JPH09260620A - 結合ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される結合ウエーハ - Google Patents
結合ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される結合ウエーハInfo
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- JPH09260620A JPH09260620A JP9485596A JP9485596A JPH09260620A JP H09260620 A JPH09260620 A JP H09260620A JP 9485596 A JP9485596 A JP 9485596A JP 9485596 A JP9485596 A JP 9485596A JP H09260620 A JPH09260620 A JP H09260620A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ＰＡＣＥ法で入った残留ダメージや結晶欠陥
を確実に除去し、良好な膜厚均一性を有するとともに、
結晶性の優れた超薄膜ＳＯＩ層を有する結合ウエーハ
を、比較的簡単にかつ比較的低コストで製造する方法を
提供する。 【解決手段】 ２枚のシリコン鏡面ウエーハのうち、少
なくとも一方のウエーハの鏡面に酸化膜を形成した後、
その鏡面同士を相互に接触させて接合し、次いで加熱処
理を加えて強固に結合し、次いで一方のウエーハを湿式
エッチングまたは研削により薄膜化した後、その薄膜の
表面を研磨し、さらに気相エッチングにより薄膜の厚さ
を均一化するシリコンの結合ウエーハを製造する方法に
おいて、該気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化し
た後に、該結合ウエーハの表面を酸化し、次いでその生
成した表面の酸化膜を除去する、または、該気相エッチ
ングにより薄膜の厚さを均一化した面を湿式エッチング
する。
を確実に除去し、良好な膜厚均一性を有するとともに、
結晶性の優れた超薄膜ＳＯＩ層を有する結合ウエーハ
を、比較的簡単にかつ比較的低コストで製造する方法を
提供する。 【解決手段】 ２枚のシリコン鏡面ウエーハのうち、少
なくとも一方のウエーハの鏡面に酸化膜を形成した後、
その鏡面同士を相互に接触させて接合し、次いで加熱処
理を加えて強固に結合し、次いで一方のウエーハを湿式
エッチングまたは研削により薄膜化した後、その薄膜の
表面を研磨し、さらに気相エッチングにより薄膜の厚さ
を均一化するシリコンの結合ウエーハを製造する方法に
おいて、該気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化し
た後に、該結合ウエーハの表面を酸化し、次いでその生
成した表面の酸化膜を除去する、または、該気相エッチ
ングにより薄膜の厚さを均一化した面を湿式エッチング
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は２枚のシリコン鏡面
ウエーハを接着剤を用いることなく結合し、片方のウエ
ーハを薄膜化してＳＯＩ（silicon on insulator）構造
の結合ウエーハを製造する技術に関する。
ウエーハを接着剤を用いることなく結合し、片方のウエ
ーハを薄膜化してＳＯＩ（silicon on insulator）構造
の結合ウエーハを製造する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＯＩ構造のウエーハの作製法として
は、酸素イオンをシリコン単結晶に高濃度で打ち込んだ
後に、高温で熱処理を行い酸化膜を形成するＳＩＭＯＸ
（separation by implanted oxygen）法によるものと、
２枚の鏡面研磨したシリコンウエーハを接着剤を用いる
ことなく結合し、片方のウエーハを薄膜化する結合法が
注目されている技術である。
は、酸素イオンをシリコン単結晶に高濃度で打ち込んだ
後に、高温で熱処理を行い酸化膜を形成するＳＩＭＯＸ
（separation by implanted oxygen）法によるものと、
２枚の鏡面研磨したシリコンウエーハを接着剤を用いる
ことなく結合し、片方のウエーハを薄膜化する結合法が
注目されている技術である。
【０００３】前者は、デバイス活性領域となるＳＯＩ層
の膜厚を、酸素イオン打ち込み時の加速電圧で決定、制
御できるために、薄層でかつ膜厚均一性の高いＳＯＩ層
を容易に得る事ができる利点があるが、埋め込み酸化膜
の信頼性や、ＳＯＩ層の結晶性、１３００℃以上の温度
での熱処理が必要である等問題が多い。一方、後者は単
結晶のシリコン鏡面ウエーハ２枚の少なくとも一方に酸
化膜を形成し、接着剤を用いずに貼り合わせ、次いで熱
処理（通常は１１００℃〜１２００℃）を加えることで
結合を強化し、その後片方のウエーハを研削や湿式エッ
チングにより薄膜化した後、薄膜の表面を鏡面研磨して
ＳＯＩ層を形成するものであるので、埋め込み酸化膜の
信頼性が高くＳＯＩ層の結晶性も良好であるという利点
があるが、機械的な加工により薄膜化しているために、
得られるＳＯＩ層の膜厚およびその均一性に限界があ
る。
の膜厚を、酸素イオン打ち込み時の加速電圧で決定、制
御できるために、薄層でかつ膜厚均一性の高いＳＯＩ層
を容易に得る事ができる利点があるが、埋め込み酸化膜
の信頼性や、ＳＯＩ層の結晶性、１３００℃以上の温度
での熱処理が必要である等問題が多い。一方、後者は単
結晶のシリコン鏡面ウエーハ２枚の少なくとも一方に酸
化膜を形成し、接着剤を用いずに貼り合わせ、次いで熱
処理（通常は１１００℃〜１２００℃）を加えることで
結合を強化し、その後片方のウエーハを研削や湿式エッ
チングにより薄膜化した後、薄膜の表面を鏡面研磨して
ＳＯＩ層を形成するものであるので、埋め込み酸化膜の
信頼性が高くＳＯＩ層の結晶性も良好であるという利点
があるが、機械的な加工により薄膜化しているために、
得られるＳＯＩ層の膜厚およびその均一性に限界があ
る。
【０００４】しかしながら、半導体デバイスの高集積
化、高速度化により、ＳＯＩ層の厚さはさらなる薄膜化
が要求されており、１μｍ以下といった極薄のＳＯＩ層
が要求されるようになってきている。従って、このよう
な極薄のＳＯＩ層を結合ウエーハで作製し、今後のＣＭ
ＯＳ基板としてＳＩＭＯＸと同等またはそれ以上の薄膜
化を達成するためには、最低でも０．１±０．０１μｍ
の膜厚と加工精度が必要とされている。
化、高速度化により、ＳＯＩ層の厚さはさらなる薄膜化
が要求されており、１μｍ以下といった極薄のＳＯＩ層
が要求されるようになってきている。従って、このよう
な極薄のＳＯＩ層を結合ウエーハで作製し、今後のＣＭ
ＯＳ基板としてＳＩＭＯＸと同等またはそれ以上の薄膜
化を達成するためには、最低でも０．１±０．０１μｍ
の膜厚と加工精度が必要とされている。
【０００５】この結合ウエーハで０．１±０．０１μｍ
の膜厚と加工精度を実現するための技術として、特開平
５−１６００７４号公報に開示されているいわゆるＰＡ
ＣＥ（plasma assisted chemical etching）法と呼ばれ
る方法が開発された。このＰＡＣＥ法は気相エッチング
による薄膜の厚さを均一化する方法であり、予め均一化
しようとするシリコン層の厚さの分布を測定して、厚さ
分布のマップを作成し、そのマップにしたがって数値制
御により厚い部分を局部的に気相エッチングにより除去
することによって、極薄でかつ膜厚がきわめて均一な薄
膜を作製することができるものである。
の膜厚と加工精度を実現するための技術として、特開平
５−１６００７４号公報に開示されているいわゆるＰＡ
ＣＥ（plasma assisted chemical etching）法と呼ばれ
る方法が開発された。このＰＡＣＥ法は気相エッチング
による薄膜の厚さを均一化する方法であり、予め均一化
しようとするシリコン層の厚さの分布を測定して、厚さ
分布のマップを作成し、そのマップにしたがって数値制
御により厚い部分を局部的に気相エッチングにより除去
することによって、極薄でかつ膜厚がきわめて均一な薄
膜を作製することができるものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記ＰＡＣＥ
法では高周波プラズマを用いて薄膜の表面をエッチング
除去するために、ＳＯＩ層表面に極僅かではあるがダメ
ージが入ってしまう。また、ＰＡＣＥ法で処理したＳＯ
Ｉ層表面には、あらたにヘイズと呼ばれる周期が０．０
１〜５μｍ程度の微小な面粗さが入ることがあり、この
ヘイズの改善のために、ＰＡＣＥ法で処理後、タッチポ
リッシュと呼ばれる研磨代の極めて少ない研磨を行う等
の処理が必要となる。ところが、このタッチポリッシュ
後のＳＯＩ層をH. Gassel （J. Electrochem. Soc., 14
0, pp1713, 1993 ）らにより開示された、四段セコエッ
チング法を応用して評価すると、ＳＯＩ層表面には高密
度の結晶欠陥が存在することがわかった。すなわち、タ
ッチポリッシュではＰＡＣＥ法で入ったダメージや結晶
欠陥を完全には除去できないか、あるいはタッチポリッ
シュ自体であらたなダメージ、結晶欠陥が入っているこ
とになる。これらの残留ダメージや結晶欠陥はデバイス
の電気特性に悪影響を及ぼしてしまう。
法では高周波プラズマを用いて薄膜の表面をエッチング
除去するために、ＳＯＩ層表面に極僅かではあるがダメ
ージが入ってしまう。また、ＰＡＣＥ法で処理したＳＯ
Ｉ層表面には、あらたにヘイズと呼ばれる周期が０．０
１〜５μｍ程度の微小な面粗さが入ることがあり、この
ヘイズの改善のために、ＰＡＣＥ法で処理後、タッチポ
リッシュと呼ばれる研磨代の極めて少ない研磨を行う等
の処理が必要となる。ところが、このタッチポリッシュ
後のＳＯＩ層をH. Gassel （J. Electrochem. Soc., 14
0, pp1713, 1993 ）らにより開示された、四段セコエッ
チング法を応用して評価すると、ＳＯＩ層表面には高密
度の結晶欠陥が存在することがわかった。すなわち、タ
ッチポリッシュではＰＡＣＥ法で入ったダメージや結晶
欠陥を完全には除去できないか、あるいはタッチポリッ
シュ自体であらたなダメージ、結晶欠陥が入っているこ
とになる。これらの残留ダメージや結晶欠陥はデバイス
の電気特性に悪影響を及ぼしてしまう。
【０００７】そこで、本発明はこのような問題点に鑑み
なされたもので、これらＰＡＣＥ法で入った残留ダメー
ジや結晶欠陥を確実に除去し、良好な膜厚均一性を有す
るとともに、結晶性の優れた超薄膜ＳＯＩ層を有する結
合ウエーハを、比較的簡単にかつ比較的低コストで製造
する方法を提供することを目的とする。
なされたもので、これらＰＡＣＥ法で入った残留ダメー
ジや結晶欠陥を確実に除去し、良好な膜厚均一性を有す
るとともに、結晶性の優れた超薄膜ＳＯＩ層を有する結
合ウエーハを、比較的簡単にかつ比較的低コストで製造
する方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明の請求項１および請求項２に記載した発明は、２
枚のシリコン鏡面ウエーハのうち、少なくとも一方のウ
エーハの鏡面に酸化膜を形成した後、その鏡面同士を相
互に接触させて接合し、次いで加熱処理を加えて強固に
結合し、次いで一方のウエーハを湿式エッチングまたは
研削により薄膜化した後、その薄膜の表面を研磨し、さ
らに気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化するシリ
コンの結合ウエーハを製造する方法において、該気相エ
ッチングにより薄膜の厚さを均一化した後に、または、
さらに該気相エッチング面を鏡面研磨した後に、該結合
ウエーハの表面を酸化し、次いでその生成した表面の酸
化膜を除去することを特徴とする。
本発明の請求項１および請求項２に記載した発明は、２
枚のシリコン鏡面ウエーハのうち、少なくとも一方のウ
エーハの鏡面に酸化膜を形成した後、その鏡面同士を相
互に接触させて接合し、次いで加熱処理を加えて強固に
結合し、次いで一方のウエーハを湿式エッチングまたは
研削により薄膜化した後、その薄膜の表面を研磨し、さ
らに気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化するシリ
コンの結合ウエーハを製造する方法において、該気相エ
ッチングにより薄膜の厚さを均一化した後に、または、
さらに該気相エッチング面を鏡面研磨した後に、該結合
ウエーハの表面を酸化し、次いでその生成した表面の酸
化膜を除去することを特徴とする。
【０００９】このように、気相エッチングにより処理し
た後に、または、さらに該気相エッチング面を鏡面研磨
した後に、該結合ウエーハの表面を酸化し、次いでその
生成した表面の酸化膜を除去することによって、気相エ
ッチングあるいはその後の鏡面研磨によって入る表面の
ダメージ、結晶欠陥がある層（以下、単にダメージ層と
言うことがある。）を酸化膜に変換し、次にこの酸化膜
を除去することによって、ＳＯＩ層表面のダメージ、結
晶欠陥を除去することができる。
た後に、または、さらに該気相エッチング面を鏡面研磨
した後に、該結合ウエーハの表面を酸化し、次いでその
生成した表面の酸化膜を除去することによって、気相エ
ッチングあるいはその後の鏡面研磨によって入る表面の
ダメージ、結晶欠陥がある層（以下、単にダメージ層と
言うことがある。）を酸化膜に変換し、次にこの酸化膜
を除去することによって、ＳＯＩ層表面のダメージ、結
晶欠陥を除去することができる。
【００１０】また、本発明の請求項３に記載した発明
は、請求項１または請求項２のいずれか一項に記載の結
合ウエーハの製造方法であって、前記酸化により形成さ
れる酸化膜の厚さは、薄膜化されたＳＯＩ層のダメージ
層の深さの２．０〜２．５倍であることを特徴とする。
このように、酸化により形成される酸化膜の厚さを、薄
膜化されたＳＯＩ層のダメージ深さの２．０〜２．５倍
とすることによって、確実に表面のダメージ、結晶欠陥
を除去することができる。
は、請求項１または請求項２のいずれか一項に記載の結
合ウエーハの製造方法であって、前記酸化により形成さ
れる酸化膜の厚さは、薄膜化されたＳＯＩ層のダメージ
層の深さの２．０〜２．５倍であることを特徴とする。
このように、酸化により形成される酸化膜の厚さを、薄
膜化されたＳＯＩ層のダメージ深さの２．０〜２．５倍
とすることによって、確実に表面のダメージ、結晶欠陥
を除去することができる。
【００１１】次に、本発明の請求項４および請求項５に
記載した発明は、２枚のシリコン鏡面ウエーハのうち、
少なくとも一方のウエーハの鏡面に酸化膜を形成した
後、その鏡面同士を相互に接触させて接合し、次いで加
熱処理を加えて強固に結合し、次いで一方のウエーハを
湿式エッチングまたは研削により薄膜化した後、その薄
膜の表面を研磨し、さらに気相エッチングにより薄膜の
厚さを均一化するシリコンの結合ウエーハを製造する方
法において、該気相エッチングにより薄膜の厚さを均一
化した後、または該気相エッチング後の鏡面研磨をした
後に、湿式エッチングすることを特徴とする。
記載した発明は、２枚のシリコン鏡面ウエーハのうち、
少なくとも一方のウエーハの鏡面に酸化膜を形成した
後、その鏡面同士を相互に接触させて接合し、次いで加
熱処理を加えて強固に結合し、次いで一方のウエーハを
湿式エッチングまたは研削により薄膜化した後、その薄
膜の表面を研磨し、さらに気相エッチングにより薄膜の
厚さを均一化するシリコンの結合ウエーハを製造する方
法において、該気相エッチングにより薄膜の厚さを均一
化した後、または該気相エッチング後の鏡面研磨をした
後に、湿式エッチングすることを特徴とする。
【００１２】このように、気相エッチングにより処理し
た後に、または、さらに該気相エッチング面を鏡面研磨
した後に、該結合ウエーハの表面を湿式エッチングする
ことによって、気相エッチングあるいはその後の鏡面研
磨によって入る表面のダメージ、結晶欠陥がある層をエ
ッチングすることによって、ＳＯＩ層表面のダメージ、
結晶欠陥を除去することができる。
た後に、または、さらに該気相エッチング面を鏡面研磨
した後に、該結合ウエーハの表面を湿式エッチングする
ことによって、気相エッチングあるいはその後の鏡面研
磨によって入る表面のダメージ、結晶欠陥がある層をエ
ッチングすることによって、ＳＯＩ層表面のダメージ、
結晶欠陥を除去することができる。
【００１３】本発明の請求項６に記載した発明は、請求
項４または請求項５のいずれか一項に記載の結合ウエー
ハの製造方法であって、前記薄膜化後の湿式エッチング
は、ダメージおよび結晶欠陥に対して非選択的なもので
あることを特徴とする。そして、このダメージおよび結
晶欠陥に対して非選択的な湿式エッチングは、ＮａＯＨ
またはＫＯＨを含むアルカリエッチングとするのが望ま
しい（請求項７）。
項４または請求項５のいずれか一項に記載の結合ウエー
ハの製造方法であって、前記薄膜化後の湿式エッチング
は、ダメージおよび結晶欠陥に対して非選択的なもので
あることを特徴とする。そして、このダメージおよび結
晶欠陥に対して非選択的な湿式エッチングは、ＮａＯＨ
またはＫＯＨを含むアルカリエッチングとするのが望ま
しい（請求項７）。
【００１４】このように、薄膜化後に湿式エッチングす
る場合には、ダメージおよび結晶欠陥に対して非選択的
なもの、特にＮａＯＨまたはＫＯＨを含むアルカリエッ
チングとすることによって、気相エッチングあるいはそ
の後の鏡面研磨によって形成した、ウエーハ表面の平坦
度、膜厚を悪化さずに、ＳＯＩ層表面のダメージ、結晶
欠陥を均一に除去することができる。
る場合には、ダメージおよび結晶欠陥に対して非選択的
なもの、特にＮａＯＨまたはＫＯＨを含むアルカリエッ
チングとすることによって、気相エッチングあるいはそ
の後の鏡面研磨によって形成した、ウエーハ表面の平坦
度、膜厚を悪化さずに、ＳＯＩ層表面のダメージ、結晶
欠陥を均一に除去することができる。
【００１５】また、本発明の請求項８に記載した発明
は、請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の結合ウ
エーハの製造方法であって、気相エッチングによる薄膜
の厚さ均一化後または気相エッチング後の鏡面研磨後の
ＳＯＩ層の膜厚を、製品の膜厚よりも３００ｎｍ〜４０
０ｎｍ厚いものとすることを特徴とする。このように、
気相エッチングによる処理後もしくは気相エッチング後
の鏡面研磨後のＳＯＩ層の膜厚を製品の膜厚よりも３０
０ｎｍ〜４００ｎｍ厚いものとするのは、前記気相エッ
チングあるいはタッチポリッシュ（取り代は約１０ｎ
ｍ）後のＳＯＩ層の残留ダメージに起因する欠陥等は、
深さ約３００ｎｍまで侵入している事が発明者等により
確認されたためで、こうすることによって前記請求項１
〜請求項７の方法で酸化あるいは湿式エッチングによっ
てＳＯＩ層の表面を３００ｎｍ〜４００ｎｍ除去すれ
ば、製品のＳＯＩ層は低欠陥密度となるとともに、製造
されるＳＯＩ層も所望の膜厚のものとなる。なお、４０
０ｎｍを超えて厚くする事は、酸化時間が長くなったり
エッチング時間が長くなるし、エッチオフ量が多くなる
ために、新たに面粗等が生じる可能性があるため好まし
くない。
は、請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の結合ウ
エーハの製造方法であって、気相エッチングによる薄膜
の厚さ均一化後または気相エッチング後の鏡面研磨後の
ＳＯＩ層の膜厚を、製品の膜厚よりも３００ｎｍ〜４０
０ｎｍ厚いものとすることを特徴とする。このように、
気相エッチングによる処理後もしくは気相エッチング後
の鏡面研磨後のＳＯＩ層の膜厚を製品の膜厚よりも３０
０ｎｍ〜４００ｎｍ厚いものとするのは、前記気相エッ
チングあるいはタッチポリッシュ（取り代は約１０ｎ
ｍ）後のＳＯＩ層の残留ダメージに起因する欠陥等は、
深さ約３００ｎｍまで侵入している事が発明者等により
確認されたためで、こうすることによって前記請求項１
〜請求項７の方法で酸化あるいは湿式エッチングによっ
てＳＯＩ層の表面を３００ｎｍ〜４００ｎｍ除去すれ
ば、製品のＳＯＩ層は低欠陥密度となるとともに、製造
されるＳＯＩ層も所望の膜厚のものとなる。なお、４０
０ｎｍを超えて厚くする事は、酸化時間が長くなったり
エッチング時間が長くなるし、エッチオフ量が多くなる
ために、新たに面粗等が生じる可能性があるため好まし
くない。
【００１６】そして、このような請求項１〜請求項８に
記載の方法によれば、気相エッチングあるいはその後の
研磨で入った残留ダメージや結晶欠陥が確実に除去され
た、良好な膜厚の均一性を有する結合ウエーハ得ること
ができる（請求項９）。
記載の方法によれば、気相エッチングあるいはその後の
研磨で入った残留ダメージや結晶欠陥が確実に除去され
た、良好な膜厚の均一性を有する結合ウエーハ得ること
ができる（請求項９）。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。ここで、図１は結合ウエーハの製造工
程を示すフロー図である。また、図２はＰＡＣＥ法によ
る気相エッチングの概略を示す概念図で、（ａ）は斜視
図、（ｂ）断面図である。図３は本発明における結合ウ
エーハ表面に存在するダメージおよび結晶欠陥を除去す
る工程での、そのダメージ、結晶欠陥密度の変化の様子
を示した、ウエーハ断面説明図で、（ａ）は図１の工程
直後のウエーハ、（ｂ）は酸化処理後のウエーハ、
（ｃ）はダメージ層除去後のウエーハである。
を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。ここで、図１は結合ウエーハの製造工
程を示すフロー図である。また、図２はＰＡＣＥ法によ
る気相エッチングの概略を示す概念図で、（ａ）は斜視
図、（ｂ）断面図である。図３は本発明における結合ウ
エーハ表面に存在するダメージおよび結晶欠陥を除去す
る工程での、そのダメージ、結晶欠陥密度の変化の様子
を示した、ウエーハ断面説明図で、（ａ）は図１の工程
直後のウエーハ、（ｂ）は酸化処理後のウエーハ、
（ｃ）はダメージ層除去後のウエーハである。
【００１８】図１は気相エッチングとタッチポリッシュ
工程を含む結合ウエーハの製造工程を示す工程図であ
る。工程１では、２枚のシリコン鏡面ウエーハを準備す
るものであり、デバイスの仕様に合ったウエーハを準備
する。工程２では、そのうちの少なくとも一方のウエー
ハを熱酸化し、その表面に約０．３μｍ〜２．０μｍ厚
の酸化膜を形成する。工程３では、２枚の鏡面ウエーハ
の鏡面同士を貼り合わせて接合する工程であり、常温の
清浄な雰囲気下で２枚のウエーハの鏡面同士を接触させ
ることにより、接着剤等を用いることなくウエーハ同士
が接着する。この接合したウエーハ同士の結合力は、そ
のままデバイス工程で使用するには弱いので、工程４で
酸化性雰囲気下、熱処理を行い結合強度を十分なものと
する必要があるが、この熱処理はウエット酸素雰囲気
下、１０５０℃〜１２００℃で３０分から２時間の範囲
で行うことが好ましい。次に、工程５では、結合ウエー
ハの一方の面を研削する工程であり、研削を行うのは工
程２で酸化膜を形成した方のウエーハでも、酸化膜を形
成しなかった方のウエーハのどちらでもよく、ＳＯＩ層
の厚さが１０μｍ程度となるように一方のウエーハ裏面
（結合ウエーハの表面）から研削除去する。そして、工
程６では、工程５で研削した研削面を鏡面研磨する工程
であり、通常の鏡面研磨ウエーハ製造工程と同様の鏡面
研磨を行い、ＳＯＩ層の厚さを約２μｍ〜７μｍとす
る。
工程を含む結合ウエーハの製造工程を示す工程図であ
る。工程１では、２枚のシリコン鏡面ウエーハを準備す
るものであり、デバイスの仕様に合ったウエーハを準備
する。工程２では、そのうちの少なくとも一方のウエー
ハを熱酸化し、その表面に約０．３μｍ〜２．０μｍ厚
の酸化膜を形成する。工程３では、２枚の鏡面ウエーハ
の鏡面同士を貼り合わせて接合する工程であり、常温の
清浄な雰囲気下で２枚のウエーハの鏡面同士を接触させ
ることにより、接着剤等を用いることなくウエーハ同士
が接着する。この接合したウエーハ同士の結合力は、そ
のままデバイス工程で使用するには弱いので、工程４で
酸化性雰囲気下、熱処理を行い結合強度を十分なものと
する必要があるが、この熱処理はウエット酸素雰囲気
下、１０５０℃〜１２００℃で３０分から２時間の範囲
で行うことが好ましい。次に、工程５では、結合ウエー
ハの一方の面を研削する工程であり、研削を行うのは工
程２で酸化膜を形成した方のウエーハでも、酸化膜を形
成しなかった方のウエーハのどちらでもよく、ＳＯＩ層
の厚さが１０μｍ程度となるように一方のウエーハ裏面
（結合ウエーハの表面）から研削除去する。そして、工
程６では、工程５で研削した研削面を鏡面研磨する工程
であり、通常の鏡面研磨ウエーハ製造工程と同様の鏡面
研磨を行い、ＳＯＩ層の厚さを約２μｍ〜７μｍとす
る。
【００１９】次に、工程７では、気相エッチングによる
薄膜の厚さを均一化する工程であり、図２（ａ）（ｂ）
に示すように高周波プラズマ１６を空洞１２内に局在化
させて、気相エッチングを行うＰＡＣＥ法を用いること
が好ましい。この方法は、いわゆるドライエッチ法の一
つで、まず結合ウエーハ１１上のＳＯＩ層の厚さ分布を
測定した後、その分布に従って、結合ウエーハ１１上を
膜厚分布に応じて空洞１２の走行速度を制御することに
より、プラズマ１６に暴露される時間が制御され、その
結果表面のエッチング除去量が制御されることによっ
て、結合ウエーハ１１上のＳＯＩ層の厚さを均一化する
ものである。プラズマ１６は、結合ウエーハ１１を挟ん
で上下に配置された、電極１３、１４に高周波電源１５
から高周波を印加することによって、空洞１２内に局在
化して発生させる。そして、この空洞が結合ウエーハ１
１上を自在に走行できるようになっている。そして、本
工程では、ＳＯＩ層の厚さが目的とする製品の所望ＳＯ
Ｉ層厚さよりも３００ｎｍ〜４００ｎｍ厚くなるように
気相エッチングをする。
薄膜の厚さを均一化する工程であり、図２（ａ）（ｂ）
に示すように高周波プラズマ１６を空洞１２内に局在化
させて、気相エッチングを行うＰＡＣＥ法を用いること
が好ましい。この方法は、いわゆるドライエッチ法の一
つで、まず結合ウエーハ１１上のＳＯＩ層の厚さ分布を
測定した後、その分布に従って、結合ウエーハ１１上を
膜厚分布に応じて空洞１２の走行速度を制御することに
より、プラズマ１６に暴露される時間が制御され、その
結果表面のエッチング除去量が制御されることによっ
て、結合ウエーハ１１上のＳＯＩ層の厚さを均一化する
ものである。プラズマ１６は、結合ウエーハ１１を挟ん
で上下に配置された、電極１３、１４に高周波電源１５
から高周波を印加することによって、空洞１２内に局在
化して発生させる。そして、この空洞が結合ウエーハ１
１上を自在に走行できるようになっている。そして、本
工程では、ＳＯＩ層の厚さが目的とする製品の所望ＳＯ
Ｉ層厚さよりも３００ｎｍ〜４００ｎｍ厚くなるように
気相エッチングをする。
【００２０】工程８は、タッチポリッシュの工程であ
り、工程７の気相エッチングで入った表面のヘイズの除
去を目的とするもので、気相エッチングされた面を研磨
の取り代が５ｎｍ〜１５ｎｍ好ましくは１０ｎｍ程度と
なるよう研磨する。
り、工程７の気相エッチングで入った表面のヘイズの除
去を目的とするもので、気相エッチングされた面を研磨
の取り代が５ｎｍ〜１５ｎｍ好ましくは１０ｎｍ程度と
なるよう研磨する。
【００２１】以上の工程を経て結合ウエーハが製造され
るが、この工程によって製造された結合ウエーハのＳＯ
Ｉ層には、図３（ａ）に示すように、特に表面付近にダ
メージや結晶欠陥が多く存在する。なお、本発明では、
このダメージ、結晶欠陥層２４は、後の酸化または湿式
エッチングにより除去できるし、タッチポリッシュ工程
で新たなダメージが生じる可能性があるので、工程８は
行わなくともよい。
るが、この工程によって製造された結合ウエーハのＳＯ
Ｉ層には、図３（ａ）に示すように、特に表面付近にダ
メージや結晶欠陥が多く存在する。なお、本発明では、
このダメージ、結晶欠陥層２４は、後の酸化または湿式
エッチングにより除去できるし、タッチポリッシュ工程
で新たなダメージが生じる可能性があるので、工程８は
行わなくともよい。
【００２２】次に、図３は本発明における結合ウエーハ
表面に存在するダメージ、結晶欠陥を除去する工程で
の、その密度変化の様子を示したウエーハ断面説明図で
ある。図３（ａ）は図１の工程を経た直後のウエーハを
示し、支持体となるベースウエーハ２３とＳＯＩ層２１
との間には酸化膜２２が埋め込まれている。ＳＯＩ層２
１の表面付近には中央部に比べて多くのダメージ、結晶
欠陥層２４が存在している。そしてこのダメージ、結晶
欠陥層の厚さは約３００ｎｍである。
表面に存在するダメージ、結晶欠陥を除去する工程で
の、その密度変化の様子を示したウエーハ断面説明図で
ある。図３（ａ）は図１の工程を経た直後のウエーハを
示し、支持体となるベースウエーハ２３とＳＯＩ層２１
との間には酸化膜２２が埋め込まれている。ＳＯＩ層２
１の表面付近には中央部に比べて多くのダメージ、結晶
欠陥層２４が存在している。そしてこのダメージ、結晶
欠陥層の厚さは約３００ｎｍである。
【００２３】そこで、本発明の第１の実施形態では、こ
のように作製された結合ウエーハ１１をまず酸化工程３
１によりその表面を酸化し、図３（ｂ）に示すようにＳ
ＯＩ層２１の表面のダメージ、結晶欠陥層２４が存在す
る部分も含めて、酸化膜２５を形成し、その後酸化膜除
去工程３２を経て、この酸化膜２５を除去することによ
り、図３（ｃ）に示すように表面層のダメージ、結晶欠
陥層を除去する。そして、前述のようにあらかじめＳＯ
Ｉ層の厚さは、製品に対して３００ｎｍ〜４００ｎｍ厚
く作製されているので、この酸化膜除去工程３２後に目
的とする製品の所望ＳＯＩ層の厚さとなるようにしてい
る。
のように作製された結合ウエーハ１１をまず酸化工程３
１によりその表面を酸化し、図３（ｂ）に示すようにＳ
ＯＩ層２１の表面のダメージ、結晶欠陥層２４が存在す
る部分も含めて、酸化膜２５を形成し、その後酸化膜除
去工程３２を経て、この酸化膜２５を除去することによ
り、図３（ｃ）に示すように表面層のダメージ、結晶欠
陥層を除去する。そして、前述のようにあらかじめＳＯ
Ｉ層の厚さは、製品に対して３００ｎｍ〜４００ｎｍ厚
く作製されているので、この酸化膜除去工程３２後に目
的とする製品の所望ＳＯＩ層の厚さとなるようにしてい
る。
【００２４】ここで、酸化工程３１では酸化膜厚をダメ
ージ層の２．０〜２．５倍となるようにする。これはダ
メージ、結晶欠陥層２４を確実に除去するためには、こ
のダメージ層２４を全て酸化膜に変換しなければならな
いが、そのためには酸化膜厚をダメージ層の２．０〜
２．５倍とする必要があることを意味しており、いわゆ
る浸透型の酸化膜は、酸化膜厚全体の約４０〜５０％と
なることによるものである。このような酸化膜作製のた
めの酸化条件としては、例えばウエット酸素雰囲気で１
０００℃〜１１５０℃で４０分〜２００分程度であるこ
とが好ましい。また、酸化膜の除去は湿式エッチング、
特にフッ酸水溶液によりエッチング除去するのが好まし
い。
ージ層の２．０〜２．５倍となるようにする。これはダ
メージ、結晶欠陥層２４を確実に除去するためには、こ
のダメージ層２４を全て酸化膜に変換しなければならな
いが、そのためには酸化膜厚をダメージ層の２．０〜
２．５倍とする必要があることを意味しており、いわゆ
る浸透型の酸化膜は、酸化膜厚全体の約４０〜５０％と
なることによるものである。このような酸化膜作製のた
めの酸化条件としては、例えばウエット酸素雰囲気で１
０００℃〜１１５０℃で４０分〜２００分程度であるこ
とが好ましい。また、酸化膜の除去は湿式エッチング、
特にフッ酸水溶液によりエッチング除去するのが好まし
い。
【００２５】次に本発明の第２の実施形態である湿式エ
ッチング（工程３３）法では、ダメージ、結晶欠陥に対
する選択性がないエッチング液で、ＳＯＩ層表面のダメ
ージ層２４をエッチング除去することによって、図１の
工程直後の結合ウエーハ図３（ａ）から直接図３（ｃ）
の表面にダメージ層のない結合ウエーハを作製すること
ができる。
ッチング（工程３３）法では、ダメージ、結晶欠陥に対
する選択性がないエッチング液で、ＳＯＩ層表面のダメ
ージ層２４をエッチング除去することによって、図１の
工程直後の結合ウエーハ図３（ａ）から直接図３（ｃ）
の表面にダメージ層のない結合ウエーハを作製すること
ができる。
【００２６】非選択性のエッチングとするのは、せっか
く気相エッチングあるいはその後のタッチポリッシュに
よって均一化した膜厚、面粗さが、ダメージ、結晶欠陥
部が選択的にエッチングされることによって、不均一化
したり、面粗れが生じたりしてしまうのを防止するため
である。そしてこのような非選択的なエッチング液とし
ては、例えばＮａＯＨやＫＯＨを含む水溶液による、い
わゆるアルカリエッチングとするのが好ましい。そして
この場合においても、あらかじめＳＯＩ層の厚さは、製
品に対して３００ｎｍ〜４００ｎｍ厚く作製されている
ので、この湿式エッチングによるダメージ層の除去工程
３３後に、目的とする製品の所望ＳＯＩ層の厚さとなる
ようにしている。
く気相エッチングあるいはその後のタッチポリッシュに
よって均一化した膜厚、面粗さが、ダメージ、結晶欠陥
部が選択的にエッチングされることによって、不均一化
したり、面粗れが生じたりしてしまうのを防止するため
である。そしてこのような非選択的なエッチング液とし
ては、例えばＮａＯＨやＫＯＨを含む水溶液による、い
わゆるアルカリエッチングとするのが好ましい。そして
この場合においても、あらかじめＳＯＩ層の厚さは、製
品に対して３００ｎｍ〜４００ｎｍ厚く作製されている
ので、この湿式エッチングによるダメージ層の除去工程
３３後に、目的とする製品の所望ＳＯＩ層の厚さとなる
ようにしている。
【００２７】
（実施例１）導電型がｐ型で抵抗率が１０Ω・ｃｍ、直
径が１５０ｍｍのシリコン鏡面ウエーハを用い、図１に
示す工程によりＳＯＩ層の厚さが４００ｎｍと１０００
ｎｍの結合ウエーハをそれぞれ１２枚ずつ作製した。こ
れらのウエーハの各２枚ずつを酸化膜厚が１００ｎｍ、
３００ｎｍ、５００ｎｍ、７００ｎｍ、９００ｎｍとな
るよう熱酸化処理を行い、次にフッ酸水溶液で酸化膜を
除去した後に、前記四段セコエッチング法による選択エ
ッチングを行い、ＳＯＩ層表面の欠陥ピット密度を測定
した。その結果をＳＯＩ層の除去量（浸透型の酸化膜の
除去量）を横軸に、欠陥ピット密度を縦軸にとり、比較
として酸化を行わずに四段セコエッチングによる欠陥ピ
ット密度評価を行った結果も合せて図４に示した。図４
から明らかなように、除去量が２２５ｎｍ以下では欠陥
ピット密度が高く、除去量が３００ｎｍを超えると欠陥
ピット密度の低下が緩やかになっている。
径が１５０ｍｍのシリコン鏡面ウエーハを用い、図１に
示す工程によりＳＯＩ層の厚さが４００ｎｍと１０００
ｎｍの結合ウエーハをそれぞれ１２枚ずつ作製した。こ
れらのウエーハの各２枚ずつを酸化膜厚が１００ｎｍ、
３００ｎｍ、５００ｎｍ、７００ｎｍ、９００ｎｍとな
るよう熱酸化処理を行い、次にフッ酸水溶液で酸化膜を
除去した後に、前記四段セコエッチング法による選択エ
ッチングを行い、ＳＯＩ層表面の欠陥ピット密度を測定
した。その結果をＳＯＩ層の除去量（浸透型の酸化膜の
除去量）を横軸に、欠陥ピット密度を縦軸にとり、比較
として酸化を行わずに四段セコエッチングによる欠陥ピ
ット密度評価を行った結果も合せて図４に示した。図４
から明らかなように、除去量が２２５ｎｍ以下では欠陥
ピット密度が高く、除去量が３００ｎｍを超えると欠陥
ピット密度の低下が緩やかになっている。
【００２８】（実施例２）導電型がｐ型で抵抗率が１０
Ω・ｃｍ、直径が１５０ｍｍのシリコン鏡面ウエーハを
用い、図１に示す工程によりＳＯＩ層の厚さが４００ｎ
ｍと１０００ｎｍの結合ウエーハをそれぞれ１０枚ずつ
得た。これらのウエーハを濃度５％のＫＯＨ水溶液を用
い、５０℃でエッチングによる除去量を変えてエッチン
グを行った後に、前記同様四段セコエッチング法による
選択エッチングを行いＳＯＩ層表面の欠陥ピット密度を
測定した。その結果をＫＯＨエッチングによる除去量を
横軸に、欠陥ピット密度を縦軸にとり、比較としてＫＯ
Ｈによるエッチングを行わずに四段セコエッチングによ
る欠陥ピット密度評価を行った結果も合せて図５に示し
た。図５から明らかなように除去量が３００ｎｍを超え
ると欠陥ピット密度の低下が緩やかになっている。
Ω・ｃｍ、直径が１５０ｍｍのシリコン鏡面ウエーハを
用い、図１に示す工程によりＳＯＩ層の厚さが４００ｎ
ｍと１０００ｎｍの結合ウエーハをそれぞれ１０枚ずつ
得た。これらのウエーハを濃度５％のＫＯＨ水溶液を用
い、５０℃でエッチングによる除去量を変えてエッチン
グを行った後に、前記同様四段セコエッチング法による
選択エッチングを行いＳＯＩ層表面の欠陥ピット密度を
測定した。その結果をＫＯＨエッチングによる除去量を
横軸に、欠陥ピット密度を縦軸にとり、比較としてＫＯ
Ｈによるエッチングを行わずに四段セコエッチングによ
る欠陥ピット密度評価を行った結果も合せて図５に示し
た。図５から明らかなように除去量が３００ｎｍを超え
ると欠陥ピット密度の低下が緩やかになっている。
【００２９】図４、図５から、図１に示した工程直後の
結合ウエーハ表面には、約３００ｎｍ厚の高密度に結晶
欠陥がある表面ダメージ層が存在するが、本発明の酸化
除去、あるいは湿式エッチング除去により、前記表面ダ
メージ層を完全に除去できることがわかる。
結合ウエーハ表面には、約３００ｎｍ厚の高密度に結晶
欠陥がある表面ダメージ層が存在するが、本発明の酸化
除去、あるいは湿式エッチング除去により、前記表面ダ
メージ層を完全に除去できることがわかる。
【００３０】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば気
相エッチングで薄膜の厚さを均一化し、さらにまたタッ
チポリッシュで研磨された結合ウエーハの残留ダメージ
や結晶欠陥を除去することが可能となり、より結晶性の
優れた結合ウエーハが、比較的簡単にかつ比較的低コス
トで得ることができる。
相エッチングで薄膜の厚さを均一化し、さらにまたタッ
チポリッシュで研磨された結合ウエーハの残留ダメージ
や結晶欠陥を除去することが可能となり、より結晶性の
優れた結合ウエーハが、比較的簡単にかつ比較的低コス
トで得ることができる。
【図１】結合ウエーハの製造工程を示すフロー図であ
る。
る。
【図２】ＰＡＣＥ法による気相エッチングの概略を示す
概念図である。 （ａ）斜視図、 （ｂ）断面図。
概念図である。 （ａ）斜視図、 （ｂ）断面図。
【図３】本発明における結合ウエーハ表面に存在するダ
メージ、結晶欠陥を除去する工程での、そのダメージ、
結晶欠陥密度の変化の様子を示した、ウエーハ断面説明
図である。 （ａ）図１の工程直後のウエーハ、 （ｂ）酸化処理後のウエーハ、 （ｃ）ダメージ層除去後のウエーハ。
メージ、結晶欠陥を除去する工程での、そのダメージ、
結晶欠陥密度の変化の様子を示した、ウエーハ断面説明
図である。 （ａ）図１の工程直後のウエーハ、 （ｂ）酸化処理後のウエーハ、 （ｃ）ダメージ層除去後のウエーハ。
【図４】実施例１の結果であり、熱酸化によるＳＯＩ層
の除去量と表面欠陥ピット密度との関係を示すグラフで
ある。
の除去量と表面欠陥ピット密度との関係を示すグラフで
ある。
【図５】実施例２の結果であり、ＫＯＨエッチングによ
るＳＯＩ層の除去量と表面欠陥ピット密度との関係を示
すグラフである。
るＳＯＩ層の除去量と表面欠陥ピット密度との関係を示
すグラフである。
１…２枚の鏡面研磨ウエーハを準備する工程、 ２…一方のウエーハを酸化する工程、 ３…２枚の鏡面同士を貼り合わせる工程、 ４…酸化性雰囲気で結合熱処理する工程、 ５…一方の裏面から研削する工程、 ６…研削面を鏡面研磨する工程、 ７…気相エッチング工程、 ８…タッチポリッシュ工程、 １１…結合ウエーハ、 １２…空洞、 １３，１４…電極、 １５…高周波電源、 １６…プラズマ、 ２１…ＳＯＩ層、 ２２…埋め込み酸化膜、 ２３…ベースウエーハ、 ２４…ダメージ、結晶欠陥層、 ２５…酸化膜、 ３１…熱酸化工程、 ３２…酸化膜除去工程、 ３３…湿式エッチング工程。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片山 正健 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越半 導体株式会社半導体磯部研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】 ２枚のシリコン鏡面ウエーハのうち、少
なくとも一方のウエーハの鏡面に酸化膜を形成した後、
その鏡面同士を相互に接触させて接合し、次いで加熱処
理を加えて強固に結合し、次いで一方のウエーハを湿式
エッチングまたは研削により薄膜化した後、その薄膜の
表面を研磨し、さらに気相エッチングにより薄膜の厚さ
を均一化するシリコンの結合ウエーハを製造する方法に
おいて、 該気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化した後に、
該結合ウエーハの表面を酸化し、次いでその生成した表
面の酸化膜を除去する、ことを特徴とする結合ウエーハ
の製造方法。 - 【請求項２】 ２枚のシリコン鏡面ウエーハのうち、少
なくとも一方のウエーハの鏡面に酸化膜を形成した後、
その鏡面同士を相互に接触させて接合し、次いで加熱処
理を加えて強固に結合し、次いで一方のウエーハを湿式
エッチングまたは研削により薄膜化した後、その薄膜の
表面を研磨し、さらに気相エッチングにより薄膜の厚さ
を均一化し、さらに該気相エッチング面を鏡面研磨する
シリコンの結合ウエーハを製造する方法において、 該気相エッチング後の鏡面研磨をした後に、該結合ウエ
ーハの表面を酸化し、次いでその生成した表面の酸化膜
を除去する、ことを特徴とする結合ウエーハの製造方
法。 - 【請求項３】 前記酸化により形成される酸化膜の厚さ
は、薄膜化されたＳＯＩ層のダメージ層の深さの２．０
〜２．５倍である、ことを特徴とする請求項１または請
求項２のいずれか一項に記載の結合ウエーハの製造方
法。 - 【請求項４】 ２枚のシリコン鏡面ウエーハのうち、少
なくとも一方のウエーハの鏡面に酸化膜を形成した後、
その鏡面同士を相互に接触させて接合し、次いで加熱処
理を加えて強固に結合し、次いで一方のウエーハを湿式
エッチングまたは研削により薄膜化した後、その薄膜の
表面を研磨し、さらに気相エッチングにより薄膜の厚さ
を均一化するシリコンの結合ウエーハを製造する方法に
おいて、 該気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化した面を湿
式エッチングする、ことを特徴とする結合ウエーハの製
造方法。 - 【請求項５】 ２枚のシリコン鏡面ウエーハのうち、少
なくとも一方のウエーハの鏡面に酸化膜を形成した後、
その鏡面同士を相互に接触させて接合し、次いで加熱処
理を加えて強固に結合し、次いで一方のウエーハを湿式
エッチングまたは研削により薄膜化した後、その薄膜の
表面を研磨し、さらに気相エッチングにより薄膜の厚さ
を均一化し、さらに該気相エッチング面を鏡面研磨する
シリコンの結合ウエーハを製造する方法において、 該気相エッチング後の鏡面研磨をした後に、該鏡面研磨
面を湿式エッチングする、ことを特徴とする結合ウエー
ハの製造方法。 - 【請求項６】 前記薄膜化後の湿式エッチングは、ダメ
ージおよび結晶欠陥に対して非選択的なものである、こ
とを特徴とする請求項４または請求項５のいずれか一項
に記載の結合ウエーハの製造方法。 - 【請求項７】 前記ダメージおよび結晶欠陥に対して非
選択的な湿式エッチングは、ＮａＯＨまたはＫＯＨを含
むアルカリエッチングである、ことを特徴とする請求項
６に記載の結合ウエーハの製造方法。 - 【請求項８】 気相エッチングによる薄膜の厚さ均一化
後または気相エッチング後の鏡面研磨後のＳＯＩ層の膜
厚を、製品の膜厚よりも３００ｎｍ〜４００ｎｍ厚いも
のとする、ことを特徴とする請求項１〜請求項７のいず
れか一項に記載の結合ウエーハの製造方法。 - 【請求項９】 請求項１〜請求項８のいずれか一項に記
載の方法により製造された、ことを特徴とするシリコン
結合ウエーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9485596A JPH09260620A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 結合ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される結合ウエーハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9485596A JPH09260620A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 結合ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される結合ウエーハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260620A true JPH09260620A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=14121655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9485596A Pending JPH09260620A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 結合ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される結合ウエーハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260620A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000024059A1 (fr) * | 1998-10-16 | 2000-04-27 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de production de tranche soi utilisant un procede de separation d'implantation d'ions hydrogene et tranche soi produite a l'aide du procede |
| US6239004B1 (en) | 1997-08-29 | 2001-05-29 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of forming oxide film on an SOI layer and method of fabricating a bonded wafer |
| KR20010056788A (ko) * | 1999-12-16 | 2001-07-04 | 박종섭 | 에스오아이 기판의 제조방법 |
| JP2001345435A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-12-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハ及び貼り合わせウェーハの製造方法、並びにその貼り合わせウェーハ |
| WO2002004935A1 (fr) * | 2000-07-06 | 2002-01-17 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Détecteur de molécules |
| JP2003509838A (ja) * | 1999-08-20 | 2003-03-11 | エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース | マイクロエレクトロニクス用基板の処理方法及び該方法により得られた基板 |
| JP2003510799A (ja) * | 1999-08-20 | 2003-03-18 | エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース | マイクロエレクトロニクス用基板の処理方法及び該方法により得られた基板 |
| WO2005117123A1 (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sumco Corporation | Ｓｏｉ基板及びその製造方法 |
| JP2008300571A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| JP2009224721A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| JP2014229842A (ja) * | 2013-05-24 | 2014-12-08 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 |
-
1996
- 1996-03-25 JP JP9485596A patent/JPH09260620A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6239004B1 (en) | 1997-08-29 | 2001-05-29 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of forming oxide film on an SOI layer and method of fabricating a bonded wafer |
| WO2000024059A1 (fr) * | 1998-10-16 | 2000-04-27 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de production de tranche soi utilisant un procede de separation d'implantation d'ions hydrogene et tranche soi produite a l'aide du procede |
| US6372609B1 (en) | 1998-10-16 | 2002-04-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of Fabricating SOI wafer by hydrogen ION delamination method and SOI wafer fabricated by the method |
| JP2003509838A (ja) * | 1999-08-20 | 2003-03-11 | エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース | マイクロエレクトロニクス用基板の処理方法及び該方法により得られた基板 |
| JP2003510799A (ja) * | 1999-08-20 | 2003-03-18 | エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース | マイクロエレクトロニクス用基板の処理方法及び該方法により得られた基板 |
| KR20010056788A (ko) * | 1999-12-16 | 2001-07-04 | 박종섭 | 에스오아이 기판의 제조방법 |
| JP2001345435A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-12-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハ及び貼り合わせウェーハの製造方法、並びにその貼り合わせウェーハ |
| WO2002004935A1 (fr) * | 2000-07-06 | 2002-01-17 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Détecteur de molécules |
| WO2005117123A1 (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sumco Corporation | Ｓｏｉ基板及びその製造方法 |
| US7736998B2 (en) | 2004-05-28 | 2010-06-15 | Sumco Corporation | Silicon-on insulator substrate and method for manufacturing the same |
| JP2008300571A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| KR101469282B1 (ko) * | 2007-05-30 | 2014-12-04 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Ｓｏｉ 웨이퍼의 제조 방법 |
| US9064929B2 (en) | 2007-05-30 | 2015-06-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for reducing the thickness of an SOI layer |
| JP2009224721A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| JP2014229842A (ja) * | 2013-05-24 | 2014-12-08 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 |
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