタペーストを印刷した後焼成しサー
ミスタ層を形成する工程と、前記サーミスタ層の上面を
覆うように熱硬化性樹脂を印刷後焼成して保護層を形成
する工程と、前記基板の側面に前記上面電極と側面電極
と電気的に接続されるようにＮｉの厚膜ペーストを印刷
後焼成して側面電極を形成する工程と、前記基板の上面
電極と側面電極と下面電極とを覆うようにＮｉメッキと
半田メッキを施す工程とにより厚膜サーミスタを製造す
ることにより、サーミスタ層をＶ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素のうち少なくとも二
つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹脂バインダー
と、導電性粉末との混合物とを、この混合物の結晶変態
点温度以下で焼成するので、スピネル構造体を保持でき
るという作用を有するものである。According to a third aspect of the present invention, V, C
a step of pulverizing a metal composed of at least two of the transition elements r, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, and Zn; and a solid phase reaction of the pulverized metal in a firing furnace to form a spinel structure. A spinel type structure, a thermosetting polyimide resin, RuO 2 powder, and Pd
A step of forming a thermistor paste by kneading the powder and the organic solvent; a step of printing a thick film paste of Ag on the upper and lower surfaces of the substrate, followed by baking to form upper and lower electrodes; A step of printing the thermistor paste so as to partially overlap the upper surface of the electrode and firing the same to form a thermistor layer; and forming a protective layer by printing and firing a thermosetting resin so as to cover the upper surface of the thermistor layer. Forming a side electrode by printing and baking a thick film paste of Ni on the side surface of the substrate so as to be electrically connected to the upper surface electrode and the side electrode; and forming the side electrode on the side surface of the substrate. A thick-film thermistor is manufactured by a process of applying Ni plating and solder plating so as to cover the lower electrode and the lower electrode, so that the thermistor layer is formed of V, Cr, Mn, Fe,
A mixture of a metal oxide of at least two of the transition elements of Co, Ni, Cu, and Zn, a thermosetting resin binder, and a conductive powder is fired at a temperature not higher than the crystal transformation point of the mixture. Therefore, the spinel structure can be held.
【００１４】以下に本発明の一実施の形態における厚膜
サーミスタについて、図面を参照しながら説明する。Hereinafter, a thick-film thermistor according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１５】（実施の形態）図１は本発明の一実施の形
態における厚膜サーミスタの側断面図である。図１にお
いて、３１は直方体形状のＡｌ2Ｏ3からなる基板であ
る。３２は、この基板３１の上面両端部に設けられたＡ
ｇの上面電極である。３３は、基板３１の上面に設けら
れるとともに、上面電極３２と電気的に接続されたサー
ミスタ層である。このサーミスタ層３３は、Ｖ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素のうち
少なくとも二つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹
脂バインダーと、導電性粉末との混合物とを、この混合
物の結晶変態点温度以下で焼成して形成されたものであ
る。３４は基板３１の下面両端部に設けられたＡｇの下
面電極である。３５はサーミスタ層３３を覆うように設
けられたポリイミド樹脂製の保護層である。３６は基板
３１の側面に設けられ、上面電極３２と下面電極３４と
に電気的に接続されたＡｇの側面電極である。３７は上
面電極３２と、側面電極３６と、下面電極３４とを覆う
ように設けられたＮｉと半田からなるメッキ層である。(Embodiment) FIG. 1 is a side sectional view of a thick film thermistor according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 31 denotes a rectangular parallelepiped substrate made of Al 2 O 3 . 32 are A provided on both ends of the upper surface of the substrate 31.
g of the top electrode. 33 is a thermistor layer provided on the upper surface of the substrate 31 and electrically connected to the upper electrode 32. This thermistor layer 33 is made of V, Cr,
A metal oxide of at least two of the transition elements of Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Zn, a mixture of a thermosetting resin binder and a conductive powder, and a crystal transformation point of the mixture. It is formed by firing at a temperature not higher than the temperature. Reference numeral 34 denotes a lower electrode of Ag provided at both ends of the lower surface of the substrate 31. Reference numeral 35 denotes a protective layer made of a polyimide resin provided so as to cover the thermistor layer 33. Reference numeral 36 denotes an Ag side electrode provided on the side surface of the substrate 31 and electrically connected to the upper electrode 32 and the lower electrode 34. Reference numeral 37 denotes a plating layer made of Ni and solder provided so as to cover the upper electrode 32, the side electrode 36, and the lower electrode 34.
【００１６】以上のように構成された厚膜サーミスタに
ついて、以下にその製造方法を図面を参照しながら説明
する。A method of manufacturing the thick-film thermistor configured as described above will be described below with reference to the drawings.
【００１７】図２は本発明の一実施の形態における厚膜
サーミスタの製造方法の工程図、図３は同工程図であ
る。まず、図２（ａ）に示すように、ボールミル４１に
Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉを５０：２０：１０の原子％比で投入
し、粉砕する。次に、図２（ｂ）に示すように、炉４２
に粉砕された前記Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉを焼成炉４２に投入
し、約１２４０℃で固相反応させて、スピネル構造体を
形成させる。次に、図２（ｃ）に示すように、フーバー
マーラ４３に、前記Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉのスピネル構造体
５７ｗｔ％と、熱硬化性ポリイミド樹脂２６ｗｔ％と、
ＲｕＯ2粉末８ｗｔ％と、Ｐｄ粉末９ｗｔ％とを投入
し、有機溶剤を添加しながら練り合わせてサーミスタの
ペーストを形成する。次に、図２（ｄ）に示すように、
連結されたＡｌ2Ｏ3からなる連結基板４４を準備する。
次に、図２（ｅ）に示すように、連結基板４４の上面お
よび下面にＡｇの厚膜ペーストをスクリーン印刷した
後、焼成炉（図示せず）に投入し、８５０℃で１０分間
焼成し、上面電極３２および下面電極３４を形成する。
次に、図３（ａ）に示すように、上面電極３２の上面に
一部重なるように、サーミスタのペーストをスクリーン
印刷し、２７０℃で３０分間焼成し、サーミスタ層３３
を形成する。このとき、前記Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉのスピネ
ル構造体の立方晶系から正方晶系への結晶変態点温度は
約５８０℃であるので、２７０℃で焼成することによ
り、スピネル構造体を保持できるという作用を有するも
のである。次に、図３（ｂ）に示すように、サンドブラ
スト等の方法により、サーミスタ層３３の一部を削り取
り、サーミスタ層３３の抵抗値を調整する。次に、図３
（ｃ）に示すように、サーミスタ層３３を覆うように熱
硬化性ポリイミド樹脂をスクリーン印刷した後、１８０
℃で３０分間焼成し、保護層３５を形成する。次に、図
３（ｄ）に示すように、連結基板４４を短冊状に分割
し、分割基板４５にする。次に、図３（ｅ）に示すよう
に、分割基板４５の切断面に上面電極３２と電気的に接
続するように高耐熱エポキシ変性フェノール樹脂系のＮ
ｉの厚膜ペーストを印刷した後、１６０℃で３０分間焼
成し、側面電極３６を形成する。最後に、図３（ｆ）に
示すように、分割基板４５を分割した後、上面電極３２
と側面電極３６と下面電極３４とを覆うようにＮｉメッ
キと半田メッキとを施す。FIG. 2 is a process diagram of a method of manufacturing a thick film thermistor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a process diagram of the same. First, as shown in FIG. 2A, Mn, Co, and Ni are charged into a ball mill 41 at an atomic% ratio of 50:20:10, and pulverized. Next, as shown in FIG.
The crushed Mn, Co, and Ni are charged into a firing furnace 42 and subjected to a solid-phase reaction at about 1240 ° C. to form a spinel structure. Next, as shown in FIG. 2C, the Hoover Marla 43 was provided with 57 wt% of the Mn, Co, and Ni spinel structure, and 26 wt% of the thermosetting polyimide resin.
8 wt% of RuO 2 powder and 9 wt% of Pd powder are charged and kneaded while adding an organic solvent to form a thermistor paste. Next, as shown in FIG.
A connection substrate 44 made of connected Al 2 O 3 is prepared.
Next, as shown in FIG. 2E, a thick paste of Ag is screen-printed on the upper surface and the lower surface of the connection substrate 44, then put into a firing furnace (not shown), and fired at 850 ° C. for 10 minutes. The upper electrode 32 and the lower electrode 34 are formed.
Next, as shown in FIG. 3A, a thermistor paste is screen-printed so as to partially overlap the upper surface of the upper electrode 32, and baked at 270 ° C. for 30 minutes to form a thermistor layer 33.
To form At this time, since the Mn, Co, Ni spinel structure has a crystal transformation point temperature of about 580 ° C. from a cubic system to a tetragonal system, it can be said that the spinel structure can be maintained by firing at 270 ° C. It has an action. Next, as shown in FIG. 3B, a part of the thermistor layer 33 is cut off by a method such as sandblasting, and the resistance value of the thermistor layer 33 is adjusted. Next, FIG.
As shown in (c), after thermosetting polyimide resin is screen-printed to cover the thermistor layer 33, 180
Baking is performed at 30 ° C. for 30 minutes to form a protective layer 35. Next, as shown in FIG. 3D, the connecting board 44 is divided into strips to form a divided board 45. Next, as shown in FIG. 3 (e), a high heat resistant epoxy-modified phenolic resin-based N
After printing the thick film paste of i, it is baked at 160 ° C. for 30 minutes to form the side electrode 36. Finally, as shown in FIG. 3F, after dividing the divided substrate 45, the upper surface electrode 32 is divided.
Ni plating and solder plating are applied so as to cover the side electrodes 36 and the lower electrodes 34.
【００１８】以上のように構成された本発明の一実施の
形態における厚膜サーミスタについて以下にその動作を
説明する。The operation of the thick-film thermistor according to one embodiment of the present invention configured as described above will be described below.
【００１９】予め、厚膜サーミスタ３３の一対の側面電
極３６の一方に電圧を負荷するとともに、他方の側面電
極３６の電圧の降下を測定する。このとき、温度の変化
とともにサーミスタ層３３の抵抗値が変化し、側面電極
３６の出力電圧が変化する。A voltage is previously applied to one of the pair of side electrodes 36 of the thick film thermistor 33, and a voltage drop of the other side electrode 36 is measured. At this time, the resistance value of the thermistor layer 33 changes as the temperature changes, and the output voltage of the side electrode 36 changes.
【００２０】なお、本発明の一実施の形態における厚膜
サーミスタにおいては、上面電極３２と、側面電極３６
と、下面電極３４とを別々に形成したが、一度に形成し
ても良い。In the thick film thermistor according to the embodiment of the present invention, the upper electrode 32 and the side electrode 36
And the lower electrode 34 are formed separately, but may be formed at once.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上のように本発明は、サーミスタ層を
Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移
元素のうち少なくとも二つ以上の元素の金属酸化物と、
熱硬化性樹脂バインダーと、導電性粉末との混合物と
を、この混合物の結晶変態点温度以下で焼成することに
より、サーミスタ層のスピネル構造体を保持できるの
で、高温時での経時変化の少ない特性の向上した厚膜サ
ーミスタを提供することができるという効果を有するも
のである。As described above, according to the present invention, the thermistor layer is made of a metal oxide of at least two of the transition elements V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Zn.
By sintering a mixture of a thermosetting resin binder and a conductive powder at a temperature below the crystal transformation point of the mixture, the spinel structure of the thermistor layer can be retained, so that there is little change with time at high temperatures. This has the effect of providing a thick-film thermistor with improved characteristics.
【図１】本発明の一実施の形態における厚膜サーミスタ
の側断面図FIG. 1 is a side sectional view of a thick film thermistor according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施の形態における厚膜サーミスタ
の製造方法の工程図FIG. 2 is a process diagram of a method of manufacturing a thick-film thermistor according to an embodiment of the present invention.
【図３】同工程図[Fig. 3]
【図４】従来の厚膜サーミスタの側断面図FIG. 4 is a side sectional view of a conventional thick film thermistor.
３１ 基板 ３２ 上面電極 ３３ サーミスタ層 ３４ 下面電極 ３５ 保護層 ３６ 側面電極 ３７ メッキ層 31 Substrate 32 Upper electrode 33 Thermistor layer 34 Lower electrode 35 Protective layer 36 Side electrode 37 Plating layer
Claims (3)
部に渡って設けられた電極と、前記基板の上面に設けら
れるとともに前記電極と電気的に接続されたサーミスタ
層とを備え、このサーミスタ層はＶ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素のうち少なくと
も二つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹脂バイン
ダーと、導電性粉末との混合物とを、この混合物の結晶
変態点温度以下で焼成した厚膜サーミスタ。1. A substrate, comprising: electrodes provided from both ends of the upper surface of the substrate to side surfaces; and a thermistor layer provided on the upper surface of the substrate and electrically connected to the electrodes. V, Cr, Mn, F
e, a mixture of a metal oxide of at least two or more of transition elements of Co, Ni, Cu, and Zn, a thermosetting resin binder, and a conductive powder, at or below the crystal transformation point temperature of the mixture. Thick thermistor fired at
れた上面電極と、前記基板の上面に設けられるとともに
前記上面電極と電気的に接続されたサーミスタ層と、前
記基板の下面両端部に設けられた下面電極と、前記サー
ミスタ層を覆うように設けられた保護層と、前記基板の
側面に設けられ前記上面電極と下面電極とに電気的に接
続された側面電極とを備え、前記サーミスタ層はＶ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎの遷移元素の
うち少なくとも二つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化
性樹脂バインダーと、導電性粉末との混合物とを、この
混合物の結晶変態点温度以下で焼成した厚膜サーミス
タ。2. A substrate, an upper electrode provided at both ends of an upper surface of the substrate, a thermistor layer provided on an upper surface of the substrate and electrically connected to the upper electrode, and both ends of a lower surface of the substrate. A lower electrode, a protective layer provided to cover the thermistor layer, and a side electrode provided on a side surface of the substrate and electrically connected to the upper electrode and the lower electrode. Thermistor layer is V, C
A mixture of a metal oxide of at least two or more of the transition elements of r, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, and Zn, a thermosetting resin binder, and a conductive powder is crystallized from the mixture. Thick film thermistor fired below the transformation point temperature.
ｕ，Ｚｎの遷移元素のうち少なくとも二つ以上の元素か
らなる金属を粉砕する工程と、この粉砕された金属を焼
成炉で固相反応させてスピネル構造体を形成する工程
と、このスピネル構造体と、熱硬化性ポリイミド樹脂
と、ＲｕＯ2粉末と、Ｐｄ粉末と、有機溶剤とを練り合
わせサーミスタペーストを形成する工程と、基板の上面
および下面にＡｇの厚膜ペーストを印刷した後焼成して
上面電極と下面電極とを形成する工程と、前記基板の上
面電極の上面に一部重なるように前記サーミスタペース
トを印刷した後焼成しサーミスタ層を形成する工程と、
前記サーミスタ層の上面を覆うように熱硬化性樹脂を印
刷後焼成して保護層を形成する工程と、前記基板の側面
に前記上面電極と側面電極と電気的に接続されるように
Ｎｉの厚膜ペーストを印刷後焼成して側面電極を形成す
る工程と、前記基板の上面電極と側面電極と下面電極と
を覆うようにＮｉメッキと半田メッキを施す工程とから
なる厚膜サーミスタの製造方法。3. V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, C
a step of pulverizing a metal composed of at least two of the u and Zn transition elements, a step of subjecting the pulverized metal to a solid phase reaction in a firing furnace to form a spinel structure, A step of kneading a thermosetting polyimide resin, RuO 2 powder, Pd powder, and an organic solvent to form a thermistor paste; printing a thick film paste of Ag on the upper and lower surfaces of the substrate; Forming an electrode and a lower electrode, and forming a thermistor layer by printing and firing the thermistor paste so as to partially overlap the upper surface of the upper electrode of the substrate;
Printing and curing a thermosetting resin to cover the upper surface of the thermistor layer to form a protective layer; and forming a Ni layer on the side surface of the substrate so as to electrically connect the upper surface electrode and the side surface electrode. A method of manufacturing a thick film thermistor, comprising: a step of forming a side electrode by printing and firing a film paste; and a step of performing Ni plating and solder plating so as to cover an upper electrode, a side electrode, and a lower electrode of the substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104471A JPH10294204A (en) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | Thick-film thermistor and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104471A JPH10294204A (en) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | Thick-film thermistor and manufacturing method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294204A true JPH10294204A (en) | 1998-11-04 |
Family
ID=14381509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9104471A Pending JPH10294204A (en) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | Thick-film thermistor and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10294204A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361310B1 (en) * | 2000-05-25 | 2002-11-18 | (주) 래트론 | Negative Temperature Coefficient Thermistor Device using Spinel Ferrite |
| DE10045658B4 (en) * | 1999-09-16 | 2006-06-29 | Ube Industries, Ltd., Ube | Thermistor composition and its use |
| JP2008130639A (en) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermistor |
| JP2010202490A (en) * | 2009-02-04 | 2010-09-16 | Ngk Insulators Ltd | Method for producing transition metal oxide having spinel structure |
| US8183973B2 (en) | 2009-04-13 | 2012-05-22 | Korea Institute Of Machinery And Materials | Highly dense and non-grained spinel NTC thermistor thick film and method for preparing the same |
| JP2020112701A (en) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | 東芝ライテック株式会社 | Heater and image forming device |
| CN114853448A (en) * | 2022-06-08 | 2022-08-05 | 中国振华集团云科电子有限公司 | Preparation method of negative temperature coefficient thermal sensitive ceramic material for low-temperature co-firing |
-
1997
- 1997-04-22 JP JP9104471A patent/JPH10294204A/en active Pending
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