JPH10160482A - 外力検出装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 陽極接合時にガラス基板から発生する酸素ガ
スの量を減少させ、外力検出装置の検出部を減圧雰囲気
中に収容する。 【解決手段】 ガラス基板１０を検出部が形成されたシ
リコン基板に減圧雰囲気中で陽極接合する前に、電圧印
加板２１とガラス基板１０を密接させた状態で、これら
に加熱条件下で高電圧を付与し、ガラス基板１０から酸
素ガスを放出させ、脱ガスを行う。これにより、陽極接
合時にガラス基板１０から発生する酸素ガスの量を減少
させることができる。ここで、電圧印加板２１は、導電
性材料からなる板体２２と、難酸化材料からなる薄膜２
３とから構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば加速度、角
速度等の外力を検出する外力検出装置の製造方法に関
し、特に、ガラス材料からなる基板と導電性材料からな
る基板とを減圧雰囲気中で陽極接合することにより、各
基板の間に検出部を収容するようにした外力検出装置の
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、車両等に作用する加速度、角速
度の検出や、カメラの手ぶれ検出等を行う外力検出装置
は、例えば、特開昭６２−１１８２６０号、特開平４−
２４２１１４号、特開平７−２４５４１６号公報等によ
り知られている。

【０００３】このような外力検出装置の多くは、例え
ば、シリコン基板と、該シリコン基板上に設けられた検
出部と、該検出部を上側から覆うように前記シリコン基
板上に設けられたガラス基板とから構成されている。ま
た、シリコン基板とガラス基板は、陽極接合法により接
合されており、これにより、検出部は、シリコン基板と
ガラス基板との間に形成された密閉空間（キャビティ）
内に収容されている。

【０００４】また、前記検出部は、大きさが例えば２０
０×４００（μｍ）程度の微細な振動子を、極細の支持
梁によって支持する構成となっており、前記振動子と支
持梁は、マイクロマシニング技術によりシリコン基板上
に形成されている。

【０００５】そして、このような外力検出装置によって
角速度を検出する場合には、振動子を例えばＸ軸方向に
振動させる。この状態で、Ｘ軸と直交するＹ軸を回転軸
とする角速度が作用すると、振動子は、コリオリ力によ
ってＸ軸、Ｙ軸とそれぞれ直交するＺ軸方向に変位す
る。この振動子のＺ軸方向の変位を静電容量の変化や圧
電体の変形等により検出することによって角速度を求め
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術による外力検出装置の検出部を構成する振動子
は、非常に微細である。このため、振動子を大気中で振
動させたのでは、空気のダンピングの影響が大きくな
り、振動子を高速に振動させることができない。この結
果、角速度の検出感度が大幅に低下するという問題があ
った。

【０００７】そこで、従来技術による外力検出装置は、
シリコン基板とガラス基板を減圧雰囲気中で陽極接合す
ることにより、検出部をシリコン基板とガラス基板との
間に形成された密閉空間内に収容するようにしている。
これにより、検出部の周囲を減圧することができ、振動
子を高速に振動させるようにして角速度の検出感度の向
上を図ることが可能である。

【０００８】しかし、ガラス基板とシリコン基板を陽極
接合すると、ガラス基板から酸素ガスが発生し、この酸
素ガスがガラス基板とシリコン基板との間の密閉空間内
に残留する。即ち、検出部をガラス基板から発生した酸
素ガスと共に密閉空間内に封止してしまい、検出部の周
囲を十分に減圧することができない場合がある。

【０００９】この結果、従来技術による外力検出装置で
は、酸素ガスのダンピングの影響によって振動子を高速
に振動させることができず、角速度の検出感度が低下す
るという問題がある。

【００１０】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、検出部を減圧雰囲気中に収容することが
でき、外力の検出感度を向上させることができる外力検
出装置の製造方法を提供することを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために請求項１に係る発明は、ガラス材料からなる第１
の基板に加熱条件下で電圧を印加し、該第１の基板から
酸素ガスを発生させる脱ガス工程と、該脱ガス工程とは
別個に、導電性材料からなる第２の基板に外力を検出す
る検出部を形成する検出部形成工程と、前記脱ガス工程
を経た第１の基板と該検出部形成工程によって検出部が
形成された前記第２の基板との間に当該検出部を収容し
た状態で、前記第１の基板と第２の基板とを減圧雰囲気
中で陽極接合する陽極接合工程とから構成したことにあ
る。

【００１２】上記構成のように、まず、脱ガス工程で
は、ガラス材料からなる第１の基板を例えば３００〜５
００度程度に加熱し、該第１の基板に例えば１０００Ｖ
の電圧を印加する。これにより、第１の基板から酸素ガ
スを発生させ、第１の基板の脱ガスを行う。

【００１３】一方、検出部形成工程では、例えば、シリ
コン等の導電性材料からなる第２の基板に、例えばエッ
チング等の処理を施して、外力を検出する検出部を形成
する。

【００１４】次に、陽極接合工程では、前記脱ガス工程
を経た第１の基板と検出部が形成された第２の基板とを
陽極接合する。即ち、第１の基板と第２の基板との間に
検出部を収容するように、第１の基板と第２の基板を当
接させ、これら各基板を減圧雰囲気中で例えば３００度
〜５００度程度に加熱し、これら各基板に例えば１００
０Ｖ程度の電圧を印加する。これにより、第１の基板と
第２の基板が強固に接合される。

【００１５】ここで、第１の基板には、脱ガス工程で、
陽極接合時とほぼ同様に、加熱条件下で高電圧が印加さ
れており、これにより、第１の基板は、既に酸素ガスを
放出している。従って、陽極接合工程で、第１の基板と
第２の基板に加熱条件下で高電圧を印加しても、第１の
基板から発生する酸素ガスは少量となる。この結果、第
１の基板と第２の基板との間に残留する酸素ガスの量を
減少させることができ、検出部を減圧雰囲気中に収容す
ることができる。

【００１６】請求項２に係る発明は、脱ガス工程を、第
１の基板と表面が難酸化材料からなる導電板とを当接さ
せて配置する基板配置工程と、第１の基板と導電板とを
当接させた状態で、該第１の基板と導電板に加熱条件下
で電圧を印加する電圧印加工程と、電圧印加工程の後、
第１の基板と導電板とを分離する分離工程とから構成し
たことにある。

【００１７】上記構成より、基板配置工程で第１の基板
と導電板とのそれぞれの表面を当接させ、電圧印加工程
で第１の基板と導電板を例えば、３００〜５００度程度
の温度で加熱し、これら第１の基板と導電板に例えば１
０００Ｖ程度の電圧を印加する。これにより、第１の基
板に電界が加わるため、第１の基板から酸素ガスが発生
する。

【００１８】このように、第１の基板から十分に酸素ガ
スを発生させて脱ガスを行った後、分離工程では、第１
の基板と導電板とを分離させる。ここで、脱ガス工程で
用いる導電板は、表面が難酸化材料、即ち、酸化しない
か非常に酸化しにくい材料で形成されている。このた
め、導電板に加熱条件下で高電圧を印加しても、導電板
の表面はほとんど酸化しない。これにより、電圧印加工
程で第１の基板と導電板に加熱条件下で高電圧を印加し
ても、第１の基板と導電板は接合されないか、あるいは
ごく弱く接合される程度である。従って、第１の基板と
導電板は容易に分離することができる。

【００１９】請求項３に係る発明は、脱ガス工程で用い
る導電板を、導電性材料からなる板体と、該板体の表面
に設けられ難酸化材料からなる薄膜とから構成したこと
にある。

【００２０】このように構成したことにより、脱ガス工
程において、第１の基板と導電板とを当接させた状態
で、これらに加熱条件下で高電圧を印加しても、第１の
基板と導電板とが強固に接合されることはない。従っ
て、第１の基板と導電板に加熱条件下で高電圧を印加し
た後、第１の基板と導電板とを容易に分離させることが
できる。

【００２１】請求項４に係る発明は、導電板の薄膜に用
いる難酸化材料を、酸化シリコン、窒化シリコン、白金
または金としたことにある。これにより、導電板の表面
を酸化しないか、または酸化しにくい状態にすることが
できる。

【００２２】請求項５に係る発明は、脱ガス工程で用い
る導電板を、導電性を有し、かつ難酸化性を有する単一
の材料により構成したことにある。

【００２３】このように構成することによっても、脱ガ
ス工程において、第１の基板に加熱条件下で高電圧を印
加することができ、その後、第１の基板と導電板とを容
易に分離させることができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態として
角速度検出装置の製造方法について詳述する。まず、製
造方法の対象となる角速度検出装置の構成について図
１、図２に基づいて説明する。

【００２５】図中、１はマイクロマシニング技術により
製造された外力検出装置としての角速度検出装置であ
る。２は高抵抗なシリコン材料からなるシリコン基板で
ある。３はシリコン基板２上に設けられた検出部であ
り、該検出部３は、例えば、Ｐ（リン），Ｂ（ホウ
素），Ｓｂ（アンチモン）等の不純物がドーピングされ
た低抵抗なポリシリコンにより形成されている。

【００２６】ここで、検出部３の詳細な構成について説
明すると、４，４はシリコン基板２上に設けられた支持
部である。５はシリコン基板２の表面から離間した状態
で設けられ、支持梁６，６，…を介して各支持部４に支
持された振動子を示し、該振動子５は図１中の矢示Ｘ方
向、矢示Ｚ方向に変位可能となっている。また、該振動
子５の両側面には、くし状電極５Ａ，５Ａが設けられて
いる。

【００２７】７，７は振動子５の両側に位置し、シリコ
ン基板２上に設けられた電極支持部であり、該各電極支
持部７の側面には、くし状電極７Ａが設けられ、該各く
し状電極７Ａは、振動子５の各くし状電極５Ａと離間し
た状態で噛合している。

【００２８】８は振動子５の下側に位置してシリコン基
板２の表面に設けられた電極板を示し、該電極板８は、
振動子５がコリオリ力により矢示Ｚ方向に変位したとき
に、その変位量を検出するものである。

【００２９】ここで、検出部３の動作について説明す
る。即ち、振動子５のくし状電極５Ａと電極支持部７の
くし状電極７Ａとの間に駆動信号を印加し、振動子５を
矢示Ｘ方向に振動させる。この状態で、角速度検出装置
に回転軸Ｙ−Ｙ周りの角速度Ωが作用すると、振動子５
にコリオリ力が作用し、このコリオリ力の大きさに対応
して振動子５が矢示Ｚ方向に変位する。これにより、振
動子５と電極板８との離間距離が変化する。この離間距
離の変化を、振動子５と電極板８との間の静電容量の変
化により検出し、角速度の大きさを測定する。

【００３０】一方、９は前記検出部３の周囲を取り囲む
ようにシリコン基板２上に設けられた枠部であり、該枠
部９は、検出部３と同様に、ポリシリコン等の低抵抗シ
リコンによって形成されている。

【００３１】１０はガラス材料からなり、検出部３を上
側から覆うようにシリコン基板２上に設けられたガラス
基板を示し、該ガラス基板１０の下面は、検出部３の電
極支持部７、枠部９と接合するための接合面１０Ａとな
っている。また、ガラス基板１０の下面の中央には、凹
陥部１０Ｂが設けられている。そして、ガラス基板１０
を、図２に示すように、電極支持部７、枠部９に接合し
たとき、ガラス基板１０とシリコン基板２との間には密
閉空間１１が形成され、この密閉空間１１内に検出部３
が封止されるようになる。また、ガラス基板１０にはス
ルーホール１０Ｃが４箇所設けられ、該スルーホール１
０Ｃには、導電ペーストが充填されている。

【００３２】なお、前記ガラス基板１０が第１の基板に
相当し、前記シリコン基板２と枠部９が第２の基板に相
当する。

【００３３】次に、角速度検出装置１の製造方法につい
て図３ないし図１０に基づいて説明する。

【００３４】まず、ガラス基板加工工程では、図３に示
すように、エッチングによりガラス基板１０に凹陥部１
０Ｂを形成し、サンドブラスト、エッチング、レーザー
等によりガラス基板１０に各スルーホール１０Ｃを形成
する。なお、本実施例では、ガラス基板１０に電極を設
ける構成ではないが、ガラス基板１０に電極を設ける構
成の他の角速度検出装置の場合には、このガラス基板加
工工程でガラス基板１０に電極を設けるようにする。

【００３５】次に、脱ガス工程では、図４ないし図６に
示すように、ガラス基板１０に加熱条件下で電圧を印加
する。これにより、ガラス基板１０から酸素ガスを発生
させ、ガラス基板１０の脱ガスを行う。

【００３６】ここで、この脱ガス工程は、後述する基板
配置工程と、電圧印加工程と、分離工程とから構成され
ている。

【００３７】即ち、基板配置工程では、図４に示すよう
に、ガラス基板１０を電圧印加板２１上に配置し、図５
に示すように、ガラス基板１０の接合面１０Ａと電圧印
加板２１の表面２１Ａとを密着するように当接させる。

【００３８】ここで、電圧印加板２１は、その表面２１
Ａが難酸化材料、即ち、酸化しないか、非常に酸化しに
くい材料で覆われた導電板である。具体的に説明する
と、電圧印加板２１は、例えばシリコン、鉄、ステンレ
ス等の導電性材料からなる板体２２と、該板体２２の上
面に設けられ、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、
金、白金等の少なくとも酸化しにくい材料からなる薄膜
２３とから構成されている。

【００３９】この電圧印加板２１は、後述する電圧印加
工程で、ガラス基板１０に電圧を印加するための専用の
導電板であり、その表面２１Ａがガラス基板１０の接合
面１０Ａに当接させることができる程度に平らで、表面
２１Ａが少なくとも酸化しにくく、かつ、ガラス基板１
０に電界を付与できるものであれば、上述したような構
成に限らない。例えば、電圧印加板２１全体を一枚の金
または白金によって構成してもよい。

【００４０】また、ガラス基板１０の接合面１０Ａ全面
に電圧印加板２１の表面２１Ａを当接させることができ
ればよいため、電圧印加板２１の大きさ（面積）は、ガ
ラス基板１０の大きさと同等か、ガラス基板１０よりも
大きければよい。例えば、電圧印加板２１の面積を大き
くし、複数個のガラス基板１０を電圧印加板２１上に載
せ、一度に複数個のガラス基板１０について後述する電
圧印加工程を行うようにしてもよい。

【００４１】次に、電圧印加工程では、ガラス基板１０
と電圧印加板２１を、例えば３００〜５００度程度に加
熱する。そして、このような加熱条件下において、ガラ
ス基板１０と電圧印加板２１に、図５に示すように直流
の高電圧電源２４を接続し、ガラス基板１０と電圧印加
板２１に、例えば１０００Ｖ程度の電圧を印加する。こ
れにより、高電圧電源２４からの電流が電圧印加板２１
を通過してガラス基板１０に向けて流れ、ガラス基板１
０に電界が加わる。このため、ガラス基板１０から酸素
ガスが発生し、ガラス基板１０の脱ガスが行われる。

【００４２】次に、分離工程では、図６に示すように、
ガラス基板１０と電圧印加板２１とを分離する。ここ
で、電圧印加板２１は、表面２１Ａが薄膜２３で覆われ
ており、表面２１Ａが酸化しないか、非常に酸化しにく
い状態となっている。このため、前述した電圧印加工程
で、ガラス基板１０と電圧印加板２１を加熱し、高電圧
を印加しても、ガラス基板１０と電圧印加板２１は接合
されないか、あるいはごく弱く接合される程度である。
従って、ガラス基板１０と電圧印加板２１は、僅かな力
を加える程度で、容易に分離することができる。

【００４３】一方、検出部形成工程では、図７に示すよ
うに、シリコン基板２上に検出部３と枠部９を形成す
る。まず、シリコン基板２上に電極板８を形成する。そ
の後、例えば、Ｐ（リン），Ｂ（ホウ素），Ｓｂ（アン
チモン）等の不純物がドーピングされた低抵抗なポリシ
リコン膜をシリコン基板２上に成膜し、このポリシリコ
ン膜にエッチングを施すことにより支持部４，振動子
５，支持梁６，電極支持部７等を形成する。また、枠部
９は、このポリシリコン膜にエッチングを施す際に、同
時に形成する。

【００４４】なお、シリコン基板２上にポリシリコン膜
を形成した後に、このポリシリコン膜に上記不純物をド
ーピングすることにより、このポリシリコン膜を低抵抗
化し、その後、エッチング等により支持部４，振動子
５，支持梁６，電極支持部７等を形成してもよい。

【００４５】次に、陽極接合工程では、図８に示すよう
に、脱ガス工程で脱ガスを行ったガラス基板１０を、検
出部３を覆うようにシリコン基板２の上側に配置し、図
９に示すように、ガラス基板１０の接合面１０Ａと、シ
リコン基板２に設けられた各電極支持部７、枠部９の上
面とを当接させる。この状態でガラス基板１０とシリコ
ン基板２を真空中または減圧雰囲気中で陽極接合する。
即ち、ガラス基板１０とシリコン基板２を真空中または
減圧雰囲気中で例えば３００〜５００度程度に加熱し、
これらの基板に、例えば１０００Ｖ程度の高電圧を印加
する。これにより、ガラス基板１０とシリコン基板２が
強固に接合される。

【００４６】ここで、ガラス基板１０は、前述した脱ガ
ス工程で、陽極接合とほぼ同様に加熱条件下で高電圧が
印加されることにより、既に酸素ガスを放出している。
従って、陽極接合工程で、ガラス基板１０とシリコン基
板２を加熱し、高電圧を印加しても、ガラス基板１０か
ら発生する酸素ガスは少量である。この結果、ガラス基
板１０とシリコン基板２との間に形成される密閉空間１
１内に残留する酸素ガスの量を減少させることができ、
検出部３を減圧雰囲気中に封止することができる。

【００４７】さらに、ガラス基板１０に設けられた各ス
ルーホール１０Ｃ内に導電ペーストを充填し、角速度検
出装置１は完成する。

【００４８】かくして、本実施例によれば、ガラス基板
１０とシリコン基板２とを陽極接合する前に、脱ガス工
程でガラス基板１０を高温に加熱し、ガラス基板１０に
高電圧を印加することによって、ガラス基板１０から酸
素を放出させ、脱ガスを行う構成としたから、陽極接合
時にガラス基板１０から発生する酸素ガスの量を減少さ
せることができる。

【００４９】これにより、ガラス基板１０とシリコン基
板２との間に形成される密閉空間１１内に残留する酸素
ガスの量を減少させ、密閉空間１１内を減圧することが
できる。従って、角速度検出装置１の検出部３を減圧雰
囲気中に封止することができ、検出部３に作用する酸素
ガスのダンピングの影響を減らして、検出部３による角
速度の検出感度を向上させることができる。

【００５０】また、本実施例によれば、脱ガス工程で、
電圧印加板２１を用い、ガラス基板１０の接合面１０Ａ
と電圧印加板２１の表面２１Ａとを密着させるようにし
たから、ガラス基板１０の接合面１０Ａの全面に電界を
付与することができ、ガラス基板１０の酸素ガスの放出
を促進させることができる。

【００５１】さらに、本実施例によれば、脱ガス工程で
用いる電圧印加板２１を板体２２と薄膜２３により構成
し、板体２２を導電性のある材料、即ち、導電性材料に
より形成し、薄膜２３を難酸化材料により形成する構成
としたから、ガラス基板１０に電界を付与できると共
に、分離工程ではガラス基板１０を電圧印加板２１から
容易に分離させることができる。

【００５２】なお、前記実施例では、ガラス基板加工工
程でガラス基板１０に凹陥部１０Ｂ等を形成してから、
脱ガス工程で、ガラス基板１０を加熱し、高電圧を印加
する構成としたが、ガラス基板１０に凹陥部１０Ｂを設
ける等の加工をする前に、ガラス基板１０を加熱し、高
電圧を印加する構成としても、脱ガスの効果を得ること
ができる。

【００５３】また、前記実施例では、図４ないし図６に
示す脱ガス工程の後に、図７に示す検出部形成工程を記
載したが、脱ガス工程と検出部形成工程は別個に行われ
るので、両工程の時間的な順番はこれに限るものではな
い。例えば、検出形成工程を脱ガス工程の先に行っても
よい。また、脱ガス工程と検出部形成工程とを異なる工
場や製造ラインで行ってもよい。

【００５４】また、前記実施例では、電圧印加工程等を
経たガラス基板１０を、角速度検出装置１の検出部３を
上側から覆う、いわゆる蓋として用いる構成を例に挙げ
たが、脱ガス工程を経たガラス基板を角速度検出装置の
下側（ベース側）の基板として用いてもよい。一方、２
枚のガラス基板によって、検出部３を上下から挟み込む
構成の角速度検出装置では、脱ガス工程を経たガラス基
板を、蓋とベース側の基板の双方に用いてもよい。

【００５５】さらに、前記実施例では、外力検出装置の
製造方法として、角速度検出装置の製造方法を例に挙げ
たが、本発明はこれに限らず、加速度検出装置等の他の
外力検出装置の製造方法にも適用することができる。

【００５６】

【発明の効果】以上詳述したとおり、請求項１に係る発
明によれば、ガラス材料からなる第１の基板に加熱条件
下で電圧を印加し、該第１の基板から酸素ガスを発生さ
せる脱ガス工程と、該脱ガス工程とは別個に、導電性材
料からなる第２の基板に外力を検出する検出部を形成す
る検出部形成工程と、前記脱ガス工程を経た第１の基板
と該検出部形成工程によって検出部が形成された前記第
２の基板との間に当該検出部を収容した状態で、前記第
１の基板と第２の基板とを陽極接合する陽極接合工程と
から構成したから、陽極接合工程で第１の基板から発生
する酸素ガスの量を減少させることができる。これによ
り、検出部を減圧雰囲気中に収容することができ、外力
の検出感度を向上させることができる。

【００５７】請求項２に係る発明によれば、脱ガス工程
を、第１の基板と表面が難酸化材料からなる導電板とを
当接させて配置する基板配置工程と、第１の基板と導電
板とを当接させた状態で、該第１の基板と導電板に加熱
条件下で電圧を印加する電圧印加工程と、電圧印加工程
の後、第１の基板と導電板とを分離する分離工程とから
構成したから、脱ガス工程において、導電板を介して第
１の基板の表面全体に電圧を印加することができ、第１
の基板からの酸素ガスの放出を促進させることができ
る。

【００５８】請求項３に係る発明によれば、脱ガス工程
で用いる導電板を、導電性材料からなる板体と、該板体
の表面に設けられ難酸化材料からなる薄膜とから構成し
たから、脱ガス工程において、第１の基板と導電板とを
当接させ、これら各基板に加熱条件下で高電圧を印加し
た後、第１の基板と導電板を容易に分離させることがで
きる。

【００５９】請求項４に係る発明によれば、導電板に用
いる難酸化材料を、酸化シリコン、窒化シリコン、白金
または金としたことにより、脱ガス工程において第１の
基板と導電板を容易に分離させることができる。

【００６０】請求項５に係る発明によれば、脱ガス工程
で用いる導電板を、導電性を有し、かつ難酸化性を有す
る単一の材料により構成したから、脱ガス工程において
第１の基板に高電圧を印加することができ、その後、第
１の基板と導電板を容易に分離させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例による角速度検出装置を示す分解斜視
図である。

【図２】図１中の角速度検出装置をシリコン基板とガラ
ス基板とを接合した状態で矢示II−II方向からみた断面
図である。

【図３】ガラス基板加工工程において、ガラス基板に凹
陥部、スルーホールを形成した状態を示す断面図であ
る。

【図４】基板配置工程において、ガラス基板と電圧印加
板とを当接させる前の状態を示す断面図である。

【図５】電圧印加工程において、ガラス基板と電圧印加
板とに電圧を印加している状態を示す断面図である。

【図６】分離工程において、ガラス基板と電圧印加板と
を分離させた状態を示す断面図である。

【図７】検出部形成工程において、シリコン基板上に検
出部を形成した状態を示す断面図である。

【図８】陽極接合工程において、ガラス基板をシリコン
基板側に接合する前の状態を示す断面図である。

【図９】陽極接合工程において、ガラス基板、シリコン
基板等に電圧を印加している状態を示す断面図である。

【図１０】ガラス基板の各スルーホールに導電ペースト
を充填し、角速度検出装置が完成した状態を示す断面図
である。

【符号の説明】

１ 角速度検出装置（外力検出装置） ２ シリコン基板（第２の基板） ３ 検出部 ９ 枠部（第２の基板） １０ ガラス基板 １１ 密閉空間 ２１ 電圧印加板（導電板） ２２ 板体 ２３ 薄膜

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス材料からなる第１の基板に加熱条
   件下で電圧を印加し、該第１の基板から酸素ガスを発生
   させる脱ガス工程と、 該脱ガス工程とは別個に、導電性材料からなる第２の基
   板に外力を検出する検出部を形成する検出部形成工程
   と、 前記脱ガス工程を経た第１の基板と該検出部形成工程に
   よって検出部が形成された前記第２の基板との間に当該
   検出部を収容した状態で、前記第１の基板と第２の基板
   とを減圧雰囲気中で陽極接合する陽極接合工程とから構
   成してなる外力検出装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記脱ガス工程は、前記第１の基板と表
   面が難酸化材料からなる導電板とを当接させて配置する
   基板配置工程と、 前記第１の基板と導電板とを当接させた状態で、該第１
   の基板と導電板に加熱条件下で電圧を印加する電圧印加
   工程と、 該電圧印加工程の後、前記第１の基板と導電板とを分離
   する分離工程とから構成してなる請求項１に記載の外力
   検出装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記脱ガス工程で用いる導電板を、導電
   性材料からなる板体と、該板体の表面に設けられ難酸化
   材料からなる薄膜とから構成してなる請求項２に記載の
   外力検出装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記導電板の薄膜に用いる難酸化材料
   は、酸化シリコン、窒化シリコン、白金または金である
   請求項２または３に記載の外力検出装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記脱ガス工程で用いる導電板を、導電
   性を有し、かつ難酸化性を有する単一の材料により構成
   してなる請求項２に記載の外力検出装置の製造方法。