JPH10139694A - （２−シクロヘキシルエチル）ベンゼン誘導体 - Google Patents

（２−シクロヘキシルエチル）ベンゼン誘導体

Info

Publication number
JPH10139694A
JPH10139694A JP8296417A JP29641796A JPH10139694A JP H10139694 A JPH10139694 A JP H10139694A JP 8296417 A JP8296417 A JP 8296417A JP 29641796 A JP29641796 A JP 29641796A JP H10139694 A JPH10139694 A JP H10139694A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
trans
ethyl
compound
liquid crystal
general formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8296417A
Other languages
English (en)
Inventor
Sadao Takehara
貞夫 竹原
Haruyoshi Takatsu
晴義 高津
Shinji Ogawa
真治 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DIC Corp
Original Assignee
Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd filed Critical Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Priority to JP8296417A priority Critical patent/JPH10139694A/ja
Publication of JPH10139694A publication Critical patent/JPH10139694A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Liquid Crystal Substances (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 他の特性に悪影響を与えずに、融点を低下、
低温で結晶し難く、相溶性良好な、重水素原子により置
換された液晶性化合物及びこれらの混合物、更にこれを
用いた低粘性で液晶温度範囲が広い液晶組成物を提供す
る。 【解決手段】 【化１】 （Ｒ：Ｃ数１〜１２のアルキル、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3：Ｈ原
子、Ｆ原子、Ｚ：Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｈ、ＣＮ、−Ｒ2、
−ＯＲ2、−ＯＣＮ、−ＣＦ3、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ
2Ｈ、−ＯＣＨ2ＣＦ3、Ｒ2：Ｃ数１〜１２のアルキル、
２〜１２のアルケニル、Ｄ：重水素）で表される化合
物、混合物、これらを用いた液晶組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電気光学的液晶表示
材料として有用な新規液晶性化合物である、重水素置換
された（２−シクロヘキシルエチル）ベンゼン誘導体と
その混合物及びそれを含有する液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いら
れるようになっている。液晶表示方式としては、その代
表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩
れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲス
ト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があ
り、また駆動方式としても従来のスタティック駆動から
マルチプレックス駆動が一般的になり、さらに単純マト
リックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が
実用化されている。これらの表示方式、駆動方式に応じ
て、液晶材料としても種々の特性が要求されているが、
（１）温度範囲が広いこと、及び（２）粘性が小さいこ
とはすべての方式に共通して重要な要求特性である。こ
のうち（１）には（１−イ）ネマチック相上限温度（Ｔ
N-I）が高いこと、及び（１−ロ）融点が低く、結晶化
あるいは析出等の相分離を生じ難いことが含まれる。
【０００３】現在までのところ、こうした要求特性を単
独で満たす液晶化合物は知られておらず、多種の液晶化
合物の混合物として用いられているのが実情である。こ
れまで開発されてきた液晶化合物は多岐に及ぶが、上記
（１−ロ）及び（２）の条件を比較的満足できる化合物
として、（２−シクロヘキシルエチル）ベンゼン（ＣＥ
Ｐ）骨格を有する液晶性化合物（Ａ）
【０００４】
【化４】
【０００５】（式中、Ｒ1、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3及びＺは一般
式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）を挙げることが
できる（特開昭５７−１４４２４９号公報、特開昭６０
−１２５４８９号公報等に記載）。
【０００６】この（２−シクロヘキシルエチル）ベンゼ
ン骨格を有する化合物は、粘性が他の２環式液晶化合物
と同様に比較的小さく、さらに対応するフェニルシクロ
ヘキサン（ＰＣＨ）誘導体（Ｂ）
【０００７】
【化５】
【０００８】（式中、Ｒ1、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3及びＺは一般
式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）と比較して、そ
の融点が低く、その蒸気圧が低いという優れた特徴を有
する。しかしながら、それを用いた液晶組成物の低温特
性、特に低温における相分離に関しては、まだ充分満足
できるものとは言えなかった。
【０００９】液晶材料の融点を降下させるには多数の化
合物を混合し、液晶組成物の構成成分数を多くすること
が効果的であり、例えばＣＥＰ骨格の特性を有しなが
ら、その成分数を増加するためには末端アルキル基の炭
素数を変化させた同族体を用いる方法が使われている。
しかしながら、これによって低温で結晶が析出しにくく
することは極めて困難であるのが現状である。
【００１０】従って、同じＣＥＰ骨格を有しながら、他
の特性に悪影響を与えることなく、その融点が低下する
か、あるいは低温でも結晶化し難く他の液晶化合物の相
溶性が改善された液晶性化合物が望まれていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、以上の目的に応じるため、エタン結合中の
一部の水素原子が重水素原子（Ｄ）により置換されたＣ
ＥＰ骨格を有する（２−シクロヘキシルエチル）ベンゼ
ン誘導体及びこれらの混合物を提供し、さらにこれを用
いて低粘性で液晶温度範囲が広い、特に低温で析出、相
分離等が生じにくい液晶組成物を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、 １．一般式（Ｉａ）
【００１３】
【化６】
【００１４】（式中、Ｒ1は炭素原子数１〜１２のアル
キル基を表し、Ｙ1、Ｙ2及びＹ3はそれぞれ独立的に水
素原子又はフッ素原子を表し、Ｚはフッ素原子、塩素原
子、臭素原子、水素原子、シアノ基、−Ｒ2、−ＯＲ2、
−ＯＣＮ、−ＣＦ3、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ又は−Ｏ
ＣＨ2ＣＦ3を表し、Ｒ2は炭素原子数１〜１２のアルキ
ル基又は炭素原子数２〜１２のアルケニル基を表し、Ｄ
は重水素原子を表し、シクロヘキサン環はトランス配置
である。）で表される化合物。 ２．一般式（Ｉｂ）
【００１５】
【化７】
【００１６】（式中、Ｒ1は炭素原子数１〜１２のアル
キル基を表し、Ｙ1、Ｙ2及びＹ3はそれぞれ独立的に水
素原子又はフッ素原子を表し、Ｚはフッ素原子、塩素原
子、臭素原子、水素原子、シアノ基、−Ｒ2、−ＯＲ2、
−ＯＣＮ、−ＣＦ3、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ又は−Ｏ
ＣＨ2ＣＦ3を表し、Ｒ2は炭素原子数１〜１２のアルキ
ル基又は炭素原子数２〜１２のアルケニル基を表し、Ｄ
は重水素原子を表し、シクロヘキサン環はトランス配置
である。）で表される化合物。 ３．上記１記載の一般式（Ｉａ）で表される化合物及び
上記２記載の一般式（Ｉｂ）で表される化合物からなる
混合物。 ４．上記１記載の一般式（Ｉａ）で表される化合物及び
一般式（Ａ）
【００１７】
【化８】
【００１８】（式中、Ｒ1は炭素原子数１〜１２のアル
キル基を表し、Ｙ1、Ｙ2及びＹ3はそれぞれ独立的に水
素原子又はフッ素原子を表し、Ｚはフッ素原子、塩素原
子、臭素原子、水素原子、シアノ基、−Ｒ2、−ＯＲ2、
−ＯＣＮ、−ＣＦ3、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ又は−Ｏ
ＣＨ2ＣＦ3を表し、Ｒ2は炭素原子数１〜１２のアルキ
ル基又は炭素原子数２〜１２のアルケニル基を表し、シ
クロヘキサン環はトランス配置である。）で表される化
合物からなる混合物。 ５．上記１記載の一般式（Ｉａ）で表される化合物、上
記２記載の一般式（Ｉｂ）で表される化合物及び上記４
記載の一般式（Ａ）で表される化合物からなる混合物。 ６．上記１記載の一般式（Ｉａ）で表される化合物又は
上記２記載の一般式（Ｉｂ）で表される化合物を含有す
る液晶組成物。 ７．上記３、４又は５記載の混合物を含有する液晶組成
物。 ８．上記６又は７記載の液晶組成物を構成要素とする液
晶表示素子。を前記解決手段とした。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一例について説明
する。本発明は、一般式（Ｉａ）
【００２０】
【化９】
【００２１】及び一般式（Ｉｂ）
【００２２】
【化１０】
【００２３】で表される化合物を提供するものであり、
上式中、Ｒ1は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表す
が、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基が好ましい。
Ｙ1、Ｙ2及びＹ3はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ
素原子を表す。Ｚはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、
水素原子、シアノ基、−Ｒ2、−ＯＲ2、−ＯＣＮ、−Ｃ
Ｆ3、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ又は−ＯＣＨ2ＣＦ3を表
し、Ｒ2は炭素原子数１〜１２のアルキル基又は炭素原
子数２〜１２のアルケニル基を表すが、Ｚとしてはフッ
素原子、塩素原子、シアノ基、炭素原子数１〜７の直鎖
状アルキル基及びアルコキシル基、炭素原子数３〜７の
アルケニル基及びアルケニルオキシ基、−ＯＣＦ3又は
−ＯＣＨ2ＣＦ3が好ましく、フッ素原子、炭素原子数１
〜５の直鎖状アルキル基及び−ＯＣＦ3が特に好まし
い。またシクロヘキシレン基の１位及び４位の結合基は
互いにトランス配置である。
【００２４】本発明はまた、一般式（Ｉａ）の化合物と
一般式（Ｉｂ）の化合物の混合物を提供する。ここでい
う混合物とは一般式（Ｉａ）及び一般式（Ｉｂ）におい
て、Ｒ1、Ｙ、Ｙ2、Ｙ3及びＺは同一である化合物の混
合物を意味する。この混合物において、一般式（Ｉａ）
の化合物と一般式（Ｉｂ）の化合物は通常２０／８０〜
９０／１０の割合で混合して用いることが好ましいが、
４０／６０〜７０／３０がさらに好ましい。
【００２５】あるいは本発明は、一般式（Ｉａ）の化合
物と、一般式（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉｂ）と対応す
るが重水素置換されていない一般式（Ａ）
【００２６】
【化１１】
【００２７】（式中、Ｒ1、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3及びＺは前述
の意味を表す。）の化合物との混合物を提供する。ここ
でいう混合物とは一般式（Ｉａ）及び一般式（Ａ）にお
いて、Ｒ1、Ｙ、Ｙ2、Ｙ3及びＺは同一である化合物の
混合物を意味する。この混合物において、一般式（Ｉ
ａ）の化合物と一般式（Ａ）の化合物は通常３０／７０
〜９５／５の割合で混合して用いることが好ましいが、
５０／５０〜８０／２０がさらに好ましい。
【００２８】さらに本発明は、一般式（Ｉａ）の化合物
と一般式（Ｉｂ）の化合物及び一般式（Ａ）の化合物と
の混合物をも提供する。ここでいう混合物とは一般式
（Ｉａ）、一般式（Ｉｂ）及び一般式（Ａ）において、
Ｒ1、Ｙ、Ｙ2、Ｙ3及びＺは同一である化合物の混合物
を意味する。この混合物において、一般式（Ｉａ）の化
合物の混合割合は２０〜９０％が好ましく、５０〜８０
％がさらに好ましい。一般式（Ｉｂ）の化合物の混合割
合は１０〜８０％が好ましく、２０〜７０％がさらに好
ましい。
【００２９】液晶化合物において、その水素原子（Ｈ）
を重水素原子（Ｄ）で置換することは知られていなかっ
たわけではなく、既に数例の報告がある。 1) H.Gasparoux等，Ann.ReV.Phys.Chem.,27, 175(1976) 2) G.W.Gray等, Mol.Cryst.Liq.Cryst.,41, 75(1977) 3) A.J.Leadbetter等, J.Phys.［Paris］coll C3, 40,
125(1979) 4) A.Kolbe等, Z.Naturforsch.,23a, 1237(1968) 5) J.D.Rowell等, J.Chem.Phys.,43, 3442(1965) 6) W.D.Philips等, J.Chem.Phys.,41, 2551(1964) 7) A.F.Martins等, Mol.Cryst.Liq.Cryst.,14, 75(197
7) 8) E.T.Samulski等, Phys.Rev.Lett.,29, 340(1972) これらの報告において４−アルコキシ安息香酸のカルボ
キシル基の水素原子（Ｈ）を重水素原子（Ｄ）に置き換
えた例（文献(1)）以外はすべて、側鎖中の水素原子を
置換するかあるいはベンゼン環中の水素原子を置換した
例である。これらの例はすべて単一化合物であって、本
発明のように混合物をも含むものではなく、また、重水
素置換することにより、非置換の化合物に比べて何等優
れた特徴を引き出したものでもなかった。最近、本発明
者らはシクロヘキサン環の水素原子（Ｈ）を重水素原子
（Ｄ）に置換した化合物及びこれらの混合物を報告し
（特開平６−３１２９４９号公報及び特開平７−６２３
４８号公報に記載）、これらの化合物あるいは混合物を
用いることにより、対応する重水素置換されていない化
合物と比較して結晶化し難く、液晶組成物を調製した場
合の低温保存安定性に優れることを示した。しかしなが
ら、本発明の一般式（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉｂ）の
化合物のように中間連結基であるエタン結合の水素原子
（Ｈ）が重水素原子（Ｄ）に置換された例は知られてい
なかった。
【００３０】本発明の化合物あるいは混合物は以下のよ
うにして製造することができる。一般式（ＩＩ）
【００３１】
【化１２】
【００３２】（式中、Ｒ1、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3及びＺは前述
の意味を表す。）で表される化合物をジクロロメタン等
の非プロトン性溶媒に溶解し、アルコラート等の塩基存
在下に重水と反応させることにより、カルボニル基のα
位が重水素置換された一般式（ＩＩｂ）
【００３３】
【化１３】
【００３４】（式中、Ｒ1、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3及びＺは前述
の意味を表す。）で表されるフェニルケトン化合物を得
る。反応は室温〜溶媒の還流温度が望ましく、また、反
応を促進するために、臭化テトラブチルアンモニウム等
の４級アンモニウム塩を共存させることが特に好まし
い。
【００３５】この一般式（ＩＩｂ）のカルボニル基を水
素化アルミニウムリチウム、水素化ホウ素ナトリウムあ
るいは接触還元等で還元して水酸基とした後、ｐ−トル
エンスルホン酸等の酸触媒存在下に、脱水させて一般式
（ＩＩＩａ）
【００３６】
【化１４】
【００３７】（式中、Ｒ1、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3及びＺは前述
の意味を表す。）で表される化合物を得る。この一般式
（ＩＩＩａ）を接触還元で水素添加することにより本発
明の一般式（Ｉａ）の化合物を得ることができる。
【００３８】あるいは一般式（ＩＩｂ）の化合物をジチ
オール（通常、エタンジチオールあるいは１，３−プロ
パンジチオールが用いられる。）と反応させて、一般式
（ＩＶｂ）
【００３９】
【化１５】
【００４０】（式中、Ｒ1、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3及びＺは前述
の意味を表し、ｎは２又は３の整数を表す。）で表され
るチオケタール誘導体とし、これをラネーニッケルで還
元脱硫することにより本発明の一般式（Ｉｂ）の化合物
を得ることができる。
【００４１】一般式（Ｉａ）あるいは一般式（Ｉｂ）に
おいて、Ｚの選択によっては対応する一般式（ＩＩ）の
化合物からの合成が困難な場合もある。その場合には一
般式（ＩＩ）において、Ｚが水素原子あるいは臭素原子
である化合物から、同様にして一般式（Ｉａ）あるいは
一般式（Ｉｂ）において、Ｚが水素原子あるいは臭素原
子である化合物を得て、これから常法に従い製造するこ
とができる。
【００４２】中間体である一般式（ＩＩ）の化合物は、
一般式（Ｖ）
【００４３】
【化１６】
【００４４】（式中、Ｒ1は前述の意味を表す。）のビ
シクロヘキシル酢酸の酸クロリドを塩化アルミニウム等
のルイス酸存在下に、一般式（ＶＩ）
【００４５】
【化１７】
【００４６】（式中、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3及びＺは前述の意
味を表す。）のベンゼン誘導体と反応させるか、あるい
は一般式（ＶＩＩ）
【００４７】
【化１８】
【００４８】（式中、Ｒ1、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3及びＺは前述
の意味を表す。）のベンジルアルコール誘導体を酸化す
ることにより容易に得ることができる。ここで一般式
（ＶＩＩ）の化合物は、一般式（ＶＩＩＩ）
【００４９】
【化１９】
【００５０】（式中、Ｒ1は前述の意味を表す。）のシ
クロヘキサンエタナール誘導体に一般式（ＩＸ）
【００５１】
【化２０】
【００５２】（式中、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3及びＺは前述の意
味を表し、ＷはＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩ又はＬｉを
表す。）の有機金属反応剤を反応させて得ることができ
る。ここで一般式（ＶＩＩＩ）の化合物に換えて、同様
にしてカルボニル基のα位を重水素置換した一般式（Ｖ
ＩＩＩｂ）
【００５３】
【化２１】
【００５４】（式中、Ｒ1は前述の意味を表す。）の化
合物を用いれば、一般式（ＩＩ）を経由することなく、
直接一般式（ＩＩｂ）の化合物を得ることもできる。本
発明の混合物は、斯くして得られた一般式（Ｉａ）の化
合物や一般式（Ｉｂ）の化合物及び一般式（ＩＩ）の化
合物から重水素化工程のみを行わない以外は同様にして
製造した一般式（Ａ）の化合物を適量混合することによ
り調製することができるが、あるいは以下のようにして
も得ることができる。
【００５５】一般式（ＩＩ）の化合物の重水素化により
一般式（ＩＩｂ）の化合物を製造する工程において、重
水の使用量を制限する等反応条件を選択することにより
その重水素化率を制限し、一般式（ＩＩｂ）の化合物に
加えて、一般式（ＩＩａ）
【００５６】
【化２２】
【００５７】（式中、Ｒ1、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3及びＺは前述
の意味を表す。）で表されるフェニルケトン化合物及び
一般式（ＩＩ）の化合物との混合物を得ることができ
る。この混合物を用いて、前述の一般式（Ｉａ）の製造
法と同様にして、一般式（Ｉａ）の化合物と一般式
（Ａ）の化合物との混合物を得ることができ、あるいは
前述の一般式（Ｉｂ）の製造法と同様にして、一般式
（Ｉａ）と一般式（Ｉｂ）と一般式（Ａ）の化合物との
混合物を得ることができる。混合物の調製方法として
は、一般式（Ｉａ）や一般式（Ｉｂ）の化合物、一般式
（Ａ）の化合物を個々に製造して混合するよりも後者の
方法のように混合物である中間体を用いて製造する方法
がコスト的にも有利である。
【００５８】斯くして得られる一般式（Ｉａ）の化合物
の例を第１表に、一般式（Ｉｂ）の化合物の例を第２表
にその相転移温度とともに掲げる。
【００５９】
【表１】
【００６０】（表中、Ｃｒは結晶相を、Ｎはネマチック
相を、Ｉは等方性液体相をそれぞれ表し、相転移温度は
℃を表す。）
【００６１】
【表２】
【００６２】（表中、相転移温度は℃を表す。） 得られた一般式（Ｉａ）、一般式（Ｉｂ）の化合物は、
対応する重水素置換されていない化合物と比較すると、
低温で結晶が析出しにくいという特徴を有している。
【００６３】その例を以下に示す。現在汎用されている
ホスト液晶（Ｍ）
【００６４】
【化２３】
【００６５】（式中、「％」は『重量％』を表す。）は
５４．５℃以下でネマチック（Ｎ）相を示す。このホス
ト液晶（Ｍ）８５重量％及び第１表に示された（Ｉａ−
３）
【００６６】
【化２４】
【００６７】の化合物１５重量％から成る液晶組成物
（Ｍ−１）を調製したところ、３６℃以下でネマチック
相を示した。この組成物を−２０℃で保存したところ２
週間経過しても、結晶の析出や相分離は観察できなかっ
た。
【００６８】次に、ホスト液晶（Ｍ）の８５重量％、
（Ｉａ−３）の化合物１０重量％及び（Ｉａ−３）の化
合物に対応するが重水素置換されていない（Ａ−３）
【００６９】
【化２５】
【００７０】の化合物５重量％からなる液晶組成物（Ｍ
−２）を調製し、同様に−２０℃で保存したところ、２
週間経過しても結晶の析出は観察できなかった。これに
対して、比較のためホスト液晶（Ｍ）８５重量％及び
（Ａ−３）の化合物１５重量％からなる液晶組成物（Ｍ
−Ｒ）を調製し、同様にして−２０℃で保存したとこ
ろ、２週間でわずかながら結晶の析出と相分離が認めら
れた。
【００７１】次に、ホスト液晶（Ｎ）
【００７２】
【化２６】
【００７３】を調製した。このホスト液晶（Ｎ）は１１
６．７℃以下でネマチック相を示し、その融点は１１℃
である。このホスト液晶（Ｎ）７０重量％、第１表に示
された（Ｉｂ−３）
【００７４】
【化２７】
【００７５】の化合物７．５重量％、（Ｉａ−３）の化
合物１５重量％及び重水素置換されていない（Ａ−３）
の化合物の７．５重量％からなる液晶組成物（Ｎ−１）
を調製した。この組成物を０℃で放置したが２週間経過
しても結晶化や相分離は認められなかった。
【００７６】これに対し、比較のためにホスト液晶
（Ｎ）７０重量％及び（Ａ−３）３０重量％とからなる
混合液晶（Ｎ−Ｒ）を調製し、同様にして０℃で保存し
たところ、１週間以内に相分離と結晶の一部析出が観察
された。
【００７７】以上から、本発明に係わる重水素置換され
た液晶性化合物を含有する混合液晶は低温で結晶が析出
し難く、実用的な液晶として極めて有用であることがわ
かる。
【００７８】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
【００７９】尚、化合物の構造は、重水素化されていな
い既知の化合物と、キャピラリーガスクロマトグラフ及
び薄層クロマトグラフを比較し同一の保持時間（あるい
はＲｆ値）を示すこと、及び核磁気共鳴スペクトル（Ｎ
ＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）、赤外吸収スペクトル
（ＩＲ）により確認した。またＤ化率はＮＭＲにより測
定したが、その測定に用いたＮＭＲは日本電子（株）製
ＪＮＭ−ＧＳＸ４００（４００ＭHz1Ｈ）である。ま
た、「％」は『重量％』を表す。 （参考例１） ２−（トランス−４−プロピル）シクロ
ヘキシル）−１−（３，４−ジフルオロフェニル）エタ
ノンの合成 （イ）塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム５
４．０ｇをトルエン１５０ｍｌ及びＴＨＦ５０ｍｌ中に
懸濁させ、氷冷した。ｔ−ブトキシカリウム１７．７ｇ
をゆっくり添加し、１時間撹拌した。トランス−４−プ
ロピルシクロヘキサン−４−カルバルデヒド２０．２ｇ
をトルエン７０ｍｌに溶解し、同温度で３０分間で滴下
した。さらに３０分間撹拌した後室温に戻し、水２００
ｍｌを加え、有機層を分離した。有機層を濃縮し、ヘキ
サン５００ｍｌを加え、不溶のトリフェニルホスフィン
オキシドを濾別後、メタノール／水＝２／１の混合溶媒
２００ｍｌで洗滌した。ヘキサン層を濃縮し、得られた
油状の粗生成物をＴＨＦ１００ｍｌに溶解し、１０％塩
酸８０ｍｌを加え、１時間溶媒の還流下に加熱撹拌し
た。放冷後、酢酸エチル１００ｍｌで抽出し、水で洗滌
後、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥し、溶媒を溜去して
油状のトランス−４−プロピルシクロヘキサン−トラン
ス−４−エタナール１４．１ｇを得た。 （ロ）乾燥したＴＨＦ３ｍｌ中に削り状マグネシウム
３．８ｇを加えた。これに１−ブロモ−３，４，−ジフ
ルオロベンゼン１９．２ｇのＴＨＦ８０ｍｌ溶液を、穏
やかな還流が持続する速度で滴下した。滴下終了後、さ
らに１時間撹拌した。放冷後、（イ）で得たトランス−
４−プロピルシクロヘキサン−トランス−４−エタナー
ル１４ｇのＴＨＦ８０ｍｌ溶液を内温が４０℃を超さな
いよう注意して１時間で滴下した。室温でさらに１時間
撹拌した後、撹拌しながら稀塩酸を水層が弱酸性となる
まで加えた。酢酸エチルで抽出し、有機層を水、次いで
飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。
溶媒を溜去して得られた粗生成物２４．８ｇをジクロロ
メタン５０ｍｌに溶解し、これをシリカゲル２５ｇを懸
濁させたクロロクロム酸ピリジニウム２６．９ｇのジク
ロロメタン１２５ｍｌ溶液に加え、１時間室温で攪拌し
た。不溶物をセライト濾過して除去し、溶媒を溜去して
得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（ヘキサン／酢酸エチル＝９）を用いて精製して、２−
（トランス−４−プロピル）シクロヘキシル−１−
（３，４−ジフルオロフェニル）エタノンの白色結晶２
０．３ｇを得た。
【００８０】また、上記においてトランス−４−プロピ
ルシクロヘキサンカルバルデヒドに換えて、トランス−
４−ペンチルシクロヘキサンカルバルデヒドを用いた他
は同様にして、２−（トランス−４−ペンチル）シクロ
ヘキシル−１−（３，４−ジフルオロフェニル）エタノ
ンを合成した。 （実施例１） ２−（トランス−４−プロピル）シクロ
ヘキシル−１−（３，４−ジフルオロフェニル）エタノ
ンの重水素化 重水（Ｄ化率９９．９％）２５ｍｌにナトリウムメトキ
シド２ｇを溶解した。これに臭化テトラブチルアンモニ
ウム５００ｍｇ及び参考例１で得た２−（トランス−４
−ペンチル）シクロヘキシル−１−（３，４−ジフルオ
ロフェニル）エタノン２０ｇのジクロロメタン３０ｍｌ
溶液を加え、攪拌下に１時間加熱還流させた。放冷後、
水層を除去し、有機層は水で水層が中性になるまで洗滌
した。無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた後、溶媒を
溜去して２，２−ｄ2−２−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）−１−（３，４−ジフルオロフェニ
ル）エタノンの白色結晶２０ｇを得た。 （実施例２） １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）エチル］−３，４−ジフルオロ
ベンゼンの合成 （２−ａ） ２，２−ｄ2−２−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）−１−（３，４−ジフルオロフェ
ニル）エタノールの合成 水素化アルミニウムリチウム０．８ｇをＴＨＦ１０ｍｌ
に懸濁させた。これに実施例１で得た２，２−ｄ2−２
−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−１−
（３，４−ジフルオロフェニル）エタノン６．０ｇのＴ
ＨＦ３０ｍｌ溶液を氷冷下１時間で滴下した。滴下終了
後、３０分間攪拌し、水を加えて過剰の水素化物を分解
した。塩酸を加えて無機物を沈殿させて傾しゃで除去
し、上澄み液は水次いで飽和食塩水で洗滌した。無水硫
酸ナトリウムで脱水乾燥させた後、溶媒を溜去して２，
２−ｄ2−２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−１−（３，４−ジフルオロフェニル）エタノール
５．９ｇを得た。 （２−ｂ） １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）エテニル］−３，４−ジフルオロ
ベンゼンの合成 （２−ａ）で得た２，２−ｄ2−２−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）−１−（３，４−ジフルオロ
フェニル）エタノール５．９ｇをトルエン６０ｍｌに溶
解し、硫酸水素カリウム１００ｍｇを加え、還流下に５
時間加熱撹拌した。放冷後、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液、次いで水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製して、１−
［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）エテニル］−３，４−ジフルオロベンゼンの結晶
３．５ｇを得た。 （２−ｃ） １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）エチル］−３，４−ジフルオロベ
ンゼンの合成 （２−ｂ）で得た１−［２−ｄ−２−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）エテニル］−３，４−ジフル
オロベンゼン３．５ｇを酢酸エチル３５ｍｌに溶解し
た。これに０．５ｇのパラジウム炭素を加え、水素圧４
Ｋｇ／ｃｍ２で２時間室温で撹拌した。セライト濾過に
より触媒を除去し、減圧下に溶媒を溜去して、１−［２
−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
エチル］−３，４−ジフルオロベンゼン３．２ｇを得
た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキ
サン）で精製して、室温で油状の精製物２．３ｇを得
た。
【００８１】同様にして以下の化合物を得た。 １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−３，４−ジフルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−３，４−ジフルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−３，４−ジフルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−３，４−ジフルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−３，４，５−トリフルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−３，４，５−トリフルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−３，４，５−トリフルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−３，４，５−トリフルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−３，４，５−トリフルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−フルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−４−フルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−フルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−フルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−フルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−３−フルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−３−フルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−３−フルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−３−フルオロベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−３−フルオロベンゼン ２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）
エチルベンゼン ２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）エチルベンゼン ２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）
エチルベンゼン ２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）エチルベンゼン ２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ル）エチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−トリフルオロメトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−４−トリフルオロメトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−トリフルオロメトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−トリフルオロメトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−トリフルオロメトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−（２，２，２−トリフルオロエト
キシ）ベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−４−（２，２，２−トリフルオロエ
トキシ）ベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−（２，２，２−トリフルオロエト
キシ）ベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−（２，２，２−トリフルオロエ
トキシ）ベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−（２，２，２−トリフルオロエ
トキシ）ベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−３−フルオロ−４−トリフルオロメト
キシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−３−フルオロ−４−トリフルオロメ
トキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−３−フルオロ−４−トリフルオロメト
キシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−３−フルオロ−４−トリフルオロメ
トキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−３−フルオロ−４−トリフルオロメ
トキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−３，５−ジフルオロ−４−トリフルオ
ロメトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−３，５−ジフルオロ−４−トリフル
オロメトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−３，５−ジフルオロ−４−トリフルオ
ロメトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−３，５−ジフルオロ−４−トリフル
オロメトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−３，５−ジフルオロ−４−トリフル
オロメトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−トリフルオロメチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−４−トリフルオロメチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−トリフルオロメチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−トリフルオロメチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−トリフルオロメチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−ジフルオロメトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−４−ジフルオロメトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−ジフルオロメトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−ジフルオロメトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−ジフルオロメトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−メトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−４−メトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−メトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−メトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−メトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−３−フルオロ−４−メトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−３−フルオロ−４−メトキシベンゼ
ン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−３−フルオロ−４−メトキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−３−フルオロ−４−メトキシベンゼ
ン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−３−フルオロ−４−メトキシベンゼ
ン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−２，３−ジフルオロ−４−エトキシベ
ンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−２，３−ジフルオロ−４−エトキシ
ベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−２，３−ジフルオロ−４−エトキシベ
ンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−２，３−ジフルオロ−４−エトキシ
ベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−２，３−ジフルオロ−４−エトキシ
ベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−メチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−４−メチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−メチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−メチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−メチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−エチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−４−エチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−エチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−エチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−エチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−メチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−プロピルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−プロピルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−４−プロピルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−メチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−ペンチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−ペンチルベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−４−ペンチルベンゼン （実施例３） １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）エチル］−４−シアノベンゼン
の合成 実施例２で得た２−ｄ−２−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）エチルベンゼン８．４ｇをジクロロメ
タン１００ｍｌに溶解し、これに無水塩化アルミニウム
１０．４ｇを加え撹拌した。氷冷下、シュウ酸ジクロリ
ド５．２ｇを３０分間で滴下した。同温度で１時間撹拌
した後室温に戻し、氷水中にあけ、ヘキサンで抽出して
安息香酸クロリド誘導体を得た。この全量をジクロロメ
タン１００ｍｌに溶解し、３０％アンモニア水４０ｍｌ
を加え、１時間撹拌した。ヘキサンを加え、析出した結
晶を濾取し、１０％塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液、水、冷メタノールで順次洗滌し、減圧下に乾燥し
て、ベンズアミド体の結晶８．６ｇを得た。これを塩化
チオニル５０ｍｌ中で、３時間加熱還流させた。減圧下
に過剰の塩化チオニルを溜去し、トルエンを加え、飽和
炭酸水素ナトリウム水溶液、水、次いで飽和食塩水で洗
滌し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した。溶媒を溜去
し、得られた粗生成物をエタノールから再結晶して、１
−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）エチル］−４−シアノベンゼン４．８ｇを得た。
その相転移温度は第１表にまとめて示した。
【００８２】同様にして以下の化合物を得た。 １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−シアノベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−シアノベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−シアノベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−シアノベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−３−フルオロ−４−シアノベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−３−フルオロ−４−シアノベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−３−フルオロ−４−シアノベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−３−フルオロ−４−シアノベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−３−フルオロ−４−シアノベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−３，５−ジフルオロ−４−シアノベン
ゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］−３，５−ジフルオロ−４−シアノベ
ンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−３，５−ジフルオロ−４−シアノベン
ゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−３，５−ジフルオロ−４−シアノベ
ンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−３，５−ジフルオロ−４−シアノベ
ンゼン （実施例４） １−［２−ｄ−２−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）エチル］−４−アリルオキシベ
ンゼンの合成 実施例２で得た１−［２−ｄ−２−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）エチル］−４−メトキシベンゼ
ン３．５ｇを酢酸４０ｍｌに溶解し、６５％臭化水素酸
４０ｍｌを加え、６時間加熱還流させた。放冷後、水５
００ｍｌ中に加え、トルエンで抽出した。有機層は水で
洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた。減
圧下に溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝５／
１）で精製して、４−［２−ｄ−２−（トランス−４−
プロピルビシクロヘキシル）エチルフェノールの結晶
２．２ｇを得た。
【００８３】この全量をＴＨＦ５０ｍｌに溶解し、ナト
リウムメトキシド０．５５ｇを加え１時間室温で攪拌し
た。これに臭化アリル１．２ｇのＴＨＦ１０ｍｌ溶液を
滴下し、還流下に２時間加熱攪拌させた。放冷後、１０
％塩酸を加えて中和しトルエンで抽出した。有機層は水
で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた。
減圧下に溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製して１−
［２−ｄ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）エチル］−４−アリルオキシベンゼン２．０ｇを得
た。
【００８４】同様にして以下の化合物を得た。 １−［２−ｄ−２−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−アリルオキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）エチル］−４−アリルオキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−アリルオキシベンゼン １−［２−ｄ−２−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）エチル］−４−アリルオキシベンゼン （実施例５） １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）エチル］−３，４−ジフ
ルオロベンゼンの合成 実施例１で得た２，２−ｄ2−２−（トランス−４−プ
ロピル）シクロヘキシル−１−（３，４−ジフルオロフ
ェニル）エタノン６．０ｇをジクロロメタン２５ｍｌに
溶解した。これに１，３−プロパンジチオール３．４ｇ
のジクロロメタン５ｍｌ溶液を加え、さらに三フッ化ホ
ウ素エーテル錯体３．４ｇを滴下した。室温で１時間攪
拌した後、水を加え、１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液で２
回、水、飽和食塩水で順次洗滌し無水硫酸ナトリウムで
脱水乾燥させた。減圧下に溶媒を溜去してチオアセター
ル体８．２ｇを得た。
【００８５】この全量をエタノール１００ｍｌに溶解
し、ラネーニッケル４０ｇを加え、５０℃で５時間攪拌
した。不溶物を濾過で除き、濾液は１０％塩酸、水、次
いで飽和食塩水で順次洗滌し無水硫酸ナトリウムで脱水
乾燥させた。減圧下に溶媒を溜去して得られた粗生成物
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で
精製し、油状の１−［２，２−ｄ2−２−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）エチル］−３，４−ジフ
ルオロベンゼン３．６ｇを得た。
【００８６】同様にして以下の化合物を得た。 １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−エチルシク
ロヘキシル）エチル］−３，４−ジフルオロベンゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−ブチルシク
ロヘキシル）エチル］−３，４−ジフルオロベンゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）エチル］−３，４−ジフルオロベンゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−ヘプチルシ
クロヘキシル）エチル］−３，４−ジフルオロベンゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−エチルシク
ロヘキシル）エチル］−３，４，５−トリフルオロベン
ゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）エチル］−３，４，５−トリフルオロベ
ンゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−ブチルシク
ロヘキシル）エチル］−３，４，５−トリフルオロベン
ゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）エチル］−３，４，５−トリフルオロベ
ンゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−ヘプチルシ
クロヘキシル）エチル］−３，４，５−トリフルオロベ
ンゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−エチルシク
ロヘキシル）エチル］−４−フルオロベンゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）エチル］−４−フルオロベンゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−ブチルシク
ロヘキシル）エチル］−４−フルオロベンゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）エチル］−４−フルオロベンゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−ヘプチルシ
クロヘキシル）エチル］−４−フルオロベンゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−エチルシク
ロヘキシル）エチル］−４−トリフルオロメトキシベン
ゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）エチル］−４−トリフルオロメトキシベ
ンゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−ブチルシク
ロヘキシル）エチル］−４−トリフルオロメトキシベン
ゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）エチル］−４−トリフルオロメトキシベ
ンゼン １−［２，２−ｄ2−２−（トランス−４−ヘプチルシ
クロヘキシル）エチル］−４−トリフルオロメトキシベ
ンゼン （実施例６）液晶組成物の調製（１） 以下の組成からなる母体液晶（Ｍ）
【００８７】
【化２８】
【００８８】（シクロヘキサン環はトランス配置を表
す。）は５４．５℃以下でネマチック（Ｎ）相を示す。
このホスト液晶（Ｍ）の８５％と実施例２で得た第１表
（Ｉａ−３）の化合物
【００８９】
【化２９】
【００９０】１５％とからなる混合液晶（Ｍ−１）を調
製した。この液晶組成物のＮ相の上限温度は３６℃であ
った。この組成物を−２０℃で保存したところ、２週間
経過しても、結晶の析出や相分離は観察できなかった。
【００９１】次に、ホスト液晶（Ｍ）８５％、（Ｉａ−
３）の化合物１０％及び（Ｉａ−３）の化合物と同じ骨
格構造を有するが、重水素置換されていない（Ａ−３）
【００９２】
【化３０】
【００９３】の化合物５％とからなる液晶組成物（Ｍ−
２）を調製し、同様に−２０℃で保存したところ２週間
経過しても、やはり結晶の析出や相分離は観察できなか
った。 （比較例１）ホスト液晶（Ｍ）の８５％と（Ａ−３）の
化合物１５％からなる混合液晶（Ｍ−Ｒ）を調製した。
この液晶組成物のＮ相の上限温度は３６℃であった。次
にこの組成物を−２０℃で保存したところ、２週間でわ
ずかではあるが結晶の析出と相分離が認められた。
【００９４】従って、本発明の重水素置換された液晶化
合物からなる混合物を、従来より使用されているホスト
液晶に添加して得られる混合液晶は、低温でも結晶が析
出しにくいことがわかる。 （実施例７）液晶組成物の調製（２） 特にアクティブマトリックス用として好適なホスト液晶
（Ｎ）
【００９５】
【化３１】
【００９６】を調製した。このホスト液晶（Ｎ）は１１
６．７℃以下でネマチック相を示し、その融点は１１℃
である。このホスト液晶（Ｎ）７０％と実施例５で得た
第１表（Ｉｂ−３）
【００９７】
【化３２】
【００９８】の化合物７．５％、前述の（Ｉａ−３）の
化合物１５％及び重水素置換されていない（Ａ−３）の
化合物７．５％から成る液晶組成物（Ｎ−１）を調製し
た。この組成物を０℃で放置したが２週間経過しても結
晶化しなかった。 （比較例２）ホスト液晶（Ｎ）の７０％と（Ａ−３）の
化合物３０％とからなる混合液晶（Ｎ−Ｒ）を調製し、
同様にして０℃で保存したところ、１週間以内に相分離
と結晶の一部析出とが観察された。
【００９９】以上から、本発明に係わる重水素置換され
た液晶性化合物を含有する混合液晶は低温で結晶が析出
し難く、実用的な液晶として極めて有用であることがわ
かる。
【０１００】
【発明の効果】本発明により提供される、重水素置換さ
れたシクロヘキシルエチルベンゼン（ＣＥＰ）骨格を有
する（２−シクロヘキシルエチル）ベンゼン誘導体は、
実施例にも示したように市販の入手容易な化合物から工
業的にも容易に製造することができる。得られた（２−
シクロヘキシルエチル）ベンゼン誘導体及びその混合物
を含有する液晶組成物は、対応する重水素置換されてい
ない液晶化合物のみを含有する液晶組成物と比較して、
低温でも結晶が析出し難いという特徴を有するため、実
用的液晶として極めて有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｃ 43/225 Ｃ０７Ｃ 43/225 Ｃ 255/49 255/49 261/02 261/02 Ｃ０９Ｋ 19/18 Ｃ０９Ｋ 19/18 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ // Ｃ０７Ｂ 59/00 Ｃ０７Ｂ 59/00 Ｃ０７Ｍ 5:00

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一般式（Ｉａ） 【化１】 （式中、Ｒ1は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表
    し、Ｙ1、Ｙ2及びＹ3はそれぞれ独立的に水素原子又は
    フッ素原子を表し、Ｚはフッ素原子、塩素原子、臭素原
    子、水素原子、シアノ基、−Ｒ2、−ＯＲ2、−ＯＣＮ、
    −ＣＦ3、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ又は−ＯＣＨ2ＣＦ3
    を表し、Ｒ2は炭素原子数１〜１２のアルキル基又は炭
    素原子数２〜１２のアルケニル基を表し、Ｄは重水素原
    子を表し、シクロヘキサン環はトランス配置である。）
    で表される化合物。
  2. 【請求項２】 一般式（Ｉｂ） 【化２】 （式中、Ｒ1は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表
    し、Ｙ1、Ｙ2及びＹ3はそれぞれ独立的に水素原子又は
    フッ素原子を表し、Ｚはフッ素原子、塩素原子、臭素原
    子、水素原子、シアノ基、−Ｒ2、−ＯＲ2、−ＯＣＮ、
    −ＣＦ3、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ又は−ＯＣＨ2ＣＦ3
    を表し、Ｒ2は炭素原子数１〜１２のアルキル基又は炭
    素原子数２〜１２のアルケニル基を表し、Ｄは重水素原
    子を表し、シクロヘキサン環はトランス配置である。）
    で表される化合物。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の一般式（Ｉａ）で表され
    る化合物及び請求項２記載の一般式（Ｉｂ）で表される
    化合物からなる混合物。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の一般式（Ｉａ）で表され
    る化合物及び一般式（Ａ） 【化３】 （式中、Ｒ1は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表
    し、Ｙ1、Ｙ2及びＹ3はそれぞれ独立的に水素原子又は
    フッ素原子を表し、Ｚはフッ素原子、塩素原子、臭素原
    子、水素原子、シアノ基、−Ｒ2、−ＯＲ2、−ＯＣＮ、
    −ＣＦ3、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ又は−ＯＣＨ2ＣＦ3
    を表し、Ｒ2は炭素原子数１〜１２のアルキル基又は炭
    素原子数２〜１２のアルケニル基を表し、シクロヘキサ
    ン環はトランス配置である。）で表される化合物からな
    る混合物。
  5. 【請求項５】 請求項１記載の一般式（Ｉａ）で表され
    る化合物、請求項２記載の一般式（Ｉｂ）で表される化
    合物及び請求項４記載の一般式（Ａ）で表される化合物
    からなる混合物。
  6. 【請求項６】 請求項１記載の一般式（Ｉａ）で表され
    る化合物又は請求項２記載の一般式（Ｉｂ）で表される
    化合物を含有する液晶組成物。
  7. 【請求項７】 請求項３、４又は５記載の混合物を含有
    する液晶組成物。
  8. 【請求項８】 請求項６又は７記載の液晶組成物を構成
    要素とする液晶表示素子。
JP8296417A 1996-11-08 1996-11-08 （２−シクロヘキシルエチル）ベンゼン誘導体 Pending JPH10139694A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8296417A JPH10139694A (ja) 1996-11-08 1996-11-08 （２−シクロヘキシルエチル）ベンゼン誘導体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8296417A JPH10139694A (ja) 1996-11-08 1996-11-08 （２−シクロヘキシルエチル）ベンゼン誘導体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10139694A true JPH10139694A (ja) 1998-05-26

Family

ID=17833281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8296417A Pending JPH10139694A (ja) 1996-11-08 1996-11-08 （２−シクロヘキシルエチル）ベンゼン誘導体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10139694A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003104166A1 (ja) * 2002-06-06 2003-12-18 和光純薬工業株式会社 不活性メチレンの重水素化方法
CN103194242A (zh) * 2013-04-16 2013-07-10 石家庄诚志永华显示材料有限公司 含有氘的液晶化合物及其制备方法与应用

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003104166A1 (ja) * 2002-06-06 2003-12-18 和光純薬工業株式会社 不活性メチレンの重水素化方法
US7126023B2 (en) 2002-06-06 2006-10-24 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Method for deuteration of an inert methylene
CN103194242A (zh) * 2013-04-16 2013-07-10 石家庄诚志永华显示材料有限公司 含有氘的液晶化合物及其制备方法与应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3783246B2 (ja) ｐ−テルフェニル誘導体
JP4258033B2 (ja) ６−フルオロナフタレン誘導体である新規液晶性化合物とそれを含有する液晶組成物
JP3783247B2 (ja) １，２−ジシクロヘキシルプロパン誘導体
JP3783248B2 (ja) ４−（２−シクロヘキシル）プロピル−ｐ−テルフェニル誘導体
JP3692430B2 (ja) ４−（２−シクロヘキシルプロピル）ベンゼン誘導体
JPH10139694A (ja) （２−シクロヘキシルエチル）ベンゼン誘導体
JPH06313170A (ja) フェニルビシクロヘキサン誘導体
JP3487356B2 (ja) シクロヘキサン誘導体
JP3632778B2 (ja) （２−シクロヘキシル）プロピルベンゼン誘導体
JP3632772B2 (ja) ４−アルケニルオキシ−３，５−ジフルオロベンゼン誘導体
JP4096395B2 (ja) （トリフルオロメトキシ）アルキル基を含有する化合物とそれを含有する液晶組成物及びその製造方法
JP4239242B2 (ja) フェニルナフタレン誘導体
JP3613806B2 (ja) フェニルビシクロヘキサン誘導体
JP3531182B2 (ja) ジフルオロアルキルシクロヘキサン誘導体
JP3642345B2 (ja) （フルオロアルケニル）ベンゼン誘導体
JPH07278548A (ja) シクロヘキシルビフェニル誘導体
JPH07216356A (ja) フェニルシクロヘキサン誘導体及びその中間体
JPH09157195A (ja) 新規化合物及びそれを用いた液晶組成物
JPH06206836A (ja) フルオロアルキルシクロヘキサン誘導体
JP2003040814A (ja) 連結基として１，２−プロパンジイル基を有する新規液晶性化合物とそれを含有する液晶組成物
JPH09291048A (ja) シクロヘキサン誘導体
JPH07138567A (ja) フェニルビシクロヘキサン誘導体
JPH09278687A (ja) ジフェニルメタン誘導体
JPH107597A (ja) ビシクロヘキサン誘導体
JPH0710784A (ja) フェニルシクロヘキサン誘導体