JPH1070371A - Manufacture of multilayer wiring board - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a multilayer wiring board excellent in adhesiveness between an interlayer insulating layer and a plated conductive layer with high heat resistance, environmental safety, and high reliability and improved in manufacturing efficiency. SOLUTION: This method provides a multilayer wiring board having a plurality of layers of wiring patterns 2 and an interlayer insulating layer 3 at least on one side surface of a substrate 1 and via holes 5 for mutually and electrically connecting the wiring patterns to the prescribed parts of this interlayer 3. At this time, to provide the via holes 5, films 4 with sand blast resistance are patterned on the interlayer insulating layer 3, which is selectively removed by sand blast treatment so as to form the via holes 5. Then, the films 4 with sand blast resistance is removed for a succeeding treatment of direct electrolytic plating so as to provide conductive layers 7.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は多層配線板の製造方
法に係り、さらに詳しくは、層間絶縁層を選択的に除去
して複数層の導電性パターンを互いに電気的に接続する
ためのバイアホールを有するビルドアップ型の多層配線
板の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board, and more particularly, to a via hole for selectively removing an interlayer insulating layer to electrically connect a plurality of conductive patterns to each other. The present invention relates to a method for manufacturing a build-up type multilayer wiring board having the following.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、電子技術の進歩に伴い、コンピュ
ーター等の電子機器に対する高密度化や演算機能の高速
化が進められている。多層配線板においても例外でな
く、高密度配線や高密度実装が可能な多層配線板が要求
されており、このような多層配線板として上層配線パタ
ーンと下層配線パターンとを電気的に接続するためのバ
イアホールを有するビルドアップ工法による多層配線板
が知られている。2. Description of the Related Art In recent years, with the advance of electronic technology, higher densities and higher speed of arithmetic functions have been advanced for electronic devices such as computers. There is no exception in multilayer wiring boards, and multilayer wiring boards capable of high-density wiring and high-density mounting are required, and in order to electrically connect an upper wiring pattern and a lower wiring pattern as such a multilayer wiring board. There is known a multilayer wiring board formed by a build-up method having via holes.

【０００３】このビルドアップ工法による多層配線板
は、従来、例えば図２、図３に示すように、基板２１上
に導電性物質からなる下層の配線パターン２２を設け、
この上に絶縁性を有するセラミックペースト組成物をス
クリーン印刷法等によりパターン印刷したり、感光性樹
脂層（層間絶縁層）２３を設けた後、層間絶縁層２３を
ホトリソグラフィーにより露光、現像、エッチングして
選択的に除去してバイアホール２５を形成し、次いで無
電解めっき処理を施すことによって、バイアホール２５
内に導電層２６を設けるか、あるいは該バイアホール２
５内と層間絶縁層２３上に導電層２６を一体的に設け、
しかる後に上層配線パターン（図示せず）を形成し、こ
の上層の配線パターンと下層の配線パターン２２をそれ
ぞれ電気的に接続するという方法により製造されてい
た。Conventionally, in a multilayer wiring board by this build-up method, a lower wiring pattern 22 made of a conductive substance is provided on a substrate 21 as shown in FIGS. 2 and 3, for example.
A ceramic paste composition having an insulating property is pattern-printed thereon by a screen printing method or the like, or a photosensitive resin layer (interlayer insulating layer) 23 is provided thereon. Then, the interlayer insulating layer 23 is exposed, developed, and etched by photolithography. And selectively removed to form via holes 25, and then subject the via holes 25 to electroless plating.
A conductive layer 26 is provided in the
5, a conductive layer 26 is integrally provided on the interlayer insulating layer 23,
Thereafter, an upper wiring pattern (not shown) is formed, and the upper wiring pattern and the lower wiring pattern 22 are electrically connected to each other.

【０００４】しかしながら上記従来の方法により製造さ
れた多層配線板は、層間絶縁層としてセラミック材を用
いたものは高精度のものを得ることができず、また感光
性樹脂層を用いた場合、図２に示すようにバイアホール
の側壁が垂直の矩形状の断面形状をなすか、あるいは図
３に示すようにホトリソグラフィー時に現像液によるサ
イドエッチング３０が現れやすい。これらいずれの場合
においても、無電解めっき法などによりバイアホール２
５内や層間絶縁層２３上に導電層２６を設ける場合、図
２、３に示すように、めっき付き回りが良好でなく、導
通不良を起こすことがあった（図中、Ａ）。これに対し
ては、短絡を防ぐために無電解めっき量を増やすことが
考えられるが、基板の重量増加が免れ得ず、高密度、高
精細な多層配線板を得ることが困難であった。However, in the case of a multilayer wiring board manufactured by the above-mentioned conventional method, a high-precision multilayer wiring board using a ceramic material as an interlayer insulating layer cannot be obtained. As shown in FIG. 2, the side wall of the via hole has a vertical rectangular cross-sectional shape, or side etching 30 by a developer tends to appear during photolithography as shown in FIG. In any of these cases, the via hole 2 is formed by electroless plating or the like.
In the case where the conductive layer 26 is provided in the inside 5 or on the interlayer insulating layer 23, as shown in FIGS. In order to prevent this, it is conceivable to increase the amount of electroless plating in order to prevent a short circuit. However, an increase in the weight of the substrate cannot be avoided, and it has been difficult to obtain a high-density, high-definition multilayer wiring board.

【０００５】そこで、少ない無電解めっき量で信頼性の
高い多層配線板を形成するために、酸化剤に対して難溶
性の感光性樹脂層中に酸化剤に対して可溶性の樹脂粒子
を含有させ、酸化剤により可溶性樹脂粒子を溶出させる
ことにより層間絶縁層の表面を粗化処理し、層間絶縁層
と導電層との密着性を改善させた技術が、例えば特開平
６−２１５６２３号公報に記載されている。しかしなが
ら、特開平６−２１５６２３号公報に記載のものは、層
間絶縁層表面粗化処理の酸化剤としてクロム酸等の強酸
を用いるため、人体、基材等へ及ぼす影響の点からも好
ましくない。Therefore, in order to form a highly reliable multilayer wiring board with a small amount of electroless plating, resin particles soluble in the oxidizing agent are contained in the photosensitive resin layer which is hardly soluble in the oxidizing agent. A technique in which the surface of an interlayer insulating layer is roughened by eluting soluble resin particles with an oxidizing agent to improve the adhesion between the interlayer insulating layer and the conductive layer is described in, for example, JP-A-6-215623. Have been. However, the method described in JP-A-6-215623 uses a strong acid such as chromic acid as an oxidizing agent for the surface roughening treatment of the interlayer insulating layer, and is therefore not preferable from the viewpoint of affecting the human body and the base material.

【０００６】さらに、近年の環境への配慮から、現像液
として希アルカリ水溶液を用い得る感光性樹脂が求めら
れており、例えば特開平６−１９６８５６号公報におい
ては、感光性樹脂中にカルボキシル基を導入して希アル
カリ水溶液により現像可能としたものが提案されている
が、これらは絶縁抵抗値や耐熱性が低下する傾向がみら
れ、場合によっては短絡を起こすという問題があり、信
頼性の高い多層配線板を形成することが困難であるとい
う問題がある。また、層間絶縁層として上記感光性樹脂
を用いた場合、１４０℃程度が耐熱性の限界であり、ピ
ール強度の大きなものも得ることが難しいため、近年の
高密度配線板にあっては層間絶縁層の損傷による剥れや
欠け等の問題を有していた。Further, in consideration of recent environmental considerations, a photosensitive resin which can use a dilute aqueous alkali solution as a developing solution has been required. For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-196856, a carboxyl group is contained in the photosensitive resin. Although those which can be developed by introducing a dilute alkaline aqueous solution have been proposed, these have a tendency to lower the insulation resistance value and heat resistance, and in some cases, have a problem of causing a short circuit, and have a high reliability. There is a problem that it is difficult to form a multilayer wiring board. Further, when the above-mentioned photosensitive resin is used as the interlayer insulating layer, the heat resistance is about 140 ° C., and it is difficult to obtain a material having a large peel strength. There were problems such as peeling and chipping due to damage to the layer.

【０００７】この他に、層間絶縁層として無機質充填材
を混練した熱硬化型の耐熱性エポキシ樹脂を用い、炭酸
ガスレーザーやエキシマレーザー等の高出力レーザーに
よってバイアホールを形成する方法も考えられたが、装
置が高価であり、形成されたバイアホールの形状も矩形
状となり、バイアホール内に導電層を設ける際に導通不
良を起こすことがあり、またバイアホール側壁が平滑と
なり導電層の密着性が悪くなり、好ましくなかった。In addition, a method of forming a via hole using a high-power laser such as a carbon dioxide gas laser or an excimer laser using a thermosetting heat-resistant epoxy resin kneaded with an inorganic filler as an interlayer insulating layer has been considered. However, the device is expensive, and the shape of the formed via hole is also rectangular, which may cause conduction failure when a conductive layer is provided in the via hole, and the sidewall of the via hole becomes smooth and the adhesion of the conductive layer becomes poor. Became worse and was not preferred.

【０００８】さらにまた、導電層形成のための無電解め
っき処理は、通常、数〜十数時間を要するため、製造効
率の点からも、さらなる改善が望まれていた。Further, since the electroless plating process for forming the conductive layer usually requires several to several tens of hours, further improvement has been desired from the viewpoint of manufacturing efficiency.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる事情
に鑑みてなされたもので、その課題は、形状の良好なバ
イアホールを形成し、層間絶縁層とめっき導電層との密
着性に優れ、高耐熱性であり、環境上安全で、かつ信頼
性が高く、めっき工程の短縮化により製造効率の向上し
た多層配線板の製造方法を安価に提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to form a via hole having a good shape and to provide excellent adhesion between an interlayer insulating layer and a conductive layer. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board, which has high heat resistance, is environmentally safe, has high reliability, and has improved manufacturing efficiency by shortening a plating process, at a low cost.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、従来のホトリ
ソグラフィーによる方法に代えて、サンドブラスト処理
によって層間絶縁層を選択的に除去し良好な形状のバイ
アホールを形成することにより、該バイアホール内に導
電層をめっき処理等により設ける際に強い密着強度を得
ることができ、これにより層間絶縁層や導電層を薄く作
成し、軽量でかつ信頼性の高い多層配線板を提供し得る
ことを見出した。さらにまた、導電層形成において、直
接電解めっき処理することにより、均一な導電層を形成
することができ、無電解めっき処理に比して作業時間を
大幅に短縮させることができるということを見出した。
本発明は、これらの知見に基づいてなされたものであ
る。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above problems, and as a result, the interlayer insulating layer has been selectively removed by sandblasting instead of the conventional photolithographic method. By forming a via hole having a good shape, a strong adhesion strength can be obtained when a conductive layer is provided in the via hole by plating or the like, whereby an interlayer insulating layer or a conductive layer is formed thin, It has been found that a lightweight and highly reliable multilayer wiring board can be provided. Furthermore, in the formation of a conductive layer, it has been found that a uniform conductive layer can be formed by performing direct electrolytic plating, and the working time can be significantly reduced as compared with electroless plating. .
The present invention has been made based on these findings.

【００１１】すなわち本発明は、基板の少なくとも一方
の面上に、複数層の配線パターンと層間絶縁層を有し、
該層間絶縁層の所定箇所に前記配線パターンを互いに電
気的に接続するためのバイアホールを設けてなる多層配
線板の製造方法において、前記バイアホールを設けるに
際し、層間絶縁層上に耐サンドブラスト性を有する被膜
をパターン形成し、次いでサンドブラスト処理を施すこ
とにより層間絶縁層を選択的に除去してバイアホールを
形成した後、耐サンドブラスト性を有する被膜を除去
し、しかる後に直接電解めっき処理を施すことにより、
導電層を設けることを特徴とする多層配線板の製造方法
を提供するものである。That is, the present invention has a plurality of wiring patterns and an interlayer insulating layer on at least one surface of a substrate,
In a method for manufacturing a multilayer wiring board, wherein via holes for electrically connecting the wiring patterns to each other are provided at predetermined locations in the interlayer insulating layer, when the via holes are provided, sandblast resistance is provided on the interlayer insulating layer. After forming a via hole by selectively removing the interlayer insulating layer by patterning a film having a film and then performing sand blasting, removing the film having sand blast resistance, and then directly performing electrolytic plating. By
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising providing a conductive layer.

【００１２】また本発明は、基板の少なくとも一方の面
上に、複数層の配線パターンと層間絶縁層を有し、該層
間絶縁層の所定箇所に前記配線パターンを互いに電気的
に接続するための導通部を設けてなる多層配線板の製造
方法において、前記導通部を設けるに際し、層間絶縁層
上に耐サンドブラスト性を有する被膜をパターン形成
し、次いでサンドブラスト処理を施すことにより層間絶
縁層を選択的に除去して導通部を断面視すり鉢状に形成
した後、耐サンドブラスト性を有する被膜を除去し、し
かる後に直接電解めっき処理を施すことにより、前記導
通部に導電材を埋めることを特徴とする多層配線板の製
造方法を提供するものである。Further, according to the present invention, a plurality of wiring patterns and an interlayer insulating layer are provided on at least one surface of a substrate, and the wiring patterns are electrically connected to each other at predetermined positions of the interlayer insulating layer. In the method for manufacturing a multilayer wiring board having a conductive portion, in providing the conductive portion, a film having sandblast resistance is formed on the interlayer insulating layer by patterning, and then the interlayer insulating layer is selectively subjected to sandblasting. After forming the conductive portion in a mortar shape in cross-section by removing the conductive portion, the conductive material is buried in the conductive portion by removing the coating having sand blast resistance, and then directly performing electrolytic plating treatment. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board.

【００１３】[0013]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の多層配線板の製
造方法の一例を、図１を参照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention will be described below with reference to FIG.

【００１４】図１は本発明による多層配線板の製造方法
を説明した工程図である。FIG. 1 is a process diagram illustrating a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.

【００１５】まず図１（ａ）に示すように、基板１上
に、厚さ１〜２００μｍ程度の配線パターン２を形成
し、この上にさらに層間絶縁層３を設ける。First, as shown in FIG. 1A, a wiring pattern 2 having a thickness of about 1 to 200 μm is formed on a substrate 1, and an interlayer insulating layer 3 is further provided thereon.

【００１６】基板１は、ガラス−エポキシ樹脂積層板、
ガラスクロス−ビスマレイミドトリアジン樹脂積層板、
ガラスクロス−ポリイミド樹脂積層板、紙−フェノール
樹脂積層板、紙−クレゾール樹脂積層板、紙−フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂積層板、紙−クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂積層板等の絶縁基板が用いられ
るが、これらに限定されるものでない。The substrate 1 is a glass-epoxy resin laminate,
Glass cloth-bismaleimide triazine resin laminate,
Insulating substrates such as glass cloth-polyimide resin laminate, paper-phenol resin laminate, paper-cresol resin laminate, paper-phenol novolak type epoxy resin laminate, paper-cresol novolak type epoxy resin laminate are used, It is not limited to these.

【００１７】配線パターン２は、例えばＣｕ、Ａｌ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｎｉ等の導電性物質からなり、公知の手段に
より設けられる。本発明においては、ある程度弾性を有
し、安価なＣｕ、Ａｌがサンドブラスト処理時に食刻さ
れにくいため、好ましく用いることができる。The wiring pattern 2 is made of, for example, Cu, Al, A
It is made of a conductive material such as g, Au, Ni or the like, and is provided by a known means. In the present invention, inexpensive Cu and Al, which have some elasticity and are not easily etched during sandblasting, can be preferably used.

【００１８】層間絶縁層３は、絶縁層形成のための材料
を３本ロールミル、ボールミル、サンドミル等でよく溶
解、分散、混練した後、基板上にスクリーン印刷、バー
コータ、ロールコータ、リバースコータ、カーテンフロ
ーコータ等で乾燥膜厚１０〜１００μｍ程度に塗布す
る。塗布後、室温または温風ヒーター、赤外線ヒーター
中で乾燥させた後、超高圧水銀灯、ケミカルランプ等で
活性エネルギー線を照射させるか、あるいは温風ヒータ
ー、赤外線ヒーター中で温度１２０〜２００℃程度で加
熱して硬化することにより基板１上に設けられる。The interlayer insulating layer 3 is formed by thoroughly dissolving, dispersing, and kneading a material for forming an insulating layer using a three-roll mill, a ball mill, a sand mill, or the like, and then screen-printing the substrate, a bar coater, a roll coater, a reverse coater, or a curtain. It is applied to a dry film thickness of about 10 to 100 μm using a flow coater or the like. After application, after drying in a room temperature or hot air heater or an infrared heater, irradiate active energy rays with an ultra-high pressure mercury lamp, a chemical lamp or the like, or at a temperature of about 120 to 200 ° C. in a hot air heater or an infrared heater. It is provided on the substrate 1 by being cured by heating.

【００１９】該層間絶縁層３を形成するための材料とし
ては、一般に、バインダー樹脂、熱または光重合開始剤
あるいは架橋剤、および熱または光重合性モノマーを含
む組成物が用いられる。バインダー樹脂中に光または熱
により重合あるいは架橋可能な基が存在している場合に
はモノマーを除いた組成であってよい。As a material for forming the interlayer insulating layer 3, a composition containing a binder resin, a heat or photopolymerization initiator or a crosslinking agent, and a heat or photopolymerizable monomer is generally used. When a group which can be polymerized or cross-linked by light or heat is present in the binder resin, the composition may be a composition excluding the monomer.

【００２０】上記バインダー樹脂としては、例えばメチ
ルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリ
レート、エチルメタクリレート、ｎ−ブチルアクリレー
ト、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレー
ト、イソブチルメタクリレート、２−エチルヘキシルア
クリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ベン
ジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、２−ヒド
ロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタ
クリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２
−ヒドロキシプロピルメタクリレート、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルモノアクリレート、エチレング
リコールモノメチルエーテルメタクリレート、エチレン
グリコールモノエチルエーテルアクリレート、エチレン
グリコールモノエチルエーテルメタクリレート、グリセ
ロールモノアクリレート、グリセロールモノメタクリレ
ート、アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、メタ
クリル酸ジメチルアミノエチルエステル、テトラヒドロ
フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタ
クリレート、アクリル酸アミド、メタクリル酸アミド、
アクリロニトリル、メタアクリロニトリル等から選ばれ
たモノマーを共重合させたものや、ペンタエリスリトー
ルトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタク
リレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、
ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタ
エリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリ
トールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメ
タクリレート、カルドエポキシジアクリレート、カルド
エポキシジメタクリレート、ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノ
ール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒド
との縮合物によるエポキシ化樹脂、尿素樹脂、メラミン
樹脂、トリス−（２，３−ジエポキシプロピル）イソシ
アヌレート等のトリアジン樹脂、ダウ・ケミカル（株）
製のサイクロテン樹脂、ポリフェノール樹脂、ポリノボ
ラック樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を挙げ
ることができる。中でも、エポキシ樹脂、ポリフェノー
ル樹脂、ポリノボラック樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイ
ミド樹脂は、１５０〜２００℃程度の高温状態でも変質
や分解することがなく、ピール強度で１ｋｇを超える引
っ張り強度を有し、耐熱性や耐薬品性に優れるため好適
に用いられる。Examples of the binder resin include methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, n-butyl acrylate, n-butyl methacrylate, isobutyl acrylate, isobutyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, and benzyl acrylate. , Benzyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2
-Hydroxypropyl methacrylate, ethylene glycol monomethyl ether monoacrylate, ethylene glycol monomethyl ether methacrylate, ethylene glycol monoethyl ether acrylate, ethylene glycol monoethyl ether methacrylate, glycerol monoacrylate, glycerol monomethacrylate, dimethylaminoethyl acrylate, dimethyl methacrylate Aminoethyl ester, tetrahydrofurfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, acrylamide, methacrylamide,
Acrylonitrile, those obtained by copolymerizing monomers selected from methacrylonitrile and the like, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetraacrylate,
Pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol pentamethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, cardo epoxy diacrylate, cardo epoxy dimethacrylate, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin , Bisphenol S type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, epoxidized resin by condensation of phenols with aromatic aldehyde having phenolic hydroxyl group, urea resin, melamine resin, tris- (2, Triazine resins such as 3-diepoxypropyl) isocyanurate, Dow Chemical Co., Ltd.
Resin, polyphenol resin, polynovolak resin, polyamide resin, polyimide resin and the like. Above all, epoxy resin, polyphenol resin, polynovolak resin, polyamide resin, and polyimide resin have a tensile strength of more than 1 kg in peel strength without being deteriorated or decomposed even at a high temperature of about 150 to 200 ° C., and have heat resistance. And excellent in chemical resistance.

【００２１】上記モノマーを共重合させる場合にあって
は、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イソクロ
トン酸、アンジェリカ酸、チグリン酸、２−エチルアク
リル酸、３−プロピルアクリル酸、３−イソプロピルア
クリル酸、コハク酸モノヒドロキシエチルアクリレー
ト、フタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート、ジヒ
ドロフタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート、テト
ラヒドロフタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート、
ヘキサヒドロフタル酸モノヒドロキシエチルアクリレー
ト、アクリル酸ダイマー、アクリル酸トリマーなどカル
ボキシル基を有するモノマーと共重合させることもでき
るが、得られた樹脂の耐熱性や耐薬品性、絶縁抵抗値等
が低下することがある。When the above monomers are copolymerized, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, angelic acid, tiglic acid, 2-ethylacrylic acid, 3-propylacrylic acid, 3-isopropylacrylic acid Monohydroxyethyl succinate acrylate, monohydroxyethyl phthalate phthalate, monohydroxyethyl acrylate dihydrophthalate, monohydroxyethyl acrylate tetrahydrophthalate,
It can be copolymerized with a monomer having a carboxyl group such as hexahydrophthalic acid monohydroxyethyl acrylate, acrylic acid dimer, acrylic acid trimer, but the heat resistance, chemical resistance, insulation resistance value, etc. of the obtained resin decrease. Sometimes.

【００２２】上記熱または光重合開始剤としては、例え
ば１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，
２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オ
ン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕
−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル
−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニ
ル）−ブタン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル
−１−フェニルプロパン−１−オン、２，４，６−トリ
メチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、１−
〔４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル〕−２−ヒ
ドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２，
４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキント
ン、２，４−ジメチルチオキサントン、３，３−ジメチ
ル−４−メトキシベンゾフェノン、ベンゾフェノン、１
−クロロ−４−プロポキシチオキサントン、１−（４−
イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチル
プロパン−１−オン、１−（４−ドデシルフェニル）−
２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−
ベンゾイル−４’−メチルジメチルスルフィド、４−ジ
メチルアミノ安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸メ
チル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチ
ルアミノ安息香酸ブチル、４−ジメチルアミノ安息香酸
−２−エチルヘキシル、４−ジメチルアミノ安息香酸−
２−イソアミル、２，２−ジエトキシアセトフェノン、
ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエ
チルアセタール、１−フェニル−１，２−プロパンジオ
ン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ｏ−ベ
ンゾイル安息香酸メチル、ビス（４−ジメチルアミノフ
ェニル）ケトン、４，４’−ビスジエチルアミノベンゾ
フェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、ベンジ
ル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイ
ンエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、
ベンゾイン−ｎ−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチ
ルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、ｐ−ジメチル
アミノアセトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロ
ロアセトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロアセ
トフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサント
ン、２−イソプロピルチオキサントン、ジベンゾスベロ
ン、α，α−ジクロロ−４−フェノキシアセトフェノ
ン、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエート等を挙
げることができる。これら熱または光重合開始剤は、層
間絶縁層中の熱または活性光線により硬化する性質を有
する樹脂およびモノマー１００重量部中に、０．１〜４
０重量部の範囲で含有することができる。Examples of the heat or photopolymerization initiator include 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone,
2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl]
-2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-1 -One, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 1-
[4- (2-hydroxyethoxy) phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, 2,
4-diethylthioxanthone, 2-chlorothioquinton, 2,4-dimethylthioxanthone, 3,3-dimethyl-4-methoxybenzophenone, benzophenone,
-Chloro-4-propoxythioxanthone, 1- (4-
Isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1- (4-dodecylphenyl)-
2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 4-
Benzoyl-4'-methyldimethyl sulfide, 4-dimethylaminobenzoic acid, methyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, butyl 4-dimethylaminobenzoate, 2-ethylhexyl 4-dimethylaminobenzoate , 4-dimethylaminobenzoic acid-
2-isoamyl, 2,2-diethoxyacetophenone,
Benzyldimethyl ketal, benzyl-β-methoxyethyl acetal, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, methyl o-benzoylbenzoate, bis (4-dimethylaminophenyl) ketone, 4,4′-bisdiethylaminobenzophenone, 4,4′-dichlorobenzophenone, benzyl, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether,
Benzoin-n-butyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin butyl ether, p-dimethylaminoacetophenone, p-tert-butyltrichloroacetophenone, p-tert-butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, dibenzosuberone , Α, α-dichloro-4-phenoxyacetophenone, pentyl-4-dimethylaminobenzoate and the like. These heat or photopolymerization initiators are used in an amount of 0.1 to 4 in 100 parts by weight of a resin and a monomer having a property of being cured by heat or actinic light in the interlayer insulating layer.
It can be contained in the range of 0 parts by weight.

【００２３】上記架橋剤としては、ジシアンジアミド；
２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチ
ル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２，４−ジ
アミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１）］−
エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−
［２’−エチル−４−メチルイミダゾリル−（１）］−
エチル−ｓ−トリアジン・イソシアヌル酸付加物、２−
メチル−イミダゾール、１−フェニル−２−メチル−イ
ミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキ
シメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物；２，４
−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン−イソシアヌ
ル酸付加物、２−ビニル−４，６−ジアミノ−ｓ−トリ
アジン、２−メトキシエチル−４，６−ジアミン−ｓ−
トリアジン、２−ｏ−シアノフェニル−４，６−ジアミ
ノ−ｓ−トリアジン等のトリアジン化合物；３−（３，
４−ジクロロフェニル）−１，１’−ジメチルウレア、
１，１’−イソホロン−ビス（３−メチル−３−ヒドロ
キシエチルウレア）、１，１’−トリレン−ビス（３，
３−ジメチルウレア）等のウレア化合物；４，４’−ジ
アミノ−ジフェニルメタン等の芳香族アミン化合物；ト
リフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェー
ト、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート、トリフェニルセレニウムヘキサフルオロホスフ
ェート、トリフェニルセレニウムヘキサフルオロアンチ
モネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアン
チモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホ
スフェート、２，４−シクロペンタジェン−１−イル−
［（１−メチルエチル）−ベンゼン］−Ｆｅ−ヘキサフ
ルオロホスフェート（「イルガキュアー２６１」；チバ
・ガイギー（株）製、など）等の光カチオン重合触媒等
を挙げることができる。これらの中でも、ジシアンジア
ミド、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾ
リル−（１）］−エチル−ｓ−トリアジン、２−エチル
−４−メチルイミダゾール、１，１’−イソホロン−ビ
ス（３−メチル３−ヒドロキシエチルウレア）、１，
１’−トリレン−ビス（３，３−ジメチルウレア）、３
−（３，４−ジクロロフェニル）−１，１’−ジメチル
ウレアおよび光カチオン重合触媒の市販品（「ＳＰ−１
５０」、「ＳＰ−１７０」；いずれも旭電化（株）
製）、等）が好適に用いられる。As the crosslinking agent, dicyandiamide;
2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1)]-
Ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6
[2'-ethyl-4-methylimidazolyl- (1)]-
Ethyl-s-triazine / isocyanuric acid adduct, 2-
Imidazole compounds such as methyl-imidazole, 1-phenyl-2-methyl-imidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole; 2,4
-Diamino-6-vinyl-s-triazine-isocyanuric acid adduct, 2-vinyl-4,6-diamino-s-triazine, 2-methoxyethyl-4,6-diamine-s-
Triazine compounds such as triazine and 2-o-cyanophenyl-4,6-diamino-s-triazine;
4-dichlorophenyl) -1,1′-dimethylurea;
1,1′-isophorone-bis (3-methyl-3-hydroxyethylurea), 1,1′-tolylene-bis (3,
Urea compounds such as 3-dimethylurea); aromatic amine compounds such as 4,4′-diamino-diphenylmethane; triphenylsulfonium hexafluorophosphate;
Triphenylsulfonium hexafluorophosphate, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, triphenylselenium hexafluorophosphate, triphenylselenium hexafluoroantimonate, diphenyliodonium hexafluoroantimonate, diphenyliodonium hexafluorophosphate, 2,4-cyclopentadiene -1-yl-
Photo-cationic polymerization catalysts such as [(1-methylethyl) -benzene] -Fe-hexafluorophosphate (“Irgacure 261”; manufactured by Ciba-Geigy Corporation) and the like can be mentioned. Among them, dicyandiamide, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1)]-ethyl-s-triazine, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,1′-isophorone-bis ( 3-methyl-3-hydroxyethylurea), 1,
1′-tolylene-bis (3,3-dimethylurea), 3
-(3,4-Dichlorophenyl) -1,1′-dimethylurea and a commercial product of a cationic photopolymerization catalyst (“SP-1
50 "and" SP-170 "; both are Asahi Denka Co., Ltd.
), Etc.) are preferably used.

【００２４】上記熱または光重合性モノマーとしては、
例えば２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロ
キシエチルメタクリレート、エチレングリコールモノメ
チルエーテルアクリレート、エチレングリコールモノメ
チルエーテルメタクリレート、エチレングリコールモノ
エチルエーテルアクリレート、エチレングリコールモノ
エチルエーテルメタクリレート、グリセロールアクリレ
ート、グリセロールメタクリレート、アクリル酸アミ
ド、メタクリル酸アミド、アクリロニトリル、メタクリ
ロニトリル、メチルアクリレート、メチルメタクリレー
ト、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、イソ
ブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、２−
エチルヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルメタ
クリレート、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリ
レート等の単官能モノマーや；エチレングリコールジア
クリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ト
リエチレングリコールジアクリレート、トリエチレング
リコールジメタクリレート、テトラエチレングリコール
ジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリ
レート、ブチレングリコールジメタクリレート、プロピ
レングリコールジアクリレート、プロピレングリコール
ジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、
テトラメチロールプロパンテトラアクリレート、テトラ
メチロールプロパンテトラメタクリレート、ペンタエリ
スリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールト
リメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリ
レート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、
ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタ
エリスリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリス
リトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジア
クリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレー
ト、カルドエポキシジアクリレート等の多官能モノマー
を使用することができる。これら熱または光重合性モノ
マーを添加する場合にあっては、感光性樹脂固形分１０
０重量部中に５０重量部までの範囲で配合することが好
ましい。The heat or photopolymerizable monomer includes:
For example, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, ethylene glycol monomethyl ether acrylate, ethylene glycol monomethyl ether methacrylate, ethylene glycol monoethyl ether acrylate, ethylene glycol monoethyl ether methacrylate, glycerol acrylate, glycerol methacrylate, acrylamide, methacryl Acid amide, acrylonitrile, methacrylonitrile, methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, isobutyl acrylate, isobutyl methacrylate, 2-
Monofunctional monomers such as ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, benzyl acrylate, and benzyl methacrylate; and ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol diacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, and tetraethylene Glycol dimethacrylate, butylene glycol dimethacrylate, propylene glycol diacrylate, propylene glycol dimethacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate,
Tetramethylolpropane tetraacrylate, tetramethylolpropane tetramethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate,
Multifunctional such as dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol pentamethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, cardo epoxy diacrylate, etc. Monomers can be used. When these heat or photopolymerizable monomers are added, the solid content of the photosensitive resin is 10%.
It is preferable to mix up to 50 parts by weight in 0 parts by weight.

【００２５】さらに、寸法安定性や耐薬品性、耐熱性、
絶縁性を保持するために、シリカ、アルミナ、マイカ、
タルク等の無機フィラーや、サンドブラスト処理後に形
成されたバイアホールが容易に識別できるようにフタロ
シアニングリーンなどの耐熱性有機着色顔料を添加した
ものであってもよい。Furthermore, dimensional stability, chemical resistance, heat resistance,
Silica, alumina, mica,
An inorganic filler such as talc or a heat-resistant organic coloring pigment such as phthalocyanine green may be added so that via holes formed after sandblasting can be easily identified.

【００２６】前記フィラーの粒径は０．０１〜５００μ
ｍ程度の範囲で選ばれるが、サンドブラスト処理後、導
電層を形成する際に、層間絶縁層と導電層との密着強度
を上げるために上記粒径範囲内で粒径、形状の異なるフ
ィラーを複数、選択的に含有することが好ましい。The particle size of the filler is 0.01 to 500 μm.
m is selected within a range of about m, but when forming a conductive layer after sandblasting, a plurality of fillers having different particle sizes and shapes within the above-described particle size range to increase the adhesion strength between the interlayer insulating layer and the conductive layer. Is preferably contained selectively.

【００２７】さらに層間絶縁層３をスクリーン印刷、デ
ィップコーター、ロールコーター、スピンコーター、カ
ーテンコーター、スプレーコーター等で塗布する際、均
一にコーティングするためにレベリング剤、消泡剤、溶
剤等を含有したものであってもよい。When the interlayer insulating layer 3 is applied by screen printing, dip coater, roll coater, spin coater, curtain coater, spray coater, etc., it contains a leveling agent, an antifoaming agent, a solvent, etc. for uniform coating. It may be something.

【００２８】上記溶剤としては、メチルエチルケトン、
アセトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、
シクロヘキサノン、エチレングリコールモノメチルエー
テル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレ
ングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコール
モノベンジルエーテル、エチレングリコールモノフェニ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ
メチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、３−メトキシブチルアセテート、４−メトキシ
ブチルアセテート、２−メチル−３−メトキシブチルア
セテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテー
ト、３−エチル−３−メトキシブチルアセテート、２−
エトキシブチルアセテート、ジエチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ
ブチルエーテルアセテート等を挙げることができ、この
中でも特にプロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレン
グリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ
エチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピル
エーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート等の溶剤が、人体に対する安全性が高く、塗布
性が良好であるため好適に用いられる。As the solvent, methyl ethyl ketone,
Acetone, methyl isobutyl ketone, diethyl ketone,
Cyclohexanone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monobenzyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, Dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, 3-methoxybutyl acetate, 4-methoxybutyl acetate, 2-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-ethyl-3 -Methoxybutyl acetate, 2-
Ethoxybutyl acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, and the like, among which propylene glycol monomethyl ether,
Solvents such as propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monomethyl ether acetate are highly safe for the human body and are applied. It is preferably used because it has good properties.

【００２９】また、層間絶縁層３形成用組成物の中に含
硫黄有機化合物を触媒毒として添加することができる。
このような含硫黄有機化合物としては、２−メルカプト
ベンゾチアゾール、ジベンゾチアジルジスルフィド、Ｎ
−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ベンゾチアゾリルスルフェン
アミド、テトラメチルチウラムジスルフィド等を挙げる
ことができる。これらの触媒毒を含有させることによ
り、層間絶縁層３に、後述のようにバイアホールを形成
した後、電解めっき処理によりバイアホール内に導電層
を設ける際に、層間絶縁層上に導電層が付着することを
防ぐことができる。Further, a sulfur-containing organic compound can be added to the composition for forming the interlayer insulating layer 3 as a catalyst poison.
Such sulfur-containing organic compounds include 2-mercaptobenzothiazole, dibenzothiazyl disulfide, N
-Tert-butyl-2-benzothiazolylsulfenamide, tetramethylthiuram disulfide and the like. By including these catalyst poisons, a via hole is formed in the interlayer insulating layer 3 as described later, and when the conductive layer is provided in the via hole by electrolytic plating, the conductive layer is formed on the interlayer insulating layer. Adhesion can be prevented.

【００３０】次いで、図１（ｂ）に示すように層間絶縁
層３上に耐サンドブラスト性を有する被膜４を設ける。Next, as shown in FIG. 1B, a coating 4 having sandblast resistance is provided on the interlayer insulating layer 3.

【００３１】耐サンドブラスト性を有する被膜４を設け
るにあたっては、スクリーン印刷、バーコータ、ロール
コータ、リバースコータ、カーテンフローコータなどに
より所要のパターンを印刷する方法、耐サンドブラスト
性を有する感光性樹脂を層間絶縁層３上に塗布、あるい
はドライフィルム状としたものを貼り付けた後、ホトリ
ソグラフィーによって所要のパターンを得る方法などが
挙げられる。感光性樹脂を用いた場合、塗布または貼り
付け後、ネガマスクを介して、超高圧水銀灯、ケミカル
ランプ等で活性エネルギー線により露光を行い、スプレ
ーガン、浸漬法等によって現像が行われる。現像液とし
ては、水またはアルカリ水溶液が好ましく、現像液に用
いるアルカリ成分の例としては、ナトリウム、カリウム
等アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、ケイ酸塩、重炭酸
塩、リン酸塩、ピロリン酸塩、ベンジルアミン、ブチル
アミン等の第１級アミン、ジメチルアミン、ジベンジル
アミン、ジエタノールアミン等の第２級アミン、トリメ
チルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン
等の第３級アミン、モルホリン、ピペラジン、ピリジン
等の環状アミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジ
アミン等のポリアミン、テトラエチルアンモニウムヒド
ロキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシ
ド、トリメチルフェニルベンジルアンモニウムヒドロキ
シド、コリン等のアンモニウムヒドロキシド類、トリメ
チルスルホニウムヒドロキシド、ジエチルメチルスルホ
ニウムヒドロキシド、ジメチルベンジルスルホニウムヒ
ドロキシド等のスルホニウムヒドロキシド類、その他こ
れらの緩衝液等が挙げられる。In providing the coating 4 having sand blast resistance, a method of printing a required pattern by screen printing, a bar coater, a roll coater, a reverse coater, a curtain flow coater, or the like, and a method in which a photosensitive resin having sand blast resistance is subjected to interlayer insulation. A method of obtaining a required pattern by photolithography after coating or applying a dry film to the layer 3 is given. When a photosensitive resin is used, after application or attachment, exposure is performed with an active energy ray through a negative mask using an ultra-high pressure mercury lamp, a chemical lamp, or the like, and development is performed using a spray gun, an immersion method, or the like. The developer is preferably water or an aqueous alkali solution. Examples of the alkali component used in the developer include hydroxides, carbonates, silicates, bicarbonates, phosphates, pyrophosphates of alkali metals such as sodium and potassium. Acid salts, primary amines such as benzylamine and butylamine, secondary amines such as dimethylamine, dibenzylamine and diethanolamine, tertiary amines such as trimethylamine, triethylamine and triethanolamine, morpholine, piperazine and pyridine. Cyclic amines, polyamines such as ethylenediamine, hexamethylenediamine, etc., ammonium hydroxides such as tetraethylammonium hydroxide, trimethylbenzylammonium hydroxide, trimethylphenylbenzylammonium hydroxide, choline, and trimethyls Tetraalkylphosphonium hydroxide, diethyl methyl sulfonium hydroxide, sulfonium hydroxide such as dimethyl benzyl sulfonium hydroxide, other these buffers and the like.

【００３２】上記耐サンドブラスト性を有する被膜は、
サンドブラスト処理に対する保護膜の役目を果たし得る
ものであれば特に限定されるものでないが、特には、例
えば特開昭５５−１０３５５４号公報に記載されている
ような不飽和ポリエステルと不飽和モノマーおよび光重
合開始剤からなる感光性樹脂組成物や、特開平２−６９
７５４号公報に記載されているようなポリビニルアルコ
ールとジアゾ樹脂からなる感光性樹脂組成物、ウレタン
（メタ）アクリレートオリゴマー、水溶性セルロース樹
脂、光重合開始剤、および（メタ）アクリレートモノマ
ーを含有してなる感光性樹脂を挙げることができるが、
中でもウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー、水溶
性セルロース樹脂、光重合開始剤、および（メタ）アク
リレートモノマーを含有してなる感光性樹脂は層間絶縁
層との密着性や柔軟性に優れるため好ましく用いること
ができる。またこれら耐サンドブラスト性を有する被膜
の形成に用いる感光性樹脂はドライフィルム状であって
もよい。The coating having the above sandblast resistance is as follows:
The material is not particularly limited as long as it can serve as a protective film for sandblasting. In particular, for example, unsaturated polyesters and unsaturated monomers as described in JP-A-55-103554 and light A photosensitive resin composition comprising a polymerization initiator;
No. 754, containing a photosensitive resin composition comprising polyvinyl alcohol and a diazo resin, a urethane (meth) acrylate oligomer, a water-soluble cellulose resin, a photopolymerization initiator, and a (meth) acrylate monomer. Can be mentioned,
Above all, a photosensitive resin containing a urethane (meth) acrylate oligomer, a water-soluble cellulose resin, a photopolymerization initiator, and a (meth) acrylate monomer is preferably used because of its excellent adhesion and flexibility to an interlayer insulating layer. it can. Further, the photosensitive resin used for forming the coating having the sandblast resistance may be in a dry film form.

【００３３】耐サンドブラスト性を有する被膜４を設け
た後、例えばサンドブラスト処理を行い、図１（ｃ）に
示すように層間絶縁層３を選択的に除去して断面視すり
鉢状のバイアホール５を形成する。After the coating 4 having the sandblast resistance is provided, for example, sandblasting is performed to selectively remove the interlayer insulating layer 3 as shown in FIG. 1 (c) to form a mortar-shaped via hole 5 in cross section. Form.

【００３４】サンドブラスト処理に用いるブラスト材と
してはガラスビーズ、アルミナ、シリカ、炭化ケイ素、
酸化ジルコニウム等の粒径０．１〜１５０μｍ程度の微
粒子が用いられ、ブラスト圧０．５〜５ｋｇ／ｃｍ² の
範囲で吹き付けることによりサンドブラスト処理が行わ
れる。耐サンドブラスト性を有する被膜４は、通常の感
光性樹脂に比べ弾性、柔軟性が高く、サンドブラスト処
理による耐摩耗性が高いため、目的の深さの彫食刻が終
了する前に摩耗してしまうということはない。As the blast material used for the sand blasting, glass beads, alumina, silica, silicon carbide,
Fine particles having a particle size of about 0.1 to 150 μm, such as zirconium oxide, are used, and sandblasting is performed by spraying at a blast pressure of 0.5 to 5 kg / cm ² . The coating 4 having sandblast resistance has higher elasticity and flexibility than ordinary photosensitive resin, and has high wear resistance due to sandblasting, so that the coating 4 is worn before the sculpture of the desired depth is completed. Not at all.

【００３５】本発明によれば、バイアホール５の形状を
すり鉢状としたことにより、従来のホトリソグラフィー
による方法と異なり、サイドエッチングの発生を防ぐこ
とができ、後工程の電解めっき処理において導電層がバ
イアホール側壁に効率よく付着することができ、ピール
強度を大幅に改善することができ、断線やクラックの起
こりにくい信頼性の高い多層配線板を製造することがで
きる。また、クロム、酸等の強酸の酸化剤等を用いる必
要がなく、環境上安全である。According to the present invention, since the shape of the via hole 5 is formed in a mortar shape, unlike the conventional photolithographic method, the occurrence of side etching can be prevented, and the conductive layer can be formed in a subsequent electrolytic plating process. Can be efficiently attached to the side wall of the via hole, the peel strength can be greatly improved, and a highly reliable multilayer wiring board in which disconnection and cracks do not easily occur can be manufactured. Further, there is no need to use an oxidizing agent of a strong acid such as chromium or an acid, etc., which is environmentally safe.

【００３６】サンドブラスト処理後、図１（ｄ）に示す
ように、耐サンドブラスト性を有する被膜４は、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、あるいは有機アミン類等
のｐＨ１２〜１４程度の水溶液により剥離除去される。After the sand blasting treatment, as shown in FIG. 1D, the coating 4 having sand blast resistance is peeled and removed by an aqueous solution of sodium hydroxide, potassium hydroxide, organic amines or the like having a pH of about 12 to 14. You.

【００３７】次いで好ましくは層間絶縁層３表面にサン
ドブラスト処理を施すことにより、層間絶縁層表面を粗
面化する。これにより該層間絶縁層３とこの上に形成さ
れる導電層との間のピール強度を高めることができる。
なお、粗面化は、従来より公知の機械的研磨、化学的研
磨、あるいは機械的研磨と化学的研磨の併用等によって
行ってもよい。機械的研磨方法としては、例えばスコッ
チブライトや真鍮ブラシ等を用いて層間絶縁層３の表面
にブラッシング研磨を行う方法や、上述のサンドブラス
ト処理等が挙げられる。化学的研磨方法としては、例え
ば層間絶縁層３の材料がエポキシ樹脂の場合には過マン
ガン酸カリウム溶液中でエッチング処理を行って表面粗
化を行う方法等が挙げられる。Next, preferably, the surface of the interlayer insulating layer 3 is roughened by subjecting the surface of the interlayer insulating layer 3 to sandblasting. Thereby, the peel strength between the interlayer insulating layer 3 and the conductive layer formed thereon can be increased.
The surface roughening may be performed by conventionally known mechanical polishing, chemical polishing, or a combination of mechanical polishing and chemical polishing. As the mechanical polishing method, for example, a method of performing brushing polishing on the surface of the interlayer insulating layer 3 using a scotch bright or a brass brush or the like, or the above-described sand blasting treatment is used. As the chemical polishing method, for example, when the material of the interlayer insulating layer 3 is an epoxy resin, a method of performing surface etching by performing an etching treatment in a potassium permanganate solution and the like can be mentioned.

【００３８】次いで図１（ｅ）に示すように導電層７を
形成する。本発明においては、層間絶縁層３に以下に示
すような処理を行うことにより、従来のような無電解め
っき工程を経ることなく、直接、電解めっき処理を行っ
ても均一な導電層７を形成することができ、製造効率を
大幅に向上させることができる。Next, a conductive layer 7 is formed as shown in FIG. In the present invention, by performing the following treatment on the interlayer insulating layer 3, a uniform conductive layer 7 can be formed even if the electrolytic plating treatment is directly performed without going through the conventional electroless plating process. And the manufacturing efficiency can be greatly improved.

【００３９】すなわち、まず層間絶縁層３を酸化処理し
て層間絶縁層３の表面をマイクロエッチングする。酸化
処理は、例えば過マンガン酸ナトリウムまたは過マンガ
ン酸カリウム１〜１０％、水酸化カリウムまたは水酸化
ナトリウム０．５〜５％程度添加した水溶液中に温度５
０〜９５℃、１〜１５分間程度浸漬することにより行
う。水溶液中に必要により界面活性剤を添加してもよ
い。That is, first, the interlayer insulating layer 3 is oxidized, and the surface of the interlayer insulating layer 3 is micro-etched. The oxidation treatment may be performed, for example, by adding an aqueous solution containing about 1 to 10% of sodium permanganate or potassium permanganate and about 0.5 to 5% of potassium hydroxide or sodium hydroxide at a temperature of 5%.
This is performed by immersion at 0 to 95 ° C. for 1 to 15 minutes. If necessary, a surfactant may be added to the aqueous solution.

【００４０】酸化処理後、中和処理、水洗した後、パラ
ジウムコロイドを分散させた水分散液を付与させること
により、基材表面がより活性化され後の直接電解めっき
によるめっき層形成の際に、基材との密着性を向上させ
ることができる。パラジウムコロイドは良好な分散性を
得るために０．０１〜１μｍ程度の粒径であることが好
ましく、濃度は０．５〜１０ｇ／ｌ程度とすることが好
ましい。After the oxidation treatment, neutralization treatment, and washing with water, an aqueous dispersion in which palladium colloid is dispersed is applied, so that the surface of the base material is more activated. In addition, the adhesion to the substrate can be improved. The palladium colloid preferably has a particle size of about 0.01 to 1 μm in order to obtain good dispersibility, and the concentration is preferably about 0.5 to 10 g / l.

【００４１】所望により、これにさらに銀、錫、インジ
ウム、ニッケル、銅、金、コバルト、亜鉛またはカドミ
ウムの中から選ばれる少なくとも１種の可溶性金属化合
物（合金化金属化合物）を含むことができ、中でも硫化
錫が特に好ましい。また、パラジウムコロイドや可溶性
金属化合物をキレート化するためのキレート化剤を添加
してもよい。If desired, this may further comprise at least one soluble metal compound (alloying metal compound) selected from silver, tin, indium, nickel, copper, gold, cobalt, zinc or cadmium, Among them, tin sulfide is particularly preferred. Further, a chelating agent for chelating a palladium colloid or a soluble metal compound may be added.

【００４２】キレート化剤としては、塩化パラジウム、
合金化金属化合物をキレート化し得るものであれば、特
に限定されるものでなく、具体的には、例えばケリダム
酸、オロチン酸、ヒダントインカルボン酸、スクシンイ
ミドカルボン酸、２−ピロリドン−５−カルボン酸、カ
ルボキシヒドロキシピリジン、カルボキシカプロラクタ
ム、ピコリン酸またはジピコリン酸、カルボキシキサン
チン、キノリンカルボン酸またはジカルボン酸、リグニ
ン、バニリン、９−イミダジリドン−４−カルボン酸、
アンモニア、アミン、アミノ酸、ＥＤＴＡ塩化ナトリウ
ム、水酸化アンモニウムや他の水酸化化合物（例えば、
水酸化アルカリなど）のような塩基等が例示され、これ
らの中でもケリダム酸、オロチン酸、２−ピロリドン−
５−カルボン酸が特に好ましい。これらキレート化剤は
１種あるいは２種以上を組み合わせて用いられる。キレ
ート化剤の濃度は、パラジウムコロイドおよび合金金属
化合物が分散されている状態を維持できる程度であれば
よい。As the chelating agent, palladium chloride,
It is not particularly limited as long as it can chelate the alloyed metal compound.Specifically, for example, kelidamic acid, orotic acid, hydantoin carboxylic acid, succinimide carboxylic acid, 2-pyrrolidone-5-carboxylic acid, Carboxyhydroxypyridine, carboxycaprolactam, picolinic acid or dipicolinic acid, carboxyxanthine, quinolinecarboxylic or dicarboxylic acid, lignin, vanillin, 9-imidaziridone-4-carboxylic acid,
Ammonia, amines, amino acids, sodium EDTA chloride, ammonium hydroxide and other hydroxylated compounds (e.g.,
Bases such as alkali hydroxide), and among these, kelidamic acid, orotic acid, 2-pyrrolidone-
5-carboxylic acids are particularly preferred. These chelating agents are used alone or in combination of two or more. The concentration of the chelating agent may be such that the colloidal palladium and the alloy metal compound can be maintained in a dispersed state.

【００４３】また、電解質は、キレート化剤と金属錯体
を可溶化するに必要な程度のアルカリ性であることが必
要で、通常ｐＨ８〜１４程度であるが、望ましくは１２
〜１４である。The electrolyte is required to be alkaline enough to solubilize the chelating agent and the metal complex, and usually has a pH of about 8 to 14, preferably about 12 to 12.
~ 14.

【００４４】パラジウムコロイドへの接触は、１０〜６
０℃程度で行うことができ、好ましくは３０〜５０℃程
度である。また、接触時間は５〜１０分間程度行えば本
発明の効果を得るに十分である。The contact with the palladium colloid is 10-6.
It can be carried out at about 0 ° C, preferably about 30 to 50 ° C. A contact time of about 5 to 10 minutes is sufficient for obtaining the effects of the present invention.

【００４５】次いで酸処理後、電解めっき処理を行う。
電解めっき処理は従来より行われている公知の方法によ
り行うことができる。電解めっき浴組成としては、例え
ば硫酸銅、ピロリン酸銅等の各種めっき浴を用いること
ができる。これに１〜１５０Ａ／ｆｔ²程度の電流をか
け、０．５〜２時間程度浸漬することによって、均一な
導電層７を形成することができる。Next, after the acid treatment, an electrolytic plating treatment is performed.
The electrolytic plating can be performed by a conventionally known method. Various plating baths such as copper sulfate and copper pyrophosphate can be used as the composition of the electrolytic plating bath. A uniform conductive layer 7 can be formed by applying a current of about 1 to 150 A / ft ^{2 and} immersing it for about 0.5 to 2 hours.

【００４６】層間絶縁層３に触媒毒が添加されている場
合には、図１（ｅ’）に示すようにバイアホール５内に
のみ導電層７が形成される。When the catalyst poison is added to the interlayer insulating layer 3, the conductive layer 7 is formed only in the via hole 5 as shown in FIG.

【００４７】以後、層間絶縁層上３に新たに上層配線パ
ターンを形成し、さらにその上に層間絶縁層、バイアホ
ール、導電層を形成（以上、いずれも図示せず）するこ
とにより、多層配線板を形成することができる。Thereafter, a new upper wiring pattern is formed on the interlayer insulating layer 3 and an interlayer insulating layer, a via hole, and a conductive layer are further formed thereon (all of which are not shown), thereby forming a multilayer wiring pattern. A plate can be formed.

【００４８】なお、上記において、複数層の配線パター
ンを互いに電気的に接続するためのものとしてバイアホ
ールを例にとって、これをサンドブラスト処理すること
について説明したが、本発明においては、複数層の配線
パターンを互いに電気的に接続するための導通部をなす
ものであれば、特にバイアホールに限定されることな
く、例えば溝状をなすものやスルーホール（貫通孔）等
についても、上記バイアホールと同様にサンドブラスト
処理、電解めっき処理を行うことができる。In the above description, the via hole has been described as an example for electrically connecting the wiring patterns of a plurality of layers to each other. As long as it forms a conductive portion for electrically connecting the patterns to each other, it is not particularly limited to a via hole. Similarly, sandblasting and electrolytic plating can be performed.

【００４９】また、このようにサンドブラスト処理によ
り形成した導通部に電解めっき処理等により導電材を埋
めてもよく、この場合においても、サンドブラスト処理
により導電材と導通部との密着性を向上させ、ピール強
度を高めることができる。The conductive portion formed by the sandblasting process may be filled with a conductive material by electrolytic plating or the like. In this case, the adhesion between the conductive material and the conductive portion is improved by the sandblasting process. Peel strength can be increased.

【００５０】[0050]

【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれによってなんら限定されるもの
でない。Next, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited thereto.

【００５１】（実施例１〜３、比較例１〜３）層間絶縁
層を形成するための成分として、表１に示す配合組成に
従って各成分を３本ロールミルを用いて混練し、絶縁性
組成物を得た。この絶縁性組成物を１００メッシュ／イ
ンチのポリエステル製スクリーンを用いて、あらかじめ
銅配線パターンが形成された、厚さ１ｍｍのガラス−エ
ポキシ樹脂積層基板上に、乾燥後の膜厚が５０μｍとな
るようにスクリーン印刷後、実施例１および２について
は１５０℃で５０分間加熱硬化させ、実施例３について
は塗膜を８０℃、５０分間予備乾燥し、超高圧水銀灯露
光機「ＨＴＥ１０２Ｓ」（ハイテック（株）製）を用い
て５００ｍＪ／ｃｍ² の露光量で紫外線を全面照射し、
さらに１５０℃で５０分間加熱硬化させた。(Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3) As components for forming an interlayer insulating layer, each component was kneaded using a three-roll mill in accordance with the composition shown in Table 1 to form an insulating composition. I got Using a 100-mesh / inch polyester screen, the insulating composition was dried on a glass-epoxy resin laminated substrate having a thickness of 1 mm on which a copper wiring pattern had been formed in advance so that the film thickness after drying was 50 μm. After screen printing, Examples 1 and 2 were heat-cured at 150 ° C. for 50 minutes, and in Example 3, the coating film was pre-dried at 80 ° C. for 50 minutes, and an ultra-high pressure mercury lamp exposure machine “HTE102S” (Hitec Corporation) )), The entire surface is irradiated with ultraviolet light at an exposure amount of 500 mJ / cm ² ,
Further, it was cured by heating at 150 ° C. for 50 minutes.

【００５２】[0052]

【表１】 なお、表１中の商品名は、以下の各組成を示す。 ・「Ｎ−６７３」：ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂 （ＤＩＣ（株）製） ・「エピコート８２８」：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 （シェル化学（株）製） ・「ＴＥＰＩＣ−ＳＰ」：トリグリシジルエーテルイソシアヌレート （日産化学（株）製） ・「ＴＣＲ１０２５」： トリフェニルメタン型エポキシアクリレート酸無水 物付加物（酸価100 、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテ ート25重量％、スワゾール1500（後述）10重量％含有） （日本化薬（株）製） ・「ＤＰＨＡ」：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート （日本化薬（株）製） ・「ＴＭＰＴＡ」：トリメチロールプロパントリアクリレート （日本化薬（株）製） ・「ＤＩＣＹ」：ジシアンジアミド（エポキシ硬化剤） （日本カーバイド（株）製） ・「２ＭＺ・Ａ」：２−メチルイミダゾールアジン（エポキシ硬化剤） （四国化成（株）製） ・「イルガキュアー９０７」：２−メチル−［４−（メチルチオ）］フェニル −２−モルホリノ−１−プロパン （チバ・ガイギー（株）製） ・「カヤキュアーＤＴＥＸ」：ジエチルチオキサントン（日本化薬（株）製） ・「ＤＰＭ」：ジプロピレングコールモノメチルエーテル （ダウ・ケミカル（株）製） ・「スワゾール１５００」：ソルベントナフサ （丸善石油化学（株）製） ・「ジグリコールアセテート」：ジエチレングリコールモノエチルエーテル アセテート （ダイセル化学（株）製） ・「ＰＧＭＡｃ」：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート （ダウ・ケミカル（株）製） ・「ＫＳ−６６」：シリコーンオイル （信越化学（株）製） ・「モダフロー」：レベリング剤 （モンサント（株）製） ・「リオノールグリーン２ＹＳ」：着色顔料 （東洋インキ製造（株）製） ・「ミクロエースＰ−４」：タルク（無機フィラー）（日本タルク（株）製） ・「アエロジル＃２００」：微粉末シリカ （日本アエロジル（株）製） ・「硫酸バリウムＢ−３１」：無機フィラー （堺化学（株）製） その後、層間絶縁層上に耐サンドブラスト性を有する被
膜として、感光性ドライフィルム「ＯＲＤＹＬ ＢＦ−
６０３」（東京応化工業（株）製）を７０℃で熱圧着さ
せた。次いで、所要のマスクパターンを介して、上述の
超高圧水銀灯露光機「ＨＴＥ１０２Ｓ」（ハイテック
（株）製）を用いて３００ｍＪ／ｃｍ² の露光量で紫外
線を照射し、３０℃、０．２％炭酸ナトリウム水溶液に
て４０秒間、１．２ｋｇ／ｃｍ² のスプレー圧でスプレ
ー現像した。[Table 1] In addition, the brand name in Table 1 shows each following composition. -"N-673": o-cresol novolak type epoxy resin (manufactured by DIC Corporation)-"Epicoat 828": bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Shell Chemical Co., Ltd.)-"TEPIC-SP": triglycidyl ether Isocyanurate (manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.) "TCR1025": triphenylmethane type epoxy acrylate anhydride adduct (acid value 100, diethylene glycol monomethyl ether acetate 25% by weight, swazole 1500 (described later) 10% by weight (Manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) "DPHA": dipentaerythritol hexaacrylate (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) "TMPTA": trimethylolpropane triacrylate (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) DICY ": dicyandiamide (epoxy curing agent) (manufactured by Nippon Carbide Co., Ltd.) "2MZ.A": 2-methylimidazole azine (epoxy curing agent) (manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.) "Irgacure 907": 2-methyl- [4- (methylthio)] phenyl-2-morpholino- 1-propane (manufactured by Ciba Geigy Corporation) "Kayacure DTEX": diethylthioxanthone (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) "DPM": dipropylene glycol monomethyl ether (manufactured by Dow Chemical Company, Ltd.) "Swazol 1500": Solvent naphtha (Maruzen Petrochemical Co., Ltd.) "Diglycol acetate": Diethylene glycol monoethyl ether acetate (Daicel Chemical Co., Ltd.) "PGMAc": Propylene glycol monomethyl ether acetate (Dow Chemical)・ KS-66: Silicone oil・ Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ・ Modaflow: Leveling agent (Monsanto Co., Ltd.) ・ Lionol Green 2YS: Colored pigment (Toyo Ink Mfg. Co., Ltd.) ・ Micro Ace P-4: Talc (Inorganic filler) (manufactured by Nippon Talc Co., Ltd.) "Aerosil # 200": finely divided silica (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) "Barium sulfate B-31": inorganic filler (manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd.) A photosensitive dry film “ORDYL BF-” is used as a film having sandblast resistance on an interlayer insulating layer.
603 "(manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 70 ° C. Then, ultraviolet rays were irradiated at an exposure amount of 300 mJ / cm ² through the required mask pattern using the above-mentioned ultra-high pressure mercury lamp exposure machine “HTE102S” (manufactured by Hitec Co., Ltd.) at 30 ° C. and 0.2% Spray development was performed with a sodium carbonate aqueous solution for 40 seconds at a spray pressure of 1.2 kg / cm ² .

【００５３】その後、サンドブラスト機「ＳＣ−２０
２」（不二製作所製）を使用して、粒径２５μｍの炭化
ケイ素を研削材として、ブラスト圧２．５ｋｇ／ｃｍ²
で６分間サンドブラスト処理を行い、３重量％水酸化ナ
トリウム水溶液を用い４５℃、２分間スプレーすること
により、耐サンドブラスト性を有する被膜を剥離した。Thereafter, a sand blast machine “SC-20”
2 "(manufactured by Fuji Seisakusho) using silicon carbide having a particle size of 25 μm as an abrasive and a blast pressure of 2.5 kg / cm ^2.
For 6 minutes, and sprayed with a 3% by weight aqueous solution of sodium hydroxide at 45 ° C. for 2 minutes to peel off the sandblast-resistant coating.

【００５４】耐サンドブラスト性を有する被膜を剥離し
た後、水洗し、粒径２５μｍの炭化ケイ素を研削材とし
て、上述のサンドブラスト機を使用して、ブラスト圧
２．５ｋｇ／ｃｍ² で１分間サンドブラスト処理を行
い、層間絶縁層表面およびバイアホール内を粗化し、得
られた基板を、前処理として温度５０℃、１０ｇ／ｌの
水酸化ナトリウム水溶液に５分間浸漬させ、下記組成の
水溶液に８０℃、６分間浸漬させてマイクロエッチング
処理を施した。 （水溶液組成） 過マンガン酸カリウム ５０ｇ 水酸化カリウム ２０ｇ 水 １０００ｇ その後、基材をピロリン酸銅浴中で下記条件により銅め
っき処理を施した。 （ピロリン酸めっき浴） ピロリン酸銅 ６０〜８０ｇ／ｌ ピロリン酸カリウム ２５０〜４００ｇ／ｌ アンモニア水 ０．５〜１ｍｌ／ｌ 光沢剤 適量 （処理条件） 処理温度 ５０〜６０℃ 陰極電流密度 ３０〜５０Ａ／ｆｔ² 上記銅めっき処理により基材表面に厚さ２５μｍの導電
層を形成した。なお、めっき時間は３５分間であった。After the film having the sandblast resistance is peeled off, the film is washed with water, and sandblasted at a blast pressure of 2.5 kg / cm ² for 1 minute using silicon carbide having a particle size of 25 μm as an abrasive using the above sandblasting machine. The surface of the interlayer insulating layer and the inside of the via hole are roughened, and the obtained substrate is immersed in a 10 g / l aqueous solution of sodium hydroxide for 5 minutes at a temperature of 50 ° C. as a pretreatment. The micro-etching process was performed by immersion for 6 minutes. (Aqueous solution composition) Potassium permanganate 50 g Potassium hydroxide 20 g Water 1000 g Then, the substrate was subjected to copper plating treatment in a copper pyrophosphate bath under the following conditions. (Pyrophosphate plating bath) Copper pyrophosphate 60 to 80 g / l Potassium pyrophosphate 250 to 400 g / l Ammonia water 0.5 to 1 ml / l Brightener Appropriate amount (Processing conditions) Processing temperature 50 to 60 ° C Cathode current density 30 to 50A / Ft ² A conductive layer having a thickness of 25 μm was formed on the surface of the substrate by the copper plating treatment. The plating time was 35 minutes.

【００５５】比較例１〜３については、厚さ１ｍｍのガ
ラス−エポキシ樹脂積層基板上に乾燥後の膜厚が５０μ
ｍとなるように絶縁性組成物をスクリーン印刷後、塗膜
を８０℃、５０分間予備乾燥し、マスクパターンを介し
て超高圧水銀灯露光機「ＨＴＥ１０２Ｓ」（ハイテック
（株）製）を用いて５００ｍＪ／ｃｍ² の露光量で紫外
線を照射した。次に、３０℃、１％炭酸ナトリウム水溶
液にて４０秒間、１．２ｋｇ／ｃｍ² のスプレー圧でス
プレー現像した後、上述の超高圧水銀灯露光機を用い、
５Ｊ／ｃｍ² の紫外線を照射し、１５０℃で５０分間加
熱硬化させた。In Comparative Examples 1 to 3, the film thickness after drying was 50 μm on a glass-epoxy resin laminated substrate having a thickness of 1 mm.
m and then pre-dried the coating at 80 ° C. for 50 minutes, and through a mask pattern, using an ultra-high pressure mercury lamp exposure machine “HTE102S” (manufactured by Hitec Co., Ltd.) at 500 mJ. UV light was applied at an exposure dose of / cm ² . Next, after performing spray development at 30 ° C. and a 1% aqueous solution of sodium carbonate for 40 seconds at a spray pressure of 1.2 kg / cm ² , using the above-mentioned ultra-high pressure mercury lamp exposure machine,
The film was irradiated with an ultraviolet ray of 5 J / cm ² and cured by heating at 150 ° C. for 50 minutes.

【００５６】比較例１および３については、前処理とし
て温度５０℃、１０ｇ／ｌの水酸化ナトリウム水溶液に
５分間浸漬させ、下記組成の水溶液に８０℃、６分間浸
漬させてマイクロエッチング処理を施した。 （水溶液組成） 過マンガン酸カリウム ５０ｇ 水酸化カリウム ２０ｇ 水 １０００ｇ その後、各基材を下記組成のめっき浴により無電解めっ
き処理を施した。 （無電解めっき浴組成） 銅（硫酸銅として供給） ２．８ｇ／ｌ ホルムアルデヒド ３．５ｇ／ｌ 水酸化ナトリウム １０〜１１ｇ／ｌ ＥＤＴＡ 適量 上記無電解銅めっき処理により基材表面に厚さ２５μｍ
の導電層を形成した。なお、めっき時間は１５時間であ
った。In Comparative Examples 1 and 3, microetching treatment was performed by immersing in a 10 g / l aqueous solution of sodium hydroxide for 5 minutes at 50 ° C. for 5 minutes and immersing in an aqueous solution having the following composition at 80 ° C. for 6 minutes. did. (Aqueous solution composition) Potassium permanganate 50 g Potassium hydroxide 20 g Water 1000 g After that, each base material was subjected to electroless plating with a plating bath having the following composition. (Electroless plating bath composition) Copper (supplied as copper sulfate) 2.8 g / l Formaldehyde 3.5 g / l Sodium hydroxide 10 to 11 g / l EDTA appropriate amount 25 μm thick on the substrate surface by the above electroless copper plating treatment
Was formed. The plating time was 15 hours.

【００５７】得られた基板について、バイアホール形
状、アンダーカット、絶縁抵抗値、はんだ耐熱性、絶縁
抵抗値、ピール強度、および表面硬度を評価した。結果
を表２に示す。評価方法 ： ［バイアホール形状］基板を切断し、バイアホールの断
面形状を観察した。 ［アンダーカット］切断した基板のバイアホールについ
て、層間絶縁層と配線パターンとの接面部分のバイアホ
ールの状態を観察した。 ［はんだ耐熱性］フラックスを塗布後、２６０℃のはん
だ浴中に１０秒間浸漬を５回繰り返した後の感光性樹脂
層の状態を観察し、下記基準により評価した。 （評価基準） 良好： はんだ浴を５回行った後もまったく変化がみら
れなかった 不良： はんだ浴を１回行った後、硬化した感光性樹脂
層の一部にハガレが発生した。 ［絶縁抵抗値］得られた基板を８５℃、湿度９０％、Ｄ
Ｃ１００Ｖの条件で１０００時間曝した後、「ハイ・レ
ジスタンス・メーター（High Resistance Meter ）４３
３９Ａ」（ヒューレットパッカード（株）製）を用いて
抵抗値を測定した。The obtained substrate was evaluated for via hole shape, undercut, insulation resistance, solder heat resistance, insulation resistance, peel strength, and surface hardness. Table 2 shows the results. Evaluation method : [Via hole shape] The substrate was cut, and the cross-sectional shape of the via hole was observed. [Undercut] With respect to the via hole of the cut substrate, the state of the via hole at the interface between the interlayer insulating layer and the wiring pattern was observed. [Solder Heat Resistance] After applying the flux, the photosensitive resin layer was repeatedly immersed in a 260 ° C. solder bath for 10 seconds five times, and the state was observed and evaluated according to the following criteria. (Evaluation Criteria) Good: No change was observed even after performing the solder bath 5 times. Bad: After the solder bath was performed once, peeling occurred in a part of the cured photosensitive resin layer. [Insulation resistance value] The obtained substrate was heated at 85 ° C, 90% humidity, and D
After exposure for 1000 hours under the condition of C100V, "High Resistance Meter" 43
39A "(manufactured by Hewlett-Packard Co., Ltd.).

【００５８】＞１０¹²： １×１０¹²Ω・ｃｍを超える
絶縁抵抗値を有する ＜１０¹¹： １×１０¹¹Ω・ｃｍ未満の絶縁抵抗値であ
った ［ピール強度］ＪＩＳ Ｈ ８６４６に準じて測定し
た。> 10 ¹² : Insulation resistance value exceeding 1 × 10 ¹² Ω · cm <10 ¹¹ : Insulation resistance value less than 1 × 10 ¹¹ Ω · cm [Peel strength] According to JIS H 8646 It was measured.

【００５９】[0059]

【表２】 （実施例４）実施例１において、層間絶縁層を形成する
ための成分として、さらに触媒毒として２−メルカプト
ベンゾチアゾール１０重量部を加えて３本ロールミルを
用いて混練し、絶縁性組成物を得た。この絶縁性組成物
を１００メッシュ／インチのポリエステル製スクリーン
を用いて、あらかじめ銅配線パターンが形成された厚さ
１ｍｍのガラス−エポキシ樹脂積層基板上に、乾燥後の
膜厚が２５μｍとなるようにスクリーン印刷後、サンド
ブラスト処理時間を３分間とした以外は、以下、実施例
１と同様にして、層間絶縁層の所要箇所にバイアホール
を形成した。次に、得られた基板を実施例１〜３と同様
にして、前処理、マイクロエッチング処理、および直接
電解めっきし、バイアホール部分に厚さ２５μｍの導電
層を充填形成することができた。層間絶縁層表面には電
解めっきによる銅の付着や変色はみられず、きわめて平
坦な表面が得られた。なお、めっき時間は２０分間であ
った。[Table 2] (Example 4) In Example 1, 10 parts by weight of 2-mercaptobenzothiazole was further added as a catalyst poison as a component for forming an interlayer insulating layer, and the mixture was kneaded using a three-roll mill to prepare an insulating composition. Obtained. This insulating composition was coated on a glass-epoxy resin laminated substrate having a thickness of 1 mm on which a copper wiring pattern was formed in advance using a 100-mesh / inch polyester screen so that the film thickness after drying was 25 μm. After the screen printing, via holes were formed in required portions of the interlayer insulating layer in the same manner as in Example 1 except that the sandblasting time was 3 minutes. Next, in the same manner as in Examples 1 to 3, the obtained substrate was subjected to pretreatment, microetching treatment, and direct electrolytic plating, whereby a conductive layer having a thickness of 25 μm could be filled in the via holes. No copper adhesion or discoloration due to electrolytic plating was observed on the surface of the interlayer insulating layer, and an extremely flat surface was obtained. The plating time was 20 minutes.

【００６０】（実施例５）実施例１において、絶縁性組
成物を１００メッシュ／インチのポリエステル製スクリ
ーンを用いて、あらかじめ銅配線パターンが形成された
厚さ１ｍｍのガラス−エポキシ樹脂積層基板上に、乾燥
後の膜厚が２０μｍとなるようにスクリーン印刷後、１
５０℃で５０分間加熱硬化させて層間絶縁層を形成し、
耐サンドブラスト性を有する被膜として、感光性ドライ
フィルム「ＯＲＤＹＬ ＢＦ−６０３」（東京応化工業
（株）製）を７０℃で熱圧着させた。次いで、２０μｍ
パターン／２０μｍスペースの線幅を再現し得るマスク
パターンを介して、上述の超高圧水銀灯露光機「ＨＴＥ
１０２Ｓ」（ハイテック（株）製）を用いて３００ｍＪ
／ｃｍ² の露光量で紫外線を照射し、３０℃、０．２％
炭酸ナトリウム水溶液にて４０秒間、１．２ｋｇ／ｃｍ
² のスプレー圧でスプレー現像した。Example 5 In Example 1, the insulating composition was applied onto a 1 mm-thick glass-epoxy resin laminated substrate on which a copper wiring pattern had been formed in advance using a 100-mesh / inch polyester screen. After screen printing so that the film thickness after drying becomes 20 μm, 1
Heat cured at 50 ° C. for 50 minutes to form an interlayer insulating layer,
A photosensitive dry film “ORDYL BF-603” (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was thermocompressed at 70 ° C. as a coating having sandblast resistance. Then, 20 μm
Through a mask pattern capable of reproducing a line width of a pattern / 20 μm space, the above-described ultra-high pressure mercury lamp exposure apparatus “HTE
102S "(manufactured by Hitec Co., Ltd.)
UV irradiation at an exposure of 30 / cm ² , 30%, 0.2%
1.2 kg / cm for 40 seconds in aqueous sodium carbonate solution
Spray development was performed at a spray pressure of ² .

【００６１】その後、サンドブラスト機「ＳＣ−２０
２」（不二製作所製）を使用して、粒径５μｍの炭化珪
素を研削材として、ブラスト圧２．５ｋｇ／ｃｍ² で２
分間サンドブラスト処理を行い、３重量％水酸化ナトリ
ウム水溶液を用い４５℃、２分間スプレーすることによ
り、耐サンドブラスト性を有する被膜を剥離した。Thereafter, the sand blast machine “SC-20”
2 "(manufactured by Fuji Manufacturing Co., Ltd.) at a blast pressure of 2.5 kg / cm ² using silicon carbide having a particle size of 5 μm as an abrasive
A sandblasting treatment was carried out for 5 minutes, and a coating having a sandblast resistance was peeled off by spraying with a 3% by weight aqueous solution of sodium hydroxide at 45 ° C. for 2 minutes.

【００６２】耐サンドブラスト性を有する被膜を剥離し
た後、粒径５μｍの炭化ケイ素を研削材として、上述の
サンドブラスト機を使用して、ブラスト圧２．５ｋｇ／
ｃｍ² で１０秒間サンドブラスト処理を行い、層間絶縁
層表面を粗化し、得られた基板を実施例１〜３と同様に
して前処理、マイクロエッチング処理、および直接電解
めっきし、バイアホール部分に厚さ５μｍの導電層を形
成した。層間絶縁層に欠けや剥れはみられず、また導通
部には断線による導通不良や短絡はみられなかった。な
お、めっき時間は７分間であった。After the film having the sandblast resistance was peeled off, the blast pressure was set at 2.5 kg / using the above-mentioned sandblasting machine using silicon carbide having a particle size of 5 μm as an abrasive.
cm ² at performed 10 seconds sandblasting, roughening of the interlayer insulating layer surface, pre-treated the resulting substrate in the same manner as in Example 1-3, the micro-etching process, and direct electroplating, the thickness in the via hole portion A conductive layer having a thickness of 5 μm was formed. No chipping or peeling was observed in the interlayer insulating layer, and no conduction failure or short circuit due to disconnection was observed in the conduction portion. The plating time was 7 minutes.

【００６３】（比較例４）比較例１において、絶縁性組
成物を１００メッシュ／インチのポリエステル製スクリ
ーンを用いて、あらかじめ銅配線パターンが形成された
厚さ１ｍｍのガラス−エポキシ樹脂積層基板上に、乾燥
後の膜厚が２０μｍとなるようにスクリーン印刷後、塗
膜を８０℃、５０分間予備乾燥し、２０μｍパターン／
２０μｍスペースの線幅を再現し得るマスクパターンを
介して、上述の超高圧水銀灯露光機「ＨＴＥ１０２Ｓ」
（ハイテック（株）製）を用いて５００ｍＪ／ｃｍ² の
露光量で紫外線を照射した。次に、３０℃、１％炭酸ナ
トリウム水溶液にて４０秒間、１．２ｋｇ／ｃｍ² のス
プレー圧でスプレー現像したが、層間絶縁層に部分的に
欠けがみられた。上述の超高圧水銀灯露光機を用い２Ｊ
／ｃｍ² の紫外線を照射した後、１５０℃で５０分間加
熱硬化させ、得られた基板を比較例１〜３と同様の無電
解めっき処理液に１時間浸漬することにより無電解めっ
きし、厚さ５μｍの導電層を形成したが、導通部以外に
一部短絡がみられた。(Comparative Example 4) In Comparative Example 1, the insulating composition was coated on a glass-epoxy resin laminated substrate having a thickness of 1 mm in which a copper wiring pattern was formed in advance using a 100-mesh / inch polyester screen. After screen printing so that the film thickness after drying becomes 20 μm, the coating film is pre-dried at 80 ° C. for 50 minutes to obtain a 20 μm pattern /
Through a mask pattern capable of reproducing a line width of 20 μm space, the above-mentioned ultra-high pressure mercury lamp exposure machine “HTE102S”
Ultraviolet rays were irradiated at an exposure amount of 500 mJ / cm ² using (Hi-Tech Co., Ltd.). Next, the film was spray-developed with a 1% aqueous solution of sodium carbonate at 30 ° C. for 40 seconds at a spray pressure of 1.2 kg / cm ² , and the interlayer insulating layer was partially chipped. 2J using the above high pressure mercury lamp exposure machine
/ After irradiation with ultraviolet rays cm ^2, then heat cured for 50 minutes at 0.99 ° C., and electroless plating by immersing 1 hour the resulting substrate in an electroless plating solution as in Comparative Example 1-3, the thickness Although a conductive layer having a thickness of 5 μm was formed, short-circuits were partially observed at portions other than the conductive portions.

【００６４】[0064]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明に本発明方
法によれば、無電解めっきを行うことなく直接電解めっ
きにより均一な導電層を形成することができるので、製
造効率を向上させることができる。さらに層間絶縁層と
めっき導電層との密着性に優れ、高耐熱性であり、信頼
性の高い多層配線板を安価に、しかも環境上安全に、か
つ効率よく提供することができる。As described in detail above, according to the method of the present invention, a uniform conductive layer can be formed by direct electrolytic plating without performing electroless plating, thereby improving the production efficiency. be able to. Further, a multilayer wiring board having excellent adhesion between the interlayer insulating layer and the plated conductive layer, high heat resistance, and high reliability can be provided at low cost, and is environmentally safe and efficient.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の多層配線板の製造方法の工程説明図で
ある。FIG. 1 is a process explanatory view of a method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention.

【図２】従来の多層配線板の製造方法を示す説明図であ
る。FIG. 2 is an explanatory view showing a conventional method for manufacturing a multilayer wiring board.

【図３】従来の多層配線板の製造方法を示す説明図であ
る。FIG. 3 is an explanatory view showing a conventional method for manufacturing a multilayer wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１、２１ 基板 ２、２２ 配線パターン ３、２３ 層間絶縁層 ４ 耐サンドブラスト性を有する被膜 ５、２５ バイアホール ７、２６ 導電層 ３０ サイドエッチング DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 21 Substrate 2, 22 Wiring pattern 3, 23 Interlayer insulating layer 4 Coating with sandblast resistance 5, 25 Via hole 7, 26 Conductive layer 30 Side etching

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 城山 泰祐 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Taisuke Shiroyama 150 Nakamurako Nakahara-ku Kawasaki-shi Kanagawa

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板の少なくとも一方の面上に、複数層
の配線パターンと層間絶縁層を有し、該層間絶縁層の所
定箇所に前記配線パターンを互いに電気的に接続するた
めのバイアホールを設けてなる多層配線板の製造方法に
おいて、 前記バイアホールを設けるに際し、層間絶縁層上に耐サ
ンドブラスト性を有する被膜をパターン形成し、次いで
サンドブラスト処理を施すことにより、層間絶縁層を選
択的に除去してバイアホールを形成した後、耐サンドブ
ラスト性を有する被膜を除去し、しかる後に直接電解め
っき処理を施すことにより導電層を設けることを特徴と
する多層配線板の製造方法。1. A semiconductor device comprising: a plurality of wiring patterns and an interlayer insulating layer on at least one surface of a substrate; and a via hole for electrically connecting the wiring patterns to each other at a predetermined position in the interlayer insulating layer. In the method for manufacturing a multilayer wiring board provided, in providing the via hole, a film having a sandblast-resistant property is formed on the interlayer insulating layer by patterning, and then sandblasting is performed to selectively remove the interlayer insulating layer. Forming a via hole, removing a film having sand blast resistance, and then providing a conductive layer by directly performing electrolytic plating. 【請求項２】 耐サンドブラスト性を有する被膜を除去
後、層間絶縁層表面にサンドブラスト処理を施すことに
より層間絶縁層表面を粗化し、しかる後に直接電解めっ
き処理を施すことにより、導電層を設けることを特徴と
する、請求項１記載の多層配線板の製造方法。2. After removing a film having sandblast resistance, the surface of the interlayer insulating layer is roughened by subjecting the surface of the interlayer insulating layer to sandblasting, and then the conductive layer is provided by directly performing electrolytic plating. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein: 【請求項３】 基板の少なくとも一方の面上に、複数層
の配線パターンと層間絶縁層を有し、該層間絶縁層の所
定箇所に前記配線パターンを互いに電気的に接続するた
めの導通部を設けてなる多層配線板の製造方法におい
て、 前記導通部を設けるに際し、層間絶縁層上に耐サンドブ
ラスト性を有する被膜をパターン形成し、次いでサンド
ブラスト処理を施すことにより層間絶縁層を選択的に除
去して導通部を断面視すり鉢状に形成した後、耐サンド
ブラスト性を有する被膜を除去し、しかる後に直接電解
めっき処理を施すことにより、前記導通部に導電材を埋
めることを特徴とする多層配線板の製造方法。3. A substrate having a plurality of wiring patterns and an interlayer insulating layer on at least one surface of a substrate, and a conductive portion for electrically connecting the wiring patterns to each other at a predetermined position of the interlayer insulating layer. In the method for manufacturing a multilayer wiring board provided, in providing the conductive portion, a film having sandblast resistance is pattern-formed on the interlayer insulating layer, and then the interlayer insulating layer is selectively removed by performing sandblasting. Forming a conductive portion in a mortar shape in cross section, removing a film having anti-sand blasting properties, and then directly subjecting the conductive portion to an electroplating process to bury the conductive material in the conductive portion. Manufacturing method. 【請求項４】 前記導通部の断面視すり鉢状に形成する
手段が、サンドブラスト処理である、請求項３記載の多
層配線板の製造方法。4. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 3, wherein the means for forming the conductive portion into a mortar shape in cross section is sandblasting. 【請求項５】 耐サンドブラスト性を有する被膜が感光
性樹脂である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の多
層配線板の製造方法。5. The method for producing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the coating having sandblast resistance is a photosensitive resin. 【請求項６】 耐サンドブラスト性を有する被膜が、ウ
レタン（メタ）アクリレートオリゴマー、水溶性セルロ
ース樹脂、光重合開始剤、および（メタ）アクリレート
モノマーを含有する感光性樹脂である、請求項１〜５の
いずれかに記載の多層配線板の製造方法。6. The film having sandblast resistance is a photosensitive resin containing a urethane (meth) acrylate oligomer, a water-soluble cellulose resin, a photopolymerization initiator, and a (meth) acrylate monomer. The method for producing a multilayer wiring board according to any one of the above. 【請求項７】 層間絶縁層中に、含硫黄有機化合物を含
有してなる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の多層
配線板の製造方法。7. The method for producing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the interlayer insulating layer contains a sulfur-containing organic compound. 【請求項８】 層間絶縁層がエポキシ樹脂、ポリフェノ
ール樹脂、ポリノボラック樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ
イミド樹脂から選ばれた少なくとも１種である、請求項
１〜７のいずれか１項に記載の多層配線板の製造方法。8. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the interlayer insulating layer is at least one selected from an epoxy resin, a polyphenol resin, a polynovolak resin, a polyamide resin, and a polyimide resin. Manufacturing method.