JPH0983013A - 光結合装置及びその製造方法 - Google Patents

光結合装置及びその製造方法

Info

Publication number
JPH0983013A
JPH0983013A JP23680495A JP23680495A JPH0983013A JP H0983013 A JPH0983013 A JP H0983013A JP 23680495 A JP23680495 A JP 23680495A JP 23680495 A JP23680495 A JP 23680495A JP H0983013 A JPH0983013 A JP H0983013A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold body
optical coupling
coupling device
light
lead frames
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23680495A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasushi Hasegawa
也寸志 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP23680495A priority Critical patent/JPH0983013A/ja
Publication of JPH0983013A publication Critical patent/JPH0983013A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 二重トランスファーモールドの光結合装置に
おいて、一次モールド体6形成後、リードフレーム1
a,1bを折曲しこれらを二次モールド体8内に取り込
み、従来よりも小型の光結合装置を提供する。 【課題解決手段】 発光側リードフレーム1aおよび受
光側リードフレーム1bと、前記両リードフレーム1
a,1b上に搭載され、かつ、各々電気的に接続された
発光素子2および受光素子3と、前記両リードフレーム
1a,1bの一部と前記発光素子2及び前記受光素子3
とが透光性樹脂により封止された一次モールド体6と、
前記一次モールド体6を遮光性樹脂により封止する二次
モールド体7を備え、前記両リードフレーム1a,1b
は、前記二次モールド体7内で折曲され、かつ、外部実
装基板13上に面実装できるように前記二次モールド体
7表面に露出してなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光結合装置に関
し、特に入出力間を電気的に絶縁する光結合装置(フォ
トカプラ)に係る構造および製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来技術】従来の光結合装置を図8乃至図10に示
す。
【0003】図8に示す光結合装置は、ドッキングタイ
プと呼ばれるものであり、予め対向することを考慮して
折曲されたリードフレーム1a、1bの載置片に発光素
子2および受光素子3がそれぞれ導電性接着剤例えば、
Agペースト(図示しない)により接着される。次に、
発光素子2および受光素子3からリードフレーム1a、
1bのヘッダー部に金線等のボンディングワイヤ4が打
たれる。その後、これらをスポット溶接あるいはローデ
ィングフレームにセットすることにより、両素子2、3
が略同一光軸上になるように、対向配置される。次に、
透光性樹脂例えば、透明シリコーン樹脂により光学的な
パス(ドッキング)7を作り、遮光性樹脂例えば、フィ
ラー入りのエポキシ樹脂等により二次モールド体8を形
成し、図10の光結合装置となる。
【0004】次に、他の従来技術を用いた光結合装置を
図9に示す。
【0005】図9に示す光結合装置は、二重モールドタ
イプと呼ばれるものであり、ドッキングタイプの光結合
装置と同様に両素子2、3が略同一光軸上になるように
対向配置されているが、発光素子2はジャンクション等
の応力を緩和する目的で透明シリコーン樹脂によるプリ
コート5が施されている。この状態で透光性樹脂例え
ば、半透明エポキシ樹脂にてトランスファーモールドを
行い、一次モールド体6を形成する。更に、不要な樹脂
バリ取りを施した後、遮光性樹脂例えば、難燃性の黒色
のエポキシ樹脂によりトランスファーモールドを行い、
二次モールド体8を形成し外乱光を遮断する。その後、
外装メッキ、フォーミング、絶縁耐圧試験、電気的特性
検査、外観検査、梱包の工程を経て図10の光半導体装
置となる。ここで説明した従来の光結合装置は、いずれ
もSMD(サーフェイス・マウンテッド・デバイス)型
と呼ばれるもので、外部実装基板に対して、表面実装と
いった高密度実装ができるものであるが、光結合装置に
は他にDIP(デュアル・インライン・パッケージ)型
といったものがある。これは、リードフレーム1a、1
bが二次モールド体の二側面からほぼ直角に取り出さ
れ、外部実装基板に挿入される形で実装されるもので、
SMD型に比べると、実装に要するリードフレーム1
a、1bの面積が少ない分、一般的に小型となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光結合装置のうちドッキングタイプは発光素子および受
光素子間に透明樹脂例えば、透明シリコーン樹脂等によ
り充填形成された光学的パス(ドッキング)が施されて
おり、この光学的パスに用いられる透明樹脂と遮光性樹
脂例えば、エポキシ樹脂との密着性が悪いので、二次モ
ールド体との界面で放電が起こり易い。従って、特に、
電源部の一次−二次間の絶縁をまかされる光結合装置に
とっては、高絶縁性を保持するという点で問題であっ
た。
【0007】そこで、近年では上記ドッキングタイプに
変わり、高絶縁性を有する二重モールドタイプの光結合
装置が主流となっている。
【0008】しかし、このタイプは高絶縁性は有する
が、リードフレームと二次モールド体側の界面に沿って
水分等の侵入を防ぐとといった耐湿性の点から二次モー
ルド体の樹脂厚を、ある程度確保せざるを得ず大型とな
る。そのため、小型化という点で課題があった。
【0009】本発明は上記課題に鑑み小型で、且つ高絶
縁性を備えた光結合装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項1記載の光結合装置は、発光側リー
ドフレームおよび受光側リードフレームと、両リードフ
レーム上に搭載され、かつ、各々電気的に接続された発
光素子および受光素子と、両リードフレームの一部と発
光素子及び受光素子とが透光性樹脂により封止された一
次モールド体と、一次モールド体が遮光性樹脂により封
止された二次モールド体を備え、両リードフレームは、
二次モールド体内で折曲され、かつ外部実装基板上に面
実装できるように二次モールド体表面に露出してなるこ
とを特徴とする。
【0011】本発明の請求項2記載の光結合装置は、請
求項1記載の両リードフレームが、二次モールド体内で
折曲され、該二次モールド体底面より突出してなること
を特徴とする。
【0012】本発明の請求項3記載の光結合装置は、二
次モールド体底面に、外部実装基板の貫通孔に係合する
凸部を設けてなることを特徴とする。
【0013】本発明の請求項4記載の光結合装置は、凸
部の、少なくとも根元部分が貫通孔の孔径よりも大なる
ことを特徴とする。
【0014】本発明の請求項5記載の光結合装置の製造
方法は、発光側リードフレームおよび受光側リードフレ
ームと発光素子及び受光素子とを透光性樹脂により封止
し、一次モールド体を形成する工程と、両リードフレー
ムのタイバ部を除去する工程と、両リードフレームを折
曲する工程と、一次モールド体および折曲されたリード
フレームを遮光性樹脂で封止し二次モールド体を形成す
る工程と、二次モールド体から突出する前記両リードフ
レームの不要部分を切断する工程とを備えてなることを
特徴とする。
【0015】以下に上記課題を解決するための手段を用
いた場合の本発明による作用を記載する。
【0016】上記構成によれば、本発明の請求項1記載
の光結合装置は、従来は二次モールド体側面でSMD型
に折曲され、突出していたリードフレーム部分を二次モ
ールド体内に収納することが可能となり小型化が図れ
る。
【0017】本発明の請求項2記載の光結合装置は、従
来は二次モールド体側面でDIP型に折曲され、側面か
ら突出していたリードフレーム部分を、二次モールド体
内から底面に突出させることにより、SMD型の時に要
するリードフレームの幅を比べると側面からの突出しな
い分省スペースとなる為、二次モールド体の樹脂厚が薄
くて済み、更に小型化が図れる。
【0018】本発明の請求項3記載の光結合装置は、二
次モールド体の底面部分に外部実装基板の貫通孔に係合
する凸部を設けているため、実装時の位置決めが確実に
行える。本発明の請求項4記載の光結合装置は、二次モ
ールド体底面に、少なくとも根元部分が外部実装基板の
貫通孔の孔径よりも大きい凸部を設けているので、実装
時、凸部はある一定の深さまで係合し固定される。従っ
て、外部実装基板との間に隙間が生じるので、実装時に
必要なハンダの厚みが確保される。そのため確実な実装
が可能となる。
【0019】本発明の請求項5記載の光結合装置の製造
方法は、一次モールド体形成後に、リードフレームを折
曲するため、リードフレームはその後に形成される二次
モールド体内に収納される。従って、従来の光結合装置
に見られるような側面からリードフレームの突出が無い
分、光結合装置の小型化が図れる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第一の実施の形態
を図1乃至図4に基づいて説明する。
【0021】図1は本発明の第一の実施の形態に係る光
結合装置の斜視図、図2は同じくその断面図、図3
(a)乃至(c)および図4は同じくその製造工程図で
ある。
【0022】図1及び2の如く、本実施の形態の光結合
装置は、発光素子2と、発光素子2が搭載される発光側
リードフレーム1aと、受光素子3と、受光素子3が搭
載される受光側リードフレーム1bと、これら両リード
フレーム1a,1bが光学的に結合するように対向配置
されたものを透光性樹脂にて封止してなる一次モールド
体6と、さらに、遮光性樹脂にて封止してなる二次モー
ルド体8とから構成されている。
【0023】発光素子2および受光素子3は図2の如
く、両リードフレーム1a,1bの載置片にそれぞれ導
電性接着剤例えば、Agペースト(図示しない)により
接着固着される。次に、両リードフレーム1a,1bの
ヘッダー部から各素子2,3へ金線等のボンディングワ
イヤ4が打たれる。その後、これらをスポット溶接ある
いはローディングフレームにセットすることにより、両
素子2、3が略同一光軸上になるように、対向配置され
る。
【0024】発光素子2には、ジャンクション等の応力
を緩和するために透明シリコーン樹脂等によりプリコー
ト5が施されている。これらを、透光性樹脂例えば、半
透明エポキシ樹脂等により封止し、一次モールド体6を
形成後、両リードフレーム1a,1bは面実装が可能と
なるように、SMD(サーフェイス・マウンテッド・デ
バイス)型に折曲形成される。次に、一次モールド体を
遮光性樹脂例えば、難燃性の黒色エポキシ樹脂等にて、
トランスファーモールドし二次モールド体8を一体的に
封止し形成する。両リードフレーム1a,1bは二次モ
ールド体8表面より一部分が露出しているので外部実装
基板13上への面実装が可能となる。また、パッケージ
の大きさも従来から比べて、二次モールド体8の突出が
無い分、小型になる。尚、両リードフレーム1a、1b
は折曲方法を工夫することにより、底面は勿論のこと側
面にも露出させることが可能であり、側面に一定面積を
露出させることにより、外部実装基板13の電極16に
実装する際の側面におけるハンダ15の濡れがよくなり
確実な実装が可能となる。
【0025】上記光結合装置は以下のように製造され
る。
【0026】図3(a)の如く、光学的に結合するよう
に対向配置された両リードフレーム1a,1bを透光性
樹脂によりモールドし、一次モールド体6を形成する。
その後、図3(b)の如く、タイバ部9と一次モールド
体6形成時に生じた樹脂バリとを例えば金型等を用いて
除去する。次に、リードフレーム1a,1bを、図3
(c)の如く、SMD型となるように金型にてフレーム
状態で折曲する。
【0027】次に、図4の如く、これらをトランスファ
ーモールド金型10にセットし、遮光性樹脂にて封止し
二次モールド体8を形成する。その後、外装メッキを施
し、二次モールド体8から出た余分なリードフレーム1
a,1bをカットして製品を形成する。最後に、樹脂漏
れ等により、パッケージ裏面のリードフレーム1a,1
b表面に薄バリが出た場合は、くるみ粉等を用いたブラ
スタ処理や水圧、薬品処理等によりバリ取りを行う。
【0028】以下、本発明の第二の実施の形態を図5お
よび図6に基づいて説明する。
【0029】図5は本発明の第二の実施の形態に係る光
結合装置の断面図である。
【0030】図6は本発明の第二の実施の形態に係る製
造工程の一部を示す図である。
【0031】図5の如く、本実施の形態の光結合装置は
上記の第一の実施の形態で述べたもの同様に、一次モー
ルド体6が形成された後、両リードフレーム1a,1b
はDIP(デュアル・インライン・パッケージ)型にな
るように折曲される。次に、これらを熱可塑性の遮光性
樹脂例えば、PPS(ポリセニレンサルファイド)等に
て、インジェクションモールドし、二次モールド体8を
一体的に封止形成する。この時、両リードフレーム1
a,1bは二次モールド体8底面より突出した構造とな
る。
【0032】従って、S字型にリードフレーム1a,1
bを折曲して小型化を図った第一の実施の形態よりも本
実施の形態のほうが更にパッケージの小型化が図れる。
【0033】上記光結合装置は以下のように製造され
る。
【0034】図6の如く、一次モールド体6とDIP型
に折曲したリードフレーム1a,1bとは、二次モール
ド体8を形成するために金型にセットされる。ここでD
IP型の形状の場合は、金型の左右にスライド型11a
が必要になり、第一の実施の形態で用いたトランスファ
ーモールド金型10では成形不可能である。そこで、イ
ンジェクションモールド金型11a,11bにセット
し、熱可塑性の遮光性樹脂によりインジェクションモー
ルドを行い、二次モールド体8を形成する。その後、外
装メッキを施し、二次モールド体8から出た余分なリー
ドフレーム1a,1bをカットして製品を形成する。以
下、本発明の第三の実施の形態を図7に基づいて説明す
る。
【0035】図7(a)乃至(c)は各々本発明の第三
の実施の形態に係る光結合装置の断面図である。尚、図
面中央部より左半分はリードフレームと外部実装基板と
の結合部を、右半分は凸部と外部実装基板との接合部分
を示している。
【0036】図示の如く、本実施の形態の光結合装置は
二次モールド体8を形成する際に、底面に凸部12を設
けた事が特徴である。
【0037】この凸部12は形状、大きさに係わること
なく種々のものが考えられる。
【0038】例えば、図7(a)の如く、外部実装基板
13に設けられた貫通孔14に完全に係合するものであ
ればよい。これは、外部実装基板13上の電極16に搭
載する際の確実な位置決めの役割を果たす。
【0039】次に、図7(b)の如く、球形の凸部12
を設けることが考えられる。これは、位置決めは勿論の
こと外部実装基板13の貫通孔14の孔径の大きさを調
整することにより凸部12の係合の度合い、つまり、高
さの調節を行うことができる。従って、外部実装基板1
3との間に生じた隙間の分、ハンダ15が光結合装置下
部の電極16へも回り込みハンダ15の厚みが確保でき
るので確実な実装が可能となる。また、この凸部12は
貫通孔14に途中まで係合することを目的としているの
で形状は球形に限らず、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、その他の種々の形状が考え得ることは勿論である。
【0040】更に、凸部12を四隅に設けておけば、よ
り安定した実装を行うことができる。また、図7(c)
の如く、中央の一カ所に設けるといったことも考えられ
る。つまり、凸部12を設ける位置については特に限定
しない。
【0041】
【発明の効果】以上、明らかなように、本発明の請求項
1記載の光結合装置は、従来、二次モールド体側面でS
MD型に折曲され、突出していたリードフレーム部分を
二次モールド体内に収納することにより小型化が図れ
る。
【0042】また、二次モールド体内でリードフレーム
を引き回すので、リードフレームと二次モールド体の界
面に沿って、水分等の侵入する経路が長くなり耐湿性が
向上する。
【0043】本発明の請求項2記載の光結合装置は、従
来、二次モールド体側面でDIP型に折曲され、突出し
ていたリードフレームを二次モールド体内に収納し底面
より突出させることにより、SMD型に比べるで、二次
モールド体の樹脂厚が約10%ほど薄くでき、更に、小
型化が図れるので、チップ部品の高密度実装に適し、本
発明の光結合装置を搭載した装品の小型化も可能とな
る。
【0044】本発明の請求項3記載の光結合装置は、二
次モールド体の底面部分に外部実装基板の貫通孔に係合
する凸部を設けているため実装時の位置決めが確実に行
え、接合不良が発生しにくい。
【0045】本発明の請求項4記載の光結合装置は、二
次モールド体底面に少なくとも根元部が外部実装基板の
貫通孔の孔径よりも大きい凸部を設けているため、貫通
孔の孔径を任意に設定することにより、光結合装置の実
装の高さ調節が可能となる。従って、光結合装置底面と
外部実装基板との間に生じた隙間に、ハンダが十分回り
込むことで外部実装基板上の電極への結合に必要なハン
ダの厚みを十分に確保でき確実な実装が可能になると共
に、後の洗浄工程における洗浄性の向上も図れる。
【0046】本発明の請求項5記載の光結合装置の製造
方法は、一次モールド体形成後に、リードフレームを折
曲するため、リードフレームは、その後に行われる二次
モールド体内に収納される。従って、従来の光結合装置
に見られるような側面からのリードフレームの突出が無
い分、小型化が図れる。よって、簡便な手法により高密
度実装に適した光結合装置を得ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施の形態に係る光結合装置の
斜視図である。
【図2】図1に示す光結合装置の断面図である。
【図3】(a)乃至(c)は本発明の第一の実施の形態
に係る光結合装置の製造工程図である。
【図4】本発明の第一の実施の形態に係る光結合装置の
一次モールド体をトランスファーモールド金型にセット
した図である。
【図5】本発明の第二の実施の形態に係る光結合装置の
断面図である。
【図6】本発明の第二の実施の形態に係る光結合装置の
一次モールド体をインジェクションモールド金型にセッ
トした図である。
【図7】(a)乃至(c)は本発明の光結合装置の二次
モールド体底面に凸部を設けた時の側断面図である。
【図8】従来の光結合装置を示す断面図である。
【図9】他の従来の光結合装置を示す断面図である。
【図10】従来の光結合装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
1a 発光側リードフレーム 1b 受光側リードフレーム 2 発光素子 3 受光素子 6 一次モールド体 7 二次モールド体 9 タイバ部 12 凸部 13 外部実装基板 14 貫通孔

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光側リードフレームおよび受光側リー
    ドフレームと、 前記両リードフレーム上に搭載され、かつ各々電気的に
    接続された発光素子および受光素子と、 前記両リードフレームの一部と前記発光素子及び前記受
    光素子とが透光性樹脂により封止された一次モールド体
    と、 前記一次モールド体が遮光性樹脂により封止された二次
    モールド体を備え、 前記両リードフレームは、前記二次モールド体内で折曲
    され、かつ外部実装基板上に面実装できるように前記二
    次モールド体表面に露出してなることを特徴とする光結
    合装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の前記両リードフレーム
    は、前記二次モールド体内で折曲され、該二次モールド
    体底面より突出してなることを特徴とする光結合装置。
  3. 【請求項3】 前記二次モールド体底面に、前記外部実
    装基板の貫通孔に係合する凸部を設けてなることを特徴
    とする請求項1又は2記載の光結合装置。
  4. 【請求項4】 前記凸部は、少なくとも根元部分が前記
    貫通孔の孔径よりも大なることを特徴とする請求項1乃
    至3記載の光結合装置。
  5. 【請求項5】 発光側リードフレームおよび受光側リー
    ドフレームと発光素子および受光素子とを透光性樹脂に
    より封止し、一次モールド体を形成する工程と、 前記両リードフレームのタイバ部を除去する工程と、 前記両リードフレームを折曲する工程と、 前記一次モールド体および折曲された前記リードフレー
    ムを遮光性樹脂で封止し二次モールド体を形成する工程
    と、 前記二次モールド体から突出する前記両リードフレーム
    の不要部分を切断する工程とを備えてなることを特徴と
    する光結合装置の製造方法。
JP23680495A 1995-09-14 1995-09-14 光結合装置及びその製造方法 Pending JPH0983013A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23680495A JPH0983013A (ja) 1995-09-14 1995-09-14 光結合装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23680495A JPH0983013A (ja) 1995-09-14 1995-09-14 光結合装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0983013A true JPH0983013A (ja) 1997-03-28

Family

ID=17006037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23680495A Pending JPH0983013A (ja) 1995-09-14 1995-09-14 光結合装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0983013A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10163519A (ja) * 1996-10-01 1998-06-19 Toshiba Corp 半導体装置及び半導体装置製造方法
WO2001050540A1 (de) * 1999-12-30 2001-07-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare leuchtdioden-lichtquelle und verfahren zur herstellung einer leuchtdioden-lichtquelle
JP2002057365A (ja) * 2000-08-08 2002-02-22 Nec Corp リードフレームおよびそれを用いて製造した半導体装置並びにその製造方法
US6737680B2 (en) 2001-05-15 2004-05-18 Sharp Kabushiki Kaisha Method and apparatus for fabricating a photocoupler with reduced mount area
US20100219422A1 (en) * 2009-02-27 2010-09-02 Everlight Electronics Co., Ltd. Photo-coupler
JP2013179226A (ja) * 2012-02-29 2013-09-09 Toshiba Corp 光結合装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10163519A (ja) * 1996-10-01 1998-06-19 Toshiba Corp 半導体装置及び半導体装置製造方法
WO2001050540A1 (de) * 1999-12-30 2001-07-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare leuchtdioden-lichtquelle und verfahren zur herstellung einer leuchtdioden-lichtquelle
US7098588B2 (en) 1999-12-30 2006-08-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Surface-mountable light-emitting diode light source and method of producing a light-emitting diode light source
US7534634B2 (en) 1999-12-30 2009-05-19 Osram Gmbh Surface-mountable light-emitting diode light source and method of producing a light-emitting diode light source
JP2002057365A (ja) * 2000-08-08 2002-02-22 Nec Corp リードフレームおよびそれを用いて製造した半導体装置並びにその製造方法
US7291905B2 (en) 2000-08-08 2007-11-06 Nec Electronics Corporation Lead frame, semiconductor device produced by using the same and method of producing the semiconductor device
US6737680B2 (en) 2001-05-15 2004-05-18 Sharp Kabushiki Kaisha Method and apparatus for fabricating a photocoupler with reduced mount area
US20100219422A1 (en) * 2009-02-27 2010-09-02 Everlight Electronics Co., Ltd. Photo-coupler
JP2013179226A (ja) * 2012-02-29 2013-09-09 Toshiba Corp 光結合装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI431738B (zh) 半導體裝置之製造方法
US6410979B2 (en) Ball-grid-array semiconductor device with protruding terminals
JP4066608B2 (ja) パッケージ成形体及びその製造方法
JP3789443B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH1145958A (ja) 表面実装部品及びその製造方法
JPH09181359A (ja) チップ型発光ダイオード
US7268016B2 (en) Method for manufacturing solid-state imaging devices
JP4600124B2 (ja) 半導体パッケージの製造方法
JP2000133761A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR100201168B1 (ko) 반도체 장치와 그의 제조 및 실장방법
CN100433301C (zh) 固态成像器件及其制造方法
JPH0983013A (ja) 光結合装置及びその製造方法
KR19990068199A (ko) 프레임 형상의 몰드부를 갖는 반도체 장치용 패키지 및 그 제조 방법
JP2001035961A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH08186212A (ja) 樹脂封止型電子部品およびリードフレーム
KR100335658B1 (ko) 플라스틱 패캐지의 베이스 및 그 제조방법
JP2000216413A (ja) Bga型透明プラスチック半導体パッケ―ジ
US20170053855A1 (en) Electronic device and method of making same
JP2000299400A (ja) ノンリード・フラットパッケージ型半導体装置
JP4534803B2 (ja) 樹脂パッケージの製造方法
JPH11288844A (ja) 樹脂封止型電子部品及びその製造方法
JP4453447B2 (ja) 固体撮像素子収納パッケージ、および固体撮像素子収納パッケージの製造方法
JP4641762B2 (ja) 光半導体装置
JP2981371B2 (ja) 光結合装置
KR100641511B1 (ko) 고집적 반도체 패키지 및 그 제조 방법