JPH10276062A - 弾性表面波デバイス - Google Patents

弾性表面波デバイス

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JPH10276062A
JPH10276062A JP9080212A JP8021297A JPH10276062A JP H10276062 A JPH10276062 A JP H10276062A JP 9080212 A JP9080212 A JP 9080212A JP 8021297 A JP8021297 A JP 8021297A JP H10276062 A JPH10276062 A JP H10276062A
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JP
Japan
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electrode finger
grating reflector
reflector
surface acoustic
acoustic wave
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JP9080212A
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Naoki Tanaka
直樹 田中
Kazuya Futaki
一也 二木
Fumio Kameoka
史男 亀岡
Masami Ikeda
雅巳 池田
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/643—Means for obtaining a particular transfer characteristic the transfer characteristic being determined by reflective or coupling array characteristics

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 インターディジタル型トランスデューサ１と
グレーティング反射器２とにより構成される共振器を、
圧電基板上に１個あるいは複数個接続して形成した弾性
表面波デバイスにおいて、グレーティング反射器の反射
効率を改善することにより、デバイスを小型化する。 【解決手段】 グレーティング反射器２として開放型メ
タルストリップアレイ反射器２１を用いる場合には、グ
レーティング反射器の電極指デューティ比を７０〜８０
％とし、短絡型メタルストリップアレイ反射器２２を用
いる場合には、グレーティング反射器の電極指デューテ
ィ比を４５〜５５％とし、インターディジタル型メタル
ストリップアレイ反射器２３を用いる場合には、グレー
ティング反射器の電極指デューティ比を７０〜８５％と
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機器等
に用いられる弾性表面波デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波（以下、ＳＡＷと略称す
る。）を利用した高周波デバイスは、携帯電話等の通信
機器に幅広く用いられている。
【０００３】ＳＡＷデバイスの一つとして、インターデ
ィジタル型トランスデューサー（以下、ＩＤＴと略称す
る。）とグレーティング反射器とにより構成される共振
器を、圧電基板上に１個あるいは複数個接続して形成し
た共振器型ＳＡＷフィルタがある。１個のＩＤＴ1の両
側にグレーティング反射器２を配置した最も基本的な共
振器の構成を、図１に示す。共振器型ＳＡＷフィルタの
例としては、横モード結合共振器型ＳＡＷフィルタ、縦
モード結合共振器型ＳＡＷフィルタ、ラダー接続共振器
型ＳＡＷフィルタ等がある。
【０００４】近年、移動体通信機器の高性能化、小型化
が進むにつれ、ＳＡＷデバイスの高性能化、小型化の必
要性が高まっている。共振器型ＳＡＷフィルタの小型化
にはフィルタを構成する共振器自体の小型化が必要不可
欠である。
【０００５】共振器の小型化へのアプローチとしては、 低音速基板を用いることによる電極指ピッチの狭小
化、 高結合係数を有する基板を用いることによる電極指本
数の減少及び電極指交差幅の減少、 励振効率及び反射効率の良い電極材料を用いることに
よる電極指本数の減少及び電極指交差幅の減少、 高励振効率を有するＩＤＴ構造や高反射効率を有する
グレーティング反射器構造を採用することによる電極指
本数の減少及び電極指交差幅の減少等の手法が考えられ
る。
【０００６】上記〜の手法は、基板材料や電極材料
の変更に伴って電極構造や製造プロセスも大幅に変更す
る必要があるため、実用的でないが、上記の手法によ
れば、材料の変更を伴わないため、従来の設計方法ある
いは製造方法を大幅に変更することなく、共振器の小型
化が可能になる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、インターデ
ィジタル型トランスデューサとグレーティング反射器と
により構成される共振器を、圧電基板上に１個あるいは
複数個接続して形成したＳＡＷデバイスにおいて、グレ
ーティング反射器の反射効率を改善することにより、デ
バイスの小型化を可能にするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の局面に従
ったＳＡＷデバイスは、ＩＤＴとグレーティング反射器
とにより構成される共振器を、圧電基板上に１個あるい
は複数個接続して形成したＳＡＷデバイスにおいて、グ
レーティング反射器を開放型メタルストリップアレイ反
射器とし、グレーティング反射器の電極指デューティ比
を、７０〜８０％としたことを特徴とするものであり、
好ましくは、ＩＤＴの電極指ピッチＬｉとグレーティン
グ反射器の電極指ピッチＬｇとの比Ｌｉ／Ｌｇを、０．
９８６〜０．９９４とし、弾性表面波の波長λｇに対す
るＩＤＴ及びグレーティング反射器の電極指膜厚Ｈの比
Ｈ／λｇを、０．０３以上としたことを特徴とするもの
である。
【０００９】本発明の第２の局面に従ったＳＡＷデバイ
スは、ＩＤＴとグレーティング反射器とにより構成され
る共振器を、圧電基板上に１個あるいは複数個接続して
形成した弾性表面波デバイスにおいて、グレーティング
反射器を短絡型メタルストリップアレイ反射器とし、グ
レーティング反射器の電極指デューティ比を、４５〜５
５％としたことを特徴とするものであり、好ましくは、
ＩＤＴの電極指ピッチＬｉとグレーティング反射器の電
極指ピッチＬｇとの比Ｌｉ／Ｌｇを、０．９８６〜０．
９９４とし、弾性表面波の波長λｇに対するＩＤＴ及び
グレーティング反射器の電極指膜厚Ｈの比Ｈ／λｇを、
０．０３以上としたことを特徴とするものである。
【００１０】本発明の第３の局面に従ったＳＡＷデバイ
スは、ＩＤＴとグレーティング反射器とにより構成され
る共振器を、圧電基板上に１個あるいは複数個接続して
形成した弾性表面波デバイスにおいて、グレーティング
反射器をインターディジタル型メタルストリップアレイ
反射器とし、グレーティング反射器の電極指デューティ
比を、７０〜８５％としたことを特徴とするものであ
り、好ましくは、ＩＤＴの電極指ピッチＬｉとグレーテ
ィング反射器の電極指ピッチＬｇとの比Ｌｉ／Ｌｇを、
０．９９６〜１．００４とし、弾性表面波の波長λｇに
対するＩＤＴ及びグレーティング反射器の電極指膜厚Ｈ
の比Ｈ／λｇを、０．０３以上としたことを特徴とする
ものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明第１実施例によるＳＡＷデ
バイスは、ＩＤＴ１とグレーティング反射器２とにより
構成される図１に示すような共振器を、圧電基板上に１
個あるいは複数個接続して形成したＳＡＷデバイスにお
いて、グレーティング反射器２を図２に示すような開放
型メタルストリップアレイ反射器２１とし、グレーティ
ング反射器２１の電極指デューティ比２Ｄｇ１／Ｌｇ１
を約７５％とし、ＩＤＴ１の電極指ピッチＬｉとグレー
ティング反射器２１の電極指ピッチＬｇ１との比Ｌｉ／
Ｌｇ１を約０．９９０とし、弾性表面波の波長λｇに対
するＩＤＴ１及びグレーティング反射器２１の電極指膜
厚Ｈの比Ｈ／λｇを約０．０３４としたものである。
【００１２】本発明第２実施例によるＳＡＷデバイス
は、ＩＤＴ１とグレーティング反射器２とにより構成さ
れる図１に示すような共振器を、圧電基板上に１個ある
いは複数個接続して形成したＳＡＷデバイスにおいて、
グレーティング反射器２を図３に示すような短絡型メタ
ルストリップアレイ反射器２２とし、グレーティング反
射器２２の電極指デューティ比２Ｄｇ２／Ｌｇ２を約５
０％とし、ＩＤＴ１の電極指ピッチＬｉとグレーティン
グ反射器の電極指ピッチＬｇ２との比Ｌｉ／Ｌｇ２を約
０．９９０とし、弾性表面波の波長λｇに対するＩＤＴ
１及びグレーティング反射器２２の電極指膜厚Ｈの比Ｈ
／λｇを約０．０３４としたものである。
【００１３】本発明第３実施例によるＳＡＷデバイス
は、ＩＤＴ１とグレーティング反射器２とにより構成さ
れる図１に示すような共振器を、圧電基板上に１個ある
いは複数個接続して形成したＳＡＷデバイスにおいて、
グレーティング反射器２を図４に示すようなインターデ
ィジタル型メタルストリップアレイ反射器２３とし、グ
レーティング反射器２３の電極指デューティ比２Ｄｇ３
／Ｌｇ３を約８０％とし、ＩＤＴ１の電極指ピッチＬｉ
とグレーティング反射器２３の電極指ピッチＬｇ３との
比Ｌｉ／Ｌｇ３を約１．０００とし、弾性表面波の波長
λｇに対するＩＤＴ１及びグレーティング反射器２３の
電極指膜厚Ｈの比Ｈ／λｇを約０．０３４としたもので
ある。
【００１４】以下、本発明を導出するに至った実験の経
緯について説明する。
【００１５】グレーティング反射器の反射効率を求める
ための実験に用いた電極の平面構成を図５に示す。この
電極構成は、入力用ＩＤＴ３、出力用ＩＤＴ４及びグレ
ーティング反射器５を備える。ここで、入力用ＩＤＴ３
及び出力用ＩＤＴ４の電極指本数は各２１本、グレーテ
ィング反射器５の電極指本数は５０本、入力用ＩＤＴ
３、出力用ＩＤＴ４及びグレーティング反射器５の電極
指交差幅Ｗはいずれも９００μｍ、入力用ＩＤＴ３と出
力用ＩＤＴ４との間隔Ｌ１は２２５μｍ、入力用ＩＤＴ
３とグレーティング反射器５との間隔Ｌ２は１２６９μ
ｍ、入力用ＩＤＴ３及び出力用ＩＤＴ４の電極指デュー
ティ比２Ｄｉ／Ｌｉ、２Ｄｏ／Ｌｏはいずれも６０％で
ある。入力用ＩＤＴ３と出力用ＩＤＴ４は同一の形状を
有するＩＤＴである。基板材としては３３°回転Ｙカッ
ト−Ｘ平行伝搬の水晶を用い、電極材としてはアルミニ
ウムのスパッタリング膜を用いた。そして、入力用ＩＤ
Ｔ３から出て出力用ＩＤＴ４に直接到達するＳＡＷ１の
パワーＰ１と、入力用ＩＤＴ３から出てグレーティング
反射器５で反射された後、出力用ＩＤＴ４に到達するＳ
ＡＷ２のパワーＰ２とを、ネットワークアナライザーを
用いて測定し、反射効率＝Ｐ２／Ｐ１を求めた。
【００１６】図５の電極構成におけるグレーティング反
射器５として前記図２に示したような開放型メタルスト
リップアレイ反射器２１用い、弾性表面波の波長λｇに
対する入力用ＩＤＴ３、出力用ＩＤＴ４及びグレーティ
ング反射器２１の電極指膜厚Ｈの比Ｈ／λｇを０．０２
０、０．０２７又は０．０３４とした場合について、グ
レーティング反射器２１の電極指デューティ比２Ｄｇ１
／Ｌｇ１の変化による反射効率Ｐ２／Ｐ１の変化を、図
６に示す。なお、入力用ＩＤＴ３の電極指ピッチＬｉ＝
出力用ＩＤＴ４の電極指ピッチＬｏとグレーティング反
射器２１の電極指ピッチＬｇ１との比Ｌｉ／Ｌｇ１＝Ｌ
ｏ／Ｌｇ１は、１．０００とした。
【００１７】図６を見ればわかるように、グレーティン
グ反射器２１の電極指デューティ比２Ｄｇ１／Ｌｇ１が
７５％の時に反射効率は最大となり、７０〜８０％の時
に反射効率は最大に近い。
【００１８】図５の電極構成におけるグレーティング反
射器５として前記図２に示したような開放型メタルスト
リップアレイ反射器２１用い、弾性表面波の波長λｇに
対する入力用ＩＤＴ３、出力用ＩＤＴ４及びグレーティ
ング反射器２１の電極指膜厚Ｈの比Ｈ／λｇを０．０２
０、０．０２７又は０．０３４とした場合について、入
力用ＩＤＴ３の電極指ピッチＬｉ＝出力用ＩＤＴ４の電
極指ピッチＬｏとグレーティング反射器２１の電極指ピ
ッチＬｇ１との比Ｌｉ／Ｌｇ１＝Ｌｏ／Ｌｇ１の変化に
よる反射効率Ｐ２／Ｐ１の変化を、図７に示す。なお、
グレーティング反射器２１の電極指デューティ比２Ｄｇ
１／Ｌｇ１は、７５％とした。
【００１９】図７を見ればわかるように、入力用ＩＤＴ
３の電極指ピッチＬｉ＝出力用ＩＤＴ４の電極指ピッチ
Ｌｏとグレーティング反射器２１の電極指ピッチＬｇ１
との比Ｌｉ／Ｌｇ１＝Ｌｏ／Ｌｇ１が０．９９０の時に
反射効率は最大となり、０．９８６〜０．９９４の時に
反射効率は最大に近い。
【００２０】又、図６及び図７のいずれにおいても、弾
性表面波の波長λｇに対する入力用ＩＤＴ３、出力用Ｉ
ＤＴ４及びグレーティング反射器２１の電極指膜厚Ｈの
比Ｈ／λｇが大きいほど、反射効率は大きくなってい
る。
【００２１】図５の電極構成におけるグレーティング反
射器５として前記図３に示したような短絡型メタルスト
リップアレイ反射器２２用い、弾性表面波の波長λｇに
対する入力用ＩＤＴ３、出力用ＩＤＴ４及びグレーティ
ング反射器２２の電極指膜厚Ｈの比Ｈ／λｇを０．０２
０、０．０２７又は０．０３４とした場合について、グ
レーティング反射器２２の電極指デューティ比２Ｄｇ２
／Ｌｇ２の変化による反射効率Ｐ２／Ｐ１の変化を、図
８に示す。なお、入力用ＩＤＴ３の電極指ピッチＬｉ＝
出力用ＩＤＴ４の電極指ピッチＬｏとグレーティング反
射器２２の電極指ピッチＬｇ２との比Ｌｉ／Ｌｇ２＝Ｌ
ｏ／Ｌｇ２は、１．０００とした。
【００２２】図８を見ればわかるように、グレーティン
グ反射器２２の電極指デューティ比２Ｄｇ２／Ｌｇ２が
５０％の時に反射効率は最大となり、４５〜５５％の時
に反射効率は最大に近い。
【００２３】図５の電極構成におけるグレーティング反
射器５として前記図３に示したような短絡型メタルスト
リップアレイ反射器２２用い、弾性表面波の波長λｇに
対する入力用ＩＤＴ３、出力用ＩＤＴ４及びグレーティ
ング反射器２２の電極指膜厚Ｈの比Ｈ／λｇを０．０２
０、０．０２７又は０．０３４とした場合について、入
力用ＩＤＴ３の電極指ピッチＬｉ＝出力用ＩＤＴ４の電
極指ピッチＬｏとグレーティング反射器２２の電極指ピ
ッチＬｇ１との比Ｌｉ／Ｌｇ２＝Ｌｏ／Ｌｇ２の変化に
よる反射効率Ｐ２／Ｐ１の変化を、図９に示す。なお、
グレーティング反射器２２の電極指デューティ比２Ｄｇ
２／Ｌｇ２は、５０％とした。
【００２４】図９を見ればわかるように、入力用ＩＤＴ
３の電極指ピッチＬｉ＝出力用ＩＤＴ４の電極指ピッチ
Ｌｏとグレーティング反射器２２の電極指ピッチＬｇ２
との比Ｌｉ／Ｌｇ２＝Ｌｏ／Ｌｇ２が０．９９０の時に
反射効率は最大となり、０．９８６〜０．９９４の時に
反射効率は最大に近い。
【００２５】又、図８及び図９のいずれにおいても、弾
性表面波の波長λｇに対する入力用ＩＤＴ３、出力用Ｉ
ＤＴ４及びグレーティング反射器２２の電極指膜厚Ｈの
比Ｈ／λｇが大きいほど、反射効率は大きくなってい
る。
【００２６】図５の電極構成におけるグレーティング反
射器５として前記図４に示したようなインターディジタ
ル型メタルストリップアレイ反射器２３用い、弾性表面
波の波長λｇに対する入力用ＩＤＴ３、出力用ＩＤＴ４
及びグレーティング反射器２３の電極指膜厚Ｈの比Ｈ／
λｇを０．０２０、０．０２７又は０．０３４とした場
合について、グレーティング反射器２３の電極指デュー
ティ比２Ｄｇ３／Ｌｇ３の変化による反射効率Ｐ２／Ｐ
１の変化を、図１０に示す。なお、入力用ＩＤＴ３の電
極指ピッチＬｉ＝出力用ＩＤＴ４の電極指ピッチＬｏと
グレーティング反射器２３の電極指ピッチＬｇ３との比
Ｌｉ／Ｌｇ３＝Ｌｏ／Ｌｇ３は、１．０００とした。
【００２７】図８を見ればわかるように、グレーティン
グ反射器２１の電極指デューティ比２Ｄｇ２／Ｌｇ２が
８０％の時に反射効率は最大となり、７０〜８５％の時
に反射効率は最大に近い。
【００２８】図５の電極構成におけるグレーティング反
射器５として前記図３に示したようなインターディジタ
ル型メタルストリップアレイ反射器２３用い、弾性表面
波の波長λｇに対する入力用ＩＤＴ３、出力用ＩＤＴ４
及びグレーティング反射器２３の電極指膜厚Ｈの比Ｈ／
λｇを０．０２０、０．０２７又は０．０３４とした場
合について、入力用ＩＤＴ３の電極指ピッチＬｉ＝出力
用ＩＤＴ４の電極指ピッチＬｏとグレーティング反射器
２３の電極指ピッチＬｇ１との比Ｌｉ／Ｌｇ３＝Ｌｏ／
Ｌｇ３の変化による反射効率Ｐ２／Ｐ１の変化を、図９
に示す。なお、グレーティング反射器２３の電極指デュ
ーティ比２Ｄｇ３／Ｌｇ３は、８０％とした。
【００２９】図７を見ればわかるように、入力用ＩＤＴ
３の電極指ピッチＬｉ＝出力用ＩＤＴ４の電極指ピッチ
Ｌｏとグレーティング反射器２２の電極指ピッチＬｇ２
との比Ｌｉ／Ｌｇ１＝Ｌｏ／Ｌｇ１が１．０００の時に
反射効率は最大となり、０．９９８〜１．００２の時に
反射効率は最大に近い。
【００３０】又、図１０及び図１１のいずれにおいて
も、弾性表面波の波長λｇに対する入力用ＩＤＴ３、出
力用ＩＤＴ４及びグレーティング反射器２３の電極指膜
厚Ｈの比Ｈ／λｇが大きいほど、反射効率は大きくなっ
ている。
【００３１】ここで、本発明を横モード結合共振器型Ｓ
ＡＷフィルタに適用した例について説明する。横モード
結合共振器型ＳＡＷフィルタは、図１２に示すように、
ＩＤＴ1の両側にグレーティング反射器２を配置した２
個の共振器を近接並置することにより、基本の対称モー
ドと高次の反対称モードの波を伝搬させ、対称モードの
***振周波数と反対称モードの共振周波数とを一致させ
て、フィルタ特性を得るものである。通常、帯域外抑圧
を確保するために、図１２に示したフィルタを２個縦続
接続して用いる。
【００３２】図１２の電極構成におけるグレーティング
反射器として、本発明に従った電極指数５０本の開放型
メタルストリップアレイ反射器を用いた場合のフィルタ
特性を図１３に示し、従来技術による電極指数５０本の
開放型メタルストリップアレイ反射器を用いた場合のフ
ィルタ特性を図１４に示し、従来技術による電極指数１
１４本の開放型メタルストリップアレイ反射器を用いた
場合のフィルタ特性を図１５に示す。ここで、図１３〜
図１５に対応する各フィルタのＩＤＴは、いずれも同一
形状のものであり、電極指交差幅Ｗが３３３μｍ、ギャ
ップ゜幅Ｇが３７μｍ、ＩＤＴ本数が２３４本である。
そして、図１３に対応する本発明実施例フィルタにおけ
るグレーティング反射器の電極指デューティ比は７５
％、Ｌｉ／Ｌｇは０．９９０、Ｈ／λｇは０．０３４で
ある。
【００３３】図１３の特性は、グレーティング反射器の
電極指本数が等しい図１４の場合に比べて、特に挿入損
失の点で優れた特性となっている。又、図１３の特性
は、グレーティング反射器本数を図１５の場合の１／２
以下としたにもかかわらず、挿入損失、通過帯域幅、帯
域外抑圧に関して、図１５の特性と同等あるいはそれ以
上の良好な特性となっている。
【００３４】斯くして、本発明に従ったグレーティング
反射器を用いることにより、特性を劣化させることなく
ＳＡＷデバイスの小型化が実現される。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、ＩＤＴとグレーティン
グ反射器とにより構成される共振器を、圧電基板上に１
個あるいは複数個接続して形成したＳＡＷデバイスにお
いて、グレーティング反射器１本当たりの反射効率が向
上し、従来に比べてグレーティング反射器の電極指本数
を減らすことができるので、共振器の小型化、ひいては
デバイスの小型化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＩＤＴとグレーティング反射器とを備える共振
器の平面構成図である。
【図２】開放型メタルストリップアレイ反射器の平面構
成図である。
【図３】短絡型メタルストリップアレイ反射器の平面構
成図である。
【図４】インターディジタル型メタルストリップアレイ
反射器の平面構成図である。
【図５】反射効率を測定するための実験に用いた電極の
平面構成図である。
【図６】開放型メタルストリップアレイ反射器における
反射効率の電極指デューティ比依存性を示す実験結果図
である。
【図７】開放型メタルストリップアレイ反射器における
反射効率のＬｉ／Ｌｇ依存性を示す実験結果図である。
【図８】短絡型メタルストリップアレイ反射器における
反射効率の電極指デューティ比依存性を示す実験結果図
である。
【図９】短絡型メタルストリップアレイ反射器における
反射効率のＬｉ／Ｌｇ依存性を示す実験結果図である。
【図１０】インターディジタル型メタルストリップアレ
イ反射器における反射効率の電極指デューティ比依存性
を示す実験結果図である。
【図１１】インターディジタル型メタルストリップアレ
イ反射器における反射効率のＬｉ／Ｌｇ依存性を示す実
験結果図である。
【図１２】横モード結合共振器型ＳＡＷフィルタの平面
構造図である。
【図１３】本発明実施例による横モード結合共振器型Ｓ
ＡＷフィルタの特性図である。
【図１４】第１従来例による横モード結合共振器型ＳＡ
Ｗフィルタの特性図である。
【図１５】第２従来例による横モード結合共振器型ＳＡ
Ｗフィルタの特性図である。
【符号の説明】
１ ＩＤＴ ２ グレーティング反射器 ２１ 開放型メタルストリップアレイ反射器 ２２ 短絡型メタルストリップアレイ反射器 ２３ インターディジタル型メタルストリップアレイ反
射器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 雅巳 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 インターディジタル型トランスデューサ
    ーとグレーティング反射器とにより構成される共振器
    を、圧電基板上に１個あるいは複数個接続して形成した
    弾性表面波デバイスにおいて、グレーティング反射器を
    開放型メタルストリップアレイ反射器とし、グレーティ
    ング反射器の電極指デューティ比を、７０〜８０％とし
    たことを特徴とする弾性表面波デバイス。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の弾性表面波デバイスにお
    いて、インターディジタル型トランスデューサーの電極
    指ピッチＬｉとグレーティング反射器の電極指ピッチＬ
    ｇとの比Ｌｉ／Ｌｇを、０．９８６〜０．９９４とした
    ことを特徴とする弾性表面波デバイス
  3. 【請求項３】 請求項２記載の弾性表面波デバイスにお
    いて、弾性表面波の波長λｇに対するインターディジタ
    ル型トランスデューサー及びグレーティング反射器の電
    極指膜厚Ｈの比Ｈ／λｇを、０．０３以上としたことを
    特徴とする弾性表面波デバイス。
  4. 【請求項４】 インターディジタル型トランスデューサ
    ーとグレーティング反射器とにより構成される共振器
    を、圧電基板上に１個あるいは複数個接続して形成した
    弾性表面波デバイスにおいて、グレーティング反射器を
    短絡型メタルストリップアレイ反射器とし、グレーティ
    ング反射器の電極指デューティ比を、４５〜５５％とし
    たことを特徴とする弾性表面波デバイス。
  5. 【請求項５】 請求項４記載の弾性表面波デバイスにお
    いて、インターディジタル型トランスデューサーの電極
    指ピッチＬｉとグレーティング反射器の電極指ピッチＬ
    ｇとの比Ｌｉ／Ｌｇを、０．９８６〜０．９９４とした
    ことを特徴とする弾性表面波デバイス。
  6. 【請求項６】 請求項５記載の弾性表面波デバイスにお
    いて、弾性表面波の波長λｇに対するインターディジタ
    ル型トランスデューサー及びグレーティング反射器の電
    極指膜厚Ｈの比Ｈ／λｇを、０．０３以上としたことを
    特徴とする弾性表面波デバイス。
  7. 【請求項７】 インターディジタル型トランスデューサ
    ーとグレーティング反射器とにより構成される共振器
    を、圧電基板上に１個あるいは複数個接続して形成した
    弾性表面波デバイスにおいて、グレーティング反射器を
    インターディジタル型メタルストリップアレイ反射器と
    し、グレーティング反射器の電極指デューティ比を、７
    ０〜８５％としたことを特徴とする弾性表面波デバイ
    ス。
  8. 【請求項８】 請求項７記載の弾性表面波デバイスにお
    いて、インターディジタル型トランスデューサーの電極
    指ピッチＬｉとグレーティング反射器の電極指ピッチＬ
    ｇとの比Ｌｉ／Ｌｇを、０．９９６〜１．００４とした
    ことを特徴とする弾性表面波デバイス。
  9. 【請求項９】 請求項８記載の弾性表面波デバイスにお
    いて、弾性表面波の波長λｇに対するインターディジタ
    ル型トランスデューサー及びグレーティング反射器の電
    極指膜厚Ｈの比Ｈ／λｇを、０．０３以上としたことを
    特徴とする弾性表面波デバイス。
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