JPH114079A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】基板と多層配線部との間に熱膨張係数の相違に
よって剥離が発生する。 【解決手段】基板１と、該基板１の少なくとも一主面に
被着され、複数の有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３
とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導
体層３を有機樹脂絶縁層２に設けたスルーホール導体６
を介して電気的に接続した多層配線部４とから成る多層
配線基板であって、前記基板１は有機樹脂中に無機物粉
末及び／又は金属粉末を含有させて形成されており、か
つ多層配線部４の被着される表面が有機樹脂のみで形成
されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏ−Ｍｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。

【０００３】このＭｏ−Ｍｎ法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミツク体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ツク体とを焼結一体化させる方法である。

【０００４】なお、前記配線導体が形成されるセラミッ
ク体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライ
ト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸
化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪
素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。

【０００５】しかしながら、このＭｏ−Ｍｎ法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。

【０００６】そこで上記欠点を解消するために配線導体
を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようになってきた。

【０００７】かかる配線導体を薄膜形成技術により形成
した多層配線基板は、一般に酸化アルミニウム質焼結体
等のセラミックスから成る絶縁性の基板上面に、スピン
コート法及び熱硬化処理等によって形成されるエポキシ
樹脂等の有機樹脂から成る絶縁層と、銅やアルミニウム
等の金属を無電解めっき法や蒸着法等の薄膜形成技術及
びフォトリソグラフィー技術を採用することによって形
成される薄膜配線導体層とを交互に積層させるととも
に、上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に
設けたスルーホールの内壁に被着されているスルーホー
ル導体を介して電気的に接続させた構造を有しており、
最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線導体層と
電気的に接続するボンディングパッドを形成しておき、
該ボンディングパッドに半導体素子等の能動部品や容量
素子、抵抗器等の受動部品の電極を半田等のロウ材を介
して接続させるようになっている。

【０００８】なお、前記多層配線基板においては、積層
された各有機樹脂絶縁層間に配設された薄膜配線導体層
が有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内壁に被着さ
れているスルーホール導体を介して電気的に接続されて
おり、各有機樹脂絶縁層へのスルーホールの形成はまず
各有機樹脂絶縁層上にレジスト材を塗布するとともにこ
れに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状
の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチン
グ液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁
層を除去して、有機樹脂絶縁層に穴（スルーホール）を
形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層上より
剥離させ除去することによって行われている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この多
層配線基板においては、基板が一般に酸化アルミニウム
質焼結体等のセラミックスで形成されており、該酸化ア
ルミニウム質焼結体等のセラミックスは熱膨張係数が約
５〜１０×１０^-6／℃であり、上面に被着される有機樹
脂絶縁層の熱膨張係数（約２０〜３０×１０^-6／℃）と
相違するため、基板と有機樹脂絶縁層に半導体素子や容
量素子等の電子部品をボンディングパッドに接続させる
時の熱や電子部品が作動時に発生する熱等が印加される
と基板と有機樹脂絶縁層の接合部に両者の熱膨張係数の
相違に起因する熱応力が発生し、該熱応力によって有機
樹脂絶縁層が基板より剥離してしまうという欠点を誘発
した。特に基板が大きく、基板と有機樹脂絶縁層との接
合面積が広い場合、上記欠点は極めて顕著なものとな
る。

【００１０】また前記多層配線基板においては、基板を
形成する酸化アルミニウム質焼結体等は固くて脆弱な性
質を有するため外部から衝撃力が印加されると該衝撃力
によって容易に割れ等の破損を発生してしまうという欠
点も有していた。

【００１１】更に前記酸化アルミニウム質焼結体等から
成る基板は該基板を焼成し製作する際に不均一な焼成収
縮によって反りや寸法ばらつきが発生し易く、基板に反
りや寸法ばらつきが発生していると基板表面に有機樹脂
絶縁層と薄膜配線導体層を正確に形成することができな
いという欠点も有する。

【００１２】本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は基板と有機樹脂絶縁層との熱膨張係数を
近似させて両者を強固に接合させ、かつ基板の機械的強
度を強固とするとともに基板を平坦として所定の有機樹
脂絶縁層と薄膜配線導体層を正確に形成することができ
る高信頼性の多層配線基板を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板と、該基
板の少なくとも一主面に被着され、複数の有機樹脂絶縁
層と薄膜配線導体層とを交互に積層するとともに上下に
位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスル
ーホール導体を介して電気的に接続した多層配線部とか
ら成る多層配線基板であって、前記基板は有機樹脂中に
無機物粉末及び／又は金属粉末を含有させて形成されて
おり、かつ多層配線部の被着される表面が有機樹脂のみ
で形成されていることを特徴とするものである。

【００１４】また本発明は、前記無機物粉末及び／又は
金属粉末の粒径が０．０５μｍ乃至１０μｍであること
を特徴とするものである。

【００１５】更に本発明は、前記無機物粉末及び／又は
金属粉末の含有量が２０重量％乃至９０重量％であるこ
とを特徴とするものである。

【００１６】本発明の多層配線基板によれば、有機樹脂
絶縁層と薄膜配線導体層とから成る多層配線部が被着さ
れる基板を有機樹脂中に無機物粉末及び／又は金属粉末
を例えば、２０重量％乃至９０重量％含有させて形成し
たことから基板の熱膨張係数が有機樹脂絶縁層の熱膨張
係数に近似し、その結果、基板と有機樹脂絶縁層に熱が
印加されても両者間には両者の熱膨張係数の相違に起因
する応力が発生することはなく両者を極めて強固に接合
させることができる。

【００１７】また本発明の多層配線基板によれば、基板
の多層配線部が接合する表面を有機樹脂のみとし、無機
物粉末及び／又は金属粉末が露出しないようにしたこと
から基板と多層配線部の有機樹脂絶縁層とを極めて強固
に接合させることができる。

【００１８】更に本発明の多層配線基板によれば、基板
を靱性に優れる有機樹脂中に無機物粉末及び／又は金属
粉末を含有させることによって形成したことから基板の
機械的強度が強くなり、外部より衝撃力が印加されても
容易に破損することはない。

【００１９】また更に本発明の多層配線基板によれば、
基板は有機樹脂中に無機物粉末及び／又は金属粉末を含
有させることによって形成され、有機樹脂は熱硬化もし
くは光硬化によって固化し、焼成工程を伴わないことか
ら焼成に伴う不均一な焼成収縮によって反りや寸法ばら
つきを発生することもなく、その結果、基板はその表面
を平坦とした所定寸法となし、基板の表面に有機樹脂絶
縁層と薄膜配線導体層とを正確に形成することが可能と
なる。

【００２０】

【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板の一実施
例を示し、１は基板、２は有機樹脂絶縁層、３は薄膜配
線導体層である。

【００２１】前記基板１はその上面に多数の有機樹脂絶
縁層２と薄膜配線導体層３を交互に多層に積層してなる
多層配線部４が配設されており、該多層配線部４を支持
する支持部材として作用する。

【００２２】前記基板１はエポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂、フェール樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹
脂、ポリイミドアミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン
樹脂、ふっ素樹脂等の有機樹脂中に、酸化珪素、酸化ア
ルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸バ
リウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウ
ム、酸化チタン、ゼオライト、タングステン、モリブデ
ン、銅等の無機物粉末や金属粉末を含有させて成り、例
えば、有機樹脂がエポキシ樹脂、無機物粉末が酸化珪素
粉末である場合には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂にアミン系硬化剤、イミ
ダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加
混合したペースト状のエポキシ樹脂前駆体に粒径が０．
１μｍ〜１００μｍ程度の酸化珪素粉末を添加し、次に
これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロー
ル法を採用することによってシート状に成形し、最後に
前記シートを必要に応じて上下に複数枚積層するととも
に約８０℃〜３００℃の温度で約１０秒〜２４時間熱処
理し、熱硬化させることによって製作される。

【００２３】前記基板１はエポキシ樹脂等の有機樹脂中
に、酸化珪素やタングステン等の無機物粉末や金属粉末
を含有させて形成されていることからその熱膨張係数が
１０〜９０（ｐｐｍ／Ｋ：６０〜８０℃）となって、後
述する基板１の上面に被着される多層配線部４の有機樹
脂絶縁層２の熱膨張係数（１０〜９０ｐｐｍ／Ｋ：６０
〜８０℃）に近似するものとなり、その結果、基板１と
多層配線部４の有機樹脂絶縁層２に熱が作用したとして
も両者間には両者の熱膨張係数の相違に起因する応力が
発生することはなく、これによって基板１と多層配線部
４とを強固に接合させることが可能となる。

【００２４】また同時に基板１の上面、即ち、多層配線
部４が接合する表面は有機樹脂のみとし、無機物粉末や
金属粉末は露出しないようにしたことから基板１に対し
て該基板１と同質の材料から成る多層配線部４の有機樹
脂絶縁層２を接触させて基板１と多層配線部４とを極め
て強固に接合させることもできる。

【００２５】更に前記基板１はエポキシ樹脂等の有機樹
脂が熱硬化によって固化し、焼成工程を伴わないことか
ら焼成に伴う不均一な焼成収縮によって反りや寸法ばら
つきが発生することはなく、その結果、基板１はその表
面が平坦な所定寸法となり、基板１の表面に有機樹脂絶
縁層２と薄膜配線導体層３とから成る多層配線部４を正
確に形成することも可能となる。

【００２６】また更に前記基板１は靱性に優れるエポキ
シ樹脂等の有機樹脂中に、酸化珪素やタングステン等の
無機物粉末や金属粉末を含有させて形成されていること
から基板１の機械的強度が極めて強いものとなり、その
結果基板１に外部より衝撃力が印加されても該衝撃力に
よって容易に破損することもない。

【００２７】なお、前記基板１は有機樹脂中に含有され
る酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭
化珪素、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、
チタン酸カルシウム、酸化チタン、ゼオライト、タング
ステン、モリブデン、銅、銀、アルミニウム等の無機物
粉末や金属粉末が基板１の熱膨張係数を多層配線基板４
の有機樹脂絶縁層２の熱膨張係数に近似させる他に基板
１の誘電率や熱伝導率、耐水性等を所望値に制御する作
用もなし、その含有量が２０重量％未満となるとこれら
の各特性を所望値に制御するのが困難となり、また９０
重量％を超えると無機物粉末や金属粉末を有機樹脂で強
固に結合して所定形状の基板１を得るのが困難となる傾
向にある。従って、前記基板１の有機樹脂中に含有され
る無機物粉末や金属粉末はその含有量を２０重量％乃至
９０重量％の範囲としておくことが好ましい。

【００２８】また前記基板１の有機樹脂中に含有される
無機物粉末や金属粉末は、その粒径が０．０５μｍ未満
であると無機物粉末や金属粉末が凝集して有機樹脂中に
均一に分散せず、その結果、基板１の機械的強度が低下
してしまい、また１０μｍを超えると基板１の表面に大
きな凹凸が形成され、基板１の表面に所望の多層配線部
４を正確に形成するのが困難となる傾向にある。従っ
て、前記基板１の有機樹脂中に含有される無機物粉末や
金属粉末は、その粒径を０．０５μｍ乃至１０μｍの範
囲としておくことが好ましい。

【００２９】更に前記基板１はその上面に複数の有機樹
脂絶縁層２と薄膜配線導体層３とが交互に多層に積層さ
れて形成される多層配線部４が被着されており、該多層
配線部４を構成する有機樹脂絶縁層２は上下に位置する
薄膜配線導体層３の電気的絶縁を図る作用をなし、また
薄膜配線導体層３は電気信号を伝達するための伝達路と
して作用する。

【００３０】前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２は、
エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフ
ェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の有機樹脂から成
り、例えば、エポキシ樹脂からなる場合、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリ
シジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イ
ミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添
加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとと
もに該エポキシ樹脂前駆体を基板１の上部にスピンコー
ト法により被着させ、しかる後、これを８０℃〜２００
℃の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱硬化させることに
よって形成される。この場合、基板１の表面は平坦で、
かつ有機樹脂絶縁層２と同質の有機樹脂が露出している
ため有機樹脂絶縁層２と基板１とは極めて強固に接合
し、これによって基板１上に多層配線部４を強固に被着
させておくことができる。

【００３１】また前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２
はその各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚
みに対して約１．５倍程度のスルーホール５が形成され
ており、該スルーホール５は後述する有機樹脂絶縁層２
を介して上下に位置する薄膜配線導体層３の各々を電気
的に接続するスルーホール導体６を形成するための形成
孔として作用する。

【００３２】前記有機樹脂絶縁層２に設けるスルーホー
ル５は有機樹脂絶縁層２に従来周知のフォトリソグラフ
イー技術を採用することによって、具体的には各有機樹
脂絶縁層２上にレジスト材を塗布するとともにこれに露
光、現像を施すことによって所定位置に所定形状の窓部
を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチング液を
配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁層２を
除去して、有機樹脂絶縁層２に穴（スルーホール）を形
成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層２上より
剥離させ除去することによって所定の径に形成される。

【００３３】更に前記各有機樹脂絶縁層２の上面には所
定パターンの薄膜配線導体層３が、更に各有機樹脂絶縁
層２に設けたスルーホール５の内壁にはスルーホール導
体６が各々形成されており、スルーホール導体６によっ
て間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜
配線導体層３の各々が電気的に接続されるようになって
いる。

【００３４】前記各有機樹脂絶縁層２の上面及びスルー
ホール５の内壁に形成される薄膜配線導体層３及びスル
ーホール導体６は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の
金属材料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法
等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフイー技締を採用
することによって形成され、例えば、銅で形成されてい
る場合には、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール
５の内表面に、硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマ
リン０．３モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５
モル／リットル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル
／リットルから成る無電解鋼めっき浴を用いて厚さ１μ
ｍ乃至４０μｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層
をフォトリソグラフイー技術を採用することにより所定
パターンに加工することによって各有機樹脂絶縁層２
間、及びスルーホール５内壁に形成される。この場合、
薄膜配線導体層３及びスルーホール導体６は薄膜形成技
術により形成されることから配線の微細化が可能であ
り、これによって薄膜配線導体層３を極めて高密度に形
成することが可能となる。

【００３５】なお、前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体層３とを交互に多層に積層して形成される多層配線部
４は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと
有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下
に位置する有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすこ
とができる。従って、前記多層配線部４の各有機樹脂絶
縁層２はその上面をエッチング加工法等によって粗し、
中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ
の粗面としておくことが好ましい。

【００３６】また前記有機樹脂絶縁層２はその表面の
２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウン
ト値を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．
１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ
≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００個以上としておくと有
機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下に
位置する有機樹脂絶縁層２同士の接合がより強固とな
る。従って、前記有機樹脂絶縁層２はその表面の２．５
ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値
を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．１μ
ｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐ
ｃ≦０．１μｍが１２５００個以上としておくとことが
好ましい。

【００３７】前記有機樹脂絶縁層２上面の中心線平均粗
さ（Ｒａ）及び２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ
（Ｐｃ）のカウント値は、有機樹脂絶縁層２の表面を原
子間力顕微鏡（Digital Instruments Inc.製のDimensio
n 3000-Nano Scope III)で５０μｍ角の対角（７０μ
ｍ）に走査させてその表面状態を検査測定し、その測定
結果より各々の数値を出した。

【００３８】また前記中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．０
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、２．５ｍｍの長さにおける凹凸
の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μ
ｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５０
０個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５０
０個以上の有機樹脂絶縁層２は、該有機樹脂絶縁層２の
上面にＣＨＦ₃ 、ＣＦ₄ 、Ａｒ等のガスを吹きつけリア
クティブイオンエッチング処理をすることによって表面
が所定の粗さに粗される。

【００３９】更に前記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚
みが１００μｍを超えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフイー技術を採用することによってスルーホール
５を形成する際、エッチング加工時間が長くなってスル
ーホール５を所望する鮮明な形状に形成するのが困難と
なり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上面
に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げる
ための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な穴
が形成され上下に位置する薄膜配線導体層３に不要な電
気的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記
有機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ〜１００μ
ｍの範囲としておくことが好ましい。

【００４０】また更に前記多層配線部４の各薄膜配線導
体層３はその厚みが１μｍ未満であると各薄膜配線導体
層３の電気抵抗値が大きなものとなって各薄膜配線導体
層３に所定の電気信号を伝達させることが困難となり、
また４０μｍを超えると薄膜配線導体層３を有機樹脂絶
縁層２に被着させる際に薄膜配線導体層３の内部に大き
な応力が発生内在し、該大きな内在応力によって薄膜配
線導体層３が有機樹脂絶縁層２から剥離し易いものとな
る。従って、前記多層配線部４の各薄膜配線導体層３の
厚みは１μｍ〜４０μｍの範囲としておくことが好まし
い。

【００４１】前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３
とを交互に多層に積層して形成される多層配線部４は更
に、最上層の有機樹脂絶縁層２に薄膜配線導体層３と電
気的に接続しているボンディングパッド７が形成されて
おり、該ボンディングパッド７は半導体素子や容量素
子、抵抗器等の電子部品Ａの電極を薄膜配線導体層３に
電気的に接続させる作用をなす。

【００４２】前記ボンディングパッド７は例えば、直径
が２００〜５００μｍの円形状をなしており、該ボンデ
ィングパッド７に半導体素子や容量素子等の電子部品Ａ
の電極をロウ材を介して接続させれば、半導体素子や容
量素子等の電子部品Ａの電極は薄膜配線導体層３に電気
的に接続されることとなる。

【００４３】前記ボンディングパッド７は薄膜配線導体
層３と同じ金属材料、具体的には銅、ニッケル、金、ア
ルミニウム等の金属材料から成り、最上層の有機樹脂絶
縁層２上に薄膜配線導体層３を形成する際に同時に前記
薄膜配線導体層３と電気的接続をもって形成される。

【００４４】かくして上述の多層配線基板によれば、最
上層の有機樹脂絶縁層２に設けたボンディングパッド７
に半導体素子や容量素子等の電子部品Ａの電極を半田等
から成るロウ材を介して接続させ、電子部品Ａの電極を
ボンディングパッド７を介して薄膜配線導体層３に電気
的に接続させることによって半導体装置や混成集積回路
装置となり、薄膜配線導体層３の一部を外部電気回路に
接続すれば前記電子部品Ａは外部電気回路に接続される
こととなる。

【００４５】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例において
は基板１の上面側のみに複数の有機樹脂絶縁層２と複数
の薄膜配線導体層３とを交互に積層して形成される多層
配線部４を被着させたが、該多層配線部４を基板１の下
面側のみに設けても、上下の両面に設けてもよい。

【００４６】また上述の実施例においては基板１の有機
樹脂を熱硬化性のエポキシ樹脂等で形成したが、これを
光硬化性の樹脂で形成してもよい。この場合、基板１の
有機樹脂は光照射によって固化し、焼成工程を伴わない
ことから焼成に伴う不均一な焼成収縮によって反りや寸
法ばらつきが発生することはなく、その結果、基板１は
その表面が平坦な所定寸法となり、基板１の表面に有機
樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３とから成る多層配線部
４を正確に形成することが可能となる。

【００４７】更に上述の実施例において、基板１の内部
及び表面に導電層を形成しておいてもよい。この場合、
導電層としては銅や銀等から成る金属粉末をエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、フェール樹脂、熱硬化性ポリフェ
ニレンエーテル樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ビスマレ
イミドトリアジン樹脂、ふっ素樹脂等の有機樹脂により
結合したものが好適に使用され、基板１が焼成収縮を殆
どおこさないことから導電層を形成した場合、その導電
層を所定のパターンに極めて正確に形成することができ
る。

【００４８】

【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、有機樹
脂絶縁層と薄膜配線導体層とから成る多層配線部が被着
される基板を有機樹脂中に無機物粉末及び／又は金属粉
末を例えば、２０重量％乃至９０重量％含有させて形成
したことから基板の熱膨張係数が有機樹脂絶縁層の熱膨
張係数に近似し、その結果、基板と有機樹脂絶縁層に熱
が印加されても両者間には両者の熱膨張係数の相違に起
因する応力が発生することはなく両者を極めて強固に接
合させることができる。

【００４９】また本発明の多層配線基板によれば、基板
の多層配線部が接合する表面を有機樹脂のみとし、無機
物粉末及び／又は金属粉末が露出しないようにしたこと
から基板と多層配線部の有機樹脂絶縁層とを極めて強固
に接合させることができる。

【００５０】更に本発明の多層配線基板によれば、基板
を靱性に優れる有機樹脂中に無機物粉末及び／又は金属
粉末を含有させることによって形成したことから基板の
機械的強度が強くなり、外部より衝撃力が印加されても
容易に破損することはない。

【００５１】また更に本発明の多層配線基板によれば、
基板は有機樹脂中に無機物粉末及び／又は金属粉末を含
有させることによって形成され、有機樹脂は熱硬化もし
くは光硬化によって固化し、焼成工程を伴わないことか
ら焼成に伴う不均一な焼成収縮によって反りや寸法ばら
つきを発生することもなく、その結果、基板はその表面
を平坦とした所定寸法となし、基板の表面に有機樹脂絶
縁層と薄膜配線導体層とを正確に形成することが可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。

【符号の説明】

１・・・基板 ２・・・有機樹脂絶縁層 ３・・・薄膜配線導体層 ４・・・多層配線部 ５・・・スルーホール ６・・・スルーホール導体 ７・・・ボンディングパッド Ａ・・・電子部品

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板と、該基板の少なくとも一主面に被着
   され、複数の有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互
   に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体層を有
   機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して電気的
   に接続した多層配線部とから成る多層配線基板であっ
   て、前記基板は有機樹脂中に無機物粉末及び／又は金属
   粉末を含有させて形成されており、かつ多層配線部の被
   着される表面が有機樹脂のみで形成されていることを特
   徴とする多層配線基板。
2. 【請求項２】前記無機物粉末及び／又は金属粉末の粒径
   が０．０５μｍ乃至１０μｍであることを特徴とする請
   求項１記載の多層配線基板。
3. 【請求項３】前記無機物粉末及び／又は金属粉末の含有
   量が２０重量％乃至９０重量％であることを特徴とする
   請求項１記載の多層配線基板。