JP2006086225A - セラミック多層基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも一方の主面に、チップ部品を収容するキャビティ2が形成された多層基板本体1と、キャビティ2の底面7に配設されたダイボンド電極4と、キャビティ2内に配設され、ダイボンド電極4に接合固定されるとともに、多層基板本体1が備える配線導体と電気的に接続されたチップ部品とを備えたセラミック多層基板において、ダイボンド電極4を複数に分割する。
また、ダイボンド電極4を構成する、複数に分割された電極14を互いに略同一面積となるようにする。
また、ダイボンド電極を、キャビティの底面の略中央領域が無電極領域とされた構造とする。
【選択図】図2
Description
少なくとも一方の主面に、チップ部品を収容するキャビティが形成された多層基板本体と、
キャビティの底面に配設されたダイボンド電極と、
キャビティ内に配設され、前記ダイボンド電極に接合固定されるとともに、多層基板本体が備える配線導体と電気的に接続されたチップ部品と
を具備するセラミック多層基板であって、
前記ダイボンド電極が複数に分割された構造を有していること
を特徴としている。
なお、通常は、例えば4以上の数に分割することが望ましい。なお、ダイボンド電極の分割数を増やすことがチップ部品搭載時のセンシングに利用できるのであればさらに好都合である。
また、分割の態様についても特に制約はなく、分割された個々の電極が縦横に行列状に並ぶようになるような態様で分割してもよく、また、放射状に分割することも可能である。
また、分割された各電極の形状は、同一形状であればさらに望ましい。各電極を同一形状にすることにより、焼成工程でセラミック部分と電極部分(導体部分)との収縮率が異なることにより発生する応力(本発明のようにダイボンド電極を分割してもある程度の応力は発生する)の偏りを抑制して、キャビティ底面の反りやうねりをさらに確実に抑制することが可能になる。
すなわち、この実施例2では、図5に示すように、ダイボンド電極4を、無電極部11により縦横に分割され、かつ、中央領域10には電極の形成されていない無電極領域10aが配設された構造(すなわち、図2のダイボンド電極4を構成する個々の電極14のうち、中央の電極14(14a)を取り除いた構造)とした。そして、この図5に示すような構造を有するダイボンド電極4を備えた実施例2のセラミック多層基板を製造し、キャビティの底面の反りの大きさ(底面の***量)を調べた。
ただし、焼成工程でセラミック部分と電極部分の収縮率が異なることにより発生する応力を小さくする見地からは、ダイボンド電極を分割する場合の分割数は、ある程度の数以上(通常は4以上の数)とすることが望ましい。
したがって、本発明は、チップ部品を収容するキャビティを備えたセラミック多層基板に広く適用することが可能である。
2 キャビティ
3 チップ部品
4 ダイボンド電極
5 ランド
6 ワイヤ
7 底面
8 ワイヤボンディング面
10 中央領域
10a 無電極領域
11 無電極部
14 個々の電極(個別電極)
14(14a) 中央の電極
Claims (4)
- 少なくとも一方の主面に、チップ部品を収容するキャビティが形成された多層基板本体と、
キャビティの底面に配設されたダイボンド電極と、
キャビティ内に配設され、前記ダイボンド電極に接合固定されるとともに、多層基板本体が備える配線導体と電気的に接続されたチップ部品と
を具備するセラミック多層基板であって、
前記ダイボンド電極が複数に分割された構造を有していること
を特徴とするセラミック多層基板。 - 前記ダイボンド電極を構成する、複数に分割された電極のそれぞれが略同一の面積を有していることを特徴とする請求項1記載のセラミック多層基板。
- 前記キャビティの底面の略中央領域には、前記ダイボンド電極を構成する電極が配設されていないことを特徴とする請求項1または2記載のセラミック多層基板。
- キャビティの底面の形状が矩形であり、かつ、前記ダイボンド電極が、縦3列、横3列となるように9分割されていることを特徴とする請求項1または2記載のセラミック多層基板。
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JP2010186881A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Hitachi Metals Ltd | 多層セラミック基板およびそれを用いた電子部品並びに多層セラミック基板の製造方法 |
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2004
- 2004-09-14 JP JP2004267367A patent/JP4599951B2/ja active Active
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