JPH09286021A - 半導体インゴットの切断方法 - Google Patents
半導体インゴットの切断方法Info
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- JPH09286021A JPH09286021A JP8137395A JP13739596A JPH09286021A JP H09286021 A JPH09286021 A JP H09286021A JP 8137395 A JP8137395 A JP 8137395A JP 13739596 A JP13739596 A JP 13739596A JP H09286021 A JPH09286021 A JP H09286021A
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ワイヤーソーによる半導体インゴットの切断
装置を使用し、容易に切断面を制御できる半導体インゴ
ットの切断方法を提供する。 【解決手段】 ワーク保持プレート２１を半導体インゴ
ット３の中心軸方向Ｙに移動可能に設ける。半導体イン
ゴット３を降下させ、ワイヤーソー１により切断する。
半導体インゴット３の切断位置により、その中心軸方向
Ｙの変位量を制御する。
装置を使用し、容易に切断面を制御できる半導体インゴ
ットの切断方法を提供する。 【解決手段】 ワーク保持プレート２１を半導体インゴ
ット３の中心軸方向Ｙに移動可能に設ける。半導体イン
ゴット３を降下させ、ワイヤーソー１により切断する。
半導体インゴット３の切断位置により、その中心軸方向
Ｙの変位量を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、ワイヤーソーにより半
導体インゴットをスライス状に切断してウェハを得る半
導体インゴットの切断方法に関するものである。
導体インゴットをスライス状に切断してウェハを得る半
導体インゴットの切断方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェハは半導体インゴット
を内周刃で一枚ずつ切断して得られていた。ところがこ
の内周刃による切断においては、内周刃と半導体インゴ
ットの切断面との間の抵抗等により生じる切断面のムラ
が大きく、その切断ムラによる湾曲の形状が各ウェハ毎
まちまちで、その湾曲率の分布幅が大きくなるという不
具合が生じていた。この不具合を解決する方法として
は、例えば「特開平１−１８２０１１号」や「特開平５
−１６９４３号」等の公開公報に示されるような、内周
刃を何らかの方法により制御してウェハの切断面の平坦
度を高めるものがある。
を内周刃で一枚ずつ切断して得られていた。ところがこ
の内周刃による切断においては、内周刃と半導体インゴ
ットの切断面との間の抵抗等により生じる切断面のムラ
が大きく、その切断ムラによる湾曲の形状が各ウェハ毎
まちまちで、その湾曲率の分布幅が大きくなるという不
具合が生じていた。この不具合を解決する方法として
は、例えば「特開平１−１８２０１１号」や「特開平５
−１６９４３号」等の公開公報に示されるような、内周
刃を何らかの方法により制御してウェハの切断面の平坦
度を高めるものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、内周刃
による切断は枚葉で行われるために、上記した方法で
は、いずれもウェハを１枚切断する度に内周刃に生じる
撓みの変化を検知する検知装置と、切断中にこの内周刃
の撓みを制御する制御手段が必要であり、各装置とその
操作が複雑となり、切断装置全体が大型化ならざるを得
ないという問題点があった。本発明は、上記問題に鑑み
てなされたもので、近年普及しつつあるワイヤーソーに
よる半導体インゴットの切断装置を使用し、容易に切断
面を制御できる半導体インゴットの切断方法を提供する
ことを目的とするものである。
による切断は枚葉で行われるために、上記した方法で
は、いずれもウェハを１枚切断する度に内周刃に生じる
撓みの変化を検知する検知装置と、切断中にこの内周刃
の撓みを制御する制御手段が必要であり、各装置とその
操作が複雑となり、切断装置全体が大型化ならざるを得
ないという問題点があった。本発明は、上記問題に鑑み
てなされたもので、近年普及しつつあるワイヤーソーに
よる半導体インゴットの切断装置を使用し、容易に切断
面を制御できる半導体インゴットの切断方法を提供する
ことを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、ワ
イヤーソーにより半導体インゴットをスライス状に切断
してウェハを得る半導体インゴットの切断方法におい
て、前記半導体インゴットをその中心軸方向に移動可能
に設け、該中心軸方向の変位量を前記半導体インゴット
の切断位置の変化に応じて制御しながら切断するように
したものである。
イヤーソーにより半導体インゴットをスライス状に切断
してウェハを得る半導体インゴットの切断方法におい
て、前記半導体インゴットをその中心軸方向に移動可能
に設け、該中心軸方向の変位量を前記半導体インゴット
の切断位置の変化に応じて制御しながら切断するように
したものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】ここで便宜上、ワイヤーソーを使
用した切断装置について簡単に説明する。この切断装置
は、一度に大量のウェハをしかも安定した厚さで切断す
ることができるのが大きな特徴で、これによりウェハの
切断工程を大幅に短縮できる装置である（図６参照）。
また、このワイヤーソーによる切断で得られたウェハ
は、従来の内周刃による切断に比較し、ぞの切断面の形
状が一本の半導体インゴットにおいて安定しており、ま
たその湾曲率の分布幅が非常に狭いことが特徴である。
本発明は、このワイヤーソーによる切断面の形状の安定
性とその分布幅が狭いことを利用し、切断する側のワイ
ヤーソーを制御するのではなく、切断される側の半導体
インゴットの中心軸方向に移動させ、その変位量を制御
し、これにより安定した切断面を有する大量のウェハを
一度に切断できる半導体インゴットの切断方法である。
用した切断装置について簡単に説明する。この切断装置
は、一度に大量のウェハをしかも安定した厚さで切断す
ることができるのが大きな特徴で、これによりウェハの
切断工程を大幅に短縮できる装置である（図６参照）。
また、このワイヤーソーによる切断で得られたウェハ
は、従来の内周刃による切断に比較し、ぞの切断面の形
状が一本の半導体インゴットにおいて安定しており、ま
たその湾曲率の分布幅が非常に狭いことが特徴である。
本発明は、このワイヤーソーによる切断面の形状の安定
性とその分布幅が狭いことを利用し、切断する側のワイ
ヤーソーを制御するのではなく、切断される側の半導体
インゴットの中心軸方向に移動させ、その変位量を制御
し、これにより安定した切断面を有する大量のウェハを
一度に切断できる半導体インゴットの切断方法である。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の各実施例を図面に基づいて説
明する。 実施例１ 図１は本発明に係る切断方法を示す部分斜視図、図２は
実施例１の切断方法における半導体インゴットの中心軸
方向の変位を示すグラフ、図３は実施例１の切断方法で
得られたウェハの側断面図である。
明する。 実施例１ 図１は本発明に係る切断方法を示す部分斜視図、図２は
実施例１の切断方法における半導体インゴットの中心軸
方向の変位を示すグラフ、図３は実施例１の切断方法で
得られたウェハの側断面図である。
【０００７】半導体インゴット３を図６に示すようなワ
イヤーソ１により切断する切断装置において、図１に示
すように、ワーク保持プレート２１が半導体インゴット
３の中心軸方向Ｙに移動できるように設け、この移動の
変位量を半導体インゴット３の降下方向Ｚの変化に応じ
て制御できるように設けられている。
イヤーソ１により切断する切断装置において、図１に示
すように、ワーク保持プレート２１が半導体インゴット
３の中心軸方向Ｙに移動できるように設け、この移動の
変位量を半導体インゴット３の降下方向Ｚの変化に応じ
て制御できるように設けられている。
【０００８】ワイヤーソーによる切断においては、その
反り傾向が安定していることから、その反り傾向を予め
表面検知装置により分析し、例えば図２に示す反り傾向
値ｙ１を得る。この反り傾向値ｙ１をワーク保持プレー
ト２１の中心軸方向Ｙの変位を制御する変位量制御装置
（図示せず）に入力し、図２に示す半導体ウェハ３の降
下方向Ｚの変化率に応じて変位量Ｙ１をワーク保持プレ
ート２１に与えるものである。
反り傾向が安定していることから、その反り傾向を予め
表面検知装置により分析し、例えば図２に示す反り傾向
値ｙ１を得る。この反り傾向値ｙ１をワーク保持プレー
ト２１の中心軸方向Ｙの変位を制御する変位量制御装置
（図示せず）に入力し、図２に示す半導体ウェハ３の降
下方向Ｚの変化率に応じて変位量Ｙ１をワーク保持プレ
ート２１に与えるものである。
【０００９】したがって、本実施例においては、予め得
られていた反り傾向値ｙ１を変位量Ｙ１によりその殆ど
を打ち消すことができ、図３に示すような断面の平坦な
ウェハ４ａに切断できる。
られていた反り傾向値ｙ１を変位量Ｙ１によりその殆ど
を打ち消すことができ、図３に示すような断面の平坦な
ウェハ４ａに切断できる。
【００１０】実施例２ 図４は実施例２の切断方法における半導体インゴットの
中心軸方向の変位を示すグラフ、図５は実施例２の切断
方法で得られたウェハの側断面図である。上記実施例１
では、反り傾向を変位量により打ち消して平坦なウェハ
を得るものであったが、本実施例では、予め得られてい
た反り傾向にある一定パターンの変位量を加えることに
より、意図的に湾曲したウェハを得ようとするものであ
る。すなわち、図４に示すように、予め得られていた反
り傾向値ｙ１においては、その中心部がややフラットな
形状であることから、均一な湾曲面からこの反り傾向値
ｙ１を差し引いた値である変位量Ｙ２を与えることによ
り、図５に示すような均一に湾曲したウェハ４ｂを切断
できる。
中心軸方向の変位を示すグラフ、図５は実施例２の切断
方法で得られたウェハの側断面図である。上記実施例１
では、反り傾向を変位量により打ち消して平坦なウェハ
を得るものであったが、本実施例では、予め得られてい
た反り傾向にある一定パターンの変位量を加えることに
より、意図的に湾曲したウェハを得ようとするものであ
る。すなわち、図４に示すように、予め得られていた反
り傾向値ｙ１においては、その中心部がややフラットな
形状であることから、均一な湾曲面からこの反り傾向値
ｙ１を差し引いた値である変位量Ｙ２を与えることによ
り、図５に示すような均一に湾曲したウェハ４ｂを切断
できる。
【００１１】このワイヤーソーによる切断は従来の内周
刃による切断に比し、その切断面の切断跡（荒れ）や厚
さのムラが非常に少なく、このため切断工程の後のラッ
ピングや平面研削といった厚さを整える工程における取
代を大幅に少なくでき、さらにその後のエッチング工程
や研磨工程での取代も減じることができることから、本
発明の切断方法により切断して得られたウェハの形状
は、その後の工程で損なわれることがない。
刃による切断に比し、その切断面の切断跡（荒れ）や厚
さのムラが非常に少なく、このため切断工程の後のラッ
ピングや平面研削といった厚さを整える工程における取
代を大幅に少なくでき、さらにその後のエッチング工程
や研磨工程での取代も減じることができることから、本
発明の切断方法により切断して得られたウェハの形状
は、その後の工程で損なわれることがない。
【００１２】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
ワイヤーソーによる半導体インゴットの切断装置を使用
し、容易に切断面を制御でき、且つその制御もワーク保
持プレートの変位を制御するだけであるのでその切断装
置を複雑化する必要がないという優れた効果がある。ま
た、本発明の切断方法により得られたウェハは、切断後
のウェハの形状をその後の工程で十分に活かして、より
高品質の半導体ウェハを生産できるというという優れた
効果がある。
ワイヤーソーによる半導体インゴットの切断装置を使用
し、容易に切断面を制御でき、且つその制御もワーク保
持プレートの変位を制御するだけであるのでその切断装
置を複雑化する必要がないという優れた効果がある。ま
た、本発明の切断方法により得られたウェハは、切断後
のウェハの形状をその後の工程で十分に活かして、より
高品質の半導体ウェハを生産できるというという優れた
効果がある。
【図１】本発明に係る切断方法を示す部分斜視図ある。
【図２】実施例１の切断方法における半導体インゴット
の中心軸方向の変位を示すグラフである。
の中心軸方向の変位を示すグラフである。
【図３】実施例１の切断方法で得られたウェハの側断面
図である。
図である。
【図４】実施例２の切断方法における半導体インゴット
の中心軸方向の変位を示すグラフである。
の中心軸方向の変位を示すグラフである。
【図５】実施例２の切断方法で得られたウェハの側断面
図である。
図である。
【図６】ワイヤーソーによる半導体インゴットの切断装
置を示す模式図である。
置を示す模式図である。
１‥‥‥ワイヤーソー ２‥‥‥ワーク ２１‥‥ワーク保持プレート ３‥‥‥半導体インゴット ４ａ‥‥半導体ウェハ ４ｂ‥‥半導体ウェハ ｙ１‥‥反り傾向値 Ｙ１‥‥変位量 Ｙ２‥‥変位量
Claims (3)
- 【請求項１】 ワイヤーソーにより半導体インゴットを
スライス状に切断してウェハを得る半導体インゴットの
切断方法において、前記半導体インゴットをその中心軸
方向に移動可能に設け、該中心軸方向の変位量を前記半
導体インゴットの切断位置の変化に応じて制御しながら
切断することを特徴とする半導体インゴットの切断方
法。 - 【請求項２】 ワイヤーソーの切断によるウェハの反り
傾向を予め得、この反り傾向を消すように半導体インゴ
ットの中心軸方向の変位量を設定することを特徴とする
請求項１記載の半導体インゴットの切断方法。 - 【請求項３】 ワイヤーソーの切断によるウェハの反り
傾向を予め得、この反り傾向に半導体インゴットの中心
軸方向の変位量を加えることにより、断面が略均一な湾
曲になるように設定されることを特徴とする請求項１記
載の半導体インゴットの切断方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8137395A JPH09286021A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 半導体インゴットの切断方法 |
| TW86104942A TW387835B (en) | 1996-04-22 | 1997-04-16 | Cutting method of semiconductor ingot |
| US08/903,725 US5875770A (en) | 1996-04-22 | 1997-07-31 | Method of cutting semiconductor ingots and apparatus for cutting thereof |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8137395A JPH09286021A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 半導体インゴットの切断方法 |
| US08/903,725 US5875770A (en) | 1996-04-22 | 1997-07-31 | Method of cutting semiconductor ingots and apparatus for cutting thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09286021A true JPH09286021A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=26470728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8137395A Pending JPH09286021A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 半導体インゴットの切断方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5875770A (ja) |
| JP (1) | JPH09286021A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105269694A (zh) * | 2014-07-03 | 2016-01-27 | 松下知识产权经营株式会社 | 晶片制造方法以及晶片制造装置 |
| CN115023328A (zh) * | 2020-01-28 | 2022-09-06 | 硅电子股份公司 | 用于在一系列分离工艺期间通过线锯从工件分离多个晶片的方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10249700A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-09-22 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ワイヤソーによるインゴットの切断方法及び装置 |
| US6024080A (en) * | 1997-07-07 | 2000-02-15 | Laser Technology West Limited | Apparatus and method for slicing a workpiece utilizing a diamond impregnated wire |
| DE19739965A1 (de) * | 1997-09-11 | 1999-03-18 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Sägeleiste zum Fixieren eines Kristalls und Verfahren zum Abtrennen von Scheiben |
| US6112738A (en) * | 1999-04-02 | 2000-09-05 | Memc Electronics Materials, Inc. | Method of slicing silicon wafers for laser marking |
| WO2006061043A1 (de) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Werkstückhalterung und verfahren zum drahtsägen |
| JP6919852B2 (ja) * | 2016-09-27 | 2021-08-18 | 株式会社テック技販 | インゴットの切断装置、および、インゴットの切断装置に使用される荷重検出装置 |
| US10403595B1 (en) * | 2017-06-07 | 2019-09-03 | United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Wiresaw removal of microelectronics from printed circuit board |
| DE102018221921A1 (de) | 2018-12-17 | 2020-06-18 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mittels einer Drahtsäge |
| DE102018221922A1 (de) | 2018-12-17 | 2020-06-18 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mittels einer Drahtsäge, Drahtsäge und Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium |
| EP3922389A1 (de) | 2020-06-10 | 2021-12-15 | Siltronic AG | Verfahren zum abtrennen einer vielzahl von scheiben mittels einer drahtsäge von werkstücken während einer abfolge von abtrennvorgängen |
| EP3922385A1 (de) | 2020-06-10 | 2021-12-15 | Siltronic AG | Verfahren zum abtrennen einer vielzahl von scheiben von werkstücken mittels einer drahtsäge während einer abfolge von abtrennvorgängen |
| EP3922387A1 (de) | 2020-06-10 | 2021-12-15 | Siltronic AG | Verfahren zum abtrennen einer vielzahl von scheiben mittels einer drahtsäge von werkstücken während einer abfolge von abtrennvorgängen |
| EP3922388A1 (de) | 2020-06-10 | 2021-12-15 | Siltronic AG | Verfahren zum abtrennen einer vielzahl von scheiben mittels einer drahtsäge von werkstücken während einer abfolge von abtrennvorgängen |
| EP3922386A1 (de) | 2020-06-10 | 2021-12-15 | Siltronic AG | Verfahren zum abtrennen einer vielzahl von scheiben von werkstücken mittels einer drahtsäge während einer abfolge von abtrennvorgängen |
| CN114905646A (zh) * | 2022-05-16 | 2022-08-16 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 多线切割方法及装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE69526038T2 (de) * | 1994-12-15 | 2002-10-31 | Sharp K.K., Osaka | Drahtgittersäge und Sägeverfahren |
| DE19510625A1 (de) * | 1995-03-23 | 1996-09-26 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Drahtsäge und Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück |
| JP3427956B2 (ja) * | 1995-04-14 | 2003-07-22 | 信越半導体株式会社 | ワイヤーソー装置 |
| JP2870452B2 (ja) * | 1995-05-31 | 1999-03-17 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソー |
| JP3107143B2 (ja) * | 1995-07-14 | 2000-11-06 | 株式会社東京精密 | ワイヤソーのワイヤトラバース装置 |
-
1996
- 1996-04-22 JP JP8137395A patent/JPH09286021A/ja active Pending
-
1997
- 1997-07-31 US US08/903,725 patent/US5875770A/en not_active Expired - Fee Related
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| CN115023328A (zh) * | 2020-01-28 | 2022-09-06 | 硅电子股份公司 | 用于在一系列分离工艺期间通过线锯从工件分离多个晶片的方法 |
| JP2023512226A (ja) * | 2020-01-28 | 2023-03-24 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | スライス動作のシーケンス中にワイヤソーによって被加工物から複数のウェハをスライスする方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5875770A (en) | 1999-03-02 |
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