JPH10256724A

JPH10256724A - 多層プリント配線板

Info

Publication number: JPH10256724A
Application number: JP5217397A
Authority: JP
Inventors: Motoo Asai; 元雄浅井
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1997-03-06
Filing date: 1997-03-06
Publication date: 1998-09-25

Abstract

(57)【要約】【課題】ヒートサイクル条件下でもクラックの発生を
抑制し得る多層プリント配線板を提供すること。【解決手段】基板表面に設けた導体回路（４，５）間
の間隙に生じる凹部（バイアホール（７）の凹部を含
む）あるいは該基板に設けたスルーホール（９）内に樹
脂充填剤（10）を充填し、硬化した後、その基板上に層
間絶縁材と導体回路（４，５）を交互に積層してなる多
層プリント配線板において、前記基板に設けた導体回路
（４，５）の少なくとも側面あるいはスルーホール
（９）の少なくともランド側面に粗化層（11）が形成さ
れていることを特徴とする多層プリント配線板である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は多層プリント配線板
に関し、特に、ヒートサイクル条件下において、基板に
設けた導体回路と充填樹脂との界面を起点として層間絶
縁材層に向けて発生するクラック、およびスルーホール
のランドと充填樹脂との界面を起点として層間絶縁材層
に向けて発生するクラックを抑制し得る多層プリント配
線板について提案する。

【０００２】

【従来の技術】近年、多層配線基板の高密度化という要
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば特公
平４−55555 号公報に開示されているような方法により
製造される。即ち、コア基板上に、感光性の無電解めっ
き用接着剤からなる絶縁材を塗布し、これを乾燥したの
ち露光現像することにより、バイアホール用開口を有す
る層間絶縁材層を形成し、次いで、この層間絶縁材層の
表面を酸化剤等による処理にて粗化したのち、その粗化
面にめっきレジストを設け、その後、レジスト非形成部
分に無電解めっきを施してバイアホール、導体回路を形
成し、このような工程を複数回繰り返すことにより、多
層化したビルドアップ多層配線基板が得られる。

【０００３】このようなビルドアップ多層配線基板にお
いて、コア基板の導体回路は、コア基板表面に貼着した
銅箔をエッチングすることにより形成される。そのた
め、その導体回路間には凹部（窪み）が発生する。ま
た、層間に形成される凹状のバイアホールにも窪みが発
生する。さらに、スルーホールを有するコア基板上に樹
脂絶縁材をそのまま塗布すると、形成される層間絶縁材
層の表面には、そのスルーホールに相当する位置に凹部
（窪み）が発生する。

【０００４】これらの凹部（窪み）は、その上層に形成
される層間絶縁材層にもそのままトレースされるため、
最終製品としての多層配線基板の表面にも表出する。そ
れ故に、このような凹部は、電子部品を搭載した場合に
接続不良という問題を引き起こす原因となった。

【０００５】また、ビルドアップ多層配線基板の製造工
程において、バイアホール用開口は、感光性の層間絶縁
材層を露光、現像処理して形成される。このバイアホー
ル用開口の形成に当たり、前記露光の条件は、層間絶縁
材層の厚みに大きく影響される。そのため、層間絶縁材
層の厚みがコア基板に設けた導体回路間に生じる凹部や
スルーホール部分の貫通孔に起因して不均一になると、
露光、現像条件を一定にすることができず、バイアホー
ル用開口の形成不良等が発生するといった問題があっ
た。

【０００６】このような問題を解消できる技術として、
本願出願人は先に、スルーホールなどの凹部にエポキシ
樹脂を充填した多層プリント配線板を提案した（特願平
９−78号参照）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、樹脂充
填剤をコア基板表面の導体回路によって生じる凹部やス
ルーホール内に充填して得られるビルドアップ多層プリ
ント配線板は、ヒートサイクル条件下に置かれると、コ
ア基板の導体回路と充填樹脂との界面およびスルーホー
ルのランドと充填樹脂との界面を起点として層間絶縁材
層に向けて垂直方向にクラックが発生する。そして、そ
のクラックは、進行すると充填樹脂層上に積層された層
間絶縁材層上の導体回路を断線させて導通不良を引き起
こす原因となる、という新たな問題があることを発明者
らは知見した。

【０００８】本発明は、従来技術が抱える上記問題を解
消するためになされたものであり、その目的は、ヒート
サイクル条件下でもクラックの発生を抑制し得る多層プ
リント配線板を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】発明者は、上記目的の実
現に向け鋭意研究を行った。その結果、コア基板の導体
回路と充填樹脂との界面およびスルーホールのランドと
充填樹脂との界面の密着が不充分であるために、ヒート
サイクル時に両者の熱膨張率の相違によりそれらの界面
が開き、その直上の層間絶縁材層に応力が発生し、この
応力によりクラックが生じることを知見した。

【００１０】本発明は、このような知見に基づいてなさ
れたものであり、その内容は以下に示すとおりである。
すなわち、本発明は、基板表面に設けた導体回路間の間
隙に生じる凹部（バイアホールの凹部を含む）あるいは
該基板に設けたスルーホール内に樹脂充填剤を充填し、
硬化した後、その基板上に層間絶縁材と導体回路を交互
に積層してなる多層プリント配線板において、前記基板
に設けた導体回路の少なくとも側面あるいはスルーホー
ルの少なくともランド側面に粗化層が形成されているこ
とを特徴とする多層プリント配線板である。

【００１１】上記本発明の多層プリント配線板におい
て、前記スルーホールの内壁面には粗化層が形成されて
いることが望ましく、また、前記導体回路の上面あるい
は前記スルーホールのランド上面には粗化層が形成され
ていることが望ましい。さらに、前記樹脂充填剤は、無
機粒子を含む充填材料であることが望ましく、また、前
記粗化層は、銅−ニッケル−リンからなる針状合金層あ
るいは酸化−還元処理により形成された凹凸層であるこ
とが望ましい。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の多層プリント配線板は、
配線基板における樹脂充填剤と接する導体回路の少なく
とも側面あるいはスルーホールの少なくともランド側面
に粗化層が形成されている点に特徴がある。

【００１３】このような構成とした本発明の多層プリン
ト配線板によれば、基板に設けた導体回路と充填樹脂と
の界面およびスルーホールのランドと充填樹脂との界面
の密着性を改善することができる。その結果、本発明に
よれば、ヒートサイクル条件下において、熱膨張率差に
よる上記各種導体と充填樹脂との界面の開きを抑制で
き、その直上に形成する層間絶縁材層での応力発生を防
止してクラックの発生が抑制できるのである。

【００１４】本発明において、導体回路の側面に形成さ
れる粗化層は、エッチング処理、研磨処理、酸化処理、
酸化還元処理により形成される銅の粗化面もしくはめっ
き被膜により形成される粗化面であることが望ましい。
特に、前記粗化層は、銅−ニッケル−リンからなる針状
合金層であることが望ましい。この針状合金層は樹脂充
填剤との密着性に優れるからである。

【００１５】前記合金層の組成は、銅、ニッケル、リン
の割合で、それぞれ90〜96wt％、１〜５wt％、 0.5〜２
wt％であることが望ましい。これらの組成割合のとき
に、針状の構造を有するからである。

【００１６】前記銅−ニッケル−リン合金層による粗化
層を導体回路の側面に形成する場合、かかる合金層は無
電解めっきにより形成される。その無電解めっきとして
は、銅イオン、ニッケルイオン、次亜リン酸イオンの濃
度が、それぞれ 2.2×10^-2〜4.1 ×10^-2 mol／ｌ、 2.2
×10^-3〜4.1 ×10^-3 mol／ｌ、0.20〜0.25 mol／ｌであ
る液組成のめっき液を用いることが望ましい。この条件
で析出するめっき被膜は、その結晶構造が針状構造にな
るため、アンカー効果に優れるからである。なお、無電
解めっき液には上記化合物に加えて錯化剤や添加剤を加
えてもよい。

【００１７】また、酸化処理による粗化層を導体回路の
側面に形成する場合、その酸化処理は、亜塩素酸ナトリ
ウム、水酸化ナトリウム、リン酸ナトリウムからなる酸
化剤の溶液を用いる処理が望ましい。また、酸化還元処
理による粗化層を導体回路の側面に形成する場合、その
酸化還元処理は、上記酸化処理に引き続き、水酸化ナト
リウムと水素化ホウ素ナトリウムの溶液に浸漬する処理
が望ましい。具体的には、酸化浴（黒化浴）としては、
NaOH（10ｇ／ｌ）、NaClO₂（40ｇ／ｌ）およびNa₃PO
₄（６ｇ／ｌ）からなる浴を用い、還元浴としては、NaO
H（10ｇ／ｌ）およびNaBH₄ （６ｇ／ｌ）からなる浴を
用いることが望ましい。

【００１８】さらに、特開平７−292483号公報に記載さ
れているように、イミダゾール、２−メチルイミダゾー
ル、２−エチルイミダゾールなどのアゾール類の第二銅
錯体およびギ酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、シュウ
酸などの有機酸（必要に応じてフッ素イオン、塩素イオ
ン、臭素イオンなどのハロゲンイオンを含有してもよ
い）からなる粗化液を用い、導体回路の側面に粗化層を
形成することができる。

【００１９】本発明においては、スルーホールの内壁面
にも粗化層が形成されてなることが望ましい。スルーホ
ール内にも樹脂が充填されるため、その充填樹脂とスル
ーホール内壁面との界面を起点とするクラックを防止で
きるからである。また、前記導体回路の上面あるいはス
ルーホールのランド上面にも粗化層が形成されているこ
とが望ましい。前記導体回路の上面あるいはスルーホー
ルのランド上面に粗化層が形成されていると、その導体
と層間絶縁材層との密着性を改善できるからである。

【００２０】本発明においては、上述したような粗化層
の表面に、イオン化傾向が銅よりも大きくチタン以下で
ある金属の層もしくは貴金属層を被覆することが望まし
い。これにより、酸や酸化剤で層間絶縁材層を粗化する
際に、バイアホール用の開口から露出する導体回路の粗
化層が酸や酸化剤により局部電極反応を起こし、その導
体回路が溶解することを防止できるからである。

【００２１】ここで、イオン化傾向が銅よりも大きくチ
タン以下である金属は、チタン、アルミニウム、亜鉛、
鉄、インジウム、タリウム、コバルト、ニッケル、ス
ズ、鉛およびビスマスから選ばれるいずれか少なくとも
１種の金属であることが望ましい。貴金属は、金、銀、
白金、パラジウムであることが望ましい。これらの金属
のなかでも特にスズがよい。スズは無電解置換めっきに
より薄い層を形成でき、粗化層に追従できるため有利で
ある。この場合、例えばホウフッ化スズ−チオ尿素、塩
化スズ−チオ尿素液からなる無電解置換めっき液を用い
るCu−Snの置換反応により、 0.1〜２μｍ程度のSn層が
形成される。貴金属の場合は、スパッタや蒸着などの方
法が採用できる。

【００２２】なお、本発明において、前記粗化層は、そ
の厚さを１〜５μｍとすることが望ましい。厚すぎると
粗化層自体が損傷、剥離しやすく、薄すぎると密着性が
低下するからである。また、粗化層に被覆される金属層
または貴金属層は、その厚さを 0.1〜２μｍとすること
が望ましい。

【００２３】本発明において、基板表面に生じる凹部あ
るいは該基板に設けたスルーホール内に充填される樹脂
充填剤は、無溶剤の充填材料であることが望ましい。樹
脂充填剤中に溶剤が残留すると、コア基板のスルーホー
ル等に充填した樹脂充填剤の層表面に層間絶縁材を塗布
し加熱硬化して層間絶縁材層を形成する場合、残留溶剤
の揮発に起因した層間剥離が起こる。その点、無溶剤の
樹脂充填剤によれば、基板表面を平滑化するための樹脂
充填剤の層とその上層に設けた樹脂絶縁材層との間で生
じる剥離を防止することができるからである。しかも、
無溶剤の樹脂充填剤は、乾燥による収縮がなく、その収
縮による凹みなどの問題を解消することができる。

【００２４】上記樹脂充填剤は、樹脂成分として、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン
樹脂などの各種樹脂を使用することができる。なかで
も、ビスフェノール型エポキシ樹脂を重合硬化して得ら
れるエポキシ樹脂が望ましい。かかるビスフェノール型
エポキシ樹脂は、ノボラック型エポキシ樹脂に比べて剛
直骨格ではなく研磨しやすいからである。

【００２５】また、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用
いた樹脂充填剤は、粘度が低いので、無溶剤であっても
粘度を所定の範囲に調整でき、基板表面に生じる凹部
（導体回路間やバイアホール）あるいは該基板に設けた
スルーホール内に良好に充填することができるからであ
る。

【００２６】ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いる上
記樹脂充填剤は、その粘度を、23±１℃の温度において
0.3×10²〜 1.0×10²Pa・ｓの範囲に調整することが
望ましい。粘度が高すぎると樹脂充填剤の充填作業が困
難であり、一方、粘度が低すぎると樹脂充填剤が流出し
やすく、良好な充填ができないからである。なお、この
時の粘度は、回転粘度計（Ｂ型粘度計）を用いて回転数
６rpm で測定したものである。

【００２７】このようなビスフェノール型エポキシ樹脂
としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェ
ノールＦ型エポキシ樹脂が望ましい。とりわけ、粘度調
整の観点からビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が最適で
ある。ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂は、フェニル基
の間の炭素にメチル基の代わりに水素が結合しており、
分子鎖が動きやすく、未硬化の状態では流動性に富み、
一方、硬化した状態では可撓性に富むからである。

【００２８】上記樹脂充填剤は、エポキシ樹脂の硬化剤
としてイミダゾール硬化剤を用いることが望ましい。イ
ミダゾール硬化剤によって重合硬化したエポキシ樹脂
は、耐熱性、耐薬品性に優れ、酸化剤や塩基に対する特
性に優れるからである。特に、上記樹脂充填剤は、酸化
剤によって層間絶縁材層の表面を粗化処理したり、強塩
基性の無電解めっき液に浸漬してめっき処理する、ビル
ドアップ多層配線板の製造において有利である。イミダ
ゾール硬化剤以外の硬化剤を用いて硬化したエポキシ樹
脂は、上述した処理により分解してしまうからである。

【００２９】また、イミダゾール硬化剤によって重合硬
化したエポキシ樹脂は、疏水性であり、吸湿しにくい。
そのため、配線基板に形成した導体回路間の絶縁抵抗
は、充填した樹脂充填剤の吸湿によって低下することは
ない。

【００３０】このようなイミダゾール硬化剤としては、
25℃で液状のイミダゾール硬化剤を用いることが望まし
く、例えば、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール
（品名：１Ｂ２ＭＺ）、１−シアノエチル−２−エチル
−４−メチルイミダゾール（品名：２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）、４−メチル−２−エチルイミダゾール（品名：２
Ｅ４ＭＺ）が挙げられる。この理由は、無溶剤樹脂を用
いる場合、粉末状のイミダゾール硬化剤では均一混練が
難しく、液状の方が均一混練が容易だからである。

【００３１】このイミダゾール硬化剤は、樹脂充填剤中
の含有量で、１〜10重量％であることが望ましい。この
理由は、この範囲内にあれば樹脂充填剤の粘度を調整し
やすいからである。上記樹脂充填剤は、充填した後に行
う硬化処理では、全モノマーの60〜80％を反応硬化させ
ることが望ましい。この理由は、この程度の反応率に調
整すると、容易に研磨するのに十分な樹脂硬度が得られ
るからである。

【００３２】上記樹脂充填材は、上述した樹脂成分およ
びイミダゾール硬化剤の他に、添加成分として無機粒子
を含むことが望ましい。無機粒子を含む樹脂充填材は硬
化による収縮が小さく、コア基板の反り発生を防止する
ことができるからである。即ち、ビスフェノール型エポ
キシ樹脂を重合硬化して得られるエポキシ樹脂は、可撓
性がある反面、硬化収縮や熱膨張係数が小さくない。そ
の点、添加成分として無機粒子を含む樹脂充填剤によれ
ば、硬化収縮や熱膨張係数に起因した問題を補償するこ
とができる。

【００３３】このような無機粒子としては、シリカやア
ルミナ、ムライト、ジルコニアなどが挙げられる。この
無機粒子の平均粒子径は、 0.1〜5.0 μｍであることが
望ましい。この理由は、細かすぎると樹脂充填剤の粘度
が高くなりすぎて充填作業が困難となり、粗すぎると表
面の平滑性がなくなるからである。この無機粒子の配合
量は、ビスフェノール型エポキシ樹脂に対して 1.0〜2.
0倍程度とすることが望ましい。この理由は、無機粒子
の配合量が前記範囲内であれば、樹脂充填剤の粘度を23
±１℃の温度において 0.3×10²〜 1.0×10²Pa・ｓ程
度に調整しやすいからである。

【００３４】次に、本発明にかかる多層プリント配線板
の製造方法について説明する。即ち、導体回路あるいは
スルーホールを有するコア基板の表面に、層間絶縁材層
と導体層を交互に積層し、各導体層間が層間絶縁材層に
設けたバイアホールを介して電気的に接続されてなるビ
ルドアップ多層プリント配線板は、(1) 基板の表面に導
体回路やバイアホールを形成し、あるいは該基板にスル
ーホールを形成する工程、(2) 基板表面で凹部を形成す
る導体回路やバイアホールの表面、あるいは該基板に設
けたスルーホールのランド表面、また必要に応じてスル
ーホールの内壁面に粗化層を形成する工程、(3) 基板表
面に設けた導体回路間の間隙に生じる凹部、バイアホー
ルの凹部あるいは該基板に設けたスルーホール内に樹脂
充填剤を塗布して充填する工程、(4) 前記(3) で充填し
た樹脂充填剤を硬化させる工程、(5) 前記(4) で硬化し
た樹脂充填剤の表層部および導体上面の粗化層を研磨し
て除去し、導体回路（バイアホールのランド部分を含
む）やスルーホールのランド部分を露出させ、基板の表
面を平滑にする工程、(6) 必要に応じて導体回路（バイ
アホールのランド部分を含む）上面あるいはスルーホー
ルのランド上面に粗化層を形成する工程、(7) 層間絶縁
材層を形成する工程、(8) 層間絶縁剤層の表面に導体回
路を形成する工程、を少なくとも経て製造される。

【００３５】工程(1) は、基板の表面に導体回路やバイ
アホールを形成し、あるいは該基板にスルーホールを形
成する工程である。この工程では、導体回路は、銅張積
層板をエッチングすることにより形成し、たスルーホー
ルは、ドリルで穿孔した孔に無電解めっき等を施すこと
により形成される。また、バイアホールは、配線基板に
層間樹脂絶縁層を設け、ここにバイアホール用開口を形
成し、その開口に無電解めっき膜を形成することにより
形成される。

【００３６】工程(2) は、基板表面で凹部を形成する導
体回路やバイアホールの表面、あるいは該基板に設けた
スルーホールのランド表面、また必要に応じてスルーホ
ールの内壁面に粗化層を形成する工程である。この工程
では、上記粗化層は、例えば、無電解めっきによる銅−
ニッケル−リンの針状合金層、あるいはエッチングによ
る粗化面などからなる。その粗化層の表面はスズや貴金
属などで被覆することが望ましい。

【００３７】工程(3) は、基板表面に設けた導体回路間
の間隙に生じる凹部、バイアホールの凹部あるいは該基
板に設けたスルーホール内に樹脂充填剤を塗布して充填
する工程である。この工程では、コア基板表面に設けた
導体回路間の間隙あるいはスルーホール内、および層間
絶縁材層に設けた導体回路間の間隙あるいはバイアホー
ル内から選ばれるいずれか少なくとも１箇所に前述の樹
脂充填剤を塗布充填する。

【００３８】工程(4) は、工程(3) で充填した樹脂充填
剤を硬化させる工程である。この工程では、樹脂充填剤
は、研磨可能な状態（全モノマー数の60％〜80％を硬化
させた状態）とし、完全に硬化した状態ではないことが
望ましい。研磨しやすいからである。

【００３９】工程(5) は、工程(4) で硬化した樹脂充填
剤の表層部および導体上面の粗化層を研磨して除去し、
導体回路（バイアホールのランド部分を含む）やスルー
ホールのランド部分を露出させ、基板の表面を平滑にす
る工程である。充填樹脂が導体回路やランド部分に付着
していると導通不良の原因になるからである。この工程
により、粗化層は、導体回路の側面部分あるいはスルー
ホールの内壁面にのみ形成された状態になる。なお、研
磨方法は、バフ研磨、ベルトサンダーなどの方法が好ま
しい。

【００４０】工程(6) は、必要に応じて、工程(5) で研
磨により露出した導体回路（バイアホールのランド部分
を含む）上面あるいはスルーホールのランド上面に粗化
層を形成する工程である。この工程では、上記粗化層
は、工程(2) と同様にして設ける。

【００４１】工程(7) は、層間絶縁材層を形成する工程
である。この層間絶縁材層は、酸あるいは酸化剤に難溶
性の耐熱性樹脂マトリックス中に酸あるいは酸化剤に可
溶性の硬化された樹脂粒子を分散してなる無電解めっき
用接着剤で構成することが望ましい。無電解めっき用接
着剤の層は、層表面に存在する樹脂粒子を酸あるいは酸
化剤で溶解除去してその表面が粗化され、この粗化面上
に形成される導電体との密着性を改善できるからであ
る。また、層間絶縁材層は、樹脂充填剤の充填によって
平滑にされた基板の表面に形成されるため、その厚みを
均一にすることができる。従って、この層間絶縁材層に
バイアホールを形成する場合、均一な厚みに塗布し形成
された層間絶縁材を露光、現像処理して形成するので、
どのバイアホールも同一の露光条件で露光でき、バイア
ホールの未開口、あるいは形状不良等を発生させること
がない。さらに、上記層間絶縁材層は、樹脂充填剤とし
て無溶剤の充填材料を使用する場合、溶剤の揮発に起因
した樹脂充填材との層間剥離を防止することができる。

【００４２】工程(8) は、層間絶縁材層の表面にバイア
ホールを含む導体回路を形成する工程である。即ち、層
間絶縁材層の表面を酸や酸化剤で粗化処理して、触媒核
を付与し、次いで、めっきレジストを形成した後、レジ
スト非形成部分に無電解めっきを施すいわゆるフルアデ
ィティブ法、あるいは層間絶縁材層の表面を酸や酸化剤
で粗化処理して、触媒核を付与し、次いで、薄膜の無電
解めっきを施し、さらにめっきレジスト層を設け、レジ
スト非形成部分に厚膜の電解めっきを施した後、めっき
レジストを除去して無電解めっき膜をエッチングし、独
立の導体回路を形成するいわゆるセミアディティブ法を
採用することができる。ここに、めっきレジストは、市
販品をはじめ各種のものを使用でき、例えば、フェノー
ルノボラック、クレゾールノボラックなどのノボラック
型エポキシ樹脂のアクリレートがよい。

【００４３】なお、アディティブ法により形成しためっ
きレジストを研磨して基板表面を平滑にすれば、アディ
ティブ法によって配線層をさらに多層化した場合にも、
常に表面を平滑にすることができる。

【００４４】

【実施例】図１〜図20は、本発明の一実施態様に係る多
層プリント配線板を製造する各工程を示す図である。こ
れらの図に基づいて以下に実施例を説明する。なお、実
施例１はセミアディティブ法による多層プリント配線
板、実施例２はフルアディティブ法による多層プリント
配線板に関するものである。

【００４５】（実施例１）（セミアディティブ法） (1) 厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマ
レイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に18μ
ｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材
料とした（図１参照）。まず、この銅張積層板をドリル
削孔し、めっきレジストを形成した後、無電解めっき処
理してスルーホール９を形成し、さらに、銅箔８を常法
に従いパターン状にエッチングすることにより、基板１
の両面に内層銅パターン４を形成した。

【００４６】(2) 一方、ビスフェノールＦ型エポキシモ
ノマー（油化シェル製、分子量310 、商品名：YL983U）
100重量部と、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品
名：2E4MZ-CN）６重量部、消泡剤（サンノプコ製、商品
名：ペレノールＳ４）1.5 重量部を混合し、さらに、こ
の混合物に対し、表面にシランカップリング剤をコーテ
ィングした平均粒径 1.6μｍのSiＯ₂球状粒子（アドマ
テック製、CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは
後述する内層銅パターンの厚み（15μｍ）以下とする）
170重量部を混合し、３本ロールにて混練することによ
り、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps
に調整して、基板表面平滑化のための樹脂充填剤10を得
た。この樹脂充填剤は無溶剤である。もし溶剤入りの樹
脂充填剤を用いると、後工程において層間剤を塗布して
加熱・乾燥させる際に、樹脂充填剤の層から溶剤が揮発
して、樹脂充填剤の層と層間材との間で剥離が発生する
からである。

【００４７】(3) 前記(1) で内層銅パターン４を形成し
た基板１を水洗いし、乾燥した後、NaOH（10ｇ／ｌ）、
NaClO₂（40ｇ／ｌ）、Na₃PO₄（６ｇ／ｌ）を酸化浴（黒
化浴）、またNaOH（１０ｇ／ｌ）、NaBH₄（６ｇ／ｌ）
を還元浴として用い、内層導体回路４およびスルーホー
ル９の全表面に粗化層11を設けた（図２参照）。

【００４８】(4) 前記(2) で得た樹脂充填剤10を、図２
に示す基板１の片面にロールコータを用いて塗布するこ
とにより、内層導体回路４間の間隙あるいはスルーホー
ル９内に充填し、120 ℃，20分間で仮硬化し、他方の面
についても同様にして樹脂充填剤10を導体回路４間ある
いはスルーホール９内に充填し、120 ℃，20分間で仮硬
化した（図３参照）。

【００４９】(5) 前記(4) の処理を終えた図３に示す基
板の片面を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を
用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の
表面やスルーホール９のランド表面に樹脂充填剤10が残
らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨
による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このよう
な一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った
（図４参照）。次いで 100℃で１時間、120 ℃で３時
間、 150℃で１時間、 180℃で７時間の加熱処理を行っ
て樹脂充填剤10を完全硬化した。

【００５０】このようにして、スルーホール９等に充填
された樹脂充填剤10の表層部および内層導体回路４上面
の粗化層11を除去して基板両面を平滑化し、樹脂充填剤
10と内層導体回路４の側面とが粗化層11を介して強固に
密着し、またスルーホール９の内壁面と樹脂充填剤10と
が粗化層11を介して強固に密着した配線基板を得た。即
ち、上記工程(5) により、樹脂充填剤10の表面と内層銅
パターン４の表面が同一平面となる。ここで、充填した
硬化樹脂のＴｇ点は155.6 ℃、線熱膨張係数は44.5×10
^-6／℃であった。

【００５１】(6) 前記(5) の処理で露出した内層導体回
路４およびスルーホール９のランド上面に厚さ 2.5μm
のCu−Ni−Ｐ合金からなる粗化層（凹凸層）11を形成
し、さらにその粗化層11の表面に厚さ 0.3μｍのSn層を
形成した（図５参照、但し、Sn層については図示しな
い）。その形成方法は以下のようである。即ち、基板を
酸性脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジ
ウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を
付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫
酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸
ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1
ｇ／ｌ、ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にてめっきを
施し、銅導体回路４およびスルーホール９（内壁を含
む) の全表面にCu−Ni−Ｐ合金の粗化層（凹凸層）11を
形成した。ついで、ホウフッ化スズ0.1mol／ｌ、チオ尿
素1.0mol／ｌ、温度50℃、ｐＨ＝1.2 の条件でCu−Sn置
換反応を行い、粗化層11の表面に厚さ 0.3μｍのSn層を
設けた（Sn層については図示しない）。

【００５２】(7) また一方で、ＤＭＤＧ（ジエチレング
リコールジメチルエーテル）に溶解したクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25
％アクリル化物を35重量部、ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）12重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成
製、商品名： 2E4MZ−CN）２重量部、感光性モノマーで
あるカプロラクトン変成トリス（アクロキシエチル）イ
ソシアヌレート（東亜合成製、商品名：アロニックスＭ
325 ）４重量部、光開始剤としてのベンゾフェノン（関
東化学製）２重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン
（関東化学製）0.2 重量部、さらにこれらの混合物に対
してエポキシ樹脂粒子（三洋化成製、商品名：ポリマー
ポール）の平均粒径 3.0μｍのものを10.3重量部、平均
粒径 0.5μｍのものを3.09重量部を混合した後、さらに
ＮＭＰ（ノルマルメチルピロリドン）30重量部を添加し
ながら混合し、ホモディスパー攪拌機で粘度７Pa・ｓに
調整し、続いて３本ロールで混練して感光性接着剤溶液
を得た。

【００５３】(8) 前記(6) の処理を終えた基板の両面
に、上記(7) で得た感光性接着剤溶液をロールコータを
用いて塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で
30分の乾燥を行い、厚さ60μｍの接着剤層２を形成した
（図６参照）。

【００５４】なお、この工程では、樹脂充填剤の層上に
感光性接着剤層を直接形成する上記以外の構成として、
樹脂充填剤の層上に絶縁材の層を形成し、この絶縁材の
層上に感光性接着剤の層を形成する形態を採用すること
ができる。即ち、絶縁材層と接着剤層の２層からなる層
間絶縁層を形成することができる。このときの絶縁材
は、クレゾールノボラックエポキシ樹脂の25％アクリル
化物（日本化薬製）70重量％、ポリエーテルスルホン
（三井東圧製）30重量％、ベンゾフェノン５重量％、ミ
ヒラーケトン 0.5重量％およびイミダゾール硬化剤を４
重量％、エポキシ樹脂粒子（平均粒子径 0.3μｍ、ビス
フェノールＡ型樹脂をアミン系硬化剤で懸濁重合させた
もの）を混合した後、ノルマルメチルピロリドン（ＮＭ
Ｐ）を添加しながらホモディスパー攪拌機で粘度1.2 Pa
・ｓに調整し、さらに３本ロールで混練して得られる。

【００５５】(9) 前記(8) で接着剤層２を形成した基板
の両面に、 100μｍφの黒円が印刷されたフォトマスク
フィルムを密着させ、超高圧水銀灯により 500mJ／cm²
で露光した。これをＤＭＤＧ溶液でスプレー現像するこ
とにより、接着剤層２に 100μｍφのバイアホールとな
る開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯に
より3000mJ／cm²で露光し、100 ℃で１時間、その後 1
50℃で５時間の加熱処理をすることにより、フォトマス
クフィルムに相当する寸法精度に優れた開口（バイアホ
ール形成用開口６）を有する厚さ50μｍの接着剤層２
（層間絶縁材層）を形成した（図７参照）。なお、バイ
アホールとなる開口６には、図示しないスズめっき層を
部分的に露出させた。

【００５６】(10)前記(9) の処理を施した基板を、クロ
ム酸に１分間浸漬し、接着剤層２の表面のエポキシ樹脂
粒子を溶解除去することにより、当該接着剤層２の表面
を粗面化し、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬
してから水洗いした（図８参照）。さらに、粗面化処理
した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）
を付与することにより、接着剤層２の表面およびバイア
ホール用開口６の内壁面に触媒核を付けた。

【００５７】(11)前記(10)の処理を施した基板を、以下
の組成の無電解銅めっき浴中に浸漬して、粗面全体に厚
さ３μｍの無電解銅めっき膜12を形成した（図９参
照）。〔無電解めっき液〕ＥＤＴＡ 150ｇ／ｌ硫酸銅 20ｇ／ｌＨＣＨＯ 30ml／ｌＮａＯＨ 40ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80mg／ｌＰＥＧ 0.1ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕 70 ℃の液温度で30分

【００５８】(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜
12上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスク
を載置して、 100mJ／cm²で露光、 0.8％炭酸ナトリウ
ムで現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジスト３を設け
た（図10参照）。

【００５９】(13)ついで、レジスト非形成部分に以下の
条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき
膜13を形成した（図11参照）。〔電解めっき液〕硫酸 180g ／l 硫酸銅 80ｇ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ）１ml／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／dm² 時間 30分温度室温

【００６０】(14)めっきレジスト３を５％KOH で剥離除
去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜12
を硫酸と過酸化水素の混合液でエッッチング処理して溶
解除去し、無電解銅めっき膜12と電解銅めっき膜13から
なる厚さ18μｍの外層導体回路（バイアホールを含む）
５を形成した（図12参照）。さらに、その基板を800 ｇ
／l のクロム酸中に２分間浸漬して粗化面上に残留して
いるパラジウム触媒核を除去した。

【００６１】(15)前記(14)で外層導体回路５を形成した
基板を、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、ク
エン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ
酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の
無電解めっき液に浸漬し、該外層導体回路５の表面に厚
さ３μｍの銅−ニッケル−リン合金からなる粗化層11を
形成した（図13、図21参照）。このとき、形成した粗化
層11をＥＰＭＡ（蛍光Ｘ線分析装置）で分析したとこ
ろ、Ｃｕ；98 mol％、Ni；1.5molｌ％、Ｐ；0.5molｌ％
の組成比であった。さらに、ホウフッ化スズ0.1mol／
ｌ、チオ尿素1.0mol／ｌ、温度50℃、ｐＨ＝1.2 の条件
でCu−Sn置換反応を行い、前記粗化層11の表面に厚さ
0.3μｍのSn層を設けた（Sn層については図示しな
い）。なお、前記粗化層11は、NaOH（10ｇ／ｌ）、NaCl
O₂（40ｇ／ｌ）およびNa₃PO₄（６ｇ／ｌ）からなる酸化
浴（黒化浴）、NaOH（10ｇ／ｌ）およびNaBH₄ （６ｇ／
ｌ）からなる還元浴を用いてエッチングすることにより
形成したものであってもよい（図22参照）。

【００６２】(16)前記 (7)〜(15)の工程を繰り返すこと
により、さらに外層の導体回路を形成した。但し、Sn置
換は行わなかった（図14〜図19参照）。

【００６３】(17)一方、ＤＭＤＧに溶解させた60重量％
のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）
のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴ
マー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに
溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾー
ル硬化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感
光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬
製、商品名：Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマ
ー（共栄社化学製、商品名：DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消
泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−65）0.71ｇを混合
し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾ
フェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒ
ラーケトン（関東化学製）を0.2 ｇ加えて、粘度を25℃
で 2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得
た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL-B
型）で 60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合はロ
ーターNo.3によった。

【００６４】(18) (1)〜(16)の工程を終えた配線基板の
両面にソルダーレジスト組成物を20μｍの厚さで塗布し
た。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を
行った後、1000mJ／cm²の紫外線で露光し、DMTG現像処
理した。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１時
間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理
し、パッド部分が開口した（開口径 200μｍ）ソルダー
レジスト層（厚み20μｍ）14を形成した。

【００６５】(19)次に、ソルダーレジスト層14を形成し
た基板を、塩化ニッケル30ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウ
ム10ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなるｐＨ
＝５の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口
部に厚さ５μｍのニッケルめっき層15を形成した。さら
に、その基板を、シアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化ア
ンモニウム75ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム50ｇ／ｌ、次
亜リン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなる無電解金めっき液
に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層15上
に厚さ0.03μｍの金めっき層16を形成した。

【００６６】(20)そして、ソルダーレジスト層14の開口
部に、はんだペーストを印刷して、ソルダーレジスト層
14の開口部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフ
ローすることによりはんだバンプ17を形成し、はんだバ
ンプ17を有する多層プリント配線板を製造した（図20参
照）。

【００６７】（実施例２）（フルアディティブ法） (1) 実施例１の(1) 〜(6) までの処理により、内層導体
回路４の上面、側面、スルーホール９のランド上面、側
面、スルーホール９の内壁面に粗化層11を設けた基板を
得た（図１〜図５参照）。

【００６８】(2) また一方で、ＤＭＤＧ（ジエチレング
リコールジメチルエーテル）に溶解したクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25
％アクリル化物を35重量部、ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）12重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成
製、商品名： 2E4MZ−CN）２重量部、感光性モノマーで
あるカプロラクトン変成トリス（アクロキシエチル）イ
ソシアヌレート（東亜合成製、商品名：アロニックスＭ
325 ）４重量部、光開始剤としてのベンゾフェノン（関
東化学製）２重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン
（関東化学製）0.2 重量部、さらにこれらの混合物に対
してエポキシ樹脂粒子（三洋化成製、商品名：ポリマー
ポール）の平均粒径 3.0μｍのものを10.3重量部、平均
粒径 0.5μｍのものを3.09重量部を混合した後、さらに
ＮＭＰ（ノルマルメチルピロリドン）30重量部を添加し
ながら混合し、ホモディスパー攪拌機で粘度７Pa・ｓに
調整し、続いて３本ロールで混練して感光性接着剤溶液
（上層) を得た。

【００６９】(3) また、ＤＭＤＧ（ジエチレングリコー
ルジメチルエーテル）に溶解したクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アク
リル化物を35重量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥ
Ｓ）12重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品
名： 2E4MZ−CN）2 重量部、感光性モノマーであるカプ
ロラクトン変成トリス（アクロキシエチル）イソシアヌ
レート（東亜合成製、商品名：アロニックスＭ325 ）4
重量部、光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学
製）2 重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東
化学製）0.2 重量部、さらにエポキシ樹脂粒子の平均粒
径 0.5μｍのものを9.28重量部、シラン系レベリング剤
0.5 重量部を混合した後、さらにＮＭＰを添加しながら
混合し、ホモディスパー攪拌機で粘度 1.5Pa・ｓに調整
し、続いて３本ロールで混練して得られる感光性接着剤
溶剤（下層) 。

【００７０】(4) 一方、ＤＭＤＧに溶解させたクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、商品名：EO
CN−103S）のエポキシ基25％をアクリル化した感光性付
与のオリゴマー（分子量4000）、イミダゾール硬化剤
（四国化成製、商品名：２PMHZ−PW）、感光性モノマー
であるアクリル系イソシアネート（東亜合成製、商品
名：アロニックスＭ215 ）、光開始剤としてのベンゾフ
ェノン（関東化学製）、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学製）を以下の組成でＮＭＰを用いて混合し
て、ホモディスパー攪拌機で粘度3000cps に調整し、続
いて３本ロールで混練して液状レジストを得た。樹脂組成物；感光性エポキシ／Ｍ215 ／BP／MK／イミダ
ゾール＝100 ／10／５／0.5 ／５

【００７１】(5) 前記(3) で得られた下層の感光性接着
剤溶液を、前記(1) で得られた基板の両面に塗布し、水
平状態で20分間放置してから60℃で30分の乾燥を行い、
さらに、前記(2) で得られた上層の感光性接着剤溶液を
基板両面に塗布して60℃で30分の乾燥を行い、厚さ60μ
ｍの接着剤層２を形成した（図６参照、図６では上層と
下層の境界は省略している) 。

【００７２】(6) 前記(5) で接着剤層２を形成した基板
の両面に、 100μｍφの黒円が印刷されたフォトマスク
フィルムを密着させ、超高圧水銀灯により 500mJ／cm²
で露光した。これをＤＭＤＧ溶液でスプレー現像するこ
とにより、接着剤層２に 100μｍφのバイアホールとな
る開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯に
より3000mJ／cm²で露光し、100 ℃で１時間、その後 1
50℃で５時間の加熱処理をすることにより、フォトマス
クフィルムに相当する寸法精度に優れた開口（バイアホ
ール形成用開口６）を有する厚さ50μｍの接着剤層２
（層間絶縁材層）を形成した（図７参照）。なお、バイ
アホールとなる開口には、図示しないスズめっき層を部
分的に露出させた。

【００７３】(7) 前記(6) の処理を施した基板を、クロ
ム酸に１分間浸漬し、接着剤層２の表面のエポキシ樹脂
粒子を溶解除去することにより、当該接着剤層２の表面
を粗面化し、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬
してから水洗いした（図８参照）。さらに、粗面化処理
した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）
を付与することにより、接着剤層２の表面およびバイア
ホール用開口６の内壁面に触媒核を付けた。

【００７４】(8) 前記(7) の処理を終えた基板上に、上
記(4) で得られた液状レジストをロールコーターを用い
て塗布し、60℃で30分間の乾燥を行い、厚さ30μｍのレ
ジスト層を形成した。次いで、Ｌ／Ｓ（ラインとスペー
スとの比）＝50／50の導体回路パターンの描画されたマ
スクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により1000mJ／
cm²で露光し、ＤＭＤＧでスプレー現像処理することに
より、基板上に導体回路パターン部の抜けためっき用レ
ジストを形成し、さらに、超高圧水銀灯にて6000mJ／cm
²で露光し、 100℃で１時間、その後、 150℃で３時間
の加熱処理を行い、接着剤層２の上に永久レジスト３を
形成した（図23参照）。

【００７５】(9) 上記永久レジスト３を形成した基板
を、 100ｇ／ｌの硫酸水溶液に浸漬処理して触媒核を活
性化した後、下記組成を有する無電解銅−ニッケル合金
めっき浴を用いて一次めっきを行い、レジスト非形成部
分に厚さ約1.7 μｍの銅−ニッケル−リンめっき薄膜を
形成した。このとき、めっき浴の温度は60℃とし、めっ
き浸漬時間は１時間とした。

【００７６】(10) 前記(9) の工程で一次めっき処理し
た基板を、前記めっき浴から引き上げて表面に付着して
いるめっき浴を水で洗い流し、さらに、その基板を酸性
溶液で処理することにより、銅−ニッケル−リンめっき
薄膜表層の酸化皮膜を除去した。その後、Pd置換を行う
ことなく、銅−ニッケル−リンめっき薄膜上に、下記組
成の無電解銅めっき浴を用いて二次めっきを施すことに
より、アディティブ法による導体層として必要な外層導
体パターンおよびバイアホール（BVH ）を形成した（図
24参照）。このとき、めっき浴の温度は50〜70℃とし、
めっき浸漬時間は90〜360 分とした。金属塩… CuSO₄・5H₂O ： 8.6 ｍＭ錯化剤…ＴＥＡ： 0.15Ｍ還元剤…ＨＣＨＯ： 0.02Ｍその他…安定剤（ビピリジル、フェロシアン化カリウム
等）：少量析出速度は、６μｍ／時間

【００７７】(11)このようにしてアディティブ法による
導体層を形成した後、＃600 のベルト研磨紙を用いたベ
ルトサンダー研磨により、基板の片面を、永久レジスト
の表層とバイアホールの銅の最上面とが揃うまで研磨し
た。引き続き、ベルトサンダーによる傷を取り除くため
にバフ研磨を行った（バフ研磨のみでもよい）。そし
て、他方の面についても同様に研磨して、基板両面が平
滑なプリント配線基板を形成した。

【００７８】(12)そして、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケ
ル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウ
ム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ／ｌか
らなるｐＨ＝９の無電解めっき液に浸漬し、厚さ３μｍ
の銅−ニッケル−リン合金からなる粗化層11を形成した
後（図25参照）、前述の工程を繰り返すことにより、ア
ディティブ法による導体層を更にもう一層形成し、この
ようにして配線層をビルドアップすることにより６層の
多層プリント配線板を製造した。(13)さらに、実施例１
の(17)〜(20)までを実施してソルダーレジストとはんだ
バンプを形成した（図26参照) 。

【００７９】（比較例１）粗化層を導体回路の上面およ
びスルーホールのランド上面のみに形成したこと以外
は、実施例１と同様にして多層プリント配線板を使用し
た。

【００８０】このようにして得られた多層プリント配線
板について、−55℃〜125 ℃のヒートサイクル試験を20
00回実施した。その結果、実施例１および２の多層プリ
ント配線板は、クラックの発生が観察されなかった。し
かし、比較例１の多層プリント配線板は、層間絶縁材層
に導体回路と樹脂充填剤との界面を起点として垂直方向
にクラックが発生した。

【００８１】

【発明の効果】以上説明したように本発明の多層プリン
ト配線板によれば、ヒートサイクル条件下でもクラック
が発生せず、信頼性に優れる多層プリント配線板を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図２】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図３】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図４】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図５】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図６】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図７】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図８】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図９】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図10】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図11】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図12】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図13】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図14】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図15】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図16】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図17】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図18】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図19】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図20】本発明の一実施態様に係る多層プリント配線板
の各製造工程を示す図である。

【図21】本発明の多層プリント配線板における粗化層の
一の状態を示すの部分拡大断面図である。

【図22】本発明の多層プリント配線板における粗化層の
他の状態を示すの部分拡大断面図である。

【図23】本発明の他の実施態様に係る多層プリント配線
板の各製造工程を示す図である。

【図24】本発明の他の実施態様に係る多層プリント配線
板の各製造工程を示す図である。

【図25】本発明の他の実施態様に係る多層プリント配線
板の各製造工程を示す図である。

【図26】本発明の他の実施態様に係る多層プリント配線
板の各製造工程を示す図である。

【符号の説明】

１基板２接着剤層３めっきレジスト４内層銅パターン（内層導体回路）５外層銅パターン（外層導体回路）６バイアホール用開口７バイアホール８銅箔９スルーホール 10 樹脂充填剤 11 粗化層 12 無電解銅めっき膜 13 電解銅めっき膜 14 ソルダーレジスト層 15 ニッケルめっき層 16 金めっき層 17 はんだバンプ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板表面に設けた導体回路間の間隙に生
じる凹部あるいは該基板に設けたスルーホール内に樹脂
充填剤を充填し、硬化した後、その基板上に層間絶縁材
と導体回路を交互に積層してなる多層プリント配線板に
おいて、前記基板に設けた導体回路の少なくとも側面あるいはス
ルーホールの少なくともランド側面に粗化層が形成され
ていることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】前記スルーホールの内壁面に粗化層が形
成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層プ
リント配線板。
【請求項３】前記導体回路の上面あるいは前記スルー
ホールのランド上面に粗化層が形成されていることを特
徴とする請求項１または２に記載の多層プリント配線
板。
【請求項４】前記樹脂充填剤は、無機粒子を含む充填
材料である請求項１〜３のいずれか１に記載の多層プリ
ント配線板。
【請求項５】前記粗化層は、銅−ニッケル−リンから
なる針状合金層あるいは酸化−還元処理により形成され
た凹凸層である請求項１〜４のいずれか１に記載の多層
プリント配線板。