JPH10107446A - Method for manufacturing multi-layer wiring board - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a viahole of good shape in a short time by selectively removing an electric insulation layer in fine-cured state through sand blasting process, for forming the viahole, and then thermosetting the electric insulation layer for forming an inter-layer insulation layer. SOLUTION: A wiring pattern 2 is formed on a substrate 1, and over it, an electric insulating layer 3 having thermal or optical curing characteristics is formed. The electric insulating layer 3 is, after coating, dried by a hot-air type heater or an infrared ray heater, for fine-curing. Under this condition, a coating pattern 4 having anti-sand blasting characteristics is provided on the electric insulating layer 3, then the electric insulation 3 is selectively removed by sand blasting process, for forming a viahole 5. Further, the electric insulation layer 3 is heated for curing so that an inter-layer insulation layer 6 is formed, and a conductive layer 7 is deposited over it. Thereby, the viahole 5 of high reproducivity and good shape is efficiently formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は多層配線板の製造方
法に係り、さらに詳しくは、複数層の導電性パターンを
互いに電気的に接続するためのバイアホールを形成した
層間絶縁層を有するビルドアップ型の多層配線板の製造
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board, and more particularly, to a build-up method having an interlayer insulating layer formed with via holes for electrically connecting a plurality of conductive patterns to each other. The present invention relates to a method for producing a multilayer wiring board of a mold.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、電子技術の進歩に伴い、コンピュ
ータ等の電子機器に対する高密度化や演算機能の高速化
が進められている。多層配線板においても例外でなく、
高密度配線や高密度実装が可能な多層配線板が要求され
ており、このような多層配線板として上層配線パターン
と下層配線パターンとを電気的に接続するためのバイア
ホールを有するビルドアップ工法による多層配線板が知
られている。2. Description of the Related Art In recent years, with the advance of electronic technology, higher densities and higher speed of arithmetic functions for electronic devices such as computers have been promoted. Multi-layer wiring boards are no exception,
A multilayer wiring board capable of high-density wiring and high-density mounting is required, and such a multilayer wiring board is formed by a build-up method having via holes for electrically connecting an upper wiring pattern and a lower wiring pattern. Multilayer wiring boards are known.

【０００３】このビルドアップ工法による多層配線板
は、従来、例えば図２、図３に示すように、基板２１上
に導電性物質からなる下層の配線パターン２２を設け、
この上に絶縁性を有するセラミックペースト組成物をス
クリーン印刷法等によりパターン印刷したり、感光性樹
脂層を用いてホトリソグラフィーにより露光、現像処理
を行って層間絶縁層２３を設けた後、選択的にエッチン
グ除去してバイアホール２５を形成し、次いで無電解め
っき処理を施すことによって、バイアホール２５内に導
電層２６を設けるか、あるいは該バイアホール２５内と
層間絶縁層２３上に導電層２６を一体的に設け、しかる
後に上層配線パターン（図示せず）を形成し、この上層
の配線パターンと下層の配線パターン２２をそれぞれ電
気的に接続するという方法により製造されていた。Conventionally, in a multilayer wiring board by this build-up method, a lower wiring pattern 22 made of a conductive substance is provided on a substrate 21 as shown in FIGS. 2 and 3, for example.
On this, a ceramic paste composition having an insulating property is subjected to pattern printing by a screen printing method or the like, or exposure and development processing is performed by photolithography using a photosensitive resin layer to form an interlayer insulating layer 23. The conductive layer 26 is formed in the via hole 25 by performing an electroless plating process, or the conductive layer 26 is formed in the via hole 25 and on the interlayer insulating layer 23. Are integrally formed, and thereafter, an upper wiring pattern (not shown) is formed, and the upper wiring pattern and the lower wiring pattern 22 are electrically connected to each other.

【０００４】しかしながら上記従来の方法により製造さ
れた多層配線板は、層間絶縁層としてセラミック材を用
いたものは高精度のものを得ることができず、また感光
性樹脂層を用いた場合、図２に示すようにバイアホール
の側壁が垂直の矩形状の断面形状をなすか、あるいは図
３に示すようにホトリソグラフィー時に現像液によるサ
イドエッチング３０が現れやすい。これらいずれの場合
においても、無電解めっき法などによりバイアホール２
５内や層間絶縁層２３上に導電層２６を設ける場合、図
２、３に示すように、めっき付き回りが良好でなく、導
通不良を起こすことがあった（図中、Ａ）。これに対し
ては、短絡を防ぐために無電解めっき量を増やすことが
考えられるが、基板の重量増加が免れ得ず、高密度、高
精細な多層配線板を得ることが困難であった。However, in the case of a multilayer wiring board manufactured by the above-mentioned conventional method, a high-precision multilayer wiring board using a ceramic material as an interlayer insulating layer cannot be obtained. As shown in FIG. 2, the side wall of the via hole has a vertical rectangular cross-sectional shape, or side etching 30 by a developer tends to appear during photolithography as shown in FIG. In any of these cases, the via hole 2 is formed by electroless plating or the like.
In the case where the conductive layer 26 is provided in the inside 5 or on the interlayer insulating layer 23, as shown in FIGS. In order to prevent this, it is conceivable to increase the amount of electroless plating in order to prevent a short circuit. However, an increase in the weight of the substrate cannot be avoided, and it has been difficult to obtain a high-density, high-definition multilayer wiring board.

【０００５】そこで、少ない無電解めっき量で信頼性の
高い多層配線板を形成するために、酸化剤に対して難溶
性の感光性樹脂層中に酸化剤に対して可溶性の樹脂粒子
を含有させ、酸化剤により可溶性樹脂粒子を溶出させる
ことにより層間絶縁層の表面を粗化処理し、層間絶縁層
と導電層との密着性を改善させた技術が、例えば特開平
６−２１５６２３号公報に記載されている。しかしなが
ら、特開平６−２１５６２３号公報に記載のものは、層
間絶縁層表面粗化処理の酸化剤としてクロム酸等の強酸
を用いるため、人体、基材等へ及ぼす影響の点からも好
ましくない。Therefore, in order to form a highly reliable multilayer wiring board with a small amount of electroless plating, resin particles soluble in the oxidizing agent are contained in the photosensitive resin layer which is hardly soluble in the oxidizing agent. A technique in which the surface of an interlayer insulating layer is roughened by eluting soluble resin particles with an oxidizing agent to improve the adhesion between the interlayer insulating layer and the conductive layer is described in, for example, JP-A-6-215623. Have been. However, the method described in JP-A-6-215623 uses a strong acid such as chromic acid as an oxidizing agent for the surface roughening treatment of the interlayer insulating layer, and is therefore not preferable from the viewpoint of affecting the human body and the base material.

【０００６】さらに、近年の環境への配慮から、現像液
として希アルカリ水溶液を用い得る感光性樹脂が求めら
れており、例えば特開平６−１９６８５６号公報におい
ては、感光性樹脂中にカルボキシル基を導入して希アル
カリ水溶液により現像可能としたものが提案されている
が、これらは絶縁抵抗値や耐熱性が低下する傾向がみら
れ、場合によっては短絡を起こすという問題があり、信
頼性の高い多層配線板を形成することが困難であるとい
う問題がある。また、層間絶縁層として上記感光性樹脂
を用いた場合、１４０℃程度が耐熱性の限界であり、ピ
ール強度の大きなものも得ることが難しいため、近年の
高密度配線板にあっては層間絶縁層の損傷による剥れや
欠け等の問題を有していた。Further, in consideration of recent environmental considerations, a photosensitive resin which can use a dilute aqueous alkali solution as a developing solution has been required. For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-196856, a carboxyl group is contained in the photosensitive resin. Although those which can be developed by introducing a dilute alkaline aqueous solution have been proposed, these have a tendency to lower the insulation resistance value and heat resistance, and in some cases, have a problem of causing a short circuit, and have a high reliability. There is a problem that it is difficult to form a multilayer wiring board. Further, when the above-mentioned photosensitive resin is used as the interlayer insulating layer, the heat resistance is about 140 ° C., and it is difficult to obtain a material having a large peel strength. There were problems such as peeling and chipping due to damage to the layer.

【０００７】この他に、層間絶縁層として無機質充填材
を混練した熱硬化型の耐熱性エポキシ樹脂を用い、炭酸
ガスレーザーやエキシマレーザー等の高出力レーザーに
よってバイアホールを形成する方法も考えられたが、装
置が高価であり、形成されたバイアホールの形状も矩形
状となり、バイアホール内に導電層を設ける際に導通不
良を起こすことがあり、またバイアホール側壁が平滑と
なり導電層の密着性が悪くなり、好ましくなかった。In addition, a method of forming a via hole using a high-power laser such as a carbon dioxide gas laser or an excimer laser using a thermosetting heat-resistant epoxy resin kneaded with an inorganic filler as an interlayer insulating layer has been considered. However, the device is expensive, and the shape of the formed via hole is also rectangular, which may cause conduction failure when a conductive layer is provided in the via hole, and the sidewall of the via hole becomes smooth and the adhesion of the conductive layer becomes poor. Became worse and was not preferred.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる事情
に鑑みてなされたもので、その課題は、再現性が高く形
状の良好なバイアホールを効率よく形成し、層間絶縁層
とめっき導電層との密着性に優れ、高耐熱性であり、環
境上安全で、かつ信頼性が高く、製造効率の向上した多
層配線板の製造方法を安価に提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to efficiently form via holes having high reproducibility and good shape, and to provide an interlayer insulating layer and a plated conductive layer. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board having excellent adhesion to a wiring board, high heat resistance, environmentally safe, highly reliable, and improved manufacturing efficiency at low cost.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、従来のホトリ
ソグラフィーによる方法に代えて、熱または光硬化性を
有する電気絶縁層を用い、これを加熱等により微硬化状
態とし、この微硬化状態の電気絶縁層をサンドブラスト
処理によって選択的に除去してバイアホールを形成し、
その後に該電気絶縁層を熱硬化して層間絶縁層とするこ
とによって、良好な形状のバイアホールを短時間で形成
することができ、さらに、めっき処理等により該バイア
ホール内に導電層を設ける際に、強い密着強度を得、こ
れにより導電層を薄く作成することができ、軽量でかつ
信頼性の高い多層配線板を提供し得ることを見出した。
本発明は、これらの知見に基づいてなされたものであ
る。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have made intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, an electric insulating layer having heat or light curability has been used instead of the conventional photolithographic method. Used, it is made into a slightly cured state by heating or the like, and the electrically insulating layer in this slightly cured state is selectively removed by sandblasting to form a via hole,
Thereafter, the electrical insulating layer is thermally cured to form an interlayer insulating layer, whereby a via hole having a good shape can be formed in a short time, and a conductive layer is provided in the via hole by plating or the like. At this time, they have found that a strong adhesion strength can be obtained, a thin conductive layer can be formed thereby, and a lightweight and highly reliable multilayer wiring board can be provided.
The present invention has been made based on these findings.

【００１０】すなわち本発明は、基板の少なくとも一方
の面上に、複数層の配線パターンと層間絶縁層を有し、
該層間絶縁層の所定箇所に前記配線パターンを互いに電
気的に接続するためのバイアホールを設けてなる多層配
線板の製造方法において、前記バイアホールを設けるに
際し、熱または光硬化性を有する電気絶縁層を配線パタ
ーンを有する基板上に形成し、これを微硬化させた後、
該微硬化後の電気絶縁層上に耐サンドブラスト性を有す
る被膜をパターン形成し、次いでサンドブラスト処理を
施すことにより該電気絶縁層を選択的に除去してバイア
ホールを形成した後、耐サンドブラスト性を有する被膜
を除去し、しかる後に該電気絶縁層を加熱硬化すること
により層間絶縁層とし、次いでめっき処理を施すことに
より導電層を設けることを特徴とする多層配線板の製造
方法を提供するものである。That is, the present invention has a plurality of wiring patterns and an interlayer insulating layer on at least one surface of a substrate,
In a method for manufacturing a multilayer wiring board, wherein via holes for electrically connecting the wiring patterns to each other are provided at predetermined positions in the interlayer insulating layer, when the via holes are provided, heat insulation or photo-curing electrical insulation may be used. After the layer is formed on the substrate having the wiring pattern and this is slightly cured,
A pattern having a sandblast-resistant coating is formed on the finely cured electrical insulating layer, and then the electrical insulating layer is selectively removed by sandblasting to form a via hole. A method for producing a multilayer wiring board, comprising: removing a coating film, followed by heating and curing the electric insulating layer to form an interlayer insulating layer, and then providing a conductive layer by plating. is there.

【００１１】また本発明は、基板の少なくとも一方の面
上に、複数層の配線パターンと層間絶縁層を有し、該層
間絶縁層の所定箇所に前記配線パターンを互いに電気的
に接続するための導通部を設けてなる多層配線板の製造
方法において、前記導通部を設けるに際し、熱または光
硬化性を有する電気絶縁層を配線パターンを有する基板
上に形成し、これを微硬化させた後、該微硬化後の電気
絶縁層上に耐サンドブラスト性を有する被膜をパターン
形成し、次いでサンドブラスト処理を施すことにより該
電気絶縁層を選択的に除去して導通部を断面視すり鉢状
に形成した後、耐サンドブラスト性を有する被膜を除去
し、しかる後に該電気絶縁層を加熱硬化することにより
層間絶縁層とし、次いでめっき処理を施すことにより前
記導通部に導電材を埋めることを特徴とする多層配線板
の製造方法を提供するものである。[0011] The present invention also has a plurality of wiring patterns and an interlayer insulating layer on at least one surface of a substrate, wherein the wiring patterns are electrically connected to each other at predetermined positions of the interlayer insulating layer. In the method for manufacturing a multilayer wiring board provided with a conductive portion, in providing the conductive portion, a heat or photocurable electrical insulating layer is formed on a substrate having a wiring pattern, and after this is slightly cured, After forming a coating having sand blast resistance on the finely cured electric insulating layer by patterning, and then performing a sand blasting treatment to selectively remove the electric insulating layer to form a conductive portion in a mortar shape in cross section. Removing the coating having anti-sandblasting properties, and then heating and curing the electrical insulating layer to form an interlayer insulating layer, and then subjecting the conductive portion to a conductive material by plating. There is provided a method for manufacturing a multilayer wiring board, wherein the fill.

【００１２】[0012]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の多層配線板の製
造方法の一例を、図１を参照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention will be described below with reference to FIG.

【００１３】図１は本発明による多層配線板の製造方法
を説明した工程図である。FIG. 1 is a process diagram illustrating a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.

【００１４】まず図１（ａ）に示すように、基板１上
に、厚さ１〜２００μｍ程度の配線パターン２を形成
し、この上にさらに熱または光硬化性を有する電気絶縁
層３を形成する。First, as shown in FIG. 1A, a wiring pattern 2 having a thickness of about 1 to 200 μm is formed on a substrate 1, and an electric insulating layer 3 having heat or photocurability is further formed thereon. I do.

【００１５】基板１は、ガラス−エポキシ樹脂積層板、
ガラスクロス−ビスマレイミドトリアジン樹脂積層板、
ガラスクロス−ポリイミド樹脂積層板、紙−フェノール
樹脂積層板、紙−クレゾール樹脂積層板、紙−フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂積層板、紙−クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂積層板等の絶縁基板が用いられ
るが、これらに限定されるものでない。The substrate 1 is made of a glass-epoxy resin laminate,
Glass cloth-bismaleimide triazine resin laminate,
Insulating substrates such as glass cloth-polyimide resin laminate, paper-phenol resin laminate, paper-cresol resin laminate, paper-phenol novolak type epoxy resin laminate, paper-cresol novolak type epoxy resin laminate are used, It is not limited to these.

【００１６】配線パターン２は、例えばＣｕ、Ａｌ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｎｉ等の導電性物質からなり、公知の手段に
より設けられる。本発明においては、ある程度弾性を有
し、安価なＣｕ、Ａｌがサンドブラスト処理時に食刻さ
れにくいため、好ましく用いることができる。The wiring pattern 2 is made of, for example, Cu, Al, A
It is made of a conductive material such as g, Au, Ni or the like, and is provided by a known means. In the present invention, inexpensive Cu and Al, which have some elasticity and are not easily etched during sandblasting, can be preferably used.

【００１７】熱または光硬化性を有する電気絶縁層３
は、材料各成分を３本ロールミル、ボールミル、サンド
ミル等でよく溶解、分散、混練した後、基板上にスクリ
ーン印刷、バーコータ、ロールコータ、リバースコー
タ、カーテンフローコータ、スプレーコーター等で乾燥
膜厚１０〜１００μｍ程度に塗布することにより基板１
上に層として設けられる。Electric insulating layer 3 having heat or light curability
After thoroughly dissolving, dispersing and kneading the components of each material with a three-roll mill, ball mill, sand mill or the like, screen printing is performed on a substrate, and a dry film thickness is determined by a bar coater, a roll coater, a reverse coater, a curtain flow coater, a spray coater or the like. Substrate 1 by coating to about 100 μm
Provided as a layer on top.

【００１８】この電気絶縁層３は、塗布後、温風ヒータ
ー、赤外線ヒーター中で乾燥させ、微硬化させる（図１
（ｂ））。After being applied, the electric insulating layer 3 is dried in a warm air heater or an infrared heater to be slightly cured (FIG. 1).
(B)).

【００１９】ここで「微硬化」とは、後工程におけるサ
ンドブラスト処理によるバイアホール形成に際し、バイ
アホールの形状の欠失、損壊等を受けない程度で、しか
も耐サンドブラスト被膜の剥離時に電気絶縁層３が剥が
れたり、耐サンドブラスト被膜パターン剥離後の電気絶
縁層３の熱硬化時にバイアホールが熱ダレにより埋まっ
てしまうことのない程度の硬化を意味する。上記の微硬
化状態を得るには、低エネルギー線量の光を照射する
か、あるいは通常の硬化温度よりやや低い温度で加熱す
る方法が挙げられるが、特に電気絶縁層３を７０℃以上
１１０℃以下程度の温度で加熱するのが好ましい。加熱
温度が低すぎると微硬化が十分でなく後述の耐サンドブ
ラスト被膜パターンの剥離時に電気絶縁層が剥がれた
り、耐サンドブラスト被膜パターン剥離後の熱硬化時に
バイアホールが熱ダレにより埋まってしまうことがあり
好ましくなく、一方、加熱温度が高すぎると硬化が進み
過ぎ、サンドブラスト処理時間が長時間となるため好ま
しくない。Here, "slight hardening" means that the shape of the via hole is not lost or damaged when forming the via hole by sandblasting in a later step, and the electrical insulating layer 3 is removed when the anti-sandblast coating film is peeled off. Means that the via holes are not buried by heat dripping when the electrical insulating layer 3 is thermally cured after the sandblast-resistant coating pattern is peeled off. In order to obtain the above-mentioned slightly cured state, a method of irradiating light with a low energy dose or heating at a temperature slightly lower than a normal curing temperature may be mentioned. It is preferred to heat at about the same temperature. If the heating temperature is too low, fine curing is not sufficient, and the electrical insulating layer may be peeled off when the anti-sandblasting film pattern described below is peeled off, or the via hole may be filled with heat sag during thermal curing after peeling off the anti-sandblasting film pattern. On the other hand, if the heating temperature is too high, the curing proceeds too much, and the sandblasting time is undesirably long.

【００２０】この熱または光硬化性を有する電気絶縁層
３を形成するための材料としては、一般に、バインダー
樹脂、熱または光重合開始剤あるいは架橋剤、および熱
または光重合性モノマーを含む組成物が用いられる。バ
インダー樹脂中に熱または光により重合あるいは架橋可
能な基が存在している場合にはモノマーを除いた組成で
あってよい。As a material for forming the heat or light curable electric insulating layer 3, a composition containing a binder resin, a heat or photopolymerization initiator or a crosslinking agent, and a heat or photopolymerization monomer is generally used. Is used. When a group capable of being polymerized or crosslinked by heat or light is present in the binder resin, the composition may be a composition excluding monomers.

【００２１】上記バインダー樹脂としては、例えばメチ
ルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリ
レート、エチルメタクリレート、ｎ−ブチルアクリレー
ト、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレー
ト、イソブチルメタクリレート、２−エチルヘキシルア
クリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ベン
ジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、２−ヒド
ロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタ
クリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２
−ヒドロキシプロピルメタクリレート、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルモノアクリレート、エチレング
リコールモノメチルエーテルメタクリレート、エチレン
グリコールモノエチルエーテルアクリレート、エチレン
グリコールモノエチルエーテルメタクリレート、グリセ
ロールモノアクリレート、グリセロールモノメタクリレ
ート、アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、メタ
クリル酸ジメチルアミノエチルエステル、テトラヒドロ
フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタ
クリレート、アクリル酸アミド、メタクリル酸アミド、
アクリロニトリル、メタアクリロニトリル等から選ばれ
たモノマーを共重合させたものや、ペンタエリスリトー
ルトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタク
リレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、
ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタ
エリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリ
トールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメ
タクリレート、カルドエポキシジアクリレート、カルド
エポキシジメタクリレート、ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノ
ール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒド
との縮合物によるエポキシ化樹脂、尿素樹脂、メラミン
樹脂、トリス−（２，３−ジエポキシプロピル）イソシ
アヌレート等のトリアジン樹脂、ダウ・ケミカル（株）
製のサイクロテン樹脂、ポリフェノール樹脂、ポリノボ
ラック樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を挙げ
ることができる。中でも、エポキシ樹脂、ポリフェノー
ル樹脂、ポリノボラック樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイ
ミド樹脂は、１５０〜２００℃程度の高温状態でも変質
や分解することがなく、ピール強度で１ｋｇ／ｃｍを超
える引っ張り強度を有し、耐熱性や耐薬品性に優れるた
め好適に用いられる。Examples of the binder resin include methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, n-butyl acrylate, n-butyl methacrylate, isobutyl acrylate, isobutyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, and benzyl acrylate. , Benzyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2
-Hydroxypropyl methacrylate, ethylene glycol monomethyl ether monoacrylate, ethylene glycol monomethyl ether methacrylate, ethylene glycol monoethyl ether acrylate, ethylene glycol monoethyl ether methacrylate, glycerol monoacrylate, glycerol monomethacrylate, dimethylaminoethyl acrylate, dimethyl methacrylate Aminoethyl ester, tetrahydrofurfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, acrylamide, methacrylamide,
Acrylonitrile, those obtained by copolymerizing monomers selected from methacrylonitrile and the like, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetraacrylate,
Pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol pentamethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, cardo epoxy diacrylate, cardo epoxy dimethacrylate, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin , Bisphenol S type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, epoxidized resin by condensation of phenols with aromatic aldehyde having phenolic hydroxyl group, urea resin, melamine resin, tris- (2, Triazine resins such as 3-diepoxypropyl) isocyanurate, Dow Chemical Co., Ltd.
Resin, polyphenol resin, polynovolak resin, polyamide resin, polyimide resin and the like. Above all, epoxy resin, polyphenol resin, polynovolak resin, polyamide resin, and polyimide resin have no tensile deterioration or decomposition even at a high temperature of about 150 to 200 ° C., and have a tensile strength exceeding 1 kg / cm in peel strength, It is suitably used because of its excellent heat resistance and chemical resistance.

【００２２】上記モノマーを共重合させる場合、アクリ
ル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、ア
ンジェリカ酸、チグリン酸、２−エチルアクリル酸、３
−プロピルアクリル酸、３−イソプロピルアクリル酸、
コハク酸モノヒドロキシエチルアクリレート、フタル酸
モノヒドロキシエチルアクリレート、ジヒドロフタル酸
モノヒドロキシエチルアクリレート、テトラヒドロフタ
ル酸モノヒドロキシエチルアクリレート、ヘキサヒドロ
フタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート、アクリル
酸ダイマー、アクリル酸トリマーなどカルボキシル基を
有するモノマーを共重合させることもできるが、耐サン
ドブラスト被膜パターンの剥離時に熱または光硬化性を
有する電気絶縁性組成物も剥離してしまうことがあり好
ましくない。When the above monomers are copolymerized, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, angelic acid, tiglic acid, 2-ethylacrylic acid,
-Propylacrylic acid, 3-isopropylacrylic acid,
Carboxyl groups such as succinic acid monohydroxyethyl acrylate, phthalic acid monohydroxyethyl acrylate, dihydrophthalic acid monohydroxyethyl acrylate, tetrahydrophthalic acid monohydroxyethyl acrylate, hexahydrophthalic acid monohydroxyethyl acrylate, acrylic acid dimer, acrylic acid trimer Although a monomer having the same can be copolymerized, the electrically insulating composition having heat or photocurability may be peeled off when the sandblast-resistant coating pattern is peeled off, which is not preferable.

【００２３】上記熱または光重合開始剤としては、例え
ば１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，
２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オ
ン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕
−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル
−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニ
ル）−ブタン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル
−１−フェニルプロパン−１−オン、２，４，６−トリ
メチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、１−
〔４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル〕−２−ヒ
ドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２，
４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサント
ン、２，４−ジメチルチオキサントン、３，３−ジメチ
ル−４−メトキシベンゾフェノン、ベンゾフェノン、１
−クロロ−４−プロポキシチオキサントン、１−（４−
イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチル
プロパン−１−オン、１−（４−ドデシルフェニル）−
２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−
ベンゾイル−４’−メチルジメチルスルフィド、４−ジ
メチルアミノ安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸メ
チル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチ
ルアミノ安息香酸ブチル、４−ジメチルアミノ安息香酸
−２−エチルヘキシル、４−ジメチルアミノ安息香酸−
２−イソアミル、２，２−ジエトキシアセトフェノン、
ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエ
チルアセタール、１−フェニル−１，２−プロパンジオ
ン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ｏ−ベ
ンゾイル安息香酸メチル、ビス（４−ジメチルアミノフ
ェニル）ケトン、４，４’−ビスジエチルアミノベンゾ
フェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、ベンジ
ル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイ
ンエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、
ベンゾイン−ｎ−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチ
ルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、ｐ−ジメチル
アミノアセトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロ
ロアセトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロアセ
トフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサント
ン、２−イソプロピルチオキサントン、ジベンゾスベロ
ン、α，α−ジクロロ−４−フェノキシアセトフェノ
ン、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエート等を挙
げることができる。これら熱または光重合開始剤は、層
間絶縁層中の熱または活性光線により硬化する性質を有
する樹脂およびモノマー１００重量部中に、０．１〜４
０重量部の範囲で含有することができる。Examples of the heat or photopolymerization initiator include 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone,
2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl]
-2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-1 -One, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 1-
[4- (2-hydroxyethoxy) phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, 2,
4-diethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 3,3-dimethyl-4-methoxybenzophenone, benzophenone,
-Chloro-4-propoxythioxanthone, 1- (4-
Isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1- (4-dodecylphenyl)-
2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 4-
Benzoyl-4'-methyldimethyl sulfide, 4-dimethylaminobenzoic acid, methyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, butyl 4-dimethylaminobenzoate, 2-ethylhexyl 4-dimethylaminobenzoate , 4-dimethylaminobenzoic acid-
2-isoamyl, 2,2-diethoxyacetophenone,
Benzyldimethyl ketal, benzyl-β-methoxyethyl acetal, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, methyl o-benzoylbenzoate, bis (4-dimethylaminophenyl) ketone, 4,4′-bisdiethylaminobenzophenone, 4,4′-dichlorobenzophenone, benzyl, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether,
Benzoin-n-butyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin butyl ether, p-dimethylaminoacetophenone, p-tert-butyltrichloroacetophenone, p-tert-butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, dibenzosuberone , Α, α-dichloro-4-phenoxyacetophenone, pentyl-4-dimethylaminobenzoate and the like. These heat or photopolymerization initiators are used in an amount of 0.1 to 4 in 100 parts by weight of a resin and a monomer having a property of being cured by heat or actinic light in the interlayer insulating layer.
It can be contained in the range of 0 parts by weight.

【００２４】上記架橋剤としては、ジシアンジアミド；
２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチ
ル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２，４−ジ
アミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１）］−
エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−
［２’−エチル−４−メチルイミダゾリル−（１）］−
エチル−ｓ−トリアジン・イソシアヌル酸付加物、２−
メチル−イミダゾール、１−フェニル−２−メチル−イ
ミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキ
シメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物；２，４
−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン−イソシアヌ
ル酸付加物、２−ビニル−４，６−ジアミノ−ｓ−トリ
アジン、２−メトキシエチル−４，６−ジアミン−ｓ−
トリアジン、２−ｏ−シアノフェニル−４，６−ジアミ
ノ−ｓ−トリアジン等のトリアジン化合物；３−（３，
４−ジクロロフェニル）−１，１’−ジメチルウレア、
１，１’−イソホロン−ビス（３−メチル−３−ヒドロ
キシエチルウレア）、１，１’−トリレン−ビス（３，
３−ジメチルウレア）等のウレア化合物；４，４’−ジ
アミノ−ジフェニルメタン等の芳香族アミン化合物；ト
リフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェー
ト、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート、トリフェニルセレニウムヘキサフルオロホスフ
ェート、トリフェニルセレニウムヘキサフルオロアンチ
モネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアン
チモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホ
スフェート、２，４−シクロペンタジェン−１−イル−
［（１−メチルエチル）−ベンゼン］−Ｆｅ−ヘキサフ
ルオロホスフェート（「イルガキュアー２６１」；チバ
・ガイギー（株）製、など）等の光カチオン重合触媒等
を挙げることができる。これらの中でも、ジシアンジア
ミド、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾ
リル−（１）］−エチル−ｓ−トリアジン、２−エチル
−４−メチルイミダゾール、１，１’−イソホロン−ビ
ス（３−メチル−３−ヒドロキシエチルウレア）、１，
１’−トリレン−ビス（３，３−ジメチルウレア）、３
−（３，４−ジクロロフェニル）−１，１’−ジメチル
ウレアおよび光カチオン重合触媒の市販品（「ＳＰ−１
５０」、「ＳＰ−１７０」；いずれも旭電化工業（株）
製）、等）が好適に用いられる。As the crosslinking agent, dicyandiamide;
2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1)]-
Ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6
[2'-ethyl-4-methylimidazolyl- (1)]-
Ethyl-s-triazine / isocyanuric acid adduct, 2-
Imidazole compounds such as methyl-imidazole, 1-phenyl-2-methyl-imidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole; 2,4
-Diamino-6-vinyl-s-triazine-isocyanuric acid adduct, 2-vinyl-4,6-diamino-s-triazine, 2-methoxyethyl-4,6-diamine-s-
Triazine compounds such as triazine and 2-o-cyanophenyl-4,6-diamino-s-triazine;
4-dichlorophenyl) -1,1′-dimethylurea;
1,1′-isophorone-bis (3-methyl-3-hydroxyethylurea), 1,1′-tolylene-bis (3,
Urea compounds such as 3-dimethylurea); aromatic amine compounds such as 4,4′-diamino-diphenylmethane; triphenylsulfonium hexafluorophosphate;
Triphenylsulfonium hexafluorophosphate, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, triphenylselenium hexafluorophosphate, triphenylselenium hexafluoroantimonate, diphenyliodonium hexafluoroantimonate, diphenyliodonium hexafluorophosphate, 2,4-cyclopentadiene -1-yl-
Photo-cationic polymerization catalysts such as [(1-methylethyl) -benzene] -Fe-hexafluorophosphate (“Irgacure 261”; manufactured by Ciba-Geigy Corporation) and the like can be mentioned. Among them, dicyandiamide, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1)]-ethyl-s-triazine, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,1′-isophorone-bis ( 3-methyl-3-hydroxyethylurea), 1,
1′-tolylene-bis (3,3-dimethylurea), 3
-(3,4-Dichlorophenyl) -1,1′-dimethylurea and a commercial product of a cationic photopolymerization catalyst (“SP-1
50 "and" SP-170 "; both are Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.
), Etc.) are preferably used.

【００２５】上記熱または光重合性モノマーとしては、
例えば２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロ
キシエチルメタクリレート、エチレングリコールモノメ
チルエーテルアクリレート、エチレングリコールモノメ
チルエーテルメタクリレート、エチレングリコールモノ
エチルエーテルアクリレート、エチレングリコールモノ
エチルエーテルメタクリレート、グリセロールアクリレ
ート、グリセロールメタクリレート、アクリル酸アミ
ド、メタクリル酸アミド、アクリロニトリル、メタクリ
ロニトリル、メチルアクリレート、メチルメタクリレー
ト、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、イソ
ブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、２−
エチルヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルメタ
クリレート、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリ
レート等の単官能モノマーや；エチレングリコールジア
クリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ト
リエチレングリコールジアクリレート、トリエチレング
リコールジメタクリレート、テトラエチレングリコール
ジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリ
レート、ブチレングリコールジメタクリレート、プロピ
レングリコールジアクリレート、プロピレングリコール
ジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、
テトラメチロールプロパンテトラアクリレート、テトラ
メチロールプロパンテトラメタクリレート、ペンタエリ
スリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールト
リメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリ
レート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、
ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタ
エリスリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリス
リトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジア
クリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレー
ト、カルドエポキシジアクリレート等の多官能モノマー
を使用することができる。これら熱または光重合性モノ
マーを添加する場合にあっては、熱または光硬化性を有
する電気絶縁層形成のための組成物１００重量部中に５
０重量部までの範囲で配合することが好ましい。The heat or photopolymerizable monomer includes:
For example, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, ethylene glycol monomethyl ether acrylate, ethylene glycol monomethyl ether methacrylate, ethylene glycol monoethyl ether acrylate, ethylene glycol monoethyl ether methacrylate, glycerol acrylate, glycerol methacrylate, acrylamide, methacryl Acid amide, acrylonitrile, methacrylonitrile, methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, isobutyl acrylate, isobutyl methacrylate, 2-
Monofunctional monomers such as ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, benzyl acrylate, and benzyl methacrylate; and ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol diacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, and tetraethylene Glycol dimethacrylate, butylene glycol dimethacrylate, propylene glycol diacrylate, propylene glycol dimethacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate,
Tetramethylolpropane tetraacrylate, tetramethylolpropane tetramethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate,
Multifunctional such as dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol pentamethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, cardo epoxy diacrylate, etc. Monomers can be used. When these heat or photopolymerizable monomers are added, 5 to 100 parts by weight of the composition for forming a heat or photocurable electric insulating layer is used.
It is preferable to mix in a range of up to 0 parts by weight.

【００２６】さらに、寸法安定性や耐薬品性、耐熱性、
絶縁性を保持するために、シリカ、アルミナ、マイカ、
タルク等の無機フィラーや、三酸化アンチモン、水酸化
アルミニウム、水酸化カルシウム、炭酸カルシウム、炭
酸マグネシウム、窒化ケイ素などの難燃剤、サンドブラ
スト処理後に形成されたバイアホールが容易に識別でき
るようにフタロシアニングリーンなどの耐熱性有機着色
顔料、あるいは蛍光染料を添加したものであってもよ
い。Furthermore, dimensional stability, chemical resistance, heat resistance,
Silica, alumina, mica,
Inorganic fillers such as talc, flame retardants such as antimony trioxide, aluminum hydroxide, calcium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, and silicon nitride; and phthalocyanine green so that via holes formed after sandblasting can be easily identified Or a heat-resistant organic color pigment or a fluorescent dye.

【００２７】前記フィラーの粒径は０．０１〜１００μ
ｍ程度の範囲で選ばれるが、サンドブラスト処理後、導
電層を形成する際に、層間絶縁層と導電層との密着強度
を上げるために上記粒径範囲内で粒径、形状の異なるフ
ィラーを複数、選択的に含有することが好ましい。The filler has a particle size of 0.01 to 100 μm.
m is selected within a range of about m, but when forming a conductive layer after sandblasting, a plurality of fillers having different particle sizes and shapes within the above-described particle size range to increase the adhesion strength between the interlayer insulating layer and the conductive layer. Is preferably contained selectively.

【００２８】さらに熱または光硬化性を有する電気絶縁
層形成のための組成物をスクリーン印刷、ディップコー
ター、ロールコーター、スピンコーター、カーテンコー
ター、スプレーコーター等で塗布する際、均一にコーテ
ィングするためにレベリング剤、消泡剤、溶剤等を含有
したものであってもよい。Further, when a composition for forming an electrically insulating layer having heat or light curability is applied by screen printing, dip coater, roll coater, spin coater, curtain coater, spray coater, etc. It may contain a leveling agent, an antifoaming agent, a solvent and the like.

【００２９】上記溶剤としては、メチルエチルケトン、
アセトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、
シクロヘキサノン、エチレングリコールモノメチルエー
テル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレ
ングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコール
モノベンジルエーテル、エチレングリコールモノフェニ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ
メチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、３−メトキシブチルアセテート、４−メトキシ
ブチルアセテート、２−メチル−３−メトキシブチルア
セテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテー
ト、３−エチル−３−メトキシブチルアセテート、２−
エトキシブチルアセテート、ジエチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ
ブチルエーテルアセテート等を挙げることができ、この
中でも特にプロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレン
グリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ
エチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピル
エーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート等の溶剤が、人体に対する安全性が高く、塗布
性が良好であるため好適に用いられる。As the solvent, methyl ethyl ketone,
Acetone, methyl isobutyl ketone, diethyl ketone,
Cyclohexanone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monobenzyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, Dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, 3-methoxybutyl acetate, 4-methoxybutyl acetate, 2-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-ethyl-3 -Methoxybutyl acetate, 2-
Ethoxybutyl acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, and the like, among which propylene glycol monomethyl ether,
Solvents such as propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monomethyl ether acetate are highly safe for the human body and are applied. It is preferably used because it has good properties.

【００３０】また、熱または光硬化性を有する電気絶縁
層３の中に含硫黄有機化合物を触媒毒として添加するこ
とができる。このような含硫黄有機化合物としては、２
−メルカプトベンゾチアゾール、ジベンゾチアジルジス
ルフィド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ベンゾチアゾリ
ルスルフェンアミド、テトラメチルチウラムジスルフィ
ド等を挙げることができる。これらの触媒毒を含有させ
ることにより、後述のようにバイアホールを形成した
後、熱または光硬化性を有する電気絶縁性組成物３を加
熱硬化させ層間絶縁層とし、電解めっき処理によりバイ
アホール内に導電層を設ける際に、層間絶縁層上に導電
層が付着することを防ぐことができる。Further, a sulfur-containing organic compound can be added as a catalyst poison to the heat or light curable electric insulating layer 3. Such sulfur-containing organic compounds include 2
-Mercaptobenzothiazole, dibenzothiazyl disulfide, N-tert-butyl-2-benzothiazolylsulfenamide, tetramethylthiuram disulfide and the like. By containing these catalyst poisons, via holes are formed as described later, and then the heat or photocurable electrical insulating composition 3 is heated and cured to form an interlayer insulating layer. When a conductive layer is provided on the substrate, it is possible to prevent the conductive layer from adhering to the interlayer insulating layer.

【００３１】次いで、図１（ｃ）に示すように、微硬化
状態にある熱または光硬化性を有する電気絶縁層３上に
耐サンドブラスト性を有する被膜パターン４を設ける。Next, as shown in FIG. 1 (c), a coating pattern 4 having sandblast resistance is provided on the heat or light curable electrical insulating layer 3 in a slightly cured state.

【００３２】耐サンドブラスト性を有する被膜パターン
４を設けるにあたっては、非感光性の耐サンドブラスト
性樹脂をスクリーン印刷によりパターン印刷する方法、
耐サンドブラスト性を有する感光性樹脂をバーコータ、
ロールコータ、リバースコータ、カーテンフローコータ
などにより塗布するか、あるいはドライフィルム状とし
たものを貼り付けた後、ホトリソグラフィーによって所
要のパターンを得る方法などが挙げられる。感光性樹脂
を用いた場合、塗布または貼り付け後、ネガマスクを介
して、超高圧水銀灯、ケミカルランプ等で活性エネルギ
ー線により露光を行い、スプレーガン、浸漬法等によっ
て現像が行われる。現像液としては、水またはアルカリ
水溶液が好ましく、現像液に用いるアルカリ成分の例と
しては、ナトリウム、カリウム等アルカリ金属の水酸化
物、炭酸塩、ケイ酸塩、重炭酸塩、リン酸塩、ピロリン
酸塩、ベンジルアミン、ブチルアミン等の第１級アミ
ン、ジメチルアミン、ジベンジルアミン、ジエタノール
アミン等の第２級アミン、トリメチルアミン、トリエチ
ルアミン、トリエタノールアミン等の第３級アミン、モ
ルホリン、ピペラジン、ピリジン等の環状アミン、エチ
レンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等のポリアミ
ン、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチ
ルベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルフェ
ニルベンジルアンモニウムヒドロキシド、コリン等のア
ンモニウムヒドロキシド類、トリメチルスルホニウムヒ
ドロキシド、ジエチルメチルスルホニウムヒドロキシ
ド、ジメチルベンジルスルホニウムヒドロキシド等のス
ルホニウムヒドロキシド類、その他これらの緩衝液等が
挙げられる。When providing the coating pattern 4 having sandblast resistance, a method of pattern-printing a non-photosensitive sandblast-resistant resin by screen printing,
Bar coater with a photosensitive resin having sandblast resistance
A method in which a required pattern is obtained by photolithography after applying by a roll coater, a reverse coater, a curtain flow coater, or the like, or after attaching a dry film-like material, is used. When a photosensitive resin is used, after application or attachment, exposure is performed with an active energy ray through a negative mask using an ultra-high pressure mercury lamp, a chemical lamp, or the like, and development is performed using a spray gun, an immersion method, or the like. The developer is preferably water or an aqueous alkali solution. Examples of the alkali component used in the developer include hydroxides, carbonates, silicates, bicarbonates, phosphates, pyrophosphates of alkali metals such as sodium and potassium. Acid salts, primary amines such as benzylamine and butylamine, secondary amines such as dimethylamine, dibenzylamine and diethanolamine, tertiary amines such as trimethylamine, triethylamine and triethanolamine, morpholine, piperazine and pyridine. Cyclic amines, polyamines such as ethylenediamine, hexamethylenediamine, etc., ammonium hydroxides such as tetraethylammonium hydroxide, trimethylbenzylammonium hydroxide, trimethylphenylbenzylammonium hydroxide, choline, and trimethyls Tetraalkylphosphonium hydroxide, diethyl methyl sulfonium hydroxide, sulfonium hydroxide such as dimethyl benzyl sulfonium hydroxide, other these buffers and the like.

【００３３】上記耐サンドブラスト性を有する被膜パタ
ーンは、サンドブラスト処理に対する保護膜の役目を果
たし得るものであれば特に限定されるものでないが、特
には、例えば特開昭５５−１０３５５４号公報に記載さ
れているような不飽和ポリエステルと不飽和モノマーお
よび光重合開始剤からなる感光性樹脂組成物や、特開平
２−６９７５４号公報に記載されているようなポリビニ
ルアルコールとジアゾ樹脂からなる感光性樹脂組成物、
ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー、水溶性セル
ロース樹脂、光重合開始剤、および（メタ）アクリレー
トモノマーを含有してなる感光性樹脂組成物を用いて形
成することができるが、中でもウレタン（メタ）アクリ
レートオリゴマー、水溶性セルロース樹脂、光重合開始
剤、および（メタ）アクリレートモノマーを含有してな
る感光性樹脂は層間絶縁層との密着性や柔軟性に優れる
ため好ましく用いることができる。またこれら耐サンド
ブラスト性を有する被膜パターンの形成に用いる感光性
樹脂はドライフィルム状であってもよい。The above-mentioned sandblast-resistant coating film pattern is not particularly limited as long as it can serve as a protective film against sandblasting. Particularly, it is described in, for example, JP-A-55-103554. Resin composition comprising an unsaturated polyester as described above, an unsaturated monomer and a photopolymerization initiator, and a photosensitive resin composition comprising a polyvinyl alcohol and a diazo resin as described in JP-A-2-69754. Stuff,
It can be formed using a photosensitive resin composition containing a urethane (meth) acrylate oligomer, a water-soluble cellulose resin, a photopolymerization initiator, and a (meth) acrylate monomer. A photosensitive resin containing a water-soluble cellulose resin, a photopolymerization initiator, and a (meth) acrylate monomer can be preferably used because it has excellent adhesion and flexibility to an interlayer insulating layer. Further, the photosensitive resin used for forming the coating pattern having the sandblast resistance may be a dry film.

【００３４】耐サンドブラスト性を有する被膜パターン
４を設けた後、サンドブラスト処理を行い、図１（ｄ）
に示すように微硬化状態にある熱または光硬化性を有す
る電気絶縁層３を選択的に除去して断面視すり鉢状のバ
イアホール５を形成する。After providing the coating pattern 4 having sandblast resistance, sandblasting is performed, and FIG.
As shown in FIG. 7, the heat- or photo-curable electrical insulating layer 3 in a slightly cured state is selectively removed to form a mortar-shaped via hole 5 in cross section.

【００３５】サンドブラスト処理に用いるブラスト材と
してはガラスビーズ、アルミナ、シリカ、炭化ケイ素、
酸化ジルコニウム等の粒径０．１〜１５０μｍ程度の微
粒子が用いられ、ブラスト圧０．５〜５ｋｇ／ｃｍ² の
範囲で吹き付けることによりサンドブラスト処理が行わ
れる。耐サンドブラスト性を有する被膜パターン４は、
通常の感光性樹脂に比べ弾性、柔軟性が高く、サンドブ
ラスト処理による耐摩耗性が高いため、目的の深さの彫
食刻が終了する前に摩耗してしまうということはない。As the blast material used for the sand blasting, glass beads, alumina, silica, silicon carbide,
Fine particles having a particle size of about 0.1 to 150 μm, such as zirconium oxide, are used, and sandblasting is performed by spraying at a blast pressure of 0.5 to 5 kg / cm ² . The coating pattern 4 having sandblast resistance is
Compared with ordinary photosensitive resin, it has higher elasticity and flexibility and higher abrasion resistance by sandblasting, so that it does not wear out before the sculpture of the target depth is completed.

【００３６】本発明では熱または光硬化性を有する電気
絶縁層３を十分硬化させる前の微硬化状態でサンドブラ
スト処理するため、該ブラスト処理を短時間で行うこと
ができ、また耐サンドブラスト性を有する被膜パターン
４を薄くすることが可能であることから、この耐サンド
ブラスト被膜として感光性樹脂を用いた場合、露光時に
焦点深度を調整しやすく、解像性が良好で再現性の高い
被膜パターンを形成することができる。In the present invention, since the sandblast treatment is performed in a slightly cured state before the electrically insulating layer 3 having heat or light curability is sufficiently cured, the blast treatment can be performed in a short time, and the sandblast resistance is maintained. When a photosensitive resin is used as the anti-sandblast coating, the depth of focus can be easily adjusted at the time of exposure, and a coating pattern with good resolution and high reproducibility can be formed because the coating pattern 4 can be thinned. can do.

【００３７】また本発明によれば、バイアホール５の形
状をすり鉢状としたことにより、従来のホトリソグラフ
ィーによる方法と異なり、サイドエッチングの発生を防
ぐことができ、後工程のめっき処理において導電層がバ
イアホール側壁に効率よく付着することができ、ピール
強度を大幅に改善することができ、断線やクラックの起
こりにくい信頼性の高い多層配線板を製造することがで
きる。また、クロム酸等の強酸の酸化剤等を用いる必要
がなく、環境上安全である。According to the present invention, unlike the conventional photolithographic method, side etching can be prevented by forming the via hole 5 in a mortar shape, and the conductive layer can be formed in a subsequent plating process. Can be efficiently attached to the side wall of the via hole, the peel strength can be greatly improved, and a highly reliable multilayer wiring board in which disconnection and cracks do not easily occur can be manufactured. Also, there is no need to use an oxidizing agent or the like of a strong acid such as chromic acid, which is environmentally safe.

【００３８】サンドブラスト処理後、図１（ｅ）に示す
ように、耐サンドブラスト性を有する被膜パターン４
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、あるいは有機
アミン類等のｐＨ１２〜１４程度の水溶液により容易に
剥離除去される。After the sand blasting treatment, as shown in FIG.
Is easily peeled and removed by an aqueous solution having a pH of about 12 to 14, such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, or organic amines.

【００３９】この際、微硬化状態の熱または光硬化性を
有する電気絶縁層３は、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、あるいは有機アミン類等のｐＨ１２〜１４程度の
水溶液に対して溶解、膨潤することがなく耐性を有して
おり、耐サンドブラスト性を有する被膜パターンととも
に剥離することはない。At this time, the heat- or photo-curable electrical insulating layer 3 in a slightly cured state dissolves and swells in an aqueous solution of sodium hydroxide, potassium hydroxide, or an organic amine having a pH of about 12 to 14. It does not peel off with the coating pattern having sandblast resistance.

【００４０】次いで微硬化状態にある熱または光硬化性
を有する電気絶縁層３を加熱硬化させて層間絶縁層６を
形成する。この加熱硬化の方法としては、例えば、温風
ヒーター、赤外線ヒーター中で、１１０℃超〜２００℃
程度の温度にて加熱するか、または紫外線など光を照射
すること等によって行うのが好ましい。Next, the electrically insulating layer 3 having heat or light curability in a slightly cured state is cured by heating to form an interlayer insulating layer 6. As a method of this heat curing, for example, in a hot air heater or an infrared heater, over 110 ° C. to 200 ° C.
It is preferable to perform the heating by heating at about the temperature, or by irradiating light such as ultraviolet rays.

【００４１】その際、さらに層間絶縁層６表面にサンド
ブラスト処理を施すことにより、層間絶縁層表面を粗化
し、これにより該層間絶縁層６とこの上に形成される導
電層との間のピール強度を高めることができる。なお、
粗化は、従来より公知の機械的研磨、化学的研磨、ある
いは機械的研磨と化学的研磨の併用等によって行っても
よい。機械的研磨方法としては、例えばスコッチブライ
トや真鍮ブラシ等を用いて層間絶縁層６の表面にブラッ
シング研磨を行う方法や、上述のサンドブラスト処理等
が挙げられる。化学的研磨方法としては、例えば層間絶
縁層６の材料がエポキシ樹脂の場合には過マンガン酸カ
リウム溶液中でエッチング処理を行って表面粗化を行う
方法等が挙げられる。この化学的研磨方法の一例を示せ
ば、まず層間絶縁層６を酸化処理して層間絶縁層６の表
面をマイクロエッチングする。酸化処理は、例えば過マ
ンガン酸ナトリウムまたは過マンガン酸カリウム１〜１
０％、水酸化カリウムまたは水酸化ナトリウム０．５〜
５％程度添加した水溶液中に温度５０〜９５℃、１〜１
５分間程度浸漬することにより行う。水溶液中に必要に
より界面活性剤を添加してもよい。At this time, the surface of the interlayer insulating layer 6 is further subjected to a sandblast treatment to roughen the surface of the interlayer insulating layer, whereby the peel strength between the interlayer insulating layer 6 and the conductive layer formed thereon is increased. Can be increased. In addition,
Roughening may be performed by conventionally known mechanical polishing, chemical polishing, or a combination of mechanical polishing and chemical polishing. As a mechanical polishing method, for example, a method of performing brushing polishing on the surface of the interlayer insulating layer 6 using a scotch bright or a brass brush or the like, or the above-described sand blasting treatment is used. As the chemical polishing method, for example, when the material of the interlayer insulating layer 6 is an epoxy resin, a method of performing a surface treatment by performing an etching treatment in a potassium permanganate solution, or the like is used. As an example of this chemical polishing method, first, the interlayer insulating layer 6 is oxidized to microetch the surface of the interlayer insulating layer 6. The oxidation treatment is performed, for example, using sodium permanganate or potassium permanganate 1-1.
0%, potassium hydroxide or sodium hydroxide 0.5 to
Temperature: 50-95 ° C, 1-1:
This is performed by immersion for about 5 minutes. If necessary, a surfactant may be added to the aqueous solution.

【００４２】なお、この粗化処理は耐サンドブラスト性
を有する被膜パターンを設ける前に行ってもよいことは
いうまでもない。It is needless to say that the roughening treatment may be performed before providing a coating pattern having sandblast resistance.

【００４３】次いで図１（ｆ）に示すように導電層７を
形成する。本発明においては、無電解めっき法や直接電
解めっき法等により形成することができるが、直接電解
めっき法は、無電解めっき法に比べてめっき時間が少な
くて済み、製造効率上有利である。一方、無電解めっき
法は、めっき時間が長くなるものの、めっき液の調製、
供給等を簡便に行うことができるという利点がある。Next, as shown in FIG. 1F, a conductive layer 7 is formed. In the present invention, it can be formed by an electroless plating method, a direct electrolytic plating method, or the like. However, the direct electrolytic plating method requires less plating time than the electroless plating method, and is advantageous in manufacturing efficiency. On the other hand, the electroless plating method requires a long plating time,
There is an advantage that the supply can be easily performed.

【００４４】無電解めっき法の一例としては硫酸銅／ホ
ルムアルデヒド／ＥＤＴＡ／水酸化ナトリウム溶液など
からなる無電解めっき浴に基板を１０分〜１０時間程度
浸漬することによって形成することができる。As an example of the electroless plating method, the substrate can be formed by immersing the substrate in an electroless plating bath composed of a copper sulfate / formaldehyde / EDTA / sodium hydroxide solution for about 10 minutes to 10 hours.

【００４５】また、直接電解めっき法としては、酸化処
理後、中和処理、水洗した後、パラジウムコロイドを分
散させた水分散液を付与させることにより、基材表面が
より活性化され後の直接電解めっきによるめっき層形成
の際に、基材との密着性を向上させることができる。パ
ラジウムコロイドは良好な分散性を得るために０．０１
〜１μｍ程度の粒径であることが好ましく、濃度は０．
５〜１０ｇ／ｌ程度とすることが好ましい。In the direct electrolytic plating method, after the oxidation treatment, the neutralization treatment, and the washing with water, an aqueous dispersion in which a palladium colloid is dispersed is applied, so that the surface of the substrate is more activated and the direct At the time of forming a plating layer by electrolytic plating, it is possible to improve the adhesion to a substrate. The palladium colloid is 0.01 to obtain good dispersibility.
The particle size is preferably about 1 to about 1 μm, and the concentration is 0.1 μm.
It is preferable to be about 5 to 10 g / l.

【００４６】所望により、これにさらに銀、錫、インジ
ウム、ニッケル、銅、金、コバルト、亜鉛またはカドミ
ウムの中から選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物、
または硫化物等の水溶性金属化合物を含むことができ、
中でも硫化錫が特に好ましい。また、パラジウムコロイ
ドや水溶性金属化合物をキレート化するためのキレート
化剤を添加してもよい。Optionally, an oxide of at least one metal selected from silver, tin, indium, nickel, copper, gold, cobalt, zinc or cadmium,
Or can contain a water-soluble metal compound such as sulfide,
Among them, tin sulfide is particularly preferred. Further, a chelating agent for chelating a palladium colloid or a water-soluble metal compound may be added.

【００４７】キレート化剤としては、塩化パラジウム、
合金化金属化合物をキレート化し得るものであれば、特
に限定されるものでなく、具体的には、例えばケリダム
酸、オロチン酸、ヒダントインカルボン酸、スクシンイ
ミドカルボン酸、２−ピロリドン−５−カルボン酸、カ
ルボキシヒドロキシピリジン、カルボキシカプロラクタ
ム、ピコリン酸またはジピコリン酸、カルボキシキサン
チン、キノリンカルボン酸またはジカルボン酸、リグニ
ン、バニリン、９−イミダゾリドン−４−カルボン酸、
アンモニア、アミン、アミノ酸、ＥＤＴＡ塩化ナトリウ
ム、水酸化アンモニウムや他の水酸化化合物（例えば、
水酸化アルカリなど）のような塩基等が例示され、これ
らの中でもケリダム酸、オロチン酸、２−ピロリドン−
５−カルボン酸が特に好ましい。これらキレート化剤は
１種あるいは２種以上を組み合わせて用いられる。キレ
ート化剤の濃度は、パラジウムコロイドおよび水溶性金
属化合物が分散されている状態を維持できる程度であれ
ばよい。As the chelating agent, palladium chloride,
It is not particularly limited as long as it can chelate the alloyed metal compound.Specifically, for example, kelidamic acid, orotic acid, hydantoin carboxylic acid, succinimide carboxylic acid, 2-pyrrolidone-5-carboxylic acid, Carboxyhydroxypyridine, carboxycaprolactam, picolinic or dipicolinic acid, carboxyxanthine, quinolinecarboxylic or dicarboxylic acid, lignin, vanillin, 9-imidazolidone-4-carboxylic acid,
Ammonia, amines, amino acids, sodium EDTA chloride, ammonium hydroxide and other hydroxylated compounds (e.g.,
Bases such as alkali hydroxide), and among these, kelidamic acid, orotic acid, 2-pyrrolidone-
5-carboxylic acids are particularly preferred. These chelating agents are used alone or in combination of two or more. The concentration of the chelating agent may be such that the colloidal palladium and the water-soluble metal compound can be maintained in a dispersed state.

【００４８】また、電解質は、キレート化剤と金属錯体
を可溶化するに必要な程度のアルカリ性であることが必
要で、通常ｐＨ８〜１４程度であるが、望ましくは１２
〜１４である。The electrolyte is required to be alkaline enough to solubilize the chelating agent and the metal complex, and usually has a pH of about 8 to 14, preferably 12 to 12.
~ 14.

【００４９】パラジウムコロイドへの接触は、１０〜６
０℃程度で行うことができ、好ましくは３０〜５０℃程
度である。また、接触時間は５〜１０分間程度行えば本
発明の効果を得るに十分である。The contact with the palladium colloid is 10-6.
It can be carried out at about 0 ° C, preferably about 30 to 50 ° C. A contact time of about 5 to 10 minutes is sufficient for obtaining the effects of the present invention.

【００５０】次いで酸処理後、電解めっき処理を行う。
電解めっき処理は従来より行われている公知の方法によ
り行うことができる。電解めっき浴組成としては、例え
ば硫酸銅、ピロリン酸銅等の各種めっき浴を用いること
ができる。これに１〜１５０Ａ／ｆｔ²程度の電流をか
け、０．５〜２時間程度浸漬することによって、均一な
導電層７を形成することができる。Next, after the acid treatment, an electrolytic plating treatment is performed.
The electrolytic plating can be performed by a conventionally known method. Various plating baths such as copper sulfate and copper pyrophosphate can be used as the composition of the electrolytic plating bath. A uniform conductive layer 7 can be formed by applying a current of about 1 to 150 A / ft ^{2 and} immersing it for about 0.5 to 2 hours.

【００５１】層間絶縁層６に触媒毒が添加されている場
合には、図１（ｆ’）に示すようにバイアホール５内に
のみ導電層７が形成される。When the catalyst poison is added to the interlayer insulating layer 6, the conductive layer 7 is formed only in the via hole 5 as shown in FIG.

【００５２】以後、層間絶縁層上６に新たに上層配線パ
ターンを形成し、さらにその上に層間絶縁層、バイアホ
ール、導電層を形成（以上、いずれも図示せず）するこ
とにより、多層配線板を形成することができる。Thereafter, an upper wiring pattern is newly formed on the interlayer insulating layer 6, and an interlayer insulating layer, a via hole, and a conductive layer are further formed thereon (all of which are not shown), thereby forming a multilayer wiring pattern. A plate can be formed.

【００５３】なお、上記において、複数層の配線パター
ンを互いに電気的に接続するためのものとしてバイアホ
ールを例にとって、これをサンドブラスト処理すること
について説明したが、本発明においては、複数層の配線
パターンを互いに電気的に接続するための導通部をなす
ものであれば、特にバイアホールに限定されることな
く、例えば溝状をなすものやスルーホール（貫通孔）等
についても、上記バイアホールと同様にサンドブラスト
処理、めっき処理を行うことができる。Although the above description has been made on the case where the via hole is used as an example for electrically connecting the wiring patterns of a plurality of layers to each other, sand blasting of the via holes is described. As long as it forms a conductive portion for electrically connecting the patterns to each other, it is not particularly limited to a via hole. Similarly, sandblasting and plating can be performed.

【００５４】また、このようにサンドブラスト処理によ
り形成した導通部にめっき処理等により導電材を埋めて
もよく、この場合においても、サンドブラスト処理によ
り導電材と導通部との密着性を向上させ、ピール強度を
高めることができる。The conductive portion formed by the sandblasting process may be filled with a conductive material by plating or the like. Even in this case, the adhesion between the conductive material and the conductive portion is improved by the sandblasting process, and the peeling is performed. Strength can be increased.

【００５５】[0055]

【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれによってなんら限定されるもの
でない。Next, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited thereto.

【００５６】（実施例１〜３、比較例１〜３）層間絶縁
層を形成するための成分として、表１に示す配合組成に
従って各成分を３本ロールミルを用いて混練し、熱また
は光硬化性を有する電気絶縁性組成物を得た。この絶縁
性組成物を１００メッシュ／インチのポリエステル製ス
クリーンを用いて、あらかじめ銅配線パターンが形成さ
れた、厚さ１ｍｍのガラス−エポキシ樹脂積層基板上
に、乾燥後の膜厚が５０μｍとなるようにスクリーン印
刷後、実施例１および２については９０℃で４０分間加
熱、微硬化させ、実施例３については塗膜を１００℃、
３０分間加熱、微硬化させた。(Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3) As components for forming an interlayer insulating layer, each component was kneaded using a three-roll mill according to the composition shown in Table 1 and heat or light cured. An electrically insulating composition having properties was obtained. Using a 100-mesh / inch polyester screen, the insulating composition was dried on a glass-epoxy resin laminated substrate having a thickness of 1 mm on which a copper wiring pattern had been formed in advance so that the film thickness after drying was 50 μm. After screen printing, Examples 1 and 2 were heated and slightly cured at 90 ° C. for 40 minutes.
The mixture was slightly cured by heating for 30 minutes.

【００５７】[0057]

【表１】 なお、表１中の商品名は、以下の各組成を示す。 ・「Ｎ−６７３」：ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂 （大日本インキ化学工業（株）製） ・「エピコート８２８」：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 （シェル化学（株）製） ・「ＴＥＰＩＣ−ＳＰ」：トリグリシジルエーテルイソシアヌレート （日産化学工業（株）製） ・「ＴＣＲ１０２５」： トリフェニルメタン型エポキシアクリレート酸無水 物付加物（酸価100 、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテ ート25重量％、スワゾール1500（後述）10重量％含有） （日本化薬（株）製） ・「ＤＰＨＡ」：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート （日本化薬（株）製） ・「ＴＭＰＴＡ」：トリメチロールプロパントリアクリレート （日本化薬（株）製） ・「ＤＩＣＹ」：ジシアンジアミド（エポキシ硬化剤） （日本カーバイド（株）製） ・「２ＭＺ・Ａ」：２−メチルイミダゾールアジン（エポキシ硬化剤） （四国化成（株）製） ・「イルガキュアー９０７」：２−メチル−［４−（メチルチオ）］フェニル −２−モルホリノ−１−プロパン （チバ・ガイギー（株）製） ・「カヤキュアーＤＴＥＸ」：ジエチルチオキサントン（日本化薬（株）製） ・「ＤＰＭ」：ジプロピレングコールモノメチルエーテル （ダウ・ケミカル（株）製） ・「スワゾール１５００」：ソルベントナフサ （丸善石油化学（株）製） ・「ジグリコールアセテート」：ジエチレングリコールモノエチルエーテル アセテート （ダイセル化学工業（株）製） ・「ＰＧＭＡｃ」：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート （ダウ・ケミカル（株）製） ・「ＫＳ−６６」：シリコーンオイル （信越化学工業（株）製） ・「モダフロー」：レベリング剤 （モンサント（株）製） ・「リオノールグリーン２ＹＳ」：着色顔料 （東洋インキ製造（株）製） ・「ミクロエースＰ−４」：タルク（無機フィラー）（日本タルク（株）製） ・「アエロジル＃２００」：微粉末シリカ （日本アエロジル（株）製） ・「硫酸バリウムＢ−３１」：無機フィラー （堺化学（株）製） その後、微硬化状態にある熱または光硬化性を有する電
気絶縁層上に耐サンドブラスト性を有する被膜として、
感光性ドライフィルム「ＯＲＤＹＬ ＢＦ−６０３ Ｔ
−３」（東京応化工業（株）製、被膜膜厚３０μm）を
１００℃で熱圧着させた。次いで、所要のマスクパター
ンを介して、上述の超高圧水銀灯露光機「ＨＴＥ１０２
Ｓ」（ハイテック（株）製）を用いて３００ｍＪ／ｃｍ
² の露光量で紫外線を照射し、３０℃、０．２％炭酸ナ
トリウム水溶液にて４０秒間、１．２ｋｇ／ｃｍ² のス
プレー圧でスプレー現像した。[Table 1] In addition, the brand name in Table 1 shows each following composition.・ “N-673”: o-cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) • “Epicoat 828”: bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Shell Chemical Co., Ltd.) • “TEPIC-SP” : Triglycidyl ether isocyanurate (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) "TCR1025": triphenylmethane type epoxy acrylate anhydride adduct (acid value 100, diethylene glycol monomethyl ether acetate 25% by weight, swazole 1500 (described later) ) 10% by weight) (Nippon Kayaku Co., Ltd.)-"DPHA": dipentaerythritol hexaacrylate (Nippon Kayaku Co., Ltd.)-"TMPTA": trimethylolpropane triacrylate (Nippon Kayaku Co., Ltd.)・ "DICY": Dicyandiamide (epoxy curing agent) (Japan (Made by Carbide Co., Ltd.) “2MZ · A”: 2-methylimidazole azine (epoxy curing agent) (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) “Irgacure 907”: 2-methyl- [4- (methylthio)] phenyl -2-morpholino-1-propane (Ciba-Geigy Corporation) "Kayacure DTEX": diethylthioxanthone (Nippon Kayaku Co., Ltd.) "DPM": dipropylene glycol monomethyl ether (Dow Chemical ( "Swazol 1500": Solvent naphtha (Maruzen Petrochemical Co., Ltd.) "Diglycol acetate": Diethylene glycol monoethyl ether acetate (Daicel Chemical Industries, Ltd.) "PGMAc": Propylene glycol monomethyl Ether acetate (manufactured by Dow Chemical Co., Ltd.) "KS-66 : Silicone oil (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)-"Modaflow": Leveling agent (Monsanto Co., Ltd.)-"Lionol Green 2YS": Color pigment (Toyo Ink Mfg. Co., Ltd.)-"Micro Ace" P-4 ": talc (inorganic filler) (manufactured by Nippon Talc) ・" Aerosil # 200 ": finely divided silica (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.)" Barium sulfate B-31 ": inorganic filler (Sakai Chemical Then, as a coating having sand blast resistance on a heat or light curing electric insulating layer in a slightly cured state,
Photosensitive dry film "ORDYL BF-603 T"
-3 "(manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., film thickness: 30 μm) was thermocompression-bonded at 100 ° C. Next, through the required mask pattern, the above-described ultra-high pressure mercury lamp exposure machine “HTE102
S "(manufactured by Hitec Co., Ltd.) and 300 mJ / cm
Ultraviolet ray was irradiated with ² of exposure, 30 ° C., 40 seconds at a 0.2% aqueous sodium carbonate solution and spray development at a spray pressure of 1.2 kg / cm ^2.

【００５８】その後、サンドブラスト機「ＳＣ−２０
２」（（株）不二製作所製）を使用して、粒径２５μｍ
の炭化ケイ素を研削材として、ブラスト圧１．５ｋｇ／
ｃｍ²で５分間サンドブラスト処理を行ってバイアホー
ルを形成した後、３重量％水酸化ナトリウム水溶液を用
い４５℃、２分間スプレーすることにより、耐サンドブ
ラスト性を有する被膜パターンを剥離した。剥離の際、
電気絶縁層に欠けや剥がれはみられなかった。またバイ
アホールの形状は良好であった。Thereafter, a sand blast machine “SC-20”
2 "(manufactured by Fuji Manufacturing Co., Ltd.)
Blast pressure of 1.5 kg /
After forming a via hole by performing sand blasting at 5 cm ² for 5 minutes, the coating pattern having sand blast resistance was peeled off by spraying with a 3% by weight aqueous solution of sodium hydroxide at 45 ° C. for 2 minutes. When peeling,
No chipping or peeling was observed in the electric insulating layer. Also, the shape of the via hole was good.

【００５９】耐サンドブラスト性を有する被膜パターン
を剥離した後、水洗し、次いで微硬化状態の電気絶縁層
を１５０℃で５０分間加熱硬化し、層間絶縁層とした。
粒径２５μｍの炭化ケイ素を研削材として、上述のサン
ドブラスト機を使用して、ブラスト圧２．５ｋｇ／ｃｍ
² で１分間サンドブラスト処理を行い、層間絶縁層表面
およびバイアホール内を粗化し、得られた基板を、前処
理として温度５０℃、１０ｇ／ｌの水酸化ナトリウム水
溶液に５分間浸漬させ、下記組成の水溶液に８０℃、６
分間浸漬させてマイクロエッチング処理を施した。 （水溶液組成） 過マンガン酸カリウム ５０ｇ 水酸化カリウム ２０ｇ 水 １０００ｇ その後、実施例１および実施例２について各基材を下記
組成のめっき浴により無電解めっき処理を施した。 （無電解めっき浴組成） 銅（硫酸銅として供給） ２．８ｇ／ｌ ホルムアルデヒド ３．５ｇ／ｌ 水酸化ナトリウム １０〜１１ｇ／ｌ ＥＤＴＡ 適量 上記無電解銅めっき処理により基材表面に厚さ２５μｍ
の導電層を形成した。なお、めっき時間は１５時間であ
った。After the film pattern having the sandblast resistance was peeled off, the film was washed with water, and then the slightly cured electric insulating layer was cured by heating at 150 ° C. for 50 minutes to form an interlayer insulating layer.
Using silicon carbide having a particle size of 25 μm as an abrasive, a blast pressure of 2.5 kg / cm was obtained using the above sandblasting machine.
² was subjected to sand blasting for 1 minute to roughen the surface of the interlayer insulating layer and the inside of the via hole, and the obtained substrate was immersed in a 10 g / l aqueous solution of sodium hydroxide at a temperature of 50 ° C. for 5 minutes as a pretreatment. 80 ° C, 6
A microetching treatment was performed by immersion for minutes. (Aqueous solution composition) Potassium permanganate 50 g Potassium hydroxide 20 g Water 1000 g Then, in Examples 1 and 2, each substrate was subjected to an electroless plating treatment using a plating bath having the following composition. (Electroless plating bath composition) Copper (supplied as copper sulfate) 2.8 g / l Formaldehyde 3.5 g / l Sodium hydroxide 10 to 11 g / l EDTA appropriate amount 25 μm thick on the substrate surface by the above electroless copper plating treatment
Was formed. The plating time was 15 hours.

【００６０】また、実施例３については、基材をパラジ
ウムコロイド水溶液（コロイド粒径０．０５μｍ、濃度
は２ｇ／ｌ）に１０分間浸漬し、ピロリン酸銅浴中で下
記条件により銅めっき処理を施した。 （ピロリン酸めっき浴） ピロリン酸銅 ６０〜８０ｇ／ｌ ピロリン酸カリウム ２５０〜４００ｇ／ｌ アンモニア水 ０．５〜１ｍｌ／ｌ 光沢剤 適量 （処理条件） 処理温度 ５０〜６０℃ 陰極電流密度 ３０〜５０Ａ／ｆｔ² 上記銅めっき処理により基材表面に厚さ２５μｍの導電
層を形成した。なお、めっき時間は３５分間であった。In Example 3, the substrate was immersed in a palladium colloid aqueous solution (colloid particle size: 0.05 μm, concentration: 2 g / l) for 10 minutes, and subjected to a copper plating treatment in a copper pyrophosphate bath under the following conditions. gave. (Pyrophosphate plating bath) Copper pyrophosphate 60 to 80 g / l Potassium pyrophosphate 250 to 400 g / l Ammonia water 0.5 to 1 ml / l Brightener Appropriate amount (Processing conditions) Processing temperature 50 to 60 ° C Cathode current density 30 to 50A / Ft ² A conductive layer having a thickness of 25 μm was formed on the surface of the substrate by the copper plating treatment. The plating time was 35 minutes.

【００６１】比較例１〜３については、厚さ１ｍｍのガ
ラス−エポキシ樹脂積層基板上に乾燥後の膜厚が５０μ
ｍとなるように絶縁性組成物をスクリーン印刷後、塗膜
を６０℃、９０分間予備乾燥し、マスクパターンを介し
て超高圧水銀灯露光機「ＨＴＥ１０２Ｓ」（ハイテック
（株）製）を用いて５００ｍＪ／ｃｍ² の露光量で紫外
線を照射した。次に、３０℃、１％炭酸ナトリウム水溶
液にて４０秒間、１．２ｋｇ／ｃｍ² のスプレー圧でス
プレー現像した後、上述の超高圧水銀灯露光機を用い、
５Ｊ／ｃｍ² の紫外線を照射し、１５０℃で５０分間加
熱硬化させた。In Comparative Examples 1 to 3, the film thickness after drying was 50 μm on a glass-epoxy resin laminated substrate having a thickness of 1 mm.
After the insulating composition is screen-printed so as to obtain a thickness of m, the coating film is preliminarily dried at 60 ° C. for 90 minutes, and is exposed through a mask pattern to 500 mJ using an ultra-high pressure mercury lamp exposure machine “HTE102S” (manufactured by Hitec Co., Ltd.). UV light was applied at an exposure dose of / cm ² . Next, after performing spray development at 30 ° C. and a 1% aqueous solution of sodium carbonate for 40 seconds at a spray pressure of 1.2 kg / cm ² , using the above-mentioned ultra-high pressure mercury lamp exposure machine,
The film was irradiated with an ultraviolet ray of 5 J / cm ² and cured by heating at 150 ° C. for 50 minutes.

【００６２】その後、比較例１および比較例２について
は実施例１および実施例２と同様の条件で無電解めっき
処理を施し、比較例３については実施例３と同様の条件
で直接電解めっき処理処理を施した。Thereafter, electroless plating was performed on Comparative Examples 1 and 2 under the same conditions as in Examples 1 and 2, and electroless plating was performed on Comparative Example 3 under the same conditions as in Example 3. Processing was performed.

【００６３】得られた基板について、バイアホール形
状、アンダーカット、絶縁抵抗値、はんだ耐熱性、絶縁
抵抗値およびピール強度を評価した。結果を表２に示
す。The obtained substrate was evaluated for via hole shape, undercut, insulation resistance, solder heat resistance, insulation resistance and peel strength. Table 2 shows the results.

【００６４】＜評価方法＞ ［バイアホール形状］基板を切断し、バイアホールの断
面形状を観察した。 ［アンダーカット］切断した基板のバイアホールについ
て、層間絶縁層と配線パターンとの接面部分のバイアホ
ールの状態を観察した。 ［はんだ耐熱性］フラックスを塗布後、２６０℃のはん
だ浴中に１０秒間浸漬を５回繰り返した後の感光性樹脂
層の状態を観察し、下記基準により評価した。 （評価基準） 良好： はんだ浴を５回行った後もまったく変化がみら
れなかった 不良： はんだ浴を１回行った後、硬化した感光性樹脂
層の一部にハガレが発生した。 ［絶縁抵抗値］得られた基板を８５℃、湿度９０％、Ｄ
Ｃ１００Ｖの条件で１０００時間曝した後、「ハイ・レ
ジスタンス・メーター（High Resistance Meter ）４３
３９Ａ」（ヒューレットパッカード（株）製）を用いて
抵抗値を測定した。<Evaluation Method> [Via Hole Shape] The substrate was cut, and the cross-sectional shape of the via hole was observed. [Undercut] With respect to the via hole of the cut substrate, the state of the via hole at the interface between the interlayer insulating layer and the wiring pattern was observed. [Solder Heat Resistance] After applying the flux, the photosensitive resin layer was repeatedly immersed in a 260 ° C. solder bath for 10 seconds five times, and the state was observed and evaluated according to the following criteria. (Evaluation Criteria) Good: No change was observed even after performing the solder bath 5 times. Bad: After the solder bath was performed once, peeling occurred in a part of the cured photosensitive resin layer. [Insulation resistance value] The obtained substrate was heated at 85 ° C, 90% humidity, and D
After exposure for 1000 hours under the condition of C100V, "High Resistance Meter" 43
39A "(manufactured by Hewlett-Packard Co., Ltd.).

【００６５】 ＞１０¹²： １×１０¹²Ω・ｃｍを超える絶縁抵抗値を
有する ＜１０¹¹： １×１０¹¹Ω・ｃｍ未満の絶縁抵抗値であ
った ［ピール強度］ＪＩＳ Ｈ ８６４６に準じて測定し
た。> 10 ¹² : Insulation resistance value exceeding 1 × 10 ¹² Ω · cm <10 ¹¹ : Insulation resistance value less than 1 × 10 ¹¹ Ω · cm [Peel strength] According to JIS H 8646 It was measured.

【００６６】[0066]

【表２】 （比較例４）実施例３の電気絶縁性組成物を厚さ１ｍｍ
のガラス−エポキシ樹脂積層基板上に乾燥後の膜厚が５
０μｍとなるようにスクリーン印刷後、７０℃、３０分
予備乾燥し、次いで１５０℃で３０分熱硬化させて層間
絶縁層とした。その後、この層間絶縁層上に耐サンドブ
ラスト性を有する被膜として、感光性ドライフィルム
「ＯＲＤＹＬ ＢＦ−６０３ Ｔ−３」（東京応化工業
（株）製、前出）を１００℃で熱圧着させた。次いで、
所要のマスクパターンを介して、超高圧水銀灯露光機
「ＨＴＥ１０２Ｓ」（ハイテック（株）製）を用いて３
００ｍＪ／ｃｍ² の露光量で紫外線を照射し、３０℃、
０．２％炭酸ナトリウム水溶液にて４０秒間、１．２ｋ
ｇ／ｃｍ² のスプレー圧でスプレー現像した。[Table 2] Comparative Example 4 The electrically insulating composition of Example 3 was 1 mm thick.
Of 5 after drying on a glass-epoxy resin laminated substrate of
After screen printing to a thickness of 0 μm, the film was pre-dried at 70 ° C. for 30 minutes, and then thermally cured at 150 ° C. for 30 minutes to form an interlayer insulating layer. Thereafter, a photosensitive dry film “ORDYL BF-603 T-3” (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., supra) was thermocompression-bonded at 100 ° C. as a coating having sandblast resistance on the interlayer insulating layer. Then
Through a required mask pattern, an ultra-high pressure mercury lamp exposure machine “HTE102S” (manufactured by Hitec Co., Ltd.) is used.
Irradiate with ultraviolet light at an exposure of 00 mJ / cm ² ,
1.2k in 0.2% sodium carbonate aqueous solution for 40 seconds
Spray development was performed at a spray pressure of g / cm ² .

【００６７】その後、サンドブラスト機「ＳＣ−２０
２」（（株）不二製作所製）を使用して、粒径２５μｍ
の炭化ケイ素を研削材として、ブラスト圧１．５ｋｇ／
ｃｍ²でサンドブラスト処理を行ったが、サンドブラス
ト処理に要した時間は４０分間であった。Thereafter, the sand blast machine “SC-20”
2 "(manufactured by Fuji Manufacturing Co., Ltd.)
Blast pressure of 1.5 kg /
Sandblasting was performed at cm ² , and the time required for the sandblasting was 40 minutes.

【００６８】（実施例４）実施例１において、層間絶縁
層を形成するための成分として、さらに触媒毒として２
−メルカプトベンゾチアゾール１０重量部を加えて３本
ロールミルを用いて混練し、熱または光硬化性を有する
電気絶縁性組成物を得た。この電気絶縁性組成物を１０
０メッシュ／インチのポリエステル製スクリーンを用い
て、あらかじめ銅配線パターンが形成された厚さ１ｍｍ
のガラス−エポキシ樹脂積層基板上に、乾燥後の膜厚が
２５μｍとなるようにスクリーン印刷後、サンドブラス
ト処理時間を３分間とした以外は、以下、実施例１と同
様にして、層間絶縁層の所要箇所にバイアホールを形成
した。次に、得られた基板を実施例１と同様にして、前
処理、マイクロエッチング処理、および無電解めっき
し、バイアホール部分に厚さ２５μｍの導電層を充填形
成することができた。層間絶縁層表面には無電解めっき
による銅の付着や変色はみられず、きわめて平坦な表面
が得られた。なお、めっき時間は５時間であった。(Example 4) In Example 1, as a component for forming an interlayer insulating layer, and as a catalyst poison, 2
-10 parts by weight of mercaptobenzothiazole was added and kneaded using a three-roll mill to obtain an electrically insulating composition having heat or photocurability. This electrically insulating composition is
Using a 0-mesh / inch polyester screen, a 1 mm thick copper wiring pattern was previously formed
On the glass-epoxy resin laminated substrate of the above, after screen-printing so that the film thickness after drying was 25 μm, except that the sandblasting time was set to 3 minutes, the same procedure as in Example 1 was repeated. Via holes were formed where necessary. Next, in the same manner as in Example 1, the obtained substrate was subjected to pretreatment, microetching treatment, and electroless plating, whereby a conductive layer having a thickness of 25 μm could be filled in the via holes. No copper adhesion or discoloration due to electroless plating was observed on the surface of the interlayer insulating layer, and an extremely flat surface was obtained. The plating time was 5 hours.

【００６９】（実施例５）実施例１において、光または
熱硬化性を有する電気絶縁性組成物を１００メッシュ／
インチのポリエステル製スクリーンを用いて、あらかじ
め銅配線パターンが形成された厚さ１ｍｍのガラス−エ
ポキシ樹脂積層基板上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとな
るようにスクリーン印刷後、９０℃で４０分間加熱して
微硬化させてた後、耐サンドブラスト性を有する被膜と
して、感光性ドライフィルム「ＯＲＤＹＬ ＢＦ−６０
２ Ｔ−３」（東京応化工業（株）製、膜厚２０μｍ）
を微硬化状態の電気絶縁層上に７０℃で熱圧着させた。
次いで、３０φのドットを再現し得るマスクパターンを
介して、超高圧水銀灯露光機「ＨＴＥ１０２Ｓ」（ハイ
テック（株）製）を用いて３００ｍＪ／ｃｍ² の露光量
で紫外線を照射し、３０℃、０．２％炭酸ナトリウム水
溶液にて４０秒間、１．２ｋｇ／ｃｍ² のスプレー圧で
スプレー現像した。Example 5 In Example 1, the photo-insulating or thermosetting electric insulating composition was treated at 100 mesh /
On a 1 mm thick glass-epoxy resin laminated substrate on which a copper wiring pattern was formed in advance using an inch polyester screen, screen-printing was performed so that the film thickness after drying was 20 μm, and then at 90 ° C. for 40 minutes. After being slightly cured by heating, a photosensitive dry film “ORDYL BF-60” is used as a film having sandblast resistance.
2 T-3 "(manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., film thickness 20 μm)
Was thermocompression bonded at 70 ° C. on the slightly cured electric insulating layer.
Next, ultraviolet rays were irradiated at an exposure amount of 300 mJ / cm ² using an ultra-high pressure mercury lamp exposure machine “HTE102S” (manufactured by Hitec Co., Ltd.) through a mask pattern capable of reproducing dots of 30φ. Spray development was performed with a 0.2% aqueous sodium carbonate solution for 40 seconds at a spray pressure of 1.2 kg / cm ² .

【００７０】その後、サンドブラスト機「ＳＣ−２０
２」（（株）不二製作所製）を使用して、粒径５μｍの
炭化ケイ素を研削材として、ブラスト圧１．５ｋｇ／ｃ
ｍ² で２分間サンドブラスト処理を行い、３重量％水酸
化ナトリウム水溶液を用い４５℃、２分間スプレーする
ことにより、耐サンドブラスト性を有する被膜を剥離し
た。Thereafter, the sand blast machine “SC-20”
2 "(manufactured by Fuji Seisakusho) using silicon carbide having a particle size of 5 μm as an abrasive and a blast pressure of 1.5 kg / c.
A sandblast treatment was carried out at m ² for 2 minutes, and a coating having sandblast resistance was peeled off by spraying with a 3% by weight aqueous solution of sodium hydroxide at 45 ° C. for 2 minutes.

【００７１】耐サンドブラスト性を有する被膜を剥離し
た後、水洗し、次いで微硬化状態の電気絶縁層を１５０
℃で５０分間加熱硬化し、層間絶縁層とした。粒径５μ
ｍの炭化ケイ素を研削材として、上述のサンドブラスト
機を使用して、ブラスト圧２．５ｋｇ／ｃｍ² で１０秒
間サンドブラスト処理を行い、層間絶縁層表面を粗化
し、得られた基板を実施例３と同様にして前処理、マイ
クロエッチング処理、および直接電解めっきし、バイア
ホール部分に厚さ５μｍの導電層を形成した。層間絶縁
層に欠けや剥れはみられず、また導通部には断線による
導通不良や短絡はみられなかった。なお、めっき時間は
７分間であった。After the film having the sandblast resistance is peeled off, the film is washed with water, and then a slightly cured electrical insulating layer is formed.
The film was heated and cured at 50 ° C. for 50 minutes to form an interlayer insulating layer. Particle size 5μ
Using the above-mentioned sand blasting machine, a sand blasting treatment was performed for 10 seconds at a blast pressure of 2.5 kg / cm ² using silicon carbide of m m as an abrasive, and the surface of the interlayer insulating layer was roughened. Pretreatment, microetching, and direct electrolytic plating were performed in the same manner as described above to form a conductive layer having a thickness of 5 μm on the via hole. No chipping or peeling was observed in the interlayer insulating layer, and no conduction failure or short circuit due to disconnection was observed in the conduction portion. The plating time was 7 minutes.

【００７２】[0072]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明方法によれ
ば、熱または光硬化性を有する電気絶縁性層を微硬化状
態でサンドブラスト処理するため、該ブラスト処理を短
時間で行うことができ、また耐サンドブラスト性を有す
る被膜を薄くすることが可能であることから、耐サンド
ブラスト被膜として感光性樹脂を用いた場合、露光時に
焦点深度を調整しやすく、解像性の良好な再現性の高い
被膜パターンを形成することができる。さらに層間絶縁
層とめっき導電層との密着性に優れ、高耐熱性であり、
信頼性の高い多層配線板を安価に、しかも環境上安全
に、かつ効率よく提供することができる。As described above in detail, according to the method of the present invention, the blast treatment can be performed in a short time because the electrically insulating layer having heat or light curability is sandblasted in a slightly cured state. In addition, when a photosensitive resin is used as the sandblast-resistant coating, the depth of focus can be easily adjusted during exposure, and good reproducibility with good resolution can be achieved. A high coating pattern can be formed. Furthermore, it has excellent adhesion between the interlayer insulating layer and the plating conductive layer, and has high heat resistance,
A highly reliable multilayer wiring board can be provided inexpensively, environmentally safe, and efficiently.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の多層配線板の製造方法を説明した工程
図である。FIG. 1 is a process diagram illustrating a method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention.

【図２】従来の多層配線板の製造方法を示す説明図であ
る。FIG. 2 is an explanatory view showing a conventional method for manufacturing a multilayer wiring board.

【図３】従来の多層配線板の製造方法を示す説明図であ
る。FIG. 3 is an explanatory view showing a conventional method for manufacturing a multilayer wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１、２１ 基板 ２、２２ 配線パターン ３ 熱または光硬化性を有する電気絶縁層 ４ 耐サンドブラスト性を有する被膜パターン ５、２５ バイアホール ６、２３ 層間絶縁層 ７、２６ 導電層 ３０ サイドエッチング DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 21 Substrate 2, 22 Wiring pattern 3 Electric insulating layer which has heat or photocurability 4 Coating pattern which has sandblast resistance 5, 25 Via hole 6, 23 Interlayer insulating layer 7, 26 Conductive layer 30 Side etching

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板の少なくとも一方の面上に、複数層
の配線パターンと層間絶縁層を有し、該層間絶縁層の所
定箇所に前記配線パターンを互いに電気的に接続するた
めのバイアホールを設けてなる多層配線板の製造方法に
おいて、 前記バイアホールを設けるに際し、熱または光硬化性を
有する電気絶縁層を配線パターンを有する基板上に形成
し、これを微硬化させた後、該微硬化後の電気絶縁層上
に耐サンドブラスト性を有する被膜をパターン形成し、
次いでサンドブラスト処理を施すことにより該電気絶縁
層を選択的に除去してバイアホールを形成した後、耐サ
ンドブラスト性を有する被膜を除去し、しかる後に該電
気絶縁層を加熱硬化することにより層間絶縁層とし、次
いでめっき処理を施すことにより導電層を設けることを
特徴とする、多層配線板の製造方法。1. A semiconductor device comprising: a plurality of wiring patterns and an interlayer insulating layer on at least one surface of a substrate; and a via hole for electrically connecting the wiring patterns to each other at a predetermined position in the interlayer insulating layer. In the method for manufacturing a multilayer wiring board provided, when providing the via hole, an electric insulating layer having heat or light curability is formed on a substrate having a wiring pattern, and after this is slightly cured, Pattern formation of a film having anti-sandblasting properties on the subsequent electrical insulating layer,
Next, the electrical insulating layer is selectively removed by performing a sand blasting process to form a via hole, and then a film having anti-sand blasting properties is removed. Thereafter, the electrical insulating layer is heated and cured to form an interlayer insulating layer. And then providing a conductive layer by performing a plating process. 【請求項２】 層間絶縁層表面にサンドブラスト処理を
施すことにより層間絶縁層表面を粗化し、次いでめっき
処理を施すことにより導電層を設けることを特徴とす
る、請求項１記載の多層配線板の製造方法。2. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the surface of the interlayer insulating layer is roughened by sandblasting the surface of the interlayer insulating layer, and then the conductive layer is provided by plating. Production method. 【請求項３】 基板の少なくとも一方の面上に、複数層
の配線パターンと層間絶縁層を有し、該層間絶縁層の所
定箇所に前記配線パターンを互いに電気的に接続するた
めの導通部を設けてなる多層配線板の製造方法におい
て、 前記導通部を設けるに際し、熱または光硬化性を有する
電気絶縁層を配線パターンを有する基板上に形成し、こ
れを微硬化させた後、該微硬化後の電気絶縁層上に耐サ
ンドブラスト性を有する被膜をパターン形成し、次いで
サンドブラスト処理を施すことにより該電気絶縁層を選
択的に除去して導通部を断面視すり鉢状に形成した後、
耐サンドブラスト性を有する被膜を除去し、しかる後に
該電気絶縁層を加熱硬化することにより層間絶縁層と
し、次いでめっき処理を施すことにより前記導通部に導
電材を埋めることを特徴とする、多層配線板の製造方
法。3. A substrate having a plurality of wiring patterns and an interlayer insulating layer on at least one surface of a substrate, and a conductive portion for electrically connecting the wiring patterns to each other at a predetermined position of the interlayer insulating layer. In the method for manufacturing a multilayer wiring board provided, in providing the conductive portion, an electric insulating layer having heat or light curability is formed on a substrate having a wiring pattern, and after this is slightly cured, After forming a film having anti-sand blasting properties on the subsequent electric insulating layer, the electric insulating layer is selectively removed by performing a sand blasting process to form a conductive portion in a mortar shape in cross section,
Removing a film having sand blast resistance, heating and curing the electrical insulating layer to form an interlayer insulating layer, and then plating the conductive portion with a conductive material by performing a plating process. Plate manufacturing method. 【請求項４】 層間絶縁層表面にサンドブラスト処理を
施すことにより層間絶縁層表面を粗化し、次いでめっき
処理を施すことにより前記導通部に導電材を埋めること
を特徴とする、請求項３記載の多層配線板の製造方法。4. A conductive material is buried in the conductive portion by roughening the surface of the interlayer insulating layer by performing sandblasting on the surface of the interlayer insulating layer, and then performing plating. A method for manufacturing a multilayer wiring board. 【請求項５】 熱または光硬化性を有する電気絶縁層を
温度７０℃以上１１０℃以下で微硬化させる、請求項１
〜４のいずれか１項に記載の多層配線板の製造方法。5. An electric insulating layer having heat or light curability is finely cured at a temperature of 70 ° C. or more and 110 ° C. or less.
5. The method for producing a multilayer wiring board according to any one of Items 4 to 4. 【請求項６】 微硬化された電気絶縁層を光照射または
温度１１０℃超２００℃以下で加熱硬化することにより
層間絶縁層とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載
の多層配線板の製造方法。6. The multilayer wiring according to claim 1, wherein the slightly cured electric insulating layer is irradiated with light or cured by heating at a temperature higher than 110 ° C. and lower than 200 ° C. to form an interlayer insulating layer. Plate manufacturing method. 【請求項７】 耐サンドブラスト性を有する被膜が感光
性樹脂である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の多
層配線板の製造方法。7. The method for producing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the coating having sandblast resistance is a photosensitive resin. 【請求項８】 耐サンドブラスト性を有する被膜が、ウ
レタン（メタ）アクリレートオリゴマー、水溶性セルロ
ース樹脂、光重合開始剤、および（メタ）アクリレート
モノマーを含有する感光性樹脂である、請求項１〜７の
いずれかに記載の多層配線板の製造方法。8. A photosensitive resin containing a urethane (meth) acrylate oligomer, a water-soluble cellulose resin, a photopolymerization initiator, and a (meth) acrylate monomer, wherein the coating having sandblast resistance is used. The method for producing a multilayer wiring board according to any one of the above. 【請求項９】 熱または光硬化性を有する電気絶縁層中
に、含硫黄有機化合物を含有してなる、請求項１〜８の
いずれか１項に記載の多層配線板の製造方法。9. The method for producing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the heat- or light-curing electric insulating layer contains a sulfur-containing organic compound. 【請求項１０】 めっき処理が無電解めっき処理であ
る、請求項１〜９のいずれか１項に記載の多層配線板の
製造方法。10. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the plating treatment is an electroless plating treatment. 【請求項１１】 めっき処理が直接電解めっき処理であ
る、請求項１〜９のいずれか１項に記載の多層配線板の
製造方法。11. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the plating treatment is a direct electrolytic plating treatment.