JPH10135488A - 半導体加工部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】乾燥工程において、また振動衝撃により、可動
電極が半導体基板に接着せず、製造工程の簡単な半導体
加工部品の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体基板１の上に犠牲層を形成し、この
犠牲層と半導体基板１の上に半導体層を形成する。この
犠牲層は、中層が上層および下層に比べてエッチングさ
れ易い層となっている。半導体層を加工して可動電極６
などを形成する。ついで犠牲層をエッチングして、エッ
チングされ易い中層を消失させ、エッチングされにく上
層および下層のエッチング残渣で、互いに向き合う非接
触の突起２ａ”、２ｃ”を可動電極６と半導体基板１に
形成する。そして、洗浄乾燥して半導体加工部品を製造
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、加速度センサ、角
速度センサなどの半導体加工部品の製造方法に関し、よ
り詳細には、半導体加工部品の互いに向き合う可動電極
と半導体基板とに非接触の突起を形成し、可動電極と半
導体基板との接着を防止した半導体加工部品の製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、可動電極を有する半導体加工部品
の製造方法においては、この可動電極がその下に形成さ
れた犠牲層をエッチング除去することにより半導体基板
から浮かされて振動可能に形成される。この犠牲層のエ
ッチングは、通常ウエット工程により行われるので、洗
浄乾燥が不可欠となる。この半導体加工部品は、その可
動電極と半導体基板とは、その間隙が数μｍ以下と接近
しているので、従来のスピンドライなどの乾燥方法を用
いると、前記間隙に侵入した洗浄水の表面張力のため
に、可動電極が半導体基板に引き寄せられて、可動電極
が半導体基板に接着してしまうということがある。

【０００３】このように可動電極と半導体基板とが接着
するのを防止するため、その改善手段として凍結乾燥方
法が用いられている。この凍結乾燥方法は、半導体加工
部品を洗浄した後、２−メチル−２−プノパノール等の
溶液に浸漬して、この溶液と洗浄水との置換を十分に行
った後、この溶液を凍結させて固体となし、この固体を
真空装置内で昇華させて、可動電極と半導体基板との間
の間隙を保持するというものである。

【０００４】また、２酸化炭素の超臨界状態を利用して
乾燥させる方法も知られている。この方法は、洗浄液と
して使用される純水を液体２酸化炭素に置換し、この液
体２酸化炭素を加熱して超臨界領域に移行させる。この
超臨界領域においては、２酸化炭素は、表面張力を消失
してしまう。そして、最終的にこの２酸化炭素は大気圧
まで減圧されて気体に戻される。このようにして、可動
電極と半導体基板との間の間隙を保持するというもので
ある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
凍結乾燥方法においては、洗浄水を特殊な溶剤へ置換す
る工程、この溶剤を凍結して固体化する工程、およびこ
の固体を昇華する工程を必要として工程数が増加してい
た。特に、洗浄水を溶剤に置換するのに時間がかかり、
また、この置換が十分でないと可動電極の一部が半導体
基板に接着し、更に溶剤の量が多いと、後の昇華の工程
において素子が破壊し、逆に少ないと可動電極が半導体
基板に接着するという問題があった。

【０００６】また、超臨界状態を利用する乾燥方法にお
いては、液体２酸化炭素を超臨界領域に移行させる工
程、２酸化炭素を気体にもどす工程と、工程数が増加す
ると共に、専用の装置を必要としてコスト高になるとい
う問題があった。

【０００７】更に、完成した半導体加工部品において
も、使用環境の悪化あるいは衝撃などで可動電極が半導
体基板に接着するという問題があった。

【０００８】そこで、本発明は、乾燥工程において、ま
た振動あるいは衝撃により、可動電極が半導体基板に接
着せず、製造工程の簡単な半導体加工部品の製造方法を
提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体基板上に、下層、中層および上層の３層構造
よりなる犠牲層であって、前記中層が前記下層および上
層に対しエッチングされ易いもの、を形成し、この犠牲
層を含む前記半導体基板上に半導体層を形成し、前記半
導体層を加工して可動部および固定電極を形成し、前記
犠牲層をエッチングすることにより、前記中層をエッチ
グ除去して、前記可動部を前記半導体基板から浮かせて
振動可能に形成し、かつ、前記上層および下層のエッチ
ング残渣により前記可動部の可動電極と前記半導体基板
とに互いに向き合う非接触の残渣突起をそれぞれ形成す
るものである。

【００１０】この発明は、半導体基板と可動部との間に
犠牲層を形成する。この犠牲層は、上層および下層にエ
ッチングされにくい層が配置され、中層にエッチングさ
れ易い層が配置されている。この犠牲層をエッチングす
ると、エッチングされ易い中層が早くエッチングされて
消失する。

【００１１】即ち、基板と可動電極との間の犠牲層はそ
の周囲からエッチング孔より流入したエッチング液によ
り時間の経過に伴って等方的にエッチングされて行く。
中層はエッチングされやすいので、即ちエッチング速度
が速いので、上層および下層が除去される前になくな
り、上層と下層が分離される。そして、上層および下層
も台形状あるいは３角形状になっていくが、この時点で
エッチングを停止する。このように、エッチング時間を
制御することにより、エッチングされにくい上層および
下層のエッチング残渣を互いに向き合う非接触の突起状
に形成する。このようにして製造された半導体加工部品
は、最終の工程において、純水で洗浄され乾燥される
が、この乾燥において、可動電極と半導体基板との間隙
に侵入した水が蒸発するとき表面張力が作用して可動電
極と半導体基板が接着する懸念がある。しかしながら、
本発明により製造される半導体加工部品の可動電極と半
導体基板との間には、先端面積の小さい突起が形成され
ているので、たとえ突起の先端同志が接触したとして
も、作用する表面張力も小さく、可動電極と半導体基板
とは直ぐ離れて継続して接着することがない。また、こ
の可動電極と半導体基板とは、完成後において振動衝撃
により接触しても、突起の先端面積（接触面積）が小さ
いので、接触は一時的で、直ぐ元の非接触の状態に戻り
継続して接着することはない。

【００１２】請求項２に記載の発明は、前記犠牲層の上
層および下層が絶縁層よりなり、中層が不純物の注入さ
れた絶縁層よりなるものである。

【００１３】この発明は、絶縁層よりなる犠牲層の厚み
方向の中間部に不純部を注入することにより中層を形成
し、エッチングされにくい上層および下層、エッチング
され易い中層からなる３層構造の犠牲層を簡単に形成す
る。その後の可動部などの形成、可動電極と半導体基板
に形成された残渣突起の作用などは、請求項１に記載の
発明と同様である。

【００１４】請求項３に記載の発明は、絶縁層を表面側
の半導体基板と裏面側の半導体基板とで両側から挟持し
た３層構造よりなる疑似ＳＯＩ基板を形成し、前記絶縁
層の厚み方向の中間に不純物のイオンを注入して中層を
形成して、この中層に比べてエッチングされにくい上層
および下層からなる３層構造の犠牲層を形成し、前記表
面側の半導体基板をエッチングして可動部および固定電
極を形成し、前記可動部の下部に形成された前記犠牲層
をエッチングすることにより、前記中層をエッチグ除去
して、前記可動部を前記半導体基板から浮かせて振動可
能に形成し、かつ、前記上層および下層のエッチング残
渣により前記可動部の可動電極と前記裏面側の半導体基
板とに互いに向き合う非接触の残渣突起をそれぞれ形成
するものである。

【００１５】この発明は、疑似ＳＯＩ基板の酸化シリコ
ン層に３層構造の犠牲層を形成する。この形成は、不純
物のイオン注入などにより行われ、エッチングされにく
い上層および下層、不純物の注入されたエッチングされ
易い中層が形成される。その後の可動部などの形成、可
動電極と半導体基板に形成された残渣突起の作用など
は、請求項１に記載の発明と同様である。

【００１６】請求項４に記載の発明は、一つの主面に絶
縁層の形成された２枚の半導体基板を、前記絶縁層側を
重ねて接合し、一方の前記半導体基板を研磨して薄く加
工し、前記接合された絶縁層のうち、一つの絶縁層と他
の絶縁層を、それぞれエッチングされにくい上層および
下層とし、これらの絶縁層の接合面をエッチングされ易
い中層とする３層構造よりなる犠牲層を形成し、前記研
磨した半導体基板をエッチングして可動部および固定電
極を形成し、前記可動部の下部に形成された前記犠牲層
をエッチングすることにより、前記中層をエッチグ除去
して、前記可動部を他方の前記半導体基板から浮かせて
振動可能に形成し、かつ、前記上層および下層のエッチ
ング残渣により前記可動部の可動電極と他方の前記半導
体基板とに互いに向き合う非接触の残渣突起をそれぞれ
形成するものである。この発明は、疑似ＳＯＩ基板の接
合された絶縁層に３層構造の犠牲層を形成する。２つの
接合された絶縁層が、エッチングされにくい上層および
下層となり、それらの絶縁層の直接結合による接合面
は、化学的に強固な接合面となっていないので、エッチ
ングされ易い中層となる。

【００１７】その後の可動部などの形成、可動電極と半
導体基板に形成された残渣突起の作用などは、請求項１
に記載の発明と同様である。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の半導体加工部品
の製造方法について、図面を参照して説明する。図１に
おいて、１０は本発明の製造方法により製造された半導
体加工部品で、以下に示す工程により製造される。

【００１９】図２において、１はシリコンなどよりなる
半導体基板である。この半導体基板１の上に、下層２
ｃ、中層２ｂおよび上層２ａの３層構造よりなる層を形
成する。このうち、中層２ｂは下層２ｃおよび上層２ａ
に比べてエッチングされ易い、即ちエッチング速度の速
い層となっている。したがって、下層２ｃおよび上層２
ａは、中層２ｂに比べてエッチングされにくい、即ちエ
ッチング速度の遅い層となる。以下に、これらの層の形
成手段について説明する。

【００２０】下層２ｃは、熱酸化などの成膜手段を用
い、酸化シリコン層により２μｍの厚みに形成される。
つぎに、この下層２ｃの上に、ＣＶＤ（化学気相堆積）
等の成膜手段を用いて、リンのドープされた酸化シリコ
ン層よりなる中層２ｂを０．１μｍの厚みに成膜する。
更に、この中層２ｂの上に、ＣＶＤ、スパッタ等の成膜
手段を用いて、酸化シリコン層よりなる上層２ａを２μ
ｍの厚みに成膜する。これらの上層２ａおよび下層２ｃ
および中層２ｂの厚みは、それぞれ約０．１μｍ〜数μ
ｍの範囲で可能である。中層２ｂは、上層２ａおよび下
層２ｃに比べて、エッチング速度を早くして、エッチン
グが容易に進行するようになっている。

【００２１】図３において、フォトリソグラフィー技術
およびフッ酸（ＨＦ）溶液を用いたウエットエッチング
により、図１に破線２’で示す矩形状の大きさに、上層
２ａ、中層２ｂおよび下層２ｃをパターニングして、上
層２ａ’、中層２ｂ’および下層２ｃ’よりなる犠牲層
２ｓを形成する。

【００２２】図４において、犠牲層２ｓおよび露出して
いる半導体基板１の上に、多結晶シリコンなどの半導体
層３を成膜する。

【００２３】図５において、フォトリソグラフィー技術
および６フッ化硫黄（ＳＦ₆ ）ガスを用いたＲＩＥ（Re
active Ion Etching）により、半導体層３をパターニン
グして、図１に示す６個の固定電極４ａ〜４ｆ、該固定
電極４ａ、４ｂ、４ｅ、４ｆに結合された支持梁５、こ
れらの支持梁５に４つの角部を支持された可動電極６、
前記固定電極４ｃ、４ｄと可動電極６とに設けられた櫛
歯電極７を形成する。この櫛歯電極７は、可動電極６側
の櫛歯電極７ａと固定電極４ｃ、４ｄ側の櫛歯電極７ｂ
との間に容量が形成されるようになっている。なお、上
記の可動電極６、支持梁５および櫛歯電極７は、可動部
を構成する。

【００２４】図６において、エッチング液にフッ化水素
（ＨＦ）を含む溶液を用い、図１および図５に示す孔８
を通して、犠牲層２ｓのウエットエッチングを行い、犠
牲層２ｓを除去する。このとき、エッチング時間を制御
して、可動電極６の下面中央部にエッチングの残渣突起
２ａ”と、これと対向する部分の半導体基板１の上面に
エッチングの残渣突起２ｃ”とを非接触に形成する。こ
の犠牲層２ｓのエッチングにおいては、リンのドープさ
れた中層のエッチングされ易い層２ｂ’を早くエッチン
グして消失させ、そして上層および下層のエッチングさ
れにくい層２ａ’、２ｃ’のエッチング残渣を台形状あ
るいは３角形状の残渣突起２ａ”、２ｃ”に形成する。
この場合のエッチング液の組成および濃度は、犠牲層２
ｓの形状、性質を勘案して、ＨＦ（フッ化水素）、ＮＨ
₄ Ｆ（フッ化アンモニウム）、Ｈ₂ Ｏ（水）の混合割合
を下記のように設定した。

【００２５】ＨＦ：ＮＨ₄ Ｆ：Ｈ ₂ Ｏ＝１：２：８ エッチングの進行状況としては、中層のエッチングされ
易い層２ｂ’が最も早くエッチングされて消失し、上層
および下層のエッチングされにくい層２ａ’、２ｃ’も
エッチングが孔８側から犠牲層２ｓの奥に向かって進行
して、徐々に消失していくが、その過程において、台形
状の残渣突起２ａ”から三角形状の残渣突起２ｃ”へと
進行していく。

【００２６】このように、エッチングが進行していく過
程において、中層のエッチングされ易い層２ｂ’が消失
して、可動電極６が半導体基板１から離れて浮いた状態
になり、かつ、上層と下層のエッチングされにくい層２
ａ’、２ｃ’の残渣突起２ａ”、２ｃ”が台形状もしく
は三角形状になったときに、エッチングを止める。この
エッチング時間は、可動電極６の幅が５０μｍ、エッチ
ングされにくい上層２ａ’および下層２ｃ’の厚みが、
それぞれ２μｍ、エッチングされ易い中層２ｂ’の厚み
が、０．１μｍなので、約２時間程になる。

【００２７】上記エッチング液の混合比について、ＨＦ
またはＮＨ₄ Ｆの比率を変えると、エッチングされにく
い上層２ａ’、下層２ｃ’およびエッチングされ易い中
層２ｂ’のエッチング速度を変えることができる。この
ように、残渣突起２ａ”、２ｃ”の形状は、犠牲層２ｓ
の面積および厚さを考慮して決められ、エッチング液の
組成およびその割合でエッチング時間を制御することが
できる。

【００２８】この犠牲層２ｓのエッチング後、半導体加
工部品１０を、純水で洗浄し、その後、スピンドライで
水分を飛散させて乾燥する。

【００２９】本実施例は、以上のような工程よりなり、
可動電極６側の残渣突起２ａ”と半導体基板１側の残渣
突起２ｃ”の先端が台形状もしくは三角形状に形成され
ているので、乾燥工程で半導体基板１と可動電極６との
間に水が介在しても、この水が蒸発するときに作用する
表面張力が小さくなり、残渣突起２ａ”（可動電極６）
と残渣突起２ｃ”（半導体基板１）とは接着しない。

【００３０】つぎに、図７を参照して本発明の半導体加
工部品の製造方法の第２実施例について説明する。半導
体基板１１の上に、熱酸化、ＣＶＤ（化学気相堆積）、
蒸着、スパッタなどの成膜手段、フォトリソグラフィ技
術およびエッチング技術を用いて、酸化シリコン層１２
を数μｍの厚みで、第１実施例の図３の犠牲層２ｓと同
一の大きさに形成する。つぎに、この酸化シリコン層１
２および露出している半導体基板１１の上に、多結晶シ
リコンなどの半導体層１３を成膜する。つぎに、酸化シ
リコン層１２を３層構造にするため、イオン注入装置を
用いて、時間と注入エネルギーを制御して、酸化シリコ
ン層１２の厚み方向の中間にリンなどの不純物を注入
し、酸化シリコン１２の中間にエッチングされ易い中層
１２ｂを形成する。この中層１２ｂの上下は、エッチン
グされにくい上層１２ａ、下層１２ｃとなる。これらの
上層１２ａ、中層１２ｂおよび下層１２ｃは、３層構造
の犠牲層１２ｓを構成する。

【００３１】本実施例の以下の工程は、第１実施例の図
５および図６に示す工程と同様なので、その説明を援用
する。

【００３２】この第２実施例によれば、酸化シリコン層
１２の中間に、不純物のイオンを注入することにより、
上層および下層に比べて、エッチングされ易い中層１２
ｂを形成することができる。そして、犠牲層１２ｓをエ
ッチングすることにより、第１実施例と同様に、可動電
極６の下面と半導体基板１の上面とに、非接触で対抗す
る残渣突起２ａ”、２ｃ”を形成することができる。

【００３３】つぎに、図８〜図１０を参照して本発明の
半導体加工部品の製造方法の第３実施例について説明す
る。この実施例は、市販されているＳＯＩ（Siliocon O
n Insulator ）基板を使用して、半導体加工部品を製造
するものである。このＳＯＩ基板は、図８に示すよう
に、シリコン基板２１、酸化シリコン層２２およびシリ
コン層２３よりなる。このシリコン層２３は、ポリシリ
コン層よりなり、数μｍの厚みに加工されている。

【００３４】このＳＯＩ基板の酸化シリコン層２２の厚
み方向の中間に、リンなどの不純物のイオンを注入し
て、エッチングされ易い中層２２ｂを形成する。なお、
酸化シリコン層２２の中層２２ｂの上下は、エッチング
されにくい上層２２ａおよび下層２２ｃとなり、これら
の層は３層構造を形成する。そして、上層２２ａ、中層
２２ｂおよび下層２２ｃは後工程で可動部が形成される
領域の犠牲層２２ｓとなる。

【００３５】つぎに、図９において、第１実施例の図５
に示す工程と同様に、フォトリソグラフィー技術および
ドライエッチング技術を用いて、シリコン層２３をパタ
ーニングして、図１に示す６個の固定電極４ａ’〜４
ｆ’、該固定電極４ａ’、４ｂ’、４ｅ’、４ｆ’に結
合された支持梁５、これらの支持梁５に４つの角部を支
持された可動電極６、前記固定電極４ｃ’、４ｄ’と前
記可動電極６とに結合された櫛歯電極７を形成する。こ
の櫛歯電極７は、可動電極６側の櫛歯電極７ａと固定電
極４ｃ’、４ｄ’側の櫛歯電極７ｂとの間に容量が形成
されるようになっている。

【００３６】つぎに、図１０において、図６に示す第１
実施例と同様に、エッチング液にフッ化水素（ＨＦ）を
含む溶液を用い、図１および図９に示す孔８を通して、
可動部の下側の酸化シリコン層よりなる犠牲層２２ｓの
ウエットエッチングを行う。そして、可動電極６の下面
中央部にエッチングの残渣突起２２ａ’と、これと対向
する部分の半導体基板１の上面にエッチングの残渣突起
２２ｃ’とを非接触に形成する。なお、犠牲層２２ｓの
エッチングは、固定電極４ｃ’、４ｄ’の下部の酸化シ
リコン層２２にもおよぶが、この酸化シリコン層２２が
全部エッチングされないように、エッチング時間を制御
する。この実施例においては、ＳＯＩ基板を使用し、こ
のＳＯＩ基板の酸化シリコン層２２の中間に不純物のイ
オンを注入して犠牲層２２ｓを形成するので、犠牲層２
２ｓとなる酸化シリコン層２２および可動電極となるシ
リコン層２３を成膜する必要が無くなる。

【００３７】つぎに、図１１を参照して、本発明の半導
体加工部品の製造方法の第４実施例について説明する。
鏡面仕上げされている半導体基板３１の一つの主面に酸
化シリコン層３２が成膜されているものを２枚用意す
る。この２枚の半導体基板３１を水溶液（Ｈ₂ Ｏ₂ ＋Ｈ
₂ ＳＯ₄ ）に５分間浸して洗浄する。その後、酸化シリ
コン層３２側を重ね合わせて熱処理炉へ入れ、１１００
℃で１時間加熱して直接接合を行い疑似ＳＯＩ基板３０
を形成する。

【００３８】この疑似ＳＯＩ基板３０において、接合面
３３は直接接合により形成されて、純粋の酸化シリコン
層３２とは相違するので、エッチングされ易い中層３２
ｂとなり、この中層３２ｂの上下の酸化シリコン層３
２、３２がエッチングされにくい上層３２ａおよび下層
３２ｃとなる。これらの上層３２ａ、中層３２ｂおよび
下層３２ｃは、３層構造の犠牲層３２ｓを構成する。な
お、疑似ＳＯＩ基板３０の一方の半導体基板３１は、数
μｍの厚みに研磨されて、図９および図１０に示す第２
実施例と同様の工程を経て、半導体加工部品が製造され
る。

【００３９】本実施例においては、第２実施例および第
３実施例と相違して、酸化シリコン層の直接接合による
接合面をエッチングされ易い層３２ｂとして利用するの
で、不純物のイオン注入を行う必要がなくなる。

【００４０】

【発明の効果】請求項１に記載の発明は、３層構造より
なる犠牲層の中層が、上層および下層に対しエッチング
され易い層となっている。この犠牲層のエッチングにお
いて、前記エッチングされ易い中層を早く消失させて、
可動電極と半導体基板とに相互に向かい合う非接触の残
渣突起を形成する。この突起のために、可動電極と半導
体基板との接触面積が小さくなり、洗浄後の乾燥工程に
おいて、可動電極と半導体基板とが水の蒸発に伴う表面
張力により接着することがない。また、使用中において
も、振動衝撃により、可動電極と半導体基板とが接触し
たとしても継続して接着することがない。したがって、
歩留まりを向上し、かつ、動作不良を軽減することがで
きる。

【００４１】請求項２に記載の発明は、犠牲層の中間に
不純物のイオンを注入して、上層および下層に対しエッ
チングされ易い中層を形成するので、簡単な工程により
３層構造の犠牲層を形成することができる。

【００４２】請求項３に記載の発明は、ＳＯＩ基板を使
用して、その酸化シリコン層の中間に不純物のイオンを
注入して３層構造よりなる犠牲層を形成するので、酸化
シリコン層などの成膜工程を省略することができ、製造
工程が簡略となる。

【００４３】請求項４記載の発明は、酸化シリコン層の
形成されたシリコン基板を２枚、酸化シリコン層側を重
ねて接合し、その接合面がエッチングされ易い中層とな
り、この接合面の上下がエッチングされにくい上層およ
び下層となるので、特別に不純物などのイオン注入によ
り、エッチングされ易い中層を形成する必要が無く、製
造工程が簡素化される。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明により製造された半導体加工部品の平
面図

【図２】 本発明の半導体加工部品の製造方法の第１実
施例を示すもので、特に、半導体基板にエッチングされ
にくい下層、エッチングされ易い中層およびエッチング
されにくい上層の酸化シリコン層をそれぞれ形成する工
程図

【図３】 同じく、犠牲層を形成する工程図

【図４】 同じく、半導体層を形成する工程図

【図５】 同じく、半導体層を加工して可動部および固
定電極を形成する工程図

【図６】 同じく、犠牲層をエッチングして、半導体基
板と可動電極に残渣突起を形成する工程図

【図７】 本発明の半導体加工部品の製造方法の第２実
施例を示すもので、酸化シリコンよりなる犠牲層の中層
に不純物のイオンを注入して、エッチングされ易い層を
形成する工程図

【図８】 本発明の半導体加工部品の製造方法の第３実
施例を示すもので、ＳＯＩ基板の酸化シリコン層の中層
に不純物のイオンを注入して、エッチングされ易い層を
形成する工程図

【図９】 同じく、シリコン層を加工して可動部および
固定電極を形成する工程図

【図１０】 同じく、犠牲層をエッチングして、半導体
基板と可動電極に残渣突起を形成する工程図

【図１１】 本発明の半導体加工部品の製造方法の第４
実施例を示すもので、酸化シリコン層の成膜された半導
体基板を２枚その酸化シリコン層側を重ねて接合してＳ
ＯＩ基板を形成する工程図

【符号の説明】

１、１１、３１ 半導体基板 ２ｓ、１２ｓ、２２ｓ 犠牲層 ２’ 破線（犠牲
層） ２ａ、２ａ’、１２ａ エッチングさ
れにくい上層 ２ｂ、２ｂ’、１２ｂ エッチングさ
れ易い中層 ２ｃ、２ｃ’、１２ｃ エッチングさ
れにくい下層 ２ａ”、２ｃ”、２２ａ’、２２ｃ’ 残渣突起 ３、１３ 半導体層 ４ａ〜４ｆ 固定電極 ５ 支持梁 ６ 可動電極 ７、７ａ、７ｂ 櫛歯電極 ８ 孔 １０ 半導体加工部
品 １１ 半導体基板 １２、２２、３２ 酸化シリコン
層 ２１ シリコン基板 ２３ シリコン層 ｇ 間隙

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上に、下層、中層および上層
   の３層構造よりなる犠牲層であって、前記中層が前記下
   層および上層に対しエッチングされ易いもの、を形成
   し、この犠牲層を含む前記半導体基板上に半導体層を形
   成し、前記半導体層を加工して可動部および固定電極を
   形成し、前記犠牲層をエッチングすることにより、前記
   中層をエッチグ除去して、前記可動部を前記半導体基板
   から浮かせて振動可能に形成し、かつ、前記上層および
   下層のエッチング残渣により前記可動部の可動電極と前
   記半導体基板とに互いに向き合う非接触の残渣突起をそ
   れぞれ形成することを特徴とする半導体加工部品の製造
   方法。
2. 【請求項２】 前記犠牲層の上層および下層が絶縁層よ
   りなり、中層が不純物の注入された絶縁層よりなること
   を特徴とする請求項１記載の半導体加工部品の製造方
   法。
3. 【請求項３】 絶縁層を表面側の半導体基板と裏面側の
   半導体基板とで両側から挟持した３層構造よりなる疑似
   ＳＯＩ基板を形成し、 前記絶縁層の厚み方向の中間に不純物のイオンを注入し
   て中層を形成して、この中層に比べてエッチングされに
   くい上層および下層からなる３層構造の犠牲層を形成
   し、 前記表面側の半導体基板をエッチングして可動部および
   固定電極を形成し、前記可動部の下部に形成された前記
   犠牲層をエッチングすることにより、前記中層をエッチ
   グ除去して、前記可動部を前記半導体基板から浮かせて
   振動可能に形成し、かつ、前記上層および下層のエッチ
   ング残渣により前記可動部の可動電極と前記裏面側の半
   導体基板とに互いに向き合う非接触の残渣突起をそれぞ
   れ形成することを特徴とする半導体加工部品の製造方
   法。
4. 【請求項４】 一つの主面に絶縁層の形成された２枚の
   半導体基板を、前記絶縁層側を重ねて接合し、一方の前
   記半導体基板を研磨して薄く加工し、 前記接合された絶縁層のうち、一つの絶縁層と他の絶縁
   層を、それぞれエッチングされにくい上層および下層と
   し、これらの絶縁層の接合面をエッチングされ易い中層
   とする３層構造よりなる犠牲層を形成し、前記研磨した
   半導体基板をエッチングして可動部および固定電極を形
   成し、前記可動部の下部に形成された前記犠牲層をエッ
   チングすることにより、前記中層をエッチグ除去して、
   前記可動部を他方の前記半導体基板から浮かせて振動可
   能に形成し、かつ、前記上層および下層のエッチング残
   渣により前記可動部の可動電極と他方の前記半導体基板
   とに互いに向き合う非接触の残渣突起をそれぞれ形成す
   ることを特徴とする半導体加工部品の製造方法。