JPH10275761A - レジスト塗布方法及びレジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布方法及びレジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH10275761A JPH10275761A JP8100897A JP8100897A JPH10275761A JP H10275761 A JPH10275761 A JP H10275761A JP 8100897 A JP8100897 A JP 8100897A JP 8100897 A JP8100897 A JP 8100897A JP H10275761 A JPH10275761 A JP H10275761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processed
- resist
- rotating
- holding member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理基板表面に波紋等が残存することがな
く一様にレジスト液を塗布することができるレジスト塗
布方法及びレジスト塗布装置の提供。 【解決手段】 工程4において半導体ウエハWを450
0rpmで回転させながら、レジストノズル86より半
導体ウエハWの中心にレジスト液を供給する。レジスト
液の供給を停止した直後の工程5において半導体ウエハ
Wの回転速度を急激に落とし、半導体ウエハWを200
0rpmの低速で回転する。この後の工程6において半
導体ウエハWの回転を加速し、半導体ウエハWを300
0rpmで回転する。この工程6において半導体ウエハ
W表面に塗布されたレジスト液の振り切り乾燥が行われ
る。
く一様にレジスト液を塗布することができるレジスト塗
布方法及びレジスト塗布装置の提供。 【解決手段】 工程4において半導体ウエハWを450
0rpmで回転させながら、レジストノズル86より半
導体ウエハWの中心にレジスト液を供給する。レジスト
液の供給を停止した直後の工程5において半導体ウエハ
Wの回転速度を急激に落とし、半導体ウエハWを200
0rpmの低速で回転する。この後の工程6において半
導体ウエハWの回転を加速し、半導体ウエハWを300
0rpmで回転する。この工程6において半導体ウエハ
W表面に塗布されたレジスト液の振り切り乾燥が行われ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理基板にレジスト液を塗布するレジスト塗布方法及
びレジスト塗布装置に関する。
被処理基板にレジスト液を塗布するレジスト塗布方法及
びレジスト塗布装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハ(以下、「ウエハ」という)の表面にレジスト膜を
形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウエハ
に対して露光処理を行った後に当該ウエハに対して現像
処理を行う現像処理とが行われる。
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハ(以下、「ウエハ」という)の表面にレジスト膜を
形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウエハ
に対して露光処理を行った後に当該ウエハに対して現像
処理を行う現像処理とが行われる。
【0003】レジスト塗布処理について注目すると、ウ
エハ表面にレジスト液を均一に塗布するための方法とし
てスピンコーティング法などが多用されている。
エハ表面にレジスト液を均一に塗布するための方法とし
てスピンコーティング法などが多用されている。
【0004】図10はかかるスピンコーティング法の概
要を示すものである。例えばスピンチャック141によ
り真空吸着によって半導体ウエハWを固定保持した状態
で、図示を省略した回転駆動手段によりスピンチャック
141と共に半導体ウエハWを回転させ、半導体ウエハ
Wの上方に配置されたレジストノズル142より半導体
ウエハW表面の中央にレジスト液を供給する。供給され
たレジスト液は遠心力によって半導体ウエハWの外周に
向かって広がり、その後レジスト液の供給は停止する
が、回転速度を落としつつ回転を継続して半導体ウエハ
Wの表面に広がったレジスト液の振り切り乾燥を行う。
要を示すものである。例えばスピンチャック141によ
り真空吸着によって半導体ウエハWを固定保持した状態
で、図示を省略した回転駆動手段によりスピンチャック
141と共に半導体ウエハWを回転させ、半導体ウエハ
Wの上方に配置されたレジストノズル142より半導体
ウエハW表面の中央にレジスト液を供給する。供給され
たレジスト液は遠心力によって半導体ウエハWの外周に
向かって広がり、その後レジスト液の供給は停止する
が、回転速度を落としつつ回転を継続して半導体ウエハ
Wの表面に広がったレジスト液の振り切り乾燥を行う。
【0005】ところで、最近では製造コストの削減等の
理由によりレジスト消費量を減らすことを強く要請され
ており、その場合に上述したようにスピンコーティング
法を使ってレジスト液を塗布するようなときには、一般
的には半導体ウエハWをより高速で回転させながら半導
体ウエハWの中央にレジスト液を供給している。
理由によりレジスト消費量を減らすことを強く要請され
ており、その場合に上述したようにスピンコーティング
法を使ってレジスト液を塗布するようなときには、一般
的には半導体ウエハWをより高速で回転させながら半導
体ウエハWの中央にレジスト液を供給している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように半導体ウエハWを高速で回転させた場合には、
半導体ウエハW表面にレジスト膜による波紋の跡(塗布
不良)を生じ易いという問題がある。かかる波紋跡は、
レジストノズルにおける液切れ時のレジスト液の波紋が
原因となって、これが半導体ウエハWの回転に伴って広
がり、しかも半導体ウエハWを高速で回転させるとレジ
スト液の乾燥速度が速くなることから、レジスト液が半
導体ウエハW表面を均一に広がる以前に乾燥した結果生
じたものであると推定される。更にレジスト膜の薄膜化
に伴いレジスト材料の粘度が下がり、その表面張力も低
下するため、上記の波紋跡が従来の材料に比べて出やす
い傾向にある。
たように半導体ウエハWを高速で回転させた場合には、
半導体ウエハW表面にレジスト膜による波紋の跡(塗布
不良)を生じ易いという問題がある。かかる波紋跡は、
レジストノズルにおける液切れ時のレジスト液の波紋が
原因となって、これが半導体ウエハWの回転に伴って広
がり、しかも半導体ウエハWを高速で回転させるとレジ
スト液の乾燥速度が速くなることから、レジスト液が半
導体ウエハW表面を均一に広がる以前に乾燥した結果生
じたものであると推定される。更にレジスト膜の薄膜化
に伴いレジスト材料の粘度が下がり、その表面張力も低
下するため、上記の波紋跡が従来の材料に比べて出やす
い傾向にある。
【0007】この種の波紋跡の発生を回避するために
は、例えばレジストノズルがより正確に半導体ウエハW
表面の中央に来るようにレジストノズルの位置調整を行
って波紋が同心円状に広がるようにし、同心円状の波紋
が半導体ウエハWの外周を出たタイミングでレジスト液
が乾燥するように回転速度等をコントロールすればよ
い。
は、例えばレジストノズルがより正確に半導体ウエハW
表面の中央に来るようにレジストノズルの位置調整を行
って波紋が同心円状に広がるようにし、同心円状の波紋
が半導体ウエハWの外周を出たタイミングでレジスト液
が乾燥するように回転速度等をコントロールすればよ
い。
【0008】しかし、レジストノズルの位置調整の精度
を上げることや回転速度等のコントロールは非常に難し
く、上述した波紋跡の発生を完全に回避することはでき
なかった。
を上げることや回転速度等のコントロールは非常に難し
く、上述した波紋跡の発生を完全に回避することはでき
なかった。
【0009】加えて、半導体ウエハWを高速、例えば3
000rpmを越える回転速度で回転させてレジスト液
を広げる場合には、絶対膜厚が通常に比べて若干薄くな
る傾向にあり、またあるタイミングで急激に膜厚が薄く
なることもあるため、所望の一定膜厚が得られないこと
もあった。
000rpmを越える回転速度で回転させてレジスト液
を広げる場合には、絶対膜厚が通常に比べて若干薄くな
る傾向にあり、またあるタイミングで急激に膜厚が薄く
なることもあるため、所望の一定膜厚が得られないこと
もあった。
【0010】本発明はこのような課題を解決するための
もので、被処理基板表面に波紋跡等が残存することがな
く一様にレジスト液を塗布することができるレジスト塗
布方法及びレジスト塗布装置を提供することを目的とし
ている。
もので、被処理基板表面に波紋跡等が残存することがな
く一様にレジスト液を塗布することができるレジスト塗
布方法及びレジスト塗布装置を提供することを目的とし
ている。
【0011】また、本発明の別の目的は、薄膜であって
も所望の一定膜厚でレジスト膜を形成することが可能な
レジスト塗布方法及びレジスト塗布装置を提供すること
にある。
も所望の一定膜厚でレジスト膜を形成することが可能な
レジスト塗布方法及びレジスト塗布装置を提供すること
にある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の本発明では、被処理基板を回転しつ
つ被処理基板表面のほぼ中央にレジスト液を供給する工
程と、前記レジスト液の供給を停止した後、前記被処理
基板の回転を減速して被処理基板を低速で回転する工程
と、前記被処理基板を所定期間低速で回転した後、前記
被処理基板の回転を加速して被処理基板を高速で回転す
る工程とを具備することを特徴とする、レジスト塗布方
法が提供される。
に、請求項1記載の本発明では、被処理基板を回転しつ
つ被処理基板表面のほぼ中央にレジスト液を供給する工
程と、前記レジスト液の供給を停止した後、前記被処理
基板の回転を減速して被処理基板を低速で回転する工程
と、前記被処理基板を所定期間低速で回転した後、前記
被処理基板の回転を加速して被処理基板を高速で回転す
る工程とを具備することを特徴とする、レジスト塗布方
法が提供される。
【0013】請求項2記載の本発明では、被処理基板表
面に被処理基板表面を濡らすための液剤を供給する工程
と、前記液剤が供給された被処理基板を回転しつつ被処
理基板表面のほぼ中央にレジスト液を供給する工程と、
前記レジスト液の供給を停止した後、前記被処理基板の
回転を減速して被処理基板を低速で回転する工程と、前
記被処理基板を所定期間低速で回転した後、前記被処理
基板の回転を加速して被処理基板を高速で回転する工程
とを具備することを特徴とする、レジスト塗布方法が提
供される。
面に被処理基板表面を濡らすための液剤を供給する工程
と、前記液剤が供給された被処理基板を回転しつつ被処
理基板表面のほぼ中央にレジスト液を供給する工程と、
前記レジスト液の供給を停止した後、前記被処理基板の
回転を減速して被処理基板を低速で回転する工程と、前
記被処理基板を所定期間低速で回転した後、前記被処理
基板の回転を加速して被処理基板を高速で回転する工程
とを具備することを特徴とする、レジスト塗布方法が提
供される。
【0014】請求項3記載の本発明では、被処理基板を
回転しつつ被処理基板表面のほぼ中央に被処理基板表面
を濡らすための液剤を供給する工程と、前記液剤の供給
を停止後、前記被処理基板を回転しつつ被処理基板表面
のほぼ中央にレジスト液を供給する工程と、前記レジス
ト液の供給を停止した後、前記被処理基板の回転を減速
して被処理基板を低速で回転する工程と、前記被処理基
板を所定期間低速で回転した後、前記被処理基板の回転
を加速して被処理基板を高速で回転する工程とを具備す
ることを特徴とする、レジスト塗布方法が提供される。
回転しつつ被処理基板表面のほぼ中央に被処理基板表面
を濡らすための液剤を供給する工程と、前記液剤の供給
を停止後、前記被処理基板を回転しつつ被処理基板表面
のほぼ中央にレジスト液を供給する工程と、前記レジス
ト液の供給を停止した後、前記被処理基板の回転を減速
して被処理基板を低速で回転する工程と、前記被処理基
板を所定期間低速で回転した後、前記被処理基板の回転
を加速して被処理基板を高速で回転する工程とを具備す
ることを特徴とする、レジスト塗布方法が提供される。
【0015】請求項4記載の発明では、請求項2または
3に記載のレジスト塗布方法であって、前記被処理基板
表面を濡らすための液剤が、シンナーであることを特徴
とする、レジスト塗布方法が提供される。
3に記載のレジスト塗布方法であって、前記被処理基板
表面を濡らすための液剤が、シンナーであることを特徴
とする、レジスト塗布方法が提供される。
【0016】請求項5記載の本発明は、被処理基板を第
1の回転速度で回転しつつ被処理基板表面のほぼ中央に
レジスト液を供給する工程と、前記レジスト液の供給を
停止した後、前記被処理基板の回転を減速して被処理基
板を第2の回転速度で回転する工程と、前記被処理基板
を所定期間第2の回転速度で回転した後、前記被処理基
板の回転を加速して被処理基板を第3の回転速度で回転
する工程とを備え、第1の回転速度>第3の回転速度>
第2の回転速度であることを特徴とする、レジスト塗布
方法が提供される。
1の回転速度で回転しつつ被処理基板表面のほぼ中央に
レジスト液を供給する工程と、前記レジスト液の供給を
停止した後、前記被処理基板の回転を減速して被処理基
板を第2の回転速度で回転する工程と、前記被処理基板
を所定期間第2の回転速度で回転した後、前記被処理基
板の回転を加速して被処理基板を第3の回転速度で回転
する工程とを備え、第1の回転速度>第3の回転速度>
第2の回転速度であることを特徴とする、レジスト塗布
方法が提供される。
【0017】請求項6記載の本発明では、被処理基板を
保持しつつ回転する基板保持部材と、前記基板保持部材
に保持された被処理基板表面のほぼ中央にレジスト液を
供給するノズルと、前記基板保持部材を少なくとの2種
類の回転速度で回転させるように制御する手段とを具備
することを特徴とする、レジスト塗布装置が提供され
る。 請求項7記載の本発明では、被処理基板を保持し
つつ回転する基板保持部材と、前記基板保持部材に保持
された被処理基板表面のほぼ中央にレジスト液を供給す
るノズルと、前記レジスト液の供給時に前記基板保持部
材を所定速度で回転させ、前記レジスト液の供給停止後
に前記基板保持部材の回転を減速させて基板保持部材を
低速で回転させ、前記基板保持部材を所定期間低速で回
転させた後に前記基板保持部材の回転を加速させて被処
理基板を高速で回転させる制御手段とを具備することを
特徴とする、レジスト塗布装置が提供される。
保持しつつ回転する基板保持部材と、前記基板保持部材
に保持された被処理基板表面のほぼ中央にレジスト液を
供給するノズルと、前記基板保持部材を少なくとの2種
類の回転速度で回転させるように制御する手段とを具備
することを特徴とする、レジスト塗布装置が提供され
る。 請求項7記載の本発明では、被処理基板を保持し
つつ回転する基板保持部材と、前記基板保持部材に保持
された被処理基板表面のほぼ中央にレジスト液を供給す
るノズルと、前記レジスト液の供給時に前記基板保持部
材を所定速度で回転させ、前記レジスト液の供給停止後
に前記基板保持部材の回転を減速させて基板保持部材を
低速で回転させ、前記基板保持部材を所定期間低速で回
転させた後に前記基板保持部材の回転を加速させて被処
理基板を高速で回転させる制御手段とを具備することを
特徴とする、レジスト塗布装置が提供される。
【0018】請求項8記載の本発明では、被処理基板を
保持しつつ回転する基板保持部材と、前記基板保持部材
に保持された被処理基板表面のほぼ中央に前記被処理基
板表面を濡らすための液剤を供給する第1のノズルと、
前記液剤が供給された被処理基板表面のほぼ中央にレジ
スト液を供給する第2のノズルと、前記液剤供給時に前
記基板保持部材を所定速度で回転させ、前記レジスト液
の供給時に前記基板保持部材を所定速度で回転させ、前
記レジスト液の供給停止後に前記基板保持部材の回転を
減速させて基板保持部材を低速で回転させ、前記基板保
持部材を所定期間低速で回転させた後に前記基板保持部
材の回転を加速させて被処理基板を高速で回転させる制
御手段とを具備することを特徴とする、レジスト塗布装
置が提供される。
保持しつつ回転する基板保持部材と、前記基板保持部材
に保持された被処理基板表面のほぼ中央に前記被処理基
板表面を濡らすための液剤を供給する第1のノズルと、
前記液剤が供給された被処理基板表面のほぼ中央にレジ
スト液を供給する第2のノズルと、前記液剤供給時に前
記基板保持部材を所定速度で回転させ、前記レジスト液
の供給時に前記基板保持部材を所定速度で回転させ、前
記レジスト液の供給停止後に前記基板保持部材の回転を
減速させて基板保持部材を低速で回転させ、前記基板保
持部材を所定期間低速で回転させた後に前記基板保持部
材の回転を加速させて被処理基板を高速で回転させる制
御手段とを具備することを特徴とする、レジスト塗布装
置が提供される。
【0019】請求項9記載の本発明では、請求項8記載
のレジスト塗布装置であって、前記被処理基板表面を濡
らすための液剤が、シンナーであることを特徴とする、
レジスト塗布装置が提供される。
のレジスト塗布装置であって、前記被処理基板表面を濡
らすための液剤が、シンナーであることを特徴とする、
レジスト塗布装置が提供される。
【0020】請求項10記載の本発明では、被処理基板
を保持しつつ回転する基板保持部材と、前記基板保持部
材に保持された被処理基板表面のほぼ中央にレジスト液
を供給するノズルと、前記レジスト液の供給時に前記基
板保持部材を第1の回転速度で回転させ、前記レジスト
液の供給停止後に前記基板保持部材の回転を減速させて
基板保持部材を第2の回転速度で回転させ、前記基板保
持部材を所定期間第2の回転速度で回転させた後に前記
基板保持部材の回転を加速させて被処理基板を第3の回
転速度で回転させる制御手段とを備え、第1の回転速度
>第3の回転速度>第2の回転速度であることを特徴と
する、レジスト塗布装置が提供される。請求項1、5、
6、7、10記載の本発明によれば、レジスト液の供給
を停止した後に被処理基板の回転を急激に減速している
ので、液切れ時のレジスト液が波紋として広がることを
抑えることができる。また、その後振り切り乾燥をする
までの間被処理基板を低速で回転しているので、その間
にレジスト液が乾燥することがなくて上記の液切れ時の
レジスト液が被処理基板上でならされて一様に広がる。
従って、被処理基板表面に波紋等が残存することがなく
一様にレジスト液を塗布することができる。また、その
後振り切り乾燥をするまでの間被処理基板を低速で回転
しているので、その間の膜厚の低下が抑制されるので、
この低速回転により膜厚の制御が可能となり、薄膜であ
っても所望の一定膜厚でレジスト膜を形成することが可
能となる。
を保持しつつ回転する基板保持部材と、前記基板保持部
材に保持された被処理基板表面のほぼ中央にレジスト液
を供給するノズルと、前記レジスト液の供給時に前記基
板保持部材を第1の回転速度で回転させ、前記レジスト
液の供給停止後に前記基板保持部材の回転を減速させて
基板保持部材を第2の回転速度で回転させ、前記基板保
持部材を所定期間第2の回転速度で回転させた後に前記
基板保持部材の回転を加速させて被処理基板を第3の回
転速度で回転させる制御手段とを備え、第1の回転速度
>第3の回転速度>第2の回転速度であることを特徴と
する、レジスト塗布装置が提供される。請求項1、5、
6、7、10記載の本発明によれば、レジスト液の供給
を停止した後に被処理基板の回転を急激に減速している
ので、液切れ時のレジスト液が波紋として広がることを
抑えることができる。また、その後振り切り乾燥をする
までの間被処理基板を低速で回転しているので、その間
にレジスト液が乾燥することがなくて上記の液切れ時の
レジスト液が被処理基板上でならされて一様に広がる。
従って、被処理基板表面に波紋等が残存することがなく
一様にレジスト液を塗布することができる。また、その
後振り切り乾燥をするまでの間被処理基板を低速で回転
しているので、その間の膜厚の低下が抑制されるので、
この低速回転により膜厚の制御が可能となり、薄膜であ
っても所望の一定膜厚でレジスト膜を形成することが可
能となる。
【0021】請求項2、3、4、8、9記載の本発明に
よれば、被処理基板表面に被処理基板表面を濡らすため
の液剤を供給した後にレジスト液を塗布しているので、
レジスト液の一様化や低速回転での薄膜化等が可能とな
る。このため、被処理基板表面に波紋等が残存すること
がなく一様にレジスト液を塗布することができる、とい
う効果を一層高めることができる。
よれば、被処理基板表面に被処理基板表面を濡らすため
の液剤を供給した後にレジスト液を塗布しているので、
レジスト液の一様化や低速回転での薄膜化等が可能とな
る。このため、被処理基板表面に波紋等が残存すること
がなく一様にレジスト液を塗布することができる、とい
う効果を一層高めることができる。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明すれば、図1〜図3は、各々本発明の実施形
態が採用された半導体ウエハ(以下、「ウエハ」とい
う)の塗布現像処理システム1の全体構成の図であっ
て、図1は平面、図2は正面、図3は背面を夫々示して
いる。
づいて説明すれば、図1〜図3は、各々本発明の実施形
態が採用された半導体ウエハ(以下、「ウエハ」とい
う)の塗布現像処理システム1の全体構成の図であっ
て、図1は平面、図2は正面、図3は背面を夫々示して
いる。
【0023】この塗布現像処理システム1は、被処理基
板としてウエハWをウエハカセットCRで複数枚、例え
ば25枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるい
はシステムから搬出したり、ウエハカセットCRに対し
てウエハWを搬入・搬出したりするためのカセットステ
ーション10と、塗布現像工程の中で1枚ずつウエハW
に所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位
置に多段配置してなる処理ステーション11と、この処
理ステーション11に隣接して設けられる露光装置(図
示せず)との間でウエハWを受け渡しするためのインタ
ーフェース部12とを一体に接続した構成を有してい
る。
板としてウエハWをウエハカセットCRで複数枚、例え
ば25枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるい
はシステムから搬出したり、ウエハカセットCRに対し
てウエハWを搬入・搬出したりするためのカセットステ
ーション10と、塗布現像工程の中で1枚ずつウエハW
に所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位
置に多段配置してなる処理ステーション11と、この処
理ステーション11に隣接して設けられる露光装置(図
示せず)との間でウエハWを受け渡しするためのインタ
ーフェース部12とを一体に接続した構成を有してい
る。
【0024】前記カセットステーション10では、図1
に示すように、カセット載置台20上の位置決め突起2
0aの位置に、複数個例えば4個までのウエハカセット
CRが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション11側
に向けてX方向(図1中の上下方向)一列に載置され、
このカセット配列方向(X方向)およびウエハカセッ卜
CR内に収納されたウエハのウエハ配列方向(Z方向;
垂直方向)に移動可能なウエハ搬送体21が各ウエハカ
セットCRに選択的にアクセスするようになっている。
に示すように、カセット載置台20上の位置決め突起2
0aの位置に、複数個例えば4個までのウエハカセット
CRが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション11側
に向けてX方向(図1中の上下方向)一列に載置され、
このカセット配列方向(X方向)およびウエハカセッ卜
CR内に収納されたウエハのウエハ配列方向(Z方向;
垂直方向)に移動可能なウエハ搬送体21が各ウエハカ
セットCRに選択的にアクセスするようになっている。
【0025】さらにこのウエハ搬送体21は、θ方向に
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション11側の第3の処理ユニット群G3 の多段ユニッ
ト部に属するアライメントユニット(ALIM)および
イクステンションユニット(EXT)にもアクセスでき
るようになっている。
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション11側の第3の処理ユニット群G3 の多段ユニッ
ト部に属するアライメントユニット(ALIM)および
イクステンションユニット(EXT)にもアクセスでき
るようになっている。
【0026】前記処理ステーション11には、図1に示
すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエ
ハ搬送機構22が設けられ、その周りに全ての処理ユニ
ットが1組または複数の組に亙って多段に配置されてい
る。
すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエ
ハ搬送機構22が設けられ、その周りに全ての処理ユニ
ットが1組または複数の組に亙って多段に配置されてい
る。
【0027】主ウエハ搬送機構22は、図3に示すよう
に、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上
下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持
体49はモータ(図示せず)の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置46と一体に回転し、それによ
りこのウエハ搬送装置46は、θ方向に回転自在となっ
ている。なお筒状支持体49は前記モータによって回転
される別の回転軸(図示せず)に接続するように構成し
てもよい。
に、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上
下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持
体49はモータ(図示せず)の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置46と一体に回転し、それによ
りこのウエハ搬送装置46は、θ方向に回転自在となっ
ている。なお筒状支持体49は前記モータによって回転
される別の回転軸(図示せず)に接続するように構成し
てもよい。
【0028】ウエハ搬送装置46は、搬送基台47の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これ
らの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハ
Wの受け渡しを実現している。
後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これ
らの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハ
Wの受け渡しを実現している。
【0029】また、この例では、5つの処理ユニット群
G1 、G2 、G3 、G4 、G5 が配置可能な構成であ
り、第1および第2の処理ユニット群G1 、G2 の多段
ユニットは、システム正面(図1において手前)側に配
置され、第3の処理ユニット群G3 の多段ユニットはカ
セットステーション10に隣接して配置され、第4の処
理ユニット群G4 の多段ユニットはインターフェース部
12に隣接して配置され、第5の処理ユニット群G5 の
多段ユニットは背面側に配置されることが可能である。
G1 、G2 、G3 、G4 、G5 が配置可能な構成であ
り、第1および第2の処理ユニット群G1 、G2 の多段
ユニットは、システム正面(図1において手前)側に配
置され、第3の処理ユニット群G3 の多段ユニットはカ
セットステーション10に隣接して配置され、第4の処
理ユニット群G4 の多段ユニットはインターフェース部
12に隣接して配置され、第5の処理ユニット群G5 の
多段ユニットは背面側に配置されることが可能である。
【0030】図2に示すように、第1の処理ユニット群
G1 では、カップCP内でウエハWをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布ユニット(COT)および現像
ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられてい
る。第2の処理ユニット群G2 でも、2台のスピンナ型
処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット(COT)
および現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ね
られている。これらレジスト塗布ユニット(COT)
は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上で
も面倒であることから、このように下段に配置するのが
好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に配置するこ
とももちろん可能である。
G1 では、カップCP内でウエハWをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布ユニット(COT)および現像
ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられてい
る。第2の処理ユニット群G2 でも、2台のスピンナ型
処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット(COT)
および現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ね
られている。これらレジスト塗布ユニット(COT)
は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上で
も面倒であることから、このように下段に配置するのが
好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に配置するこ
とももちろん可能である。
【0031】図3に示すように、第3の処理ユニット群
G3 では、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を
行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う
クーリングユニット(COL)、レジストの定着性を高
めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒージョンユ
ニット(AD)、位置合わせを行うアライメントユニッ
ト(ALIM)、イクステンションユニット(EX
T)、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニ
ット(PREBAKE)および露光処理後の加熱処理を
行うポストベーキングユニット(POBAKE)が、下
から順に例えば8段に重ねられている。第4の処理ユニ
ット群G4 でも、オーブン型の処理ユニット、例えばク
ーリングユニット(COL)、イクステンション・クー
リングユニット(EXTCOL)、イクステンションユ
ニット(EXT)、クーリングユニッ卜(COL)、プ
リベーキングユニット(PREBAKE)およびポスト
ベーキングユニット(POBAKE)が下から順に、例
えば8段に重ねられている。
G3 では、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を
行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う
クーリングユニット(COL)、レジストの定着性を高
めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒージョンユ
ニット(AD)、位置合わせを行うアライメントユニッ
ト(ALIM)、イクステンションユニット(EX
T)、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニ
ット(PREBAKE)および露光処理後の加熱処理を
行うポストベーキングユニット(POBAKE)が、下
から順に例えば8段に重ねられている。第4の処理ユニ
ット群G4 でも、オーブン型の処理ユニット、例えばク
ーリングユニット(COL)、イクステンション・クー
リングユニット(EXTCOL)、イクステンションユ
ニット(EXT)、クーリングユニッ卜(COL)、プ
リベーキングユニット(PREBAKE)およびポスト
ベーキングユニット(POBAKE)が下から順に、例
えば8段に重ねられている。
【0032】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット(COL)、イクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いベ
ーキングユニット(PREBAKE)、ポストベーキン
グユニット(POBAKE)およびアドヒージョンユニ
ット(AD)を上段に配置することで、ユニット間の熱
的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ラ
ンダムな多段配置としてもよい。
ット(COL)、イクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いベ
ーキングユニット(PREBAKE)、ポストベーキン
グユニット(POBAKE)およびアドヒージョンユニ
ット(AD)を上段に配置することで、ユニット間の熱
的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ラ
ンダムな多段配置としてもよい。
【0033】前記インターフェース部12は、奥行方向
(X方向)については、前記処理ステーション11と同
じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズ
に設定されている。そしてこのインターフェース部12
の正面部には、可搬性のピックアップカセットCRと、
定置型のバッファカセットBRが2段に配置され、他方
背面部には周辺露光装置23が配設され、さらにまた中
央部にはウエハ搬送体24が設けられている。このウエ
ハ搬送体24は、X方向、Z方向に移動して両カセット
CR、BRおよび周辺露光装置23にアクセスするよう
になつている。前記ウエハ搬送体24は、θ方向にも回
転自在となるように構成されており、前記処理ステーシ
ョン11側の第4の処理ユニット群G4 の多段ユニット
に属するイクステンションユニット(EXT)や、さら
には隣接する露光装置側のウエハ受渡し台(図示せず)
にもアクセスできるようになっている。
(X方向)については、前記処理ステーション11と同
じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズ
に設定されている。そしてこのインターフェース部12
の正面部には、可搬性のピックアップカセットCRと、
定置型のバッファカセットBRが2段に配置され、他方
背面部には周辺露光装置23が配設され、さらにまた中
央部にはウエハ搬送体24が設けられている。このウエ
ハ搬送体24は、X方向、Z方向に移動して両カセット
CR、BRおよび周辺露光装置23にアクセスするよう
になつている。前記ウエハ搬送体24は、θ方向にも回
転自在となるように構成されており、前記処理ステーシ
ョン11側の第4の処理ユニット群G4 の多段ユニット
に属するイクステンションユニット(EXT)や、さら
には隣接する露光装置側のウエハ受渡し台(図示せず)
にもアクセスできるようになっている。
【0034】また前記塗布現像処理システム1では、既
述の如く主ウエハ搬送機構22の背面側にも破線で示し
た第5の処理ユニット群G5 の多段ユニットが配置でき
るようになっているが、この第5の処理ユニット群G5
の多段ユニットは、案内レール25に沿って主ウエハ搬
送機構22からみて、側方へシフトできるように構成さ
れている。従って、この第5の処理ユニット群G5 の多
段ユニットを図示の如く設けた場合でも、前記案内レー
ル25に沿ってスライドすることにより、空間部が確保
されるので、主ウエハ搬送機構22に対して背後からメ
ンテナンス作業が容易に行えるようになっている。なお
第5の処理ユニット群G5 の多段ユニッ卜は、そのよう
に案内レール25に沿った直線状のスライドシフトに限
らず、図1中の一点鎖線の往復回動矢印で示したよう
に、システム外方へと回動シフトさせるように構成して
も、主ウエハ搬送機構22に対するメンテナンス作業の
スペース確保が容易である。
述の如く主ウエハ搬送機構22の背面側にも破線で示し
た第5の処理ユニット群G5 の多段ユニットが配置でき
るようになっているが、この第5の処理ユニット群G5
の多段ユニットは、案内レール25に沿って主ウエハ搬
送機構22からみて、側方へシフトできるように構成さ
れている。従って、この第5の処理ユニット群G5 の多
段ユニットを図示の如く設けた場合でも、前記案内レー
ル25に沿ってスライドすることにより、空間部が確保
されるので、主ウエハ搬送機構22に対して背後からメ
ンテナンス作業が容易に行えるようになっている。なお
第5の処理ユニット群G5 の多段ユニッ卜は、そのよう
に案内レール25に沿った直線状のスライドシフトに限
らず、図1中の一点鎖線の往復回動矢印で示したよう
に、システム外方へと回動シフトさせるように構成して
も、主ウエハ搬送機構22に対するメンテナンス作業の
スペース確保が容易である。
【0035】次に、本実施形態におけるレジスト塗布ユ
ニット(COT)について説明する。図4および図5
は、レジスト塗布ユニット(COT)の全体構成を示す
略断面図および略平面図である。
ニット(COT)について説明する。図4および図5
は、レジスト塗布ユニット(COT)の全体構成を示す
略断面図および略平面図である。
【0036】このレジスト塗布ユニット(COT)の中
央部には環状のカップCΡが配設され、カップCΡの内
側にはスピンチャック52が配置されている。スピンチ
ャック52は真空吸着によって半導体ウエハWを固定保
持した状態で駆動モータ54によって回転駆動される。
駆動モータ54は、ユニット底板50に設けられた開口
50aに昇降移動可能に配置され、たとえばアルミニウ
ムからなるキャップ状のフランジ部材58を介してたと
えばエアシリンダからなる昇降駆動手段60および昇降
ガイド手段62と結合されている。駆動モータ54の側
面にはたとえばSUSからなる筒状の冷却ジャケット6
4が取り付けられ、フランジ部材58はこの冷却ジャケ
ット64の上半部を覆うように取り付けられている。
央部には環状のカップCΡが配設され、カップCΡの内
側にはスピンチャック52が配置されている。スピンチ
ャック52は真空吸着によって半導体ウエハWを固定保
持した状態で駆動モータ54によって回転駆動される。
駆動モータ54は、ユニット底板50に設けられた開口
50aに昇降移動可能に配置され、たとえばアルミニウ
ムからなるキャップ状のフランジ部材58を介してたと
えばエアシリンダからなる昇降駆動手段60および昇降
ガイド手段62と結合されている。駆動モータ54の側
面にはたとえばSUSからなる筒状の冷却ジャケット6
4が取り付けられ、フランジ部材58はこの冷却ジャケ
ット64の上半部を覆うように取り付けられている。
【0037】レジスト塗布時、フランジ部材58の下端
58aは開口50aの外周付近でユニット底板50に密
着し、これによってユニット内部が密閉される。スピン
チャック52と主ウエハ搬送機構22の保持部材48と
の間で半導体ウエハWの受け渡しが行われる時は、昇降
駆動手段60が駆動モータ54ないしスピンチャック5
2を上方へ持ち上げることでフランジ部材58の下端が
ユニット底板50から浮くようになっている。
58aは開口50aの外周付近でユニット底板50に密
着し、これによってユニット内部が密閉される。スピン
チャック52と主ウエハ搬送機構22の保持部材48と
の間で半導体ウエハWの受け渡しが行われる時は、昇降
駆動手段60が駆動モータ54ないしスピンチャック5
2を上方へ持ち上げることでフランジ部材58の下端が
ユニット底板50から浮くようになっている。
【0038】半導体ウエハWの表面にレジスト液を供給
するためのレジストノズル86は、レジスト供給管88
を介してレジスト供給部(後述する)に接続されてい
る。このレジストノズル86はレジストノズルスキャン
アーム92の先端部にノズル保持体100を介して着脱
可能に取り付けられている。このレジストノズルスキャ
ンアーム92は、ユニット底板50の上に一方向(Y方
向)に敷設されたガイドレール94上で水平移動可能な
垂直支持部材96の上端部に取り付けられており、図示
しないY方向駆動機構によって垂直支持部材96と一体
にY方向に移動するようになっている。
するためのレジストノズル86は、レジスト供給管88
を介してレジスト供給部(後述する)に接続されてい
る。このレジストノズル86はレジストノズルスキャン
アーム92の先端部にノズル保持体100を介して着脱
可能に取り付けられている。このレジストノズルスキャ
ンアーム92は、ユニット底板50の上に一方向(Y方
向)に敷設されたガイドレール94上で水平移動可能な
垂直支持部材96の上端部に取り付けられており、図示
しないY方向駆動機構によって垂直支持部材96と一体
にY方向に移動するようになっている。
【0039】また、レジストノズルスキャンアーム92
は、レジストノズル待機部90でレジストノズル86を
選択的に取り付けるためにY方向と直角なΧ方向にも移
動可能であり、図示しないΧ方向駆動機構によってΧ方
向にも移動するようになっている。
は、レジストノズル待機部90でレジストノズル86を
選択的に取り付けるためにY方向と直角なΧ方向にも移
動可能であり、図示しないΧ方向駆動機構によってΧ方
向にも移動するようになっている。
【0040】さらに、レジストノズル待機部90でレジ
ストノズル86の吐出口が溶媒雰囲気室の口90aに挿
入され、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、ノズル先
端のレジスト液が固化または劣化しないようになってい
る。また、複数本のレジストノズル86,86,…が設
けられ、例えばレジスト液の種類に応じてそれらのノズ
ルが使い分けられるようになっている。
ストノズル86の吐出口が溶媒雰囲気室の口90aに挿
入され、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、ノズル先
端のレジスト液が固化または劣化しないようになってい
る。また、複数本のレジストノズル86,86,…が設
けられ、例えばレジスト液の種類に応じてそれらのノズ
ルが使い分けられるようになっている。
【0041】また、レジストノズルスキャンアーム92
の先端部(ノズル保持体100)には、ウエハ表面への
レジスト液の供給に先立ってウエハ表面にウエハ表面を
濡らすための液剤例えばシンナを供給するシンナノズル
101が取り付けられている。このシンナノズル101
は図示しないシンナ供給管を介してシンナ供給部(後述
する)に接続されている。シンナノズル101とレジス
トノズル86はレジストノズルスキャンアーム92のY
移動方向に沿う直線上に各々の吐出口が位置するように
取り付けられている。
の先端部(ノズル保持体100)には、ウエハ表面への
レジスト液の供給に先立ってウエハ表面にウエハ表面を
濡らすための液剤例えばシンナを供給するシンナノズル
101が取り付けられている。このシンナノズル101
は図示しないシンナ供給管を介してシンナ供給部(後述
する)に接続されている。シンナノズル101とレジス
トノズル86はレジストノズルスキャンアーム92のY
移動方向に沿う直線上に各々の吐出口が位置するように
取り付けられている。
【0042】さらに、ガイドレール94上には、レジス
トノズルスキャンアーム92を支持する垂直支持部材8
6だけでなく、リンスノズルスキャンアーム120を支
持しY方向に移動可能な垂直支持部材122も設けられ
ている。このリンスノズルスキャンアーム120の先端
部にはサイドリンス用のリンスノズル124が取り付け
られている。Y方向駆動機構(図示せず)によってリン
スノズルスキャンアーム120およびリンスノズル12
4はカップCPの側方に設定されたリンスノズル待機位
置(実線の位置)とスピンチャック52に設置されてい
る半導体ウエハWの周辺部の真上に設定されたリンス液
吐出位置(点線の位置)との間で並進または直線移動す
るようになっている。
トノズルスキャンアーム92を支持する垂直支持部材8
6だけでなく、リンスノズルスキャンアーム120を支
持しY方向に移動可能な垂直支持部材122も設けられ
ている。このリンスノズルスキャンアーム120の先端
部にはサイドリンス用のリンスノズル124が取り付け
られている。Y方向駆動機構(図示せず)によってリン
スノズルスキャンアーム120およびリンスノズル12
4はカップCPの側方に設定されたリンスノズル待機位
置(実線の位置)とスピンチャック52に設置されてい
る半導体ウエハWの周辺部の真上に設定されたリンス液
吐出位置(点線の位置)との間で並進または直線移動す
るようになっている。
【0043】図6はレジスト塗布ユニット(COT)の
制御系の構成を示す図である。
制御系の構成を示す図である。
【0044】制御部130は、レジスト塗布ユニット
(COT)内の各部を制御するもので、例えば駆動モー
タ54の駆動を制御する他、レジスト供給部131やシ
ンナ供給部132等を制御する。例えば、制御部130
は、駆動モータ54の回転速度を数段階、例えばレジス
ト塗布時に3段階に制御している。また、制御部130
は、レジスト供給部131からレジストノズル86への
レジスト液の供給やシンナ供給部132からシンナノズ
ル101へのシンナの供給を制御している。
(COT)内の各部を制御するもので、例えば駆動モー
タ54の駆動を制御する他、レジスト供給部131やシ
ンナ供給部132等を制御する。例えば、制御部130
は、駆動モータ54の回転速度を数段階、例えばレジス
ト塗布時に3段階に制御している。また、制御部130
は、レジスト供給部131からレジストノズル86への
レジスト液の供給やシンナ供給部132からシンナノズ
ル101へのシンナの供給を制御している。
【0045】次に、このように構成されたレジスト塗布
ユニット(COT)におけるレジスト塗布の動作を説明
する。
ユニット(COT)におけるレジスト塗布の動作を説明
する。
【0046】主ウエハ搬送機構22の保持部材48によ
ってレジスト塗布ユニット(COT)内のカップCΡの
真上まで半導体ウエハWが搬送されると、その半導体ウ
エハWは、たとえばエアシリンダからなる昇降駆動手段
60および昇降ガイド手段62によって上昇してきたス
ピンチャック52によって真空吸着される。主ウエハ搬
送機構22は半導体ウエハWをスピンチャック52に真
空吸着せしめた後、保持部材48をレジスト塗布ユニッ
ト(COT)内から引き戻し、レジスト塗布ユニット
(COT)への半導体ウエハWの受け渡しを終える。
ってレジスト塗布ユニット(COT)内のカップCΡの
真上まで半導体ウエハWが搬送されると、その半導体ウ
エハWは、たとえばエアシリンダからなる昇降駆動手段
60および昇降ガイド手段62によって上昇してきたス
ピンチャック52によって真空吸着される。主ウエハ搬
送機構22は半導体ウエハWをスピンチャック52に真
空吸着せしめた後、保持部材48をレジスト塗布ユニッ
ト(COT)内から引き戻し、レジスト塗布ユニット
(COT)への半導体ウエハWの受け渡しを終える。
【0047】次いで、スピンチャック52は半導体ウエ
ハWがカップCΡ内の定位置まで下降し、駆動モータ5
4によってスピンチャック52の回転駆動が開始され
る。
ハWがカップCΡ内の定位置まで下降し、駆動モータ5
4によってスピンチャック52の回転駆動が開始され
る。
【0048】その後、レジストノズル待機部90からの
ノズル保持体100の移動が開始される。このノズル保
持体100の移動はY方向に沿って行われる。
ノズル保持体100の移動が開始される。このノズル保
持体100の移動はY方向に沿って行われる。
【0049】そして、シンナノズル101の吐出口がス
ピンチャック52の中心(半導体ウエハWの中心)上に
到達したところでシンナを回転する半導体ウエハWの表
面に供給する。ウエハ表面に供給された溶剤は遠心力に
よってウエハ中心からその周囲全域にむらなく広がる。
ピンチャック52の中心(半導体ウエハWの中心)上に
到達したところでシンナを回転する半導体ウエハWの表
面に供給する。ウエハ表面に供給された溶剤は遠心力に
よってウエハ中心からその周囲全域にむらなく広がる。
【0050】続いて、ノズル保持体100は、レジスト
ノズル86の吐出口がスピンチャック52の中心(半導
体ウエハWの中心)上に到達するまでY方向に移動さ
れ、レジストノズル86の吐出口からレジスト液が、回
転する半導体ウエハWの表面の中心に滴下されてウエハ
表面へのレジスト塗布が行われる。
ノズル86の吐出口がスピンチャック52の中心(半導
体ウエハWの中心)上に到達するまでY方向に移動さ
れ、レジストノズル86の吐出口からレジスト液が、回
転する半導体ウエハWの表面の中心に滴下されてウエハ
表面へのレジスト塗布が行われる。
【0051】本実施形態では、このようなレジスト塗布
に際し、駆動モータ54の回転数、すなわち半導体ウエ
ハWの回転数を例えば以下のように制御している。
に際し、駆動モータ54の回転数、すなわち半導体ウエ
ハWの回転数を例えば以下のように制御している。
【0052】
【表1】 工程1において半導体ウエハWの回転を開始し、回転を
開始して1秒後の工程2においてシンナノズル101よ
り半導体ウエハWの中心にシンナを供給する。そして、
工程3において半導体ウエハWの回転を継続するがシン
ナの供給を停止する。この工程でシンナは半導体ウエハ
W中心からその周囲全域にむらなく広がる。
開始して1秒後の工程2においてシンナノズル101よ
り半導体ウエハWの中心にシンナを供給する。そして、
工程3において半導体ウエハWの回転を継続するがシン
ナの供給を停止する。この工程でシンナは半導体ウエハ
W中心からその周囲全域にむらなく広がる。
【0053】次に、図7(a)に示すように、工程4に
おいて半導体ウエハWを4500rpmで回転させなが
ら、レジストノズル86より半導体ウエハWの中心にレ
ジスト液を供給する。このようなレジスト液の供給を2
秒間行う。レジスト液の供給を停止した直後の工程5に
おいて半導体ウエハWの回転速度を急激に落とし、半導
体ウエハWを2000rpmの低速で回転する。このよ
うな半導体ウエハWの低速回転を1秒間行う。この後の
工程6において半導体ウエハWの回転を加速し、半導体
ウエハWを3000rpmで回転する。この工程6にお
いて半導体ウエハW表面に塗布されたレジスト液の振り
切り乾燥が行われる。
おいて半導体ウエハWを4500rpmで回転させなが
ら、レジストノズル86より半導体ウエハWの中心にレ
ジスト液を供給する。このようなレジスト液の供給を2
秒間行う。レジスト液の供給を停止した直後の工程5に
おいて半導体ウエハWの回転速度を急激に落とし、半導
体ウエハWを2000rpmの低速で回転する。このよ
うな半導体ウエハWの低速回転を1秒間行う。この後の
工程6において半導体ウエハWの回転を加速し、半導体
ウエハWを3000rpmで回転する。この工程6にお
いて半導体ウエハW表面に塗布されたレジスト液の振り
切り乾燥が行われる。
【0054】ここで、比較のためレジスト塗布工程にお
ける半導体ウエハWの回転制御の従来例を以下に示す。
ける半導体ウエハWの回転制御の従来例を以下に示す。
【0055】
【表2】 この例では、工程1において半導体ウエハWの回転を開
始し、回転を開始して1秒後の工程2において半導体ウ
エハWの中心にシンナを供給する。そして、工程3にお
いて半導体ウエハWの回転を継続するがシンナの供給を
停止する。
始し、回転を開始して1秒後の工程2において半導体ウ
エハWの中心にシンナを供給する。そして、工程3にお
いて半導体ウエハWの回転を継続するがシンナの供給を
停止する。
【0056】次に、図7(b)に示すように、工程4に
おいて半導体ウエハWを4500rpmで回転させなが
ら、半導体ウエハWの中心にレジスト液を供給する。こ
のようなレジスト液の供給を2秒間行う。そして、この
後の工程5において半導体ウエハWの回転を減速し、半
導体ウエハWを3000rpmで回転して振り切り乾燥
を行う。
おいて半導体ウエハWを4500rpmで回転させなが
ら、半導体ウエハWの中心にレジスト液を供給する。こ
のようなレジスト液の供給を2秒間行う。そして、この
後の工程5において半導体ウエハWの回転を減速し、半
導体ウエハWを3000rpmで回転して振り切り乾燥
を行う。
【0057】図7(a)に示す本実施形態におけるレジ
スト塗布工程における半導体ウエハWの回転制御と図7
(b)に示す従来例のそれとを比較すると、本実施形態
ではレジスト液の供給を停止した直後の工程5において
半導体ウエハWの回転速度を一旦急激に落として200
0rpmの低速で回転している点が異なる。そして、本
実施形態では、このような工程を持たせることにより半
導体ウエハW表面に波紋等が残存することがなく一様に
レジスト液を塗布することができる。
スト塗布工程における半導体ウエハWの回転制御と図7
(b)に示す従来例のそれとを比較すると、本実施形態
ではレジスト液の供給を停止した直後の工程5において
半導体ウエハWの回転速度を一旦急激に落として200
0rpmの低速で回転している点が異なる。そして、本
実施形態では、このような工程を持たせることにより半
導体ウエハW表面に波紋等が残存することがなく一様に
レジスト液を塗布することができる。
【0058】図8及び図9はこのように波紋等の発生を
防止する作用を説明するための図である。図8は従来例
による場合を示し、図9は本実施形態による場合を示し
ている。
防止する作用を説明するための図である。図8は従来例
による場合を示し、図9は本実施形態による場合を示し
ている。
【0059】上述した従来例では、図8(a)に示すよ
うにレジスト液の供給を停止した直後に半導体ウエハW
の中心で発生した波紋Hは遠心力によって半導体ウエハ
Wの外周に広がる。その際、半導体ウエハWは4500
rpmr程度の高速で回転していることから、図8
(b)に示すように半導体ウエハW表面のレジスト液が
乾燥し始める。そして、半導体ウエハWの振り切り乾燥
により図8(c)乃至(d)に示すように半導体ウエハ
W表面に波紋Hが残存してしまう。
うにレジスト液の供給を停止した直後に半導体ウエハW
の中心で発生した波紋Hは遠心力によって半導体ウエハ
Wの外周に広がる。その際、半導体ウエハWは4500
rpmr程度の高速で回転していることから、図8
(b)に示すように半導体ウエハW表面のレジスト液が
乾燥し始める。そして、半導体ウエハWの振り切り乾燥
により図8(c)乃至(d)に示すように半導体ウエハ
W表面に波紋Hが残存してしまう。
【0060】これに対して、本実施形態では、レジスト
液の供給を停止した直後の工程5において半導体ウエハ
Wの回転速度を一旦急激に落として2000rpmの低
速で回転しているので、図9(a)に示すようにそのよ
うに回転速度を急激に落とす際に遠心力によって半導体
ウエハWの外周に広がろうとしていた波紋Hは半導体ウ
エハWの中心に向かうことになる。その後、半導体ウエ
ハWを2000rpm程度の低速で回転することから、
図9(b)に示すようにレジスト液の乾燥が進行せず、
波紋Hを含んだレジスト液は半導体ウエハWの表面でな
らされる。そして、その後半導体ウエハWの振り切り乾
燥により図9(c)乃至(d)に示すように半導体ウエ
ハW表面には波紋等が残存することがなく一様にレジス
ト液が塗布されることになる。
液の供給を停止した直後の工程5において半導体ウエハ
Wの回転速度を一旦急激に落として2000rpmの低
速で回転しているので、図9(a)に示すようにそのよ
うに回転速度を急激に落とす際に遠心力によって半導体
ウエハWの外周に広がろうとしていた波紋Hは半導体ウ
エハWの中心に向かうことになる。その後、半導体ウエ
ハWを2000rpm程度の低速で回転することから、
図9(b)に示すようにレジスト液の乾燥が進行せず、
波紋Hを含んだレジスト液は半導体ウエハWの表面でな
らされる。そして、その後半導体ウエハWの振り切り乾
燥により図9(c)乃至(d)に示すように半導体ウエ
ハW表面には波紋等が残存することがなく一様にレジス
ト液が塗布されることになる。
【0061】加えて、本実施形態においては、レジスト
液の供給を停止した直後の工程5において半導体ウエハ
Wを2000rpm程度の低速で回転することから、膜
厚の低下を抑えることができ、所望の一定膜厚でレジス
ト膜を形成することが可能となる。すなわち、従来例、
特にレジストの消費量を減らす場合には、レジスト液の
供給を停止した直後は半導体ウエハWを相当速い回転
数、例えば3000rpmを越える回転数で回転させて
いるため、その間にレジスト液の膜厚が急激に薄くな
り、一定の膜厚が得られない場合がある。これに対し
て、本実施形態では、レジスト液の供給を停止した直後
に半導体ウエハWの回転速度を一旦急激に落として20
00rpmの低速で回転しているので、その間にレジス
ト液の膜厚が急激に薄くなることもなく一定の膜厚を得
ることができる。
液の供給を停止した直後の工程5において半導体ウエハ
Wを2000rpm程度の低速で回転することから、膜
厚の低下を抑えることができ、所望の一定膜厚でレジス
ト膜を形成することが可能となる。すなわち、従来例、
特にレジストの消費量を減らす場合には、レジスト液の
供給を停止した直後は半導体ウエハWを相当速い回転
数、例えば3000rpmを越える回転数で回転させて
いるため、その間にレジスト液の膜厚が急激に薄くな
り、一定の膜厚が得られない場合がある。これに対し
て、本実施形態では、レジスト液の供給を停止した直後
に半導体ウエハWの回転速度を一旦急激に落として20
00rpmの低速で回転しているので、その間にレジス
ト液の膜厚が急激に薄くなることもなく一定の膜厚を得
ることができる。
【0062】なお、上記実施形態では、本発明を半導体
ウエハにレジスト液を塗布する装置に適用したものにつ
いて説明したが、半導体ウエハ以外の基板、例えばLC
D基板にレジスト液を塗布する装置にも本発明は適用で
きる。
ウエハにレジスト液を塗布する装置に適用したものにつ
いて説明したが、半導体ウエハ以外の基板、例えばLC
D基板にレジスト液を塗布する装置にも本発明は適用で
きる。
【0063】また、上記実施形態では、具体的な回転数
等を例示して説明したが、本発明はこれに限定されず、
レジスト液の供給を停止した後に被処理基板の回転を急
激に減速して被処理基板を低速で回転するものであれ
ば、どのような値であっても構わない。
等を例示して説明したが、本発明はこれに限定されず、
レジスト液の供給を停止した後に被処理基板の回転を急
激に減速して被処理基板を低速で回転するものであれ
ば、どのような値であっても構わない。
【0064】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
レジスト液の供給を停止した後に被処理基板の回転を急
激に減速し、またその後振り切り乾燥をするまでの間被
処理基板を低速で回転しているので、被処理基板表面に
波紋跡等が残存することがなく一様にレジスト液を塗布
することができる。
レジスト液の供給を停止した後に被処理基板の回転を急
激に減速し、またその後振り切り乾燥をするまでの間被
処理基板を低速で回転しているので、被処理基板表面に
波紋跡等が残存することがなく一様にレジスト液を塗布
することができる。
【0065】また、本発明によれば、その後振り切り乾
燥をするまでの間被処理基板を低速で回転しているの
で、所望の一定膜厚でレジスト膜を形成することが可能
となる。
燥をするまでの間被処理基板を低速で回転しているの
で、所望の一定膜厚でレジスト膜を形成することが可能
となる。
【0066】さらに、本発明によれば、被処理基板表面
に被処理基板表面を濡らすための液剤を供給した後にレ
ジスト液を塗布しているので、被処理基板表面に波紋跡
等が残存することがなく一様にレジスト液を塗布するこ
とができる、という効果を一層高めることができる。
に被処理基板表面を濡らすための液剤を供給した後にレ
ジスト液を塗布しているので、被処理基板表面に波紋跡
等が残存することがなく一様にレジスト液を塗布するこ
とができる、という効果を一層高めることができる。
【図1】本発明の一実施形態である半導体ウエハの塗布
現像処理システムの全体構成を示す平面図
現像処理システムの全体構成を示す平面図
【図2】図1の塗布現像処理システムの構成を示す正面
図
図
【図3】図1の塗布現像処理システムの構成を示す背面
図
図
【図4】図1の塗布現像処理システムにおけるレジスト
塗布ユニットの全体構成を示す断面図
塗布ユニットの全体構成を示す断面図
【図5】図4のレジスト塗布ユニットの全体構成を示す
平面図
平面図
【図6】図4のレジスト塗布ユニットの制御系の構成を
示す図である。
示す図である。
【図7】図7(a)は図4のレジスト塗布ユニットにお
ける半導体ウエハの回転制御の状態を示すグラフであ
る。図7(b)は従来のレジスト塗布ユニットにおける
半導体ウエハの回転制御の状態を示すグラフである。
ける半導体ウエハの回転制御の状態を示すグラフであ
る。図7(b)は従来のレジスト塗布ユニットにおける
半導体ウエハの回転制御の状態を示すグラフである。
【図8】従来の波紋発生の作用を説明するための図であ
る。
る。
【図9】本実施形態における波紋発生の防止の作用を説
明するための図である。
明するための図である。
【図10】従来のレジスト塗布装置を説明するための図
である。
である。
W 半導体ウエハ 52 スピンチャック 86 レジストノズル 101 シンナノズル 130 制御部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/30 564C
Claims (10)
- 【請求項1】 被処理基板を回転しつつ被処理基板表面
のほぼ中央にレジスト液を供給する工程と、 前記レジスト液の供給を停止した後、前記被処理基板の
回転を減速して被処理基板を低速で回転する工程と、 前記被処理基板を所定期間低速で回転した後、前記被処
理基板の回転を加速して被処理基板を高速で回転する工
程とを具備することを特徴とするレジスト塗布方法。 - 【請求項2】 被処理基板表面に被処理基板表面を濡ら
すための液剤を供給する工程と、 前記液剤が供給された被処理基板を回転しつつ被処理基
板表面のほぼ中央にレジスト液を供給する工程と、 前記レジスト液の供給を停止した後、前記被処理基板の
回転を減速して被処理基板を低速で回転する工程と、 前記被処理基板を所定期間低速で回転した後、前記被処
理基板の回転を加速して被処理基板を高速で回転する工
程とを具備することを特徴とするレジスト塗布方法。 - 【請求項3】 被処理基板を回転しつつ被処理基板表面
のほぼ中央に被処理基板表面を濡らすための液剤を供給
する工程と、 前記液剤の供給を停止後、前記被処理基板を回転しつつ
被処理基板表面のほぼ中央にレジスト液を供給する工程
と、 前記レジスト液の供給を停止した後、前記被処理基板の
回転を減速して被処理基板を低速で回転する工程と、 前記被処理基板を所定期間低速で回転した後、前記被処
理基板の回転を加速して被処理基板を高速で回転する工
程とを具備することを特徴とするレジスト塗布方法。 - 【請求項4】 請求項2または3に記載のレジスト塗布
方法であって、 前記被処理基板表面を濡らすための液剤が、シンナであ
ることを特徴とするレジスト塗布方法。 - 【請求項5】 被処理基板を第1の回転速度で回転しつ
つ被処理基板表面のほぼ中央にレジスト液を供給する工
程と、 前記レジスト液の供給を停止した後、前記被処理基板の
回転を減速して被処理基板を第2の回転速度で回転する
工程と、 前記被処理基板を所定期間第2の回転速度で回転した
後、前記被処理基板の回転を加速して被処理基板を第3
の回転速度で回転する工程とを備え、 第1の回転速度>第3の回転速度>第2の回転速度であ
ることを特徴とするレジスト塗布方法。 - 【請求項6】 被処理基板を保持しつつ回転する基板保
持部材と、 前記基板保持部材に保持された被処理基板表面のほぼ中
央にレジスト液を供給するノズルと、 前記基板保持部材を少なくとも2種類の回転速度で回転
させるように制御する手段とを具備することを特徴とす
るレジスト塗布装置。 - 【請求項7】 被処理基板を保持しつつ回転する基板保
持部材と、 前記基板保持部材に保持された被処理基板表面のほぼ中
央にレジスト液を供給するノズルと、 前記レジスト液の供給時に前記基板保持部材を所定速度
で回転させ、前記レジスト液の供給停止後に前記基板保
持部材の回転を減速させて基板保持部材を低速で回転さ
せ、前記基板保持部材を所定期間低速で回転させた後に
前記基板保持部材の回転を加速させて被処理基板を高速
で回転させる制御手段とを具備することを特徴とするレ
ジスト塗布装置。 - 【請求項8】 被処理基板を保持しつつ回転する基板保
持部材と、 前記基板保持部材に保持された被処理基板表面のほぼ中
央に前記被処理基板表面を濡らすための液剤を供給する
第1のノズルと、 前記液剤が供給された被処理基板表面のほぼ中央にレジ
スト液を供給する第2のノズルと、 前記液剤供給時に前記基板保持部材を所定速度で回転さ
せ、前記レジスト液の供給時に前記基板保持部材を所定
速度で回転させ、前記レジスト液の供給停止後に前記基
板保持部材の回転を減速させて基板保持部材を低速で回
転させ、前記基板保持部材を所定期間低速で回転させた
後に前記基板保持部材の回転を加速させて被処理基板を
高速で回転させる制御手段とを具備することを特徴とす
るレジスト塗布装置。 - 【請求項9】 請求項8記載のレジスト塗布装置であっ
て、 前記被処理基板表面を濡らすための液剤が、シンナであ
ることを特徴とするレジスト塗布装置。 - 【請求項10】 被処理基板を保持しつつ回転する基板
保持部材と、 前記基板保持部材に保持された被処理基板表面のほぼ中
央にレジスト液を供給するノズルと、 前記レジスト液の供給時に前記基板保持部材を第1の回
転速度で回転させ、前記レジスト液の供給停止後に前記
基板保持部材の回転を減速させて基板保持部材を第2の
回転速度で回転させ、前記基板保持部材を所定期間第2
の回転速度で回転させた後に前記基板保持部材の回転を
加速させて被処理基板を第3の回転速度で回転させる制
御手段とを備え、 第1の回転速度>第3の回転速度>第2の回転速度 であることを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8100897A JP3302603B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | レジスト塗布方法及びレジスト塗布装置 |
US09/047,401 US6117486A (en) | 1997-03-31 | 1998-03-25 | Photoresist coating method and apparatus |
TW087104477A TW432520B (en) | 1997-03-31 | 1998-03-25 | Photoresist coating method and apparatus |
SG1998000636A SG65744A1 (en) | 1997-03-31 | 1998-03-26 | Photoresist coating method and apparatus |
KR10-1998-0011223A KR100414551B1 (ko) | 1997-03-31 | 1998-03-31 | 레지스트도포방법및레지스트도포장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8100897A JP3302603B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | レジスト塗布方法及びレジスト塗布装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10275761A true JPH10275761A (ja) | 1998-10-13 |
JP3302603B2 JP3302603B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=13734493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8100897A Expired - Lifetime JP3302603B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | レジスト塗布方法及びレジスト塗布装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3302603B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007115936A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 |
JP2007115907A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 |
JP2007299941A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布方法、レジスト塗布装置及び記憶媒体 |
US7754619B2 (en) | 2007-01-19 | 2010-07-13 | Fujitsu Microelectronics Limited | Method for forming a coating with a liquid, and method for manufacturing a semiconductor device |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP8100897A patent/JP3302603B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007115907A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 |
JP2007115936A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 |
JP2007299941A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布方法、レジスト塗布装置及び記憶媒体 |
US7754619B2 (en) | 2007-01-19 | 2010-07-13 | Fujitsu Microelectronics Limited | Method for forming a coating with a liquid, and method for manufacturing a semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3302603B2 (ja) | 2002-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100414551B1 (ko) | 레지스트도포방법및레지스트도포장치 | |
JP5203337B2 (ja) | 塗布処理方法 | |
JP5173900B2 (ja) | レジスト塗布方法 | |
JP3330324B2 (ja) | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 | |
JPH10163293A (ja) | 処理装置 | |
JPH11260718A (ja) | 現像処理方法および現像処理装置 | |
JP2000288458A (ja) | 塗布膜形成方法および塗布装置 | |
JP2003045788A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
US20030205196A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP3335928B2 (ja) | 塗布方法 | |
JP2001307984A (ja) | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 | |
JP3490315B2 (ja) | 現像処理方法および現像処理装置 | |
KR100637952B1 (ko) | 도포막 형성방법 및 도포장치 | |
JP3302603B2 (ja) | レジスト塗布方法及びレジスト塗布装置 | |
JP2001000909A (ja) | 塗布膜形成方法および塗布装置 | |
JP2002208560A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2001005191A (ja) | 現像処理方法および現像処理装置 | |
JP3588585B2 (ja) | レジスト液の供給方法及びレジスト液の供給装置 | |
JP3266816B2 (ja) | 塗布装置 | |
JP2000068182A (ja) | 塗布方法及び塗布装置 | |
JP2000223403A (ja) | 塗布膜の形成方法および塗布処理システム | |
JP3629380B2 (ja) | 塗布処理システムおよび塗布処理方法 | |
JP3266817B2 (ja) | 塗布装置および塗布方法 | |
JP3490320B2 (ja) | 塗布膜形成方法および塗布処理装置 | |
JP3352419B2 (ja) | 塗布膜形成方法および塗布処理システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020416 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110426 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |