JP2602179B2

JP2602179B2 - レジスト剥離液管理装置

Info

Publication number: JP2602179B2
Application number: JP33324994A
Authority: JP
Inventors: 俊元中川; 光三塚田; 修小川; 嘉高佐藤; 信一郎塩津
Original assignee: Nagase and Co Ltd
Current assignee: Nagase and Co Ltd
Priority date: 1993-12-29
Filing date: 1994-12-15
Publication date: 1997-04-23
Anticipated expiration: 2012-04-23
Also published as: JPH07235487A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶基板製造工程や半
導体製造工程などにおいて、レジストの剥離に用いられ
るレジスト剥離液の管理装置、詳しくは、レジスト剥離
液の循環使用における連続自動補給機構、アルカノール
アミン濃度調整機構、及びレジスト剥離で溶出したレジ
ストの濃縮化に伴うレジスト剥離性能の劣化抑制のため
のレジスト剥離液自動排出機構を併せて有する装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】液晶基板や半導体などの製造工程におけ
るフォトリソグラフィ工程で使用されるレジスト材料に
は、露光によって可溶化するポジ型と、露光によって不
溶化するネガ型とがあり、主としてポジ型が多用されて
いる。ポジ型レジストの代表例として、ナフトキノンジ
アジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂（ノボラック樹
脂）を主成分とするものがある。フォトリソグラフィ工
程の最終段階では、レジストを基板から完全に剥離する
工程が必要である。液晶基板や半導体などのレジスト剥
離工程においては、レジスト剥離液として有機溶媒溶
液、有機アルカリ溶液、有機溶媒と有機アルカリの混合
溶液などが使用されている。例えば、ジメチルスルホキ
シド系の溶液、Ｎ−メチルピロリドン系の溶液、グライ
コールエーテルとアルカノールアミン系の混合溶液など
がスプレー方式あるいはディップ方式などで使用されて
いる。

【０００３】従来法では、レジスト剥離処理槽へ所定濃
度の一定量のレジスト剥離新液を充填してスタートし、
経験等にもとづく基板処理枚数などを指標として、レジ
スト剥離液が減量しつつ所定劣化濃度域に達したとき、
予め用意した新液と一挙に全量交換するバッチ操業の形
態をとっている。この液交換時期は槽容量や基板の種
類、枚数等により一定ではないが、およそ４日間前後に
１回の頻度で行なわれている。レジスト剥離液が劣化す
ると、一定の剥離速度が得られず剥離残渣が生じ歩留り
の低下を引き起こす。

【０００４】レジスト剥離液として用いられる非水系溶
液は、通常７０〜９０℃で使用されている。レジスト剥
離液に使用される成分の沸点は、有機溶媒が１９０〜２
４０℃程度であり、アルカノールアミン、例えばモノエ
タノールアミン（以下、単にＭＥＡという）が１７１℃
である。従って、レジスト剥離溶液は、使用中にレジス
ト剥離槽の大気シールのためのパージ窒素ガスに同伴し
て低沸点のＭＥＡが優先的に蒸発することで、ＭＥＡ濃
度が下降して濃度変動を生じる。また、アルカリである
ＭＥＡが、溶解レジストの酸との反応、ならびに空気中
の炭酸ガスの吸収、反応により、あるいは分解により濃
度低下を生じる。そのため逐次レジスト剥離性能が低下
するが、従来はＭＥＡ濃度をリアルタイムで測定するこ
とが行なわれず、かつ所定濃度に一定に制御することが
行なわれていなかった。

【０００５】また、レジスト剥離処理によってレジスト
剥離液中に溶解したレジストは逐次濃縮し、レジスト剥
離性能劣化の一因となっているが、従来は溶解レジスト
濃度をリアルタイムで測定することが行なわれず、かつ
所定濃度に一定に制御することが行なわれていなかっ
た。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従って、この間のＭＥ
Ａ濃度及び溶解レジスト濃度は経時的に変化して一定で
ないため、レジストの剥離残渣を生じ、液晶基板の高精
細寸法の精度制御が困難で、製品の品質を不安定にし、
歩留りを低下させていた。また液交換時の操業停止（ダ
ウンタイム）により大幅な稼動率低下をきたし、レジス
ト剥離液の交換作業に伴う労務コストが必要であった。

【０００７】本発明は上記の諸点に鑑みなされたもの
で、本発明の目的は、液晶基板製造工程などの大量生産
に適した簡便な従来技術によるライン搬送方式の利点を
生かしながら、前述した従来技術の問題点を解消するも
のである。すなわち、本発明の目的は、有機溶媒とアル
カノールアミンの原液を用意しておけば、レジスト剥離
液を所定のアルカノールアミン濃度と溶解レジスト濃度
に自動制御し、かつレジスト剥離処理槽の液補給に対し
て適切な管理を行ない、もってレジスト剥離性能を常時
一定化するとともに、使用原液量を削減し、操業停止時
間を大幅に短縮して総合的な製造コストの低減を可能と
することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、レジ
スト剥離処理槽のレジスト剥離液中に溶解したレジスト
濃度は、図８に示すように、その吸光度と相関関係にあ
ることを実験により確認したことから、溶解レジスト濃
度を吸光度測定により調整、制御し、さらにレジスト剥
離液中のＭＥＡ濃度が、図５に示すように、その吸光度
との間に相関関係にあることを実験によって確認したこ
とから、ＭＥＡ濃度を吸光度測定により調整、制御する
ようにしたものである。

【０００９】すなわち、上記の目的を達成するために、
本発明のレジスト剥離液管理装置は、図１に示すよう
に、レジスト剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度計１
６により検出してレジスト剥離液を排出するレジスト剥
離液排出手段と、レジスト剥離液の液面レベルを液面レ
ベル計３により検出して有機溶媒とアルカノールアミン
とを補給する第一補給手段と、レジスト剥離液のアルカ
ノールアミン濃度を吸光光度計１５により検出して、有
機溶媒及びアルカノールアミンの少なくとも一方を補給
する第二補給手段とを備えたことを特徴としている。ま
た、本発明のレジスト剥離液管理装置は、第一補給手段
において、有機溶媒とアルカノールアミンとを補給する
代わりに、図２に示すように、有機溶媒とアルカノール
アミンとを予め調合したレジスト剥離新液をもって補給
するようにしたことを特徴としている。

【００１０】さらに、本発明のレジスト剥離液管理装置
は、図３に示すように、レジスト剥離液の溶解レジスト
濃度を吸光光度計１６により検出して有機溶媒とアルカ
ノールアミンとを補給する第三補給手段と、レジスト剥
離液のアルカノールアミン濃度を吸光光度計１５により
検出して有機溶媒及びアルカノールアミンの少なくとも
一方を補給する第二補給手段とを備えたことを特徴とし
ている。また、本発明のレジスト剥離液管理装置は、図
４に示すように、有機溶媒とアルカノールアミンとを補
給する第三補給手段において、有機溶媒とアルカノール
アミンとを補給する代わりに、有機溶媒とアルカノール
アミンとを予め調合したレジスト剥離新液を補給するよ
うにしたことを特徴としている。有機溶媒としては、例
えばジメチルスルホキシド系原液、Ｎ−メチルピロリド
ン系原液、グライコールエーテル系原液などが用いられ
る。また、アルカノールアミンとしては、モノエタノー
ルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミ
ン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ
−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールア
ミン、３−アミノ−１−プロパノールを挙げることがで
きる。

【００１１】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の好適な実施例
を、アルカノールアミンとしてモノエタノールアミン
（ＭＥＡ）を用いる場合について詳細に説明する。ただ
し、この実施例に記載されている構成機器の形状、その
相対配置などは、とくに特定的な記載がない限りは、本
発明の範囲をそれらのみに限定するものではなく、単な
る説明例にすぎない。図１は本発明の一実施例を示す装
置系統図である。図中の参照番号１〜１３は、従来の既
設のレジスト剥離処理装置を構成する機器である。すな
わち、この従来のレジスト剥離処理装置は、レジスト剥
離液を貯留するレジスト剥離処理槽１、オーバーフロー
槽２、液面レベル計３、レジスト剥離室フード４、レジ
スト剥離液スプレー７、レジスト剥離液スプレーへの送
液ポンプ８、レジスト剥離液中の微細粒子等を除去する
ためのフィルター９、基板を配置してレジスト剥離しつ
つ移動するローラーコンベアー５、基板６、及びレジス
ト剥離液の清浄化と攪拌のための循環ポンプ１１、微細
粒子除去用フィルター１３、ならびにＮ₂ガス、ＭＥＡ
等の配管類などからなっている。

【００１２】本発明にもとづき、上記レジスト剥離処理
装置に付設される機器は、吸光光度計１５、吸光光度計
１６、液排出ポンプ１８、及び有機溶媒原液供給缶１
９、有機溶媒供給用の流量調節弁２１、ＭＥＡ原液（Ｍ
ＥＡを主成分とし有機溶媒を混合した溶液も含む）供給
缶２９、ＭＥＡ供給用の流量調節弁２２と、これら各機
器を接続する配管類、電気計装類又は空気計装類などで
ある。

【００１３】レジスト剥離処理槽１に貯留される液量
は、レジスト剥離液スプレー７の所要量を供給できれば
足りるが、工程の安定上からは制御されることが必要で
ある。液面レベル計３は、レジスト剥離処理中に基板に
付着して系外に持ち出されることで自然減量することに
よる液面レベル低下を検出し、あるいはレジスト剥離性
能が劣化した液を強制排出したときの液面レベル低下を
検出し、レジスト剥離処理槽１の液量を一定範囲に管理
する。ここで、レジスト剥離劣化液は、排出ポンプ１８
を作動することによりドレン用配管に流下する。なお、
劣化液をドレン用配管を経由せずに直接系外に抜き出す
場合もある。

【００１４】有機溶媒、例えば、ブチルジグリコール
（以下、ＢＤＧと略称する。沸点は、２３０．６℃であ
る。）を貯留する有機溶媒原液供給缶１９は、配管２０
からのＮ₂ガスで１〜２Kgf ／cm²に加圧されており、
有機溶媒流量調節弁２１の開により圧送される。また、
ＭＥＡを貯留するＭＥＡ原液供給缶２９は、配管３０か
らのＮ₂ガスで１〜２Kgf ／cm²に加圧されており、Ｍ
ＥＡ流量調節弁２２の開により送液される。この有機溶
媒及びＭＥＡはそれぞれの弁を自動調節して送液され、
管路２３で合流して管路１２に流入し、循環流とともに
混合されながらレジスト剥離処理槽１に入る。なお、有
機溶媒とＭＥＡとを合流させずに、管路１２又はレジス
ト剥離処理槽１にそれぞれ連結することも可能である。
しかし、図１に示すように有機溶媒とＭＥＡとを管路２
３で合流させた後、循環管路１２に流入させるのが、十
分な混合がなされるので望ましい。

【００１５】また、レジスト剥離液スプレー用の管路１
０にオンラインで設置した吸光光度計１５と吸光光度計
１６（例えば、両器は一体構成）には、管路１４から試
料液が導入されて両者の吸光度が連続測定され、測定済
み液は管路１７から管路１０に戻される。なお、吸光光
度計１５と吸光光度計１６とを別体として設置すること
も可能である。

【００１６】図２は、本発明の他の実施例を示す装置系
統図である。本実施例は、レジスト剥離液の液面レベル
を液面レベル計３により検出して有機溶媒とＭＥＡとを
補給する代わりに、図２に示すように、レジスト剥離液
の液面レベルを液面レベル計３により検出して有機溶媒
とＭＥＡとを予め調合したレジスト剥離新液を補給する
ように構成したものである。２７はレジスト剥離新液供
給缶、２８は新液流量調節弁である。他の構成は図１の
場合と同様である。

【００１７】図３は、本発明の他の実施例を示す装置系
統図である。本実施例は、レジスト剥離液の溶解レジス
ト濃度を吸光光度計１６により検出して有機溶媒とＭＥ
Ａとを補給するように構成したものである。図３に示す
ように、通常において、液面レベルはオーバーフロー用
の堰の位置付近にあり、有機溶媒及びＭＥＡの少なくと
も一方が補給された場合は、オーバーフロー用の堰から
劣化したレジスト剥離液がオーバーフローして自動排出
される。なお、排出ポンプ１８は必ずしも必要ではな
く、排出ポンプ１８の代わりに弁を設けてもよい。他の
構成は図１の場合と同様である。

【００１８】図４は、本発明のさらに他の実施例を示す
装置系統図である。本実施例は、レジスト剥離液の溶解
レジスト濃度を吸光光度計１６により検出して補給する
第三補給手段において、有機溶媒とＭＥＡとを補給する
代わりに、図４に示すように、有機溶媒とＭＥＡとを予
め調合したレジスト剥離新液を補給するように構成した
ものである。他の構成は図３の場合と同様である。

【００１９】次に図１に示す実施例装置の制御系統につ
いて説明する。液面レベル計３とレジスト剥離処理槽１
の液面レベル、吸光光度計１５とレジスト剥離液のＭＥ
Ａ濃度、吸光光度計１６とレジスト剥離液の溶解レジス
ト濃度の３者は、本質的にはそれぞれ独立機能として作
用するが、本発明においては、これらを相互の補完的な
関連において機能させることを特徴としている。また、
はじめに製品基板の品質管理上で必要なレジスト剥離液
のＭＥＡ濃度の目標値、溶解レジスト濃度の濃縮限界値
などは、操業実績又は計算に基づき予め各制御器に設定
しておかねばならない。

【００２０】以下、レジスト剥離液としてＢＤＧとＭＥ
Ａの混合溶液を使用した実施例について説明する。通
常、約８０℃の一定液温に保持されたレジスト剥離液の
ＭＥＡ濃度は、主としてパージＮ₂ガスに同伴して低沸
点のＭＥＡが優先的に蒸発することにより、基板処理枚
数の増加とともに減少するので、レジスト剥離液のレジ
スト剥離性能が劣化してくる。このため、ＭＥＡ濃度は
所定の目標値、例えば３９．０±１．０％に管理する必
要がある。従来は、経験からの基板処理枚数との相関あ
るいは化学分析等によって、レジスト剥離液劣化の程度
を判定していたが、迅速かつ正確な把握が困難であっ
た。

【００２１】本発明者は、レジスト剥離液のＭＥＡ濃度
と吸光度との関係を実験により検討し、図５に示す如
く、ＭＥＡ濃度は、測定波長λ＝１０４８nmの吸光度と
は溶解レジスト濃度などの影響なしに高度な直線関係に
あり、正確に測定できることを確認した。管路１０にオ
ンラインで設置した吸光光度計１５は、測定誤差を最小
限とするための諸補償機能と吸光度制御器２５を備えて
いる。管路１０から導入した試料液の吸光度測定値を、
吸光度制御器２５に入力して、その値が目標値になるよ
うに、出力信号により有機溶媒及びＭＥＡの少なくとも
一方を、流量調節弁２１、２２によりそれぞれ自動制御
して、ＭＥＡ濃度を目標値に調整するまで補給する。

【００２２】レジスト剥離性能の劣化は上述のＭＥＡ濃
度によるほか、溶解レジスト濃度も関与している。基板
処理のレジスト剥離液は、送液ポンプ８によりレジスト
剥離処理槽１から取り出され、レジスト剥離液スプレー
７を経て循環使用されるため、溶解物質がレジスト剥離
液中に漸次濃縮してくる。その主な溶解物質はレジスト
であり、図６に操業例として示すように、基板処理枚数
の増加により濃縮されており、結果的にレジスト剥離性
能を著しく劣化させている。従来は、この濃度変化をリ
アルタイムで測定することが行なわれておらず、かつレ
ジスト剥離性能を一定値で管理することが行なわれてい
なかった。すなわち、基板の処理枚数を劣化指標とした
りしているが、基板の形状やレジストの膜厚やレジスト
剥離パターンが一定でないため、基板種類毎の溶解レジ
スト量も異なってくるので、処理枚数を判定要因とする
ことには無理がある。

【００２３】本発明者は、レジスト剥離液中のレジスト
濃縮による汚染状態の研究から、レジスト濃度を吸光度
との関係において測定することに着目し、実験により図
７及び図８に示すような結果を得た。図８に見る如く、
溶解レジスト濃度と吸光度とはＭＥＡ濃度などの影響な
しに高度な直線関係にあり、基板処理枚数によらない、
溶解レジスト濃度自体によるレジスト剥離性能限界値が
判定可能となった。なお、溶解レジスト濃度の妥当な測
定波長としてはλ＝５５０nmを使用した。従って、管路
１０に吸光光度計１５と一体又は別体で設置した吸光光
度計１６が、レジスト剥離液の溶解レジスト濃度を連続
測定して劣化限界値を超えたことを検出し、吸光度制御
器２６の出力信号により排出ポンプ１８が作動し、劣化
したレジスト剥離液をレジスト剥離処理槽１から抜き出
してドレン管に廃棄するか、又は直接系外に廃棄する。
その結果、減量したレジスト剥離処理槽１には、直ちに
液面レベル計３が下降した液面レベルを検出することに
よって、新鮮なレジスト剥離液が補給され、溶解レジス
ト濃度は劣化限界値に希釈されることでレジスト剥離性
能が回復し、排出ポンプ１８は停止する。

【００２４】ここで、図１に示す本実施例装置が意図し
た制御系統の機能的関連について述べる。レジスト剥離
処理槽１が空の建浴時においては、液面レベル計３が空
であることを検出して、液面レベル制御器２４の出力信
号により、有機溶媒及びＭＥＡが適正な流量比におい
て、流量調節弁２１，２２により弁開度を調節して送液
される。ついで、吸光光度計１５が建浴レジスト剥離液
の吸光度を連続測定して、吸光度制御器２５の出力信号
により、有機溶媒及びＭＥＡの少なくとも一方が適正な
微少流量において、流量調節弁２１及び２２の少なくと
も一方により弁開度を調節して送液され、目標値のＭＥ
Ａ濃度になるよう自動制御される。

【００２５】次にレジスト剥離処理が開始されると、Ｍ
ＥＡ濃度の下降、基板の持ち出しによる液の減量及び溶
解レジスト濃縮が進行する。ＭＥＡ濃度下降の場合は、
吸光光度計１５がレジスト剥離液の吸光度を連続測定し
て、吸光度制御器２５の出力信号により、ＭＥＡが適正
な微少流量において流量調節弁２２により弁開度を調節
して送液され、目標値のＭＥＡ濃度になるよう自動制御
される。基板の持ち出しによる液の減量の場合は、液面
レベル計３が下降した液面レベルを検出して、液面レベ
ル制御器２４の出力信号により、有機溶媒及びＭＥＡが
適正な流量比において、流量調節弁２１，２２により弁
開度を調節して送液される。

【００２６】溶解レジスト濃度が濃縮されて劣化限界値
に達した場合は、吸光光度計１６がレジスト剥離液の溶
解レジスト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたこと
を検出し、吸光度制御器２６の出力信号により排出ポン
プ１８が作動し、劣化したレジスト剥離液をレジスト剥
離処理槽１から抜き出してドレン管に廃棄するか、又は
直接系外に廃棄する。その結果、液面レベルが低下する
ので、液面レベル計３が下降した液面レベルを検出し
て、液面レベル制御器２４の出力信号により、有機溶媒
及びＭＥＡが適正な流量比において流量調節弁２１，２
２により弁開度を調節して送液される。レジスト剥離処
理槽１には、新鮮なレジスト剥離液が補給されるので、
溶解レジスト濃度は劣化限界値に希釈されることでレジ
スト剥離性能が回復し、排出ポンプ１８は停止する。液
面レベル計３より上部に、オーバーフロー用の堰が通常
ではオーバーフローしない位置に設けられてあるが、若
干オーバーフローすることがあってもよい。

【００２７】次に、図３に示す実施例装置が意図した制
御系統の機能的関連について述べる。レジスト剥離処理
槽１が空の建浴時においては、手動操作により、有機溶
媒及びＭＥＡが適正な流量比において、流量調節弁２
１，２２により弁開度を調節して所定の液面レベルに達
するまで送液される。次いで、吸光光度計１５が建浴レ
ジスト剥離液の吸光度を連続測定して、吸光度制御器２
５の出力信号により、有機溶媒及びＭＥＡの少なくとも
一方が適正な微少流量において、流量調節弁２１及び２
２の少なくとも一方により弁開度を調節して送液され、
目標値のＭＥＡ濃度になるように自動制御させる。

【００２８】次にレジスト剥離処理が開始されると、Ｍ
ＥＡ濃度下降、基板の持ち出しによる液の減量及び溶解
レジスト濃縮が進行する。ＭＥＡ濃度下降の場合は、吸
光光度計１５がレジスト剥離液の吸光度を連続測定し
て、吸光度制御器２５の出力信号により、ＭＥＡが適正
な微少流量において、流量調節弁２２により弁開度を調
節して送液され、目標値のＭＥＡ濃度になるよう自動制
御される。基板の持ち出しによる液の減量の場合は、液
面レベル計はオーバーフロー用の堰の位置より若干低下
する。

【００２９】溶解レジスト濃度が、濃縮されて劣化限界
値に達した場合は、吸光光度計１６がレジスト剥離液の
溶解レジスト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたこ
とを検出し、吸光度制御器２６の出力信号により、有機
溶媒及びＭＥＡが適正な流量比において、流量調節弁２
１及び２２により弁開度を調節して送液される。新鮮な
レジスト剥離液が補給されるので、溶解レジスト濃度は
劣化限界値に希釈されてレジスト剥離性能が回復する。

【００３０】液面レベルは、オーバーフロー用の堰の位
置付近にあり、有機溶媒又はＭＥＡが補給されたとき
は、オーバーフロー用の堰から劣化したレジスト剥離液
がオーバーフローする。本発明者は、以上のように各制
御機能に基づく結果を相互補完的な関連で運用すること
によって、総合的にレジスト剥離性能の回復、連続操
業、及びレジスト剥離液使用量の削減を容易に実現する
ことができることを実験により知見している。

【００３１】次に、概念的理解のために、本発明と従来
法の操業パターンの効果の比較を図９〜図１２に示す。
従来法では、図９に示すようにスタート時のＭＥＡ濃度
が、例えば４０．０wt％で、その濃度が時間の経過につ
れて下降して、例えば３０．０wt％（化学分析値）に達
したときに液交換を行なっていた。この場合、ＭＥＡ濃
度の経時変化は鋸歯状になり、その濃度に変化幅が生じ
るので、レジスト剥離性能が一定しなかった。しかし、
本発明の装置を用いれば、図１０に示すようにＭＥＡ濃
度は時間が経過しても、例えば３９．０±１．０wt％で
一定であり、レジスト剥離性能が安定するとともに、液
交換作業の必要もなくなる。

【００３２】また、従来法では、図１１に示すように、
スタート時から溶解レジスト濃度が時間の経過とともに
増加し、この濃度がレジスト剥離性能を低下させる領域
値に達して液交換を行なっていた。この場合、図１１に
示すように、溶解レジスト濃度の経時変化は鋸歯状にな
り、溶解レジスト濃度の変化幅が生じるので、レジスト
剥離性能が一定しなかった。しかし、本発明の装置を用
いれば、図１２に示すように、溶解レジスト濃度はある
時間の経過後は一定となり、したがってレジスト剥離性
能が安定するとともに、液交換作業の必要もなくなる。
なお以上において、本発明は、レジスト剥離液としてＢ
ＤＧとＭＥＡの混合溶液を使用した場合に限らず、レジ
スト剥離液としてＢＤＧ以外の有機溶媒溶液とＭＥＡ又
はＭＥＡ以外のアルカノールアミン溶液の混合溶液を使
用した場合にも適用できる。

【００３３】

【発明の効果】本発明は、上記のように構成されている
ので、つぎのような効果を奏する。（１）本発明を、液晶基板や半導体などのレジスト剥
離工程に適用することにより、レジスト剥離液のアルカ
ノールアミン濃度及び溶解レジスト濃度を常時監視して
所望の目標値に制御し、かつ安定した液面レベルにおい
て長時間の連続操業を可能とする。（２）レジスト剥離液品質を一定に制御することがで
きるので、レジスト剥離性能も安定化し、従って、液晶
基板製造工程や半導体製造工程などに適用する場合は、
液使用量の大幅削減、歩留りの向上、操業停止時間の減
少及び労務コストの低減という総合的効果も達成でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示すレジスト剥離液管理装
置の系統図である。

【図２】本発明の他の実施例を示すレジスト剥離液管理
装置の系統図である。

【図３】本発明の他の実施例を示すレジスト剥離液管理
装置の系統図である。

【図４】本発明のさらに他の実施例を示すレジスト剥離
液管理装置の系統図である。

【図５】本発明に係わるレジスト剥離液のＭＥＡ濃度と
吸光度との関係を示す実施例のグラフである。

【図６】レジスト剥離処理枚数と溶解レジスト濃度との
関係を示す操業例のグラフである。

【図７】本発明に係わるレジスト剥離処理枚数とレジス
ト剥離液の吸光度との関係を示すグラフである。

【図８】本発明に係わるレジスト剥離液の溶解レジスト
濃度と吸光度との関係を示すグラフである。

【図９】従来法におけるＭＥＡ濃度と操業時間との関係
を示すグラフである。

【図１０】本発明の装置を用いた場合におけるＭＥＡ濃
度と操業時間との関係を示すグラフである。

【図１１】従来法における溶解レジスト濃度と操業時間
との関係を示すグラフである。

【図１２】本発明の装置を用いた場合における溶解レジ
スト濃度と操業時間との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１レジスト剥離処理槽３液面レベル計５ローラーコンベアー６基板７レジスト剥離液スプレー８送液ポンプ１１循環ポンプ１５吸光光度計１６吸光光度計１８排出ポンプ１９有機溶媒原液供給缶２１有機溶媒流量調節弁２２ＭＥＡ流量調節弁２４液面レベル制御器２５吸光度制御器２６吸光度制御器２７レジスト剥離新液供給缶２８新液流量調節弁２９ＭＥＡ原液供給缶

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小川修東京都中央区日本橋小舟町５番１号長瀬産業株式会社内 (72)発明者佐藤嘉高東京都中央区日本橋小舟町５番１号長瀬産業株式会社内 (72)発明者塩津信一郎兵庫県竜野市竜野町中井236 ナガセ電子化学株式会社兵庫工場内 (56)参考文献特開平４−130505（ＪＰ，Ａ) 特開平３−227009（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】レジスト剥離液の溶解レジスト濃度を吸
光光度計（１６）により検出してレジスト剥離液を排出
するレジスト剥離液排出手段と、レジスト剥離液の液面
レベルを液面レベル計（３）により検出して有機溶媒と
アルカノールアミンとを補給する第一補給手段と、レジ
スト剥離液のアルカノールアミン濃度を吸光光度計（１
５）により検出して有機溶媒及びアルカノールアミンの
少なくとも一方を補給する第二補給手段とを備えたこと
を特徴とするレジスト剥離液管理装置。
【請求項２】第一補給手段において、有機溶媒とアル
カノールアミンとを補給する代わりに、有機溶媒とアル
カノールアミンとを予め調合したレジスト剥離新液を補
給するようにしたことを特徴とする請求項１記載のレジ
スト剥離液管理装置。
【請求項３】レジスト剥離液の溶解レジスト濃度を吸
光光度計（１６）により検出して有機溶媒とアルカノー
ルアミンとを補給する第三補給手段と、レジスト剥離液
のアルカノールアミン濃度を吸光光度計（１５）により
検出して有機溶媒及びアルカノールアミンの少なくとも
一方を補給する第二補給手段とを備えたことを特徴とす
るレジスト剥離液管理装置。
【請求項４】第三補給手段において、有機溶媒とアル
カノールアミンとを補給する代わりに、有機溶媒とアル
カノールアミンとを予め調合したレジスト剥離新液を補
給するようにしたことを特徴とする請求項３記載のレジ
スト剥離液管理装置。