JPH06241932A - マイクロデバイスとその製造方法 - Google Patents

マイクロデバイスとその製造方法

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JPH06241932A
JPH06241932A JP5029303A JP2930393A JPH06241932A JP H06241932 A JPH06241932 A JP H06241932A JP 5029303 A JP5029303 A JP 5029303A JP 2930393 A JP2930393 A JP 2930393A JP H06241932 A JPH06241932 A JP H06241932A
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silicon
electrode
microdevice
glass
electrode portion
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JP5029303A
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English (en)
Inventor
Masayuki Miki
政之 三木
Kiyomitsu Suzuki
清光 鈴木
Masahiro Matsumoto
昌大 松本
Satoshi Kuragaki
倉垣　　智
Satoshi Shimada
嶋田　　智
Kazuo Sato
佐藤　　一雄
Akira Koide
晃 小出
Masayoshi Suzuki
政善 鈴木
Norio Ichikawa
範男 市川
Junichi Horie
潤一 堀江
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends

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  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】実装構造を簡素化することができるマイクロデ
バイスを提供すること。 【構成】上部ガラス板１ａ，中部ガラス板２，下部ガラ
ス板１ｂを陽極接合し構成された積層構造体で、上記各
ガラス，シリコン板からの電極を上部ガラス板１ａの同
一面に取り出すようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車の車体制御など
に用いられるマイクロデバイスに係り、特に、気密な積
層構造体における電極の取り出し方法に好適なマイクロ
デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置としては、例えば特
開平4−116465 号公報記載のようにガラス板−シリコン
板−ガラス板の３層積層構造からなる半導体容量式加速
度センサで、可動電極と一対の固定電極のワイヤボンデ
ィング用のパッドを上部ガラス板と段差を形成した下部
ガラス板上へ配列したものがある。
【０００３】また、内面に空間の基準室を有する気密型
の積層構造体からなる容量型圧力センサとして、例えば
特開平4−9727 号公報に記載されているものがある。
【０００４】この圧力センサの製造方法は、孔部を有す
るガラス板の内面に形成された電極を、シリコン板から
なるリード部材を介して外部に引き出すのに、リード部
材を製造するためのシリコン板を予めガラス板に接合
し、その後異方性エッチング等によってガラスの孔部を
塞ぐようにリード部材を設ける。そして、スパッタや蒸
着手段により電極及び電極リードとを形成し、この時リ
ード部材はそれらと接続される。次に、製作されたガラ
ス板とダイアフラムを有するシリコン板２０とを接合す
ることにより、内面に空間の基準室を有する気密型の積
層構造体からなる容量型圧力センサが得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のうち、
前者の加速度センサは、パッドを配列するために上部ガ
ラス板と下部ガラス板との間に段差を設けなければなら
なかったため、センサの電極とハイブリッドＩＣ基板と
の接続をワイヤボンディングで行わなければならず、実
装配線が複雑となる問題があった。また、後者の圧力セ
ンサは、リード部材を製造するためにシリコン板を用い
なければならず、このため、ホトリソプロセスを必要と
すること、接合がガラス板とリード部材，ガラス板とシ
リコン板と２回必要となるなど製造プロセスが複雑とな
るという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、実装構造を簡素化するこ
とができるマイクロデバイスを提供することにある。
【０００７】また、本発明の他の目的は、製造プロセス
が容易な気密型積層構造体のマイクロデバイス及びその
製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、第一の電極
部を有する第一のガラス部材と、第二の電極部を有する
第二のガラス部材と、前記第一のガラス部材と前記第二
のガラス部材との間に設けられ、前記第一の電極部と前
記第二の電極部に対向して設けられた可動電極部を有す
るシリコン部材とを備えたマイクロデバイスにおいて、
前記第一の電極部の引き出し部，前記第二の電極部の引
き出し部及び前記可動電極部の電極の引き出し部を前記
第一のガラス部材の前記シリコン部材とは反対側の面に
設けることによって達成される。
【０００９】また、上記目的は、第一の電極部を有する
第一のガラス部材と、第二の電極部を有する第二のガラ
ス部材と、前記第一のガラス部材と前記第二のガラス部
材との間に設けられ、前記第一の電極部と前記第二の電
極部に対向して設けられた可動電極を有するシリコン部
材とを備えたマイクロデバイスにおいて、前記第一，第
二の電極は、前記第一のガラス部材内を通して外部に引
き出すことによって達成される。
【００１０】さらに、上記目的は、第一の電極部を有す
る第一のガラス部材と、第二の電極部を有する第二のガ
ラス部材と、前記第一のガラス部材と前記第二のガラス
部材との間に設けられ、可動電極を有するシリコン部材
とを備えたマイクロデバイスにおいて、前記シリコン部
材と前記第一及び第二のガラス部材とを接合した後に溶
断して形成された少なくとも１個以上の電極リード部材
を有することによって達成される。
【００１１】さらに、上記目的は、第一の電極部を有す
る第一のガラス部材と、第二の電極部を有する第二のガ
ラス部材と、前記第一のガラス部材と前記第二のガラス
部材との間に設けられ、可動電極を有するシリコン部材
とを備えたマイクロデバイスの製造方法において、前記
シリコン板と前記第一のガラス板及び前記第二のガラス
板とを接合し、その後前記シリコン部材と同一の基板か
ら作られた少なくとも１個以上の電極リード部材を支持
するシリコンビームを溶断することによって達成され
る。
【００１２】
【作用】電極の引き出し部を第一のガラス部材の一面に
配置することができるため、他の素子との接続が容易と
なる。
【００１３】また、シリコン板とガラス板との接合後、
レーザでシリコンビームを溶断して電極リード部材を形
成しているため気密性の富んだマイクロデバイスとな
る。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を示す図１について
説明する。図１において、１ａは上部ガラス板、１ｂは
下部ガラス板、２は中部シリコン板、３は電極リード部
材、４はシリコンビームであり、１ａの上部ガラス板、
１ｂの下部ガラス板、２の中部シリコン板は陽極接合に
よって接合された積層構造体で、マイクロデバイスを構
成する。
【００１５】中部シリコン板２からは異方性エッチング
プロセスの加工技術によって電極リード部材３が製作さ
れる。この電極リード部材３はシリコンビーム４により
中部シリコン板２に接続支持され、電気的に導通してい
る。この中部シリコン板２と上部ガラス板１ａ，下部ガ
ラス板１ｂは陽極接合によって３層同時に接合され、積
層体の内部が気密化される。このように構成されたマイ
クロデバイスにおいて、本実施例では、ガラス板１ａあ
るいは下部ガラス板１ｂを通したレーザで中部シリコン
板２と電極リード部材３とを接続支持するシリコンビー
ム４を溶断することにより、電極リード部材３が中部シ
リコン板２から絶縁され独立した部品となる。このよう
に積層後中部シリコン板２の加工が可能となることから
気密構造型のデバイスを容易に製作できるため、水分等
の環境に対するデバイスの実装方法も簡単化しこれよ
り、高信頼性，低コスト化が図れ、且つ、製造プロセス
も容易となる。
【００１６】次に、本発明の一実施例を図２，図３を用
いて説明する。図２は本発明に係るマイクロデバイスを
示した平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ′線に沿った
縦断面図である。
【００１７】図２において、１ａは上部ガラス板、１ｂ
は下部ガラス板、２は中部シリコン板、３は電極リード
部材、４はシリコンビーム、５は上部ガラス板１ａに形
成された電極リード用孔部、６は中部シリコン板２から
製作される可動電極、ｄ１は上部ガラス板１ａに形成さ
れた電極、ｄ２は下部ガラス板１ｂに形成された電極、
ｄ３は電極リード用孔部５に形成された電極であり１ａ
の上部ガラス板、１ｂの下部ガラス板、２の中部シリコ
ン板は陽極接合によって接合された積層構造体で、マイ
クロデバイスを構成する。本実施例では、積層構造体の
内面に形成された電極ｄ１，ｄ２を電極リード部材３と
電極リード用孔部を介して外部に引き出すもので積層体
の内部は気密化されている。
【００１８】以下に、上記デバイスの製造プロセスと電
極引き出しの方法について説明する。中部シリコン板２
には異方性エッチングプロセス技術により外力で変位す
る可動電極６や電極リード部材３が製作され、これらは
中部シリコン板２にシリコンビーム４等で接続支持され
ている。一方、上部ガラス板１ａと下部ガラス板１ｂに
は金属の薄膜電極からなる電極ｄ１，ｄ２が形成されて
いる。ここでのプロセスは各々が単品で行われる。次
に、ガラス／シリコンの陽極接合技術により、中部シリ
コン板２と上部ガラス板１ａと下部ガラス板１ｂは３層
同時に接合され、積層構造体となる。このとき、可動電
極６はガラス板１ａと下部ガラス板１ｂとに間隙を有す
るため接合されないが、電極リード部材３は上，下部ガ
ラス板に接合されるため、この部分は気密となる。ま
た、このプロセスで下部ガラス板１ｂに形成される電極
ｄ２は電極リード部材３の一部に挾まれ、接合力により
機械的に接触し、これらは導通状態となる。従って、電
極リード部材３が位置する上部ガラス板１ａの部分に電
極リード用孔部５からなる貫通孔を設け、スパッタや蒸
着により貫通孔の内面やその外周に電極ｄ３を形成する
と電極ｄ２は電極リード部材３を介して電極ｄ３と接続
され、気密を確保するとともに外部に引き出すことが出
来る。更に、電極リード部材３を接続支持するシリコン
ビーム４をガラス板を通して溶断することによって独立
した系の電極となる。なお、図には示さないが、上部ガ
ラス板１ａに形成した電極ｄ１も同様の方法で独立した
系の電極となることは言うまでもない。この実施例によ
れば、シリコン板とガラス板の陽極接合が１回で済み、
且つ、気密型デバイスが可能となるので湿度等の環境に
対するデバイスの実装方法も簡単化でき、これより、高
信頼性，低コスト化が図れ、且つ、製造プロセスも容易
となる。
【００１９】次に、本発明の一実施例を示す図４につい
て説明する。以下、前記した実施例と同じくする符号に
ついての説明は省略し、新たな部品のみを説明する。
【００２０】図４において、図１，図２に示す実施例と
の違いは、電極リード部材３を絶縁物からなる絶縁物ビ
ーム７で支持すること、陽極接合を１回で行うため下部
ガラス板１ｂに金属の薄膜電極８を形成し、接合時の電
圧が電極リード部材３とシリコン板２と同電位にするこ
とである。これより、前記実施例で述べたように、下部
ガラス板１ｂに形成される電極ｄ２は電極リード部材３
の一部に挾まれ、接合力により機械的に接触し、これら
は導通状態となる。従って、電極リード部材３が位置す
る上部ガラス板１ａの部分に電極リード用孔部５からな
る貫通孔を設け、スパッタや蒸着により貫通孔の内面や
その外周に電極ｄ３を形成すると電極ｄ２は電極リード
部材３を介して電極ｄ３と接続され、気密を確保すると
ともに外部に引き出すことが出来る。そして、金属の薄
膜電極８をレーザにより電極リード部材３を接続支持す
る絶縁物ビーム７をガラス板を通して溶断することによ
って独立した系の電極となる。同様の方法で上部ガラス
板１ａに形成した電極ｄ１も同様の方法で独立した系の
電極となる。この実施例によれば、シリコン板とガラス
板の陽極接合が１回で済み、且つ、気密型デバイスが可
能となるので湿度等の環境に対するデバイスの実装方法
も簡単化でき、これより、高信頼性，低コスト化が図
れ、且つ、製造プロセスも容易となる。
【００２１】次に、本発明のマイクロデバイスの製造方
法を図５を用いて説明する。図５において、シリコンビ
ームの切断は、シリコンのドライエッチングプロセスに
よる手段、又は、シリコンビーム部を吸引するような機
械的による手段で行うようにした。以下、この製造プロ
セスについて述べる。（１）は中部シリコン板２で同一
シリコン板に電極リード部材３，シリコンビーム４及び
可動電極６が製作される。中部シリコン板２は（２）に
示すように電極ｄ１を有する上部ガラス板１ａと陽極接
合技術で接合される。この時、上部ガラス板１ａにはシ
リコンビーム４がガラス側に接合されるのを防止するた
め、シリコン板２と同電位とする電極９が配置される。
そして、（３）では前記したようにシリコンビームの切
断をシリコンのドライエッチングプロセスによる手段、
又は、シリコンビーム部を吸引するような機械的による
手段で行う物である。この結果、（４）に示すように下
部ガラス板１ｂに形成された電極ｄ２は電極リード部材
３ｂ及び電極リード用孔部５′を介して外部に引き出さ
れる。同様に（５）に示すように上部ガラス板１ａに形
成された電極ｄ２は電極リード部材３ａ及び電極リード
用孔部５を介して外部に引き出される。この実施例によ
れば、半導体プロセスを利用できることや機械的に行え
ることから製造プロセスの簡単化が図れる。
【００２２】次に、本発明の他のマイクロデバイスの製
造方法を図６を用いて説明する。図６において、
（３)，(４）に示すように中部シリコン板２と下部ガラ
ス板１ｂとを陽極接合技術で接合するときのガラスとシ
リコン間に作用する接合力を利用してシリコンビーム４
の切断を行うものである。この実施例によれば、半導体
プロセスを利用できることから製造プロセスの簡単化が
図れる。
【００２３】次に、本発明の一実施例を示す図７，図
８，図９について説明する。これらの図において、３は
中部シリコン板２に絶縁ビームで接続支持された電極リ
ード部材、７は電極リード部材３を接続支持する絶縁ビ
ームで有る。本実施例に示す絶縁ビームは製造プロセス
の容易さからＳｉＯ2 を用いて形成するが、他の絶縁材
として例えばＳｉＮｘでも実現できる。そして、絶縁ビ
ーム７はシリコン板の１００面上に４５度の角度で製作
及び配置され、シリコン立体柱を支持するように製作さ
れる。これは中部シリコン板２と電極リード部材３の間
の貫通部のシリコンが異方性エッチングによりなくなる
とき、絶縁ビーム７下のシリコンも同時になくなるよう
にし、絶縁ビーム７へのストレスを極力少なくし、破損
やクラックを防止するためである。絶縁ビーム７の形状
は図７に示すように電極リード部材３の四隅に配される
もの、図８に示すように電極リード部材３に対してハの
字配されるもの及び図９に示すように電極リード部材３
を片持ち型の絶縁ビーム７で支持するように配するもの
である。この実施例によれば、絶縁ビーム７異方性エッ
チングプロセスの時間短縮が可能となると共に、絶縁ビ
ーム７へのストレスを緩和できることから破損やクラッ
クを防止出来る。
【００２４】次に、本発明のマイクロデバイスの加工装
置を図１０を用いて説明する。図１０において、１００
はレーザの電源、２００はレーザヘッド、３００は光フ
ァイバー、４００は集光レンズでＹＡＧレーザ装置を構
成する。なお、５００は前記ＹＡＧレーザ装置により加
工されるマイクロデバイスである。シリコンビームの溶
断及び金属薄膜電極の切断はガラス板を通して行う必要
が有り、これには一般に使用される前記ＹＡＧレーザ装
置を用いることで実現できる。レーザ装置での加工方法
は単発のパルスを照射して行うパルスレーザ方式，レー
ザを連続的に照射する連続照射方式及び前記２方式を組
み合わせた方式が有る。本発明でのシリコンビーム，金
属薄膜電極の形状は小さく且つ薄いものであることか
ら、溶断及び切断のパワーがそれほど強くないパルスレ
ーザ方式か連続照射方式で行えば良い。なお、図には示
さないが、溶断されるシリコンビームには溶断を容易に
するため例えばＶ溝やＵ溝を予め形成してある。この実
施例によれば、ガラス板を通してシリコンの加工が可能
となり気密型デバイスが容易に製作できる。
【００２５】次に、本発明のマイクロデバイスの一実施
例を示す図１１を用いて説明する。図１１において、６
００はハウジング、７００はプラスチックパッケージで
実装方法の一例を示す。ハウジングに装着したデバイス
を実装する方法においては、水分等の影響を防止するた
め金属性のキャップを用い、この中を真空にして封止す
る方法が良く使われている。しかし、この方法はプロセ
スが複雑となるためコスト的に高くなる。本実施例によ
れば、マイクロデバイスが気密型構造であるため水分等
の影響は受けにくいものであることから、その実装方法
も前記金属性のキャップを使用せず、図中に示すプラス
チックパッケージで行うことにより簡単化出来る。これ
より、低コスト化が図れ、且つ、製造プロセスも容易と
なる。
【００２６】次に、本発明のマイクロデバイスの一実施
例を示す図１２，図１３，図１４，図１５を用いて説明
する。これらの図において、図１２は本発明に係るマイ
クロデバイスを示した平面図であり、図１３は図１２の
Ａ−Ａ′線に沿った縦断面図、図１４は図１２のＢ−
Ｂ′線に沿った縦断面図、図１５は図１２のＣ−Ｃ′線
に沿った縦断面図である。
【００２７】図に示すマイクロデバイスは上部ガラス板
１ａ，中部シリコン板２及び下部ガラス板１ｂを陽極接
合し構成された積層構造体で、各々が電極を有してい
る。図１３は下部ガラス板１ｂに形成された電極を電極
リード部材３ｂを介し上部ガラス板１ａに設けられた電
極リード孔５ａの電極部ｄ１へ、図１４はシリコン板が
直接上部ガラス板１ａに設けられた電極リード孔５ｂの
電極部ｄ２へ、図１５は上部ガラス板１ａに形成された
電極を電極リード部材３ａを介し上部ガラス板１ａに設
けられた電極リード孔５ｃの電極部ｄ３へ接続し、３個
の電極を上部ガラス板１ａの同一面に取り出すようにし
た。本実施例によれば、立体配線となる複数の電極を同
一平面上に取り出すことが出来るため、他の素子との接
続方法など実装面の簡単化が図れる。
【００２８】次に、本発明のマイクロデバイスを図１
６，図１７を用いて説明する。これらの図において、図
１６は実装時の平面図、図１７は図１６の断面図であ
る。図において、１００はマイクロデバイス、１１０は
１Ｃ、１２０はハイブリッドＩＣ基板、１３０は電極配
線で有る。マイクロデバイス１００はこれを駆動するＩ
Ｃ１１０と電極配線１３０を介して接続されハイブリッ
ドＩＣ基板１２０上に実装される。この時、マイクロデ
バイス１００の複数の電極は同一平面上に設けているた
めハイブリッドＩＣ基板１２０上の電極配線１３０で直
接ＩＣとの接続が図れ面実装が実現出来る。これより、
ワイヤボンディングによる配線作業を無くし簡単な実装
配線が可能となる。
【００２９】図１８に、本発明のマイクロデバイスを適
用したエアバックシステム図を示す。加速度センサ１０
１の電極リード孔５ａ，５ｂ，５ｃから測定した加速度
に関する情報を取り出し、加速度検出部１０２に入力さ
れ、加速度が求められる。その検出された加速度はエア
バック装置１０４の制御ユニット１０３に入力される。
制御ユニット１０３はエアバックを駆動するか否かの判
断を行い、エアバック装置を駆動する。エアバックシス
テムは、非常に高精度の検出が要求されるため、本発明
のマイクロデバイスを用いることによってシステム全体
の信頼性が向上する。
【００３０】以上説明したように、本発明の各実施例に
よれば次のような効果を有する。
【００３１】図１に示す実施例によれば、シリコン板と
ガラス板とを陽極接合した後、シリコン板とこれと同一
シリコン板から製作されたシリコン部材とを接続支持す
るシリコン部を、該ガラス板を通してレーザで溶断する
ことにより、シリコン板とシリコン部材とを電気的に絶
縁し、これより、気密型デバイスが可能となるので湿度
等の環境に対するデバイスの実装方法も簡単化でき、こ
れにより、高信頼性，低コスト化が図れ、製造プロセス
も容易となる。
【００３２】図２，図３に示す実施例によれば、１個又
は複数個の電極リード部材として同一シリコン基板から
シリコンのビームで支持するように作られた１個又は複
数個の電極リード部材と電極リード孔を有するガラス板
とを陽極接合して、孔部での気密性を確保し、かつ、接
合後レーザでシリコンのビームを溶断することにより各
々が分離した電極リード部材となるのでシリコン板とガ
ラス板の陽極接合が１回で済み、且つ、気密型デバイス
が可能となるので湿度等の環境に対するデバイスの実装
方法も簡単化でき、これより、高信頼性，低コスト化が
図れ、且つ、製造プロセスも容易となる。
【００３３】図４に示す実施例によれば、１個又は複数
個の電極リード部材として絶縁物のビームで支持するよ
うに作られた１個又は複数個の電極リード部材と電極リ
ード孔を有するガラス板とを陽極接合して、孔部での気
密性を確保し、かつ、接合後、接合のためガラスに設け
た金属の薄膜電極をレーザで切断することにより各々が
分離した電極リード部材となるのでシリコン板とガラス
板の陽極接合が１回で済み、且つ、気密型デバイスが可
能となるので湿度等の環境に対するデバイスの実装方法
も簡単化でき、これより、高信頼性，低コスト化が図
れ、且つ、製造プロセスも容易となる。
【００３４】図５に示す実施例によれば、シリコンビー
ムの切断は、シリコンのドライエッチングプロセスによ
る手段及びシリコンビーム部を吸引するような機械的に
よる手段で行えるので半導体プロセスが利用できること
や機械的にできることからプロセスの簡単化が図れる。
【００３５】図６に示す実施例によれば、シリコンビー
ムの切断は陽極接合時に発生する接合力により行えるの
でプロセスの簡単化が図れる。
【００３６】図７，図８，図９に示す実施例によれば、
１個又は複数個の絶縁物のビームはシリコン板の１００
面上に４５度の角度で製作及び配置され、シリコン立体
柱を支持するので異方性エッチングプロセスの時間短縮
ができプロセスの簡単化が図れる。
【００３７】図１０に示す実施例によれば、シリコンビ
ームや金属の薄膜電極の溶断はYAGレーザ装置によりパ
ルスレーザ方式，連続照射方式及び連続照射方式とパル
ス方式のいずれかの方式により行われるのでガラスを通
してシリコンの加工が可能となるためプロセスの簡単化
が図れる。
【００３８】図１１に示す実施例によれば、上記マイク
ロデバイスはプラスチックパッケージにより実装方法さ
れるので実装方法も簡単化でき、これより、高信頼性，
低コスト化が図れ、且つ、製造プロセスも容易となる。
【００３９】図１２〜図１６に示す実施例によれば、電
極と他の素子との接続の簡素化が図れるため、実装構造
が簡単になる。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、マイクロデバイスの実
装構造が簡素化することができる。また、気密型積層構
造体のマイクロデバイスの製造プロセスを容易にするこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマイクロデバイスの一実施例を示す
図。
【図２】本発明のマイクロデバイスの一実施例を示す
図。
【図３】図２のＡ−Ａ′縦断面図。
【図４】本発明のマイクロデバイスの一実施例を示す
図。
【図５】本発明のマイクロデバイスの製造方法を示す
図。
【図６】本発明のマイクロデバイスの製造方法を示す
図。
【図７】本発明のマイクロデバイスの一実施例を示す
図。
【図８】図７の変形例を示す図。
【図９】図７の変形例を示す図。
【図１０】本発明のマイクロデバイスの加工装置を示す
図。
【図１１】本発明のマイクロデバイスの実装構造を示す
図。
【図１２】本発明のマイクロデバイスの他の実施例を示
す図。
【図１３】図１２のＡ−Ａ′断面図。
【図１４】図１２のＢ−Ｂ′断面図。
【図１５】図１２のＣ−Ｃ′断面図。
【図１６】本発明のマイクロデバイスの他の実施例を示
す図。
【図１７】図１６の断面図。
【図１８】本発明のマイクロデバイスをエアバックシス
テムに適用したシステム図。
【符号の説明】
１ａ…上部ガラス板、１ｂ…下部ガラス板、２…中部シ
リコン板、３…電極リード部材、４…シリコンビーム、
５…電極リード用孔部、６…可動電極、７…絶縁ビー
ム、８…薄膜電極、ｄ１，ｄ２，ｄ３…電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉垣 智 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 嶋田 智 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 佐藤 一雄 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 小出 晃 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 鈴木 政善 茨城県勝田市大字高場2520番地 株式会社 日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 市川 範男 茨城県勝田市大字高場2520番地 株式会社 日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 堀江 潤一 茨城県勝田市大字高場2520番地 株式会社 日立製作所自動車機器事業部内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第一の電極部を有する第一のガラス部材
    と、第二の電極部を有する第二のガラス部材と、前記第
    一のガラス部材と前記第二のガラス部材との間に設けら
    れ、前記第一の電極部と前記第二の電極部に対向して設
    けられた可動電極部を有するシリコン部材とを備えたマ
    イクロデバイスにおいて、前記第一の電極部の引き出し
    部，前記第二の電極部の引き出し部及び前記可動電極部
    の引き出し部を前記第一のガラス部材の前記シリコン部
    材との反対側の面に設けたことを特徴とするマイクロデ
    バイス。
  2. 【請求項２】第一の電極部を有する第一のガラス部材
    と、第二の電極部を有する第二のガラス部材と、前記第
    一のガラス部材と前記第二のガラス部材との間に設けら
    れ、前記第一の電極部と前記第二の電極部に対向して設
    けられた可動電極を有するシリコン部材とを備えたマイ
    クロデバイスにおいて、前記第一，第二の電極は前記第
    一のガラス部材内を通して外部に引き出すことを特徴と
    するマイクロデバイス。
  3. 【請求項３】請求項２において、前記シリコン部材は、
    前記第一，第二の電極を外部に引き出すための電極リー
    ド部材を有することを特徴とするマイクロデバイス。
  4. 【請求項４】第一の電極部を有する第一のガラス部材
    と、第二の電極部を有する第二のガラス部材と、前記第
    一のガラス部材と前記第二のガラス部材との間に設けら
    れ、前記第一の電極部と前記第二の電極部に対向して設
    けられた可動電極を有するシリコン部材とを備えたマイ
    クロデバイスにおいて、前記シリコン部材と前記第一及
    び第二のガラス部材とを接合した後に溶断して形成され
    た少なくとも１個以上の電極リード部材を有することを
    特徴とするマイクロデバイス。
  5. 【請求項５】請求項４において、前記電極リード部材は
    シリコンビームをレーザで溶断することによって形成さ
    れたことを特徴とするマイクロデバイス。
  6. 【請求項６】第一の電極部を有する第一のガラス部材
    と、第二の電極部を有する第二のガラス部材と、前記第
    一のガラス部材と前記第二のガラス部材との間に設けら
    れ、可動電極を有するシリコン部材とを備えたマイクロ
    デバイスの製造方法において、前記シリコン板と前記第
    一のガラス板及び前記第二のガラス板とを接合し、その
    後前記シリコン部材と同一の基板から作られた少なくと
    も１個以上の電極リード部材を前記基板から分離するた
    めにこれを支持するシリコンビームを溶断することを特
    徴とするマイクロデバイスの製造方法。
  7. 【請求項７】請求項６において、前記シリコンビームの
    溶断は、前記第一のガラス板を通してレーザで溶断する
    ことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
  8. 【請求項８】請求項６において、前記シリコンビームの
    溶断はパルスレーザ方式又は連続照射方式によって行う
    ことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
  9. 【請求項９】請求項１ないし請求項５のいずれかにおい
    て、前記マイクロデバイスは前記第一及び第二のガラス
    部材と前記シリコン部材とが接合された積層体構造の加
    速度センサであることを特徴とするマイクロデバイス。
  10. 【請求項１０】エアバック装置と、請求項９に記載のマ
    イクロデバイスと、該マイクロデバイスから検出された
    加速度に基づいて前記エアバック装置の制御を行う制御
    ユニットとを備えたことを特徴とするエアバックシステ
    ム。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0792188A (ja) * 1993-09-20 1995-04-07 Yorisuke Nakada 加速度センサとその製造方法
EP1014094A1 (en) * 1998-12-21 2000-06-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. A small size electronic part and a method for manufacturing the same, and a method for forming a via hole in the same
JP2004012326A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Hiroaki Niitsuma 物理量検出器及び物理量検出器の製造方法
JP2010223599A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Murata Mfg Co Ltd 機能素子

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0792188A (ja) * 1993-09-20 1995-04-07 Yorisuke Nakada 加速度センサとその製造方法
EP1014094A1 (en) * 1998-12-21 2000-06-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. A small size electronic part and a method for manufacturing the same, and a method for forming a via hole in the same
JP2004012326A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Hiroaki Niitsuma 物理量検出器及び物理量検出器の製造方法
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