JPH09181359A - チップ型発光ダイオード - Google Patents
チップ型発光ダイオードInfo
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Abstract
つスルーホール内への樹脂の流れ込みを防ぎ、スルーホ
ールの内周面に設けた側面側電極をプリント基板への半
田付けに利用できるようにして、半田付けの固定力を増
大し信頼性の大幅向上を図る。 【解決手段】 絶縁基板21の側面に表面側電極22と
裏面側電極23とを導通するスルーホール24を設ける
一方、表面側電極22に発光ダイオード素子25を実装
すると共に金属細線26によるワイヤボンディングを施
し、これら発光ダイオード素子25及び金属細線26を
透光性樹脂27で封止してなるチップ型発光ダイオード
において、前記スルーホール24の上部を表面側電極2
2に設けたひさし部28で塞いだことを特徴とする。
Description
トベルなど小型の電子機器に搭載される薄型タイプのチ
ップ型発光ダイオードに関する。
として、例えば図12及び図13に示したようなものが
知られている。これらチップ型発光ダイオード1,2
は、いずれも絶縁基板3の表面側と裏面側にそれぞれ一
対の電極4,5を備え、これらをスルーホール6によっ
て導通する一方、表面側電極4の一方に発光ダイオ−ド
素子7を実装し、該発光ダイオ−ド素子7と他方の表面
側電極4とを金属細線8によってワイヤボンディングし
たのち、これらの発光ダイオード素子7及び金属細線8
を透光性樹脂9にて封止したものである。これらのチッ
プ型発光ダイオード1,2は、プリント基板(図示せ
ず)上において裏面側電極5又はスルーホール6の側面
側電極10がプリント配線に半田付けされる。
したチップ型発光ダイオード1は、絶縁基板3の両側の
スルーホール6部分及び表面側電極4の一部を残して透
光性樹脂9で封止されており、側面側電極10をプリン
ト基板に半田付けすることができるようになっている。
しかしながら、この種のチップ型発光ダイオード1の製
造過程において、透光性樹脂9で封止する場合には、図
14に示したように、一枚の大きな基板11上に多数の
発光ダイオード素子7を実装させたのちに金型12を基
板11上に被せ、金型12の空間13内に透光性樹脂9
を注入することで発光ダイオード素子7を樹脂封止する
が、その際に透光性樹脂9がスルーホール6内に流れ込
むのを防止するために、透光性樹脂9とスルーホール6
との間の距離Cを大きくとる必要があり、結果的にチッ
プ型発光ダイオード1が大きくなってしまうといった問
題があった。
ード2は、絶縁基板3の表面全体を透光性樹脂9で封止
する構成となっているために、上述のチップ型発光ダイ
オード1に比べて小型化できるといった利点がある。し
かしながら、透光性樹脂9がスルーホール6内を埋めて
しまっているため、プリント基板に半田付けする際は側
面側電極10が使えなくなってしまい固定力が弱くなる
という課題の他、透光性樹脂9が裏面側電極5まで回り
込み不良品となったり、若干回り込んだものを知らずに
使って固定力のない完成品にしてしまうなどの問題があ
った。
の小型化を保持しつつスルーホール内への樹脂の流れ込
みを防ぎ、スルーホールの内周面に設けた側面側電極を
プリント基板への半田付けに利用できるようにして、半
田付けの固定力を増大し信頼性の大幅向上を図ることを
目的とする。
チップ型発光ダイオードは、絶縁基板の側面に表面側電
極と裏面側電極とを導通するスルーホールを設ける一
方、表面側電極に発光ダイオード素子を実装すると共に
ワイヤボンディングを施し、これら発光ダイオード素子
及びワイヤボンディングを透光性樹脂で封止してなるチ
ップ型発光ダイオードにおいて、前記スルーホールの上
部を表面側電極に設けたひさし部で塞いだことを特徴と
する。
に係るチップ型発光ダイオードの実施例を詳細に説明す
る。図1は本発明に係るチップ型発光ダイオード20の
第1実施例を示したものである。この実施例におけるチ
ップ型発光ダイオード20は、基本的には上記従来例と
同様に、絶縁基板21の表面側と裏面側にそれぞれ一対
の電極22,23を備え、これらを半円状のスルーホー
ル24によって導通する一方、表面側電極22の一方に
発光ダイオ−ド素子25を実装し、該発光ダイオ−ド素
子25と他方の表面側電極22とを金属細線26によっ
てワイヤボンディングしたのち、これらの発光ダイオー
ド素子25及び金属細線26を透光性樹脂27にて封止
したものである。
は、前述のものとは異なってスルーホール24の上部に
表面側電極22の一部が張り出してひさし部28を形成
しており、このひさし部28でスルーホール24の上部
を塞いでいる。このようにスルーホール24の上部がひ
さし部28によって塞がれているために、絶縁基板21
全体を透光性樹脂27で封止したとしても、スルーホー
ル24の内部にまで樹脂が流れ込むといったことがな
い。その結果、スルーホール24の内周面に金属メッキ
で施した側面側電極29を半田付け電極として利用する
ことができる。
チングとレーザ加工によって作ることができる。例え
ば、両面が銅箔張りの絶縁基板の片面に電極パターンを
エッチングによって形成する際、スルーホール部分の銅
箔も一緒に除去する。次いで、この銅箔を除去した部分
にレーザを照射してエポキシ樹脂基板を溶かす。このレ
ーザ加工ではエポキシ樹脂基板のみを溶かすことがで
き、反対側の銅箔はそのまま残すことができる。エポキ
シ樹脂基板を取り除いた後、最後にスルーホールの内周
面に金属メッキを施すことによって、前記図1に示した
ようにスルーホールの上部をひさし部で塞いだ形状とな
る。なお、上記レーザ加工の代わりにドリルによる穴あ
け加工によってもひさし部を形成することができる。
イオード20の製造工程を示したものであり、一枚の大
きな基板31上に上述した手段によって表面側電極2
2、裏面側電極23および側面側電極29をパターン形
成したのち、発光ダイオード素子25を実装し、更にこ
の発光ダイオード素子25を金属細線26でワイヤボン
ディングしたのち、基板31の上面全体に透光性樹脂2
7を被せ、最後にカットライン32に沿って一つ一つ切
断し、図1に示したようなチップ型の発光ダイオード2
0を得ることができる。
光ダイオード35の第2実施例を示したものである。こ
の実施例では絶縁基板21の四隅に四半円状のスルーホ
ール24を設け、このスルーホール24の上部に表面側
電極22の角部を張り出しひさし部28を形成した点を
除いて先の実施例と同様の構成からなる。
1の表面全体を透光性樹脂27で封止できるのは勿論の
こと、スルーホール24には透光性樹脂27が流れ込む
ことがない。また、この実施例では側面側電極29が四
隅にあるのでプリント基板上の配線に対応し易くなり半
田付けが容易になるといった効果がある。
光ダイオード36の第3実施例を示したものである。こ
の実施例では絶縁基板21の四隅にL字形状のスルーホ
ール24を設けており、このスルーホール24の上部に
表面側電極22のひさし部28が張り出している点を除
いて、先の実施例と同様の構成からなる。
光ダイオード37の第4実施例を示したものである。こ
の実施例では上記第1実施例に係るチップ型発光ダイオ
ード20と同じ形状のものを2つ横に並べて一つにまと
めた構成としたものである。
で、チップ型発光ダイオード37は一回のマウントで2
個分を実装できるといった効果がある。
型発光ダイオード38の第5実施例を示したものであ
る。この実施例では絶縁基板21の両側面全体に直線状
のスルーホール24を設け、その上部を表面側電極22
のひさし部28で塞いだものである。
絶縁基板21の側面全体に設けられるため側面全体に半
田付けでき、接合強度が大幅にアップするといった効果
がある。
プ型発光ダイオードによれば、スルーホールの上部を表
面側電極のひさし部で塞いでしまったので、絶縁基板の
全面を透光性樹脂で封止したとしても、スルーホールの
中には透光性樹脂が流れ込むことがなくなり、従来のよ
うな樹脂流れ不良の発生をなくすことができる。また、
スルーホールに設けた側面側電極をプリント基板への半
田付けに利用することができるため、半田付けの固定力
が増大して信頼性の大幅向上が図れる。
でき、チップ型発光ダイオードの小型化を最小とするこ
とができると同時に、多数個取りにおける取り個数のア
ップも図れる。従って、品質面における信頼性の向上や
歩留り向上、コストダウン等、大きな経済的効果を奏す
る。
施例を示す斜視図である。
斜視説明図である。
施例を示す斜視図である。
施例を示す斜視図である。
施例を示す斜視図である。
実施例を示す斜視図である。
る。
を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
である。
Claims (1)
- 【請求項1】 絶縁基板の側面に表面側電極と裏面側電
極とを導通するスルーホールを設ける一方、表面側電極
に発光ダイオード素子を実装すると共にワイヤボンディ
ングを施し、これら発光ダイオード素子及びワイヤボン
ディングを透光性樹脂で封止してなるチップ型発光ダイ
オードにおいて、 前記スルーホールの上部を表面側電極に設けたひさし部
で塞いだことを特徴とするチップ型発光ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP34079595A JP3311914B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | チップ型発光ダイオード |
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---|---|---|---|
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---|---|
JP (1) | JP3311914B2 (ja) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6392294B1 (en) | 1998-12-22 | 2002-05-21 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with stable protection coating |
JP2002198572A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Rohm Co Ltd | 赤外線データ通信モジュール、およびその製造方法 |
JP2002270903A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Rohm Co Ltd | 裏面発光チップ型発光素子 |
JP2002314147A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
JP2006261308A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 電子部品搭載用パッケージ及びパッケージ集合基板 |
JP2007201241A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路基板及び半導体装置 |
JP2007227462A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路基板及び半導体装置 |
US7279723B2 (en) | 2003-03-20 | 2007-10-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | LED lamp |
US7285803B2 (en) | 2003-08-06 | 2007-10-23 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting diode lamp having a terminal portion with a notch portion |
JP2008042149A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Itswell Co Ltd | 大電流高効率の表面実装型発光ダイオードランプおよびその製造方法 |
JP2008041923A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
JP2008277325A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Canon Inc | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7605402B2 (en) | 2003-12-26 | 2009-10-20 | Opnext Japan, Inc. | Structure of chip carrier for semiconductor optical device, optical module, and optical transmitter and receiver |
JP2010034609A (ja) * | 2009-11-18 | 2010-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPWO2010140604A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2012-11-22 | 先端フォトニクス株式会社 | サブマウント、これを備えた光モジュール、及びサブマウントの製造方法 |
JP2013069731A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置 |
JP2013105784A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-30 | Seiko Instruments Inc | 光センサ装置およびその製造方法 |
US9142734B2 (en) | 2003-02-26 | 2015-09-22 | Cree, Inc. | Composite white light source and method for fabricating |
JP2016004946A (ja) * | 2014-06-18 | 2016-01-12 | ローム株式会社 | 光学装置、光学装置の実装構造、光学装置の製造方法 |
US9431589B2 (en) | 2007-12-14 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Textured encapsulant surface in LED packages |
US9666772B2 (en) | 2003-04-30 | 2017-05-30 | Cree, Inc. | High powered light emitter packages with compact optics |
US10615324B2 (en) | 2013-06-14 | 2020-04-07 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Tiny 6 pin side view surface mount LED |
JP2020161697A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101894933B1 (ko) * | 2011-11-07 | 2018-09-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60262476A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
JPH01163352U (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-14 | ||
JPH0258356U (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-26 | ||
JPH05226698A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-09-03 | Sharp Corp | 発光素子 |
JPH08213660A (ja) * | 1994-12-06 | 1996-08-20 | Sharp Corp | 発光デバイスおよびその製造方法 |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP34079595A patent/JP3311914B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60262476A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
JPH01163352U (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-14 | ||
JPH0258356U (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-26 | ||
JPH05226698A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-09-03 | Sharp Corp | 発光素子 |
JPH08213660A (ja) * | 1994-12-06 | 1996-08-20 | Sharp Corp | 発光デバイスおよびその製造方法 |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6392294B1 (en) | 1998-12-22 | 2002-05-21 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with stable protection coating |
JP2002198572A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Rohm Co Ltd | 赤外線データ通信モジュール、およびその製造方法 |
JP2002270903A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Rohm Co Ltd | 裏面発光チップ型発光素子 |
JP2002314147A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
US9142734B2 (en) | 2003-02-26 | 2015-09-22 | Cree, Inc. | Composite white light source and method for fabricating |
US7279723B2 (en) | 2003-03-20 | 2007-10-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | LED lamp |
US7768029B2 (en) | 2003-03-20 | 2010-08-03 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | LED lamp |
US9666772B2 (en) | 2003-04-30 | 2017-05-30 | Cree, Inc. | High powered light emitter packages with compact optics |
US7285803B2 (en) | 2003-08-06 | 2007-10-23 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting diode lamp having a terminal portion with a notch portion |
CN100352071C (zh) * | 2003-08-06 | 2007-11-28 | 丰田合成株式会社 | 发光二极管灯 |
US7605402B2 (en) | 2003-12-26 | 2009-10-20 | Opnext Japan, Inc. | Structure of chip carrier for semiconductor optical device, optical module, and optical transmitter and receiver |
JP2006261308A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 電子部品搭載用パッケージ及びパッケージ集合基板 |
JP4698259B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2011-06-08 | 三洋電機株式会社 | 電子部品搭載用パッケージ及びパッケージ集合基板 |
JP2007201241A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路基板及び半導体装置 |
JP2007227462A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路基板及び半導体装置 |
JP2008042149A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Itswell Co Ltd | 大電流高効率の表面実装型発光ダイオードランプおよびその製造方法 |
JP2008041923A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
US8129273B2 (en) | 2007-04-25 | 2012-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for producing the same |
JP2008277325A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Canon Inc | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US9431589B2 (en) | 2007-12-14 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Textured encapsulant surface in LED packages |
JPWO2010140604A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2012-11-22 | 先端フォトニクス株式会社 | サブマウント、これを備えた光モジュール、及びサブマウントの製造方法 |
JP2010034609A (ja) * | 2009-11-18 | 2010-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2013069731A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置 |
JP2013105784A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-30 | Seiko Instruments Inc | 光センサ装置およびその製造方法 |
US10615324B2 (en) | 2013-06-14 | 2020-04-07 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Tiny 6 pin side view surface mount LED |
JP2016004946A (ja) * | 2014-06-18 | 2016-01-12 | ローム株式会社 | 光学装置、光学装置の実装構造、光学装置の製造方法 |
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