JP3311977B2 - 無電解めっき用接着剤および多層プリント配線板 - Google Patents

無電解めっき用接着剤および多層プリント配線板

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JP3311977B2 JP33546797A JP33546797A JP3311977B2 JP 3311977 B2 JP3311977 B2 JP 3311977B2 JP 33546797 A JP33546797 A JP 33546797A JP 33546797 A JP33546797 A JP 33546797A JP 3311977 B2 JP3311977 B2 JP 3311977B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電解めっき用接
着剤およびそれを使用した多層プリント配線板に関し、
特に、直径 100μm未満のバイアホールおよびファイン
パターンを形成でき、しかもバイアホール内の現像残り
を効果的に除去できる、無電解めっき用接着剤の構成と
その接着剤を用いて製造される多層プリント配線板につ
いて提案する。
【0002】
【従来の技術】近年、多層配線基板の高密度化という要
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば特公
平4−55555 号公報に開示されているような方法により
製造される。即ち、コア基板上に、感光性の無電解めっ
き用接着剤を塗布し、これを乾燥したのち露光、現像す
ることにより、バイアホール用開口を有する層間樹脂絶
縁層を形成し、次いで、この層間樹脂絶縁層の表面を酸
化剤等による処理にて粗化したのち、その粗化面にめっ
きレジストを設け、その後、レジスト非形成部分に無電
解めっきを施してバイアホールを含む導体回路パターン
を形成し、このような工程を複数回繰り返すことによ
り、多層化したビルドアップ配線基板が得られる。
【0003】このようなビルドアップ配線基板の層間樹
脂絶縁層に使用される無電解めっき用接着剤としては、
特開昭63-158156 号公報や特開平2−188992号公報(U
SP5,055,321号、USP 5,589,255号) に記載されて
いるような、平均粒径2〜10μmの粗粒子と平均粒径2
μm以下の微粒子からなる溶解可能な樹脂粒子を難溶性
の耐熱性樹脂マトリックス中に分散したものがある。
【0004】また、特開昭61-276875 号公報(USP
4,752,499号、USP 5,021,472号)には、平均粒径 1.6
μmに破砕したエポキシ樹脂粉末を難溶性の耐熱性樹脂
マトリックス中に分散したものが開示されている。さら
に、特開平7−34048 号公報(USP 5,519,177号) に
は、強靱なエポキシ−ポリエーテルスルフォン(PE
S)樹脂複合体を樹脂マトリックスとして使用した無電
解めっき用接着剤が開示されている。
【0005】ところが、このようなビルドアップ多層プ
リント配線板を実際に製造し、ICチップを搭載すると、
めっきレジストと導体回路の界面の密着性がないので、
めっきレジストと導体回路の熱膨張率差に起因して、こ
れらの界面を起点として層間樹脂絶縁層にクラックが発
生するという新たな問題を知見するに到った。
【0006】これに対し、上記クラックの発生を防止す
る方法として、めっきレジストを除去して導体回路の側
面を粗化処理することにより、導体回路と層間樹脂絶縁
層との密着を改善する方法が採用される。
【0007】このようなめっきレジストを除去して配線
板を製造する方法としては、セミアディティブ法が最も
現実的な方法である。このセミアディティブ法は、層間
樹脂絶縁層(無電解めっき用接着剤層)の表面を粗化
し、無電解めっきを全面に薄く施し、めっきレジストを
形成し、電解めっきを行い、めっきレジスト間に厚く電
解めっき膜を設け、めっきレジストを除去してめっきレ
ジスト下の無電解めっき膜を溶解除去して導体パターン
を形成する方法である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなセミアディティブ法において、前述の平均粒径2〜
10μmの粗粒子と平均粒径2μm以下の微粒子からなる
溶解可能な樹脂粒子を難溶性の耐熱性樹脂マトリックス
中に分散した接着剤を採用すると、粗化面のアンカーが
深くなり、このアンカー中に導体の残さが残って線間の
絶縁信頼性を低下させたり、微細パターン(L/S=25
/25μm)が形成できないなどの問題があった。また、
配線の高密度化のために直径60μm以下のバイアホール
を形成しようとすると、粗化処理の際に、壁面が溶解し
てバイアホールの開口径が大きくなってしまい、微細な
バイアホールを形成できないという問題があった。さら
に、微細なバイアホールを形成しようとすると、現像処
理しきれずにバイアホール底部に樹脂残さが残って導通
不良を引き起こすという問題があり、とくに、バイアホ
ールが接続する内層パッド表面が粗化されていたり、接
着剤の樹脂マトリックスとしてエポキシ樹脂−PESを
使用した場合には、このような樹脂のこりが顕著であっ
た。
【0009】本発明は、上述した各種問題を解消するた
めになされたものであり、その主たる目的は、線間の導
体残さやバイアホール内の現像残りを効果的に除去で
き、微細なバイアホールおよびファインパターンを形成
できる構成の無電解めっき用接着剤を提案することにあ
る。また本発明の他の目的は、上記無電解めっき用接着
剤を用いることによって、微細なバイアホールおよびフ
ァインパターンを形成でき、しかもピール強度等の信頼
性にも優れる多層プリント配線板を提供することにあ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究した。その結果、このような問題が
発生する原因が、溶解除去される耐熱性樹脂粒子の平均
粒径が大きすぎることにあることを突き止めた。即ち、
前述の平均粒径2〜10μmの粗粒子と平均粒径2μm以
下の微粒子からなる溶解可能な樹脂粒子を難溶性の耐熱
性樹脂マトリックス中に分散した接着剤により形成され
るアンカーの深さは10μm程度(例えば、特開平7−34
048 号公報(USP 5519177号) の実施例1)である。
このため、セミアディティブ法では、アンカーの深部ま
で形成される無電解めっき膜がエッチング除去できずに
アンカー内に残留して線間絶縁性を低下させるものと考
えられる。また、線間絶縁性を確保するために、過剰に
エッチング処理して線間の導体を完全に除去しようとす
ると、微細パターンを形成する際にアンダーカットが発
生し、断線してしまうと考えられる。
【0011】本発明は、このような知見に基づくもので
あり、耐熱性樹脂粒子の平均粒径を1.0μm以下とする
ことにより、粗化面を浅くして、線間の導体残さの発生
を防止するとともに、微細パターンや微細径のバイアホ
ールの形成を実現し、さらに酸や酸化剤で溶解除去でき
る耐熱性樹脂粒子の量を基板に近い側(内層側)ほど多
くすることにより、バイアホール底部の樹脂残りを粗化
処理時に除去できるようにしたものである。その要旨構
成は以下に示すとおりである。
【0012】(1) 硬化処理によって酸あるいは酸化
剤に難溶性となる未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に
酸あるいは酸化剤に可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂
粒子が分散した無電解めっき用接着剤において、前記無
電解めっき用接着剤の耐熱性樹脂マトリックスは、エポ
キシ樹脂とポリエーテルスルフォンの複合体からなり、
その複合体中のポリエーテルスルフォンの量が耐熱性樹
脂マトリックスの固形分に対して30重量%未満であ
り、前記耐熱性樹脂粒子は、その平均粒径が1.0μm
以下であることを特徴とする無電解めっき用接着剤であ
る。
【0013】なお、上記(1)に記載の無電解めっき用
接着剤において、耐熱性樹脂粒子は、平均粒径が0.1
〜1.0μmであることが好ましい。
【0014】(2) 導体回路が形成された基板上に、
酸あるいは酸化剤に難溶性の硬化処理された耐熱性樹脂
マトリックス中に酸あるいは酸化剤に可溶性の硬化処理
された耐熱性樹脂粒子が分散した無電解めっき用接着剤
層が形成され、その無電解めっき用接着剤層表面には、
耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて形成された粗化面を有
し、その粗化面上に上層側の導体回路が形成されている
多層プリント配線板において、前記無電解めっき用接着
剤層は2層からなり、基板側の無電解めっき用接着剤層
中の耐熱性樹脂粒子の配合量は、耐熱性樹脂マトリック
スの固形分に対して20〜50重量%であり、他方の無
電解めっき用接着剤層中の耐熱性樹脂粒子の配合量は、
耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して5重量%以上
20重量%未満であり、前記耐熱性樹脂粒子は、その平
均粒径が1.0μm以下であることを特徴とする多層プ
リント配線板である。 (3) 導体回路が形成された基板上に、酸あるいは酸
化剤に難溶性の硬化処理された耐熱性樹脂マトリックス
中に酸あるいは酸化剤に可溶性の硬化処理された耐熱性
樹脂粒子が分散した無電解めっき用接着剤層が形成さ
れ、その無電解めっき用接着剤層表面には、耐熱性樹脂
粒子が溶解除去されて形成された粗化面を有し、その粗
化面上に上層側の導体回路が形成されている多層プリン
ト配線板において、前記無電解めっき用接着剤の耐熱性
樹脂マトリックスは、エポキシ樹脂とポリエーテルスル
フォンの複合体からなり、その複合体中のポリエーテル
スルフォンの量が耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対
して30重量%未満であり、前記耐熱性樹脂粒子は、そ
の平均粒径が1.0μm以下であることを特徴とする多
層プリント配線板である。
【0015】なお、上記(2)および(3)に記載の多
層プリント配線板において、耐熱性樹脂粒子は、平均粒
径が0.1〜1.0μmであることが好ましい。上記
(2)および(3)に記載の多層プリント配線板におい
て、無電解めっき用接着剤層には、直径100μm未満
のバイアホールが形成されていることが好ましい。上記
(2)および(3)に記載の多層プリント配線板におい
て、導体回路は、無電解めっき膜と電解めっき膜からな
ることが好ましい。上記(2)および(3)に記載の多
層プリント配線板において、基板上の導体回路には、そ
の表面の少なくとも一部に粗化層が形成されていること
が好ましい。
【0016】
【発明に実施の形態】さて、前述のようにセミアディテ
ィブ法を採用すると、めっきレジスト下の無電解めっき
膜を溶解除去する必要がある。このため、層間樹脂絶縁
層表面に形成した粗化面のアンカーが深い場合には、そ
のアンカー内に導体が残りやすく、線間絶縁抵抗値低下
の原因となってしまう。また、そのアンカーが単純に浅
い場合には、ピール強度が低下してめっき膜が剥がれや
すくなってしまう。しかも、粗化面のアンカーを浅くす
るために、耐熱性樹脂粒子の径を小さくすると、粗化処
理しても樹脂残さが完全に溶解できずに、バイアホール
底部に樹脂が残留しやすくなる。特に、直径 100μm未
満のバイアホールを形成する場合は、樹脂の残留が顕著
に発生しやすくなる。
【0017】本発明では、接着剤中の耐熱性樹脂粒子の
平均粒径を 1.0μm以下(好ましくは 0.1〜1.0 μm)
として、粗化面のアンカー深さを浅くすることにより、
線間の導体残りを防止するとともに、ファインパターン
(L/S=25/25μm)を実現し、さらに、基板側(内
層側)の耐熱性樹脂粒子の配合量をその反対側に比べて
多くすることにより、バイアホール形成用の開口底部に
発生する樹脂残りを粗化処理時に効果的に除去できるよ
うにして、バイアホールの接続信頼性を確保している。
前記耐熱性樹脂粒子の平均粒径を 0.1〜1.0 μmとする
ことが最適である理由は、粗化面のアンカーを浅くで
き、しかも粗化処理によりバイアホール径が大きくなら
ず、現像残りを粗化処理時に除去できるからである。
【0018】このような本発明において、前記無電解め
っき用接着剤層は2層からなり、基板側(下層側)の無
電解めっき用接着剤層中の耐熱性樹脂粒子の配合量は、
耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して20〜50重量%
であり、他方(上層側)の無電解めっき用接着剤層中の
耐熱性樹脂粒子の配合量は、耐熱性樹脂マトリックスの
固形分に対して5重量%以上20重量%未満であることが
好ましい。この理由は、基板に対して近い方(内層側)
の無電解めっき用接着剤層は、粗化処理時にバイアホー
ル底部の現像残りを溶解除去するために、耐熱性樹脂粒
子の量は多くする必要がある一方で、逆側の無電解めっ
き用接着剤層は、粗化面のアンカーを浅くして導体残り
を防止するために、耐熱性樹脂粒子の量は少なくする必
要があるからである。
【0019】なお、この耐熱性樹脂粒子は予め硬化処理
されていることが必要である。この理由は、耐熱性樹脂
粒子は、硬化させていないと樹脂マトリックスを溶解さ
せる溶剤に溶解して、樹脂マトリックスと均一混合さ
れ、該樹脂粒子のみを選択的に酸や酸化剤で溶解除去で
きなくなるからである。
【0020】耐熱性樹脂マトリックスとしては、熱硬化
性樹脂(熱硬化基の一部を感光化したものも含む)もし
くは感光性樹脂、またはこれらの樹脂と熱可塑性樹脂の
複合体を使用することができる。熱硬化性樹脂として
は、エポキシ樹脂やフェノール樹脂、ポリイミド樹脂な
どを用いることができる。この熱硬化性樹脂を感光化す
る場合は、熱硬化基をメタクリル酸やアクリル酸などと
アクリル化反応させる。特にエポキシ樹脂のアクリレー
トが最適である。エポキシ樹脂としては、ノボラック型
エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などを用いることが
できる。熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォ
ン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリ
フェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリ
エーテルイミドなどを使用できる。
【0021】本発明では、前記耐熱性樹脂マトリックス
として特に、エポキシ樹脂(エポキシ樹脂のアクリレー
トを含む)とポリーテルスルフォン(PES)の複合体
を用いることが望ましい。高靱化が可能だからである。
この場合、PESの量は、耐熱性樹脂マトリックスの固
形分に対して30重量%未満が望ましく、15〜25重量%が
より好適である。この理由は、PES量を多くすると、
バイアホール径を小さくした場合に、PESがバイアホ
ール底部に残存して、粗化処理によっても除去すること
が困難になるからである。
【0022】耐熱性樹脂粒子としては、アミノ樹脂(メ
ラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂など)、エポキ
シ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂などがよい。
なお、エポキシ樹脂は、酸や酸化剤に溶解するもの、あ
るいは酸や酸化剤に難溶解性のものを、オリゴマーや硬
化剤の種類を適宜選択することにより、任意に調製でき
る点で有利である。例えば、ビスフェノールA型エポキ
シ樹脂をアミン系硬化剤で硬化させた樹脂はクロム酸に
非常によく溶けるが、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂をイミダゾール硬化剤で硬化させた樹脂は、クロム
酸に溶解しにくい。
【0023】本発明の無電解めっき用接着剤は、ガラス
布などの繊維質基体に含浸させてBステージ状態にした
り、あるいはフィルム状に成形してあってもよい。さら
に、基板状に成形してあってもよい。本発明の無電解め
っき用接着剤は、構成樹脂をハロゲン化して難燃化して
もよく、また、色素、顔料、紫外線吸収剤を添加しても
よい。さらに繊維状のフィラーや無機フィラーを充填し
て靱性や熱膨張率を調整してもよい。
【0024】本発明の無電解めっき用接着剤を使用した
プリント配線板は、粗化面のアンカー深さがRmax =1
〜5μmとなる。このアンカー深さは、従来の接着剤で
形成されている粗化面のアンカー深さRmax =10μmの
1/2程度であり、めっきレジスト下の無電解めっき膜
を溶解除去してもめっき残さが残らず、めっきレジスト
下のパラジウム触媒核の量も少なくできる。
【0025】本発明の多層プリント配線板では、無電解
めっき用接着剤層との密着性を改善するために、基板上
に形成された導体回路の表面には、粗化層が形成されて
いることが望ましい。この粗化層は、基板がフルアディ
ティブ法により形成されている場合は、導体回路の上面
に、またサブトラクティブ法により形成されている場合
は、導体回路の側面または全面に形成されていることが
望ましい。このような粗化層により、無電解めっき用接
着剤層との密着性が改善され、ヒートサイクル時におけ
る導体回路と無電解めっき用接着剤との熱膨張率差に起
因するクラックを抑制することができる。
【0026】このように導体回路の表面に粗化層が形成
されている場合、無電解めっき用接着剤層にバイアホー
ル形成用の開口を形成する際に、その開口底部の粗化層
に現像しきれない樹脂が残存しやすい。この点、本発明
では、このような残存樹脂を無電解めっき用接着剤層の
粗化処理時に除去できるため有利である。
【0027】さらに、この粗化層は、無電解めっき用接
着剤の粗化面上に形成される導体回路の上面、側面、あ
るいは全面に形成されていてもよい。この理由は、導体
回路を被覆するソルダーレジストや上層の層間樹脂絶縁
層との密着性を改善してヒートサイクル時に発生するク
ラックを抑制できるからである。
【0028】次に、本発明にかかる多層プリント配線板
を製造する方法をセミアディティブ法を例に挙げて説明
する。 (1) まず、基板にドリルで貫通孔を明け、貫通孔の壁面
および銅箔表面に無電解めっきを施してスルーホールを
形成する。基板としては、ガラスエポキシ基板やポリイ
ミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板、フッ
素樹脂基板などの樹脂基板、あるいはこれらの樹脂の銅
張積層板、セラミック基板、金属基板などを用いること
ができる。特に、誘電率を考慮する場合は、両面銅張フ
ッ素樹脂(ポリテトラフルオロエチレン等)基板を用い
ることが好ましい。この基板は、片面が粗化された銅箔
をフッ素樹脂基板に熱圧着したものである。無電解めっ
きとしては銅めっきがよい。フッ素樹脂基板のようにめ
っきのつきまわりが悪い基板の場合は、有機酸などから
なる前処理液(商品名:テトラエッチ)を用いた処理、
プラズマ処理などの表面改質を行う。
【0029】(2) 次に、厚付けのために電解めっきを行
う。この電解めっきとしては銅めっきがよい。そしてさ
らに、スルーホール内壁および電解めっき膜表面を粗化
処理して粗化層を設けてもよい。この粗化層には、黒化
(酸化)−還元処理によるもの、有機酸と第二銅錯体の
混合水溶液をスプレー処理(エッチング処理)して形成
したもの、あるいは銅−ニッケル−リン針状合金めっき
によるものがある。
【0030】これらの処理のなかで、無電解めっきによ
り粗化層を形成する場合は、銅イオン濃度、ニッケルイ
オン濃度、次亜リン酸イオン濃度が、それぞれ 2.2×10
-2〜4.1×10-2 mol/l、 2.2×10-3〜4.1 ×10-3 mol
/l、0.20〜0.25 mol/lである組成のめっき水溶液を
用いることが望ましい。この範囲で析出する被膜の結晶
構造は針状構造になり、アンカー効果に優れるからであ
る。この無電解めっき水溶液には、上記化合物に加えて
錯化剤や添加剤を加えてもよい。また、0.01〜10g/l
の界面活性剤を加えてもよい。この界面活性剤として
は、例えば、日信化学工業製のサーフィノール440 、46
5 、485 などのアセチレン含有ポリオキシエチレン系界
面活性剤を用いることが望ましい。即ち、無電解めっき
により粗化層を形成する場合は、硫酸銅1〜40g/l、
硫酸ニッケル 0.1〜6.0 g/l、クエン酸10〜20g/
l、次亜リン酸塩10〜100 g/l、ホウ酸10〜40g/
l、界面活性剤0.01〜10g/lからなる液組成のめっき
水溶液を用いることが望ましい。
【0031】酸化還元処理により粗化層を形成する場合
は、NaOH(10g/l)、NaClO2(40g/l)、Na3PO
4(6g/l)を酸化浴とし、NaOH(10g/l)、NaBH
4 (5g/l)を還元浴とすることが望ましい。
【0032】有機酸と第二銅錯体の混合水溶液を用いる
エッチング処理により粗化層を形成する場合は、メック
(株)製のCZ8100液に代表されるが、液中に含まれる2
価の銅の酸化力を利用して銅表面を凹凸にする。
【0033】粗化層は、イオン化傾向が銅より大きくチ
タン以下である金属あるいは貴金属の層で被覆されてい
てもよい。この理由は、前記金属あるいは貴金属の層
は、粗化層を被覆し、層間絶縁層を粗化処理する際に導
体回路の局部電極反応を防止してその導体回路の溶解を
防止するからである。この層の厚さは0.01〜2μmがよ
い。このような金属としては、チタン、アルミニウム、
亜鉛、鉄、インジウム、タリウム、コバルト、ニッケ
ル、スズ、鉛、ビスマスから選ばれる少なくとも1種が
ある。また、貴金属としては、金、銀、白金、パラジウ
ムがある。なかでも、スズは、無電解置換めっきにより
薄い層を形成でき、粗化層に追従できるため有利であ
る。このスズの場合は、ホウフッ化スズ−チオ尿素、塩
化スズ−チオ尿素液を使用し、Cu−Snの置換反応により
0.01〜2μm程度のSn層が形成される。一方、貴金属の
場合は、スパッタや蒸着などの方法が採用される。
【0034】(3) 次に、スルーホール内に金属粒子ペー
ストを充填する。具体的には、金属粒子ペーストは、ス
ルーホール部分に開口を設けたマスクを載置した基板上
に、印刷法にて塗布することによりスルーホール内に充
填され、充填後、乾燥、硬化させる。
【0035】この金属粒子ペーストは、金属粒子と樹脂
からなり、必要に応じて溶剤を添加してもよい。金属粒
子としては、Cu、Au、Ag、Al、Ni、Pd、Pt、Ti、Cr、Sn
/Pbなどが使用できる。この金属粒子の粒子径は、 1.0
〜10μmがよい。また、使用される樹脂としては、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリテト
ラフルオロエチレン(PTFE)等のフッ素樹脂、ビス
マレイミドトリアジン(BT)樹脂、FEP、PFA、
PPS、PEN、PES、ナイロン、アラミド、PEE
K、PEKK、PETなどが使用できる。また、溶剤と
しては、NMP(ノルマルメチルピロリドン)、DMD
G(ジエチレングリコールジメチルエーテル)、グリセ
リン、水、1−又は2−又は3−のシクロヘキサノー
ル、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、メチルセロ
ソルブアセテート、メタノール、エタノール、ブタノー
ル、プロパノール、ビスフェノールA型,F型のエポキ
シなどが使用できる。
【0036】この金属粒子ペーストには、金属粒子と樹
脂の密着力を上げるために、シランカップリング剤など
の金属表面改質剤を添加してもよい。また、その他の添
加剤として、アクリル系消泡剤やシリコン系消泡剤など
の消泡剤、シリカやアルミナ、タルクなどの無機充填剤
を添加してもよい。
【0037】特に、この金属粒子ペーストの最適組成と
しては、重量比で7:3のCu粉と無溶剤エポキシの混合
物と硬化剤の組合せ、あるいは重量比で7:3:3のCu
粉とPPSとNMPの組合せが好ましい。
【0038】さらに、スルーホールからはみ出した金属
粒子ペーストおよび基板の電解めっき膜表面の粗化層を
研磨により除去して、基板表面を平坦化する。研磨は、
ベルトサンダーやバフ研磨がよい。この研磨により、金
属粒子の一部が表面に露出し、この露出した部分の金属
粒子と導体層のめっき皮膜が一体化して、良好な密着性
が発現する。
【0039】(4) 前記(3) で平坦化した基板の表面に触
媒核を付与した後、無電解めっき、電解めっきを施し、
さらにエッチングレジストを形成し、レジスト非形成部
分をエッチングすることにより、導体回路部分および金
属粒子ペーストを覆う導体層部分を形成する。そのエッ
チング液としては、硫酸−過酸化水素の水溶液、過硫酸
アンモニウムや過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウムなど
の過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄や塩化第二銅の水溶液が
よい。
【0040】(5) そして、エッチングレジストを剥離し
て、独立した導体回路および導体層とした後、その導体
回路および導体層の表面に、粗化層を形成する。導体回
路および金属粒子ペーストを覆う導体層の表面に粗化層
を形成すると、その導体は、層間樹脂絶縁層との密着性
に優れるので、導体回路および金属粒子ペーストを覆う
導体層の側面と樹脂絶縁層との界面を起点とするクラッ
クが発生しない。また一方で、金属粒子ペーストを覆う
導体層は、電気的に接続されるバイアホールとの密着性
が改善される。この粗化層の形成方法は、前述したとお
りであり、黒化(酸化)−還元処理、針状合金めっき、
あるいはエッチングして形成する方法などがある。さら
に、粗化後に、導体回路間に樹脂を充填し、表面を研磨
して平滑化してもよい。このときの充填樹脂としては、
ビスフェノールF型エポキシ樹脂、イミダゾール硬化剤
および無機粒子からなる組成物がよい。
【0041】(7) このようにして作製した配線基板の上
に、層間樹脂絶縁層を形成する。層間樹脂絶縁層として
は、本発明の無電解めっき用接着剤が採用される。より
望ましくは、基板に近い側の無電解めっき用接着剤層
は、耐熱性樹脂粒子の配合量を耐熱性樹脂マトリックス
の固形分に対して20〜50重量%とし、一方、他方側の無
電解めっき用接着剤層は、耐熱性樹脂粒子の配合量を耐
熱性樹脂マトリックスの固形分に対して5重量%以上20
重量%未満とする。
【0042】このような層間樹脂絶縁剤は、ロールコー
タやカーテンコータなどを用いて基板上に塗布され、乾
燥される。この状態では、導体回路パターン上の層間樹
脂絶縁層の厚さが薄く、大面積を持つ導体回路上の層間
樹脂絶縁層の厚さが厚くなり凹凸が発生していることが
多いため、金属板や金属ロールを用い、加熱しながら押
圧して、層間樹脂絶縁層の表面を平坦化することが望ま
しい。
【0043】(8) 前記層間樹脂絶縁層を硬化し、バイア
ホール形成用の開口を設ける。硬化処理は、無電解めっ
き用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化性樹脂の場合
は、熱硬化により、また感光性樹脂の場合は、紫外線な
どの露光により行う。バイアホール形成用の開口は、無
電解めっき用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化性樹脂
の場合は、レーザ光や酸素プラズマなどにより、また感
光性樹脂の場合は、露光現像処理により形成する。特
に、露光現像処理の場合は、前述したバイアホール形成
のための円パターンが描画されたフォトマスク(ガラス
基板がよい)を感光性の層間樹脂絶縁層に密着させて載
置し、露光、現像処理する。
【0044】前記無電解めっき用接着剤層の厚さは、45
μm以下、より好ましくは20〜45μmとすることが望ま
しい。この理由は、45μmを超えると、バイアホールを
小径化できず、 100μm未満のバイアホールが得られな
いからである。なお、無電解めっき用接着剤層の厚さを
45μm以下にした場合、耐熱性樹脂粒子の平均粒子径が
2μmを超えるようなものを使用すると、粗化処理によ
り層間が連通してしまう。この点、本発明で使用される
耐熱性樹脂粒子の平均粒径は 0.1〜1.0 μmと微小であ
るため、このような問題を解消できる。
【0045】(9) 前記(8) で開口を形成した層間樹脂絶
縁層(無電解めっき用接着剤層)の表面を粗化する。無
電解めっき用接着剤を使用する本発明では、その接着剤
層の表面に存在する樹脂粒子を酸あるいは酸化剤によっ
て溶解除去し、接着剤層表面を粗化処理する。この粗化
によるアンカーの深さは、1〜5μm程度がよい。上記
酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、あるいは蟻酸や酢酸
などの有機酸があるが、特に有機酸を用いることが望ま
しい。粗化処理した場合に、バイアホールから露出する
金属導体層を腐食させにくいからである。上記酸化剤と
しては、クロム酸、過マンガン酸塩(過マンガン酸カリ
ウムなど)を用いることが望ましい。
【0046】(10)前記層間樹脂絶縁層の粗化面に触媒核
を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオンや貴金属
コロイドなどを用いることが望ましく、一般的には、塩
化パラジウムやパラジウムコロイドを使用する。なお、
触媒核を固定するために加熱処理を行うことが望まし
い。このような触媒核としてはパラジウムがよい。
【0047】(11)次に、層間樹脂絶縁層の粗化面に無電
解めっきを施し、全面に無電解めっき膜を形成する。こ
の無電解めっき膜の厚みは 0.1〜5μm、より望ましく
は 0.2〜2.0 μmである。無電解めっきは、無電解銅め
っきがよい。そのめっき液としては、常法のものを使用
でき、例えば、29g/lの硫酸銅、25g/lの炭酸ナト
リウム、 140g/lの酒石酸塩、40g/lの水酸化ナト
リウム、37%ホルムアルデヒド 150ml、pH=11.5か
らなる組成のものがよい。
【0048】(12)前記(11)で形成した無電解めっき膜上
に、感光性樹脂フィルム(ドライフィルム)をラミネー
トし、その感光性樹脂フィルムにめっきレジストパター
ンが描画されたフォトマスク(ガラス基板がよい)を密
着させて載置し、露光、現像処理することにより、めっ
きレジストパターンを形成する。
【0049】(13)めっきレジスト非形成部に電解めっき
を施し、導体回路部分、ならびにバイアホールを設け
る。ここで、上記電解めっきとしては、銅めっきを用い
ることが望ましい。また、その厚みは、10〜20μmがよ
い。前記バイアホール内には、電解めっき膜を充填して
いわゆるフィルドビアを形成することが望ましい。この
理由は、層間樹脂絶縁層の平坦性を確保できるからであ
る。バイアホールは、基板に設けたスルーホールの直上
に形成されていてもよい。高密度化のためである。
【0050】(14)めっきレジストを除去した後、そのめ
っきレジスト下の無電解めっき膜を、硫酸と過酸化水素
の混合液や過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩
化第二鉄、塩化第二銅などのエッチング液で溶解除去
し、独立した導体回路とする。さらに、露出した粗化面
上のパラジウム触媒核をクロム酸などで溶解除去する。
【0051】(15)そして、この基板上に前述の工程を繰
り返してさらに上層の導体回路を設けることができる。
以下、実施例に基づいて説明する。
【0052】
〔無電解めっき水溶液〕
EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30 ml/l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.1 g/l 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分
【0053】ついで、以下の条件で電解銅めっきを施
し、厚さ15μmの電解銅めっき膜を形成した(図1(c)
参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アトテックジャパン製、商品名:カパラシドGL) 1 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 30分 温度 室温
【0054】(2) 全面に無電解銅めっき膜と電解銅めっ
き膜からなる導体(スルーホールを含む)を形成した基
板を、水洗いし、乾燥した後、NaOH(10g/l)、NaCl
O2(40g/l)、Na3PO4(6g/l)を酸化浴(黒化
浴)、NaOH(10g/l)、NaBH4(6g/l)を還元浴
とする酸化還元処理に供し、そのスルーホール3を含む
導体の全表面に粗化層4を設けた(図1(d) 参照)。
【0055】(3) 次に、平均粒径15μmの銅粒子を含む
金属粒子ペースト(タツタ電線製、DDペースト:非導
電性穴埋め銅ペースト)5を、スルーホール3内にスク
リーン印刷によって充填し、 100℃で30分、 180℃で2
時間の条件で乾燥、硬化させた。そして、導体上面の粗
化面およびスルーホール3からはみ出した金属粒子ペー
スト5を、#400 のベルト研磨紙(三共理化学製)を用
いたベルトサンダー研磨により除去し、さらに、このベ
ルトサンダー研磨による傷を取り除くために、アルミナ
研粒やSiC研粒によるバフ研磨を行い、基板表面を平坦
化した(図1(e)参照)。
【0056】(4) 前記(3) で平坦化した基板表面に、パ
ラジウム触媒(アトテック製)を付与し、常法に従って
無電解銅めっきを施すことにより、厚さ 0.6μmの無電
解銅めっき膜6を形成した(図1(f) 参照)。
【0057】(5) ついで、以下の条件で電解銅めっきを
施し、厚さ15μmの電解銅めっき膜7を形成し、導体回
路9となる部分の厚付け、およびスルーホール3に充填
された金属粒子ペースト5を覆う導体層10となる部分を
形成した。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アトテックジャパン製、商品名:カパラシドGL) 1 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 30分 温度 室温
【0058】(6) 導体回路9および導体層10となる部分
を形成した基板の両面に、市販の感光性ドライフィルム
を張り付け、マスク載置して、100 mJ/cm2 で露光、0.
8 %炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μmのエッチ
ングレジスト8を形成した(図2(a) 参照)。
【0059】(7) そして、エッチングレジスト8を形成
してない部分のめっき膜を、硫酸と過酸化水素の混合液
を用いるエッチングにて溶解除去し、さらに、エッチン
グレジスト8を5%KOHで剥離除去して、独立した導
体回路9および金属粒子ペースト5を覆う導体層10を形
成した(図2(b) 参照)。さらに、酸化還元処理して導
体表面を粗化処理した。
【0060】〔樹脂充填剤の調製〕 ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル
製、分子量 310、YL983U)100重量部、表面にシランカ
ップリング剤がコーティングされた平均粒径1.6μmのS
iO2 球状粒子(アドマテック製、CRS 1101−CE、ここ
で、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み
(15μm)以下とする) 170重量部、レベリング剤(サ
ンノプコ製、ペレノールS4)1.5 重量部を3本ロール
にて混練して、その混合物の粘度を23±1℃で45,000〜
49,000cps に調整した。 イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)6.5 重
量部。これらを混合して樹脂充填剤12aを調製した。
【0061】(8) 調製した樹脂充填剤12aを、基板の片
面にロールコータを用いて塗布することにより、導体回
路9または導体層10の間に充填し、70℃, 20分間で乾燥
させ、他方の面についても同様にして樹脂充填剤12aを
導体回路9または導体層10の間に充填し、70℃,20分間
で加熱乾燥させた。
【0062】(9) 前記の処理を終えた基盤の片面を、#
600 のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いたベルトサ
ンダー研磨により、内層銅パターン9,10の表面に樹脂
充填剤12aが残らないように研磨し、次いで、前記ベル
トサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行
った。このような一連の研磨を基板の他方の面について
も同様に行った。次いで、 100℃で1時間、 120℃で3
時間、 150℃で1時間、 180℃で7時間の加熱処理を行
って樹脂充填剤12aを硬化した。
【0063】(10)次に、導体回路9および金属粒子ペー
スト5を覆う導体層10の表面にCu−Ni−P合金からなる
厚さ 2.5μmの粗化層(凹凸層)11を形成し、さらにこ
の粗化層11の表面に厚さ0.05μmのSn層を形成した(図
2(c) 参照、Sn層については図示しない)。その形成方
法は以下のようである。即ち、基板を酸性脱脂してソフ
トエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸から
なる触媒溶液で処理して、Pd触媒を付与し、この触媒を
活性化した後、硫酸銅8g/l、硫酸ニッケル 0.6g/
l、クエン酸15g/l、次亜リン酸ナトリウム29g/
l、ホウ酸31g/l、界面活性剤 0.1g/l、pH=9
からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、銅導体回路
の全表面にCu−Ni−P合金からなる厚さ 2.5μmの粗化
層11(凹凸層)を形成した。さらに0.1mol/lホウふっ
化スズ−1.0mol/lチオ尿素液からなる無電解スズ置換
めっき浴に50℃で1時間浸漬し、前記粗化層の表面に厚
さ0.05μmのスズ置換めっき層を設けた。
【0064】(11)無電解めっき用接着剤を次のように調
製した。 〔基板に近い側(下層)の接着剤〕 .クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬
製、分子量2500)の25%アクリル化物を35重量部(固形
分80%)、感光性モノマー(東亜合成製、商品名:アロ
ニックスM315 )4重量部、消泡剤(サンノプコ製、商
品名:S−65)0.5重量部、NMPを3.6 重量部を攪拌
混合した。 .ポリエーテルスルフォン(PES)8重量部、エポ
キシ樹脂粒子(三洋化成製、商品名:ポリマーポール)
の平均粒径 0.5μmのものを14.49 重量部、を混合した
後、さらにNMP20重量部を添加し、攪拌混合した。 .イミダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4MZ-
CN)2重量部、光開始剤(チバガイギー製、商品名:イ
ルガキュア I−907 )2重量部、光増感剤(日本化薬
製、商品名:DETX-S) 0.2重量部、NMP 1.5重量部を
攪拌混合した。 これらを混合して無電解めっき用接着剤を得た。
【0065】〔基板の反対側(上層)の接着剤〕 .クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬
製、分子量2500)の25%アクリル化物を35重量部(固形
分80%)、感光性モノマー(東亜合成製、商品名:アロ
ニックスM315 )4重量部、消泡剤(サンノプコ製、商
品名:S−65)0.5重量部、NMPを 3.6重量部を攪拌
混合した。 .ポリエーテルスルフォン(PES)8重量部、エポ
キシ樹脂粒子(三洋化成製、商品名:ポリマーポール)
の平均粒径0.5 μmのものを7.245 重量部、を混合した
後、さらにNMP20重量部を添加し攪拌混合した。 .イミダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4MZ-
CN)2重量部、光開始剤(チバガイギー製、商品名:イ
ルガキュア I−907 )2重量部、光増感剤(日本化薬
製、商品名:DETX-S) 0.2重量部、NMP1.5 重量部を
攪拌混合した。 これらを混合して無電解めっき用接着剤を得た。
【0066】(12)前記(11)で調製した感光性の接着剤溶
液を、基板の両面に、順次ロールコータを用いて塗布
し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分間の乾
燥を行い、厚さ60μmの接着剤層12b(2層構造)を形
成した(図2(d) 参照)。さらに、この接着剤層12b上
に粘着剤を介してポリエチレンテレフタレートフィルム
を貼付した。
【0067】(13)前記接着剤層12bを形成した基板の両
面に、厚さ5μmの遮光インクによってバイアホールと
同形の円パターン(マスクパターン)が描画された厚さ
5mmのソーダライムガラス基板を円パターンが描画され
た側を接着剤層12bに密着させて載置し、紫外線を照射
して露光した。
【0068】(14)露光した基板をDMTG(トリエチレ
ングリコールジメチルエーテル)溶液でスプレー現像す
ることにより、接着剤層12bに80μmφのバイアホール
となる開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀
灯にて3000mJ/cm2 で露光し、100℃で1時間、その後
150℃で5時間にて加熱処理することにより、フォトマ
スクフィルムに相当する寸法精度に優れた開口(バイア
ホール形成用開口13)を有する厚さ35μmの接着剤層12
bを形成した(図2(e) 参照)。なお、バイアホールと
なる開口には、粗化層を部分的に露出させる。
【0069】(15)前記バイアホール形成用開口13を形成
した基板を、クロム酸に10分間浸漬し、接着剤層表面に
存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去して、当該接着剤
層の表面を粗化し、その後、中和溶液(シプレイ社製)
に浸漬してから水洗した。
【0070】(16)前記粗面化処理(粗化深さ5μm)を
行った基板に対し、パラジウム触媒(アトテック製)を
付与することにより、接着剤層12bおよびバイアホール
用開口13の表面に触媒核を付与した。
【0071】(17)以下に示す組成の無電解銅めっき水溶
液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ 0.6μmの無電
解銅めっき膜14を形成した(図3(a) 参照)。 〔無電解めっき水溶液〕 EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30 ml/l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.1 g/l 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分
【0072】(18)市販の感光性樹脂フィルム(ドライフ
ィルム)を無電解銅めっき膜14に熱圧着して張り付ける
ともに、クロム層によって、めっきレジスト非形成部分
がマスクパターンとして描画された厚さ5mmのソーダラ
イムガラス基板を、クロム層が形成された側を感光性樹
脂フィルムに密着させて、110 mJ/cm2 で露光、0.8 %
炭酸ナトリウムで現像処理し、L/S=25/25μmで厚
さ15μmのめっきレジスト16のパターンを設けた(図3
(b) 参照)。
【0073】(19)ついで、以下の条件で電解銅めっきを
施し、厚さ15μmの電解銅めっき膜15を形成した(図3
(c) 参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アトテックジャパン製、商品名:カパラシドGL) 1 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1.2 A/dm2 時間 30分 温度 室温
【0074】(20)めっきレジスト16を5%KOHをスプ
レーして剥離除去した後、そのめっきレジスト16下の無
電解めっき膜14を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜14と電解銅め
っき膜15からなる厚さ18μmでL/S=25/25μmの内
層導体回路9(バイアホール17を含む)を形成した(図
3(d) 参照)。さらに、粗化面に残っているPdをクロム
酸(800 g/l)に1〜10分浸漬して除去した。
【0075】(21)前記(20)で導体回路9(バイアホール
17を含む)を形成した基板を、硫酸銅8g/l、硫酸ニ
ッケル 0.6g/l、クエン酸15g/l、次亜リン酸ナト
リウム29g/l、ホウ酸31g/l、界面活性剤 0.1g/
lからなるpH=9の無電解めっき液に浸漬し、該導体
回路の表面に厚さ3μmの銅−ニッケル−リンからなる
粗化層11を形成した。このとき、粗化層11をEPMA
(蛍光X線分析)で分析したところ、Cu 98mol%、Ni
1.5mol %、P 0.5 mol%の組成比を示した。そしてさ
らに、その基板を水洗いし、0.1mol/lホウふっ化スズ
−1.0mol/lチオ尿素液からなる無電解スズ置換めっき
浴に50℃で1時間浸漬し、前記粗化層11の表面に厚さ0.
05μmのスズ置換めっき層を形成した(但し、スズ置換
めっき層については図示しない)。
【0076】(22)前記 (11) 〜(21)の工程を繰り返すこ
とにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層12bと導体回路
9(バイアホール17を含む)を設け、多層配線基板を得
た(図4(a) 参照)。なお、ここでは、導体回路の表面
に銅−ニッケル−リンからなる粗化層11を設けるが、こ
の粗化層表面にはスズ置換めっき層を形成しない。
【0077】(23)一方、DMDGに溶解させた60重量%
のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製)
のエポキシ基50%をアクリル化した感光性付与のオリゴ
マー(分子量4000)を 46.67重量部、メチルエチルケト
ンに溶解させた80重量%のビスフェノールA型エポキシ
樹脂(油化シェル製、商品名:エピコート1001)15.0重
量部、イミダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4M
Z-CN)1.6 重量部、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー(日本化薬製、商品名:R604 )3重量部、同
じく多価アクリルモノマー(共栄社化学製、商品名:DP
E6A ) 1.5重量部、分散系消泡剤(サンノプコ社製、商
品名:S−65)0.71重量部を混合し、さらにこの混合物
に対して光開始剤としてのベンゾフェノン(関東化学
製)を2重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン(関
東化学製)0.2 重量部を加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・
sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。なお、粘
度測定は、B型粘度計(東京計器、 DVL-B型)で 60rpm
の場合はローターNo.4、6rpm の場合はローターNo.3に
よった。
【0078】(24)前記(22)で得られた多層配線基板の両
面に、上記ソルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗
布した。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処
理を行った後、クロム層によってソルダーレジスト開口
部の円パターン(マスクパターン)が描画された厚さ5
mmのソーダライムガラス基板を、クロム層が形成され
た側をソルダーレジスト層に密着させて1000mJ/cm2
紫外線で露光し、DMTG現像処理した。さらに、80℃で1
時間、 100℃で1時間、 120℃で1時間、 150℃で3時
間の条件で加熱処理し、はんだパッドの上面、バイアホ
ールおよびランド部分を開口した(開口径 200μm)ソ
ルダーレジストパターン層18(厚み20μm)を形成し
た。
【0079】(25)次に、ソルダーレジストパターン層18
を形成した基板を、塩化ニッケル30g/l、次亜リン酸
ナトリウム10g/l、クエン酸ナトリウム10g/lから
なるpH=5の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬し
て、開口部に厚さ5μmのニッケルめっき層19を形成し
た。さらに、その基板を、シアン化金カリウム2g/
l、塩化アンモニウム75g/l、クエン酸ナトリウム50
g/l、次亜リン酸ナトリウム10g/lからなる無電解
金めっき液に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめ
っき層19上に厚さ0.03μmの金めっき層20を形成した。
【0080】(26)そして、ソルダーレジストパターン層
18の開口部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフ
ローすることによりはんだバンプ(はんだ体)21を形成
し、はんだバンプ21を有する多層プリント配線板を製造
した(図4(b) 参照)。
【0081】 (比較例1)セミアディティブ法:3.9 μm/ 0.5μm 上層および下層の無電解めっき用接着剤として、以下に
示す接着剤溶液を用いたこと以外は、実施例1と同様に
してはんだバンプを有する多層プリント配線板を製造し
た。即ち、DMDG(ジエチレングリコールジメチルエ
ーテル)に溶解したクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を34
重量部、ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、
イミダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4MZ-CN)
2重量部、感光性モノマーであるカプロラクトン変成ト
リス(アクロキシエチル)イソシアヌレート(東亜合成
製、商品名:アロニックスM325 )4重量部、光開始剤
としてのベンゾフェノン(関東化学製)2重量部、光増
感剤としてのミヒラーケトン(関東化学製)0.2 重量
部、さらにエポキシ樹脂粒子(東レ製、商品名:トレパ
ール)の平均粒径 3.9μmのものを10重量部、平均粒径
0.5μmのものを25重量部を混合した後、NMP(ノル
マルメチルピロリドン)30.0重量部を添加しながら混合
し、ホモディスパー攪拌機で粘度7Pa・sに調整し、引
き続いて3本ロールで混練して得られる感光性の無電解
めっき用接着剤溶液(層間樹脂絶縁剤)を用いた。
【0082】(比較例2)セミアディティブ法: 1.6 μm粉末+エポキシ/PESマトリックス (1) 特開昭61−276875号公報(USP 4752499号、US
P 5021472号)に記載の方法に準じてエポキシ樹脂微粉
末を調製した。即ち、エポキシ樹脂(三井石油化学工業
製、商品名:TA−1800)を熱風乾燥器内にて 180℃,4
時間で乾燥して硬化させ、この硬化させたエポキシ樹脂
を粗粉砕してから、液体窒素で凍結させながら超音波ジ
ェット粉砕機(日本ニューマチック工業製、商品名:ア
キュカットB−18型)を使用して分級し、平均粒径1.6
μmのエポキシ樹脂粉末を作った。 (2) 上記(1) で調製したエポキシ樹脂粉末を用い、上層
および下層の無電解めっき用接着剤として、以下に示す
接着剤溶液を用いたこと以外は、実施例1と同様にして
はんだバンプを有する多層プリント配線板を製造した。
即ち、DMDG(ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル)に溶解したクレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を34重
量部、ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、イ
ミダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4MZ-CN)2
重量部、感光性モノマーであるカプロラクトン変成トリ
ス(アクロキシエチル)イソシアヌレート(東亜合成
製、商品名:アロニックスM325 )4重量部、光開始剤
としてのベンゾフェノン(関東化学製)2重量部、光増
感剤としてのミヒラーケトン(関東化学製)0.2 重量
部、さらに前記(1) のエポキシ樹脂粉末の平均粒径 1.6
μmのものを35重量部を混合した後、NMP(ノルマル
メチルピロリドン)30.0重量部を添加しながら混合し、
ホモディスパー攪拌機で粘度7Pa・sに調整し、続いて
3本ロールで混練して得られる感光性の無電解めっき用
接着剤溶液(層間樹脂絶縁剤)を用いた。
【0083】(比較例3)セミアディティブ法: 0.05μm粉末+エポキシ/PESマトリックス (1) 特開昭61−276875号公報(USP 4752499号、US
P 5021472号)に記載の方法に準じてエポキシ樹脂微粉
末を調製した。即ち、エポキシ樹脂(三井石油化学工業
製、商品名:TA−1800)を熱風乾燥器内にて 180℃,4
時間で乾燥して硬化させ、この硬化させたエポキシ樹脂
を粗粉砕してから、液体窒素で凍結させながら超音波ジ
ェット粉砕機(日本ニューマチック工業製、商品名:ア
キュカットB−18型)を使用して分級し、平均粒径0.05
μmのエポキシ樹脂粉末を作った。 (2) 上記(1) で調製したエポキシ樹脂粉末を用い、上層
および下層の無電解めっき用接着剤として、以下に示す
接着剤溶液を用いたこと以外は、実施例1と同様にして
はんだバンプを有する多層プリント配線板を製造した。
即ち、DMDG(ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル)に溶解したクレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を34重
量部、ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、イ
ミダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4MZ-CN)2
重量部、感光性モノマーであるカプロラクトン変成トリ
ス(アクロキシエチル)イソシアヌレート(東亜合成
製、商品名:アロニックスM325 )4重量部、光開始剤
としてのベンゾフェノン(関東化学製)2重量部、光増
感剤としてのミヒラーケトン(関東化学製)0.2 重量
部、さらに前記(1) のエポキシ樹脂粉末の平均粒径 0.0
5 μmのものを35重量部を混合した後、NMP(ノルマ
ルメチルピロリドン)30.0重量部を添加しながら混合
し、ホモディスパー攪拌機で粘度7Pa・sに調整し、続
いて3本ロールで混練して得られる感光性の無電解めっ
き用接着剤溶液(層間樹脂絶縁剤)を用いた。
【0084】このようにして製造した実施例1、比較例
1〜4の多層プリント配線板について、以下に示す評価
を行った。その結果を表1に示す。 (評価)JIS-C-6481に従い、ピール強度を測定した。 (評価)クロスカットした断面を金属顕微鏡により観
察して、粗化面のアンカー深さを測定した。 (評価)線間の導体回路のエッチング残りの有無を光
学顕微鏡にて観察した。 (評価)L/S=25/25μmの配線パターンを形成
し、断線の有無を調べた。 (評価)接着剤層に80μmの開口を設けた後、粗化処
理を行い、開口径がどの程度広がったかを電子顕微鏡観
察で確認した。 (評価)粗化処理後のバイアホール底部の樹脂残りの
有無を電子顕微鏡で観察した。
【0085】
【表1】
【0086】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、微
細なバイアホールおよびファインパターンを形成でき、
しかもバイアホール底部の現像残りもない信頼性に優れ
る多層プリント配線板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(f) は、本発明の多層プリント配線板を
製造する工程の一部を示す図である。
【図2】(a)〜(e) は、本発明の多層プリント配線板を
製造する工程の一部を示す図である。
【図3】(a)〜(d) は、本発明の多層プリント配線板を
製造する工程の一部を示す図である。
【図4】(a),(b) は、本発明の多層プリント配線板を
製造する工程の一部を示す図である。
【符号の説明】
1 基板 2 銅箔 3 スルーホール 4,11 粗化層 5 金属粒子ペースト 6,14 無電解めっき膜 7,15 電解めっき膜 8 エッチングレジスト 9 導体回路 10 導体層 12a 樹脂充填剤 12b 層間樹脂絶縁層 13 バイアホール用開口 16 めっきレジスト 17 バイアホール 18 ソルダーレジスト層 19 ニッケルめっき層 20 金めっき層 21 はんだバンプ(はんだ体)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−59987(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 18/00 - 18/54 H05K 3/18 H05K 3/46

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 硬化処理によって酸あるいは酸化剤に難
    溶性となる未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に酸ある
    いは酸化剤に可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂粒子が
    分散した無電解めっき用接着剤において、前記無電解めっき用接着剤の耐熱性樹脂マトリックス
    は、エポキシ樹脂とポリエーテルスルフォンの複合体か
    らなり、その複合体中のポリエーテルスルフォンの量が
    耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して30重量%未
    満であり、 前記耐熱性樹脂粒子は、その平均粒径が1.0μm以下
    であることを特徴とする無電解めっき用接着剤。
  2. 【請求項2】 前記耐熱性樹脂粒子は、平均粒径が
    0.1〜1.0μmである請求項1に記載の無電解めっ
    き用接着剤。
  3. 【請求項3】 導体回路が形成された基板上に、酸ある
    いは酸化剤に難溶性の硬化処理された耐熱性樹脂マトリ
    ックス中に酸あるいは酸化剤に可溶性の硬化処理された
    耐熱性樹脂粒子が分散した無電解めっき用接着剤層が形
    成され、その無電解めっき用接着剤層表面には、耐熱性
    樹脂粒子が溶解除去されて形成された粗化面を有し、そ
    の粗化面上に上層側の導体回路が形成されている多層プ
    リント配線板において、前記無電解めっき用接着剤層は2層からなり、基板側の
    無電解めっき用接着剤層中の耐熱性樹脂粒子の配合量
    は、耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して20〜5
    0重量%であり、他方の無電解めっき用接着剤層中の耐
    熱性樹脂粒子の配合量は、耐熱性樹脂マトリックスの固
    形分に対して5重量%以上20重量%未満であり、 前記耐熱性樹脂粒子は、その平均粒径が1.0μm以下
    であることを特徴とする多層プリント配線板。
  4. 【請求項4】 導体回路が形成された基板上に、酸ある
    いは酸化剤に難溶性の硬化処理された耐熱性樹脂マトリ
    ックス中に酸あるいは酸化剤に可溶性の硬化処理された
    耐熱性樹脂粒子が分散した無電解めっき用接着剤層が形
    成され、その無電解めっき用接着剤層表面には、耐熱性
    樹脂粒子が溶解除去されて形成された粗化面を有し、そ
    の粗化面上に上層側の導体回路が形成されている多層プ
    リント配線板において、前記無電解めっき用接着剤の耐熱性樹脂マトリックス
    は、エポキシ樹脂とポリエーテルスルフォンの複合体か
    らなり、その複合体中のポリエーテルスルフォンの量が
    耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して30重量%未
    満であり、 前記耐熱性樹脂粒子は、その平均粒径が1.0μm以下
    であることを特徴とする多層プリント配線板。
  5. 【請求項5】 前記耐熱性樹脂粒子は、平均粒径が0.
    1〜1.0μmである請求項3又は4に記載の多層プリ
    ント配線板。
  6. 【請求項6】 前記無電解めっき用接着剤層には、直径
    100μm未満のバイアホールが形成されている請求項
    3又は4に記載の多層プリント配線板。
  7. 【請求項7】 前記導体回路は、無電解めっき膜と電解
    めっき膜からなる請求項3又は4に記載の多層プリント
    配線板。
  8. 【請求項8】 前記基板上の導体回路には、その表面の
    少なくとも一部に粗化層が形成されている請求項3又は
    に記載の多層プリント配線板。
  9. 【請求項9】 前記無電解めっき用接着剤層の厚さは、
    45μmm以下である請求項3又は4に記載の多層プリ
    ント配線板。
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