JPH097936A - レジスト処理装置およびレジスト処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】処理液の濃度を変化させずにその中の気泡を除
去することができるレジスト処理装置及びレジスト処理
方法を提供する。 【解決手段】被処理体に処理液を供給してレジスト処理
を行うレジスト処理装置であって、被処理体に処理液２
を供給する処理液供給ノズル１２と、処理液供給ノズル
に処理液を送出する処理液送出手段と、処理液送出手段
と処理液供給ノズルとの間に設けられた処理液流路５
と、処理液流路の途中に設けられ、処理液を脱気する処
理液脱気機構７とを具備し、処理液脱気機構は、密閉容
器と、密閉容器内に処理液を導入する導入口と、密閉容
器内に設けられた気液分離機能を有する部材と、密閉容
器内を排気することにより、気液分離機能を有する部材
を介して処理液を脱気して処理液から気体を分離する排
気手段と、気液分離機能を有する部材によって気体が分
離された処理液を処理液供給ノズル１２に向けて送出す
る送出口とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト処理装置
およびレジスト処理方法に関し、例えば半導体ウエハの
表面に形成されたフォトレジスト層に現像液を供給して
現像する現像処理装置および現像処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理体としての半導体ウエハにフォトレジストを塗布し、
フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンをフォト
レジストに転写し、これを現像処理することにより回路
が形成される。

【０００３】この現像処理においては、現像液を現像液
供給ノズルから被処理体としての半導体ウエハ上に供給
し、現像液をその表面張力によって液盛りして所定時間
保持することにより、回路パターンの現像を行う方式が
一般的に採用されている。

【０００４】そして、近時、現像液を均一に供給する観
点から、このような方式として、例えば、多数のノズル
孔を直線上に配列した現像液供給ノズルを用い、このノ
ズルから現像液を滲み出させつつ半導体ウエハを低速回
転させて現像液を半導体ウエハ全体に押し広げるパドル
型が採用されている。

【０００５】ところで、このような方式を採用する場合
には、タンク内の現像液を窒素ガスによりノズルに向け
て圧送する方法を一般的に採用しているため、現像液を
半導体ウエハ上に液盛する際に気泡が発生するという問
題がある。このような気泡が存在すると、現像液が供給
されない部分が生じ、その結果非現像部分が生じてしま
う。

【０００６】このような問題を解決するために、従来、
現像液を減圧状態で脱泡する方法（実開昭６２−３７９
２３号公報）や、破泡剤を用いて現像液中の気泡を消失
させる方法（特開昭６１−２５９５２３号公報）が提案
されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た実開昭６２−３７９２３号公報に記載された減圧状態
で脱泡する方法では現像液中の水が蒸発することにより
現像液の濃度が変化してしまう。また、最近の回路パタ
ーンの微細化に伴い、レジストがより高性能化つまり高
解像度化されており、従来問題とならなかった微細気泡
によっても現像不良がもたらされ、上述した従来の脱気
方法ではこのような微細気泡を十分に除去することがで
きない。

【０００８】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、処理液の濃度を変化させずにその中の気泡
を除去することができるレジスト処理装置およびレジス
ト処理方法を提供することを目的とする。

【０００９】また、処理液の濃度を変化させずにその中
の気泡を除去することができ、かつ高解像度用レジスト
を現像する場合に問題となる微細気泡を発生させること
なく高精度でレジスト処理を行うことができるレジスト
処理装置およびレジスト処理方法を提供することを目的
とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、被処理体に処
理液を供給してレジスト処理を行うレジスト処理装置で
あって、被処理体に処理液を供給する処理液供給ノズル
と、この処理液供給ノズルに処理液を送出する処理液送
出手段と、この処理液送出手段と前記処理液供給ノズル
との間に設けられた処理液流路と、この処理液流路の途
中に設けられ、処理液を脱気する処理液脱気機構とを具
備し、前記処理液脱気機構は、密閉容器と、密閉容器内
に処理液を導入する導入口と、密閉容器内に設けられた
気液分離機能を有する部材と、密閉容器内を排気するこ
とにより、気液分離機能を有する部材を介して前記処理
液を脱気して処理液から気体を分離する排気手段と、前
記気液分離機能を有する部材によって気体が分離された
処理液を前記処理液供給ノズルに向けて送出する送出口
とを有するレジスト処理装置を提供する。

【００１１】本発明において、処理液脱気機構として
は、密閉容器と、密閉容器内に処理液を導入する導入口
と、密閉容器から前記処理液供給ノズルに向けて処理液
を送出する送出口と、前記密閉容器内に前記導入口およ
び前記送出口に亘って設けられ、前記処理液が通流され
る気液分離機能を有する複数の管状部材と、密閉容器内
を排気することにより、前記複数の管状部材を通流する
処理液をその壁部を介して脱気し、処理液から気体を分
離する排気手段とを有し、前記送出口からは気体が分離
された処理液が送出されるものでもよい。

【００１２】また、本発明において、処理液脱気機構と
しては、多孔質材料製（例えば、平均孔径が０．２〜
０．８μｍのポリテトラフルオロエチレン製）の最小径
の第１チューブと、中間径の第２チューブと、非多孔質
材料製の最大径の第３チューブとを３重に配設して構成
され、前記第１チューブの内側に内側排気手段が設けら
れ、前記第２チューブと前記第３チューブとの間に外側
排気手段が設けられ、第１チューブと第２チューブとの
間に形成される通路内を通液するものでもよい。

【００１３】また、本発明は、被処理体に処理液を供給
してレジスト処理を行うレジスト処理方法であって、処
理液を気液分離機能を有する部材を介して排気して処理
液から気体を分離する工程と、前記気液分離機能を有す
る部材によって気体が分離された処理液を処理液供給ノ
ズルに送出する工程と、該処理液を処理液供給ノズルか
ら被処理体に供給する工程とを具備するレジスト処理方
法を提供する。

【００１４】また、本発明は、被処理体に処理液を供給
してレジスト処理を行うレジスト処理方法であって、気
液分離機能を有する複数の管状部材内に処理液を通流さ
せる工程と、前記管状体内を通流する処理液をその壁部
を介して排気することにより前記処理液から気体を分離
する工程と、前記管状部材によって気体が分離された処
理液を処理液供給ノズルに送出する工程と、該処理液を
処理液供給ノズルから被処理体に供給する工程とを具備
するレジスト処理方法を提供する。

【００１５】ここで、気泡とは、液中の溶存気体および
現像液を通流する管中の気体の両方を含む意味である。
また、ここで、レジスト処理とは、レジスト塗布および
現像処理を含む意味である。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明のレジスト処理装置および
レジスト処理方法によれば、気液分離機能を有する部材
を介して処理液を排気するので、処理液自体は排出され
ずにその中の気体のみが分離される。従って、処理液の
濃度を極力変化させずにその中の気泡（気体成分）を除
去することができる。

【００１７】また、本発明のレジスト処理装置およびレ
ジスト処理方法によれば、気液分離機能を有する複数の
管状部材内に処理液を通流させ、処理液をその壁部を介
して排気することにより処理液から気体成分を分離する
ので、気体成分が排出される表面積が大きくなり極めて
効率良く処理液から気体成分のみを除去することができ
る。従って、処理液の濃度を変化させずにその中の溶存
気体を除去することができ、かつ高解像度のレジストを
現像する場合に問題となる微細気泡を発生させることな
く高精度でレジスト処理を行うことができる。

【００１８】すなわち、従来の単に減圧状態で脱気する
方法では、処理液内部まで完全に脱気されず、処理液が
被処理体に衝突した際に処理液中に残存した気体が微細
気泡となって被処理体に付着し、また破泡剤を用いて処
理液中の気泡を消失させる方法の場合にも処理液を完全
に脱気することはできず、残存した気体成分が微細気泡
を形成するが、本発明では、気液分離機能を有する複数
の管状体を介して効率良く気体のみを除去できるので、
処理液濃度を変化させることなく微細気泡の発生を略完
全に防止することができるのである。

【００１９】また、本発明のレジスト処理装置におい
て、処理液脱気機構を３重構造を有する多孔質チューブ
で構成した場合、処理液は多孔質チューブ間を通流し、
チューブの内側と外側とから同時に脱気することが可能
であるので、単独かつ通路が短いチューブであっても、
高い効率で脱気をすることができる。その結果、脱気機
構を小型化できるとともに、処理の均一化が図れ、歩留
まりも向上する。

【００２０】また、３重構造を有する多孔質チューブの
第１チューブ（最内層）と第２チューブ（中間層）とを
蛇腹構造にすることにより、脱気用チュ−ブと処理液と
の接触面積を拡大することができるので、脱気効率をさ
らに高めることができる。そして、その際に通液経路、
すなわち脱気経路の略水平方向断面が略同一面積を有す
るように、すなわち蛇腹の山と山、谷と谷同士のピッチ
が合うように第１チューブと第２チューブとを配置する
ことにより、安定した流路が確保でき、すなわち流量の
乱れを防止し、処理液の安定供給が可能となる。

【００２１】また、平均孔径０．２〜０．８μｍを有す
るポリテトラフルオロエチレン製の多孔質チューブは優
れた耐液圧性を有するので、この多孔質チューブを第１
チューブおよび第２チューブとして使用することによ
り、脱気効率を高めるために液比（脱気膜を挟んで液側
と真空側との間の圧力差）を上げることができる。

【００２２】以下、本発明の実施例について図面を参照
して具体的に説明する。図１は、本発明の現像処理装置
を組み込んだ基板の塗布・現像処理装置を示す概略図で
ある。この塗布・現像処理装置は、主にロード・アンロ
ード部９４、第１処理部９５、第２処理部９６、および
露光装置９３から構成されている。図１中７１はロード
・アンロード部９４のキャリアステージを示す。このキ
ャリアステージ７１には、処理前の被処理体である基板
を複数枚収納するキャリアＣ１および処理後の基板を収
納するキャリアＣ２が載置されている。また、ロード・
アンロード部９４には、キャリアＣ１およびＣ２の開口
部から基板の搬入・搬出を行うピンセット７２が載置さ
れている。第１および第２処理部の中央部には、基板搬
送用のメインアーム７３，７４がそれぞれ配置されてい
る。また、第１処理部９５と第２処理部９６との間に
は、受け渡し台７５が載置されている。

【００２３】メインアーム７３の搬送路の両側には、ブ
ラシ洗浄装置８１、ジェット水洗部８２、塗布装置８
３、アドヒージョン処理部８４、および冷却処理部８５
が配置されており、メインアーム７４の搬送路の両側に
は、加熱処理部８６および現像処理部８７が配置されて
いる。また、第２処理部９６と露光装置９３との間に
は、ピンセット９１および受け渡し台９２が配置されて
いる。

【００２４】上記構成を有する塗布・現像処理装置にお
いて、カセットＣ１内に収容された未処理の基板は、ピ
ンセット７２によって取り出された後、メインアーム７
３に受け渡され、ブラシ洗浄部８１内に搬送される。こ
のブラシ洗浄部８１内においてブラシ洗浄された基板
は、必要に応じて引き続いてジェット水洗浄部８２内に
おいて高圧ジェット水により洗浄される。その後、基板
は、アドヒージョン処理部８４において疎水化処理が施
され、冷却処理部８５において冷却された後、塗布装置
８５においてフォトレジスト膜、すなわち感光膜が塗布
形成される。その後、露光装置９３において露光処理が
施されてフォトレジスト膜に所定のパターンが転写され
る。そして、露光後の基板は現像処理部８７内へ搬送さ
れ、処理液脱気機構３００により脱気された現像液によ
り現像された後、リンス液により現像液が洗い流され、
これにより現像処理が終了する。

【００２５】図２は本発明の現像処理装置の一実施例を
示す模式図である。図２中１はタンクを示す。タンク１
には現像液２が貯留されており、タンク１には、例えば
窒素ガス等の圧送ガスを貯蔵したガスボンベ３が配管４
を介して接続されている。また、タンク１内の現像液２
には、配管５の端部が浸漬されおり、配管５の途中に
は、中間タンク６および処理液脱気機構７が順に設けら
れている。そして、タンク１内の現像液２は、ガスボン
ベ３内の圧送ガス、例えば窒素ガスが配管４を介してタ
ンク１に供給されることにより、配管５を通ってノズル
１２に向けて圧送される。

【００２６】処理液脱気機構７の下流側で配管５は配管
５ａと配管５ｂとに分かれ、各配管には、ノズル１２に
至るまでに、それぞれフローメーター８ａ，８ｂ、フィ
ルター９ａ，９ｂ、ウォータージャケット１０ａ，１０
ｂ、エアオペレションバルブ１１ａ，１１ｂが順に設け
られており、ノズル１２には、これら２つの配管を介し
て２カ所から現像液が導入される。

【００２７】一方、現像部１３は、基板、例えば半導体
ウエハＷを吸着保持するチャック１４と、チャック１４
を回転させるモータ１５と、チャック１４に保持された
半導体ウエハＷを囲繞するカップ１６とを備えている。

【００２８】上記中間タンク６の外側には、例えば静電
容量センサからなるリミットセンサ６ａおよびエンプテ
ィセンサ６ｂが設けられており、これらからの信号が図
示しないコントローラに出力され、現像液の液面の位置
が制御される。そして、配管５ａ，５ｂを通流する現像
液２は、フローメーター８ａ，８ｂにより流量が制御さ
れ、さらにフィルター９ａ，９ｂにより不純物等が除去
される。また、ウォータージャケット１０ａ，１０ｂに
は温度調節された水が循環され、これにより配管５ａ，
５ｂを通流する現像液２の温度が制御される。

【００２９】このようにして処理された現像液２はノズ
ル１２に送られ、ノズル１２からチャック１４上の半導
体ウエハＷ上に供給されて現像処理が行われる。次に、
ノズル１２について説明する。このノズル１２は、図３
およびそのIV−IV線に沿う断面図である図４に示すよう
に、側壁２１および底壁２２によって規定される現像液
収容室２３を有している。収容室２３の上部開口は、蓋
部材２４により閉塞されており、蓋部材２４と側壁２１
との間はパッキン２５でシールされている。蓋部材２４
には、２カ所に現像液供給口２７が設けられており、配
管５ａおよび５ｂを通って送られてきた現像液２が２つ
の供給口２７を介して現像液収容室２３内に供給され、
その中に収容される。底壁２２には、その長手方向に沿
って複数の液吐出孔２８が形成されており、この液吐出
孔２８から現像液２が半導体ウエハＷ上に供給される。
そして、このノズル１２の水平方向の長さは、半導体ウ
エハＷの直径とほぼ一致している。

【００３０】実際に、このノズル１２から現像液２を半
導体ウエハＷに供給する際には、図５に示すように、ノ
ズル１２をウエハＷの中央上方に位置させ、液吐出孔２
８から半導体ウエハＷ上に現像液を吐出させつつモータ
１５により半導体ウエハＷを１／２回転させる。これに
より、所定の厚さの現像液２が半導体ウエハ２の上に液
盛りされる。

【００３１】なお、この現像液の液盛りの際に、現像液
を吐出させる前に、純水を吐出させてフォトレジスト膜
上に純水の液膜を形成することが好ましい。このよう
に、純水の液膜をあらかじめ形成することにより、現像
液を吐出させることによるフォトレジスト膜への影響、
例えばファーストインパクトを緩和することができる。
この結果、ファーストインパクト等に起因する欠陥を少
なくすることができる。

【００３２】次に、処理液脱気機構７について説明す
る。図６は処理液脱気機構７の一例を示す断面図であ
る。この処理液脱気機構７は、密閉容器３１と、密閉容
器３１内に処理液２を導入する導入口３２と、密閉容器
３１から処理液を送出する送出口３３と、密閉容器３１
内の導入口３２および送出口３３の上方に容器内を水平
に仕切るように設けられた気液分離機能を有する仕切り
部材３４と、密閉容器の上壁に接続された排気管３５
と、排気管３５を介して容器３１内を排気するための真
空ポンプ３６とを備えている。

【００３３】気液分離機能を有する仕切り部材３４は、
通常の多孔質体とは異なり、気体は通過するが液体は通
過しない性質を有するいわゆる非多孔質体である。この
ような材料としては、ポリテトラフルオロエチレン（Ｐ
ＴＦＥ）、ポリエチレン、ポリカーボネート等が挙げら
れる。

【００３４】そして、真空ポンプ３６が作動されること
により容器３１内が排気されると、導入口３２から容器
３１の仕切り部材３４の下の部分に導入された現像液
は、気液分離機能を有する仕切り部材３４を介して脱気
され、その中に含有されている気体が分離される。気体
が分離された現像液２は送出口３３からノズル１２に向
けて送出される。

【００３５】このような処理液脱気機構を設けた場合に
は、気液分離機能を有する仕切り部材３４を介して現像
液を脱気するので、現像液自体は除去されず気体のみを
除去することができる。従って、現像液の濃度を変化さ
せることなく現像液を脱気することができる。また、こ
のように現像液が除去されないことから、真空脱気をよ
り強力にすることができ、従来よりも残存する気体量を
少なくすることができ、被処理体としての半導体ウェハ
に微細気泡が付着する割合を低くすることができる。

【００３６】次に、より進んだ処理液脱気機構の例につ
いて図７を参照して説明する。この例では、図６と同様
の現像液２を導入する導入口３２と、これを送出する送
出口３３とを備えた密閉容器３１を有し、図６の機構と
同様、排気管３５および真空ポンプ３６を有している。
この例では、仕切り部材３４の代わりに、導入口３２か
ら送出口３３に至る複数の管部材３８を備えている。こ
の管部材３８は、上述の仕切り部材３４と同様の気液分
離機能を有する材料、例えばＰＴＦＥで構成されてい
る。

【００３７】そして、真空ポンプ３６が作動されること
により容器３１内が排気されると、管部材３８を通流す
る現像液は、その壁部を介して脱気され、その中に含有
されている気体が分離される。気体が分離された現像液
２は送出口３３からノズル１２に向けて送出される。

【００３８】このような処理液脱気機構を設けた場合に
は、気液分離機能を有する複数の管部材３８に現像液を
通流させ、現像液をその壁部を介して排気することによ
り処理液から気体成分を分離するので、気体が排出され
る表面積が大きくなり極めて効率良く処理液から気体成
分のみを除去することができる。従って、処理液の濃度
を変化させずにその中の気体成分を除去することはもち
ろんのこと、高解像度用レジストを現像する場合に問題
となる微細気泡を発生させることなく高精度で現像処理
を行うことができる。

【００３９】このような効果を奏する観点からは、気液
分離機能を有する管部材３８は、細くかつ本数が多いほ
ど好ましく、内径１ｍｍ以下、本数は１００本以上が好
ましい。

【００４０】また、図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に
示すような管部材３９を用いてもよい。すなわち、図１
１に示す例では、仕切り部材３４の代わりに、導入口３
２から送出口３３に至る断面において複数の突出部を有
する管部材３９を備えている。この管部材３９は、上述
の仕切り部材３４と同様の気液分離機能を有する材料、
例えばＰＴＦＥの多孔質体で構成されている。このよう
な構成にすることにより、上記管部材３８（平坦な管
材）に比べて脱気膜面積を飛躍的に増加させ、高い効率
で気体成分の除去を行うことができる。

【００４１】なお、図６、図７、図１１の処理液脱気機
構はいずれも、圧送ガス以外の他の不純物ガスを有効に
除去することができる。従って、不所望な反応が生じる
ことを防止することができ、ゲル化等を防止することが
できる。

【００４２】上記図７に示す処理液脱気機構を備えた現
像処理装置と、従来の現像処理装置とを用いて、実際に
高解像度レジストを塗布した８インチウエハに現像処理
を施し、現像欠陥を観察した結果、従来の装置の場合に
は、ウエハの最初にノズルがあった位置に対応する部分
を中心として数十個の現像欠陥があったのに対し、図７
の脱気機構を備えた実施例の現像処理装置では、現像欠
陥が全く発生しなかった。このことから本発明の効果が
確認された。

【００４３】なお、上記例では処理液脱気機構を中間タ
ンク６とフローメーター８ａ，８ｂとの間に設けたが、
その位置に限らず、フィルター９ａ，９ｂの下流側、例
えば図８に示すように、ウォータージャケット１０ａ，
１０ｂとエアオペレーションバルブ１１ａ，１１ｂとの
間に設けてもよい（図では参照符号７ａ，７ｂで示
す）。このように、処理液脱気機構をフィルターの下流
側に設けることにより、フィルターを通過する時に大き
な気泡をトラップすることができるため、脱気能力の向
上が予測される。

【００４４】また、ノズルも上記構造のものに限らず、
図９に示すようなストリームノズル４２であってもよい
し、図１０に示すようにノズル本体４３に複数のノズル
４４が設けられたマルチノズルタイプであってもよい。
これらはいずれも被処理体としての半導体ウエハＷを回
転させつつ、ノズルを直線的に移動させる。

【００４５】これらストリームノズル、およびマルチノ
ズルを用いた場合には、従来の現像装置では微細気泡が
発生しやすいが、本発明の処理液脱気機構を用いること
により、微細気泡の発生をほぼ完全に防止することがで
き、高解像度のレジストを現像する場合にも現像欠陥を
実質的になくすることができる。

【００４６】ちなみに、ストリームノズルを用いて従来
の現像処理装置によりウエハ上の高解像度レジストを現
像した結果、数百個の現像欠陥が観察されたのに対し、
図７の脱気機構を採用した現像処理装置で現像した場合
には現像欠陥は全く発生しなかった。また、マルチノズ
ルを用いて従来の現像処理装置によりウエハ上の高解像
度レジストを現像した結果、１万個以上の現像欠陥が観
察されたが、図７の脱気機構を採用した現像処理装置で
現像した場合には現像欠陥は十数個程度であった。

【００４７】本発明の現像処理方法における処理液脱気
機構の脱気条件は、減圧力、フォトレジストの種類、脱
気時間、現像液濃度等を考慮して適宜選択することが望
ましい。例えば、あまり高い減圧力で脱気を行うと、現
像液が環境温度以下で沸騰し始めて水蒸気化し、水分が
膜を透過してしまい、現像液の濃度が高くなる。この場
合、すなわち減圧力が高すぎると、図１２に示すよう
に、現像処理が不安定となり、図１２に示すように、線
幅が狭くなる現象が起きる。また、図１３および図１４
に示すように、フォトレジストの種類（Ｘ，Ｙ，Ｚ）、
脱気時間、および減圧力により、現像液濃度（図１３）
や最低露光時間（Ｅ_th）が変化することが分かる。

【００４８】なお、上記実施例では被処理体として半導
体ウエハを用いた例を示したが、これに限らず、例えば
液晶表示基板であってもよい。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。 （実施例２）図１５は、本発明の現像処理装置の他の例
を示す概略構成図である。この現像処理装置は、主に現
像液供給系１００、現像処理部２００、および脱気機構
３００とから構成されている。図１５に示すように、現
像液供給系１００は、現像液が貯留されるタンク１０２
と、現像液の流量を測定する流量計１０３と、現像液を
濾過するフィルタ１０４と、現像液の温度を調節する温
度調節器１０５と、現像液中の微細な気泡を除去する脱
気機構３００と、バルブ１０６とから構成されている。
タンク１０２内に貯留された現像液は、窒素ガスの圧力
により押し出されて、流量計１０３、フィルタ１０４、
温度調節器１０５を経て、脱気機構３００において脱気
された後、バルブ１０６を介して現像処理部２００に供
給される。

【００４９】図１６は現像処理部を示す概略図である。
図中２０２は、上面が開口し、垂直軸を中心に回転自在
な回転カップを示す。この回転カップ２０２の上面開口
部２０２Ａには、この開口部２０２Ａを開閉するための
蓋体２０４が設けられている。また、上記回転カップ２
０２の底面中央部には、開口部２０２Ｂが形成されお
り、その開口縁には、上記回転カップ２０２を回転する
ための回転カラー２０２Ｃの上縁が接続されている。な
おこの実施例では、回転カップ２０２および蓋体２０４
は回転容器をなすものである。

【００５０】上記回転カップ２０２内には、上記垂直軸
を中心に回転自在な回転載置台、例えばスピンチャック
２０６が、周縁部裏面で回転カップ２０２の底面の開口
部２０２ＢをＯリング等のシール部材２０８によりシー
ルするように設けられている。このスピンチャック２０
６は、例えばエアシリンダ等の昇降機構２１２により昇
降する昇降軸２１４の頂部に取り付けられている。ま
た、上記昇降軸２１４は、スプライン軸受２１６、従動
プーリ２１８、および駆動ベルト２２０を介して駆動プ
ーリ２２２に接続されており、スピンモータ２２４によ
り昇降軸２１４に回転駆動力を付与することにより、上
記スピンチャック２０６を回転させることができる。

【００５１】同様に、上記回転カラー２０２Ｃは、従動
プーリ２２６および駆動ベルト２２８を介して共通の駆
動プーリ２３０に接続されている。そして、駆動プーリ
２２２と駆動プーリ２３０は共通軸２３２に配されてお
り、共通のスピンモータ２２４により回転駆動力が付与
されることにより、上記スピンチャック２０６と回転カ
ラー２０２Ｃ（従って、回転カップ２０２を含む回転容
器）とが同期して回転する。

【００５２】さらに、上記スピンチャック２０６は上面
部にバキュームチャック（図示せず）を備えており、被
処理体２３４、例えばＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用
のガラス基板）をチャックする機能を有している。な
お、バキュームチャックは、昇降軸２１４内に形成され
た図示しないバキューム通路を介して外部のバキューム
装置に接続されている。

【００５３】また、上記蓋体２０４の中心部には、現像
液を供給するためのノズル２３６がベアリング２３８を
介して、上記蓋体２０４に対して上記回転チャック２０
２の回転軸の回りに相対的に回転できるように装着され
ている。従って、後述する脱気機構３００により脱気さ
れた現像液は、バルプ１０６を介して上記ノズル２３６
から上記スピンチャック２０６上に載置された被処理体
２３４の表面に所定量だけ供給される。

【００５４】さらに、上記回転カップ２０２の外側に
は、回転カップ２０２を囲むようにドレンカップ２５０
が図示しない固定部に固定して設けられている。このド
レンカップ２５０は、回転カップ２０２の底部外縁およ
び側部に設けられた排液孔２５２Ａ、２５２Ｂから排出
された排液を外部に排出するドレン孔２５４と、径方向
内側に向かって屈曲した排気経路２５６と、この排気経
路２５６に連通し図示しない排気装置に接続される排気
口２５８とを備えている。また、上記排気経路２５６
は、上記ドレン孔２５４よりも高い位置を通るように形
成されて、排液が上記排気口２５８に回り込まないよう
に構成されている。

【００５５】また、上記蓋体２０４は、図１８に示すよ
うに、昇降部２４０により昇降するアーム２４２に挿着
されており、アーム２４２の昇降により回転カップ２０
２の上面開口部２０２Ａが開閉されるように構成されて
いる。なお、上記ノズル２３６の途中一部は、例えばこ
のアーム２４２に固定される。また、被処理体２３４の
搬入・搬出用に搬送アーム２４４が別途設けられてお
り、スピンチャック２００と被処理体の搬送アーム２４
４との間の被処理体２３４の受け渡しは、蓋体２０４が
上昇し上面開口部２０２Ａが開放されたときに、スピン
チャック２０６が昇降手段２１２により回転カップ２０
２の上面より上方し、アーム２４４がスピンチャック２
０６にチャッキングされた被処理体２０６の下面より低
いレベルでスピンチャック２０６側に進入することによ
り行われる。

【００５６】次に、図１７を参照しながら、脱気機構３
００の一例について説明する。図１７に示すように、脱
気機構３００は、マニホルド部３０２と脱気チューブ部
３０４とから主に構成されている。マニホルド部３０２
と脱気チューブ部３０４とは、係合部３０６を介して着
脱自在に接続されており、長期間の使用により目詰まり
等が生じた脱気チューブを容易に交換することができ
る。

【００５７】脱気チューブ部３０４は、撓み可能な３重
管構造を有している。この３重管構造は、可撓性を有す
る多孔質材料の最小径の第１チューブ３０８と、中間径
の第２チューブ３１０と、可撓性を有する非多孔質材料
製の最大径の第３チューブ３１２とから構成される。こ
のように、第１〜第３のチューブ３０８、３１０、３１
２は、いずれも可撓性を有する材料から構成されるの
で、配置場所に応じて自由に撓ませることが可能であ
り、高い設計の自由度を有している。

【００５８】第１チューブ３０８と第２チューブ３１０
とは、ピッチがほぼ一致するように構成された蛇腹構造
を有し、それぞれのチューブの、山と山、谷と谷同士が
対向するように位置決めされており、これら両チューブ
間に現像液流通経路３１４が形成されている。したがっ
て、第１チューブ３０８の外側と第２チューブ３１０の
内側とで囲まれた現像液流通経路３１４の、略水平方向
断面、すなわちチューブの中心軸を垂線とするような断
面の面積が、蛇腹部分においても略同一面積を有してい
るため、現像液はスムーズに流通し、流量の乱れを防止
し、安定供給が可能となる。本実施例では、同じ長さの
流通行程であっても、チューブの表面積をより大きくす
ることができ、第１および第２チューブ３０８、３１０
と現像液との接触面積をより拡大することが可能なよう
に、蛇腹構造を採用しているが、本発明はかかる実施例
に限定されず、単に管状に構成された第１および第２の
チューブを配置することも可能である。

【００５９】また、第１チューブ３０８の内側には、中
空の第１の脱気経路３１６が形成され、第２チューブ３
１０と第３チューブ３１２との間には、管状の第２の脱
気経路３１８が形成されている。また、上記第１チュー
ブ３０８と上記第２チューブ３１０とは、平均孔径が
０．２〜０．８μｍであるポリテトラフルオロエチレン
製の多孔質チューブで構成される。なお、本実施例にお
いては、多孔質材料としてポリテトラフルオロエチレン
を用いているが、これはポロテトラフルオロエチレン
が、比較的簡単な圧延、延伸工程により高い精度の多孔
質が得られるからである。しかしながら、第１および第
２チューブを構成する材料としては、ポリテトラフルオ
ロエテレンに限定されず、市販されている様々な多孔質
材料を使用することが可能である。

【００６０】さらに、上記実施例においては、平均孔径
が０．２〜０．８μｍのポリテトラフルオロエチレン製
の多孔質チューブを使用している。平均孔径があまり大
き過ぎると、脱気効率を上げるために高い液圧をかけた
場合にチューブが変形し易く、十分な耐液圧性を得るこ
とができない傾向が認められる。また、平均孔径が小さ
過ぎると、通気性が妨げられ、十分な脱気を行うことが
できない傾向が認められる。これらを考慮すると、平均
孔径０．２〜０．８μｍの範囲が好適である。

【００６１】これに対して最も外側に配置される第３チ
ューブ３１２は、可撓性は有するが通気する必要はな
く、脱気の際に、変形しないような強度を有する非多孔
質の材料、例えばΡΤＦＥ以外のポリ塩化ビニル（ＰＶ
Ｃ）、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、アクリル樹脂、テトラ
フルオロエチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共
重合体（ＰＦΑ）等の気体不透過性の材料から構成され
る。

【００６２】次に、マニホルド部３０２の構成について
説明する。図示のようにマニホルド部３０２には、現像
液が流通する第１の経路３２０と、それぞれ独立に構成
された第２および第３の経路３２２、３２４とが形成さ
れている。マニホルド部３０２の一方の側部には、第１
の継手３２６が設置されている。この第１の継手３２６
は、上記第１の経路３２０と図示しない現像液タンクに
連通するＰＦＡチューブ３２８とを接続するためのもの
である。

【００６３】また、マニホルド部３０２の中央下方に
は、第２の継手３３０が設置されている。この第２の継
手３３０は、図示しない排気手段、例えば真空吸引装置
と上記第２の経路３２２とを接続するためのものであ
る。この第２の経路３２２は、上記脱気チューブ部３０
４の第１チューブ３０８の内側に形成された第１の脱気
経路３１６に連通するものであり、この第２の経路３２
２、従って第１の脱気経路３１６内を排気することによ
り、第１チューブ３０８の外側に形成された現像液流通
経路３１４内を流通する現像液を内側から脱気し現像液
中の気泡を除去することが可能である。

【００６４】さらに、マニホルド部３０２の他方の側に
は、第３の継手３３２が設置されている。この第３の継
手３３２は、図示しない排気手段と上記第３の経路３２
４とを接続するためのものである。そして、この第３の
経路３２４は、上記脱気チューブ３０４の第２チューブ
３１０と第３チューブ３１２との間に形成された第２の
脱気通路３１８に連通するもので、この第３の経路３２
４、従って第２の脱気経路３１８内を排気することによ
り、第２チューブ３１０の内側に形成された現像液流通
経路３１４内を流通する現像液を外側から脱気すること
が可能である。

【００６５】このように、本発明の現像処理装置におけ
る脱気機構によれば、脱気チューブ内を流通する現像液
等の処理液を実質的に円箇状に形成された流通経路の内
側と外側の両側から同時に脱気することが可能であるの
で、従来の脱気機構と比較して脱気効率を高めることが
可能である。なお、図示の実施例では、単一のマニホル
ド部３０２を介して、脱気チューブ部３０４に現像液を
送るとともに脱気チューブ部３０４から排気を行う構成
を示したが本発明はかかる構成に限定されない。例えば
現像液を供給するマニホルド部と排気を行うマニホルド
部とを別体に構成することも可能であり、あるいは排気
を複数箇所から行うように構成することも可能である。
なお、マニホルド部３０２を、図１７に示す脱気チュー
ブ３０４の他端側にも設け、両端から排気することもで
きる。

【００６６】次に、図１５に示す現像処理装置全体の動
作について説明する。まず、図１８に示すように、蓋体
２０４を回転カップ２０２から上昇させて開いておき、
スピンチャック２０６を上昇させて搬送アーム２４４か
ら被処理体２３４、例えばＬＣＤ基板をスピンチャック
２０６に受け渡し、スピンチャック２０６にバキューム
吸着させる。次いで、スピンチャック２０６を降下させ
てスピンチャック２０６を回転カップ２０２の底部に密
着させる。この状態で、タンク１０２に窒素ガスを供給
し、そのガス圧により現像液を現像液供給系１００に送
り込む。送り出された現像液は、流量計１０３において
流量制御され、フィルタ１０４において濾過され、さら
に温度調節手段１０５において最適な温度に調整された
後、脱気機構３００に送り込まれる。

【００６７】脱気機構３００において、図１７に示すよ
うに、現像液は第１チューブ３０８と第２チューブ３１
０との間を蛇行しながら流通する間に、内側と外側の両
側から効率的に脱気され、現像液中の気泡が除去され
る。このように脱気機構３００により脱気された現像液
は、バルブ１０６を介して、被処理体２３４の上方のノ
ズル２３６から被処理体の中央部からスプレー等の供給
方式により所定量滴下される（図１９参照）。

【００６８】次いで、モータ２２４を駆動すると、ベル
ト２２０、２２８により回転カラ−２０２Ｃと昇降軸２
１４とが同じ回転速度で低速回転する。その結果、回転
カップ２０２とスピンチャック２０６とが同じ回転速度
で同期して回転し、被処理体２３４上の現像液が遠心力
により引き延ばされて被処理体２３４の表面を覆い、こ
れにより被処理体の現像処理が行われる。その後、高速
回転しつつ、リンス液を供給し、現像液を洗い流して現
像処理を終了する。

【００６９】かかる処理時に、遠心力により吹き飛ばさ
れた残余の現像液は、回転カップ２０２の底部外縁およ
び側部に設けられた排液孔２５２Α、２５２Ｂを介して
ドレンカッブ２５０内に排出され、ドレンカップ２５０
の底部に設けられたドレン口２５４より外部に排出され
る。

【００７０】なお、上述した実施例における各部の構
造、形状等は一例であって種々の変更および修正が可能
である。例えば、上記実施例はＬＣＤ基板に現像液を塗
布する装置を例に挙げて説明したが、本発明は、半導体
ウェハ等の他の被処理体に対して種々の処理液、例えば
塗布液を塗布する装置にも適用可能である。また、上述
した実施例では、現像装置２００の構成として回転カッ
プ２０２と被処理体２３４とが同時に回転するカップ回
転式のものについて説明したが、カップは固定で被処理
体が回転する、スピナー式で構成することもできる。

【００７１】このように、本実施例によれば、処理液は
３重構造に構成された多孔質チューブの中間部を流通
し、脱気用チューブの内側と外側とから同時に脱気する
ことが可能であるので、単独かつ経路が短いチューブで
あっても、高い効率で脱気をすることができる。その結
果、脱気機構を小型化できるとともに、処理の均一化が
図れ、歩留まりも向上する。

【００７２】なお、上記実施例１および２は、適宜組み
合わせて実施することができる。また、上記実施例にお
いては、処理液として現像液を用いた場合について説明
しているが、本発明は、処理液がレジスト液である場合
にも適用することができる。この場合、レジスト液には
揮発性液体が含まれているので、脱気によりレジスト液
の濃度や粘度を調整することもできる。

【００７３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
気液分離機能を有する部材を介して処理液を排気するの
で、処理液自体は排出されずにその中の気体成分のみが
分離される。従って、処理液の濃度を変化させずにその
中の気泡を除去することができるレジスト処理装置およ
びレジスト処理方法が提供される。

【００７４】また、本発明によれば、気液分離機能を有
する複数の管状部材内に処理液を通流させ、処理液をそ
の壁部を介して排気することにより処理液から気体を分
離するので、気体が排出される表面積が大きくなり極め
て効率良く処理液から気体のみを除去することができ
る。従って、処理液の濃度を変化させずにその中の気泡
を除去することができ、かつ高解像度のレジストを現像
する場合に問題となる微細気泡を発生させることなく高
精度でレジスト処理を行うことができるレジスト処理装
置およびレジスト処理方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のレジスト処理装置（現像処理装置）を
組み込んだ塗布・現像処理装置を示す概略図。

【図２】本発明のレジスト処理装置（現像処理装置）を
示す模式図。

【図３】図２に示す現像処理装置に用いられるノズルの
構造を示す断面図。

【図４】図３に示すノズルのIV−IV線に沿う断面図。

【図５】ノズルの現像液供給動作を説明するための図。

【図６】図２に示す現像処理装置に用いられる処理液脱
気機構の一例を示す断面図。

【図７】図２に示す現像処理装置に用いられる処理液脱
気機構の一例を示す断面図。

【図８】本発明の現像処理装置を示す模式図。

【図９】本発明の現像処理装置に用いられるノズルの他
の例を示す図。

【図１０】本発明の現像処理装置に用いられるノズルの
他の例を示す図。

【図１１】（Ａ）は図２に示す現像処理装置に用いられ
る処理液脱気機構の他の例を示す断面図、（Ｂ）は
（Ａ）に示す処理液脱気機構の XIB−XIB 線に沿う断面
図。

【図１２】本発明の現像処理装置に使用される処理液脱
気機構における脱気時間と線幅との間の関係を示すグラ
フ。

【図１３】本発明の現像処理装置に使用される処理液脱
気機構における脱気時間と現像液濃度との間の関係を示
すグラフ。

【図１４】本発明の現像処理装置に使用される処理液脱
気機構における脱気時間と最低露光時間との間の関係を
示すグラフ。

【図１５】本発明の現像処理装置の処理液脱気機構の他
の例を示す概略図。

【図１６】本発明の現像処理装置の処理液脱気機構の他
の例を示す概略図。

【図１７】本発明の現像処理装置の処理液脱気機構部分
の拡大図。

【図１８】本発明の現像処理装置の蓋体の開閉および被
処理体の受け渡しを説明するための図。

【図１９】本発明の現像処理装置の作用を説明するため
の図。

【符号の説明】

１，１０２…タンク、２…現像液、３…ガスボンベ、
４，５，５ａ，５ｂ…配管、６…中間タンク、６ａ…リ
ミットセンサ、６ｂ…エンプティセンサ、７…処理液脱
気機構、８ａ，８ｂ…フローメーター、９ａ，９ｂ，１
０４…フィルター、１０ａ，１０ｂ…ウォータージャケ
ット、１１ａ，１１ｂ…エアオペレションバルブ、１２
…ノズル、１３…現像部、１４…チャック、１５…モー
タ、１６…カップ、２１…側壁、２２…底壁、２３…現
像液収容室、２４…蓋部材、２５…パッキン、２７…現
像液供給口、２８…液吐出孔、３１…密閉容器、３２…
導入口、３３…送出口、３４…仕切り部材、３５…排気
管、３６…真空ポンプ、３８，３９…管部材、４２…ス
トリームノズル、４３…ノズル本体、４４，２３６…ノ
ズル、７２，９１…ピンセット、７３，７４…基板搬送
用のメインアーム、７５，９２…受け渡し台、８１…ブ
ラシ洗浄装置、８２…ジェット水洗部、８３…塗布装
置、８４…アドヒージョン処理部、８５…冷却処理部、
８６…加熱処理部、８７…現像処理部、９３…露光装
置、９４…ロード・アンロード部、９５…第１処理部、
９６…第２処理部、１００…現像液供給系、１０３…流
量計、１０５…温度調節器、１０６…バルブ、２００…
現像処理部、２０２…回転カップ、２０２Ａ，２０２Ｂ
…開口部、２０２Ｃ…回転カラー、２０４…蓋体、２０
６…スピンチャック、２０８…シール部材、２１２…昇
降機構、２１４…昇降軸、２１６…スプライン軸受、２
１８，２２６…従動プーリ、２２０，２２８…駆動ベル
ト、２２２，２３０…駆動プーリ、２２４…スピンモー
タ、２３２…共通軸、２３４…被処理体、２３８…ベア
リング、２４０…昇降部、２４２…アーム、２４４…搬
送アーム、２５０…ドレンカップ、２５２Ａ，２５２Ｂ
…排液孔、２５４…ドレン孔、２５６…排気経路、２５
８…排気口、３００…脱気機構、３０２…マニホルド
部、３０４…脱気チューブ部、３０６…係合部、３０８
…第１チューブ、３１０…第２チューブ、３１２…第３
チューブ、３１４…現像液流通経路、３１６…第１の脱
気経路、３１８…第２の脱気経路、３２０…第１の経
路、３２２…第２の経路、３２４…第３の経路、３２６
…第１の継手、３２８…ＰＦＡチューブ、３３０…第２
の継手。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯野 洋行 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン九州株式会社山梨事業所 内 (72)発明者 千場 教雄 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 (72)発明者 木村 義雄 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被処理体に処理液を供給してレジスト処理
   を行うレジスト処理装置であって、 被処理体に処理液を供給する処理液供給ノズルと、 この処理液供給ノズルに処理液を送出する処理液送出手
   段と、 この処理液送出手段と前記処理液供給ノズルとの間に設
   けられた処理液流路と、 この処理液流路の途中に設けられ、処理液を脱気する処
   理液脱気機構とを具備することを特徴とするレジスト処
   理装置。
2. 【請求項２】前記処理液脱気機構は、 密閉容器と、 密閉容器内に処理液を導入する導入口と、 密閉容器内に設けられた気液分離機能を有する部材と、 密閉容器内を排気することにより、気液分離機能を有す
   る部材を介して前記処理液を脱気して処理液から気体を
   分離する排気手段と、 前記気液分離機能を有する部材によって気体が分離され
   た処理液を前記処理液供給ノズルに向けて送出する送出
   口とを有する請求項１記載のレジスト処理装置。
3. 【請求項３】 前記気液分離機能を有する部材は、気体
   は通過するが液体は通過しない性質を有する非多孔質体
   である請求項２記載のレジスト処理装置。
4. 【請求項４】 前記非多孔質体は、ポリテトラフルオロ
   エチレン、ポリエチレン、およびポリカーボネートから
   なる群より選ばれた一つの材料である請求項３記載のレ
   ジスト処理装置。
5. 【請求項５】前記処理液脱気機構は、 密閉容器と、 密閉容器内に処理液を導入する導入口と、 密閉容器から前記処理液供給ノズルに向けて処理液を送
   出する送出口と、 前記密閉容器内に前記導入口および前記送出口に亘って
   設けられ、前記処理液が通流される気液分離機能を有す
   る複数の管状部材と、 密閉容器内を排気することにより、前記複数の管状部材
   を通流する処理液をその壁部を介して脱気し、処理液か
   ら気体を分離する排気手段とを有し、前記送出口からは
   気体が分離された処理液が送出される請求項１記載のレ
   ジスト処理装置。
6. 【請求項６】 前記複数の管状部材は、１ｍｍ以下の内
   径を有する請求項５記載のレジスト処理装置。
7. 【請求項７】 前記複数の管状部材は、１００本以上で
   ある請求項５記載のレジスト処理装置。
8. 【請求項８】前記処理液脱気機構は、 密閉容器と、 密閉容器内に処理液を導入する導入口と、 密閉容器から前記処理液供給ノズルに向けて処理液を送
   出する送出口と、 前記密閉容器内に前記導入口および前記送出口に亘って
   設けられ、前記処理液が通流される気液分離機能を有す
   る管軸方向に沿って形成された複数の突出部を有する管
   状部材と、 密閉容器内を排気することにより、前記管状部材を通流
   する処理液をその壁部を介して脱気し、処理液から気体
   を分離する排気手段とを有し、 前記送出口からは気体が分離された処理液が送出される
   請求項１記載のレジスト処理装置。
9. 【請求項９】 前記管状部材は、多孔質体で構成される
   請求項８記載のレジスト処理装置。
10. 【請求項１０】前記処理液脱気機構は、 第１の径を有し、多孔質材料製の第１チューブと、 第１の径よりも大きい第２の径を有し、多孔質材料製の
    第２チューブと、 第２の径よりも大きい第３の径を有し、非多孔質材料製
    の第３チューブと、 前記第１チューブの内側に設けられた内側排気手段と、 前記第２チューブと前記第３チューブとの間に設けられ
    た外側排気手段とを有し、 処理液を前記第１チューブと前記第２チューブとの間に
    形成される経路内を通液する請求項１記載のレジスト処
    理装置。
11. 【請求項１１】 前記多孔質材料の平均孔径が０．２〜
    ０．８μｍである請求項１０記載のレジスト処理装置。
12. 【請求項１２】 前記多孔質材料がポリテトラフルオロ
    エチレンまたはメチルペンテン樹脂である請求項１０記
    載のレジスト処理装置。
13. 【請求項１３】 前記非多孔質材料がポリテトラフルオ
    ロエチレン、ポリ塩化ビニル、ステンレス鋼、アクリル
    樹脂、およびテトラフルオロエチレン−パーフルオロア
    ルコキシエチレン共重合体からなる群より選ばれた材料
    である請求項１０記載のレジスト処理装置。
14. 【請求項１４】 前記処理液供給ノズルが、ストリーム
    ノズルまたはマルチノズルである請求項１記載のレジス
    ト処理装置。
15. 【請求項１５】被処理体に処理液を供給してレジスト処
    理を行うレジスト処理方法であって、 処理液を気液分離機能を有する部材を介して排気して処
    理液から気体を分離する工程と、 前記気液分離機能を有する部材によって気体が分離され
    た処理液を処理液供給ノズルに送出する工程と、 該処理液を処理液供給ノズルから被処理体に供給する工
    程と，を具備することを特徴とするレジスト処理方法。
16. 【請求項１６】 処理液から気体を分離する際に、減圧
    力、フォトレジストの種類、脱気時間、および現像液濃
    度からなる群より選ばれた少なくとも一つを考慮して排
    気の条件を設定する請求項１５記載のレジスト処理方
    法。
17. 【請求項１７】 処理液を処理液供給ノズルから被処理
    体に供給する工程の前に、純水を処理液供給ノズルから
    被処理体に供給する工程を具備する請求項１５記載のレ
    ジスト処理方法。
18. 【請求項１８】被処理体に処理液を供給してレジスト処
    理を行うレジスト処理方法であって、 気液分離機能を有する複数の管状部材内に処理液を通流
    させる工程と、 前記管状体内を通流する処理液をその壁部を介して排気
    することにより前記処理液から気体を分離する工程と、 前記管状部材によって気体が分離された処理液を処理液
    供給ノズルに送出する工程と、 該処理液を処理液供給ノズルから被処理体に供給する工
    程と、を具備することを特徴とするレジスト処理方法。
19. 【請求項１９】 処理液から気体を分離する際に、減圧
    力、フォトレジストの種類、脱気時間、および現像液濃
    度からなる群より選ばれた少なくとも一つを考慮して排
    気の条件を設定する請求項１８記載のレジスト処理方
    法。
20. 【請求項２０】 処理液を処理液供給ノズルから被処理
    体に供給する工程の前に、純水を処理液供給ノズルから
    被処理体に供給する工程を具備する請求項１８記載のレ
    ジスト処理方法。