JP2001091262A - 半導体センサの製造方法、及び半導体センサ - Google Patents
半導体センサの製造方法、及び半導体センサInfo
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- JP2001091262A JP2001091262A JP26784299A JP26784299A JP2001091262A JP 2001091262 A JP2001091262 A JP 2001091262A JP 26784299 A JP26784299 A JP 26784299A JP 26784299 A JP26784299 A JP 26784299A JP 2001091262 A JP2001091262 A JP 2001091262A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体センサの可動部の突起部(ストッパ)
を確実に形成することが可能な製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 基板10に対向するとともに振動可能に
支持された可動部40と、突起部21とを有する半導体
センサの製造方法において、基板上に犠牲層20及び可
動部層40aを形成する工程と、可動部層に複数の貫通
孔40bを形成する工程と、一部の貫通孔を可視光線を
透過するレジストR1にて閉塞するとともに閉塞されて
いない貫通孔40bを介してエッチング液を導入し犠牲
層のエッチングを行う工程と、閉塞された貫通孔を開放
する工程と、開放された貫通孔を介して同貫通孔の直下
の犠牲層をエッチングにより除去する工程とを含んだ。
これにより、突起部形成にあたってレジストR1の直下
の犠牲層のエッチング状況を視認できるようになり、突
起部の形成が確実なものとなる。
を確実に形成することが可能な製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 基板10に対向するとともに振動可能に
支持された可動部40と、突起部21とを有する半導体
センサの製造方法において、基板上に犠牲層20及び可
動部層40aを形成する工程と、可動部層に複数の貫通
孔40bを形成する工程と、一部の貫通孔を可視光線を
透過するレジストR1にて閉塞するとともに閉塞されて
いない貫通孔40bを介してエッチング液を導入し犠牲
層のエッチングを行う工程と、閉塞された貫通孔を開放
する工程と、開放された貫通孔を介して同貫通孔の直下
の犠牲層をエッチングにより除去する工程とを含んだ。
これにより、突起部形成にあたってレジストR1の直下
の犠牲層のエッチング状況を視認できるようになり、突
起部の形成が確実なものとなる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対向すると
ともに同基板に振動可能に支持された可動部と、前記基
板と前記可動部との間に設けられ前記可動部のストッパ
として機能する突起部とを備えた加速度や角速度等を検
出する半導体センサの製造方法及び半導体センサに関す
る。
ともに同基板に振動可能に支持された可動部と、前記基
板と前記可動部との間に設けられ前記可動部のストッパ
として機能する突起部とを備えた加速度や角速度等を検
出する半導体センサの製造方法及び半導体センサに関す
る。
【0002】
【従来の技術】この種の半導体センサの製造方法として
は、例えば特開平8−219795号公報に開示されて
いるように、基板上に形成した絶縁膜をエッチングして
突起部を形成し、その上に犠牲層及び可動部となる層
(可動部層)を形成し、その後犠牲層をエッチングによ
り除去して可動部を形成する工程からなる製造方法が知
られている。この製造方法によれば、犠牲層の他に突起
部形成のための酸化膜を形成しなければならないこと、
犠牲層が突起部の上に形成されるために犠牲層の上面を
平坦化することが必要であること等から、工程が複雑と
なる。このため、基板上に犠牲層と可動部層とを形成し
た後に可動部層に貫通孔を設け、この貫通孔を介してエ
ッチング液を導入して犠牲層をエッチングし、これによ
り突起部を形成する方法が考えられている。
は、例えば特開平8−219795号公報に開示されて
いるように、基板上に形成した絶縁膜をエッチングして
突起部を形成し、その上に犠牲層及び可動部となる層
(可動部層)を形成し、その後犠牲層をエッチングによ
り除去して可動部を形成する工程からなる製造方法が知
られている。この製造方法によれば、犠牲層の他に突起
部形成のための酸化膜を形成しなければならないこと、
犠牲層が突起部の上に形成されるために犠牲層の上面を
平坦化することが必要であること等から、工程が複雑と
なる。このため、基板上に犠牲層と可動部層とを形成し
た後に可動部層に貫通孔を設け、この貫通孔を介してエ
ッチング液を導入して犠牲層をエッチングし、これによ
り突起部を形成する方法が考えられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記製
造方法では、突起部を形成するためのエッチングの制御
が困難であるため、エッチング不足によって可動部層と
突起部間に空間が設けらず、或いはエッチング過多によ
り突起部が形成されない場合があり、また、突起部が形
成されたか否かを製造途中において確認することが困難
である等の製造上の問題がある。従って、本発明の目的
は、所望の形状を有する突起部を容易に形成し得る半導
体センサの製造方法及び半導体センサを提供することに
ある。
造方法では、突起部を形成するためのエッチングの制御
が困難であるため、エッチング不足によって可動部層と
突起部間に空間が設けらず、或いはエッチング過多によ
り突起部が形成されない場合があり、また、突起部が形
成されたか否かを製造途中において確認することが困難
である等の製造上の問題がある。従って、本発明の目的
は、所望の形状を有する突起部を容易に形成し得る半導
体センサの製造方法及び半導体センサを提供することに
ある。
【0004】
【本発明の概要(構成・作用・効果)】本発明の特徴
は、基板に空間を挟んで対向するとともに同基板に対し
振動可能に支持された可動部と、前記基板から前記可動
部に向けて突出する突起部とを有する半導体センサの製
造方法において、前記基板上に犠牲層を形成する工程
と、前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成す
る工程と、前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程
と、前記貫通孔のうちの一部の貫通孔を閉塞する工程
と、前記貫通孔のうちの閉塞されていない貫通孔を介し
てエッチング液を導入し前記犠牲層のエッチングを行う
第1エッチング工程と、前記閉塞された貫通孔を開放す
る工程と、前記開放された貫通孔を介して同貫通孔の直
下の前記犠牲層をエッチングにより除去する第2エッチ
ング工程とを含んだことにある。
は、基板に空間を挟んで対向するとともに同基板に対し
振動可能に支持された可動部と、前記基板から前記可動
部に向けて突出する突起部とを有する半導体センサの製
造方法において、前記基板上に犠牲層を形成する工程
と、前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成す
る工程と、前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程
と、前記貫通孔のうちの一部の貫通孔を閉塞する工程
と、前記貫通孔のうちの閉塞されていない貫通孔を介し
てエッチング液を導入し前記犠牲層のエッチングを行う
第1エッチング工程と、前記閉塞された貫通孔を開放す
る工程と、前記開放された貫通孔を介して同貫通孔の直
下の前記犠牲層をエッチングにより除去する第2エッチ
ング工程とを含んだことにある。
【0005】上記従来の方法では、可動部層に設けられ
た全ての貫通孔からエッチング液が導入されるため、突
起部は可動部層の貫通孔が設けられていない部分の直下
に形成される。このため、貫通孔を介して確認できる犠
牲層の膜厚から突起部が形成されているか否かを推測す
ることとなるが、犠牲層の膜厚が小さい場合には貫通孔
直下の犠牲層は消失しており、突起部が形成されている
ことの確認が難しい。また、突起部の形成される個所が
可動部層の直下であるため、半導体センサの製造途中に
おいて突起部を顕微鏡等で視認することもできない。
た全ての貫通孔からエッチング液が導入されるため、突
起部は可動部層の貫通孔が設けられていない部分の直下
に形成される。このため、貫通孔を介して確認できる犠
牲層の膜厚から突起部が形成されているか否かを推測す
ることとなるが、犠牲層の膜厚が小さい場合には貫通孔
直下の犠牲層は消失しており、突起部が形成されている
ことの確認が難しい。また、突起部の形成される個所が
可動部層の直下であるため、半導体センサの製造途中に
おいて突起部を顕微鏡等で視認することもできない。
【0006】これに対し、上記本発明の特徴によれば、
基板上に犠牲層及び可動部層を積層し、可動部層に複数
の貫通孔を形成し、その貫通孔のうちの一部を閉塞した
後に犠牲層のエッチングを行う。また、その後に閉塞さ
れた貫通孔を開放し、開放された貫通孔を介して同貫通
孔の直下の(基板に対する貫通孔の投射方向にある)犠
牲層をエッチングにより除去して突起部を形成する。こ
れにより、突起部は前記閉塞した後に開放した貫通孔を
構成する可動部層の周壁の直下部に頂部を有するように
形成される。
基板上に犠牲層及び可動部層を積層し、可動部層に複数
の貫通孔を形成し、その貫通孔のうちの一部を閉塞した
後に犠牲層のエッチングを行う。また、その後に閉塞さ
れた貫通孔を開放し、開放された貫通孔を介して同貫通
孔の直下の(基板に対する貫通孔の投射方向にある)犠
牲層をエッチングにより除去して突起部を形成する。こ
れにより、突起部は前記閉塞した後に開放した貫通孔を
構成する可動部層の周壁の直下部に頂部を有するように
形成される。
【0007】従って、上記貫通孔を可視光線又は赤外線
を透過するレジスト等の材料により閉塞した場合には、
顕微鏡又は赤外線顕微鏡等によって閉塞された貫通孔の
直下を視認することができるので、貫通孔直下の犠牲層
を除去する前の段階において突起部が確実に形成される
状態になっているか否かが確認できる。また、貫通孔を
可視光線又は赤外線を透過しない材料により閉塞した場
合であっても、閉塞した貫通孔を開放した段階で同開放
された貫通孔の直下を視認することができるので、同様
に突起が確実に形成される状態になっているか否かが確
認できる。
を透過するレジスト等の材料により閉塞した場合には、
顕微鏡又は赤外線顕微鏡等によって閉塞された貫通孔の
直下を視認することができるので、貫通孔直下の犠牲層
を除去する前の段階において突起部が確実に形成される
状態になっているか否かが確認できる。また、貫通孔を
可視光線又は赤外線を透過しない材料により閉塞した場
合であっても、閉塞した貫通孔を開放した段階で同開放
された貫通孔の直下を視認することができるので、同様
に突起が確実に形成される状態になっているか否かが確
認できる。
【0008】本発明の他の特徴は、基板に空間を挟んで
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記基板から前記可動部に向けて突出する突起
部とを有する半導体センサの製造方法において、前記基
板上に前記犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に前
記可動部となる可動部層を形成する工程と、前記可動部
層に複数の貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を介し
て前記犠牲層に対し同犠牲層のエッチング速度を上昇さ
せる不純物を注入して拡散させる工程と、前記貫通孔を
介してエッチング液を導入して前記犠牲層をエッチング
する工程とを含んだことにある。
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記基板から前記可動部に向けて突出する突起
部とを有する半導体センサの製造方法において、前記基
板上に前記犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に前
記可動部となる可動部層を形成する工程と、前記可動部
層に複数の貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を介し
て前記犠牲層に対し同犠牲層のエッチング速度を上昇さ
せる不純物を注入して拡散させる工程と、前記貫通孔を
介してエッチング液を導入して前記犠牲層をエッチング
する工程とを含んだことにある。
【0009】これによれば、貫通孔を介して犠牲層中に
同犠牲層のエッチング速度を上昇させる不純物が注入さ
れ、注入された不純物は犠牲層中において等方的に拡散
する。このため、所定の時間が経過すると、不純物が拡
散していない部分(後に突起部となる部分)が、可動部
層の貫通孔が設けられていない部分の直下に頂部を有す
る突起状に形成される。このとき、不純物の拡散はエッ
チングに比べて制御しやすいので、後に突起部になる部
分の形状は狙いとする形状に精度よく形成できる。ま
た、不純物が拡散した犠牲層は不純物が拡散していない
犠牲層よりもエッチング速度が非常に大きくなる。この
ため、犠牲層をエッチングする工程において、不純物の
拡散した部分を除去するに必要な時間の変動(ばらつ
き)は小さい。以上により、所望の形状を有する突起部
を容易に得ることができる。
同犠牲層のエッチング速度を上昇させる不純物が注入さ
れ、注入された不純物は犠牲層中において等方的に拡散
する。このため、所定の時間が経過すると、不純物が拡
散していない部分(後に突起部となる部分)が、可動部
層の貫通孔が設けられていない部分の直下に頂部を有す
る突起状に形成される。このとき、不純物の拡散はエッ
チングに比べて制御しやすいので、後に突起部になる部
分の形状は狙いとする形状に精度よく形成できる。ま
た、不純物が拡散した犠牲層は不純物が拡散していない
犠牲層よりもエッチング速度が非常に大きくなる。この
ため、犠牲層をエッチングする工程において、不純物の
拡散した部分を除去するに必要な時間の変動(ばらつ
き)は小さい。以上により、所望の形状を有する突起部
を容易に得ることができる。
【0010】本発明の他の特徴は、基板に空間を挟んで
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記可動部が前記基板方向に振動したときに同
可動部と当接するストッパ(突起部、突状部)とを備え
た半導体センサの製造方法において、前記基板上に犠牲
層を形成する工程と、前記犠牲層上に前記可動部となる
可動部層を形成する工程と、前記可動部層に複数の貫通
孔を形成する工程と、前記貫通孔を介しエッチング液を
導入して前記犠牲層を部分的にエッチングする工程と、
前記貫通孔を介し同貫通孔の直下にある犠牲層に同犠牲
層のエッチング速度を低下させる不純物を注入する工程
と、前記貫通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲
層を再度エッチングする工程とを含んだことにある。
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記可動部が前記基板方向に振動したときに同
可動部と当接するストッパ(突起部、突状部)とを備え
た半導体センサの製造方法において、前記基板上に犠牲
層を形成する工程と、前記犠牲層上に前記可動部となる
可動部層を形成する工程と、前記可動部層に複数の貫通
孔を形成する工程と、前記貫通孔を介しエッチング液を
導入して前記犠牲層を部分的にエッチングする工程と、
前記貫通孔を介し同貫通孔の直下にある犠牲層に同犠牲
層のエッチング速度を低下させる不純物を注入する工程
と、前記貫通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲
層を再度エッチングする工程とを含んだことにある。
【0011】これによれば、貫通孔を介して導入される
エッチング液により犠牲層が部分的にエッチングされて
貫通孔の直下に底部を有するカップ状の穴が形成され
る。次いで、貫通孔を介して貫通孔の直下にある犠牲層
に同犠牲層のエッチング速度を低下させる不純物が注入
され、その後に犠牲層が再びエッチングされる。従っ
て、この2度目の犠牲層のエッチング工程において、貫
通孔直下の犠牲層はエッチングの進行が遅く、他の部分
の犠牲層はエッチングの進行が速い。この結果、貫通孔
の略中央部直下に頂部を有し、同貫通孔の下面側開口周
縁部直下に斜面を有する突起部が容易に且つ確実に形成
される。
エッチング液により犠牲層が部分的にエッチングされて
貫通孔の直下に底部を有するカップ状の穴が形成され
る。次いで、貫通孔を介して貫通孔の直下にある犠牲層
に同犠牲層のエッチング速度を低下させる不純物が注入
され、その後に犠牲層が再びエッチングされる。従っ
て、この2度目の犠牲層のエッチング工程において、貫
通孔直下の犠牲層はエッチングの進行が遅く、他の部分
の犠牲層はエッチングの進行が速い。この結果、貫通孔
の略中央部直下に頂部を有し、同貫通孔の下面側開口周
縁部直下に斜面を有する突起部が容易に且つ確実に形成
される。
【0012】上記特徴を有する製造方法等により形成さ
れる本発明に係る半導体センサは、基板に空間を挟んで
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記可動部が前記基板方向に振動したときに同
可動部と当接するストッパとを備えた半導体センサであ
って、前記可動部は複数の貫通孔を有し、前記ストッパ
は前記貫通孔の下面開口周縁上の任意の点を通り前記基
板の上面と直交する直線と交差する斜面を有している。
れる本発明に係る半導体センサは、基板に空間を挟んで
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記可動部が前記基板方向に振動したときに同
可動部と当接するストッパとを備えた半導体センサであ
って、前記可動部は複数の貫通孔を有し、前記ストッパ
は前記貫通孔の下面開口周縁上の任意の点を通り前記基
板の上面と直交する直線と交差する斜面を有している。
【0013】従って、この半導体センサは、可動部が基
板方向に振動した際に同可動部が突起部と線接触し又は
点接触するため、可動部と突起部とが密着・固定するこ
とを確実に回避することができるものとなる。
板方向に振動した際に同可動部が突起部と線接触し又は
点接触するため、可動部と突起部とが密着・固定するこ
とを確実に回避することができるものとなる。
【0014】本発明の他の特徴は、基板に空間を挟んで
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記基板から前記可動部に向けて突出する突起
部とを有する半導体センサの製造方法において、前記基
板の上部であって前記突起部が形成されるべき部分を除
いた部分に同基板のエッチング速度を上昇させる不純物
を注入する工程と、前記基板上に犠牲層を形成する工程
と、前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成す
る工程と、前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程
と、前記貫通孔を介し第1のエッチング液を導入し前記
犠牲層を除去する工程と、前記貫通孔を介し第2のエッ
チング液を導入し前記基板をエッチングする工程とを含
んだことにある。
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記基板から前記可動部に向けて突出する突起
部とを有する半導体センサの製造方法において、前記基
板の上部であって前記突起部が形成されるべき部分を除
いた部分に同基板のエッチング速度を上昇させる不純物
を注入する工程と、前記基板上に犠牲層を形成する工程
と、前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成す
る工程と、前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程
と、前記貫通孔を介し第1のエッチング液を導入し前記
犠牲層を除去する工程と、前記貫通孔を介し第2のエッ
チング液を導入し前記基板をエッチングする工程とを含
んだことにある。
【0015】これによれば、基板上部であって突起部が
形成されるべき部分を除いた部分に同基板のエッチング
速度を上昇させるための不純物が注入され、その基板上
に犠牲層が形成される。この時点においては、基板上面
に突起部が形成されておらず同基板の上面は平坦面とな
っているので、これに積層される犠牲層の下面及び上面
も平坦となる。従って、犠牲層の上部に形成される可動
部層の下面も平坦となるため、最終的に得られる可動部
の下面を平坦に形成でき、可動部の振動特性を所望のも
のとすることができる。また、従来のように、酸化膜と
犠牲層を形成する工程、酸化膜に突起部を形成するエッ
チング工程、及び突起部形成後に酸化膜上面を平坦化す
る工程を設ける必要もないので、製造工程の簡素化が図
られる。
形成されるべき部分を除いた部分に同基板のエッチング
速度を上昇させるための不純物が注入され、その基板上
に犠牲層が形成される。この時点においては、基板上面
に突起部が形成されておらず同基板の上面は平坦面とな
っているので、これに積層される犠牲層の下面及び上面
も平坦となる。従って、犠牲層の上部に形成される可動
部層の下面も平坦となるため、最終的に得られる可動部
の下面を平坦に形成でき、可動部の振動特性を所望のも
のとすることができる。また、従来のように、酸化膜と
犠牲層を形成する工程、酸化膜に突起部を形成するエッ
チング工程、及び突起部形成後に酸化膜上面を平坦化す
る工程を設ける必要もないので、製造工程の簡素化が図
られる。
【0016】本発明の他の特徴は、基板に空間を挟んで
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記可動部から前記基板に向けて突出する突起
部とを有する半導体センサの製造方法において、前記基
板上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に前記可
動部となる可動部層を形成する工程と、前記可動部層に
複数の貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を介しエッ
チング液を導入して前記犠牲層のエッチングを開始する
とともに同犠牲層が前記可動部層の下面であって前記突
起部が形成されるべき部分に残存する状態となったとき
同エッチングを終了する工程と、前記可動部層を部分的
にエッチングし、前記犠牲層をエッチングして除去する
工程とを含んだことにある。
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記可動部から前記基板に向けて突出する突起
部とを有する半導体センサの製造方法において、前記基
板上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に前記可
動部となる可動部層を形成する工程と、前記可動部層に
複数の貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を介しエッ
チング液を導入して前記犠牲層のエッチングを開始する
とともに同犠牲層が前記可動部層の下面であって前記突
起部が形成されるべき部分に残存する状態となったとき
同エッチングを終了する工程と、前記可動部層を部分的
にエッチングし、前記犠牲層をエッチングして除去する
工程とを含んだことにある。
【0017】これによれば、貫通孔を介して導入される
エッチング液により犠牲層のエッチングが開始されると
ともに、同犠牲層が前記可動部層の下面であって前記突
起部が形成されるべき部分に残存する状態となったとき
同エッチングが終了され、この状態において可動部層が
部分的にエッチングされる。このとき、残存する犠牲層
が可動部層のエッチングに対しマスクとして機能するた
め、可動部層の下面に突起部が確実に形成される。
エッチング液により犠牲層のエッチングが開始されると
ともに、同犠牲層が前記可動部層の下面であって前記突
起部が形成されるべき部分に残存する状態となったとき
同エッチングが終了され、この状態において可動部層が
部分的にエッチングされる。このとき、残存する犠牲層
が可動部層のエッチングに対しマスクとして機能するた
め、可動部層の下面に突起部が確実に形成される。
【0018】なお、この場合において、可動部層を部分
的にエッチングすることには、前記残存する犠牲層をマ
スクとして可動部層の表面に化学的変化を起こさせ(例
えば熱酸化させ)、同化学的に変化した部位が犠牲層と
同一のエッチング液により溶解するようにした後、犠牲
層をエッチングして除去する工程にて犠牲層とともにエ
ッチングすることが含まれる。
的にエッチングすることには、前記残存する犠牲層をマ
スクとして可動部層の表面に化学的変化を起こさせ(例
えば熱酸化させ)、同化学的に変化した部位が犠牲層と
同一のエッチング液により溶解するようにした後、犠牲
層をエッチングして除去する工程にて犠牲層とともにエ
ッチングすることが含まれる。
【0019】本発明の他の特徴は、基板に空間を挟んで
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記基板から前記可動部側に突出する基板側突
起部と、前記可動部から前記基板側突起部に向けて突出
する可動部側突起部とを有する半導体センサの製造方法
において、前記基板上に犠牲層を形成する工程と、前記
犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工程
と、前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程と、前
記貫通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲層のエ
ッチングを開始するとともに同犠牲層が前記基板の上面
であって前記基板側突起部が形成されるべき部分と前記
可動部層の下面であって前記可動部側突起部が形成され
るべき部分との間に介在するようになったとき同エッチ
ングを終了する工程と、前記可動部層及び前記基板を部
分的にエッチングし、前記犠牲層をエッチングにより除
去する工程とを含んだことにある。
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記基板から前記可動部側に突出する基板側突
起部と、前記可動部から前記基板側突起部に向けて突出
する可動部側突起部とを有する半導体センサの製造方法
において、前記基板上に犠牲層を形成する工程と、前記
犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工程
と、前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程と、前
記貫通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲層のエ
ッチングを開始するとともに同犠牲層が前記基板の上面
であって前記基板側突起部が形成されるべき部分と前記
可動部層の下面であって前記可動部側突起部が形成され
るべき部分との間に介在するようになったとき同エッチ
ングを終了する工程と、前記可動部層及び前記基板を部
分的にエッチングし、前記犠牲層をエッチングにより除
去する工程とを含んだことにある。
【0020】これによれば、貫通孔を介して導入される
エッチング液により犠牲層のエッチングが開始され、犠
牲層が前記基板の上面であって基板側突起部が形成され
るべき部分と可動部層の下面であって可動部側突起部が
形成されるべき部分との間に介在するようになったとき
同エッチングが終了され、この状態において可動部層と
基板とが部分的にエッチングされる。このとき、残存す
る犠牲層が可動部層及び基板のエッチングに対しマスク
として機能するため、可動部層の下面及び基板の上面に
突起部が確実に形成される。
エッチング液により犠牲層のエッチングが開始され、犠
牲層が前記基板の上面であって基板側突起部が形成され
るべき部分と可動部層の下面であって可動部側突起部が
形成されるべき部分との間に介在するようになったとき
同エッチングが終了され、この状態において可動部層と
基板とが部分的にエッチングされる。このとき、残存す
る犠牲層が可動部層及び基板のエッチングに対しマスク
として機能するため、可動部層の下面及び基板の上面に
突起部が確実に形成される。
【0021】なお、この場合において、可動部層及び基
板を部分的にエッチングすることには、前記犠牲層をマ
スクとして可動部層及び基板の表面に化学的変化を起こ
させ(例えば熱酸化させ)、同化学的に変化した部位が
犠牲層と同一のエッチング液により溶解するようにした
後、犠牲層をエッチングして除去する工程にて犠牲層と
ともにエッチングすることが含まれる。
板を部分的にエッチングすることには、前記犠牲層をマ
スクとして可動部層及び基板の表面に化学的変化を起こ
させ(例えば熱酸化させ)、同化学的に変化した部位が
犠牲層と同一のエッチング液により溶解するようにした
後、犠牲層をエッチングして除去する工程にて犠牲層と
ともにエッチングすることが含まれる。
【0022】本発明の他の特徴は、基板に空間を挟んで
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記基板又は前記可動部から突出する突起部と
を有する半導体センサの製造方法において、前記基板上
に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に前記可動部
となる可動部層を形成する工程と、前記可動部層をエッ
チングして複数の貫通孔を形成するとともに同形成され
た貫通孔の下面側開口外周縁部の前記可動部層をエッチ
ングして同可動部層に同可動部層から前記基板に向けて
細くなる部分を形成する第1エッチング工程と、前記貫
通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲層をエッチ
ングする第2エッチング工程とを含んだことにある。
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記基板又は前記可動部から突出する突起部と
を有する半導体センサの製造方法において、前記基板上
に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に前記可動部
となる可動部層を形成する工程と、前記可動部層をエッ
チングして複数の貫通孔を形成するとともに同形成され
た貫通孔の下面側開口外周縁部の前記可動部層をエッチ
ングして同可動部層に同可動部層から前記基板に向けて
細くなる部分を形成する第1エッチング工程と、前記貫
通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲層をエッチ
ングする第2エッチング工程とを含んだことにある。
【0023】これにより、前記第1エッチング工程を、
ドライエッチングにより貫通孔を形成するとともに同貫
通孔の形成後も同ドライエッチングを継続して可動部層
の下面側に複数の突起部を形成する工程とし、前記第2
エッチング工程を、犠牲層を除去する工程とするときに
は、ドライエッチングによって突起部が形成されること
により犠牲層のエッチング時間の厳格な管理が不要とな
るため、簡単な方法で確実に突起部を形成することがで
きる。また、上記特徴においては、前記第1エッチング
工程により可動部層から基板に向けて細くなる部分が形
成される。従って、突起部を、貫通孔を介してエッチン
グ液を導入して犠牲層のエッチングを部分的に行う第2
エッチング工程にて形成するときには、このエッチング
の終了時点の時間的余裕(マージン)を大きくとること
ができるので、突起部をより確実に形成することができ
る。
ドライエッチングにより貫通孔を形成するとともに同貫
通孔の形成後も同ドライエッチングを継続して可動部層
の下面側に複数の突起部を形成する工程とし、前記第2
エッチング工程を、犠牲層を除去する工程とするときに
は、ドライエッチングによって突起部が形成されること
により犠牲層のエッチング時間の厳格な管理が不要とな
るため、簡単な方法で確実に突起部を形成することがで
きる。また、上記特徴においては、前記第1エッチング
工程により可動部層から基板に向けて細くなる部分が形
成される。従って、突起部を、貫通孔を介してエッチン
グ液を導入して犠牲層のエッチングを部分的に行う第2
エッチング工程にて形成するときには、このエッチング
の終了時点の時間的余裕(マージン)を大きくとること
ができるので、突起部をより確実に形成することができ
る。
【0024】
【発明の実施の形態】<第1実施形態>以下、本発明の
第1実施形態について図1〜図4を参照しつつ説明す
る。なお、図1(A)は同実施形態に係る半導体センサ
の平面図、図1(B)は同半導体センサの1−1線に沿
った断面図、図2は図1の1−1線に沿った断面を工程
別に示した図、図3は図2に示した可動部40の近傍を
拡大して示した図、図4は製造途中における貫通孔40
bの直下方向の状態を示した図である。
第1実施形態について図1〜図4を参照しつつ説明す
る。なお、図1(A)は同実施形態に係る半導体センサ
の平面図、図1(B)は同半導体センサの1−1線に沿
った断面図、図2は図1の1−1線に沿った断面を工程
別に示した図、図3は図2に示した可動部40の近傍を
拡大して示した図、図4は製造途中における貫通孔40
bの直下方向の状態を示した図である。
【0025】この半導体センサは、シリコンからなる方
形状の基板10と、基板10上の周縁部に所定幅を有す
るように形成されたシリコン酸化膜(絶縁膜)からなる
犠牲層20と、犠牲層20の上に形成されたシリコンか
らなる枠体30と、枠体30の内側に形成されたシリコ
ンからなる可動部(振動子)40と、櫛歯状電極50
a,50b,60a,60bとを備えている。
形状の基板10と、基板10上の周縁部に所定幅を有す
るように形成されたシリコン酸化膜(絶縁膜)からなる
犠牲層20と、犠牲層20の上に形成されたシリコンか
らなる枠体30と、枠体30の内側に形成されたシリコ
ンからなる可動部(振動子)40と、櫛歯状電極50
a,50b,60a,60bとを備えている。
【0026】可動部40は、複数の貫通孔40bを備
え、枠体30の内側位置において梁11a〜11dによ
りX軸方向(図1(A)の左右方向)及びY軸方向(図
1(A)の上下方向)に振動可能となるように基板10
に空間を挟んで対向する状態(同基板10から僅かな距
離だけ浮いた状態)に支持されている。貫通孔40bの
各々は、平面視において略方形状であり、その中心位置
が正方格子の各格子点上に位置するように配列されてい
る。また、図1(B)に示したように、貫通孔40bを
形成する可動部40の周壁は、基板10の上面に垂直な
方向に沿って形成されている。
え、枠体30の内側位置において梁11a〜11dによ
りX軸方向(図1(A)の左右方向)及びY軸方向(図
1(A)の上下方向)に振動可能となるように基板10
に空間を挟んで対向する状態(同基板10から僅かな距
離だけ浮いた状態)に支持されている。貫通孔40bの
各々は、平面視において略方形状であり、その中心位置
が正方格子の各格子点上に位置するように配列されてい
る。また、図1(B)に示したように、貫通孔40bを
形成する可動部40の周壁は、基板10の上面に垂直な
方向に沿って形成されている。
【0027】可動部40と同一材料からなる略L字状の
梁11a〜11dは、各内側端にて可動部40に接続さ
れるとともに各外側端にて基板10上に犠牲層20を挟
んで形成されたベース部12a〜12dに接続されてい
て、可動部40と同様に基板10から僅かな距離だけ浮
いた状態となっている。また、梁11a〜11dであっ
て枠体30の内側面30aから外側に延びる部分の側壁
と枠体30との間、及びベース部12a〜12dの側壁
と枠体30との間には、一定幅の空間が設けられてい
る。ベース部12cの上にはアルミニウム等の導電金属
からなる方形状の電極パッド13が形成されている。
梁11a〜11dは、各内側端にて可動部40に接続さ
れるとともに各外側端にて基板10上に犠牲層20を挟
んで形成されたベース部12a〜12dに接続されてい
て、可動部40と同様に基板10から僅かな距離だけ浮
いた状態となっている。また、梁11a〜11dであっ
て枠体30の内側面30aから外側に延びる部分の側壁
と枠体30との間、及びベース部12a〜12dの側壁
と枠体30との間には、一定幅の空間が設けられてい
る。ベース部12cの上にはアルミニウム等の導電金属
からなる方形状の電極パッド13が形成されている。
【0028】基板10の上面には同基板10から可動部
40に向けて突出する突起部21が設けられている。こ
の突起部21は、可動部40がX軸及びY軸に直交する
方向(Z軸方向)に振動したときに当接するストッパと
して機能し、鏡面となっている可動部40の下面(以
下、可動部40の下面とは「可動部40の基板10側の
面又は犠牲層20側の面」をいう。)が、鏡面となって
いる基板10の上面(以下、基板10の上面とは「基板
10の可動部40側の面又は犠牲層20側の面」をい
う。)と面接触して固着状態となることを防止するため
に設けられている。
40に向けて突出する突起部21が設けられている。こ
の突起部21は、可動部40がX軸及びY軸に直交する
方向(Z軸方向)に振動したときに当接するストッパと
して機能し、鏡面となっている可動部40の下面(以
下、可動部40の下面とは「可動部40の基板10側の
面又は犠牲層20側の面」をいう。)が、鏡面となって
いる基板10の上面(以下、基板10の上面とは「基板
10の可動部40側の面又は犠牲層20側の面」をい
う。)と面接触して固着状態となることを防止するため
に設けられている。
【0029】可動部40のX軸方向各外側には、櫛歯状
電極41a,41bが同可動部40と一体的に形成され
ていて、可動部40と同様に基板10から僅かな距離だ
け浮いた状態となっている。この櫛歯状電極41a,4
1bは、X軸方向外側に延設されるとともにY軸方向に
等間隔に配置された複数の電極指をそれぞれ備えてい
る。
電極41a,41bが同可動部40と一体的に形成され
ていて、可動部40と同様に基板10から僅かな距離だ
け浮いた状態となっている。この櫛歯状電極41a,4
1bは、X軸方向外側に延設されるとともにY軸方向に
等間隔に配置された複数の電極指をそれぞれ備えてい
る。
【0030】可動部40のY軸方向各外側には、櫛歯状
電極42a,42bが同可動部40と一体的に形成され
ていて、可動部40と同様に基板10から僅かな距離だ
け浮いた状態となっている。この櫛歯状電極42a,4
2bは、Y軸方向外側に延設されるとともにX軸方向に
等間隔に配置された複数の電極指をそれぞれ備えてい
る。
電極42a,42bが同可動部40と一体的に形成され
ていて、可動部40と同様に基板10から僅かな距離だ
け浮いた状態となっている。この櫛歯状電極42a,4
2bは、Y軸方向外側に延設されるとともにX軸方向に
等間隔に配置された複数の電極指をそれぞれ備えてい
る。
【0031】櫛歯状電極50a,50bは、可動部40
のX軸方向外側にそれぞれ形成されている。各櫛歯状電
極50a,50bは、X軸方向に延設されるとともにY
軸方向に等間隔に配置された複数の電極指を備えてい
て、これらの各電極指は櫛歯状電極41a,41bの各
電極指間の幅方向(Y軸方向)中心位置に侵入してい
る。
のX軸方向外側にそれぞれ形成されている。各櫛歯状電
極50a,50bは、X軸方向に延設されるとともにY
軸方向に等間隔に配置された複数の電極指を備えてい
て、これらの各電極指は櫛歯状電極41a,41bの各
電極指間の幅方向(Y軸方向)中心位置に侵入してい
る。
【0032】また、各櫛歯状電極50a,50bは、X
軸方向各外側においてパッド部51a,51bに接続さ
れている。パッド部51a,51bは、犠牲層20の上
面に方形状に形成されていて、その周壁と枠体30との
間には、一定幅の空間が設けられている。パッド部51
a,51bの上面にはアルミニウム等の導電金属で方形
状の電極パッド52a,52bが設けられている。かか
る櫛歯状電極50a,50bは、櫛歯状電極41a,4
1bとともに可動部40に対する駆動部を構成し、駆動
用信号の印加によって可動部40を静電引力によりX軸
方向に励振する。
軸方向各外側においてパッド部51a,51bに接続さ
れている。パッド部51a,51bは、犠牲層20の上
面に方形状に形成されていて、その周壁と枠体30との
間には、一定幅の空間が設けられている。パッド部51
a,51bの上面にはアルミニウム等の導電金属で方形
状の電極パッド52a,52bが設けられている。かか
る櫛歯状電極50a,50bは、櫛歯状電極41a,4
1bとともに可動部40に対する駆動部を構成し、駆動
用信号の印加によって可動部40を静電引力によりX軸
方向に励振する。
【0033】櫛歯状電極60a,60bは、可動部40
のY軸方向外側にそれぞれ形成されている。各櫛歯状電
極60a,60bは、Y軸方向に延設されるとともにX
軸方向に等間隔に配置された複数の電極指を備えてい
て、これらの各電極指は櫛歯状電極42a,42bの各
電極指間の幅方向(X軸方向)中心位置に侵入してい
る。
のY軸方向外側にそれぞれ形成されている。各櫛歯状電
極60a,60bは、Y軸方向に延設されるとともにX
軸方向に等間隔に配置された複数の電極指を備えてい
て、これらの各電極指は櫛歯状電極42a,42bの各
電極指間の幅方向(X軸方向)中心位置に侵入してい
る。
【0034】また、各櫛歯状電極60a,60bは、Y
軸方向各外側においてパッド部61a,61bに接続さ
れている。パッド部61a,61bは、犠牲層20の上
面に方形状に形成されていて、その周壁と枠体30との
間には、一定幅の空間が設けられている。パッド部61
a,61bの上面にはアルミニウム等の導電金属で方形
状の電極パッド62a,62bが設けられている。かか
る櫛歯状電極60a,60bは、櫛歯状電極42a,4
2bとともに可動部40に対する検出部を構成し、可動
部40のY軸方向の振動を検出するために用いられる。
軸方向各外側においてパッド部61a,61bに接続さ
れている。パッド部61a,61bは、犠牲層20の上
面に方形状に形成されていて、その周壁と枠体30との
間には、一定幅の空間が設けられている。パッド部61
a,61bの上面にはアルミニウム等の導電金属で方形
状の電極パッド62a,62bが設けられている。かか
る櫛歯状電極60a,60bは、櫛歯状電極42a,4
2bとともに可動部40に対する検出部を構成し、可動
部40のY軸方向の振動を検出するために用いられる。
【0035】枠体30の上面には、梁11a〜11d、
可動部40、櫛歯状電極41a,41b,42a,42
b、及び櫛歯状電極50a,50b,60a,60bを
覆うように方形状のガラス蓋(図示省略)が固着されて
いる。これにより、可動部40は、基板10,犠牲層2
0、枠体30と前記ガラス蓋とにより形成される密閉空
間内で振動するようになっている。
可動部40、櫛歯状電極41a,41b,42a,42
b、及び櫛歯状電極50a,50b,60a,60bを
覆うように方形状のガラス蓋(図示省略)が固着されて
いる。これにより、可動部40は、基板10,犠牲層2
0、枠体30と前記ガラス蓋とにより形成される密閉空
間内で振動するようになっている。
【0036】次に、上記のように構成した半導体センサ
の製造方法について工程順に説明する。 (第1工程)先ず、図2(A)に示したように、シリコ
ンからなる基板10の上面上に約1μmの厚さのシリコ
ン酸化膜である犠牲層20と、約10μmのシリコンか
らなる上層31を積層し、SOI(Silicon-on-Insulat
or)ウエハを作製する。次いで、図2(B)に示したよ
うに、上層31の上面全体にシリコン酸化膜32を形成
する。
の製造方法について工程順に説明する。 (第1工程)先ず、図2(A)に示したように、シリコ
ンからなる基板10の上面上に約1μmの厚さのシリコ
ン酸化膜である犠牲層20と、約10μmのシリコンか
らなる上層31を積層し、SOI(Silicon-on-Insulat
or)ウエハを作製する。次いで、図2(B)に示したよ
うに、上層31の上面全体にシリコン酸化膜32を形成
する。
【0037】(第2工程)次に、図2(C)に示したよ
うに、酸化膜32の上面であって可動部40(貫通孔4
0bを除く)、櫛歯状電極41a,41b,42a,4
2b,50a,50b,60a,60b、梁11a〜1
1d、ベース部12a〜12d及び枠体30に相当する
部分をレジスト膜R1にてマスクする。そして、上層3
1及び酸化膜32をRIE(反応性イオンエッチング)
等でエッチングして、後に可動部40となる部分(以下
「可動部層40a」という。)に貫通孔40bを形成す
るとともに犠牲層20上にベース部12a〜12d、櫛
歯状電極50a,50b,60a,60b及び枠体30
を形成し、櫛歯状電極41a,41b,42a,42b
及び梁11a〜11dに相当する部分を残す。この後、
レジストR1と酸化膜32を除去する。
うに、酸化膜32の上面であって可動部40(貫通孔4
0bを除く)、櫛歯状電極41a,41b,42a,4
2b,50a,50b,60a,60b、梁11a〜1
1d、ベース部12a〜12d及び枠体30に相当する
部分をレジスト膜R1にてマスクする。そして、上層3
1及び酸化膜32をRIE(反応性イオンエッチング)
等でエッチングして、後に可動部40となる部分(以下
「可動部層40a」という。)に貫通孔40bを形成す
るとともに犠牲層20上にベース部12a〜12d、櫛
歯状電極50a,50b,60a,60b及び枠体30
を形成し、櫛歯状電極41a,41b,42a,42b
及び梁11a〜11dに相当する部分を残す。この後、
レジストR1と酸化膜32を除去する。
【0038】(第3工程)次に、図2(D)に示したよ
うに、貫通孔40bを一つおきに可視光線又は赤外線を
透過するレジストR2で閉塞する。即ち、貫通孔40b
は格子状に配設されているので、ある貫通孔40bから
みて最短距離をもって隣接する貫通孔40bを閉塞す
る。なお、図1(A)においては、この閉塞される貫通
孔40bに便宜上「×」を付している。また、レジスト
R2で閉塞する貫通孔40bは上記した位置の貫通孔4
0bに限定されることはなく、基板10上に設ける突起
部21の位置、貫通孔40bの数、同貫通孔40bの形
状等に応じて適宜決定される。
うに、貫通孔40bを一つおきに可視光線又は赤外線を
透過するレジストR2で閉塞する。即ち、貫通孔40b
は格子状に配設されているので、ある貫通孔40bから
みて最短距離をもって隣接する貫通孔40bを閉塞す
る。なお、図1(A)においては、この閉塞される貫通
孔40bに便宜上「×」を付している。また、レジスト
R2で閉塞する貫通孔40bは上記した位置の貫通孔4
0bに限定されることはなく、基板10上に設ける突起
部21の位置、貫通孔40bの数、同貫通孔40bの形
状等に応じて適宜決定される。
【0039】(第4工程・・・第1エッチング工程)次
いで、酸化シリコンを溶解するがシリコンを溶解するこ
とのないフッ酸水溶液(エッチング液)で満たされた槽
内にウエハを浸漬し、図2(D)に示したように、閉塞
されていない貫通孔40bを介してフッ酸水溶液を導入
し、可動部層40a、櫛歯状電極41a,41b,42
a,42b、及び梁11a〜11dと基板10とに挟ま
れる犠牲層20のエッチングを開始する。このエッチン
グは等方性エッチングであるので、フッ酸水溶液が導入
された貫通孔40bの基板10側の端部から等距離内の
犠牲層20が除去される。
いで、酸化シリコンを溶解するがシリコンを溶解するこ
とのないフッ酸水溶液(エッチング液)で満たされた槽
内にウエハを浸漬し、図2(D)に示したように、閉塞
されていない貫通孔40bを介してフッ酸水溶液を導入
し、可動部層40a、櫛歯状電極41a,41b,42
a,42b、及び梁11a〜11dと基板10とに挟ま
れる犠牲層20のエッチングを開始する。このエッチン
グは等方性エッチングであるので、フッ酸水溶液が導入
された貫通孔40bの基板10側の端部から等距離内の
犠牲層20が除去される。
【0040】ここで、上記犠牲層20のエッチングにつ
いて詳述すると、図2(D)及び図3(A)に示したよ
うに、先ずフッ酸水溶液が導入された貫通孔40bの直
下にある基板10が露呈する。そして、所定の時間が経
過して残存する犠牲層20の頂部(犠牲層20の可動部
層40a側の上端面)が、レジストR2により閉塞され
ている貫通孔40bの下面開口よりも僅かに小さくなっ
た時点でエッチングを停止する。換言すると、フッ酸水
溶液が導入された貫通孔40bの直下にある基板10が
露呈した後であって、フッ酸水溶液を導入した貫通孔4
0bのうち最短距離をもって隣接する二つの貫通孔40
b,40bの間にあるレジストR2の下面(閉塞された
貫通孔40bの下面)の周縁部が僅かに露呈し、且つ同
下面の直下(貫通孔40bの投影方向)の基板10は犠
牲層20により覆われている状態にて、このエッチング
を終了する
いて詳述すると、図2(D)及び図3(A)に示したよ
うに、先ずフッ酸水溶液が導入された貫通孔40bの直
下にある基板10が露呈する。そして、所定の時間が経
過して残存する犠牲層20の頂部(犠牲層20の可動部
層40a側の上端面)が、レジストR2により閉塞され
ている貫通孔40bの下面開口よりも僅かに小さくなっ
た時点でエッチングを停止する。換言すると、フッ酸水
溶液が導入された貫通孔40bの直下にある基板10が
露呈した後であって、フッ酸水溶液を導入した貫通孔4
0bのうち最短距離をもって隣接する二つの貫通孔40
b,40bの間にあるレジストR2の下面(閉塞された
貫通孔40bの下面)の周縁部が僅かに露呈し、且つ同
下面の直下(貫通孔40bの投影方向)の基板10は犠
牲層20により覆われている状態にて、このエッチング
を終了する
【0041】犠牲層20が上記エッチングを終了すべき
状態にまでエッチングされたか否かは、種々の方法によ
り知ることができる。この実施形態においては、レジス
トR2に可視光線又は赤外線を透過するものを用いてい
るので(シリコンからなる可動部層40aは赤外線及び
可視光線の何れも透過させない)、顕微鏡又は赤外線顕
微鏡によって閉塞された貫通孔40bの直下にある犠牲
層20の状態をレジストR2の剥離前の段階において視
認することができる。
状態にまでエッチングされたか否かは、種々の方法によ
り知ることができる。この実施形態においては、レジス
トR2に可視光線又は赤外線を透過するものを用いてい
るので(シリコンからなる可動部層40aは赤外線及び
可視光線の何れも透過させない)、顕微鏡又は赤外線顕
微鏡によって閉塞された貫通孔40bの直下にある犠牲
層20の状態をレジストR2の剥離前の段階において視
認することができる。
【0042】この場合、図4(A)に示したように、貫
通孔40bの内側に略矩形の線と矩形の角部から放射状
に広がる稜線のみが視認できれば、上記エッチングを終
了すべき状態であると判断できる。一方、図4(B)に
示したように、略矩形とその中央部に点が視認でき、そ
の点と矩形の角部とを結ぶ稜線が視認できるときは、上
記エッチングを終了すべき状態以上にエッチングが進行
している状態であると判断できる。
通孔40bの内側に略矩形の線と矩形の角部から放射状
に広がる稜線のみが視認できれば、上記エッチングを終
了すべき状態であると判断できる。一方、図4(B)に
示したように、略矩形とその中央部に点が視認でき、そ
の点と矩形の角部とを結ぶ稜線が視認できるときは、上
記エッチングを終了すべき状態以上にエッチングが進行
している状態であると判断できる。
【0043】(第5工程・・・第2エッチング工程)次
に、レジストR2を酸素(O2)プラズマにより剥離
し、次いで図2(E)及び図3(B)に示したように、
異方性エッチング及びドライエッチングの一つであるR
IEにより貫通孔40bの直下にある犠牲層20を除去
する。即ち、貫通孔40bの下面から基板10の上面に
垂直な方向に存在する犠牲層20(貫通孔40bの投射
方向に存在する犠牲層20)を除去する。これにより、
図3(C)に示したように、可動部40が基板10から
所定の距離だけ浮いた状態に形成されるとともに、基板
10から可動部40に向けて突出する突起部21が確実
に形成される。また、以上により、櫛歯状電極41a,
41b,42a,42b及び梁11a〜11dと基板1
0との間に存在した犠牲層20も除去され、これらにつ
いても基板から所定の距離だけ浮いた状態に形成され
る。
に、レジストR2を酸素(O2)プラズマにより剥離
し、次いで図2(E)及び図3(B)に示したように、
異方性エッチング及びドライエッチングの一つであるR
IEにより貫通孔40bの直下にある犠牲層20を除去
する。即ち、貫通孔40bの下面から基板10の上面に
垂直な方向に存在する犠牲層20(貫通孔40bの投射
方向に存在する犠牲層20)を除去する。これにより、
図3(C)に示したように、可動部40が基板10から
所定の距離だけ浮いた状態に形成されるとともに、基板
10から可動部40に向けて突出する突起部21が確実
に形成される。また、以上により、櫛歯状電極41a,
41b,42a,42b及び梁11a〜11dと基板1
0との間に存在した犠牲層20も除去され、これらにつ
いても基板から所定の距離だけ浮いた状態に形成され
る。
【0044】(第6工程)次いで、アルミ膜を電極パッ
ド13,52a,52b,61a,61bに相当する部
分にスパッタリング法等により形成し、電極パッド1
3,52a,52b,62a,62bをそれぞれ形成す
る。最後に、真空中において前述したガラス蓋(図示省
略)を枠体30上面に陽極接合等により固着する。な
お、上記アルミ膜を形成する工程は、この段階にて行う
必要はなく、貫通孔40bを形成する前の段階で実施す
ることもできる。
ド13,52a,52b,61a,61bに相当する部
分にスパッタリング法等により形成し、電極パッド1
3,52a,52b,62a,62bをそれぞれ形成す
る。最後に、真空中において前述したガラス蓋(図示省
略)を枠体30上面に陽極接合等により固着する。な
お、上記アルミ膜を形成する工程は、この段階にて行う
必要はなく、貫通孔40bを形成する前の段階で実施す
ることもできる。
【0045】上記の第1実施形態に係る半導体センサの
製造方法においては、レジストR2を除去する前の製造
途中においても、貫通孔40bを可視光線又は赤外線を
透過するレジストR2により閉塞しているので、顕微鏡
又は赤外線顕微鏡によって閉塞された貫通孔40bの直
下を視認することができる。従って、閉塞されている貫
通孔40bの直下の犠牲層20をドライエッチングして
除去する次工程に進む前の時点で、そのドライエッチン
グを施せば突起部21が確実に形成される状態になって
いるか否かが確認でき、製造効率や検査効率を向上する
ことができる。
製造方法においては、レジストR2を除去する前の製造
途中においても、貫通孔40bを可視光線又は赤外線を
透過するレジストR2により閉塞しているので、顕微鏡
又は赤外線顕微鏡によって閉塞された貫通孔40bの直
下を視認することができる。従って、閉塞されている貫
通孔40bの直下の犠牲層20をドライエッチングして
除去する次工程に進む前の時点で、そのドライエッチン
グを施せば突起部21が確実に形成される状態になって
いるか否かが確認でき、製造効率や検査効率を向上する
ことができる。
【0046】また、上記方法によれば、貫通孔40bを
閉塞するレジストR2に可視光線又は赤外線を透過しな
いものを採用した場合であっても、レジストR2を除去
して閉塞した貫通孔40bを開放した段階において、同
開放された貫通孔40bの直下を視認することができる
ので、上記ドライエッチングを施せば突起部21が確実
に形成される状態になっているか否かを確認することが
できる。
閉塞するレジストR2に可視光線又は赤外線を透過しな
いものを採用した場合であっても、レジストR2を除去
して閉塞した貫通孔40bを開放した段階において、同
開放された貫通孔40bの直下を視認することができる
ので、上記ドライエッチングを施せば突起部21が確実
に形成される状態になっているか否かを確認することが
できる。
【0047】なお、フッ酸水溶液で満たされた槽内にて
犠牲層20のエッチング途中にあるSOIウエハ(半導
体センサ)を振動させ、レジストR2が剥離するか否か
を確認することによっても、上記犠牲層20のエッチン
グを終了すべき状態となったか否かを判断することがで
きる。これは、犠牲層20の頂部が閉塞されている貫通
孔40bの下面よりも大きい間は、ウエハを振動させて
もレジストR2にフッ酸水溶液による上方への力(レジ
ストR2の剥離方向への力)が作用しないので、レジス
トR2が剥離することはないが、犠牲層20の頂部が閉
塞されている貫通孔40bの下面よりも小さくなると、
ウエハを振動させたときにフッ酸水溶液がレジストR2
の下方に回りこみ、レジストR2に上方への力を加える
ため、犠牲層20と密着性が良好でないレジストR2は
剥離することを利用したものである。なお、この方法で
は、レジストR2は、犠牲層20の頂部がレジストR2
の下面から離れた時点以降においても剥離するので、レ
ジストR2が剥離しない状態から剥離した状態となった
時点で直ちに犠牲層20のエッチングを中止する必要が
ある。
犠牲層20のエッチング途中にあるSOIウエハ(半導
体センサ)を振動させ、レジストR2が剥離するか否か
を確認することによっても、上記犠牲層20のエッチン
グを終了すべき状態となったか否かを判断することがで
きる。これは、犠牲層20の頂部が閉塞されている貫通
孔40bの下面よりも大きい間は、ウエハを振動させて
もレジストR2にフッ酸水溶液による上方への力(レジ
ストR2の剥離方向への力)が作用しないので、レジス
トR2が剥離することはないが、犠牲層20の頂部が閉
塞されている貫通孔40bの下面よりも小さくなると、
ウエハを振動させたときにフッ酸水溶液がレジストR2
の下方に回りこみ、レジストR2に上方への力を加える
ため、犠牲層20と密着性が良好でないレジストR2は
剥離することを利用したものである。なお、この方法で
は、レジストR2は、犠牲層20の頂部がレジストR2
の下面から離れた時点以降においても剥離するので、レ
ジストR2が剥離しない状態から剥離した状態となった
時点で直ちに犠牲層20のエッチングを中止する必要が
ある。
【0048】なお、上記突起部21と同一形状の突起を
製造する方法として、最初に貫通孔40bを形成する際
に上記「×」印を付与した領域には貫通孔40bを設け
ないようにしておき、形成された貫通孔40bを介して
エッチング液を導入して犠牲層20のエッチングを開始
し、同犠牲層20の頂部が可動部層40aの上記「×」
を付与した領域の下面において、同領域よりも僅かに小
さい範囲をもって接触している状態となった時点で同エ
ッチングを停止し、その後上記「×」を付与した領域を
基板10の上面と直交する方向にドライエッチングし
て、同「×」を付与した領域の可動部層40aと、その
直下に存在している犠牲層20を除去する方法もある。
製造する方法として、最初に貫通孔40bを形成する際
に上記「×」印を付与した領域には貫通孔40bを設け
ないようにしておき、形成された貫通孔40bを介して
エッチング液を導入して犠牲層20のエッチングを開始
し、同犠牲層20の頂部が可動部層40aの上記「×」
を付与した領域の下面において、同領域よりも僅かに小
さい範囲をもって接触している状態となった時点で同エ
ッチングを停止し、その後上記「×」を付与した領域を
基板10の上面と直交する方向にドライエッチングし
て、同「×」を付与した領域の可動部層40aと、その
直下に存在している犠牲層20を除去する方法もある。
【0049】次に、上記のように構成した半導体センサ
の使用態様について説明する。この半導体センサの使用
にあたっては、電極パッド13,52a,52b,62
a,62bを図示しない電気回路装置に接続しておく。
そして、電気回路装置は、可動部40をその固有振動数
f0でX軸方向に一定振幅で振動させるために、互いに
逆相の駆動用信号を電極パッド52a,52bにそれぞ
れ供給する。また、可動部40のY軸方向の振動を検出
するために、互いに逆相の検出用信号を電極パッド62
a,62bに供給する。
の使用態様について説明する。この半導体センサの使用
にあたっては、電極パッド13,52a,52b,62
a,62bを図示しない電気回路装置に接続しておく。
そして、電気回路装置は、可動部40をその固有振動数
f0でX軸方向に一定振幅で振動させるために、互いに
逆相の駆動用信号を電極パッド52a,52bにそれぞ
れ供給する。また、可動部40のY軸方向の振動を検出
するために、互いに逆相の検出用信号を電極パッド62
a,62bに供給する。
【0050】以上により、可動部40は前記駆動部に発
生する静電引力により固有振動数f0でX軸方向に一定
振幅で振動し、この状態においてX,Y軸に直行するZ
軸回りの角速度が働くと、可動部40はコリオリ力によ
り同角速度に比例した振幅でY軸方向にも振動する。こ
の可動部40のY軸方向の振動に伴い、可動部40に接
続された櫛歯状電極42a,42bもY軸方向に振動す
るため、櫛歯状電極42a,60aにおける静電容量
と、櫛歯状電極42b,60bにおける静電容量とは互
いに逆方向に変化する。この静電容量の変化を表す信号
が、静電容量信号として電極パッド13を介して電気回
路装置に入力される。電気回路装置は、この静電容量信
号を用いて前記Z軸回りの角速度を導出する。
生する静電引力により固有振動数f0でX軸方向に一定
振幅で振動し、この状態においてX,Y軸に直行するZ
軸回りの角速度が働くと、可動部40はコリオリ力によ
り同角速度に比例した振幅でY軸方向にも振動する。こ
の可動部40のY軸方向の振動に伴い、可動部40に接
続された櫛歯状電極42a,42bもY軸方向に振動す
るため、櫛歯状電極42a,60aにおける静電容量
と、櫛歯状電極42b,60bにおける静電容量とは互
いに逆方向に変化する。この静電容量の変化を表す信号
が、静電容量信号として電極パッド13を介して電気回
路装置に入力される。電気回路装置は、この静電容量信
号を用いて前記Z軸回りの角速度を導出する。
【0051】<第2実施形態>次に、本発明の第2実施
形態について、図1(A)及び図5を参照しつつ説明す
ると、第2実施形態は、その構成に関しては、突起部2
2の形状を除いて第1実施形態と同一である。即ち、図
1(A)の2−2線に沿った断面であって可動部40
(可動部層40a)の周辺の拡大図である図5(C)に
示したように、突起部22は、基板10から可動部40
に向けて突出していて、図1(A)の2−2線に沿って
隣接する貫通孔40b,40bの略中央部下方に先鋭な
頂部を有する形状を有している。
形態について、図1(A)及び図5を参照しつつ説明す
ると、第2実施形態は、その構成に関しては、突起部2
2の形状を除いて第1実施形態と同一である。即ち、図
1(A)の2−2線に沿った断面であって可動部40
(可動部層40a)の周辺の拡大図である図5(C)に
示したように、突起部22は、基板10から可動部40
に向けて突出していて、図1(A)の2−2線に沿って
隣接する貫通孔40b,40bの略中央部下方に先鋭な
頂部を有する形状を有している。
【0052】この第2実施形態に係る半導体センサの製
造方法について説明すると、先ず、第1実施形態の第
1,第2工程と同一の工程を実施し、次いで図5に示し
た工程を実施する。
造方法について説明すると、先ず、第1実施形態の第
1,第2工程と同一の工程を実施し、次いで図5に示し
た工程を実施する。
【0053】即ち、図5(A)に示したように、貫通孔
40bの設けられていない部分の可動部層40aをマス
クとして、貫通孔40bを介して犠牲層20に対しリン
等の不純物IPをイオン注入法により注入する。そし
て、ウエハを1000℃程度に制御された拡散炉内に入
れ所定の時間(例えば、10時間)加熱する。これによ
り、図5(B)に示したように、犠牲層20のうち前記
突起部22が形成されるべき部分(突起形成部分)20
bを除いた部分(不純物拡散部分)20aに同不純物I
Pが拡散される。この結果、不純物IPが拡散していな
い部分20bは、図1(A)の2−2線に沿って隣接す
る貫通孔40b,40bの略中央部(可動部層40aの
貫通孔40bが設けられていない部分)の直下に頂部を
有する突起状に形成される。
40bの設けられていない部分の可動部層40aをマス
クとして、貫通孔40bを介して犠牲層20に対しリン
等の不純物IPをイオン注入法により注入する。そし
て、ウエハを1000℃程度に制御された拡散炉内に入
れ所定の時間(例えば、10時間)加熱する。これによ
り、図5(B)に示したように、犠牲層20のうち前記
突起部22が形成されるべき部分(突起形成部分)20
bを除いた部分(不純物拡散部分)20aに同不純物I
Pが拡散される。この結果、不純物IPが拡散していな
い部分20bは、図1(A)の2−2線に沿って隣接す
る貫通孔40b,40bの略中央部(可動部層40aの
貫通孔40bが設けられていない部分)の直下に頂部を
有する突起状に形成される。
【0054】次いで、図5(C)に示したように、貫通
孔40bを介してエッチング液であるフッ酸水溶液を導
入して犠牲層20のエッチングを開始し、不純物拡散部
分20aが消失すると予測される時間が経過した時点
で、このエッチングを終了する。このエッチングにおい
ては、不純物拡散部分20aのフッ酸水溶液に対するエ
ッチング速度は、突起形成部分20bのそれよりも格段
に高くなっている。従って、不純物拡散部分20aはエ
ッチングの開始後直ちに消失する。
孔40bを介してエッチング液であるフッ酸水溶液を導
入して犠牲層20のエッチングを開始し、不純物拡散部
分20aが消失すると予測される時間が経過した時点
で、このエッチングを終了する。このエッチングにおい
ては、不純物拡散部分20aのフッ酸水溶液に対するエ
ッチング速度は、突起形成部分20bのそれよりも格段
に高くなっている。従って、不純物拡散部分20aはエ
ッチングの開始後直ちに消失する。
【0055】以上により可動部40と突起部22とが形
成されるとともに、櫛歯状電極41a,41b,42
a,42b及び梁11a〜11dと基板10との間に存
在した犠牲層20も除去され、これらについても基板か
ら所定の距離だけ浮いた状態に形成される。この後は、
第1実施形態の第6工程と同一の工程が実施される。
成されるとともに、櫛歯状電極41a,41b,42
a,42b及び梁11a〜11dと基板10との間に存
在した犠牲層20も除去され、これらについても基板か
ら所定の距離だけ浮いた状態に形成される。この後は、
第1実施形態の第6工程と同一の工程が実施される。
【0056】ここで、上記不純物の拡散について説明を
加える。不純物の拡散深さ(拡散の進行程度)は、拡散
速度を決定する主要因である拡散温度と拡散させる時間
とによって実質的に決定される。また、不純物の拡散
は、拡散炉内にウエハを入れて行われるが、炉内の温度
は、例えば1000℃にて拡散させようとする場合、現
状1000±10℃内に容易に管理され得る。これによ
り、拡散速度は極めて精度良く制御される。また、犠牲
層20に注入された不純物IPの拡散速度は、犠牲層2
0のエッチング速度に比べて極めて小さいので、製造工
程上の時間的な管理も容易である。従って、不純物IP
の拡散により突起部22の形状を決定する本実施形態に
よれば、所望の形状に極めて近似した突起形成部分20
b(即ち、突起部22)を形成し得る。
加える。不純物の拡散深さ(拡散の進行程度)は、拡散
速度を決定する主要因である拡散温度と拡散させる時間
とによって実質的に決定される。また、不純物の拡散
は、拡散炉内にウエハを入れて行われるが、炉内の温度
は、例えば1000℃にて拡散させようとする場合、現
状1000±10℃内に容易に管理され得る。これによ
り、拡散速度は極めて精度良く制御される。また、犠牲
層20に注入された不純物IPの拡散速度は、犠牲層2
0のエッチング速度に比べて極めて小さいので、製造工
程上の時間的な管理も容易である。従って、不純物IP
の拡散により突起部22の形状を決定する本実施形態に
よれば、所望の形状に極めて近似した突起形成部分20
b(即ち、突起部22)を形成し得る。
【0057】また、不純物であるリンが所定濃度以上に
拡散された犠牲層20のフッ酸水溶液に対するエッチン
グ速度は、不純物濃度がそれ以下の犠牲層20のエッチ
ング速度よりもかなり大きい。従って、不純物の拡散に
よりエッチング速度が極めて高くなった部分を先にエッ
チングして突起部22を形成する本第2実施形態によれ
ば、このエッチングの開始時点から極めて短時間内で所
望形状の突起部22が形成されるとともに、その後はそ
の突起部22の形状の変化が緩やかに進行するので、所
望の形状に極めて近似した突起部22を得ることがで
き、製造工程上の管理も容易なものとなる。
拡散された犠牲層20のフッ酸水溶液に対するエッチン
グ速度は、不純物濃度がそれ以下の犠牲層20のエッチ
ング速度よりもかなり大きい。従って、不純物の拡散に
よりエッチング速度が極めて高くなった部分を先にエッ
チングして突起部22を形成する本第2実施形態によれ
ば、このエッチングの開始時点から極めて短時間内で所
望形状の突起部22が形成されるとともに、その後はそ
の突起部22の形状の変化が緩やかに進行するので、所
望の形状に極めて近似した突起部22を得ることがで
き、製造工程上の管理も容易なものとなる。
【0058】なお、上記第2実施形態において、注入・
拡散される不純物はリンであったが、フッ酸水溶液等の
エッチング液に対し犠牲層20のエッチング速度を上昇
させる物質であれば、他の物質であってもよい。
拡散される不純物はリンであったが、フッ酸水溶液等の
エッチング液に対し犠牲層20のエッチング速度を上昇
させる物質であれば、他の物質であってもよい。
【0059】<第3実施形態>次に、本発明の第3実施
形態について、図1(A)及び図6を参照しつつ説明す
ると、第3実施形態は、その構成に関しては、第1実施
形態の突起部21がストッパ(突起部、突状部)23と
なっている点を除いて第1実施形態と同一である。即
ち、ストッパ23は、図1(A)の2−2線に沿った断
面であって可動部40の周辺の拡大図である図6(D)
に示したように、貫通孔40bの中心部下方において基
板10から可動部40に向けて突出する頂部(極大部)
を有するとともに、隣接する貫通孔40b,40bの略
中央部直下に谷部(底部又は極小部)を有する丘状とな
っている。
形態について、図1(A)及び図6を参照しつつ説明す
ると、第3実施形態は、その構成に関しては、第1実施
形態の突起部21がストッパ(突起部、突状部)23と
なっている点を除いて第1実施形態と同一である。即
ち、ストッパ23は、図1(A)の2−2線に沿った断
面であって可動部40の周辺の拡大図である図6(D)
に示したように、貫通孔40bの中心部下方において基
板10から可動部40に向けて突出する頂部(極大部)
を有するとともに、隣接する貫通孔40b,40bの略
中央部直下に谷部(底部又は極小部)を有する丘状とな
っている。
【0060】この第3実施形態に係る半導体センサの製
造工程について説明すると、先ず、第1実施形態の第
1,第2工程と同一の工程を実施し、次いで図6に示し
た工程を実施する。
造工程について説明すると、先ず、第1実施形態の第
1,第2工程と同一の工程を実施し、次いで図6に示し
た工程を実施する。
【0061】即ち、図6(A)に示した状態のウエハに
対して、貫通孔40bを介してエッチング液であるフッ
酸水溶液を導入し、図6(B)に示したように、可動部
層40aをマスクとして犠牲層20のエッチングを開始
し、所定の深さまでエッチングした時点(基板10が露
呈する前の時点)にて同エッチングを終了する。所定の
深さになったか否かは貫通孔40b直下の犠牲層20の
膜厚を計測することにより判断する。この工程を第1ウ
エットエッチング工程とも称する。
対して、貫通孔40bを介してエッチング液であるフッ
酸水溶液を導入し、図6(B)に示したように、可動部
層40aをマスクとして犠牲層20のエッチングを開始
し、所定の深さまでエッチングした時点(基板10が露
呈する前の時点)にて同エッチングを終了する。所定の
深さになったか否かは貫通孔40b直下の犠牲層20の
膜厚を計測することにより判断する。この工程を第1ウ
エットエッチング工程とも称する。
【0062】次に、図6(C)に示したように、可動部
層40aをマスクとし、貫通孔40bを介して同貫通孔
40bの直下(貫通孔40bの投射方向)に存在する犠
牲層20に不純物であるボロンをイオン注入法等により
打ち込む。これにより、犠牲層20のうち前記ストッパ
23の頂部が形成されるべき部分(頂部形成部分)20
cにのみボロンが注入される。なお、犠牲層20の途中
までボロンを注入してもよいが、後に実施される犠牲層
20のエッチング工程にて同ボロンを注入した部分20
cが剥離する可能性があるので、ボロンは基板10の上
面に達するように注入しておく。
層40aをマスクとし、貫通孔40bを介して同貫通孔
40bの直下(貫通孔40bの投射方向)に存在する犠
牲層20に不純物であるボロンをイオン注入法等により
打ち込む。これにより、犠牲層20のうち前記ストッパ
23の頂部が形成されるべき部分(頂部形成部分)20
cにのみボロンが注入される。なお、犠牲層20の途中
までボロンを注入してもよいが、後に実施される犠牲層
20のエッチング工程にて同ボロンを注入した部分20
cが剥離する可能性があるので、ボロンは基板10の上
面に達するように注入しておく。
【0063】次いで、図6(D)に示したように、貫通
孔40bを介してエッチング液であるフッ酸水溶液を再
び導入して犠牲層20をエッチングする。このとき、前
記ボロンの注入された部分20cは、それ以外の部分よ
りもフッ酸水溶液に対するエッチング速度が小さくなっ
ているため、同エッチングによってボロン注入部分20
cが多く残され、その他の部分が小さくなる。そして、
適当な時間が経過した時点で同エッチングを終了し、ス
トッパ23の最終形状を得る。なお、この工程を第2ウ
エットエッチング工程とも称する。
孔40bを介してエッチング液であるフッ酸水溶液を再
び導入して犠牲層20をエッチングする。このとき、前
記ボロンの注入された部分20cは、それ以外の部分よ
りもフッ酸水溶液に対するエッチング速度が小さくなっ
ているため、同エッチングによってボロン注入部分20
cが多く残され、その他の部分が小さくなる。そして、
適当な時間が経過した時点で同エッチングを終了し、ス
トッパ23の最終形状を得る。なお、この工程を第2ウ
エットエッチング工程とも称する。
【0064】以上説明したように、上記第3実施形態の
半導体センサは、基板10に空間を挟んで対向するとと
もに基板10に対し振動可能に支持された可動部40
と、可動部40が基板10の方向に振動したときに可動
部40と当接するストッパ23とを備え、その可動部4
0は複数の貫通孔40bを有し、ストッパ23は貫通孔
40bの下面開口周縁上の任意の点を通り基板10の上
面と直交する直線と交差する斜面を有している。換言す
れば、この半導体センサのストッパ23は、可動部40
が基板10の方向へ振動した場合に、貫通孔40bの下
面開口周縁部分と線状に接触するようになっている。ま
た、このような構造を有し、上記貫通孔40bの下面開
口周縁部分が略四角形状であって、ストッパ23が略球
面形状に形成される場合には、ストッパ23は貫通孔4
0bの下面開口周縁部分の各辺の中央部と点(4点)に
て接触(点接触)する。
半導体センサは、基板10に空間を挟んで対向するとと
もに基板10に対し振動可能に支持された可動部40
と、可動部40が基板10の方向に振動したときに可動
部40と当接するストッパ23とを備え、その可動部4
0は複数の貫通孔40bを有し、ストッパ23は貫通孔
40bの下面開口周縁上の任意の点を通り基板10の上
面と直交する直線と交差する斜面を有している。換言す
れば、この半導体センサのストッパ23は、可動部40
が基板10の方向へ振動した場合に、貫通孔40bの下
面開口周縁部分と線状に接触するようになっている。ま
た、このような構造を有し、上記貫通孔40bの下面開
口周縁部分が略四角形状であって、ストッパ23が略球
面形状に形成される場合には、ストッパ23は貫通孔4
0bの下面開口周縁部分の各辺の中央部と点(4点)に
て接触(点接触)する。
【0065】このため、半導体センサの製造工程中に可
動部40が基板10又は犠牲層20に面にて接触して貼
り付くことがなく、歩留まりの向上、及び生産効率の向
上を達成しうる半導体センサが提供される。
動部40が基板10又は犠牲層20に面にて接触して貼
り付くことがなく、歩留まりの向上、及び生産効率の向
上を達成しうる半導体センサが提供される。
【0066】また、上記第3実施形態に係る製造方法に
よれば、ストッパ23の頂部を形成すべき部分の犠牲層
20に同犠牲層20のエッチング速度を低下させる不純
物(ボロン)が注入され、続いて犠牲層20がエッチン
グされる。従って、この犠牲層のエッチング工程におい
て、貫通孔40bの直下の犠牲層20はエッチングの進
行が遅く、消失し難い。
よれば、ストッパ23の頂部を形成すべき部分の犠牲層
20に同犠牲層20のエッチング速度を低下させる不純
物(ボロン)が注入され、続いて犠牲層20がエッチン
グされる。従って、この犠牲層のエッチング工程におい
て、貫通孔40bの直下の犠牲層20はエッチングの進
行が遅く、消失し難い。
【0067】これに対し、不純物が注入されていない部
分の犠牲層20(可動部層40aの貫通孔40bが設け
られていない部分の直下の犠牲層20)は、相対的にエ
ッチングの進行が速い。この結果、貫通孔40bの略中
央部直下に頂部を有し、同貫通孔40bの下面側開口周
縁部直下に斜面を有する形状のストッパ23が容易に且
つ確実に形成される。
分の犠牲層20(可動部層40aの貫通孔40bが設け
られていない部分の直下の犠牲層20)は、相対的にエ
ッチングの進行が速い。この結果、貫通孔40bの略中
央部直下に頂部を有し、同貫通孔40bの下面側開口周
縁部直下に斜面を有する形状のストッパ23が容易に且
つ確実に形成される。
【0068】なお、上記第3実施形態において、注入・
拡散される不純物はボロンであったが、フッ酸水溶液等
のエッチング液に対し犠牲層20のエッチング速度を低
下させる物質であれば、他の物質であってもよい。
拡散される不純物はボロンであったが、フッ酸水溶液等
のエッチング液に対し犠牲層20のエッチング速度を低
下させる物質であれば、他の物質であってもよい。
【0069】<第4実施形態>次に、本発明の第4実施
形態について、図1(A)、図7、及び図8を参照しつ
つ説明すると、第4実施形態は、その構成に関しては、
突起部24を除いて第1実施形態と同一である。即ち、
図1(A)の2−2線に沿った可動部40周辺の拡大断
面図である図8(D)に示したように、突起部24は、
基板10から可動部40に向けて突出していて、その断
面形状が略台形となっている。また、この突起部24の
各々は、平面視において略方形状であり、それらが所定
の大きさの正方格子の格子点上に配列されている。
形態について、図1(A)、図7、及び図8を参照しつ
つ説明すると、第4実施形態は、その構成に関しては、
突起部24を除いて第1実施形態と同一である。即ち、
図1(A)の2−2線に沿った可動部40周辺の拡大断
面図である図8(D)に示したように、突起部24は、
基板10から可動部40に向けて突出していて、その断
面形状が略台形となっている。また、この突起部24の
各々は、平面視において略方形状であり、それらが所定
の大きさの正方格子の格子点上に配列されている。
【0070】以下、この第4実施形態に係る半導体セン
サの製造工程について説明する。 (第1工程)先ず、図7(A)に平面図を、図7(B)
に断面図を示したように、シリコンからなる基板10を
用意し、この基板10の上部に突起部24の頂部を形成
する部分を除く部分にリン等の不純物IPをイオン注入
法により打ち込む。注入されたリンの濃度(不純物濃
度)は、1017/cm3以上とする。
サの製造工程について説明する。 (第1工程)先ず、図7(A)に平面図を、図7(B)
に断面図を示したように、シリコンからなる基板10を
用意し、この基板10の上部に突起部24の頂部を形成
する部分を除く部分にリン等の不純物IPをイオン注入
法により打ち込む。注入されたリンの濃度(不純物濃
度)は、1017/cm3以上とする。
【0071】(第2工程)次いで、図8(A)に示すよ
うに、この基板10の上面上に約1μmの厚さのシリコ
ン酸化膜である犠牲層20と、約10μmのシリコンか
らなる上層31を積層し、SOI(Silicon-on-Insulat
or)ウエハを得る。その後、上層31の上に図示しない
酸化膜を形成する。
うに、この基板10の上面上に約1μmの厚さのシリコ
ン酸化膜である犠牲層20と、約10μmのシリコンか
らなる上層31を積層し、SOI(Silicon-on-Insulat
or)ウエハを得る。その後、上層31の上に図示しない
酸化膜を形成する。
【0072】(第3工程)次に、第1実施形態と同様に
して、上層31の上面であって可動部40(貫通孔40
bを除く)、櫛歯状電極41a,41b,42a,42
b,50a,50b,60a,60b、梁11a〜11
d、ベース部12a〜12d及び枠体30に相当する部
分をレジストにてマスクする。そして、上層31及び上
層31の上の酸化膜をRIE等でエッチングして、可動
部層40aに貫通孔40bを形成するとともに犠牲層2
0上に櫛歯状電極50a,50b,60a,60b及び
枠体30を形成し、櫛歯状電極41a,41b,42
a,42b及び梁11a〜11d、ベース部12〜12
dに相当する部分を残す。この後、前記レジストと前記
酸化膜を除去する。この状態が図8(B)に示した状態
である。
して、上層31の上面であって可動部40(貫通孔40
bを除く)、櫛歯状電極41a,41b,42a,42
b,50a,50b,60a,60b、梁11a〜11
d、ベース部12a〜12d及び枠体30に相当する部
分をレジストにてマスクする。そして、上層31及び上
層31の上の酸化膜をRIE等でエッチングして、可動
部層40aに貫通孔40bを形成するとともに犠牲層2
0上に櫛歯状電極50a,50b,60a,60b及び
枠体30を形成し、櫛歯状電極41a,41b,42
a,42b及び梁11a〜11d、ベース部12〜12
dに相当する部分を残す。この後、前記レジストと前記
酸化膜を除去する。この状態が図8(B)に示した状態
である。
【0073】(第4工程・・・犠牲層エッチング工程)
次いで、図8(C)に示したように、貫通孔40bから
フッ酸水溶液(第1エッチング液)を導入し、犠牲層2
0を完全に除去する。
次いで、図8(C)に示したように、貫通孔40bから
フッ酸水溶液(第1エッチング液)を導入し、犠牲層2
0を完全に除去する。
【0074】(第5工程・・・突起部形成工程)次い
で、図8(D)に示したように、貫通孔40bからフッ
硝酸水溶液(第2エッチング液)を導入し、基板10の
エッチングを開始する。このフッ硝酸水溶液は、HF:
HNO:CH3COOH=1:3:8(体積比)とす
る。この結果、基板10のリンが注入された部分は短時
間内に除去され、その時点でエッチングを終了する。基
板10であってリンが注入されている部分(不純物の高
濃度領域)のエッチング速度は、それ以外の部分(不純
物の低濃度領域)のエッチング速度の150倍にも達す
る。従って、適当な時間だけ基板10をエッチングする
ことにより高濃度領域部分を確実に除去でき、これによ
り基板10上に確実に突起24が形成される。また、エ
ッチングする時間が高濃度領域をエッチングするのに必
要な時間を多少越えても、低濃度領域の基板10がエッ
チングされる量を少なくすることができるため、エッチ
ング時間を厳格に管理する必要が少なく、容易に所望形
状の突起部24を形成することができる。
で、図8(D)に示したように、貫通孔40bからフッ
硝酸水溶液(第2エッチング液)を導入し、基板10の
エッチングを開始する。このフッ硝酸水溶液は、HF:
HNO:CH3COOH=1:3:8(体積比)とす
る。この結果、基板10のリンが注入された部分は短時
間内に除去され、その時点でエッチングを終了する。基
板10であってリンが注入されている部分(不純物の高
濃度領域)のエッチング速度は、それ以外の部分(不純
物の低濃度領域)のエッチング速度の150倍にも達す
る。従って、適当な時間だけ基板10をエッチングする
ことにより高濃度領域部分を確実に除去でき、これによ
り基板10上に確実に突起24が形成される。また、エ
ッチングする時間が高濃度領域をエッチングするのに必
要な時間を多少越えても、低濃度領域の基板10がエッ
チングされる量を少なくすることができるため、エッチ
ング時間を厳格に管理する必要が少なく、容易に所望形
状の突起部24を形成することができる。
【0075】(第6工程)次いで、アルミ膜を電極パッ
ド13,52a,52b,61a,61bに相当する部
分にスパッタリング法等により形成し、電極パッド1
3,52a,52b,62a,62bをそれぞれ形成す
る。最後に、真空中において前述したガラス蓋(図示省
略)を枠体30上面に陽極接合等により固着する。な
お、上記アルミ膜を形成する工程は、この段階にて行う
必要はなく、貫通孔40bを形成する前の段階で実施す
ることもできる。
ド13,52a,52b,61a,61bに相当する部
分にスパッタリング法等により形成し、電極パッド1
3,52a,52b,62a,62bをそれぞれ形成す
る。最後に、真空中において前述したガラス蓋(図示省
略)を枠体30上面に陽極接合等により固着する。な
お、上記アルミ膜を形成する工程は、この段階にて行う
必要はなく、貫通孔40bを形成する前の段階で実施す
ることもできる。
【0076】以上に説明した上記第4実施形態の製造方
法によれば、基板10に不純物IPを注入して犠牲層2
0を積層するが、このとき基板10の上面が平坦となっ
ているので、犠牲層20に凹凸が生じることはない。従
って、基板上に突起部を形成した後に犠牲層20及び可
動部層40aを積層する従来の技術では、可動部層の下
面に凹凸が形成され、可動部40の振動特性に悪影響を
及ぼしていたところ、第4の実施形態に係る製造工程に
よれば、このような問題を回避することができる。ま
た、可動部40の振動特性を良好とするために犠牲層の
上面をリフロー等により平坦化する工程を省略すること
ができ、全体の工程が簡素化される。
法によれば、基板10に不純物IPを注入して犠牲層2
0を積層するが、このとき基板10の上面が平坦となっ
ているので、犠牲層20に凹凸が生じることはない。従
って、基板上に突起部を形成した後に犠牲層20及び可
動部層40aを積層する従来の技術では、可動部層の下
面に凹凸が形成され、可動部40の振動特性に悪影響を
及ぼしていたところ、第4の実施形態に係る製造工程に
よれば、このような問題を回避することができる。ま
た、可動部40の振動特性を良好とするために犠牲層の
上面をリフロー等により平坦化する工程を省略すること
ができ、全体の工程が簡素化される。
【0077】なお、上記第4実施形態においては、突起
部24は格子状に配列されるとともに平面視で方形状に
形成されていたが、基板10の平面図である図9に示し
たように、線状に形成することもできる。この場合に
は、不純物IPを注入しない部分を所定幅の線状部分と
し、不純物IPをその線状部分の間に方形状に注入して
おき、可動部層40a等を形成した後に基板10をエッ
チングして突起部を形成する。
部24は格子状に配列されるとともに平面視で方形状に
形成されていたが、基板10の平面図である図9に示し
たように、線状に形成することもできる。この場合に
は、不純物IPを注入しない部分を所定幅の線状部分と
し、不純物IPをその線状部分の間に方形状に注入して
おき、可動部層40a等を形成した後に基板10をエッ
チングして突起部を形成する。
【0078】また、上記第4実施形態においては、不純
物IPとしてリンを使用したが、シリコンからなる基板
10に注入することにより同基板10のエッチング速度
を上昇させる物質であれば他の物質(ホウ素、砒素等)
を使用することもできる。また、上記第5工程で用いる
第2エッチング液は、上記フッ硝酸水溶液に限定され
ず、不純物の高濃度領域部分を選択的にエッチングする
水溶液を適宜組合せたものとすることができる。
物IPとしてリンを使用したが、シリコンからなる基板
10に注入することにより同基板10のエッチング速度
を上昇させる物質であれば他の物質(ホウ素、砒素等)
を使用することもできる。また、上記第5工程で用いる
第2エッチング液は、上記フッ硝酸水溶液に限定され
ず、不純物の高濃度領域部分を選択的にエッチングする
水溶液を適宜組合せたものとすることができる。
【0079】<第5実施形態>次に、本発明の第5実施
形態及びその変形例について、図1(A)及び図10〜
図13を参照して説明する。なお、図10〜図13は、
図1(A)の2−2線に沿った可動部40(可動部層4
0a)周辺の断面図である。
形態及びその変形例について、図1(A)及び図10〜
図13を参照して説明する。なお、図10〜図13は、
図1(A)の2−2線に沿った可動部40(可動部層4
0a)周辺の断面図である。
【0080】第5実施形態は、その構成に関しては、図
10(E)に示したように基板10から可動部40に向
かって突出する基板側突起部25と、可動部40の貫通
孔40bが設けられていない部分の下面から突起部25
の頂部に向かい突出する可動部側突起部40cとを有し
ている点においてのみ第1実施形態と異なっている。基
板側突起部25の断面形状は略台形形状であり、可動部
側突起部40cの断面形状は略逆台形形状である。
10(E)に示したように基板10から可動部40に向
かって突出する基板側突起部25と、可動部40の貫通
孔40bが設けられていない部分の下面から突起部25
の頂部に向かい突出する可動部側突起部40cとを有し
ている点においてのみ第1実施形態と異なっている。基
板側突起部25の断面形状は略台形形状であり、可動部
側突起部40cの断面形状は略逆台形形状である。
【0081】次に、第5実施形態に係る半導体センサの
製造方法について図1(A)及び図10を参照しつつ説
明する。先ず、第1実施形態の第1工程と同一の工程を
実施し、SOIを形成する。次いで、図10(A)に示
したように、可動部層40a(この時点においては上層
31)の上に第1実施形態の第2工程と同様の所定形状
のマスクを形成する。次いで、図10(B)に示したよ
うに、RIEによって可動部層40aをエッチングして
可動部層40aに貫通孔40bを形成する。
製造方法について図1(A)及び図10を参照しつつ説
明する。先ず、第1実施形態の第1工程と同一の工程を
実施し、SOIを形成する。次いで、図10(A)に示
したように、可動部層40a(この時点においては上層
31)の上に第1実施形態の第2工程と同様の所定形状
のマスクを形成する。次いで、図10(B)に示したよ
うに、RIEによって可動部層40aをエッチングして
可動部層40aに貫通孔40bを形成する。
【0082】次に、貫通孔40bを介して酸化シリコン
を溶解するがシリコンを溶解することのないエッチング
液(フッ酸水溶液)を導入して犠牲層20のエッチング
を開始する。そして、図10(C)に示したように、残
存する犠牲層20が、可動部層40aの貫通孔40bが
設けられていない部分の下面の一部を露呈し、且つ可動
部層40aの可動部側突起部40cが形成されるべき部
分を同部分より僅かに大きな面積をもって被覆するよう
に可動部層40aと接触するととともに、基板10の基
板側突起部25が形成されるべき部分を同部分より僅か
に大きな面積をもって被覆するように基板10と接触す
る状態となった時点にて同エッチングを終了する。即
ち、犠牲層20が基板10の上面であって基板側突起部
25が形成されるべき部分と可動部層40aの下面であ
って可動部側突起部40cが形成されるべき部分との間
に介在し、犠牲層20の他の部分は除去された状態とな
ったときに犠牲層20のエッチングを終了する。
を溶解するがシリコンを溶解することのないエッチング
液(フッ酸水溶液)を導入して犠牲層20のエッチング
を開始する。そして、図10(C)に示したように、残
存する犠牲層20が、可動部層40aの貫通孔40bが
設けられていない部分の下面の一部を露呈し、且つ可動
部層40aの可動部側突起部40cが形成されるべき部
分を同部分より僅かに大きな面積をもって被覆するよう
に可動部層40aと接触するととともに、基板10の基
板側突起部25が形成されるべき部分を同部分より僅か
に大きな面積をもって被覆するように基板10と接触す
る状態となった時点にて同エッチングを終了する。即
ち、犠牲層20が基板10の上面であって基板側突起部
25が形成されるべき部分と可動部層40aの下面であ
って可動部側突起部40cが形成されるべき部分との間
に介在し、犠牲層20の他の部分は除去された状態とな
ったときに犠牲層20のエッチングを終了する。
【0083】そして、図10(D)に示したように、貫
通孔40bを介してシリコンを溶解するが酸化シリコン
を溶解することのないエッチング液であるフッ硝酸水溶
液を導入し、可動部層40aと基板10とを部分的にエ
ッチングする。このとき、残存している犠牲層20はマ
スクとして機能するため、基板10は同基板10と接触
している犠牲層20の直下部において可動部層40aに
向かって突出するようにエッチングされ、可動部層40
aの下面は同可動部層40aと接触している犠牲層20
の直上部において基板10に向かって突出するようにエ
ッチングされる。最後に、図10(E)に示したよう
に、貫通孔40bを介してフッ酸水溶液を再び導入し、
残存する犠牲層20をエッチングして除去する。
通孔40bを介してシリコンを溶解するが酸化シリコン
を溶解することのないエッチング液であるフッ硝酸水溶
液を導入し、可動部層40aと基板10とを部分的にエ
ッチングする。このとき、残存している犠牲層20はマ
スクとして機能するため、基板10は同基板10と接触
している犠牲層20の直下部において可動部層40aに
向かって突出するようにエッチングされ、可動部層40
aの下面は同可動部層40aと接触している犠牲層20
の直上部において基板10に向かって突出するようにエ
ッチングされる。最後に、図10(E)に示したよう
に、貫通孔40bを介してフッ酸水溶液を再び導入し、
残存する犠牲層20をエッチングして除去する。
【0084】以上、説明したように、第5実施形態に係
る製造方法によれば、基板10の上部、及び可動部40
の貫通孔40bが設けられていない部分の下面に複数の
突起部25,40cが確実に形成される。
る製造方法によれば、基板10の上部、及び可動部40
の貫通孔40bが設けられていない部分の下面に複数の
突起部25,40cが確実に形成される。
【0085】次に、第5実施形態の半導体センサの製造
方法に関する第1の変形例について図11を用いて説明
する。この第1変形例においては、図11(A)に示し
たように、上記第5実施形態等と同様な方法によって貫
通孔40bを形成し、次いで図11(B)に示したよう
に、貫通孔40bの下部に犠牲層20が残存するように
フッ酸水溶液で犠牲層20をエッチングする。この段階
で、残存する犠牲層20は、可動部層40aの貫通孔4
0bが設けられていない部分の下面の一部を露呈し、且
つ可動部層40aの可動部側突起部40dが形成される
べき部分を同部分より僅かに大きな面積をもって被覆す
るように接触している状態となる。
方法に関する第1の変形例について図11を用いて説明
する。この第1変形例においては、図11(A)に示し
たように、上記第5実施形態等と同様な方法によって貫
通孔40bを形成し、次いで図11(B)に示したよう
に、貫通孔40bの下部に犠牲層20が残存するように
フッ酸水溶液で犠牲層20をエッチングする。この段階
で、残存する犠牲層20は、可動部層40aの貫通孔4
0bが設けられていない部分の下面の一部を露呈し、且
つ可動部層40aの可動部側突起部40dが形成される
べき部分を同部分より僅かに大きな面積をもって被覆す
るように接触している状態となる。
【0086】次いで、図11(C)に示したように、貫
通孔40bを介してフッ硝酸水溶液を導入し、可動部層
40aをエッチングする。このとき、残存している犠牲
層20はマスクとして機能するため、可動部層40aの
下面は基板10に向かって突出するようにエッチングさ
れる。一方、この変形例においては、基板10は犠牲層
20により覆われているためエッチングされない。最後
に、図11(D)に示したように、貫通孔40bを介し
てフッ酸水溶液を導入し、残存する犠牲層20をエッチ
ングして除去する。以上により、可動部40等が形成さ
れ、複数の突起部40dが可動部40の下面に確実に形
成される。
通孔40bを介してフッ硝酸水溶液を導入し、可動部層
40aをエッチングする。このとき、残存している犠牲
層20はマスクとして機能するため、可動部層40aの
下面は基板10に向かって突出するようにエッチングさ
れる。一方、この変形例においては、基板10は犠牲層
20により覆われているためエッチングされない。最後
に、図11(D)に示したように、貫通孔40bを介し
てフッ酸水溶液を導入し、残存する犠牲層20をエッチ
ングして除去する。以上により、可動部40等が形成さ
れ、複数の突起部40dが可動部40の下面に確実に形
成される。
【0087】次に、第5実施形態の半導体センサの製造
方法に関する第2の変形例について図12を用いて説明
する。この第2変形例においては、図12(A)に示し
たように、上記第5実施形態等と同様な方法によって貫
通孔40bを形成し、次いで図12(B)に示したよう
に、フッ酸水溶液で犠牲層20をエッチングする。但
し、貫通孔40bの下部には犠牲層20を残存させてお
く。
方法に関する第2の変形例について図12を用いて説明
する。この第2変形例においては、図12(A)に示し
たように、上記第5実施形態等と同様な方法によって貫
通孔40bを形成し、次いで図12(B)に示したよう
に、フッ酸水溶液で犠牲層20をエッチングする。但
し、貫通孔40bの下部には犠牲層20を残存させてお
く。
【0088】次いで、図12(C)に示したように、可
動部層40aの貫通孔40bが設けられていない各部分
をマスクとし、RIEにより貫通孔40bの直下(貫通
孔40bの投射方向)に存在する犠牲層20を除去す
る。
動部層40aの貫通孔40bが設けられていない各部分
をマスクとし、RIEにより貫通孔40bの直下(貫通
孔40bの投射方向)に存在する犠牲層20を除去す
る。
【0089】次に、図12(D)に示したように、貫通
孔40bを介してフッ硝酸水溶液を導入し、基板10と
可動部層40aをエッチングする。このとき、残存する
犠牲層20はマスクとして機能するため、基板10は同
基板10と接触している犠牲層20の直下部において可
動部層40aに向かって突出するようにエッチングさ
れ、可動部層40aの下面は同可動部層40aと接触し
ている犠牲層20の直上部において基板10に向かって
突出するようにエッチングされる。
孔40bを介してフッ硝酸水溶液を導入し、基板10と
可動部層40aをエッチングする。このとき、残存する
犠牲層20はマスクとして機能するため、基板10は同
基板10と接触している犠牲層20の直下部において可
動部層40aに向かって突出するようにエッチングさ
れ、可動部層40aの下面は同可動部層40aと接触し
ている犠牲層20の直上部において基板10に向かって
突出するようにエッチングされる。
【0090】最後に、図10(E)に示したように、貫
通孔40bを介してフッ酸水溶液を導入し、残っている
犠牲層20をエッチングして除去する。これにより、突
起部40eと突起部26が、それぞれ可動部40の下面
及び基板10の上面に互いに対向するように確実に形成
される。
通孔40bを介してフッ酸水溶液を導入し、残っている
犠牲層20をエッチングして除去する。これにより、突
起部40eと突起部26が、それぞれ可動部40の下面
及び基板10の上面に互いに対向するように確実に形成
される。
【0091】次に、第5実施形態の半導体センサの製造
方法に関する第3の変形例について図13を用いて説明
する。この第3変形例においては、図13(A)に示し
たように、上記第5実施形態等と同様な方法によって貫
通孔40bを形成し、次いで図13(B)に示したよう
に、貫通孔40bを介してフッ酸水溶液を導入し、犠牲
層20のエッチングを開始する。そして、残存する犠牲
層20が、可動部層40aの貫通孔40bが設けられて
いない部分の下面の一部を露呈し、且つ可動部層40a
の可動部側突起部40fが形成されるべき部分を同部分
より僅かに大きな面積をもって被覆するように接触する
ととともに、基板10の基板側突起部27が形成される
べき部分を同部分より僅かに大きな面積をもって被覆す
るように接触する状態となった時点にて同エッチングを
終了する。
方法に関する第3の変形例について図13を用いて説明
する。この第3変形例においては、図13(A)に示し
たように、上記第5実施形態等と同様な方法によって貫
通孔40bを形成し、次いで図13(B)に示したよう
に、貫通孔40bを介してフッ酸水溶液を導入し、犠牲
層20のエッチングを開始する。そして、残存する犠牲
層20が、可動部層40aの貫通孔40bが設けられて
いない部分の下面の一部を露呈し、且つ可動部層40a
の可動部側突起部40fが形成されるべき部分を同部分
より僅かに大きな面積をもって被覆するように接触する
ととともに、基板10の基板側突起部27が形成される
べき部分を同部分より僅かに大きな面積をもって被覆す
るように接触する状態となった時点にて同エッチングを
終了する。
【0092】次に、ウエハを約1000℃の炉内に入れ
て酸素雰囲気中で加熱する。その結果、図13(C)に
示したように、基板10及び可動部層40aの貫通孔4
0bが設けられていない各部分の表面が熱酸化され、犠
牲層20と同じ材質である酸化シリコン(SiO2)に
変化する。このとき、熱酸化は等方的に行われ、且つ可
動部層40a及び基板10と接触している犠牲層20は
マスクとして機能する。このため、基板10の熱酸化さ
れない部分は、基板10と接触している犠牲層20の直
下部において可動部層40aに向かって突出する形状と
なる。同様に、可動部層40aの貫通孔40bが設けら
れていない各部分の熱酸化されない部分は、犠牲層20
と接触している部分の直上部において基板10に向かっ
て突出する形状となる。
て酸素雰囲気中で加熱する。その結果、図13(C)に
示したように、基板10及び可動部層40aの貫通孔4
0bが設けられていない各部分の表面が熱酸化され、犠
牲層20と同じ材質である酸化シリコン(SiO2)に
変化する。このとき、熱酸化は等方的に行われ、且つ可
動部層40a及び基板10と接触している犠牲層20は
マスクとして機能する。このため、基板10の熱酸化さ
れない部分は、基板10と接触している犠牲層20の直
下部において可動部層40aに向かって突出する形状と
なる。同様に、可動部層40aの貫通孔40bが設けら
れていない各部分の熱酸化されない部分は、犠牲層20
と接触している部分の直上部において基板10に向かっ
て突出する形状となる。
【0093】最後に、図13(D)に示したように、貫
通孔40bを介して導入されるフッ酸水溶液により、残
存する犠牲層20と上記熱酸化された部分(何れも酸化
シリコン)をエッチングして除去する。この結果、互い
に対向する突起部27,40fが基板10の上面及び可
動部40の貫通孔40bが設けられていない各部分の下
面にそれぞれ形成される。
通孔40bを介して導入されるフッ酸水溶液により、残
存する犠牲層20と上記熱酸化された部分(何れも酸化
シリコン)をエッチングして除去する。この結果、互い
に対向する突起部27,40fが基板10の上面及び可
動部40の貫通孔40bが設けられていない各部分の下
面にそれぞれ形成される。
【0094】<第6実施形態>次に本発明の第6実施形
態について、図1(A)及び図1(A)の2−2線に沿
った断面図である図14を参照して説明する。
態について、図1(A)及び図1(A)の2−2線に沿
った断面図である図14を参照して説明する。
【0095】第6実施形態は、その構成に関しては、図
14(D)に示すように、可動部40の下部であって貫
通孔40bの下面側開口外周縁部がエッチングされるこ
とにより、可動部層40aの下面が、基板10に向けて
突出する逆三角形状の突起部を複数箇所に有するように
形成されていて、基板10の上面は平坦となっている点
においてのみ第1実施形態と異なっている。
14(D)に示すように、可動部40の下部であって貫
通孔40bの下面側開口外周縁部がエッチングされるこ
とにより、可動部層40aの下面が、基板10に向けて
突出する逆三角形状の突起部を複数箇所に有するように
形成されていて、基板10の上面は平坦となっている点
においてのみ第1実施形態と異なっている。
【0096】次に、第6実施形態に係る半導体センサの
製造方法について図14を参照しつつ説明する。先ず、
第1実施形態の第1工程と同一の工程を実施し、SOI
ウエハを形成する。次いで、図14(A)に示したよう
に、可動部層40a(この時点においては、上層31)
の上に第1実施形態の第2工程と同様の所定形状のマス
クを形成する。次いで、図14(B)に示したように、
RIEによって可動部層40aを基板10の上面と垂直
な方向にエッチング(ドライエッチング)し、可動部層
40aに貫通孔40bを形成する。
製造方法について図14を参照しつつ説明する。先ず、
第1実施形態の第1工程と同一の工程を実施し、SOI
ウエハを形成する。次いで、図14(A)に示したよう
に、可動部層40a(この時点においては、上層31)
の上に第1実施形態の第2工程と同様の所定形状のマス
クを形成する。次いで、図14(B)に示したように、
RIEによって可動部層40aを基板10の上面と垂直
な方向にエッチング(ドライエッチング)し、可動部層
40aに貫通孔40bを形成する。
【0097】そして、貫通孔40bの形成後も貫通孔4
0bを介したドライエッチングを継続する。これによ
り、照射されたイオン(荷電粒子)は絶縁膜(Si
O2)である犠牲層20に蓄積されるため、新たに到来
するイオンが貫通孔40bの下面開口外周縁部の可動部
層40aをエッチングする。この結果、所定の時間が経
過すると、図14(C)に示したように、可動部層40
aの下面側が、図1(A)の2−2線に沿って隣接する
貫通孔40bの略中心線上に頂部を有する円錐状にエッ
チングされ、同部位が基板10に向けて細くなる。そし
て、前記可動部層40aに出現した頂部の面積が、可動
部40のストッパとして機能するのに十分に小さくなっ
た時点で可動部層40aのエッチングを終了する。最後
に、図14(D)に示したように、貫通孔40bを介し
てフッ酸水溶液を導入して犠牲層20をエッチングして
除去する。これにより、可動部40の突起部40dが形
成される。
0bを介したドライエッチングを継続する。これによ
り、照射されたイオン(荷電粒子)は絶縁膜(Si
O2)である犠牲層20に蓄積されるため、新たに到来
するイオンが貫通孔40bの下面開口外周縁部の可動部
層40aをエッチングする。この結果、所定の時間が経
過すると、図14(C)に示したように、可動部層40
aの下面側が、図1(A)の2−2線に沿って隣接する
貫通孔40bの略中心線上に頂部を有する円錐状にエッ
チングされ、同部位が基板10に向けて細くなる。そし
て、前記可動部層40aに出現した頂部の面積が、可動
部40のストッパとして機能するのに十分に小さくなっ
た時点で可動部層40aのエッチングを終了する。最後
に、図14(D)に示したように、貫通孔40bを介し
てフッ酸水溶液を導入して犠牲層20をエッチングして
除去する。これにより、可動部40の突起部40dが形
成される。
【0098】以上、説明したように、第6実施形態に係
る製造方法においては、可動部層40aにドライエッチ
ングにて貫通孔40bを形成した後も所定時間だけ同ド
ライエッチングを継続するだけで、可動部層40aの下
部に突起部40dが形成される。従って、工程を複雑化
せずに突起部40dを形成することができる。また、突
起部40dをウエットエッチングよりも制御し易いドラ
イエッチングにより形成するので、突起部40dが容易
に形成される。更に、犠牲層20に対してはウエットエ
ッチングを行うが、これは犠牲層20が消滅する(除去
される)まで行えばよいので、犠牲層20のエッチング
の管理も容易になる。
る製造方法においては、可動部層40aにドライエッチ
ングにて貫通孔40bを形成した後も所定時間だけ同ド
ライエッチングを継続するだけで、可動部層40aの下
部に突起部40dが形成される。従って、工程を複雑化
せずに突起部40dを形成することができる。また、突
起部40dをウエットエッチングよりも制御し易いドラ
イエッチングにより形成するので、突起部40dが容易
に形成される。更に、犠牲層20に対してはウエットエ
ッチングを行うが、これは犠牲層20が消滅する(除去
される)まで行えばよいので、犠牲層20のエッチング
の管理も容易になる。
【0099】<第7実施形態>次に第7実施形態につい
て、図1(A)及び図1(A)の2−2線に沿った断面
図である図15を参照して説明する。
て、図1(A)及び図1(A)の2−2線に沿った断面
図である図15を参照して説明する。
【0100】第7実施形態は、その構成に関しては、図
15(D)に示したように、可動部層40aの貫通孔4
0bの下面開口外周縁部がエッチングされることによ
り、可動部層40aの下面側に基板10に向けて細くな
る逆台形状部40eが形成されていて、基板10の上面
には基板10から可動部層40aの逆台形状部40eに
向けて突出する突起部28が形成されている点において
のみ、第1実施形態と異なっている。
15(D)に示したように、可動部層40aの貫通孔4
0bの下面開口外周縁部がエッチングされることによ
り、可動部層40aの下面側に基板10に向けて細くな
る逆台形状部40eが形成されていて、基板10の上面
には基板10から可動部層40aの逆台形状部40eに
向けて突出する突起部28が形成されている点において
のみ、第1実施形態と異なっている。
【0101】次に、第7実施形態に係る半導体センサの
製造方法について図15を参照しつつ説明する。先ず、
第1実施形態の第1工程と同一の工程を実施し、SOI
ウエハを形成する。次いで、図15(A)に示したよう
に、可動部層40a(この時点においては、上層31)
の上に第1実施形態の第2工程と同様の所定形状のマス
クを形成する。次いで、図15(B)に示したように、
RIEによって可動部層40aを基板10の上面に垂直
な方向にエッチング(ドライエッチング)し、可動部層
40aに貫通孔40bを形成する。
製造方法について図15を参照しつつ説明する。先ず、
第1実施形態の第1工程と同一の工程を実施し、SOI
ウエハを形成する。次いで、図15(A)に示したよう
に、可動部層40a(この時点においては、上層31)
の上に第1実施形態の第2工程と同様の所定形状のマス
クを形成する。次いで、図15(B)に示したように、
RIEによって可動部層40aを基板10の上面に垂直
な方向にエッチング(ドライエッチング)し、可動部層
40aに貫通孔40bを形成する。
【0102】そして、貫通孔40bの形成後も貫通孔4
0bを介したドライエッチングを継続する。これによ
り、照射されたイオン(荷電粒子)は絶縁膜(Si
O2)である犠牲層20に蓄積されるため、新たに到来
するイオンが貫通孔40bの下面開口外周縁部の可動部
層40aの下部をエッチングする。この結果、所定の時
間が経過すると、図15(C)に示したように、可動部
層40aの下面側が、図1(A)の2−2線に沿って隣
接する貫通孔40bの略中心線上に頂部を有するように
エッチングされ、基板10に向けて細くなる。
0bを介したドライエッチングを継続する。これによ
り、照射されたイオン(荷電粒子)は絶縁膜(Si
O2)である犠牲層20に蓄積されるため、新たに到来
するイオンが貫通孔40bの下面開口外周縁部の可動部
層40aの下部をエッチングする。この結果、所定の時
間が経過すると、図15(C)に示したように、可動部
層40aの下面側が、図1(A)の2−2線に沿って隣
接する貫通孔40bの略中心線上に頂部を有するように
エッチングされ、基板10に向けて細くなる。
【0103】次に、貫通孔40bを介してフッ酸水溶液
を導入し、犠牲層20を所定の時間だけエッチングす
る。この結果、図15(D)に示したように、犠牲層2
0の上部に可動部層40aに向けて突出する突起部28
が形成されるとともに、可動部40が形成される。
を導入し、犠牲層20を所定の時間だけエッチングす
る。この結果、図15(D)に示したように、犠牲層2
0の上部に可動部層40aに向けて突出する突起部28
が形成されるとともに、可動部40が形成される。
【0104】以上、説明したように、第7実施形態に係
る製造方法においては、可動部層40aにドライエッチ
ングにて貫通孔40bを形成するとともに、その後も所
定時間だけ同ドライエッチングを継続して同可動部層4
0aの貫通孔40bが設けられていない部分の下部を基
板10に向けて細くし(即ち、突起部28を形成すべき
部分の直上に位置する可動部層40aの貫通孔40bが
設けられていない各部分の幅を小さくし)、その後に犠
牲層20をウエットエッチングして突起部28を形成す
る。これにより、犠牲層20のウエットエッチングの終
了時点についての時間的な余裕(余裕時間=時間的なマ
ージン)を大きく取ることが可能となって、確実に突起
部26が形成される。
る製造方法においては、可動部層40aにドライエッチ
ングにて貫通孔40bを形成するとともに、その後も所
定時間だけ同ドライエッチングを継続して同可動部層4
0aの貫通孔40bが設けられていない部分の下部を基
板10に向けて細くし(即ち、突起部28を形成すべき
部分の直上に位置する可動部層40aの貫通孔40bが
設けられていない各部分の幅を小さくし)、その後に犠
牲層20をウエットエッチングして突起部28を形成す
る。これにより、犠牲層20のウエットエッチングの終
了時点についての時間的な余裕(余裕時間=時間的なマ
ージン)を大きく取ることが可能となって、確実に突起
部26が形成される。
【0105】ここで、上記ウエットエッチングの余裕時
間について説明を加える。図16に示したように、可動
部層40aの貫通孔40bが設けられていない各部分に
相当する部分(以下、構造物という。)の幅を2L、犠
牲層20の膜厚をT、構造物の犠牲層20側の端部から
構造物の中心線上にある犠牲層20の下端までの距離を
Aとし、等方性エッチングであるウエットエッチングの
速度(エッチングレート)をRμm/分とすると、犠牲
層20に突起部が形成されるまでの最短時間Tmin
は、Tmin=L/R分となる。また、突起部が形成さ
れる最長時間(突起部がエッチング過多により消滅して
しまうまでの時間)Tmaxは、Tmax=A/R=
(L2+T2)1/2/R分となる。従って、エッチン
グの余裕時間は、Tmax−Tmin=((L2+
T2)1/2−L)/R分となる。
間について説明を加える。図16に示したように、可動
部層40aの貫通孔40bが設けられていない各部分に
相当する部分(以下、構造物という。)の幅を2L、犠
牲層20の膜厚をT、構造物の犠牲層20側の端部から
構造物の中心線上にある犠牲層20の下端までの距離を
Aとし、等方性エッチングであるウエットエッチングの
速度(エッチングレート)をRμm/分とすると、犠牲
層20に突起部が形成されるまでの最短時間Tmin
は、Tmin=L/R分となる。また、突起部が形成さ
れる最長時間(突起部がエッチング過多により消滅して
しまうまでの時間)Tmaxは、Tmax=A/R=
(L2+T2)1/2/R分となる。従って、エッチン
グの余裕時間は、Tmax−Tmin=((L2+
T2)1/2−L)/R分となる。
【0106】図17は、上記計算に基づき、横軸に構造
物の幅の半分Lをとり、縦軸にエッチング余裕時間をと
ってこれらの関係を図示したものである。なお、図17
においては、T=4μm、R=1μm/分としている。
図17からも明らかなように、構造物の幅2Lが大きい
ほどエッチング余裕時間は小さくなり、幅Lが小さいほ
ど余裕時間は大きくなることが解る。
物の幅の半分Lをとり、縦軸にエッチング余裕時間をと
ってこれらの関係を図示したものである。なお、図17
においては、T=4μm、R=1μm/分としている。
図17からも明らかなように、構造物の幅2Lが大きい
ほどエッチング余裕時間は小さくなり、幅Lが小さいほ
ど余裕時間は大きくなることが解る。
【0107】以上のことから、第7実施形態に係る製造
方法によれば、可動部40の形状(貫通孔40bの大き
さ、間隔等)に制約がある場合であっても、突起部28
を形成すべき部分の直上に位置する可動部層40aの幅
を小さくした後に犠牲層20をエッチングするので、突
起部28を形成するための犠牲層20のエッチング余裕
時間を大きくとることが可能となる。この結果、突起部
28が確実に形成可能となり、またエッチング時間の管
理が容易となる。
方法によれば、可動部40の形状(貫通孔40bの大き
さ、間隔等)に制約がある場合であっても、突起部28
を形成すべき部分の直上に位置する可動部層40aの幅
を小さくした後に犠牲層20をエッチングするので、突
起部28を形成するための犠牲層20のエッチング余裕
時間を大きくとることが可能となる。この結果、突起部
28が確実に形成可能となり、またエッチング時間の管
理が容易となる。
【図1】 (A)は本発明の第1実施形態の概略平面図
であり、(B)は(A)の1−1線に沿った断面図であ
る。
であり、(B)は(A)の1−1線に沿った断面図であ
る。
【図2】 図1に示した半導体センサの製造方法の工程
図である。
図である。
【図3】 図2の工程図の一部を拡大して示した図であ
る。
る。
【図4】 図1に示した貫通孔から基板側を見た図であ
る。
る。
【図5】 本発明の第2実施形態に係る製造方法の工程
図である。
図である。
【図6】 本発明の第3実施形態に係る製造方法の工程
図である。
図である。
【図7】 本発明の第4実施形態に係る製造方法の工程
図である。
図である。
【図8】 本発明の第4実施形態に係る製造方法の工程
図である。
図である。
【図9】 本発明の第4実施形態の変形例に係る基板の
平面図である。
平面図である。
【図10】 本発明の第5実施形態に係る製造方法の工
程図である。
程図である。
【図11】 本発明の第5実施形態の第1変形例に係る
製造方法の工程図である。
製造方法の工程図である。
【図12】 本発明の第5実施形態の第2変形例に係る
製造方法の工程図である。
製造方法の工程図である。
【図13】 本発明の第5実施形態の第3変形例に係る
製造方法の工程図である。
製造方法の工程図である。
【図14】 本発明の第6実施形態に係る製造方法の工
程図である。
程図である。
【図15】 本発明の第7実施形態に係る製造方法の工
程図である。
程図である。
【図16】 本発明の第7実施形態の効果を説明するた
めに、各部の長さを図示した半導体センサの部分拡大図
である。
めに、各部の長さを図示した半導体センサの部分拡大図
である。
【図17】 本発明の第7実施形態の効果を説明するた
めの構造物の幅とエッチングの余裕時間との関係を示す
図である。
めの構造物の幅とエッチングの余裕時間との関係を示す
図である。
10…基板、11a〜11d…梁、12a〜12d…ベ
ース部、13…電極パッド、20…犠牲層、21…突起
部(ストッパ)、30…枠体、31…上層、32…シリ
コン酸化膜、40…可動部、40a…可動部層、40b
…貫通孔、41a,41b,42a,42b…櫛歯状電
極、50a,50b,60a,60b…櫛歯状電極、R
1,R2…レジスト。
ース部、13…電極パッド、20…犠牲層、21…突起
部(ストッパ)、30…枠体、31…上層、32…シリ
コン酸化膜、40…可動部、40a…可動部層、40b
…貫通孔、41a,41b,42a,42b…櫛歯状電
極、50a,50b,60a,60b…櫛歯状電極、R
1,R2…レジスト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 千田 英美 愛知県豊田市トヨタ町1番地 トヨタ自動 車株式会社内 (72)発明者 千田 和身 愛知県豊田市トヨタ町1番地 トヨタ自動 車株式会社内 (72)発明者 岡山 倫久 愛知県豊田市トヨタ町1番地 トヨタ自動 車株式会社内 (72)発明者 長尾 勝 愛知県豊田市トヨタ町1番地 トヨタ自動 車株式会社内 Fターム(参考) 2F105 BB15 CC04 CD07 4M112 AA02 BA07 CA24 CA26 CA31 CA34 CA36 DA03 DA04 DA09 DA18 EA02 EA13 FA07 GA01
Claims (10)
- 【請求項1】基板に空間を挟んで対向するとともに同基
板に対し振動可能に支持された可動部と、前記基板から
前記可動部に向けて突出する突起部とを有する半導体セ
ンサの製造方法において、 前記基板上に犠牲層を形成する工程と、 前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工
程と、 前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔のうちの一部の貫通孔を閉塞する工程と、 前記貫通孔のうちの閉塞されていない貫通孔を介してエ
ッチング液を導入し前記犠牲層のエッチングを行う第1
エッチング工程と、 前記閉塞された貫通孔を開放する工程と、 前記開放された貫通孔を介して同貫通孔の直下の前記犠
牲層をエッチングにより除去する第2エッチング工程と
を含んだことを特徴とする半導体センサの製造方法。 - 【請求項2】基板に空間を挟んで対向するとともに同基
板に対し振動可能に支持された可動部と、前記基板から
前記可動部に向けて突出する突起部とを有する半導体セ
ンサの製造方法において、 前記基板上に犠牲層を形成する工程と、 前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工
程と、 前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔を介して前記犠牲層に対し同犠牲層のエッチ
ング速度を上昇させる不純物を注入して拡散させる工程
と、 前記貫通孔を介してエッチング液を導入して前記犠牲層
をエッチングする工程とを含んだことを特徴とする半導
体センサの製造方法。 - 【請求項3】基板に空間を挟んで対向するとともに同基
板に対し振動可能に支持された可動部と、前記可動部が
前記基板方向に振動したときに同可動部と当接するスト
ッパとを備えた半導体センサの製造方法において、 前記基板上に犠牲層を形成する工程と、 前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工
程と、 前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲層を
部分的にエッチングする工程と、 前記貫通孔を介し同貫通孔の直下にある犠牲層に同犠牲
層のエッチング速度を低下させる不純物を注入する工程
と、 前記貫通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲層を
再度エッチングする工程とを含んだことを特徴とする半
導体センサの製造方法。 - 【請求項4】基板に空間を挟んで対向するとともに同基
板に対し振動可能に支持された可動部と、前記可動部が
前記基板方向に振動したときに同可動部と当接するスト
ッパとを備えた半導体センサにおいて、 前記可動部は複数の貫通孔を有し、 前記ストッパは前記貫通孔の下面開口周縁上の任意の点
を通り前記基板の上面と直交する直線と交差する斜面を
有してなることを特徴とする半導体センサ。 - 【請求項5】基板に空間を挟んで対向するとともに同基
板に対し振動可能に支持された可動部と、前記基板から
前記可動部に向けて突出する突起部とを有する半導体セ
ンサの製造方法において、 前記基板の上部であって前記突起部が形成されるべき部
分を除いた部分に同基板のエッチング速度を上昇させる
不純物を注入する工程と、 前記基板上に犠牲層を形成する工程と、 前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工
程と、 前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔を介し第1のエッチング液を導入し前記犠牲
層を除去する工程と、 前記貫通孔を介し第2のエッチング液を導入し前記基板
をエッチングする工程とを含んだことを特徴とする半導
体センサの製造方法。 - 【請求項6】基板に空間を挟んで対向するとともに同基
板に対し振動可能に支持された可動部と、前記可動部か
ら前記基板に向けて突出する突起部とを有する半導体セ
ンサの製造方法において、 前記基板上に犠牲層を形成する工程と、 前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工
程と、 前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲層の
エッチングを開始するとともに同犠牲層が前記可動部層
の下面であって前記突起部が形成されるべき部分に残存
する状態となったとき同エッチングを終了する工程と、 前記可動部層を部分的にエッチングし、前記犠牲層をエ
ッチングして除去する工程とを含んだことを特徴とする
半導体センサの製造方法。 - 【請求項7】基板に空間を挟んで対向するとともに同基
板に対し振動可能に支持された可動部と、前記基板から
前記可動部側に突出する基板側突起部と、前記可動部か
ら前記基板側突起部に向けて突出する可動部側突起部と
を有する半導体センサの製造方法において、 前記基板上に犠牲層を形成する工程と、 前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工
程と、 前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲層の
エッチングを開始するとともに同犠牲層が前記基板の上
面であって前記基板側突起部が形成されるべき部分と前
記可動部層の下面であって前記可動部側突起部が形成さ
れるべき部分との間に介在するようになったとき同エッ
チングを終了する工程と、 前記可動部層及び前記基板を部分的にエッチングし、前
記犠牲層をエッチングにより除去する工程とを含んだこ
とを特徴とする半導体センサの製造方法。 - 【請求項8】基板に空間を挟んで対向するとともに同基
板に対し振動可能に支持された可動部と、前記基板又は
前記可動部から突出する突起部とを有する半導体センサ
の製造方法において、 前記基板上に犠牲層を形成する工程と、 前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工
程と、 前記可動部層をエッチングして複数の貫通孔を形成する
とともに同形成された貫通孔の下面側開口外周縁部の前
記可動部層をエッチングして同可動部層に同可動部層か
ら前記基板に向けて細くなる部分を形成する第1エッチ
ング工程と、 前記貫通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲層を
エッチングする第2エッチング工程とを含んだことを特
徴とする半導体センサの製造方法。 - 【請求項9】請求項8に記載の半導体センサの製造方法
において、前記第1エッチング工程はドライエッチング
により前記貫通孔を形成するとともに同貫通孔の形成後
も同ドライエッチングを継続して前記可動部層の下面側
に複数の前記突起部を形成する工程であり、前記第2エ
ッチング工程は前記犠牲層を除去する工程である半導体
センサの製造方法。 - 【請求項10】請求項8に記載の半導体センサの製造方
法において、前記第2エッチング工程は前記貫通孔を介
してエッチング液を導入して前記犠牲層のエッチングを
部分的に行うことにより、前記基板から突出する突起部
を形成する工程である半導体センサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26784299A JP2001091262A (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 半導体センサの製造方法、及び半導体センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26784299A JP2001091262A (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 半導体センサの製造方法、及び半導体センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001091262A true JP2001091262A (ja) | 2001-04-06 |
Family
ID=17450392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26784299A Pending JP2001091262A (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 半導体センサの製造方法、及び半導体センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001091262A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-09-21 JP JP26784299A patent/JP2001091262A/ja active Pending
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