JPH1022261A - レジスト剥離液管理装置 - Google Patents
レジスト剥離液管理装置Info
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Abstract
レジスト剥離に用いられるレジスト剥離液の管理装置に
おいて、レジスト剥離液品質を一定に制御し、かつ液使
用量の削減、操業停止時間の減少及びコストの低減を図
る。 【解決手段】 レジスト剥離液の溶解レジスト濃度を吸
光光度計16により検出してレジスト剥離液を排出する
レジスト剥離液排出手段と、レジスト剥離液の液面レベ
ルを液面レベル計3により検出してレジスト剥離原液と
純水とを補給する第一補給手段と、レジスト剥離液の水
分濃度を吸光光度計15により検出してレジスト剥離原
液及び純水の少なくとも一方を補給する第二補給手段と
を備えるように構成する。
Description
液晶基板製造工程においてレジストの剥離に用いられる
レジスト剥離液の管理装置、詳しくは、レジスト剥離液
の循環使用における連続自動補給機構、水分濃度調整機
構、及びレジスト剥離で溶出したレジストの濃縮化に伴
うレジスト剥離性能の劣化抑制のためのレジスト剥離液
自動排出機構を併せて有する装置に関する。
ォトリソグラフィ工程で使用されるレジスト材料には、
露光によって可溶化するポジ型と、露光によって不溶化
するネガ型とがあり、主としてポジ型が多用されてい
る。ポジ型レジストの代表例として、ナフトキノンジア
ジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂(ノボラック樹脂)
を主成分とするものがある。フォトリソグラフィ工程の
最終段階では、レジストを基板から完全に剥離する工程
が必要である。
スト剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度計により検出
してレジスト剥離液を排出するレジスト剥離液排出手段
と、レジスト剥離液の液面レベルを液面レベル計により
検出して有機溶媒とアルカノールアミンとを、又は有機
溶媒とアルカノールアミンとを予め調合したレジスト剥
離新液を補給する第一補給手段と、レジスト剥離液のア
ルカノールアミン濃度を吸光光度計により検出して有機
溶媒及びアルカノールアミンの少なくとも一方を補給す
る第二補給手段とを備えたレジスト剥離液管理装置が記
載されている。
上記のように、レジスト剥離液として有機アルカリや有
機溶剤を組み合わせた溶液が主として使用されている
が、更に適量の水を添加した溶液が優れた効果を有する
ことが明らかとなった。即ち、適量の水を含有するレジ
スト剥離液を用いると、基板の処理温度を水を含有しな
いレジスト剥離液の約80℃から約40℃に低下させる
ことができ基板や半導体回路を形成する下地メタルへの
ダメージを減少させることができること、不燃物として
の取り扱いができ安全性が高いこと、蒸発ロスが主とし
て安価な水であること、剥離速度が大きいことなどの効
果を有する。例えば、ジメチルスルホキシド系原液と純
水との溶液、N−メチルピロリドン系原液と純水との溶
液、アルカノールアミンとグライコールエーテルと純水
との溶液などがスプレー方式あるいはディップ方式など
で使用されている。
度の一定量のレジスト剥離新液を充填してスタートし、
経験等にもとづく基板処理枚数などを指標として、レジ
スト剥離液が減量しつつ所定劣化濃度域に達したとき、
予め用意した新液と一挙に全量交換するバッチ操業の形
態をとっている。この液交換時期は槽容量や基板の種
類、枚数等により一定ではないが、およそ4日間前後に
1回の頻度で行なわれている。レジスト剥離液が劣化す
ると、一定の剥離速度が得られず剥離残渣が生じ歩留り
の低下を引き起こす。フォトリソグラフィ工程の最終段
階であるレジスト剥離工程にて不良品が発生すると損害
額が大きい。
60℃で使用されている。レジスト剥離液に使用される
成分の沸点は、有機アルカリや有機溶剤が、160〜2
50℃程度であり、水が100℃である。従って、レジ
スト剥離液は、使用中にレジスト剥離槽の大気シールの
ためのパージ窒素ガスに同伴して低沸点の水分が優先的
に蒸発することで、水分濃度が下降して濃度変動を生じ
る。そのため逐次レジスト剥離性能が低下するが、従来
は水分濃度をリアルタイムで測定することが行なわれ
ず、かつ所定濃度に一定に制御することが行なわれてい
なかった。水分濃度が更に低下すると、引火点を有する
ようになり爆発の危険性が生じる。
剥離液中に溶解したレジストは逐次濃縮し、剥離速度の
低下や剥離残渣の発生などレジスト剥離性能劣化の一因
となっているが、従来は溶解レジスト濃度をリアルタイ
ムで測定することが行なわれず、かつ所定濃度に一定に
制御することが行なわれていなかった。
濃度及び溶解レジスト濃度は経時的に変化して一定でな
いため、レジストの剥離残渣を生じ、液晶基板の高精細
寸法の精度制御が困難で、製品の品質を不安定にし、歩
留りを低下させていた。また液交換時の操業停止(ダウ
ンタイム)により大幅な稼動率低下をきたし、レジスト
剥離液の交換作業に伴う労務コストが必要であった。
で、本発明の目的は、液晶基板製造工程の大量生産に適
した簡便な従来技術によるライン搬送方式の利点を生か
しながら、前述した従来技術の問題点を解消するもので
ある。すなわち、本発明の目的は、所定の成分比をもっ
た原液を用意しておけば、レジスト剥離液を所定の水分
濃度と溶解レジスト濃度に自動制御し、かつレジスト剥
離処理槽の液補給に対して適切な管理を行ない、もって
レジスト剥離性能を常時一定化するとともに、使用原液
量を削減し、安全を確保し、操業停止時間を大幅に短縮
して総合的な製造コストの低減を可能とすることにあ
る。
処理槽のレジスト剥離液中に溶解したレジスト濃度は、
図8に示すように、その吸光度と密接な関係(高度な直
線関係)にあることを実験により確認したことから、溶
解レジスト濃度を吸光度測定することにより調整、制御
し、さらにレジスト剥離液中の水分濃度が、図5に示す
ように、その吸光度との間に密接な関係(高度な直線関
係)にあることを実験によって確認したことから、水分
濃度を吸光度測定により調整、制御するようにしたもの
であり、水分濃度とレジスト濃度の両方を同時に管理す
るようにしたものである。
本発明のレジスト剥離液管理装置は、レジスト剥離原液
と純水とを供給して一定液面レベルに保つ液面調節・補
給手段と、このレジスト剥離処理槽内のレジスト剥離液
の水分濃度を吸光光度計により検出してレジスト剥離原
液及び純水の少なくとも一方を補給する補給手段とを備
えたことを特徴としている。また、本発明のレジスト剥
離液管理装置は、補給手段において、レジスト剥離原液
と純水とを補給する代わりに、レジスト剥離原液と純水
とを予め調合したレジスト剥離新液を補給するようにし
たことを特徴としている。
本発明のレジスト剥離液管理装置は、レジスト剥離液の
溶解レジスト濃度を吸光光度計により検出してレジスト
剥離液を排出するレジスト剥離液排出手段と、レジスト
剥離液の液面レベルを液面レベル計により検出してレジ
スト剥離原液と純水とを補給する第一補給手段と、レジ
スト剥離液の水分濃度を吸光光度計により検出して、レ
ジスト剥離原液及び純水の少なくとも一方を補給する第
二補給手段とを備えたことを特徴としている(図1参
照)。また、本発明のレジスト剥離液管理装置は、第一
補給手段において、レジスト剥離原液と純水とを補給す
る代わりに、レジスト剥離原液と純水とを予め調合した
レジスト剥離新液をもって補給するようにしたことを特
徴としている(図2参照)。
は、レジスト剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度計に
より検出してレジスト剥離原液と純水とを補給する第三
補給手段と、レジスト剥離液の水分濃度を吸光光度計に
より検出してレジスト剥離原液及び純水の少なくとも一
方を補給する第二補給手段とを備えたことを特徴として
いる(図3参照)。また、本発明のレジスト剥離液管理
装置は、レジスト剥離原液と純水とを補給する第三補給
手段において、レジスト剥離原液と純水とを補給する代
わりに、レジスト剥離原液と純水とを予め調合したレジ
スト剥離新液を補給するようにしたことを特徴としてい
る(図4参照)。レジスト剥離原液としては、例えばジ
メチルスルホキシド系原液、N−メチルピロリドン系原
液、アルカノールアミンとグライコールエーテル系溶剤
との混合原液などが用いられる。アルカノールアミンと
しては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、
トリエタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールア
ミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、アミノエチ
ルエタノールアミン、N−メチル−N,N−ジエタノー
ルアミン、N,N−ジブチルエタノールアミン、N−メ
チルエタノールアミン、3−アミノ−1−プロパノール
などを挙げることができる。グライコールエーテル系溶
剤としては、ブチルジグリコール、ジエチレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテ
ルなどを挙げることができる。
適な実施の形態を詳細に説明する。ただし、これらの実
施の形態に記載されている構成機器の形状、その相対配
置などは、とくに特定的な記載がない限りは、本発明の
範囲をそれらのみに限定するものではなく、単なる説明
例にすぎない。図1は、本発明の第1の実施の形態によ
るレジスト剥離液管理装置を示す系統図である。図中の
参照番号1〜13は従来の既設のレジスト剥離処理装置
を構成する機器である。すなわち、この従来のレジスト
剥離処理装置は、レジスト剥離液を貯留するレジスト剥
離処理槽1、オーバーフロー槽2、液面レベル計3、レ
ジスト剥離室フード4、レジスト剥離液スプレー7、レ
ジスト剥離液スプレーへの送液ポンプ8、レジスト剥離
液中の微細粒子等を除去するためのフィルター9、基板
を配置してレジスト剥離しつつ移動するローラーコンベ
ア5、基板6、及びレジスト剥離液の清浄化と撹拌のた
めの循環ポンプ11、微細粒子除去用フィルター13、
ならびにN2 ガス、純水等の配管類などからなってい
る。
置に付設される機器は、吸光光度計15、吸光光度計1
6、液排出ポンプ18、及びレジスト剥離原液供給缶1
9、レジスト剥離原液供給用の流量調節弁21、純水供
給用の流量調節弁22と、これら各機器を接続する配管
類、電気計装類又は空気計装類などである。
は、レジスト剥離液スプレー7の所要量を供給できれば
足りるが、工程の安定上からは制御されることが必要で
ある。液面レベル計3は、レジスト剥離処理中に基板に
付着して系外に持ち出されることで自然減量することに
よる液面レベル低下を検出し、あるいはレジスト剥離性
能が劣化した液を強制排出したときの液面レベル低下を
検出し、レジスト剥離処理槽1の液量を一定範囲に管理
する。ここで、レジスト剥離劣化液は排出ポンプ18を
作動することによりドレン用配管に流下する。なお、劣
化液をドレン用配管を経由せずに直接系外に抜き出す場
合もある。
ルアミン(以下、MEAと略称する)とブチルジグリコ
ール(以下、BDGと略称する)の所定濃度混合液を貯
留するレジスト剥離原液供給缶19は、配管20からの
N2 ガスで1〜2Kgf /cm2に加圧されており、レジス
ト剥離原液流量調節弁21の開により圧送される。ま
た、純水は既設配管からの分岐管に通じており、純水流
量調節弁22の開により送液される。このレジスト剥離
原液及び純水はそれぞれの弁を自動調節して送液され、
管路23で合流して管路12に流入し、循環流とともに
混合されながらレジスト剥離処理槽1に入る。なお、レ
ジスト剥離原液と純水とを合流させずに、管路12又は
レジスト剥離処理槽1にそれぞれ連結することも可能で
ある。
0にオンラインで設置した吸光光度計15と吸光光度計
16(例えば、両器は一体構成)には、管路14から試
料液が導入されてそれぞれの吸光度が連続測定され、測
定済み液は管路17から管路10に戻される。なお、吸
光光度計15と吸光光度計16とを別体として設置する
ことや測定用の循環ポンプを使用して試料液を吸光光度
計15と吸光光度計16とに導入することも可能であ
る。
装置系統図である。本実施形態は、レジスト剥離液の液
面レベルを液面レベル計3により検出してレジスト剥離
原液と純水とを補給する代わりに、図2に示すように、
レジスト剥離液の液面レベルを液面レベル計3により検
出してレジスト剥離原液と純水とを予め調合したレジス
ト剥離新液を補給するように構成したものである。27
はレジスト剥離新液供給缶、28は新液流量調節弁であ
る。他の構成は図1の場合と同様である。
装置系統図である。本実施形態は、レジスト剥離液の溶
解レジスト濃度を吸光光度計16により検出してレジス
ト剥離原液と純水とを補給するように構成したものであ
る。図3に示すように、通常において、液面レベルはオ
ーバーフロー用の堰の位置付近にあり、レジスト剥離原
液及び純水の少なくとも一方が補給された場合は、オー
バーフロー用の堰から劣化したレジスト剥離液がオーバ
ーフローして自動排出される。なお、排出ポンプ18は
必ずしも必要ではなく、排出ポンプ18の代わりに弁を
設けてもよい。他の構成は図1の場合と同様である。
装置系統図である。本実施形態は、レジスト剥離液の溶
解レジスト濃度を吸光光度計16により検出して補給す
る第三補給手段において、レジスト剥離原液と純水とを
補給する代わりに、図4に示すように、レジスト剥離原
液と純水とを予め調合したレジスト剥離新液を補給する
ように構成したものである。他の構成は図1及び図3の
場合と同様である。
制御系統について説明する。液面レベル計3とレジスト
剥離処理槽1の液面レベル、吸光光度計15とレジスト
剥離液の水分濃度、吸光光度計16とレジスト剥離液の
溶解レジスト濃度の3者は、本質的にはそれぞれ独立機
能として作用するが、本発明においては、これらを相互
の補完的な関連において機能させることを特徴としてい
る。また、はじめに製品基板の品質管理上で必要なレジ
スト剥離液の水分濃度の目標値、溶解レジスト濃度の濃
縮限界値などは、操業実績又は計算に基づき予め各制御
器に設定しておかねばならない。
Gと純水を混合した溶液を使用した実施形態について説
明する。通常、約40℃の一定液温に保持されたレジス
ト剥離液の水分濃度は、主としてパージN2 ガスに同伴
して水分が蒸発することにより、基板処理枚数の増加と
ともに減少するので、レジスト剥離液のレジスト剥離性
能が劣化してくる。このため、水分濃度は所定の目標
値、例えば29.0±1.0%に管理する必要がある。
従来は、経験からの基板処理枚数との相関あるいは化学
分析等によって、レジスト剥離液劣化の程度を判定して
いたが、迅速かつ正確な把握が困難であった。
吸光度との関係を実験により検討し、吸光度の測定波長
は、近赤外線領域の950nmから1010nmの範囲が適
切であり、976nm付近が感度が大きく特に良好であっ
た。なお、測定波長は、近赤外線領域から選択され、剥
離液とレジストの種類や濃度に応じて使い分けられる。
図5に示す如く、測定波長λ=976nmにおける吸光度
とレジスト剥離液の水分濃度とは高度な直線関係にあ
り、吸光度を検出することにより水分濃度が正確に測定
できることを確認した。管路10にオンラインで設置さ
れた吸光光度計15は、測定誤差を最小限とするための
諸補償機能と吸光度制御器25を備えている。管路10
から導入した試料液の吸光度測定値を、吸光度制御器2
5に入力して、その値が目標値になるように、出力信号
によりレジスト剥離原液及び純水の少なくとも一方を、
流量調節弁21、22によりそれぞれ自動制御して、水
分濃度を目標値に調整するまで補給する。
によるほか、溶解レジスト濃度も関与している。基板処
理のレジスト剥離液は、送液ポンプ8によりレジスト剥
離処理槽1から取り出され、レジスト剥離液スプレー7
を経て循環使用されるため、溶解物質がレジスト剥離液
中に漸次濃縮してくる。その主な溶解物質はレジストで
あり、図6に操業例として示すように、基板処理枚数の
増加により濃縮されており、結果的にレジスト剥離性能
を著しく劣化させている。従来は、この濃度変化をリア
ルタイムで測定することが行なわれておらず、かつレジ
スト剥離性能を一定値で管理することが行なわれていな
かった。すなわち、基板の処理枚数を劣化指標としたり
しているが、基板の形状やレジストの膜厚やレジスト剥
離パターンが一定でないため、基板種類毎の溶解レジス
ト量も異なってくるので、処理枚数を判定要因とするこ
とには無理がある。
濃縮による汚染状態の研究から、レジスト濃度を吸光度
との関係において測定することに着目し、実験により図
7及び図8に示すような結果を得た。図8に見る如く、
溶解レジスト濃度と吸光度とは水分濃度などの影響なし
に高度な直線関係にあり、基板処理枚数によらない、溶
解レジスト濃度自体によるレジスト剥離性能限界値が判
定可能となった。溶解レジスト濃度の妥当な測定波長と
してはλ=560nmを使用した。なお、測定波長は、可
視光線領域の400nmから近赤外線領域の800nmの範
囲から選択され、レジストの種類や濃度に応じて使い分
けられる。管路10に吸光光度計15と一体又は別体で
設置した吸光光度計16が、レジスト剥離液の溶解レジ
スト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたことを検出
し、吸光度制御器26の出力信号により排出ポンプ18
が作動し、劣化したレジスト剥離液をレジスト剥離処理
槽1から抜き出してドレン管に廃棄するか、又は直接系
外に廃棄する。その結果、減量したレジスト剥離処理槽
1には、直ちに液面レベル計3が下降した液面レベルを
検出することによって新鮮なレジスト剥離液が補給さ
れ、溶解レジスト濃度は劣化限界値に希釈されることで
レジスト剥離性能が回復し、排出ポンプ18は停止す
る。
置が意図した制御系統の機能的関連について述べる。レ
ジスト剥離処理槽1が空の建浴時においては、液面レベ
ル計3が空であることを検出して、液面レベル制御器2
4の出力信号により、レジスト剥離原液及び純水が適正
な流量比において、流量調節弁21、22により弁開度
を調節して送液される。ついで、吸光光度計15が建浴
レジスト剥離液の吸光度を連続測定して、吸光度制御器
25の出力信号により、レジスト剥離原液及び純水の少
なくとも一方が適正な微少流量において、流量調節弁2
1及び22の少なくとも一方により弁開度を調節して送
液され、目標値の水分濃度になるよう自動制御される。
分濃度の下降、基板の持ち出しによる液の減量及び溶解
レジスト濃縮が進行する。水分濃度下降の場合は、吸光
光度計15がレジスト剥離液の吸光度を連続測定して、
吸光度制御器25の出力信号により、純水が適正な微少
流量において流量調節弁22により弁開度を調節して送
液され、目標値の水分濃度になるよう自動制御される。
基板の持ち出しによる液の減量の場合は、液面レベル計
3が下降した液面レベルを検出して、液面レベル制御器
24の出力信号により、レジスト剥離原液及び純水が適
正な流量比において、流量調節弁21、22により弁開
度を調節して送液される。
に達した場合は、吸光光度計16がレジスト剥離液の溶
解レジスト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたこと
を検出し、吸光度制御器26の出力信号により排出ポン
プ18が作動し、劣化したレジスト剥離液をレジスト剥
離処理槽1から抜き出してドレン管に廃棄するか、又は
直接系外に廃棄する。その結果、液面レベルが低下する
ので、液面レベル計3が下降した液面レベルを検出し
て、液面レベル制御器24の出力信号により、レジスト
剥離原液及び純水が適正な流量比において流量調節弁2
1、22により弁開度を調節して送液される。レジスト
剥離処理槽1には、新鮮なレジスト剥離液が補給される
ので、溶解レジスト濃度は劣化限界値に希釈されること
でレジスト剥離性能が回復し、排出ポンプ18は停止す
る。液面レベル計3より上部に、オーバーフロー用の堰
が、通常ではオーバーフローしない位置に設けられてい
るが、若干オーバーフローすることがあってもよい。
が意図した制御系統の機能的関連について述べる。レジ
スト剥離処理槽1が空の建浴時においては、手動操作に
より、レジスト剥離原液及び純水が適正な流量比におい
て、流量調節弁21、22により弁開度を調節して所定
の液面レベルに達するまで送液される。次いで、吸光光
度計15が建浴レジスト剥離液の吸光度を連続測定し
て、吸光度制御器25の出力信号により、レジスト剥離
原液及び純水の少なくとも一方が適正な微少流量におい
て、流量調節弁21及び22の少なくとも一方により弁
開度を調節して送液され、目標値の水分濃度になるよう
に自動制御させる。
分濃度下降、基板の持ち出しによる液の減量及び溶解レ
ジスト濃縮が進行する。水分濃度下降の場合は、吸光光
度計15がレジスト剥離液の吸光度を連続測定して、吸
光度制御器25の出力信号により、純水が適正な微少流
量において、流量調節弁22により弁開度を調節して送
液され、目標値の水分濃度になるよう自動制御される。
基板の持ち出しによる液の減量の場合は、液面レベル計
はオーバーフロー用の堰の位置より若干低下する。
値に達した場合は、吸光光度計16がレジスト剥離液の
溶解レジスト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたこ
とを検出し、吸光度制御器26の出力信号により、レジ
スト剥離原液及び純水が適正な流量比において、流量調
節弁21及び22により弁開度を調節して送液される。
新鮮なレジスト剥離液が補給されるので、溶解レジスト
濃度は劣化限界値に希釈されてレジスト剥離性能が回復
する。
置付近にあり、レジスト剥離原液又は純水が補給された
ときは、オーバーフロー用の堰から劣化したレジスト剥
離液がオーバーフローする。本発明者は、以上のように
各制御機能に基づく結果を相互補完的な関連で運用する
ことによって、総合的にレジスト剥離性能の回復、連続
操業、及びレジスト剥離液使用量の削減を容易に実現す
ることができることを実験により知見している。
法の操業パターンの効果の比較を図9〜図12に示す。
従来法では、図9に示すようにスタート時の水分濃度
が、例えば30.0wt%で、その濃度が時間の経過につ
れて下降して、例えば20.0wt%(化学分析値)に達
したときに液交換を行なっていた。この場合、水分濃度
の経時変化は鋸歯状になり、その濃度に変化幅が生じる
ので、レジスト剥離性能が一定しなかった。しかし、本
発明の装置を用いれば、図10に示すように水分濃度は
時間が経過しても、例えば29.0±1.0wt%で一定
であり、レジスト剥離性能が安定するとともに、液交換
作業の必要もなくなる。
スタート時から溶解レジスト濃度が時間の経過とともに
増加し、この濃度がレジスト剥離性能を低下させる領域
値に達して液交換を行なっていた。この場合、図11に
示すように、溶解レジスト濃度の経時変化は鋸歯状にな
り、溶解レジスト濃度の変化幅が生じるので、レジスト
剥離性能が一定しなかった。しかし、本発明の装置を用
いれば、図12に示すように、溶解レジスト濃度はある
時間の経過後は一定となり、従ってレジスト剥離性能が
安定するとともに、液交換作業の必要もなくなる。な
お、以上において、本発明は、レジスト剥離液としてM
EAとBDGと純水の溶液を使用した場合に限らず、レ
ジスト剥離液として有機アルカリと純水との溶液、有機
溶剤と純水との溶液、有機アルカリと有機溶剤と純水と
の溶液、有機アルカリと有機溶剤と純水と添加剤との溶
液などを使用した場合にも適用できる。上記の実施形態
はスプレー方式の場合について説明したが、ディップ方
式やスピン方式とすることも可能である。また、レジス
ト剥離処理槽を複数台設け、リザーバータンク及び上記
の管理手段とを組み合わせることも可能である。
ので、つぎのような効果を奏する。 (1) 本発明を、半導体や液晶基板のレジスト剥離工
程に適用することにより、レジスト剥離液の水分濃度及
び溶解レジスト濃度を、リアルタイムで連続的に監視す
ることができ、所定濃度に一定に精度よく制御すること
ができる。そのため、基板のレジスト剥離性能も安定化
して製品の歩留りが大幅に向上する。また、水分濃度が
所定の値に制御されるので、レジスト剥離液が引火点を
有しないという安全性を確保しながら、安定した液面レ
ベルにおいて長時間の連続操業を可能にする。 (2) 安価なレジスト剥離液を使用してその品質を一
定に制御すること及び連続操業が可能になることによ
り、液交換のダウンタイムと無駄な廃棄が無くなり、液
使用量と剥離液コストの大幅削減、稼動率の向上による
生産性の大幅な向上、無人化による労務コストの低減な
ど総合的効果も達成できる。 (3) 従来の有機アルカリと有機溶媒とを組み合わせ
たレジスト剥離液を用いる場合は、基板の処理温度とし
て80℃前後を必要としたが、本発明の装置において
は、レジスト剥離液に適量の水が含まれるので、基板の
処理温度を40℃前後に低下させることができる。この
ため、基板や半導体回路を形成する下地メタルの損傷を
軽減させることができ、また、水分を含有させたレジス
ト剥離液を不燃物として取り扱うことができるので安全
性が高くなり、また、蒸発ロスが主として安価な水であ
り、さらに、剥離速度が大きくなるなどの優れた効果が
発揮される。
液管理装置の系統図である。
液管理装置の系統図である。
液管理装置の系統図である。
液管理装置の系統図である。
光度との関係を示すグラフである。
関係を示す操業例のグラフである。
ジスト濃度測定用の吸光度との関係を示すグラフであ
る。
濃度と吸光度との関係を示すグラフである。
業時間との関係を示すグラフである。
剥離液の水分濃度と操業時間との関係を示すグラフであ
る。
との関係を示すグラフである。
スト濃度と操業時間との関係を示すグラフである。
分濃度下降、基板の持ち出しによる液の減量及び溶解レ
ジスト濃縮が進行する。水分濃度下降の場合は、吸光光
度計15がレジスト剥離液の吸光度を連続測定して、吸
光度制御器25の出力信号により、純水が適正な微少流
量において、流量調節弁22により弁開度を調節して送
液され、目標値の水分濃度になるよう自動制御される。
基板の持ち出しによる液の減量の場合は、液面レベルは
オーバーフロー用の堰の位置より若干低下する。
Claims (6)
- 【請求項1】 レジスト剥離原液と純水とを供給して一
定液面レベルに保つ液面調節・補給手段と、このレジス
ト剥離処理槽内のレジスト剥離液の水分濃度を吸光光度
計により検出してレジスト剥離原液及び純水の少なくと
も一方を補給する補給手段とを備えたことを特徴とする
レジスト剥離液管理装置。 - 【請求項2】 補給手段において、レジスト剥離原液と
純水とを補給する代わりに、レジスト剥離原液と純水と
を予め調合したレジスト剥離新液を補給するようにした
ことを特徴とする請求項1記載のレジスト剥離液管理装
置。 - 【請求項3】 レジスト剥離液の溶解レジスト濃度を吸
光光度計により検出してレジスト剥離液を排出するレジ
スト剥離液排出手段と、レジスト剥離液の液面レベルを
液面レベル計により検出してレジスト剥離原液と純水と
を補給する第一補給手段と、レジスト剥離液の水分濃度
を吸光光度計により検出してレジスト剥離原液及び純水
の少なくとも一方を補給する第二補給手段とを備えたこ
とを特徴とするレジスト剥離液管理装置。 - 【請求項4】 第一補給手段において、レジスト剥離原
液と純水とを補給する代わりに、レジスト剥離原液と純
水とを予め調合したレジスト剥離新液を補給するように
したことを特徴とする請求項3記載のレジスト剥離液管
理装置。 - 【請求項5】 レジスト剥離液の溶解レジスト濃度を吸
光光度計により検出してレジスト剥離原液と純水とを補
給する第三補給手段と、レジスト剥離液の水分濃度を吸
光光度計により検出してレジスト剥離原液及び純水の少
なくとも一方を補給する第二補給手段とを備えたことを
特徴とするレジスト剥離液管理装置。 - 【請求項6】 第三補給手段において、レジスト剥離原
液と純水とを補給する代わりに、レジスト剥離原液と純
水とを予め調合したレジスト剥離新液を補給するように
したことを特徴とする請求項5記載のレジスト剥離液管
理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08193005A JP3093975B2 (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | レジスト剥離液管理装置 |
TW086102134A TW332902B (en) | 1996-07-02 | 1997-02-21 | A device for an anti-corrosion remove solution |
US08/810,816 US5896874A (en) | 1996-07-02 | 1997-03-06 | Apparatus for controlling resist stripping solution |
CN97110797A CN1078359C (zh) | 1996-07-02 | 1997-04-23 | 光刻胶剥离液管理装置 |
KR1019970022835A KR100248500B1 (ko) | 1996-07-02 | 1997-06-03 | 레지스트박리액관리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08193005A JP3093975B2 (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | レジスト剥離液管理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1022261A true JPH1022261A (ja) | 1998-01-23 |
JP3093975B2 JP3093975B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=16300628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08193005A Expired - Lifetime JP3093975B2 (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | レジスト剥離液管理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5896874A (ja) |
JP (1) | JP3093975B2 (ja) |
KR (1) | KR100248500B1 (ja) |
CN (1) | CN1078359C (ja) |
TW (1) | TW332902B (ja) |
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---|---|
JP3093975B2 (ja) | 2000-10-03 |
KR980011722A (ko) | 1998-04-30 |
CN1174343A (zh) | 1998-02-25 |
CN1078359C (zh) | 2002-01-23 |
TW332902B (en) | 1998-06-01 |
US5896874A (en) | 1999-04-27 |
KR100248500B1 (ko) | 2000-03-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090728 Year of fee payment: 9 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120728 Year of fee payment: 12 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120728 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130728 Year of fee payment: 13 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
EXPY | Cancellation because of completion of term |